專利名稱：高頻模件板裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括一個(gè)基礎(chǔ)板和一個(gè)高頻電路部分的高頻模件板裝置。
背景技術(shù)：
各種信息(例如音樂、聲頻數(shù)據(jù)、圖像等)可以很容易通過數(shù)據(jù)的數(shù)字化，利用緊湊的信息處理器(例如個(gè)人計(jì)算機(jī)或移動(dòng)式計(jì)算機(jī))進(jìn)行處理。這些信息的頻帶可以利用聲頻的編碼和解碼電路組合的技術(shù)或圖像編碼和解碼電路組合的技術(shù)進(jìn)行壓縮。這樣，就形成利用數(shù)字通訊或數(shù)字廣播，可以容易和有效地將信息分布至各種通訊終端設(shè)備的環(huán)境。例如，利用移動(dòng)電話可以在室外接收音頻數(shù)據(jù)和視頻數(shù)據(jù)(以后稱為AV數(shù)據(jù))。
通過形成較好的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，可以方便地在小的區(qū)域及家中，用各種方式使用數(shù)據(jù)傳輸和接收系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，IEEE 802.11a提出的帶寬為5GHz的窄帶無線電通訊系統(tǒng)，IEEE 802.11b提出的帶寬為2.45GHz的無線電局域網(wǎng)(LAN)系統(tǒng)，或稱為蘭牙的短距離無線電通訊系統(tǒng)引人注意。
在數(shù)據(jù)傳輸和接收系統(tǒng)中，可以有效地利用這種無繩網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，不需要使用重發(fā)器，即可以容易地將各種數(shù)據(jù)輸送至不同地方(例如家中或室外)，容易進(jìn)入各種形式的通訊網(wǎng)絡(luò)，或傳輸和接收數(shù)據(jù)。
使傳輸和接收系統(tǒng)具有能發(fā)揮上述通訊功能的緊湊，輕型和便攜式的通訊終端設(shè)備是非常必要的。通訊終端設(shè)備的傳輸和接收部分，需要調(diào)制和解調(diào)模擬的高頻信號。因此，一般來說，通訊終端設(shè)備具有基于超外差系統(tǒng)的高頻傳輸和接收電路，用以將傳輸和接收的信號臨時(shí)地轉(zhuǎn)換為中間頻率信號。
如圖1所示，高頻傳輸和接收電路100包括一個(gè)具有接收或傳輸信息信號的天線或轉(zhuǎn)換開關(guān)的天線部分101，和用于切換傳輸和接收的傳輸和接收切換部件102。高頻傳輸和接收電路100還帶有包括一個(gè)頻率轉(zhuǎn)換電路部分103，解調(diào)電路部分104等的接收電路部分105。另外，高頻傳輸和接收電路100還帶有包括一個(gè)功率放大器106，一個(gè)驅(qū)動(dòng)放大器107，和一個(gè)調(diào)制電路部分108等的傳輸電路部分109。該高頻傳輸和接收電路100還包括用于將參考頻率送至接收電路部分105或傳輸電路部分109的參考頻率發(fā)生電路部分。
具有上述結(jié)構(gòu)(詳細(xì)結(jié)構(gòu)省略)的高頻傳輸和接收電路100包括一些尺寸大的功能零件-例如相應(yīng)地插入在各級之間的各種濾波器，VCO(電壓控制的振蕩器)，SAW濾波器(表面聲波濾波器)等。另外，該高頻傳輸和接收電路100還包括許多高頻模擬電路(例如匹配電路或偏壓電路)所特有的無源零件(例如電感、電阻、電容)。這樣，該高頻傳輸和接收電路100整個(gè)尺寸變大，因此，使得使用這個(gè)電路100的通訊終端設(shè)備不可能緊湊和輕巧。
在圖2所示的通訊終端設(shè)備中，使用基于直接轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的高頻傳輸和接收電路110，其中，不需要將信息信號轉(zhuǎn)換為中間頻率信號，即可傳輸和接收信息。在高頻傳輸和接收電路110中，由天線部分111接收的信息信號，通過傳輸和接收切換部件112，送至解調(diào)電路部分113；并直接進(jìn)行基帶過程。在高頻傳輸和接收電路110中，在信息源中產(chǎn)生的信息信號，在調(diào)制電路部分中不轉(zhuǎn)換為中間頻率的信號，而是直接調(diào)制成規(guī)定的頻帶信號。調(diào)制的信號，從天線部分111，通過放大器115和傳輸與接收切換部件112傳輸。
上述的高頻傳輸和接收電路110、不將信息信號轉(zhuǎn)換為中間頻率信號，并進(jìn)行直接檢測，來傳輸和接收信息信號。因此，零件(例如濾波器)數(shù)目減小，整個(gè)結(jié)構(gòu)簡單，并且基本上可由一個(gè)芯片制成該結(jié)構(gòu)。然而，高頻傳輸和接收電路110需要放置在后一級上的濾波器或匹配電路。由于高頻傳輸和接收電路110在高頻級只進(jìn)行一次放大，因此電路110不能得到適當(dāng)?shù)脑鲆??；鶐Р糠诌€需要進(jìn)行放大工作。因而，高頻傳輸和接收電路110需要帶有直流偏置的一個(gè)抵消電路，或一個(gè)多余的低通濾波器，因此整個(gè)消耗的功率增加。
如上所述，超外差系統(tǒng)式和直接轉(zhuǎn)換系統(tǒng)式的通常的高頻傳輸和接收電路。除了可使通訊終端設(shè)備微型化和減輕重量以外，不能得到作為傳輸和接收電路的適當(dāng)?shù)奶匦?。因此，在高頻傳輸和接收電路中，作了各種模件化的努力，例如以Si-CMOS電路為基礎(chǔ)，使結(jié)構(gòu)簡單緊湊。作為這種努力的一種，提出了一種所謂制造一個(gè)芯片的高頻模件板裝置的方法。采用這種方法時(shí)，將特性良好的無源元件在Si基片上形成，將濾波器電路或共振器等在LSI(大規(guī)模集成電路)上形成，而將基帶部分的邏輯LSI集成起來。
對于上述的一個(gè)芯片的高頻模件板裝置，重要的是如何在LSI上形成具有良好性能的無源元件。圖3A和3B表示具有高性能的無源元件的高頻模件板120。這個(gè)高頻模件板120具有一個(gè)大的凹下部分125，它相應(yīng)于Si基片122的電感器形成部分124和SiO2絕緣層123。形成一個(gè)電感121，覆蓋凹下部分125的開口側(cè)。即電感121的線圈部分128將凹下部分125的開口部分封閉。線圈部分128與第一個(gè)線路層126連接，伸入凹下部分125中；并且與在絕緣層123上延伸的第二個(gè)線路層127連接。在上述結(jié)構(gòu)的高頻模件板120中，電感121的形成工序復(fù)雜，因此形成工序增加，使制造成本增高。
在通常的高頻模件板裝置中，設(shè)在模擬電路的電路部分和數(shù)字電路的基帶電路部分之間的Si基片的電氣干擾是一個(gè)嚴(yán)重的問題。
作為解決上述問題的電路板裝置，提出了如圖4所示的使用Si基片作為基礎(chǔ)基片的高頻模件板裝置130。另外，還提出了如圖5所示的，使用玻璃基片作為基礎(chǔ)基片的高頻模件板裝置140。
在圖4所示的高頻模件板裝置130中，在Si基片131形成SiO2層132以后，利用金屬版印刷方法，形成高頻電路部分133。在高頻電路部分133中(其詳細(xì)結(jié)構(gòu)省略)，利用薄膜成形方法或厚膜成形方法，與多層的圖形線路134一起，形成作為無源元件135的電容、電感等。
在該高頻模件板裝置130中，在高頻電路部分133上，形成通過繼電器通孔與內(nèi)部圖形線路134連接的終端部分。利用倒裝安裝方法，將電路元件(例如高頻IC，LSI等)直接安裝在這些終端部分上。再將高頻模件板裝置130安裝在一塊母板上，使電路部分與基帶電路部分分開，以抑制二個(gè)電路部分的電氣干擾。
在圖4所示的高頻模件裝置130中，具有導(dǎo)電性的Si基片131，用于在高頻電路部分133中相應(yīng)地形成無源元件。然而，這個(gè)基片在構(gòu)成相應(yīng)無源元件的良好的高頻特性時(shí)，可以成為一個(gè)干擾的因素。
另一方面，為了解決形成圖4所示的高頻模件板裝置130的Si基片131的問題，圖5所示的高頻模件板裝置140，使用玻璃基片141作為基礎(chǔ)基片。在高頻模件板裝置140中，利用金屬版印刷方法。在玻璃基片141上形成電路部分142。在高頻電路部分142(其詳細(xì)結(jié)構(gòu)省略)中，利用薄膜成形技術(shù)或厚膜成形技術(shù)，與多層的圖形線路143一起，形成作為無源元件的電容、電感等。
在圖5所示的高頻模件板裝置140中，在高頻電路部分142上，形成通過通孔與內(nèi)部圖形線路連接的終端部分。利用倒裝安裝方法，將電路元件(例如高頻集成電路(IC)，LSI等)直接安裝在這些終端部分上。在這個(gè)高頻模件板裝置140中，利用沒有導(dǎo)電性的玻璃基片141來抑制玻璃基片141和高頻電路部分142之間的電容耦合。這樣，在高頻電路部分142中，可以形成高頻特性良好的無源元件。
在上述高頻模件板裝置130和140中，通過在上述Si基片131或玻璃基片141上形成線路層，形成高頻信號系統(tǒng)的圖形。另外，通過該線路層還可形成控制系統(tǒng)的供電線路或信號線路(例如電源、接地等)。因此，在這些高頻模件板裝置130和140中，在線路之間會相應(yīng)地產(chǎn)生電氣干擾。又由于線路層作成多層，制造成本增加。線路圖形在周圍拉開，使裝置本身尺寸增大。
如圖6所示，在高頻模件板裝置130中，形成一個(gè)組件150，它安裝在中間板151上。組件150用于將高頻模件板裝置130安裝在中間板151表面上，并且整個(gè)用絕緣樹脂152封裝起來。在組件150中，在中間板151的正面和背面上，都相應(yīng)地形成圖形線路153或輸入與輸出終端部分154。另外，在安裝高頻模件板裝置130的區(qū)域的周邊上，形成許多電極部分155。
在組件150中，當(dāng)高頻模件板裝置130安裝在中間板151上時(shí)，按照導(dǎo)線粘接方法，利用導(dǎo)線156，將高頻模件板裝置130與電極部分155電氣上連接。這樣，電能可從外部電源送入，將信號傳遞給外部電路和從外部電路接收信號。結(jié)果，在圖4所示的高頻模件板裝置130中，在安裝電路元件136(例如高頻IC，LSI等)的表面層上，形成與圖形線路134或?qū)Ь€156連接的電極137。圖5所示的高頻模件板裝置140，用上述相同的方法封裝。
這些高頻模件板裝置130和140安裝在中間板151上，并如上述那樣封裝；然而，組件150的厚度或面積會增大，造成不方便。高頻模件板裝置130和140都會增加組件150的成本。
一個(gè)屏蔽蓋157與組件150連接，安裝在高頻模件板裝置130和140上的電路元件136和145(例如高頻IC，LSI等)，用該蓋遮蓋以減少電磁波噪聲的影響。因此，在組件150中，由電路元件136，145等產(chǎn)生的熱，存貯在屏蔽蓋157上，使高頻模件板裝置的特性惡化，因此，需要輻射熱的機(jī)構(gòu)。
在這種組件150中，由于在高頻模件板裝置130和140中使用Si基片或玻璃基片141，因此難以利用輻射熱的機(jī)構(gòu)來輻射基片上的熱，因?yàn)檫@會使裝置本身的尺寸增大。
由于使用較昂貴的Si基片131或玻璃基片141作為基礎(chǔ)基片，這使得高頻模件板裝置的成本增加，這樣，高頻模件板裝置130和140的成本不會降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是要提供一種可以解決上述通常的高頻模件板裝置的問題的、新的高頻模件板裝置。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是要提供一種可以進(jìn)一步改善電容特性的高頻模件板裝置。
本發(fā)明的再一個(gè)目的是要提供一種裝置本身結(jié)構(gòu)緊湊，并且成本低廉的高頻模件板裝置。
為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的高頻模件板裝置包括一個(gè)基礎(chǔ)板；其線路層通過絕緣層，在基礎(chǔ)板的主要表面上形成多層，該主要表面作成一個(gè)疊加表面；和一個(gè)高頻電路部分；其線路層通過絕緣層在基礎(chǔ)板的疊加表面上形成多層；并且在線路層上形成無源元件；基礎(chǔ)板至少在從該疊加表面數(shù)的第一個(gè)線路層上有一個(gè)沒有形成線路的區(qū)域；而高頻電路部分的電容形成為，使一上電極和下電極處在分別與高度方向上彼此靠近的上線路層和下線路層上沒有線路的區(qū)域相應(yīng)的位置上；從而可將絕緣層放置在沒有線路的區(qū)域上面的上電極和下電極之間。
根據(jù)本發(fā)明的高頻模件板裝置的電容是這樣形成的在沒有形成線路的區(qū)域上面，將絕緣層放入在上線路層上形成的上電極，和在下線路層上形成的下電極之間。在這個(gè)高頻模件板裝置中，可以適當(dāng)?shù)剡x取電容和基礎(chǔ)板的線路層之間的距離。由基礎(chǔ)板的線路層產(chǎn)生的寄生電容，可相對于該電容減小。因此可以改善電容的特性。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)高頻模件板裝置包括一個(gè)基礎(chǔ)板；其線路層通過絕緣層，在基礎(chǔ)板的主要表面上形成多層，該主要表面作成一個(gè)疊加表面；和一個(gè)高頻電路部分；其線路層通過絕緣層在基礎(chǔ)板的疊加表面上形成多層；并且在線路層上形成無源元件；基礎(chǔ)板至少在從該疊加表面數(shù)的第二個(gè)線路層上有一個(gè)沒有形成線路的區(qū)域；而高頻電路部分的電容形成為，使一上電極處在與疊加表面靠近的高頻電路部分的線路層上，沒有形成線路的區(qū)域相應(yīng)的位置上；而下電極處在與從基礎(chǔ)板的疊加表面數(shù)的第一個(gè)線路層上，沒有形成線路的區(qū)域相應(yīng)的位置上；從而使絕緣層放入在沒有形成線路的區(qū)域上面的上電極和下電極之間。
這個(gè)高頻模件板裝置的電容是這樣形成的在基礎(chǔ)板的線路層上的沒有形成線路的區(qū)域上面，將絕緣層放大在靠近疊加表面的高頻電路部分的線路層上形成的上電極，和在從基礎(chǔ)板的疊加表面數(shù)的第一個(gè)線路層上形成的下電極之間。在這個(gè)高頻模件板裝置中，電容可與基礎(chǔ)板的線路層分開?？梢韵鄬τ谠撾娙?，減小由基礎(chǔ)板的線路層產(chǎn)生的寄生電容，因此可以改善電容的特性。
根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)高頻模件板裝置包括一個(gè)基礎(chǔ)板；其線路層通過絕緣層，在基礎(chǔ)板的主要表面上形成多層，該主要表面作成一個(gè)疊加表面；和一個(gè)高頻電路部分；其線路層通過絕緣層在基礎(chǔ)板的疊加表面上形成多層；并且在線路層上形成無源元件；基礎(chǔ)板至少在從該疊加表面數(shù)的第二個(gè)線路層上有一個(gè)沒有形成線路的區(qū)域；而高頻電路部分的第一個(gè)電容形成為，使一上電極和下電極處在分別與高頻電路部分高度方向上彼此靠近的上線路層和下線路層上沒有線路的區(qū)域相應(yīng)的位置上；從而可將絕緣層放置在沒有線路的區(qū)域上面的上電極和下電極之間；并且，第二個(gè)電容形成時(shí)，使電極處在與從基礎(chǔ)板的疊加表面數(shù)的第一個(gè)線路層上，沒有形成線路的區(qū)域相應(yīng)的位置上；而電極則與第一個(gè)電容的上電極互相連接，從而使絕緣層放入第一個(gè)電容的下電極和第二個(gè)電容的上述電極之間。
這個(gè)高頻模件板裝置的第一個(gè)電容是這樣形成的在基礎(chǔ)板的線路層上的沒有形成線路的區(qū)域上面，將絕緣層放入在上線路層上形成的上電極，和在下線路層上形成的下電極之間。另外，該高頻模件板裝置的第二個(gè)電容是這樣形成的使在從基礎(chǔ)板的疊加表面數(shù)的第一個(gè)線路層上形成的電極，與上電極互相連接，從而將絕緣層放入下電極和該電極之間。在這個(gè)高頻模件板裝置中，電容可與基礎(chǔ)板的線路層分開?？梢韵鄬τ谠撾娙轀p小由基礎(chǔ)板的線路層產(chǎn)生的寄生電容，因此可以改善電容的特性。
本發(fā)明的其他目的和優(yōu)點(diǎn)，從下面結(jié)合附圖對實(shí)施例的說明中將會更清楚。


圖1為表示使用超外差系統(tǒng)的高頻傳輸和接收電路的方框圖；圖2為表示使用直接轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的高頻傳輸和接收電路的方框圖；圖3A為表示在通常的高頻模件板裝置中的電感器的透視圖；圖3B為該電感器的縱截面圖；圖4為表示利用硅基片作為高頻模件板裝置的基礎(chǔ)板的結(jié)構(gòu)的縱截面圖；圖5為表示利用玻璃基片作為高頻模件板裝置的基礎(chǔ)板的結(jié)構(gòu)的縱截面圖；圖6為表示高頻模件板裝置安裝在中間板上的一個(gè)組件的縱截面圖；圖7為表示根據(jù)本發(fā)明的高頻模件板裝置的一個(gè)例子的截面圖；圖8為表示在根據(jù)本發(fā)明的高頻模件板裝置中，禁止布線區(qū)和電容形成區(qū)的放大形式的主要部分的截面圖；圖9A～9D為分別表示在基礎(chǔ)板的各個(gè)層上不形成線路的區(qū)域的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖9A表示在第4個(gè)線路層上不形成線路的區(qū)域；圖9B表示在第3個(gè)線路層上不形成線路的區(qū)域；圖9C表示在第2個(gè)線路層上不形成線路的區(qū)域；圖9D表示在第1個(gè)線路層上的接地圖形；圖10為表示正好在接地圖形上面形成的電容的示意圖；圖11為表示在不形成線路的區(qū)域上面形成的電容的示意圖；圖12為表示在不形成線路的區(qū)域上形成的電容，和在接地圖形中形成的電容中，各口的電容與頻率之間的關(guān)系的特性圖；圖13為表示在根據(jù)本發(fā)明的高頻模件板裝置中、禁止布線區(qū)和電容形成區(qū)的放大形式的主要部分的截面圖；圖14為表示在不形成線路的區(qū)域上面形成的電容、即只在靠近該電容的接地圖形上形成的電容的示意圖；
圖15為表示在不形成線路的區(qū)域上面形成的、即在下面各層的所有接地圖形上形成的電容的示意圖；圖16為表示在不形成線路的區(qū)域上面形成的電容，即只在靠近該電容的接地圖形上形成的電容中；和在不形成線路的區(qū)域上面形成的、即在下面各層的所有接地圖形上形成的電容中，各個(gè)口的電容與頻率之間的關(guān)系的特征圖；圖17為用放大形式表示的帶有三層結(jié)構(gòu)的禁止布線區(qū)和電極部分的電容形成部分的主要部分的截面圖；圖18為表示在具有三層結(jié)構(gòu)的電極部分的電容中，和在具有二層結(jié)構(gòu)的電極部分的電容中，各個(gè)口的電容與電容形成面積之間的關(guān)系的特性圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，參考附圖來詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的高頻模件板裝置的實(shí)施例。
圖7所示的根據(jù)本發(fā)明的高頻模件板裝置1為組件形式，它在一塊母板或一塊中間板上形高密度的安裝結(jié)構(gòu)。該裝置本身即為一個(gè)功能部件。
根據(jù)本發(fā)明的高頻模件板裝置1包括一個(gè)基礎(chǔ)板2，和一個(gè)在其上作出的高頻電路部分3。該基礎(chǔ)板的最上層為作為疊加表面2a的二個(gè)非常精確的平的表面。
基礎(chǔ)板2是所謂的印刷線路板?；A(chǔ)板2的結(jié)構(gòu)為，它具有第一塊線路板6。在該線路板中，第一和第二個(gè)線路層5a和5b的圖形作在作為介電的絕緣層的第一個(gè)核心板4的二個(gè)表面上。另外，基礎(chǔ)板2具有第二塊線路板9，在該線路板中，第三和第四個(gè)線路層8a和8b的圖形作在作為介電的絕緣層的第二個(gè)核心板7的二個(gè)表面上。第一塊線路板6和第二塊線路板9，通過作為介電的絕緣層的預(yù)浸處理材料(粘接樹脂)10、粘接在一起。
第一塊核心板4和第二塊核心板7由介電常數(shù)小和Tanδ值小的材料，即高頻特性非常好的材料制成，例如聚苯撐醚(PPE)，雙馬來酰亞胺三氯雜苯(BT-樹脂)，聚四氟乙烯，聚酰亞胺，液晶聚合物(LCP)，聚原菠烷(PNB)，陶瓷或陶瓷與有機(jī)材料的混合物等。對于第一塊核心板4和第二塊核心板7，可以使用機(jī)械強(qiáng)度高，耐熱性和耐化學(xué)腐蝕性非常好，和比由上述材料制成的基礎(chǔ)板更價(jià)廉的環(huán)氧銅包層板FR-5。
在第一和第二個(gè)線路層5a和5b，與第三和第四個(gè)線路層8a和8b上，功能元件(例如濾波器11)用于將功能元件連接在一起的信號線路圖形12，電源圖形13和接地圖形14，利用銅箔制成的薄膜。在第一和第二個(gè)線路層5a和5b，與第三和第四個(gè)線路層8a和8b上，可以作出無源元件(例如電容、電感、電阻等)或天線的圖形。
功能元件通過例如由銅制成的通孔15或通孔16，電連接在一起。通孔15或通孔16穿過信號線路圖形12，以便將功能元件、電源圖形13、接地圖形14和第一塊核心板4與第二塊核心板7連接在一起。通孔15或通孔16是這樣形成的穿過基礎(chǔ)板2的孔部分地是用鉆削或激光束加工在基礎(chǔ)板上作出的，并且對作出的孔可進(jìn)行電鍍或通孔電鍍。
在基礎(chǔ)板2中，由廉價(jià)的有機(jī)材料制成的第一塊線路板6和第二塊線路板9，利用與通常方法相同的多層成形方法層疊起來。這樣，比在先前技術(shù)中使用較貴的Si基片或玻璃基片的情況，成本更降低?；A(chǔ)板不是僅限于上述的四層疊加的結(jié)構(gòu)，并且層疊的層的數(shù)目為任意的。另外，基礎(chǔ)板2也不是僅限于將上述雙面的線路板6和9，通過預(yù)浸處理材料10粘接在一起形成的基礎(chǔ)板。例如，可以使用帶有樹脂的銅箔層疊在雙面線路板的二個(gè)主要表面上的結(jié)構(gòu)。
基礎(chǔ)板2的最上面一層(即第二塊核心板7的第4個(gè)線路層8b)非常精確地弄平，形成疊加表面2a。具體地說，在基礎(chǔ)板2的最上一層的所有表面上形成高頻特性非常好的有機(jī)材料制成的絕緣薄膜后，將絕緣薄膜接地，直至在這個(gè)最上面一層上形成的第4個(gè)線路層8b露出為止。這樣，在基礎(chǔ)板2上，絕緣薄膜嵌在第4個(gè)線路層8b的線路之間。因此，可以在第二塊核心板7上不形成第4個(gè)線路層8b的部分上去除臺階，而在最上一層上形成高度精確地弄平的疊加表面2a。
在高頻電路部分3中，絕緣層17層疊在基礎(chǔ)板2的疊加表面2a上。利用薄膜成形方法或厚膜成形方法，在層疊的絕緣層17的內(nèi)層或外層上，作出無源元件(例如電容18、19和20，電感21，電阻22等)和將它們連接在一起的線路圖形23。
介電層17使用介電常數(shù)和Tanδ值小的材料，即高頻特性很好的材料制成，例如聚苯撐醚(PPE)，雙馬來酰亞胺三氯雜苯(BT-樹脂)，聚四氟乙烯(商品名特氟隆)，聚酰亞胺，液晶聚合物(LCP)，聚原菠烷(PNB)，陶瓷或陶瓷與有機(jī)材料的混合物等。然后，利用均勻性和膜厚控制非常好的方法(例如，旋轉(zhuǎn)涂層法，幕簾涂層法，滾子涂層法，浸入涂層法等)，將這些有機(jī)材料層疊起來，可以在基礎(chǔ)板2上高精度地形成絕緣層17。
無源元件或線路圖形23通過由銅制成的通孔24或通孔25，電氣上連接在一起。這些通孔24或通孔25是如下這樣形成的。穿過高頻電路部分3的孔是利用鉆孔或激光束加工在高頻電路部分3上部分地形成孔，然后對作出的孔進(jìn)行電鍍或通孔電鍍。
通過在倒裝連接的方法，將半導(dǎo)體芯片26安裝在高頻電路部分3的最上一個(gè)層上。這里，倒裝連接是一種安裝方法，即在半導(dǎo)體芯片26的電極上形成凸塊27，將高頻電路部分3的線路圖形23上的電極28放置在凸塊27上，再利用所謂面朝下的粘接方式，將電極前后顛倒、加熱和熔融連接起來。與線路粘接比較、根據(jù)倒裝連接，不需要將導(dǎo)線向四周拉開的空間，特別是，可以大大降低高度。
在高頻電路部分3上形成的無源元件和半導(dǎo)體芯片26，通過線路圖形23，通孔24和通孔25，與基礎(chǔ)板2的第4個(gè)線路層8b電氣上連接。
在高頻模件板裝置1中，基礎(chǔ)板2作成多層，因此，在高頻電路部分3中的層疊的層數(shù)目可以減少。即，在高頻模件板裝置1中，無源元件，薄膜圖形(例如，線路圖形23)，通孔24，通孔25等在高頻電路部分3的內(nèi)層或外層上形成。在基礎(chǔ)板2的內(nèi)層或外層中，功能元件或?qū)w圖形(例如信號線路圖形12)與上述元件分開形成。這樣，與先前技術(shù)中的上述元件集中地在Si基片或玻璃基片上形成的情況比較，可以大大減少在高頻電路部分3上產(chǎn)生的高密度的負(fù)擔(dān)。
因此，在根據(jù)本發(fā)明的高頻模件板裝置1中，可以減少高頻電路部分3的層疊的層的數(shù)目，從而可使裝置的所有部分小型化，和降低成本。
在高頻模件板裝置1中，上述基礎(chǔ)板2的導(dǎo)體圖形與高頻電路部分3的薄膜圖形分開，因此可抑制它們之間產(chǎn)生的電氣干擾，改善其特性。
在根據(jù)本發(fā)明的高頻模件板裝置1中，由于在基礎(chǔ)板2的最上一層上形成高度精確地弄平的疊加表面2a，因此可以高精度地在其上層疊高頻電路部分3。
在根據(jù)本發(fā)明的高頻模件板裝置1中，在基礎(chǔ)板2上設(shè)有不在厚度方向相同位置上形成第一和第二個(gè)線路層5a、5b和第3與第4個(gè)線路層8a、8b的區(qū)域29、30和31(以后稱為沒有線路的區(qū)域)。這些沒有線路的區(qū)域29～31至少從露出在基礎(chǔ)板2的疊加表面2a上的第4個(gè)線路層8b，延伸至厚度方向的中間部分，或穿過基礎(chǔ)板2。高頻電路部分3中的電容18～20，分別作出沒有線路的區(qū)域29～31的上面。
例如，如圖8所示，沒有線路的區(qū)域29，在厚度方向上，從第四個(gè)線路層8b延伸至形成電容18的區(qū)域中的第二個(gè)線路層5b。即如圖8和圖9A所示，在第4個(gè)線路層8b中，形成與作出電容18的區(qū)域相應(yīng)的沒有線路的第一個(gè)區(qū)域32。另外，如圖8和圖9B所示，在第3個(gè)線路層8a中，形成與作出電容18的區(qū)域相應(yīng)的沒有線路的第二個(gè)區(qū)域33。再如圖8和圖9C所示，在第2個(gè)線路層5b中，形成與作出電容18的區(qū)域相應(yīng)的沒有線路的第3個(gè)區(qū)域34。
又如圖8和圖9D所示，在沒有線路的區(qū)域29中，在第一個(gè)線路層5a上形成的接地圖形14，與電容18相對。接地圖形14通過沒有線路的第一個(gè)區(qū)域32，沒有線路的第二個(gè)區(qū)域33和沒有線路的第3個(gè)區(qū)域34，與電容18隔開一個(gè)規(guī)定的距離。
另一個(gè)沒有線路的區(qū)域30，在厚度方向上，從第3個(gè)線路層8a延伸至形成電容19的區(qū)域中的第一個(gè)線路層5a。在基礎(chǔ)板2中，沒有與電容29相對的接地圖形14。再一個(gè)沒有線路的區(qū)域31，在厚度方向上，從第三個(gè)線路層8a延伸至作出電容20的區(qū)域中的第二個(gè)線路層5b。在基礎(chǔ)板2中的第一個(gè)線路層5a上形成的接地圖形14，與電容20相對。
如圖8所示，電容18是如下述這樣形成的。下電極35位于高頻電路部分3的絕緣層17的內(nèi)層或外層中，并且在靠近疊加表面2a的第一個(gè)線路圖形23a的一部分中形成。上電極36作在從疊加表面2a數(shù)的第二層的第二個(gè)線路圖形23b的一部分中。從疊加表面2a數(shù)的第二層的第二個(gè)絕緣層17b，放置在下電極35和上電極36之間。電容18通過通孔24與線路圖形23電氣上連接。
為了形成電容18，首先在疊加表面2a上形成由上述有機(jī)材料制成的第一個(gè)絕緣層17a。然后，在第一個(gè)絕緣層17a的整個(gè)表面上形成由Ni、銅等制成的導(dǎo)電薄膜后，利用光刻方法，通過作成規(guī)定形狀的作為掩膜的光阻材料，蝕刻該導(dǎo)電薄膜。這樣，在沒有線路的區(qū)域29上面，形成作出下電極35圖形的第一個(gè)線路圖形23a的基片層(沒有示出)。然后，利用硫酸銅溶液作為電解液進(jìn)行電鍍，形成大約幾微米厚的銅制的導(dǎo)電薄膜，以形成具有下電極35的第一個(gè)線路圖形23a。
接著，在第一個(gè)絕緣層17a上形成由上述有機(jī)材料制成的第二個(gè)絕緣層17b，以覆蓋具有下電極35的第一個(gè)線路圖形23a。然后，利用光刻法，通過作成規(guī)定形狀、作為掩膜的光阻材料，蝕刻該絕緣層，形成通孔。與下電極35的端部附近的部分連接的該通孔的一部分露出。然后，在留下光阻材料的情況下，在利用硫酸銅溶液作電解液進(jìn)行電鍍，形成銅制的導(dǎo)電薄膜后，與積存在光阻材料上的導(dǎo)電薄膜一起，除去光阻材料。這樣，嵌入第二個(gè)絕緣層17b中的通孔24與下電極35電氣上連接。
接著，在整個(gè)第二絕緣層17b上形成由Ni，銅等制成的導(dǎo)電薄膜。然后，利用光刻方法，通過作為掩膜的、作成規(guī)定形狀的光阻材料，蝕刻該導(dǎo)電薄膜。這樣，就形成了第二個(gè)線路圖形23b的基片層(沒有示出)，其中，上電極36的圖形正好作在下電極35的上面。再利用硫酸銅溶液作為電解液進(jìn)行電鍍，形成大約幾微米厚的Cu制的導(dǎo)電薄膜，以形成上電極36的基片層上的第二個(gè)線路圖形23b。這樣，就可形成電容18。
如上所述，在高頻模件板裝置1中，基礎(chǔ)板2的沒有線路的區(qū)域29在厚度方向的中間部分上，至少從基礎(chǔ)板2的疊加表面2a，延伸至第二個(gè)線路層5b。另外，在高頻模件板裝置1中，在沒有線路的區(qū)域29上面，形成高頻電路部分3的電容18。
在根據(jù)本發(fā)明的高頻模件板裝置1中，在電容18和接地圖形14之間有適當(dāng)?shù)木嚯x。由接地圖形14產(chǎn)生的寄生電容可相對于電容18減小，因此可以改善電容18的特性。
如圖10所示，在先前技術(shù)中，電容51在接地圖形50上面形成；而如圖11所示，在本發(fā)明中，電容53在沒有線路的區(qū)域52上面形成。當(dāng)改變頻率時(shí)，測量電容51和53的各個(gè)口之間的電容。在圖10和圖11中，與上述高頻模件板裝置1通用的結(jié)構(gòu)和元件用相同的標(biāo)號表示，省略其詳細(xì)說明。
圖12表示頻率和各個(gè)口之間的電容之間的關(guān)系的測量結(jié)果。在圖12中，縱坐標(biāo)軸表示各口之間的電容，橫坐標(biāo)軸表示頻率。各口之間的電容為形成電容的電極之間的靜電電容值。
從圖12的測量結(jié)果可看出，當(dāng)如在先前技術(shù)中那樣，在接地圖形50上面形成電容51時(shí)，在接地圖形50，和靠近接地圖形50的、形成電容51的電極之間，產(chǎn)生寄生電容。如圖12中的曲線A所示，寄生電容加在電容51的靜電電容上，使各口之間的電容增加。
相反，當(dāng)如在本發(fā)明中那樣，在沒有線路的區(qū)域82上面形成電容53時(shí)，則在接地圖形50和電容53之間不產(chǎn)生寄生電容。如圖12中的曲線B所示，各口之間的電容被抑制至為在頻帶較低(例如1GHz)區(qū)域中的各口之間的上述電容的一半或更小的值。
因此，在沒有線路的區(qū)域52上面形成的電容53，在較低頻帶的范圍內(nèi)，高頻特性非常好。
現(xiàn)在來說明，用下述方法形成的圖13所示的電容19。在高頻電路部分3中，在基礎(chǔ)板2的第4個(gè)線路層8b的一部分上形成下電極37，而在第一個(gè)線路圖形23a的一部分上形成上電極38。在下電極37和上電極38之間放入第一個(gè)絕緣層17a。電容19通過通孔24與線路圖形23電氣上連接。
當(dāng)形成電容19時(shí)，首先將用上述有機(jī)材料制成的第一個(gè)絕緣層17a，在疊加表面2a上作出。在該疊加表面上，具有下電極37的第四個(gè)線路層8b，在沒有線路的區(qū)域30上面露出。然后，在第一個(gè)絕緣層17a的整個(gè)表面上形成由Ni，銅等制成的導(dǎo)電薄膜后，利用光刻方法，通過作為掩膜的、作成規(guī)定形狀的光阻材料，蝕刻該導(dǎo)電薄膜。這樣，在下電極37上面，形成作出上電極38圖形的第一個(gè)線路圖形23a的基片層(沒有示出)。再利用硫酸銅溶液作為電解液，進(jìn)行電鍍，形成厚度大約為幾微米的Cu制導(dǎo)電薄膜，以形成具有上電極38的第一個(gè)線路圖形23a。
接著，在第一個(gè)絕緣層17a上形成由上述有機(jī)材料制成的第二個(gè)絕緣層17b，以覆蓋具有上電極38的第一個(gè)線路圖形23a。然后，利用光刻方法，通過作為掩膜，作為規(guī)定形狀的光阻材料，蝕刻該絕緣層，以形成通孔。與上電極38的末端部分附近的一部分連接的該通孔的一部分露出。再在光阻材料留下的條件下，在利用硫酸銅溶液作為電解液，進(jìn)行電鍍，形成銅制的導(dǎo)電薄膜后，與積存在光阻材料上的導(dǎo)電薄膜一起，除去光阻材料。這樣，嵌入第二個(gè)絕緣層17b中的通孔24，電氣上與上電極38連接。
接著，在整個(gè)第二個(gè)絕緣層17b上，形成由Ni，銅等制成的導(dǎo)電薄膜。然后，利用光刻方法，通過作為掩膜的、作成規(guī)定形狀的光阻材料，蝕刻該導(dǎo)電薄膜。這樣，就形成了第二個(gè)線路圖形23b的基片層(沒有示出)。再利用硫酸銅溶液作為電解液，進(jìn)行電鍍，形成厚度大約為幾微米的Cu制的導(dǎo)電薄膜，以形成與通孔24電氣上連接的第二個(gè)線路圖形23b。用這種方法，即可形成電容19。
如上所述，在高頻模件板裝置1中，基礎(chǔ)板2的沒有線路的區(qū)域30，至少從基礎(chǔ)板2的第三個(gè)線路層8a開始，在厚度方向上通過基礎(chǔ)板2。另外，在高頻模件板裝置1中，在沒有線路的區(qū)域30上面，形成高頻電路部分3的電容19。
在高頻模件板裝置1中，沒有與電容19干涉的接地圖形14；這樣，由此產(chǎn)生的寄生電容可相對于電容19大大減小，因此可以改善電容19的特性。
現(xiàn)在，如圖1 4所示，只在靠近電容60的接地圖形61上所形成的、沒有線路的區(qū)域62的上面，形成電容60。又如圖1 5所示，在作為下部的層的接地圖形63的整個(gè)部分上形成的沒有線路的區(qū)域64上面，形成電容65。測量在頻率改變時(shí)，在沒有線路的區(qū)域62上面形成的電容60，和在沒有線路的區(qū)域64上面形成的電容65的各個(gè)口之間的電容。在圖14和圖15中，省去了與上述高頻模件板裝置1相同的結(jié)構(gòu)和零件的說明，這些結(jié)構(gòu)和零件在圖中用相同的標(biāo)號表示。
圖16表示頻率和各個(gè)口之間的電容的關(guān)系的測量結(jié)果。圖16中，縱坐標(biāo)軸表示各口之間的電容，橫坐標(biāo)軸表示頻率。各個(gè)口之間的電容表示形成電容的電極之間的靜電電容值。
從圖16中的測量結(jié)果可看出，圖中的曲線C表示在作為下面的層的所有接地圖形63上形成的，沒有線路的區(qū)域64上面作出的電容65。根據(jù)電容65的特性，在電容和接地圖形63之間產(chǎn)生的寄生電容，比只在靠近電容60的接地圖形61上形成的、沒有線路的區(qū)域62上面作出的電容60的特性(即圖16中曲線D所示的特性)小很多。因此，可以看出，在頻帶較高的區(qū)域中，各口之間的電容被抑制。
因此，在作為下面的層的所有接地圖形63上形成的、沒有線路的區(qū)域63上面作出的電容65，在較低頻帶內(nèi)的高頻特性非常好。
現(xiàn)在，如圖17所示，來說明具有三層結(jié)構(gòu)的電極的電容20。電容20包括第一個(gè)電容20a和第二個(gè)電容20b。將第二個(gè)絕緣層17b放在高頻電路部分3中的第一個(gè)線路圖形23a的一部分上形成的上電極38，和在第二個(gè)線路圖形23a的一部分上形成的中間電極39之間，而構(gòu)成第一個(gè)電容20a。將第一個(gè)絕緣層17a放在中間電極39和在基礎(chǔ)板2的第4個(gè)線路層8b的一部分上形成的下電極40之間，而形成第二個(gè)電容20b。在電容20中，上電極38通過通孔25，與下電極40互相連接；而中間電極39通過通孔24，與線路圖形23電氣上連接。
當(dāng)形成電容20時(shí)，首先在疊加表面2a上形成由上述有機(jī)材料制成的第一個(gè)絕緣層17a。在該疊加表面上，具有下電極40的第4個(gè)線路層8b露出在沒有線路的區(qū)31上面。然后，利用光刻方法，通過作為掩膜，作成規(guī)定形狀的光阻材料，進(jìn)行蝕刻，形成通孔。該通孔的與下電極40的末端部分附近的一部分連接的部分露出。再在留下光阻材料的情況下，在利用硫酸銅溶液作為電解液進(jìn)行電鍍，形成銅制的導(dǎo)電薄膜后，與積存在光阻材料上的導(dǎo)電薄膜一起，除去光阻材料。這樣，埋入第一個(gè)絕緣層17a中的通孔25的中間體。電氣上與下電極40的末端部分附近的部分的連接。
接著，在整個(gè)第一個(gè)絕緣層17a上，形成由Ni、銅等制成的導(dǎo)電薄膜。然后，利用光刻法，通過作為掩膜，作成規(guī)定形狀的光阻材料，蝕刻該導(dǎo)電薄膜。這樣，在下電極40上面形成在上面作有中間電極39的圖形的第一個(gè)線路圖形23a的基片層(沒有示出)。然后，利用硫酸銅溶液作為電解液，進(jìn)行電鍍，形成大約幾微米厚的Cu制的導(dǎo)電薄膜，以便在基片層上形成具有中間電極39的第一個(gè)線路圖形23a。這樣，即形成了第一個(gè)電容20a。
接著，在第一個(gè)絕緣層17a上形成由上述有機(jī)材料制成的第二個(gè)絕緣層17b，以覆蓋具有中間電極39的第一個(gè)線路圖形23a。然后，利用光刻法，通過作為掩膜的、作成規(guī)定形狀的光阻材料，蝕刻該絕緣層。這樣，作出了具有露出部分的通孔，該通孔的中間體與中間電極39的末端部分附近的一部分連接。然后，在留下光阻材料的條件下，在利用硫酸銅溶液作電解液進(jìn)行電鍍，形成銅制的導(dǎo)電薄膜后，與積存在光阻材料上的導(dǎo)電薄膜一起，除去光阻材料。這樣，就形成了埋入第二個(gè)絕緣層17b中的通孔24，和通過絕緣層17的通孔25。
接著，在整個(gè)第二個(gè)絕緣層17b上，形成由Ni、銅等制成的導(dǎo)電薄膜。然后，利用光刻法，通過作為掩膜，作成規(guī)定形狀的光阻材料，蝕刻該導(dǎo)電薄膜。這樣，在上中間電極39上面形成在上面作有上電極38的圖形的第二個(gè)線路圖形23b的基片層(沒有示出)。然后，利用硫酸銅溶液作為電解液，進(jìn)行電鍍，形成大約幾微米厚的Cu制的導(dǎo)電薄膜，以便在基片層上形成具有上電極38的第二個(gè)線路圖形23b。這樣，即形成了第二個(gè)電容20b。這樣，就形成了電極為三層結(jié)構(gòu)的電容20。
如上所述，在高頻模件板裝置1中，基礎(chǔ)板2的沒有線路的區(qū)域31，在整個(gè)中間部分上，至少是從第三個(gè)線路層8a，沿著厚度方向延伸至基礎(chǔ)板2的第2個(gè)線路層5b。另外，在高頻模板件裝置1中，在沒有線路的區(qū)域31上面，形成高頻電路部分3的電容20。
因此，在高頻模件板裝置1中，電容20可以與接地圖形14分開?？梢韵鄬τ陔娙?0，減小由接地圖形14產(chǎn)生的寄生電容。因此，可以改善電容20的特性。
在這個(gè)高頻模件板裝置1中，電容20的電極部分為三層結(jié)構(gòu)。因此，靜電電容比電極為二結(jié)構(gòu)的電容的靜電容值大的電容20的面積，可以與電極為二層結(jié)構(gòu)的電容的面積相等或比后者小。
圖18表示形成電容的面積，和電極為三層結(jié)構(gòu)的電容的各口之間的電容，與電極為二層結(jié)構(gòu)的電容之間的關(guān)系。圖18中，縱坐標(biāo)軸表示各口之間的電容，橫坐標(biāo)軸表示形成電容的面積。各口之間的電容表示形成電容的電極之間的靜電電容。
從圖18所示的測量結(jié)果中可看出，圖中曲線E所示的電極為三層結(jié)構(gòu)的電容，相對于電容形成面積的各口之間的電容；比曲線F所示的電極為二層結(jié)構(gòu)的電容的各口之間的電容大。
結(jié)果，在相同的靜電電容下，電極為三層結(jié)構(gòu)的電容中的形成電容的面積，可以比電極為二層結(jié)構(gòu)的電容中的形成電容的面積減小。
如上所述，在高頻模件板裝置1中，電容18、19和20的特性可以更加改善，可以更小型化和成本可以更低。
工業(yè)上的適用性如上所述，根據(jù)本發(fā)明的高頻模件板裝置的電容位于基礎(chǔ)板的沒有線路的區(qū)域上面。因此，由基礎(chǔ)板的線路層產(chǎn)生的寄生電容，可以相對于電容減小。這樣，可以改善電容的特性。高頻模件板裝置包括絕緣層和線路層作成多層的基礎(chǔ)板和高頻電路部分。無源元件等可以在基礎(chǔ)板和高頻電路部分上形成，因此裝置本身的尺寸減小，成本低。
權(quán)利要求
1.一種高頻模件板裝置，它包括一個(gè)基礎(chǔ)板；其線路層通過絕緣層，在基礎(chǔ)板的主要表面上形成多層，該主要表面作成一個(gè)疊加表面；和一個(gè)高頻電路部分；其線路層通過絕緣層在基礎(chǔ)板的疊加表面上形成多層；并且在線路層上形成無源元件；其特征為，基礎(chǔ)板至少在從該疊加表面數(shù)的第一個(gè)線路層上有一個(gè)沒有形成線路的區(qū)域；而高頻電路部分的電容形成為，使一上電極和下電極處在分別與高度方向上彼此靠近的上線路層和下線路層上沒有線路的區(qū)域相應(yīng)的位置上；從而可將絕緣層放置在沒有線路的區(qū)域上面的上電極和下電極之間。
2.一種高頻模件板裝置，它包括一個(gè)基礎(chǔ)板；其線路層通過絕緣層，在基礎(chǔ)板的主要表面上形成多層，該主要表面作成一個(gè)疊加表面；和一個(gè)高頻電路部分；其線路層通過絕緣層在基礎(chǔ)板的疊加表面上形成多層；并且在線路層上形成無源元件；其特征為，基礎(chǔ)板至少在從該疊加表面數(shù)的第二個(gè)線路層上有一個(gè)沒有形成線路的區(qū)域；而高頻電路部分的電容形成為，使一上電極處在與疊加表面靠近的高頻電路部分的線路層上，沒有形成線路的區(qū)域相應(yīng)的位置上；而下電極處在與從基礎(chǔ)板的疊加表面數(shù)的第一個(gè)線路層上，沒有形成線路的區(qū)域相應(yīng)的位置上；從而使絕緣層放入在沒有形成線路的區(qū)域上面的上電極和下電極之間。
3.一種高頻模件板裝置，它包括一個(gè)基礎(chǔ)板；其線路層通過絕緣層，在基礎(chǔ)板的主要表面上形成多層，該主要表面作成一個(gè)疊加表面；和一個(gè)高頻電路部分；其線路層通過絕緣層在基礎(chǔ)板的疊加表面上形成多層；并且在線路層上形成無源元件；其特征為，基礎(chǔ)板至少在從該疊加表面數(shù)的第二個(gè)線路層上有一個(gè)沒有形成線路的區(qū)域；而高頻電路部分的第一個(gè)電容形成為，使一上電極和下電極處在分別與高頻電路部分高度方向上彼此靠近的上線路層和下線路層上沒有線路的區(qū)域相應(yīng)的位置上；從而可將絕緣層放置在沒有線路的區(qū)域上面的上電極和下電極之間；并且，第二個(gè)電容形成時(shí)，使電極處在與從基礎(chǔ)板的疊加表面數(shù)的第一個(gè)線路層上，沒有形成線路的區(qū)域相應(yīng)的位置上；而電極則與第一個(gè)電容的上電極互相連接，從而使絕緣層放入第一個(gè)電容的下電極和第二個(gè)電容的上述電極之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種高頻模件板裝置，它具有高頻傳輸和接收電路，用于調(diào)制和解調(diào)高頻信號。該高頻模件板裝置包括一個(gè)主要表面作成疊加表面(2a)的一個(gè)基礎(chǔ)板(2)；和在該基礎(chǔ)板(2)的疊加表面上形成，并作出無源元件的高頻電路部分(3)?；A(chǔ)板(2)在離開第4個(gè)線路層(8b)的下層上，具有沒有形成線路的區(qū)域(29)。高頻電路部分(3)，在與沒有形成線路的區(qū)域(29)相應(yīng)的位置上，具有上電極(36)和下電極(35)。由于電容(18)作在沒有形成線路的區(qū)域(29)上面，因此可以減小電容(18)從接地圖形(14)中接收的寄生電容。因此，可以改善電容(18)的特性。
文檔編號H01L23/66GK1476633SQ02803173
公開日2004年2月18日 申請日期2002年10月3日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月5日
發(fā)明者荻野達(dá)也, 奧洞明彥, 彥, 之, 平林崇之, 孝彥, 小瀬村孝彥, 林邦幸 申請人:索尼公司