專利名稱：晶片承載工具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型關(guān)于一種晶片承載工具，特別是應(yīng)用于薄晶片的一種晶片承載工具。
雖然III-V族化合物半導(dǎo)體材料在高頻的應(yīng)用領(lǐng)域上具有硅材料無法取代的特點，但由于應(yīng)用上III-V族化合物半導(dǎo)體材料的厚度較硅晶片為薄，再加上其易碎的特性，常造成生產(chǎn)延誤及成本上的損失，甚或?qū)е戮奈廴尽Ｓ绕洚?dāng)跨入6吋的晶片尺寸時，隨著晶片尺寸的增大，破片的問題更易被凸顯出來，而亟需盡速加以解決。
另外，由于晶片在剝離(demount)過程中需浸泡在丙酮及異丙醇等有機溶劑內(nèi)，然后再經(jīng)過清洗及干燥。若晶片表面干燥結(jié)果不佳，常造成液滴殘留而影響產(chǎn)品的良率。
本實用新型的目的為(1)防止剝離后的薄晶片在作有機溶劑清洗時及傳輸時造成破片；及(2)解決晶片清洗后的晶片與工具間殘余溶劑或水的問題，進而縮短過程所需的時間。
本實用新型的晶片承載工具包含一環(huán)體、至少一護圍及一支撐架。環(huán)體具有一斜面以支撐晶片。護圍建構(gòu)在環(huán)體之上，且其內(nèi)徑略大于晶片的外徑，用以局限晶片。支撐架具有兩斜面，且利用兩斜面所形成的頂點支撐晶片。
上述的晶片承載工具還可包含一套環(huán)，其可套合在護圍內(nèi)，用以將晶片固定在支撐架與套環(huán)之間。當(dāng)晶片承載工具及套環(huán)放置在晶舟盒中時，放置其間的晶片可采直立放置而加快殘留溶劑流下的速度。護圍可包含多個凸點，以減低護圍與晶片接觸的面積，進而增進清洗效果并防止污染的發(fā)生。
具體實施方式
本實用新型的第一較佳實施例的晶片承載工具10如

圖1所示，晶片承載工具10包含把手102、環(huán)體104、左右各一個護圍106及支撐架108。支撐架108為“*”字形且交叉在環(huán)體104的中心，而形成左右對稱的結(jié)構(gòu)，以求其對晶片的平均支撐。護圍106位于環(huán)體104的上方，且與把手102形成一結(jié)構(gòu)以局限晶片，用以防止其晃動。護圍106在把手102及其對角的方位各形成一缺口，當(dāng)晶片為直立放置時，可通過重力使清洗后殘留的溶劑流下，進而加速晶片的干燥速率。圖2為晶片承載工具10的上視圖，而其在A-A及B-B剖面線的剖面圖如圖3及圖4所示。其中，支撐架108及環(huán)體104分別具有兩個斜面110及一斜面112。這樣一來，若以剖面的二維空間考慮，當(dāng)晶片置于晶片承載工具10時，晶片將僅接觸兩個斜面110所形成的頂點114，而晶片的邊緣將僅接觸到斜面112上的一點。故實際上晶片所接觸的部位僅有頂點114所構(gòu)成的線及斜面112上接觸點所構(gòu)成的圓。因而可大幅減少晶片與晶片承載工具10的接觸面積。換言之，本實用新型可增加晶片與溶劑接觸的面積，而增加溶劑清洗的效率及提高干燥的成效。
本實用新型的第二較佳實施例的晶片承載工具20如圖5所示，其是將第一較佳實施例中的支撐架108結(jié)構(gòu)作修改而成。晶片承載工具20包含把手202、環(huán)體204、2個護圍206及3條支撐條208。支撐條208大致平行，故當(dāng)其直立放置在晶舟盒中時，可加快液體流下的速度。另外由于3個支撐條208的總長度小于支撐架108的總長度，所以其與晶片接觸的面積更小。
本實用新型的第三較佳實施例的一晶片承載工具如圖6所示。其也是改變第一較佳實施例中的支撐架108結(jié)構(gòu)而成。晶片承載工具30包含把手302、環(huán)體304、2個護圍306及“×”字形支撐架308。支撐架308與晶片接觸的面積小于支撐架108與晶片接觸的面積。
當(dāng)晶片欲直立放置在晶舟盒中時，此時可另外制作套環(huán)以作為固定晶片之用。參照圖7，套環(huán)40包含把手402、套環(huán)體404及4個凸點406。其中凸點406突出在把手402及套環(huán)體404所構(gòu)成的平面。
重新參照圖3，護圍106包含凹部116，可供套合套環(huán)體404。晶片承載工具10與套環(huán)40套合的狀態(tài)如圖8所示。其中用于套合的套環(huán)是相對于圖7所示的套環(huán)40在翻轉(zhuǎn)后的狀態(tài)，即凸點406向下突出。凸點406的方位設(shè)計為置于支撐架108的上方，且與支撐架108的頂點114構(gòu)成間隔。間隔必須僅約略大晶片的厚度以供晶片放置，用以防止晶片晃動而達到固定的目的。這樣一來，當(dāng)晶片承載工具10及套環(huán)40套合放置在晶舟盒時，其間的晶片可直立放置而加快殘留溶劑流下的速度。
由于晶片承載工具在剝離過程中必須浸泡在有機溶劑內(nèi)，故其使用材料必須能耐溶劑侵蝕，且強度要足以避免在過程中變形而造成晶片破片。故上述的晶片承載工具及其套環(huán)可由經(jīng)過陽極處理的鋁合金組成，憑借其表層產(chǎn)生的氧化鋁薄膜以防止腐蝕現(xiàn)象的發(fā)生。
應(yīng)用本實用新型的晶片承載工具，可使得厚度為4mil甚至2mil的易碎的砷化鎵晶片得到適當(dāng)?shù)谋Ｗo而避免破片及污染。尤其當(dāng)應(yīng)用在6吋以上的晶片時，更可看出其顯著的功效。
本實用新型的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點已披露在上述內(nèi)容種，然而本領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可能基于本實用新型作種種不背離本實用新型精神的替換及修飾。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)不限于實施例所揭示的范圍，而應(yīng)包括各種不背離本實用新型的替換及修飾，并為權(quán)利要求書的保護范圍所涵蓋。
權(quán)利要求1.一種晶片承載工具，其特征在于所述晶片承載工具包含一環(huán)體，具有一斜面以支撐所述晶片；至少一護圍，建構(gòu)在所述環(huán)體之上，其內(nèi)徑略大于所述晶片的外徑，用以局限所述晶片；及一支撐架，具有兩斜面及所述兩斜面形成的一頂點，所述頂點用于支撐所述晶片。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片承載工具，其特征在于所述晶片承載工具還包含一連接到所述環(huán)體的把手。
3.如權(quán)利要求1所述的晶片承載工具，其特征在于所述晶片承載工具還包含一套環(huán)，可套合在所述護圍內(nèi)以固定所述晶片。
4.如權(quán)利要求3所述的晶片承載工具，其特征在于其中所述套環(huán)包含多個凸點，用以固定所述晶片。
5.如權(quán)利要求4所述的晶片承載工具，其特征在于其中所述多個凸點的方位相同于所述支撐架的方位，且所述凸點頂端與所述支撐架的頂點構(gòu)成一間隔，所述間隔略大于所述晶片的厚度。
6.如權(quán)利要求4所述的晶片承載工具，其特征在于其中所述套環(huán)具有4個凸點。
7.如權(quán)利要求1所述的晶片承載工具，其特征在于其中所述支撐架為一「*」字形。
8.如權(quán)利要求1所述的晶片承載工具，其特征在于其中所述支撐架系由3個平行的支撐條組成。
9.如權(quán)利要求1所述的晶片承載工具，其特征在于其中所述支撐架為「×」字形。
10.如權(quán)利要求1所述的晶片承載工具，其特征在于所述晶片承載工具是由經(jīng)陽極處理的鋁合金組成。
11.如權(quán)利要求1所述的晶片承載工具，其特征在于所述晶片承載工具是應(yīng)用于6吋晶片。
12.如權(quán)利要求1所述的晶片承載工具，其特征在于所述晶片承載工具是應(yīng)用于砷化鎵晶片。
13.如權(quán)利要求1所述的晶片承載工具，其特征在于所述晶片承載工具是應(yīng)用于小于5mil厚度的晶片。
14.如權(quán)利要求3所述的晶片承載工具，其特征在于其中所述套環(huán)是由經(jīng)陽極處理的鋁合金組成。
15.如權(quán)利要求1所述的晶片承載工具，其特征在于其中所述護圍形成一缺口，以利于液體流下而加快所述晶片干燥的速率。
專利摘要本實用新型揭示一種晶片承載工具，其包含一環(huán)體、至少一護圍及一支撐架。環(huán)體具有一斜面以支撐晶片。護圍建構(gòu)在環(huán)體之上，且其內(nèi)徑約等于晶片的外徑，用以局限晶片。支撐架具有兩斜面，且利用兩斜面所形成的頂點支撐晶片。本實用新型的晶片承載工具可固定晶片以防止破片，且大幅減少其與晶片接觸的面積，進而增進清洗效果及防止污染的發(fā)生。
文檔編號H01L21/68GK2582167SQ0225729
公開日2003年10月22日 申請日期2002年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月10日
發(fā)明者陳昌隆 申請人:全球聯(lián)合通信股份有限公司