專利名稱：使用led芯片的發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用在透明基板的晶體上形成p型半導(dǎo)體層、n型半導(dǎo)體層并且面朝下安裝在安裝基板上的LED芯片的發(fā)光裝置。
由于作為基板使用的藍寶石不導(dǎo)電，因此蝕刻除去p型半導(dǎo)體層和發(fā)光層的一部分，而露出n型半導(dǎo)體層，在其上形成對應(yīng)于n型半導(dǎo)體層的n側(cè)電極。因此，氮化鎵系LED芯片的構(gòu)造一般在半導(dǎo)體層形成面?zhèn)却嬖趎、p兩種電極。作為電極，通常是以具有適于引線焊接面積的圓形或方形形狀將電極一個一個分別形成在p、n各側(cè)。通常，以邊長為300μm、厚70μm的芯片尺寸形成氮化鎵系LED芯片，芯片本身的面積和現(xiàn)有LED芯片同樣是小型的。
在光源裝置中安裝上述結(jié)構(gòu)的氮化鎵系LED芯片的情況下，LED芯片的半導(dǎo)體層形成面朝向和光源裝置的安裝基板相反的方向，在以面朝上進行芯片焊接后，通過引線接合，將p、n各個的電極連接到光源裝置的安裝基板上。在本實施例中，LED芯片的發(fā)熱部是由氮化鎵層構(gòu)成的半導(dǎo)體層，熱通過藍寶石構(gòu)成的基板向外部放出。
另一方面，在LED芯片制造工序中，由于強度的關(guān)系，用比較厚的透明基板形成氮化鎵層(半導(dǎo)體層)，但為了散熱好，在一個個地切開LED芯片前的階段，進行透明基板的背面拋光(里面研磨)，磨削至70μm的厚度。
這樣，在現(xiàn)有的LED芯片電極結(jié)構(gòu)中，p側(cè)、n側(cè)的電極僅是1組，因此，在LED芯片面內(nèi)電流充分流動并發(fā)光的僅是位于p側(cè)、n側(cè)電極之間的范圍。在這些電極之間以外的部分，電流量少，結(jié)果，發(fā)光亮度也小。
在現(xiàn)有的300μm見方的小型LED芯片的情況下，發(fā)光部面積和電極面積比小，因此，該LED芯片面內(nèi)發(fā)光亮度不均勻(電流不均勻)就不是什么大問題了。
但是，作為光源裝置大輸出化的一個方法，在研究增大LED芯片面積、以相當(dāng)于芯片面積的大電流(電流密度和以前相同)驅(qū)動發(fā)光時，發(fā)光部面積和電極面積比變大，因此，LED芯片面內(nèi)的電流不均勻就變大，以致于使面內(nèi)發(fā)光亮度不均勻變得明顯。
另外，在產(chǎn)生面內(nèi)電流不均勻的狀態(tài)下流過大電流時，在電流量大的部分中迅速開始劣化。這樣，在芯片面內(nèi)，最發(fā)光最亮的部分劣化較快，因此，促使了整個LED芯片的劣化。相反，為了抑制劣化，可抑制總電流量，以使電流量大的部分的電流密度不超過額定值。但是，LED芯片其它部分的電流量就低于額定值，使發(fā)光量下降。結(jié)果，LED芯片整體輸出下降。
鑒于以上問題，本發(fā)明的目的是提供一種發(fā)光裝置，實現(xiàn)發(fā)光面亮度均一化，同時提高從LED芯片的光取出的效率(外部量子效率)。
這樣，由于形成配置能夠使整個發(fā)光面大致均勻地發(fā)光的電極，所以可以使發(fā)光面均勻發(fā)光而幾乎沒有不均勻性。因為第一電極離第一電極上的供電部越遠(yuǎn)寬度越窄，因此，可擴大LED芯片中發(fā)光部面積，從而提高發(fā)光效率，由于至少一方電極兼作反射部，因此可實現(xiàn)光取出效率優(yōu)越的發(fā)光裝置。
在上述本發(fā)明中，在各個第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層上設(shè)置多個第一電極和第二電極。由此，發(fā)光面內(nèi)電極對置的部分變多，因此，可實現(xiàn)發(fā)光層內(nèi)的電流密度均一化、發(fā)光面內(nèi)亮度均一性優(yōu)越的發(fā)光裝置。
在上述本發(fā)明中，第一電極和第二電極彼此多個并列配置在半導(dǎo)體層形成面中。由此，可實現(xiàn)發(fā)光層內(nèi)的電流密度進一步均一化、發(fā)光面內(nèi)亮度均一性優(yōu)越的發(fā)光裝置。
在上述本發(fā)明中，第一電極和第二電極具有梳子型結(jié)構(gòu)。由此，可實現(xiàn)發(fā)光層內(nèi)的電流密度進一步均一化、發(fā)光面內(nèi)亮度均一性優(yōu)越的發(fā)光裝置。
在上述本發(fā)明中，在芯片面上配置區(qū)別于電極的光反射部件。由此，可進一步實現(xiàn)光取出效率優(yōu)越的發(fā)光裝置。
在上述本發(fā)明中，與芯片面對置的安裝基板表面或填充在LED芯片和安裝基板之間的部件兼作光反射部件。由此，可實現(xiàn)光取出效率優(yōu)越的發(fā)光裝置。
在上述本發(fā)明中，安裝基板是由在至少一面上具有絕緣層的導(dǎo)體板和通過該絕緣層層疊在導(dǎo)體板上的導(dǎo)電層構(gòu)成的布線基板，LED芯片的至少一方電極通過面朝下安裝在上述導(dǎo)電層上被電連接，并且，在上述LED芯片和上述導(dǎo)體板的對置面中夾裝熱傳導(dǎo)率比上述絕緣層高的熱傳導(dǎo)部件。這樣，LED芯片產(chǎn)生的熱通過熱傳導(dǎo)部件傳導(dǎo)到導(dǎo)體板中，由此改善LED芯片的散熱性，與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相比，可抑制發(fā)光時的LED芯片的溫度上升。結(jié)果，可在不降低LED芯片壽命的情況下增加光輸出。在以與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相同程度的光輸出使用的情況下，壽命提高。
在上述本發(fā)明中，LED芯片的各電極分別和單獨設(shè)在每個電極上的導(dǎo)電層連接。由此，熱傳導(dǎo)部件以與LED芯片的電極電氣上獨立的形式散熱。因此，即使電極相對于LED的大小比較小的情況下，也可將熱從LED芯片傳導(dǎo)到導(dǎo)體板。
在上述本發(fā)明中，熱傳導(dǎo)部件一體形成在導(dǎo)體板上。由此，可提高熱傳導(dǎo)部件和導(dǎo)體板的熱耦合的耦合度。另一方面，在用補片把LED芯片的電極與其它部件接合的情況下，在LED和其它部件之間產(chǎn)生約數(shù)十μm的間隙。如果其它部件是對導(dǎo)體板經(jīng)絕緣層形成的導(dǎo)電層，由于LED芯片和導(dǎo)體板的間隔為該尺寸上加上導(dǎo)電層和絕緣層的厚度，結(jié)果，其尺寸就變成100μm以上。在這種情況下，LED芯片和導(dǎo)體板的距離變大，熱傳導(dǎo)變差。因此，通過在導(dǎo)體板上一體設(shè)置熱傳導(dǎo)部件來減小LED芯片和導(dǎo)體板的距離。
在上述本發(fā)明中，熱傳導(dǎo)部件為金屬。由此，導(dǎo)體板和LED間的熱傳導(dǎo)良好。
本發(fā)明的上述布線基板中，導(dǎo)電層的一部分作為通向外部電路的連接部而引回到不同于LED芯片安裝面的面上。由此，通過軟釬焊或鉚接就可容易地連接到另外設(shè)置的電路基板上。
在上述本發(fā)明中，LED芯片在透明基板的表面上設(shè)置凹凸。由此，可提供發(fā)光效率優(yōu)越、顏色不均勻也得到改善的LED芯片。
在上述本發(fā)明中，LED芯片的透明基板的側(cè)面被斜切，其側(cè)面變成鏡面。由此，可提供顏色不均勻得到改善、發(fā)光效率優(yōu)越的LED芯片。
圖2是上述LED芯片的電極結(jié)構(gòu)的配置例的示圖。
圖3是上述LED芯片的電極結(jié)構(gòu)的配置例的示圖。
圖4是上述LED芯片的電極結(jié)構(gòu)的配置例的示圖。
圖5是上述LED芯片的電極結(jié)構(gòu)的配置例的示圖。
圖6是上述LED芯片的電極結(jié)構(gòu)的配置例的示圖。
圖7是上述LED芯片的電極結(jié)構(gòu)的配置例的示圖。
圖8是上述LED芯片的電極結(jié)構(gòu)的配置例的示圖。
圖9是上述LED芯片的電極結(jié)構(gòu)的配置例的示圖。


圖10是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的主要部分截面圖。
圖11是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的另一例的主要部分截面圖。
圖12是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的發(fā)光裝置的主要部分的截面圖。
圖13是上述裝置中LED芯片的另一個例子的截面圖。
圖14是上述裝置中LED芯片的另一個例子的截面圖。
圖15(a)、(b)是上述裝置中LED芯片的另一例子的截面圖。
圖16是上述裝置中LED芯片的其他例子的截面圖。
圖17是上述裝置的主要部分的截面圖。
圖18是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的發(fā)光裝置的主要部分的截面圖。
圖19是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的發(fā)光裝置的主要部分的截面圖。
圖20是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的發(fā)光裝置的另一例的主要部分截面圖。
圖21是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的發(fā)光裝置的另一例的主要部分截面圖。
圖22是根據(jù)本發(fā)明第五實施例的發(fā)光裝置的主要部分截面圖。
圖23是根據(jù)本發(fā)明第五實施例的發(fā)光裝置的截面圖。
圖24是根據(jù)本發(fā)明第五實施例的發(fā)光裝置的另一例的主要部分截面圖。
圖25是根據(jù)本發(fā)明第五實施例的發(fā)光裝置的另一例的主要部分截面圖。
圖26是根據(jù)本發(fā)明第五實施例的發(fā)光裝置的另一例的主要部分截面圖。
圖27是根據(jù)本發(fā)明第五實施例的發(fā)光裝置的再一例的主要部分截面圖。
圖28是根據(jù)本發(fā)明第六實施例的發(fā)光裝置的芯片部的截面圖。
圖29(a)、(b)是根據(jù)本發(fā)明第六實施例的發(fā)光裝置的芯片部的裝配順序的工序圖。
圖30是根據(jù)本發(fā)明第六實施例的發(fā)光裝置的另一例的截面圖。
圖31是根據(jù)本發(fā)明第六實施例的發(fā)光裝置的另一例的截面圖。
圖32是根據(jù)本發(fā)明第六實施例的發(fā)光裝置的另一例的截面圖。
圖33是根據(jù)本發(fā)明第六實施例的發(fā)光裝置的另一例的主要部分截面圖。
圖34是根據(jù)本發(fā)明第六實施例的發(fā)光裝置的再一例的主要部分截面圖。
圖35是根據(jù)本發(fā)明第七實施例的發(fā)光裝置的芯片部的截面圖。
圖36(a)、(b)是根據(jù)本發(fā)明第七實施例的發(fā)光裝置的芯片部的裝配順序的工序圖。
圖37是根據(jù)本發(fā)明第八實施例的發(fā)光裝置的LED芯片部的截面圖。
圖38是根據(jù)本發(fā)明第九實施例的發(fā)光裝置的LED芯片部的截面圖。
圖39是根據(jù)本發(fā)明第十實施例的發(fā)光裝置的LED芯片部的截面圖。
圖40(a)是現(xiàn)有面朝下安裝型的LED芯片的半導(dǎo)體層形成側(cè)芯片面的平面圖，圖40(b)是其LED芯片的側(cè)面截面圖，圖40(c)是其安裝時的主要部分截面圖。
圖41是使用現(xiàn)有面朝下安裝型的LED芯片的發(fā)光裝置的截面圖。
首先，用圖40；來說明用于本發(fā)明的發(fā)光裝置的面朝下構(gòu)成的LED芯片。如圖40(a)、(b)所示，LED芯片1由氮化鎵系化合物半導(dǎo)體構(gòu)成，所述氮化鎵類化合物半導(dǎo)體是經(jīng)緩沖層(未圖示)按n型GaN層構(gòu)成的n型半導(dǎo)體層3、覆蓋層(未圖示)、發(fā)光層4、覆蓋層(未圖示)、p型GaN層構(gòu)成的p型半導(dǎo)體層5的順序在由藍寶石構(gòu)成的透明基板2上形成層。半導(dǎo)體的種類不限于上述氮化鎵系化合物半導(dǎo)體，只要基板晶體是透明的，也可以是其它半導(dǎo)體。而且，透明基板的種類也不特別限定為藍寶石，例如也可以是碳化硅等。
如圖40(c)所示，在各半導(dǎo)體層3、5上形成n側(cè)電極6、p側(cè)電極7之后，配置半導(dǎo)體層3、5形成側(cè)芯片面朝向安裝基板8。在安裝基板8和p型半導(dǎo)體層5之間填充填充料27，各電極6、7用由焊錫構(gòu)成的補片21、21焊接到作為安裝基板8側(cè)導(dǎo)電部的導(dǎo)體10上，采用將透明基板2作為發(fā)光面?zhèn)鹊乃^面朝下的安裝結(jié)構(gòu)。如圖41所示，通過將這種LED芯片配置在由近紫外線激勵而發(fā)黃色光的熒光體層9′內(nèi)，由LED芯片1發(fā)出的藍色光和熒光體層9′引起的黃色光構(gòu)成白色的光源裝置。
本發(fā)明的發(fā)光裝置是以使用采用這種面朝下結(jié)構(gòu)的LED芯片1為前提的裝置，以下說明實施例。
(第一實施例)圖1表示的是根據(jù)本實施例的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)，圖2表示的是發(fā)光裝置中LED芯片的電極配置例。圖1中，與圖40所示的構(gòu)成要素相同的部件附以相同的符號。
發(fā)光裝置由LED芯片1和以安裝該LED芯片1的導(dǎo)體板為基材的布線基板(安裝基板)組成。作為導(dǎo)體板，使用鋁板這樣的熱和電的良導(dǎo)體金屬板。導(dǎo)體板中，通過絕緣層13在部分LED芯片1安裝面上形成導(dǎo)電層12。導(dǎo)電層12形成布線圖形，在其最上面形成金。LED芯片1包含透明基板2(藍寶石基板等)、形成在該透明基板上的n型半導(dǎo)體層3(第一半導(dǎo)體層)、形成在該半導(dǎo)體層上的p型半導(dǎo)體層(第二半導(dǎo)體層)5以及設(shè)在這些半導(dǎo)體層形成面上與其分別連接的n側(cè)電極(第一電極)6和p側(cè)電極(第二電極)7。兩半導(dǎo)體層3、5的接合部為發(fā)光面5。
該LED芯片1面朝下安裝在上述布線基板上。即，LED芯片1的一方電極(圖1中是p側(cè)電極7)靠近主表面的一側(cè)，另一方靠藍寶石基板的電極(圖1中是n側(cè)電極6)除去主表面的一部分來設(shè)置，在位于靠近主表面?zhèn)鹊碾姌O中形成焊錫補片21a，在靠藍寶石基板的電極上形成金補片21b。這里，在主表面上露出的電極的面積和靠藍寶石基板的電極相比足夠大，該電極經(jīng)補片21a與導(dǎo)體板11連接?？克{寶石基板的電極經(jīng)補片21b與導(dǎo)電層12連接。圖1中雖然沒有記載，但在連接絕緣薄膜17外側(cè)面的補片21a的部位上，涂敷有用于使突起21a和絕緣薄膜17接合良好的金屬膜。
如圖2所示，本實施例的p側(cè)電極7、n側(cè)電極6在LED芯片1的半導(dǎo)體層形成側(cè)芯片面(半導(dǎo)體活性面)內(nèi)都具有面對面的梳形形狀，具有以大致等間隔排列的并行排列部。由在電極6、7對置的角部形成的供電部15、16供電。蒸鍍例如金或鋁等來形成各電極6、7和供電部15、16。在靠近透明基板側(cè)的n形半導(dǎo)體層上連接的n側(cè)電極6具有離供電部越遠(yuǎn)寬度越窄的特征。電極上離供電部越遠(yuǎn)的點，使其附近的發(fā)光層以規(guī)定光量發(fā)光所需的電流密度越小。因此，如果n側(cè)電極的寬度隨著所需電流密度的減小而變窄，就可擴大連接與其對置的p側(cè)電極的p型半導(dǎo)體層或位于其下側(cè)的發(fā)光層的面積。從而，由于能夠把LED芯片1中發(fā)光部的面積作得大，所以可得到進一步提高發(fā)光效率的效果。橫跨LED芯片1的半導(dǎo)體層形成側(cè)的整個芯片面形成寬蝠電極6、7，各電極6、7就都能夠用作從半導(dǎo)體層形成側(cè)芯片面放射的光的光反射部。
在形成透明基板2的半導(dǎo)體層即氮化鎵層一側(cè)的相反側(cè)的面上形成1μm左右的凹凸。這里，在背面拋光階段，通過調(diào)整所使用的研磨劑的粒度，來形成凹凸。凹凸的截面形狀可為三角形或方形等，或者也可為帶圓形的半圓狀。
在該發(fā)光裝置中，氮化鎵層的發(fā)光部產(chǎn)生的光中的進入下面?zhèn)鹊墓鈳缀醵急浑姌O6、7反射，射向上面?zhèn)?。從發(fā)光部進入上面?zhèn)鹊墓馔ㄟ^透明基板2內(nèi)部到達其上面部分。因為上面部分形成凹凸，所以起大致完全擴散面的作用，向外部射出一部分光。一部分光被反射后再次向下進入透明基板2內(nèi)，但因為是凹凸面的反射，所以反射方向是任意的。經(jīng)凹凸面反射的光的一部分到達透明基板2的側(cè)面，從側(cè)面向外部射出。被凹凸面反射的光中的到達下面的光再次被電極6、7反射到上面?zhèn)?，從凹凸面向外部射出一部分。這樣，將LED芯片1面朝下地安裝在安裝基板中，LED芯片1的上面為凹凸結(jié)構(gòu)，由此可減少LED芯片內(nèi)的平行面，抑制進行反復(fù)全反射的光。
按照這種結(jié)構(gòu)，LED芯片1就經(jīng)焊錫補片21a以比較大的面積與導(dǎo)體板11熱結(jié)合起來。由于焊錫的熱傳導(dǎo)性比較高且補片21a的截面面積比較大，可有效地將熱從LED芯片1傳導(dǎo)到導(dǎo)體板。即，在本實施例中，補片21a用作LED芯片1和導(dǎo)體板11之間的熱傳導(dǎo)部件。如本實施例那樣，在形成LED芯片1的電極的面中除供電部的部位用絕緣膜17覆蓋的情況下，即使設(shè)置比較大的補片21a，只要補片21a不直接接觸補片21b或者與補片21b對應(yīng)的電極，就不會短路，所以不管在哪個電極上都能夠設(shè)置面積大的補片21a。
在補片21a中使用焊錫，但只要是導(dǎo)熱率高的材料就可使用，例如Ag膏等其它材料。代替使用一個大補片21a，可在同一位置并列多個小尺寸的補片把LED芯片1和導(dǎo)體板11結(jié)合起來，也能取得同樣的熱傳導(dǎo)效果。使用多個補片的情況下，補片21a可與涂敷金屬膜的絕緣薄膜17的外側(cè)面接合，如果通過腐蝕除去部分絕緣薄膜17而露出主表面?zhèn)鹊碾姌O7、直接把補片接合到電極7上，則可降低LED芯片1和導(dǎo)體板11之間的熱阻抗，散熱性好。
最好用透明的合成樹脂來密封安裝在布線基板上的LED芯片1及其周圍。但是，如上所述，由于用補片把21aLED芯片1和導(dǎo)體板11熱結(jié)合起來，所以LED芯片1所產(chǎn)生的熱就經(jīng)導(dǎo)體板11釋放，與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相比，顯著提高了散熱性，發(fā)光時的LED芯片1的溫度也比現(xiàn)有結(jié)構(gòu)低。
這里，如圖10所示，如果用由絕緣體構(gòu)成的反射器14圍在LED芯片1的周圍，并將反射器14的一部分用作絕緣層13，則可控制來自LED芯片1的光的發(fā)光強度分布，可提高光的利用率。反射器14形成為離LED芯片1越遠(yuǎn)開口面積越大的形狀，并將透明的合成樹脂作為密封樹脂9填充在反射器14的內(nèi)部。
在上述圖10所示的例子中，在一片安裝基板(布線基板)8上安裝一個LED芯片1，但如圖11所示，也可采用這樣的結(jié)構(gòu)一片安裝基板8由多片導(dǎo)體板11形成，在各導(dǎo)體板11上至少安裝1個LED芯片1。在這種結(jié)構(gòu)中，鄰接的每一對導(dǎo)體板11由絕緣層13連接，鄰接的每一對導(dǎo)體板11中的一方上安裝的LED芯片1的一方電極和另一個導(dǎo)體板11經(jīng)形成在絕緣層13表面上的導(dǎo)電層12電連接。在橫跨相鄰接合的每一對導(dǎo)體板11的部位上，在絕緣層13上設(shè)置反射器14。為了實現(xiàn)該結(jié)構(gòu)，在一塊個金屬板上形成絕緣層13之后，從金屬板的里面?zhèn)?與LED芯片1的安裝面相反側(cè)的面)通過切割工具形成分離溝11a，由此使各導(dǎo)體板11電隔離。若采用這種結(jié)構(gòu)，則可串聯(lián)排列多個LED芯片1。
在本實施例中，反射器14和密封樹脂9不是必須的，例如可另外設(shè)置反射器14。即，即使沒有設(shè)置反射器14和密封樹脂9，也能提高LED芯片1的散熱性，和現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相比，發(fā)光時的LED芯片1溫度下降，結(jié)果，不會縮短發(fā)光裝置的壽命，可增加發(fā)光裝置的光輸出。在得到和現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相同程度的光輸出的情況下，發(fā)光裝置的壽命比現(xiàn)有結(jié)構(gòu)長。
這里，如圖10所示，在形成包圍部分導(dǎo)體板11的形狀的反射器14的情況下，可使用形成立體布線基板(MID基板)的合成樹脂或陶瓷等材料作為絕緣層13。在該結(jié)構(gòu)中，把導(dǎo)體層12立體布線，并把導(dǎo)體層12引回至不同于導(dǎo)體板11上的LED芯片1的安裝面的表面?zhèn)?。若采用這種結(jié)構(gòu)，則可通過軟釬焊或鉚接容易地將在安裝基板8上安裝LED芯片1而形成的發(fā)光裝置和外部電路的電路基板連接起來。
并且，對圖2中的給供電部15、16通電使LED芯片1發(fā)光時，形成在平行對置的直線狀各電極6、7間的區(qū)域發(fā)光的發(fā)光部位，結(jié)果，在一個芯片內(nèi)形成由多個發(fā)光部位組成的多發(fā)光部，可確保LED芯片1的發(fā)光面以大致均一的亮度發(fā)光。這樣，向安裝基板8側(cè)放射的光通過電極6、7向透明基板2側(cè)即光取出方向反射，光取出效率提高，作為LED芯片1的發(fā)光效率提高。
在上述圖2的例子中，平行配置直線電極6、7來構(gòu)成并列電極部，但電極6、7的形狀不限于圖2的例子。以下對電極結(jié)構(gòu)的其它實施例進行說明。圖3所示的實施例中，由波浪狀曲線形狀的電極6、7構(gòu)成并列電極部，按照本實施例也能形成上述那樣的多發(fā)光部。
圖4所示的實施例中，平行配置彎曲成L型的電極6、7來構(gòu)成并列電極部，按照本實施例也能形成上述那樣的多發(fā)光明部。
圖5所示的實施例中，以等間隔彼此并列地配置和圖2的電極配置結(jié)構(gòu)相同的直線狀電極6、7，在本實施例的情況下，不在LED芯片1上設(shè)置電連接屬于相同半導(dǎo)體側(cè)的電極6、6相互間的導(dǎo)電部和電極7、7相互間的導(dǎo)電部，而是對應(yīng)于各電極6、7分別設(shè)置供電部15、16。使該電極結(jié)構(gòu)的LED芯片1發(fā)光時，由于電連接電極彼此間的導(dǎo)電部不在LED芯片1上，所以彼此不平行(并列)的導(dǎo)電(電極)部分的比例減小，因此，在各發(fā)光部位的發(fā)光不會不均勻，和圖2的實施例相比，更能使整個發(fā)光面均勻發(fā)光。也可以用曲線來代替直線狀電極6、7，或者，用圖6所示的L型彎曲的電極6、7也能得到同樣的均勻發(fā)光。
圖7所示的實施例是設(shè)置成除了圖2的電極配置結(jié)構(gòu)之外，在并列的電極6、7的對置方向上從各電極6、7的主干部部分一體形成分支部，同時并列的電極6、7的分支部彼此間相互并列設(shè)置。在本實施例中，與圖2的電極配置情況相比，對置電極6、7間的距離短，并且，對置存在的電極6、7在整個發(fā)光面中所占的密度大，因此，在使LED芯片1發(fā)光時，高密度地形成發(fā)光部位，結(jié)果，可使整個發(fā)光面更均勻地發(fā)光。
圖8所示的實施例中，成對的電極6、7以從LED芯片1的中心開始并列的狀態(tài)向周邊部旋渦狀配置，從中心向周邊部形成多圈并列電極部，通過旋渦狀配置，彼此不并列的電極部分的比例小，因此，與圖2的例子相比可使整個發(fā)光面更均勻地發(fā)光。旋渦狀的形狀不限于曲線，也可以是圖9那樣的直線。
(第二實施例)圖12示出了根據(jù)本實施例的發(fā)光裝置。本實施例采用圖2的電極配置結(jié)構(gòu)。在覆蓋p側(cè)電極7形成的絕緣薄膜20的對角方向的角部上，穿過各自開口的窗孔23，用焊錫、金、其它金屬構(gòu)成的補片21將電極7連接固定在安裝基板8的導(dǎo)電體10上，也可用導(dǎo)電性粘接劑來固定。在另一對角位置的角部上，n側(cè)電極6、6從絕緣薄膜20上形成的窗孔23露出，該露出部分作為對應(yīng)于n側(cè)電極6的供電部15，與p側(cè)電極7的供電部16相同，用補片21或?qū)щ娦哉辰觿┻B接固定在安裝基板8的導(dǎo)電體10上。
安裝基板8以金屬板80為基礎(chǔ)，在該金屬板80的上面形成樹脂層81，再在該樹脂層81的表面上形成導(dǎo)電體10；在對應(yīng)LED芯片1中央部的絕緣薄膜20部位的部分上，金屬板80的一部分突出以便露到外面，在該突出部82和絕緣薄膜20之間填充配置熱傳導(dǎo)性好的粘接劑作為填充料27a，使LED芯片1側(cè)的熱向金屬板80釋放。用電極6、7作為光反射部。
代替用電極6、7作為光反射部，如圖13所示，也可以在絕緣薄膜20中央部的外側(cè)面上形成光反射部用的金屬薄膜24。為了在向著n側(cè)電極6或p側(cè)電極7或者兩者導(dǎo)電體10的接合面上容易接合導(dǎo)電體，也可如圖14所示形成金屬膜25。在上述結(jié)構(gòu)中，由于在LED芯片1安裝側(cè)的周邊部直至發(fā)光層4附近形成絕緣薄膜20，所以從發(fā)光層4的端面發(fā)出的光經(jīng)SiO2構(gòu)成的絕緣薄膜20反射后不向外部射出。因此，如圖15(a)、(b)所示，蝕刻半導(dǎo)體層3、5和發(fā)光層4以使直至發(fā)光層4的周邊部成為傾斜面，沿該傾斜面形成絕緣薄膜20，由此，使從發(fā)光層4的端面發(fā)出的光放射到外部。例如如圖17所示，該光由另外設(shè)在芯片外部的安裝基板凹部內(nèi)部上的光反射部向光取出方向反射，也可以有效地使用所射出的光。
在上述圖15所示的結(jié)構(gòu)中，在外部形成用于有效使用向外射出的光的反射鏡的情況下，因為從芯片面到發(fā)光層4的厚度很小，所以有時很難作到。因此，如圖16所示，也可以沿傾斜面在絕緣薄膜20的外面由金屬薄膜形成反射膜26，使從發(fā)光層4的端面向前方射出的光朝透明基板2側(cè)反射。
(第三實施例)在第一實施例中，用電極6、7作為光反射部，但在本實施例中，如圖18所示，在LED芯片1的半導(dǎo)體層形成側(cè)芯片表面上形成的透明絕緣薄膜17的外側(cè)面上形成Ag蒸鍍膜18作為光反射部。在將LED芯片1安裝在安裝基板8上時，在Ag蒸鍍膜18和安裝基板8之間填充填充料27a。為了比較，在和圖18相同的電極結(jié)構(gòu)的LED芯片中，制作不由Ag蒸鍍膜18形成光反射部。兩者一起以面朝下狀態(tài)安裝到安裝基板8上并使其發(fā)光，可以確認(rèn)形成了Ag蒸鍍膜18的本實施例的發(fā)光效率高。
(第四實施例)圖19概略示出了本實施例。在上述第三實施例中，在絕緣薄膜17的外側(cè)面上形成Ag蒸鍍膜18作為反射部，但如圖19所示，本實施例取代形成Ag蒸鍍膜18，在絕緣薄膜17和安裝基板8的間隙中填充Ag膏構(gòu)成的填充料27b，用該填充料27b作為光反射部。
并且，還制作用沒有光反射效果的透明樹脂作為填充料將同樣的LED芯片安裝到安裝基板8上的試樣，將兩者相比較，可確認(rèn)填充由Ag膏構(gòu)成的填充料27b的一方的發(fā)光效率高。
在圖19中，使用在絕緣薄膜17和安裝基板8之間作為填充料27b填充的Ag膏作為光反射部，但如圖20所示，例如使用環(huán)氧樹脂這種有透光性的樹脂作為填充料27c，將LED芯片1以面朝下狀態(tài)安裝在安裝基板8上時，在接近LED芯片1的安裝基板8表面上形成淺槽，在其上鑲嵌加工成鏡面的金屬板19，用金屬板19作為光反射部也能夠得到同樣的效果。另外，代替在安裝基板8上形成槽，在安裝基板8的表面上粘接金屬薄板，或者形成金屬薄膜，用它作為光反射部，也可得到同樣的效果。
作為安裝基板8上的光反射部，可用接近LED芯片1的安裝基板8上的導(dǎo)電體10作為光反射的一部分?；蛘?，如圖21所示，在將LED芯片以面朝下狀態(tài)安裝到電路基板上時，使安裝基板8的導(dǎo)電體10延伸至LED芯片1的里側(cè)，可用它作光反射部。也制作在導(dǎo)電體10未延伸至LED芯片1的里側(cè)的安裝基板8上安裝相同結(jié)構(gòu)的LED芯片1的試樣，兩者相比較，可確認(rèn)使安裝基板8的導(dǎo)電體10延伸至LED芯片1里側(cè)時的一方的發(fā)光效率高。
(第五實施例)如圖22所示，本實施例在安裝基板8上形成分別連接到LED芯片1的各電極的導(dǎo)電層12。即，安裝基板8的LED芯片1的安裝面上經(jīng)絕緣層13形成電隔離的導(dǎo)電層12，LED芯片1的各電極分別連接到各導(dǎo)電層12。但是，在LED芯片1上，用氧化硅構(gòu)成的保護膜覆蓋住與導(dǎo)體板11的對置面，在LED芯片1和導(dǎo)體板11之間設(shè)置由熱傳導(dǎo)率高的材料(例如銀板)構(gòu)成的熱傳導(dǎo)部件28。
LED芯片1的各電極經(jīng)導(dǎo)電膠22(例如銀膏)分別連接到各導(dǎo)電層12。在該結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)電膠22硬化收縮就能夠使熱傳導(dǎo)材料28緊密附著在LED芯片1和導(dǎo)體板11上。即使在本實施例中，最好也用透明樹脂密封LED芯片1及其周圍，如果那樣的話，合成樹脂就能夠保護LED芯片1，也可提高LED芯片1和導(dǎo)體板11的機械結(jié)合強度。也可用與第一實施例相同的補片來代替導(dǎo)電膠22。這在以后的實施例中也是一樣的。
如圖23所示，本實施例可在1片安裝基板8上安裝1個LED芯片1，如圖24所示，也可在1片安裝基板8上安裝多個LED芯片1。在本實施例中，LED芯片1間的電路用導(dǎo)電層12來形成。
在上述實施例中，僅使熱傳導(dǎo)部件28與導(dǎo)體板11和LED芯片1接觸，但如圖25所示，也可采用熱傳導(dǎo)部件28的兩面分別用粘接劑30粘接到導(dǎo)體板11和LED芯片1上的結(jié)構(gòu)。也可以采用導(dǎo)體板11和LED芯片1中僅一方用粘接劑30粘接到熱傳導(dǎo)部件28上而另一方對接的結(jié)構(gòu)。當(dāng)使用熱傳導(dǎo)性好的焊錫和銀膏作為粘接劑30，可獲得高散熱效果，但若采用用作未充滿的樹脂的合成樹脂作為粘接劑30，只要粘接劑30的厚度薄，也能獲得抑制LED芯片1溫度上升的較好的效果。
在本實施例中，示出了用銀板作為熱傳導(dǎo)部件28的例子，但和絕緣層13相比，具有很高的熱傳導(dǎo)性。因此，例如，可用把熱傳導(dǎo)率高的金屬的金屬粉末分散在合成樹脂中的材料來形成熱傳導(dǎo)部件28?；蛘?，如圖26所示，可用焊錫作為熱傳導(dǎo)部件28。在用焊錫作為熱傳導(dǎo)部件28的情況下，經(jīng)加熱處理熔融焊錫，可使焊錫緊密附著在LED芯片1和導(dǎo)體板11上，結(jié)果，LED芯片1和導(dǎo)體板11與熱傳導(dǎo)部件28良好接觸，LED芯片1和導(dǎo)體板11之間的熱阻抗小，可提高散熱效率。
在用焊錫作為熱傳導(dǎo)部件28的情況下，由于加熱并熔融焊錫，LED芯片1的電極和焊錫(熱傳導(dǎo)部件28)必須不發(fā)生電氣連接。即，熔融的焊錫(熱傳導(dǎo)部件28)必須不附著在LED芯片1、導(dǎo)電膠22、導(dǎo)電層12上。因此，如圖27所示，為了使由焊錫構(gòu)成的熱傳導(dǎo)部件28與導(dǎo)電膠22及導(dǎo)電層12之間(即，與LED芯片1的電極之間)電絕緣，最好在與LED1和導(dǎo)體板11的對置面間即LED芯片1的電極和由焊錫組成的熱傳導(dǎo)部件28之間設(shè)置絕緣材料構(gòu)成的阻擋壁31。通過設(shè)置這種阻擋層，在熔融焊錫的加熱處理時，焊錫就不和LED芯片1的電極電連接，可防止產(chǎn)生次品。若用紫外線硬化樹脂作為該阻擋壁31的材料，則可容易地形成阻擋壁31。
按照本實施例的結(jié)構(gòu)，由于和第一實施例一樣將LED芯片1熱結(jié)合到導(dǎo)體板11上，因此可改善LED芯片1的散熱性，抑制LED芯片1的溫度上升。其他結(jié)構(gòu)及操作和第一實施例相同。
可是，如圖23所示，在形成包圍一部分導(dǎo)體板11的形狀的反射器14的情況下，可用形成立體布線基板(MID基板)的合成樹脂或陶瓷等作為絕緣層13。在該結(jié)構(gòu)中，把導(dǎo)體層12立體布線，將導(dǎo)體層12引回至不同于導(dǎo)體板11上的LED芯片1的安裝面的表面?zhèn)?。若采用這種結(jié)構(gòu)，則可通過軟釬焊或鉚接很容易地把在安裝基板8上安裝LED芯片1而形成的發(fā)光裝置和外部電路的電路基板連接起來。
(第六實施例)如圖28所示，本實施例將上述第五實施例中的熱傳導(dǎo)部件28連續(xù)一體地突設(shè)在導(dǎo)體板11上。其它結(jié)構(gòu)和第五實施例相同，在本實施例的結(jié)構(gòu)中，由于不需要在導(dǎo)體板11以外另外設(shè)置熱傳導(dǎo)部件28，因此可減少部件個數(shù)。
可是，在使連續(xù)一體地突設(shè)在導(dǎo)體板11上的熱傳導(dǎo)部件28的前端面和LED芯片1接觸時，除了和第五實施例一樣利用導(dǎo)電膠硬化時的收縮以外，還可采用圖29所示的結(jié)構(gòu)。在該例中，如圖29(a)所示，在安裝基板8之外另外制備一面有導(dǎo)電層33的絕緣板34。絕緣板34具有插入熱傳導(dǎo)部件28的通孔34a，在將LED芯片1安裝到導(dǎo)電層33上之后，如圖29(b)所示，突設(shè)在導(dǎo)體板11上的熱傳導(dǎo)部件28插入絕緣板34的通孔34a中。熱傳導(dǎo)部件28的前端面用粘接劑30粘接到LED芯片1上。作為粘接劑30，最好是熱傳導(dǎo)率高的焊錫和銀膏。設(shè)在安裝基板8上的導(dǎo)電層12和設(shè)在絕緣板34上的導(dǎo)電層33用焊接線電連接。在圖示例中，LED芯片1的電極用導(dǎo)電膠22連接導(dǎo)電層33，但和第一實施例一樣，也可采用經(jīng)金或者焊錫補片來連接的結(jié)構(gòu)。用聚酯膠片等把反射器14和導(dǎo)體板11接合起來。
由于絕緣層13可與第一實施例一樣一體設(shè)置在反射器14上，因此，如圖30所示，若把導(dǎo)體板11埋設(shè)在反射器14中，則可用反射器14保持導(dǎo)體板11。如圖31所示，若將導(dǎo)體板11的一部分埋設(shè)在反射器14中，在導(dǎo)體板11的里面?zhèn)?與LED芯片1的安裝面相反側(cè))從反射器14露出導(dǎo)體板11，就能與圖30所示結(jié)構(gòu)一樣，作成由反射器14保持導(dǎo)體板11、同時散熱性好的結(jié)構(gòu)。
圖32所示的結(jié)構(gòu)是用金屬板形成導(dǎo)體板11，通過壓力加工使其彎曲，將熱傳導(dǎo)部件28一體形成在導(dǎo)體板11上。導(dǎo)體板11的大部分埋設(shè)在反射器14中，在反射器14里面?zhèn)仁箤?dǎo)體板11的一部分露到外面。采用這種結(jié)構(gòu)也能確保散熱性。其它結(jié)構(gòu)和操作與第五實施例相同。
另外，作為在導(dǎo)體板11上一體形成熱傳導(dǎo)部件28的方法，除了切削加工以外，還有如圖33所示的在導(dǎo)體板11的里面?zhèn)壬闲纬砂疾?1b的沖壓方法和如圖34所示的在導(dǎo)體板11的表面?zhèn)壬闲纬傻陌疾?1c中嵌合熱傳導(dǎo)部件28的方法。
因此，如圖30、31所示，在形成包圍一部分導(dǎo)體板11的形狀的反射器14的情況下，可用形成立體布線基板(MID基板)的合成樹脂或陶瓷等作為絕緣層13。在該結(jié)構(gòu)中，把導(dǎo)體層12立體布線，使導(dǎo)體層12引回至不同于導(dǎo)體板11上的LED芯片1的安裝面的表面?zhèn)?。若采用這種結(jié)構(gòu)，則可通過軟釬焊或鉚接很容易地將在安裝基板8上安裝LED芯片1而形成的發(fā)光裝置與外部電路的電路基板連接起來。
(第七實施例)在上述各實施例中，設(shè)置與導(dǎo)體板11熱耦合的熱傳導(dǎo)部件28，但在本實施例中如圖35所示，具有不設(shè)置導(dǎo)體板11而僅設(shè)熱傳導(dǎo)部件28的結(jié)構(gòu)，在安裝基板8中使用由玻璃環(huán)氧樹脂基板構(gòu)成的印刷布線基板。即，在絕緣層13上層疊有導(dǎo)電層12的單面印刷布線基板為安裝基板8。但是，考慮與LED芯片1的電極的接合性，用金作為導(dǎo)電層12。在安裝基板8中形成通孔8d，插通到通孔8d中的針狀熱傳導(dǎo)部件28的一個端面與LED芯片1熱耦合。在該結(jié)構(gòu)中，僅通過熱傳導(dǎo)部件28雖然不能保證充分的散熱性能，但通過使熱傳導(dǎo)部件28中與LED芯片1相反側(cè)的端部和設(shè)在設(shè)備外殼等上的散熱性好的部件接觸，也能確保散熱性能。即，在本實施例中，使絕緣層13夾在接觸熱傳導(dǎo)部件28的部件和導(dǎo)電層12之間，這些結(jié)構(gòu)就起導(dǎo)體板的作用。作為熱傳導(dǎo)部件28，最好使用鋁這樣的導(dǎo)熱率高的材料。
本實施例中，為使熱傳導(dǎo)部件28可靠接觸LED芯片1，如圖36(a)所示，把LED芯片1安裝在安裝基板8上之后，如圖30(b)所示，可將熱傳導(dǎo)部件28插入到安裝基板8上形成的通孔8d中，粘接到LED芯片1的下面。作為粘接劑，最好是導(dǎo)熱性好的焊錫或銀膏。其它結(jié)構(gòu)和操作與上述實施例相同。
在上述各實施例中，用鋁板作為導(dǎo)體板11，但也可用熱和電的良導(dǎo)體作為導(dǎo)體板11的材料，例如用金。雖然使用金作為導(dǎo)電層12，但也可以使用銀或銅這種導(dǎo)電性好的導(dǎo)體。作為LED芯片1，雖然使用了在透明基板上層疊氮化鎵系發(fā)光層的芯片，但只要基板有透光性且能夠面朝下安裝的結(jié)構(gòu)就行。
(第八實施例)
圖37示出了按照本實施例的LED芯片。本實施例的LED芯片1和其它實施例一樣，是形成在透明基板2上的氮化鎵系LED，在與透明基板2的氮化鎵層形成側(cè)相反的側(cè)面上形成凹凸的同時，還在透明基板2的側(cè)面部形成凹凸。把LED芯片1面朝下地安裝在安裝基板8上，除上部凹凸面能減少平行面之外，側(cè)部凹凸面也減少平行面，因此，能夠進一步抑制LED芯片1內(nèi)的反復(fù)全反射，從而可提高光向外部的取出。
(第九實施例)圖38示出了根據(jù)本實施例的LED芯片。本實施例的LED芯片1也和其它實施例一樣，是在透明基板2上形成的氮化鎵系的LED。在本實施例中，與形成有臺形截面的透明基板2的氮化鎵層的一側(cè)相反側(cè)的面上形成有1μm左右的凹凸，并且，以相對氮化鎵層的面成60度的角度切斷透明基板2的側(cè)面。本實施例的LED芯片1的情況下，由于透明基板2的側(cè)面部以60度的角度成為倒臺形狀，因此相互的側(cè)面不平行。從而，可抑制在LED芯片1內(nèi)的反復(fù)全反射，提高光向外部的取出。
(第十實施例)圖39示出了根據(jù)本實施例的發(fā)光裝置，在本實施例中，使用第八實施例的LED芯片1。但是，LED芯片1是發(fā)藍色光的芯片。發(fā)藍色光的LED芯片1安裝在安裝基板8的凹部內(nèi)。在凹部內(nèi)，填充分散有由LED芯片1的藍色發(fā)光激勵而發(fā)黃光的熒光體粒子的環(huán)氧樹脂9。
在本實施例中，可從LED芯片1的上部凹凸面、側(cè)部凹凸面有效地取出光，因此，藍色發(fā)光的外部量子效率極高。所取出的一部分藍色發(fā)光元元本本地通過環(huán)氧樹脂9從安裝基板8的凹部射出，但一部分由熒光體變成黃色發(fā)光后從凹部射出。從凹部射出的藍色光和黃色光混色，得到白色光。按照本實施例的發(fā)光裝置，與使用現(xiàn)有平坦表面的透明基板的面朝上安裝的發(fā)光裝置相比，從LED芯片1中取出光的效率高，由于發(fā)光部接近基板8的凹部底面，因此散熱特性好。
本發(fā)明不限于上述實施例的結(jié)構(gòu)，可能有種種變形。例如，如上所述，雖然示出了在靠近透明基板2的一側(cè)上形成n型半導(dǎo)體層3(第一半導(dǎo)體層)，在遠(yuǎn)的一側(cè)上形成p型半導(dǎo)體層(第二半導(dǎo)體層)5，但n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層的配置關(guān)系也可以與上述相反。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，使用以面朝下狀態(tài)安裝在安裝基板上的LED芯片；包含透明基板、在該透明基板上形成的第一半導(dǎo)體層、在該第一半導(dǎo)體層上形成的第二半導(dǎo)體層以及設(shè)在這些半導(dǎo)體層形成面上并與第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層分別連接的第一電極和第二電極；其中所述第一電極和第二電極配置成平面狀以便使LED芯片的整個發(fā)光面大致均勻地發(fā)光；所述第一電極和第二電極的至少一方電極用作反射部；所述第一電極和第二電極具有供電部，并且，設(shè)在靠近透明基板側(cè)的第一半導(dǎo)體層上的第一電極離該第一電極上的供電部越遠(yuǎn)，寬度越窄。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于在所述第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層上分別配置多個第一電極和第二電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于所述第一電極和第二電極彼此多個并列配置在半導(dǎo)體層形成面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于所述并列配置的電極的間隔大致相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于所述第一電極和第二電極具有梳形結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于除電極之外，在所述芯片面上還配置光反射部件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于對置所述芯片面的安裝基板的表面或填充在所述LED芯片與所述安裝基板之間的部件兼作光反射部件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于所述安裝基板是由在至少一面上有絕緣層的導(dǎo)體板和經(jīng)該絕緣層層疊在導(dǎo)體板上的導(dǎo)電層構(gòu)成的布線基板；LED芯片的至少一方電極通過面朝下安裝而與所述導(dǎo)電層電連接，并且，在所述LED芯片和所述導(dǎo)體板的對置面上夾裝導(dǎo)熱率比所述絕緣層高的熱傳導(dǎo)部件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征在于所述LED芯片的各電極分別連接到分別設(shè)在每個電極上的導(dǎo)電層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征在于所述熱傳導(dǎo)部件一體形成在所述導(dǎo)體板上。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征在于所述熱傳導(dǎo)部件是金屬。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征在于在所述布線基板上，所述導(dǎo)電層的一部分作為對向外部電路的連接部引回到與所述LED芯片的安裝面不同的面上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于所述LED芯片在所述透明基板的表面上設(shè)置有凹凸。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置，其特征在于所述LED芯片被斜切掉所述透明基板的側(cè)面，其側(cè)面成為鏡面。
全文摘要
一種使用面朝下安裝在安裝基板(8)上的LED芯片的發(fā)光裝置，包含在透明基板(2)上形成的n型半導(dǎo)體層(3)、在該n型半導(dǎo)體層(3)上形成的p型半導(dǎo)體層(5)和設(shè)在這些半導(dǎo)體層形成面上各自連接的電極(6，7)。各電極(6，7)配置成平面狀以使LED芯片(1)的整個發(fā)光面大致均勻地發(fā)光，至少一方電極還起光反射部的作用，各電極具有供電部(15，16)，并且，設(shè)在靠近透明基板(2)側(cè)的半導(dǎo)體層上的電極離供電部越遠(yuǎn)，寬度越窄。由此，可增大LED芯片(1)中的發(fā)光部面積，從而發(fā)光效率和光輸出效率都優(yōu)良。
文檔編號H01L33/22GK1461498SQ02801256
公開日2003年12月10日 申請日期2002年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月23日
發(fā)明者橋本拓磨, 杉本勝, 木村秀吉, 鹽濱英二, 葛原一功, 高見茂成 申請人:松下電工株式會社