專利名稱：半導體器件的接觸部分和包括該接觸部分的用于顯示器的薄膜晶體管陣列板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體器件的接觸部分及其制造方法，以及包括該接觸部分的用于顯示器的薄膜晶體管陣列板及其制造方法。
背景技術：
通常，較好的作法是當半導體器件集成度很高時，使器件的面積最優(yōu)化，且將其布線設置成多層。在這種情況下，最好層間絕緣膜由具有低介電常數(shù)的材料制成，以使經布線傳輸?shù)男盘柕母蓴_最小，且傳輸相同信號的布線通過形成在絕緣膜中的接觸孔實現(xiàn)電連接。然而，如果當通過刻蝕絕緣膜形成接觸孔時在接觸部分上產生鉆蝕(under-cut)，接觸部分的臺階覆蓋(stepcoverage)變差。因此存在形成在絕緣膜上的布線的外形(profile)變差或接觸部分中的布線斷開的問題。
同時，液晶顯示器(LCD)是一種應用最廣泛的平板顯示器，它是一種包括上面形成電極的兩襯底和夾在兩襯底之間的液晶層的顯示器，對電極施加電壓，可使液晶層中的液晶分子重新取向，從而對透射光進行調制。
大部分所使用的LCDs是將電極分別形成在兩襯底上并具有施加在電極上的薄膜晶體管開關電壓。
通常，在薄膜晶體管的襯底上形成包括傳輸掃描信號的柵極線、傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線、和將來自外部器件的掃描信號和數(shù)據(jù)信號分別傳輸給柵極線和數(shù)據(jù)線的柵極襯墊和數(shù)據(jù)襯墊的布線以及形成在由柵極線和數(shù)據(jù)線交叉限定出的像素區(qū)上的與薄膜晶體管電連接的像素電極。
此時，最好確保像素的孔徑比，以提高LCDs的顯示品質。由于這個原因，將布線和像素電極制成互相重疊，在其間形成由低介電常數(shù)有機材料制成的絕緣膜，使得經布線傳輸?shù)男盘柕拇當_最小。
這種用于顯示器的薄膜晶體管陣列襯底的制造方法需要暴露接收外部器件信號的襯墊的工藝或暴露使其彼此連接的布線的工藝。然而，當使用具有接觸孔的絕緣膜作為掩?？涛g下薄膜以在其上形成接觸孔時，在絕緣膜下方的下薄膜被嚴重鉆蝕，因此接觸部分的臺階覆蓋變差。由此而出現(xiàn)的問題是使隨后形成的其它的上薄膜變差或使這些上薄膜的布線在接觸部分斷開。為解決這些問題，優(yōu)選將接觸部分中的接觸孔的側壁制成臺階形，但是，因此原因，必須通過光刻蝕工藝對有機絕緣膜進行多次構圖，所帶來的問題是制造工藝變得很復雜。
同時，需形成圍繞LCD板粘接兩襯底并密封設置于其間的液晶材料的密封線，如果該密封線形成在有機絕緣膜上，將引起接觸不良。

發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種半導體器件的接觸部分及其制造方法，和包括能夠改善接觸部分外形的接觸部分的薄膜晶體管陣列板及其制造方法。
另外，本發(fā)明的另一要解決的技術問題是簡化薄膜晶體管陣列板的制造方法。
再者，本發(fā)明的又一要解決的技術問題是提供能夠消除不良接觸的薄膜晶體管陣列板。
為解決這些問題，在本發(fā)明中，當形成一具有接觸孔的有機絕緣膜時，使所述接觸孔的周邊比其它部分薄。其次，用該有機絕緣膜作為刻蝕掩模刻蝕暴露的下薄膜以在其上形成接觸孔，然后，通過灰磨工藝(ashing process)去除薄的有機絕緣膜，以便通過有機絕緣膜的接觸孔暴露下薄膜。其中，在下薄膜下面余留鉆蝕的情況中，可增加一用有機絕緣膜作為刻蝕掩?？涛g下薄膜的工序。
更詳細地說，在根據(jù)本發(fā)明的半導體器件的接觸部分及其制造方法中，首先，在襯底上形成一第一布線，且形成覆蓋第一布線的下薄膜。接著，用有機感光材料在下薄膜上形成一感光膜圖案，并用該感光膜圖案作為刻蝕掩?？涛g下薄膜，從而形成用于暴露第一布線的接觸孔。再通過灰磨工藝去除部分感光膜圖案，以暴露限定出接觸孔的下薄膜的邊界線，然后形成一經所述接觸孔連接到第一布線的第二布線。
所述下薄膜可由SiNx或SiOx制成的一絕緣膜構成，也可由導電材料制成的一導電膜構成。
另外，下薄膜還可由一第一絕緣層和一第二絕緣層構成，在這種情況，優(yōu)選在暴露下薄膜的邊界線后，刻蝕未被感光膜圖案遮擋的第二絕緣膜，以暴露第一絕緣膜的邊界線，其中所述第二絕緣膜由具有小于4.0的低介電常數(shù)的低介電絕緣膜構成并通過化學氣相沉積法形成。
這時，優(yōu)選所形成的接觸孔周圍的感光膜圖案比其它部分中的感光膜圖案薄。
本發(fā)明的半導體器件的接觸部分及其制造方法同樣可應用于液晶顯示器的薄膜晶體管及其制造方法。
首先，在用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列板的制造方法中，在絕緣襯底上形成柵極布線，該柵極布線包括一柵極線、一連接到該柵極線的柵極電極以及一連接到柵極線的一端以便將來自外部器件的掃描信號傳輸至該柵極線的柵極襯墊。接著，在形成一柵極絕緣膜和一半導體層后，形成數(shù)據(jù)布線，該數(shù)據(jù)布線包括一與柵極線交叉的數(shù)據(jù)線、一連接到該數(shù)據(jù)線并鄰近所述柵極電極的源極電極、一與和所述柵極電極相應的源極電極相對的漏極電極、以及一連接到數(shù)據(jù)線的一端以便將來自外部器件的圖像信號傳輸至數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)襯墊。之后，在沉積一絕緣膜并形成一感光有機絕緣膜圖案后，用該感光有機絕緣膜圖案作為刻蝕掩?？涛g所述絕緣膜，以形成一用于暴露所述柵極襯墊或數(shù)據(jù)襯墊的第一接觸孔。然后，當通過灰磨工藝暴露第一接觸孔中的絕緣膜的邊界線后，形成一經第一接觸孔連接到柵極襯墊或數(shù)據(jù)襯墊的輔助襯墊。
優(yōu)選使第一接觸孔周圍的有機絕緣圖案比其它部分的有機絕緣圖案薄。
所述絕緣膜可由一第一絕緣膜和一第二絕緣膜構成，在這種情況中，優(yōu)選在暴露絕緣膜的邊界線后，第二絕緣膜不被有機絕緣膜圖案遮擋，再去除所述有機絕緣膜。其中，第二絕緣膜是具有小于4.0的低介電常數(shù)的低介電絕緣膜且通過化學氣相沉積法形成。
此時，優(yōu)選所述有機絕緣膜具有一用于暴露漏極電極的第二接觸孔，并在輔助襯墊的同一層上形成一經第二接觸孔電連接到漏極電極的像素電極。
優(yōu)選所述第二接觸孔被形成為帶有第一接觸孔，并且第二接觸孔周圍的有機絕緣膜圖案比其它部分的有機絕緣膜圖案薄。
所述數(shù)據(jù)布線和半導體層可通過使用厚度部分地不同的感光圖案的光刻工藝形成。


圖1A～1E是橫剖面圖，示出了按照本發(fā)明第一實施方式的工藝順序的半導體器件的接觸部分的制造方法；圖2A～2D是橫剖面圖，示出了按照本發(fā)明第二實施方式的工藝順序的半導體器件的接觸部分的制造方法；圖3是根據(jù)第一實施方式的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列板；圖4是沿圖3所示薄膜晶體管面板的IV-IV′線的剖面圖；圖5A、6A、7A和8A是在本發(fā)明第一實施方式的制造用于液晶顯示器的薄膜晶體管板的中間工藝中的薄膜晶體管板的布局圖；圖6B是沿圖6A所示VIb-VIb′線的剖面圖并顯示圖5B的下一步驟；圖7B是沿圖7A所示VIIb-VIIb′線的剖面圖并顯示圖6B的下一步驟；圖8B是沿圖8A所示VIIIb-VIIIb′線的剖面圖并顯示圖7B的下一步驟；圖8C是剖面圖，顯示出根據(jù)第一實施方式的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列板上待形成密封線的區(qū)域；圖9是沿圖8B所示的剖面圖，并顯示圖8B的下一步驟；圖10A是沿8A所示的剖面圖，并顯示圖9的下一步驟；圖10B是剖面圖，顯示圖8C的下一步驟；圖11是根據(jù)第二實施方式的用于液晶顯示器的薄膜晶體管面板的布局圖；圖12和圖13是沿圖11所示薄膜晶體管的XII-XII′線和XIII-XIII′線的剖面圖；圖14A是根據(jù)本發(fā)明第二實施方式制造的薄膜晶體管在第一步驟中的布局圖；圖14B和圖14C分別是沿圖14A所示XIVb-XIVb′線和XIVc-XIVc′線的剖面圖；圖15A和圖15B分別是沿圖14A所示XIVb-XIVb′線和XIVc-XIVc′線的剖面圖并顯示圖14B和圖14C的下一步驟；圖16A是圖15A和圖15B的下一步驟的薄膜晶體管的配置圖；圖16B和圖16C分別是沿圖16A所示XVIb-XVIb′線和XVIc-XVIc′線的剖面圖；
圖17A、18A、19A和圖17B、18B、19B分別是沿圖16所示的XVIb-XVIb′線和XVIc-XVIc′線的剖面圖并顯示按照工藝順序的圖16B和圖16C的下一步驟；圖20A是圖19A和圖19B的下一步驟的薄膜晶體管的配置圖；圖20B和圖20C分別是沿圖20A所示XXb-XXb′線的剖面圖；圖21A和圖21B分別是沿圖20A所示XXb-XXb′線和XXc-XXc′線的剖面圖，并顯示按照工藝順序的圖20B和圖20C的下一步驟。
具體實施例方式
下面將參照附圖根據(jù)本發(fā)明的多種實施方式詳細描述本發(fā)明的半導體器件接觸部分及其制造方法和包括該半導體器件接觸部分的薄膜晶體管陣列板及其制造方法，使得所屬領域普通技術人員容易實施。
首先，將根據(jù)本發(fā)明一種實施方式描述接觸部分及其制造方法。
通常，當半導體器件集成度更高時，優(yōu)選使器件的面積最優(yōu)化，且將其布線設置成多層，以有利于襯墊與接收來自外部器件的信號的信號線的連接。根據(jù)本發(fā)明一種實施方式的半導體器件包括一層間絕緣膜和一由有機材料制成的有機膜，該層間絕緣膜具有低的介電常數(shù)，以使經布線傳輸?shù)男盘柕母蓴_最小，且有機膜的展平特性(smoothing feature)優(yōu)良。此時，需要在絕緣層上形成接觸孔，使得各層間的布線彼此間電連接，當刻蝕層間絕緣膜以形成接觸孔時，根據(jù)本發(fā)明一種實施方式的制造方法，使該接觸孔周圍的有機絕緣膜比其它部分的有機絕緣膜薄，以去除產生在接觸部分中的鉆蝕(under-cut)。接著，用有機絕緣膜作為刻蝕掩?？涛g一下薄膜，然后進行灰磨工藝以去除所述薄的絕緣膜，從而暴露所述下薄膜。
圖1A～1E是剖面圖，顯示出按照本發(fā)明第一實施方式的工藝順序的半導體器件接觸部分的制造方法，圖2A～2D是剖面圖，顯示出按照本發(fā)明第二實施方式的工藝順序的半導體器件接觸部分的制造方法。
在本發(fā)明第一實施方式的半導體器件接觸部分的制造方法中，如圖1A所示，首先，在形成有一第一布線200的襯底100上沉積由SiNx或SiOx制成的一下絕緣膜310，然后，在其上涂敷具有低介電常數(shù)并由感光有機材料制成的有機絕緣膜320，作為上絕緣膜，從而形成一層間絕緣膜300。
其次，如圖1B所示，在對應于接觸孔330的部分上形成一透射區(qū)，以形成用于暴露第一布線200的接觸孔330，為了調整光的透射，在透射區(qū)周圍，主要形成縫狀或格子型圖案，或者形成有機絕緣膜圖案，用一具有半透射區(qū)的掩模對該有機絕緣膜圖案進行曝光和顯影，在所述半透射區(qū)處形成半透膜使得接觸孔330暴露第一布線200上的下絕緣膜310。在本實施方式中，通過用具有半透射區(qū)的掩模曝光和顯影有機絕緣膜320，使余留的開口部分周圍的有機絕緣膜320比其它部分中的有機絕緣膜薄。這一點將在本發(fā)明第四實施方式的用于液晶顯示器的薄膜晶體管面板的制造方法中詳細描述，該制造方法使用四個掩模制造用于液晶顯示器的薄膜晶體管?？紤]到隨后灰磨工藝去除的厚度，優(yōu)選所述接觸孔330周圍的有機絕緣膜320的厚度不超過2000。
然后，如圖1C所示，刻蝕經接觸孔330暴露的下絕緣膜310，以暴露第一布線200。此時，即使在干法刻蝕的刻蝕工藝中，由于刻蝕氣體的反應各向同性地進行，下絕緣膜310刻蝕至有機絕緣膜圖案320，因此產生鉆蝕(under-cut)，當然， 濕法刻蝕就更不用說了。
接著，如圖1D所示，進行灰磨工藝，以去除部分為感光膜的有機絕緣膜圖案320。將所述接觸孔330周圍的有機絕緣膜部分比其它部分的有機絕緣膜薄的有機絕緣膜完全去除，使得下絕緣膜的邊界線暴露出來。
再如圖1E所示，在有機絕緣膜圖案320上沉積導電材料，并通過使用掩模的光刻工藝對其構圖，從而形成經接觸孔330電連接至第一布線200的第二布線400。
在本發(fā)明第一實施方式的半導體器件的接觸部分及其制造方法中，當所述層間絕緣膜由有機材料制成且形成用于暴露第一布線200的接觸孔時，通過使有機絕緣膜320的側壁為臺階形，并在刻蝕下絕緣膜310后進行灰磨工藝，可除去形成在接觸部分的有機絕緣膜下方的鉆蝕結構。這可防止第二布線與第一布線斷開，并可提高接觸部分中的第二布線400的外形的平滑性(。
盡管作為例子描述的是有機絕緣膜320下方的下絕緣膜310，而有機絕緣膜320的下薄膜是導電膜的情況同樣也適用。也就是說，與本發(fā)明所述接觸部分的制造方法一樣，在刻蝕有機絕緣膜下的導電膜的情況中，當將導電膜刻蝕至有機絕緣膜的下部而在接觸部分上形成鉆蝕時，可通過形成較薄的接觸孔周圍部分并通過灰磨工藝去除這部分，以暴露接觸部分上的導電膜，可除去接觸部分上的鉆蝕。
同時，在本發(fā)明第二實施方式的半導體器件的接觸孔及其制造方法中，如圖2A所示，當層間絕緣膜300由包括下絕緣膜310和上絕緣膜320的雙層結構時，用有機絕緣膜320作為刻蝕掩模的感光圖案(見圖1B)對絕緣膜300構圖，以形成用于暴露第一布線200的接觸孔，下絕緣膜310被刻蝕至上絕緣膜的下部分時可能產生鉆蝕。在這種情況中，如圖2A所示，接觸孔330周圍的感光膜圖案500部分應比其它部分中的感光膜圖案薄。
接著，通過灰磨工藝去除比其它部分中的感光膜圖案薄的接觸孔330周圍的感光膜圖案500部分。此時，優(yōu)選的刻蝕條件是可選擇地對上絕緣膜320和下絕緣膜310進行刻蝕。
然后，如圖2D所示，通過去除感光膜圖案500，在上絕緣膜320上沉積導電材料，并通過使用掩模的光刻工藝對其構圖，形成電連接至第一布線200的第二布線400。
在本發(fā)明第二實施方式的半導體器件接觸部分及其制造方法中，當層間絕緣膜由有機材料構成且形成暴露第一布線200的接觸孔時，通過形成限定出臺階形接觸孔的感光膜并在刻蝕下絕緣膜310后執(zhí)行灰磨工藝以去除部分感光膜，并用所述感光掩模作為掩模再次刻蝕上絕緣膜，從而消除產生在接觸部分中的鉆蝕結構。這樣，可防止第二布線400與第一布線200斷開，并改善接觸部分中的第二布線400的外形平滑度。
此外，所述半導體器件的接觸部分及其制造方法也可應用于用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列襯底及該襯底的制造方法。下面，對將本發(fā)明第一實施方式的半導體器件的接觸部分及其制造方法應用于本發(fā)明第一實施方式的液晶顯示器的薄膜晶體管及其制造方法，以及將本發(fā)明第二實施方式的半導體器件的接觸部分及其制造方法應用于本發(fā)明第二實施方式的液晶顯示器的薄膜晶體管及其制造方法進行描述。
首先，參考圖3和圖4詳細描述本發(fā)明第一實施方式的用于液晶顯示器的薄膜晶體管面板的結構。
圖3顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的用于液晶顯示器的薄膜晶體管面板，圖4是沿圖3所示薄膜晶體管的IV-IV′線的剖面圖。
在絕緣襯底10上沉積包括具有低阻值的鋁基金屬材料的柵極布線。該柵極布線包括多條沿水平方向延伸的柵極線22、連接至所述柵極線22的一端用于將來自外部器件的柵極信號傳輸至柵極線的多個柵極襯墊24、以及連接至所述柵極線22的薄膜晶體管的多個柵極電極26。
所述柵極布線22、24和26優(yōu)選為鋁基單層構成，當然，也可將它們構成為超過兩層。在超過兩層的結構中，優(yōu)選一層由具有低阻值的材料構成而其它層由與如ITO、IZO之類的其它材料或襯底接觸性能優(yōu)良的鉻基或鉬基材料構成。
由SiNx等制成的柵極絕緣膜30覆蓋襯底10上的柵極布線22、24和26，該柵極絕緣膜具有一用于暴露帶隨后形成的鈍化層70的柵極襯墊24的接觸孔74。
在柵極電極26的柵極絕緣層上形成由半導體例如非晶硅等制成的半導體層，在該半導體層40上形成由如摻入高濃度硅化物或n型摻雜劑的n+加氫非晶硅的材料制成的歐姆接觸層55和56，從柵極襯墊24的中心看，每一歐姆接觸層被劃分成兩部分。
由諸如Al或Al合金、Mo或MoW合金、Cr、Ta等金屬或導體制成的數(shù)據(jù)布線62、64、65和66形成在歐姆接觸層55和56以及柵極絕緣膜30上。所述數(shù)據(jù)布線包括沿垂直方向設置并與柵極線22交叉以限定出像素的多條數(shù)據(jù)線、從數(shù)據(jù)線分支并延伸至歐姆接觸層55的上側的多個源極電極65、連接至數(shù)據(jù)線62的一端并接收來自外部器件的圖象信號的多個數(shù)據(jù)襯墊68、以及與源極電極分開并與和柵極電極26相應的源極電極65相對地設置在歐姆接觸層56上的多個漏極電極66。同時，該數(shù)據(jù)布線還可包括用于存儲電容的導體圖案，該導體圖案重疊柵極線22并能保護存儲電容。
數(shù)據(jù)布線62、64、65、66和68可以是由Al或Al合金制成的單層，也可以超過兩層。在為兩層的結構中，優(yōu)選一層由具有低阻值的材料形成，而其它層由接觸性能優(yōu)良的材料形成。作為這類例子，可用Cr/Al(或Al合金)或Al/Mo，其中，Cr膜具有防止Al膜或Al合金膜擴散到Si層40、55和56中的作用，還可用作接觸部分，以便確保數(shù)據(jù)布線62、64、65、66和68與后來形成的像素電極間的接觸性能。
在沒有被那些由SiNx制成的鈍化層70遮蔽的數(shù)據(jù)布線62、64、65、66和68以及半導體層40上，形成由以丙烯酸類為基(acril-based)的感光有機材料制成的具有展平特性和低介電常數(shù)的有機絕緣膜。在鈍化層70上，分別形成用于存儲電容的導體圖案64、漏極電極66和用于暴露數(shù)據(jù)襯墊68的接觸孔72、76和78，也形成用于暴露具有柵極絕緣膜30的柵極襯墊24的接觸孔74。此時，接觸孔72和76中的有機絕緣膜的邊界線形成在鈍化膜70上，以暴露鈍化膜70的邊界線或柵極絕緣膜30，因而將接觸孔72和76的側壁限定為臺階形。另外，優(yōu)選從形成了柵極襯墊和數(shù)據(jù)襯墊的襯墊部分中去除有機絕緣膜75，且將用于暴露柵極襯墊24的接觸孔74形成為大于柵極襯墊24。
在有機絕緣膜75上，形成由透明導電材料ITO(氧化銦錫)或IZO(氧化銦鋅)制成的像素布線，該像素布線包括經接觸孔76連接至漏極電極66并位于像素中的多根像素電極82、分別經接觸孔74和78連接至柵極襯墊24和數(shù)據(jù)襯墊68的多個輔助柵極襯墊84和輔助數(shù)據(jù)襯墊88。就此而言，如上所述，在接觸部分中，鈍化膜70或有機絕緣膜75(下絕緣膜)的側壁具有臺階形且沒有鉆蝕結構，因此可防止像素電極、輔助柵極襯墊84和輔助數(shù)據(jù)襯墊88斷開。此時，由于從襯墊部分去除了有機絕緣膜75，輔助柵極襯墊84和輔助數(shù)據(jù)襯墊88僅形成至鈍化膜70的上側。其原因是與由SiNx制成的鈍化膜相比，有機絕緣膜75的粘接強度、化學抗蝕品質、硬度、機械強度、應力等很差，因此，在有機絕緣膜75存在于襯墊部分中的情況下，當使用COG(玻璃上芯片)的方式將驅動集成電路直接安裝在液晶顯示器的薄膜晶體管上或封裝驅動集成電路的薄膜通過TCP或COF方式被粘結到其上時，襯墊部分的粘接強度很差，并因此產生不良粘接。此外，當需要返工以改善不良粘接時，在驅動集成電路或薄膜從該處分離后，應當從襯墊部分去除各向異性導電膜，其中，如果有機絕緣膜保留在后，將引起襯墊部分的表面損壞或有機絕緣膜和輔助膜84和88之間的ITO膜剝離的問題。因此，完全去除襯墊部分的有機絕緣膜可改善襯墊和驅動集成電路或所述薄膜之間的粘接強度，并可方便地進行返工。
如圖3和圖4所示，所述像素電極重疊柵極線22以形成存儲電容，其中，當存儲電容不足時，與柵極布線22、24和26分開的用于存儲電容的獨立布線可設置在柵極布線22、24和26的同一層上。
下面將參考圖3和圖4以及圖5A～圖10詳細描述根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的用于液晶顯示器的薄膜晶體管的制造方法。
首先，如圖5A和5B所示，在襯底10上，沉積接觸性能優(yōu)良或具有阻值的導電材料例如Al或Al合金、和Ag或Ag合金并對其構圖，以形成包括柵極線22、柵極電極26和柵極襯墊24的柵極布線。
接著，如圖6A和6B所示，順序沉積三層薄膜，即一柵極絕緣膜30、一由非晶硅制成的半導體層40和一摻雜非晶硅層50，通過使用掩模的構圖工藝對半導體層40和摻雜非晶硅層50構圖，從而形成位于設置為與柵極電極26相對的柵極絕緣膜30上的所述半導體層40和歐姆接觸層50。在此，如圖6A和6B所示，所述半導體層40和歐姆接觸層50沿隨后形成的數(shù)據(jù)線被形成。
然后，如圖7A和7B所示，沉積一種如Cr、Mo或Mo合金、Al或Al合金、或者Ag或Ag合金之類的導電材料，再通過使用掩模的光刻法對其構圖，從而形成數(shù)據(jù)布線，該數(shù)據(jù)布線包括與柵極線交叉的多根數(shù)據(jù)線62、連接至數(shù)據(jù)線62并延伸至柵極電極26的上側的多個源極電極65、連接至數(shù)據(jù)線62的一端的多個數(shù)據(jù)襯墊68、與源極電極65分開并設置為與其相對的多個漏極電極66、以及用于存儲電容的導體圖案。
接著，刻蝕未被數(shù)據(jù)布線62、64、65、66和68遮蔽的非晶硅層圖案50使其以柵極電極26為中心被劃分為兩部分，同時使插入在摻雜非晶硅層55和56之間的半導體層40暴露。再優(yōu)選施行氧等離子體技術，以穩(wěn)定暴露出的半導體層40的表面。
下一步如圖8A和8B所示，沉積由SiNx構成的厚度不超過2000優(yōu)選為1000的鈍化層70，并在其上形成2～4μm厚的由具有感光性的有機絕緣材料制成的有機絕緣膜75，并且，先通過使用掩模的光刻工藝僅曝光和顯影有機絕緣膜75，以形成分別位于用于存儲電容的導體圖案64、柵極襯墊24、漏極電極66和數(shù)據(jù)襯墊68上的接觸孔72、74、76和78。形成狹縫類或格子類的圖案或者由半透膜構成的半透射區(qū)，使得掩模的透射區(qū)周圍的光透射下降，且使形成襯墊24和68或形成接觸孔74和78處的襯墊部分周圍的有機絕緣膜75比其它部分中的有機絕緣膜薄，優(yōu)選該絕緣膜的厚度范圍是1000～5000。當然，就此而言，可使用于暴露漏極電極66和存儲電容的導體圖案64的接觸孔72和76周圍的有機絕緣膜75呈臺階形結構，其厚度比其它部分薄。
同時，為了粘接液晶顯示器的兩個面板并密封插入在其中的液晶材料，在它們的一個面板上形成密封線，由于在有機絕緣膜75上形成密封線時，該密封線的粘接強度變差，在兩面板之間產生不良接觸。為了防止接觸不良，優(yōu)選從隨后將要形成密封線的區(qū)域去除有機絕緣膜75，為此，如圖8C所示，通過在將要形成密封線的區(qū)域的掩模上形成半透射區(qū)，形成比其它部分薄的有機絕緣膜75。
關于這一點，在隨后描述使用四個掩模制造用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列板的方法時將詳細描述調節(jié)感光膜的厚度的方法。
接著，如圖9所示，用有機絕緣膜75作為刻蝕掩?？涛g經接觸孔72、74、76和78暴露的鈍化膜70和柵極絕緣膜30，因此暴露出用于存儲電容的導體圖案64、柵極圖案24、漏極電極66和數(shù)據(jù)襯墊68。其中，刻蝕鈍化膜70的方法優(yōu)選干蝕刻法，并使用SF6+O2或CR4+O2作為干法刻蝕氣體。當刻蝕鈍化膜和柵極絕緣膜30時，如圖所示，盡管使用干刻蝕法，將它們刻蝕至有機絕緣膜75的下側，可能出現(xiàn)鉆蝕。
然后，如圖10A所示，進行灰磨工藝以去除部分有機絕緣膜75，于是，在所述襯墊部分中，通過去除具有較薄的有機絕緣膜75暴露出接觸孔74和78周圍的鈍化層70，而在接觸孔72和76中，通過有機絕緣膜75暴露出柵極絕緣膜30和鈍化膜70。這樣可消除產生于接觸部分中的鉆蝕結構。此時，如圖10B所示，由SiNx制成的鈍化膜70被暴露在用于形成密封線的區(qū)域中。通過這種方式，隨后可在鈍化層上形成密封線，以改善液晶顯示器的兩面板之間的粘接強度。
最后，如前面的圖3和圖4所示，通過沉積ITO或IZO并進行使用掩模的構圖工序，分別形成經接觸孔72和76連接至漏極電極66的用于存儲電容的導體圖案64和像素電極82，還分別形成經接觸孔74和78分別連接至柵極襯墊24和數(shù)據(jù)襯墊68的輔助柵極襯墊84和輔助數(shù)據(jù)襯墊88。如上所述，通過使接觸孔72、74、76和78周圍的有機絕緣膜75形成得較薄并進行灰磨工藝，消除了產生在接觸部分中的鉆蝕結構，從而可防止像素電極82、輔助柵極襯墊84和輔助數(shù)據(jù)襯墊88斷開，并使它們的外形平滑。這里，如圖所示，輔助柵極襯墊84和輔助數(shù)據(jù)襯墊88形成至鈍化膜70的上側。如果輔助柵極襯墊84或輔助數(shù)據(jù)襯墊88完全覆蓋下金屬襯墊24和68以防止襯墊24和68被腐蝕，且所述襯墊被形成至鈍化膜70的上側，則有利于改善輔助襯墊84和88之間的粘接強度，并擴大了輔助襯墊84和88。
在根據(jù)第一實施方式的用于液晶顯示器的薄膜晶體管的制造方法中，如上所述，盡管所述的制造方法使用五個掩模，它同樣可應用于使用四個掩模的制造方法中。這一點將參考附圖詳細描述。下面將描述根據(jù)第二實施方式的半導體器件的制造方法，其中采用了一種不是作為層間絕緣膜而是作為感光膜圖形的有機絕緣膜，并加入一具有小于4.0的低介電常數(shù)并通過化學氣相沉積形成的低介電CVD絕緣膜。
首先，參考圖11～圖13，將詳細描述根據(jù)本發(fā)明一種實施方式通過使用四個掩模形成的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列板的單元像素結構。
圖11是根據(jù)第二實施方式的用于液晶顯示器的薄膜晶體管面板的布局圖，圖12和圖13是沿圖11所示薄膜晶體管的XII-XII′線和xIII-XIII′線的剖面圖。
與第一實施方式相似，在絕緣襯底10上形成柵極布線，該柵極布線包括由具有低阻值的導電材料例如Al或Al合金、或者Ag或Ag合金等制成的多根柵極線22、以及柵極襯墊24和柵極電極26。所述柵極布線還包括一平行于襯底10上的柵極線22并被施加電壓(如從外部器件輸入至位于上面板中的公共電極的公共電極電壓)的存儲電極28。存儲電極28與連接至隨后將描述的像素電極的用于存儲電容的導體圖案64重疊，以形成用于改善像素的電荷存儲能力的存儲電容，如果通過重疊隨后將描述的像素電極82和柵極線22產生的存儲電容值足夠大，可不形成該存儲電容。
由SiNx等制成的柵極絕緣膜30形成在柵極布線22、24、26和28上，以覆蓋它們。
由半導體例如加氫非晶硅制成的半導體圖案42和48形成在柵極絕緣膜30上，并在半導體圖案42和48上形成由摻入高濃度n型摻雜劑如P的非晶硅制成的歐姆接觸層圖案或中間層圖案55、56和58。
在歐姆接觸層圖案55、56和58上形成由具有低阻值的鋁基導電材料制成的數(shù)據(jù)布線。該數(shù)據(jù)布線包括數(shù)據(jù)線部分，其包括數(shù)據(jù)線62、連接至數(shù)據(jù)線62的一端施加來自外部器件的圖象信號的一數(shù)據(jù)襯墊68、和從數(shù)據(jù)線62分支的薄膜晶體管的一源極電極65。該數(shù)據(jù)布線還包括與數(shù)據(jù)線部分62、68和65分開并與和柵極電極或溝道C相應的源極電極65相對的薄膜晶體管的一漏極電極66，以及設置在存儲電極28上方的用于存儲電容的導體圖案64。在沒有形成存儲電極的情況下，也不形成該導體圖案。
接觸層圖案55、56和58在降低半導體圖案42和48與它們下面的數(shù)據(jù)布線62、64、65、66和68之間的接觸電阻中起到一定的作用，而且優(yōu)選使它們具有與數(shù)據(jù)布線62、64、65、66和68完全相同的形狀。即，數(shù)據(jù)部分中的中間層圖案55具有與數(shù)據(jù)部分62、65和68相同的形狀，用于漏極電極的中間層圖案56具有與漏極電極66相同的形狀，而用于存儲電容的中間層圖案58具有與用于存儲電容的導體圖案64相同的形狀。
同時，除了薄膜晶體管的溝道部分之外，半導體圖案42和48具有與數(shù)據(jù)布線62、64、65、66和68以及歐姆接觸層圖案55、56和58相同的形狀。具體地說，用于存儲電容的半導體圖案48、用于存儲電容的導體圖案64和用于存儲電容的接觸層圖案58具有相同的形狀，但是用于薄膜晶體管的半導體圖案42的形狀與數(shù)據(jù)布線和接觸層圖案的形狀略有差異。換句話說，在薄膜晶體管的溝道部分中的數(shù)據(jù)線部分62、68和65尤其是源極電極65和漏極電極66分開，數(shù)據(jù)線部分的中間層55和用于漏極電極的接觸層圖案56也分開，但是，用于薄膜晶體管的半導體圖案42在該位置中沒有斷開，而是連接在一起，形成薄膜晶體管的溝道。
與第一實施方式不同，在數(shù)據(jù)布線62、64、65、66和68上，形成由SiNx制成的鈍化膜和低介電絕緣膜73，其中低介電絕緣膜73具有小于4.0的低介電常數(shù)并通過化學氣相沉積形成，并且所述鈍化膜和低介電絕緣膜具有用于暴露漏極電極66、數(shù)據(jù)襯墊68和用于存儲電容的導體圖案64的接觸孔76、78和72，還具有用于暴露柵極絕緣膜30和柵極襯墊24的接觸孔74。在本實施方式中，與第一實施方式類似，從襯墊部分去除低介電絕緣膜73以暴露鈍化膜70，并且鈍化膜或作為下絕緣膜的柵極絕緣膜的邊界線暴露在接觸孔72和76中，因此接觸孔72和76的側壁呈臺階形。
在低介電絕緣膜73上，形成一像素電極82，在該像素電極上施加來自薄膜晶體管的圖象信號并與上面板中的電極協(xié)同產生電場。像素電極82由透明導電材料如IZO或ITO制成，并經接觸孔76連接至漏極電極66以接收圖象信號。像素電極82重疊相鄰柵極線22和數(shù)據(jù)線62以增加孔徑比，當然也可不重疊。另外，像素電極82經接觸孔72連接至用于存儲電容的導體圖案64，以將圖象信號傳輸至該處。在柵極襯墊24和數(shù)據(jù)襯墊68上，輔助柵極襯墊84和輔助數(shù)據(jù)襯墊88分別經接觸孔74和78連接至其處。這些襯墊起補充粘接襯墊24和68以及外部電路器件并保護所述襯墊的作用。是否采用這些襯墊是可選擇的。
如上所述，在根據(jù)第二實施方式的薄膜晶體管陣列板中，通過暴露作為下絕緣膜的保護膜70使側壁具有臺階形結構，并且由于襯墊部分中的鈍化膜70被暴露，接觸部分中不存在鉆蝕結構，故可防止像素電極82、輔助柵極襯墊84和輔助數(shù)據(jù)襯墊88斷開。而且，輔助柵極襯墊84和輔助數(shù)據(jù)襯墊88形成至鈍化膜70的上側。
盡管上面以透明ITO或IZO作為像素電極82材料為例進行了描述，在反射型液晶顯示器的情況中可使用不透明的導電材料。
以下將參考圖11～圖13和圖14A～圖20C詳細描述使用四個掩模制造具有圖11～圖13的結構的用于液晶顯示器的薄膜晶體管的方法。
首先，如圖14A～圖14C所示，以與第一實施方式相同的方式，沉積用于柵極布線的導電材料，然后通過使用第一掩模的光刻工藝在襯底10上形成包括一柵極線22、一柵極襯墊24、一柵極電極26和一存儲電極28的柵極布線。
接著，如圖15A和15B所示，順序沉積厚度分別為1500?！?000、500?！?000、300～600的一柵極絕緣膜30、一半導體層40和一中間層50，然后，通過濺射等方法沉積一厚度為1500?！?000的由具有低阻值的用于數(shù)據(jù)布線的導電材料制成的半導體層60，再在其上涂敷一層1μm～2μm厚的感光膜110。
之后，使光線經第二掩模照射到感光膜110上并顯影后，形成如圖16B和16C所示的感光圖案112和114。感光膜圖案112和114的薄膜晶體管的溝道部分C(即，設置在源極電極65和漏極電極66之間的第一部分114)制作成比數(shù)據(jù)布線部分A(即，設置在待形成數(shù)據(jù)布線62、64、65和68的部分中的第二部分112)薄，并且去除其它部分中的所有感光膜。其中，留在溝道部分C中的感光膜114的厚度與留在數(shù)據(jù)布線部分A中的感光膜112的厚度的比值隨后面將描述的刻蝕工藝的工藝條件而變化，優(yōu)選第一部分114的厚度小于第二部分112的厚度的一半，例如小于4000。
如上所述，可有幾種根據(jù)配置改變感光膜厚度的方法，在掩模上形成狹縫類或格子類圖案，或通過使用半透膜在其上形成半透射區(qū)，以調整區(qū)域A中的光透射量。當然，這種方法也同樣可應用于接觸孔72、74、76和78周圍的有機絕緣膜(75，見圖7)比其它部分中的有機絕緣膜薄的情況，優(yōu)選考慮用灰磨工藝調整該有機絕緣膜的厚度。
在本實施方式中，優(yōu)選設置在狹縫間的圖案的線寬或圖案的間隔，即，狹縫的寬度小于曝光的分辨率，在使用半透膜的情況下，可用具有不同透射率或不同厚度的薄膜來調整制造掩模上的透射。
當光線經這樣的掩模照射到感光膜上時，直接曝光的部分中的高分子完全分解，在形成狹縫圖案或半透膜的部分中的高分子沒有完全分解，因為光的照射量較小，被光屏蔽膜遮擋的部分中的高分子很難分解。接著，當感光膜顯影時，高分子沒有分解的部分留下，而光少量照射的部分留下的厚度比完全沒有光照射的部分的厚度薄。此處，由于在曝光時間長的情況下分子全部分解，因此不需要這樣做。
采用能夠回流(reflowing)的材料制成感光膜并通過完全透射光的部分和完全不透射光的部分分開的掩模使該感光膜曝光，然后，使其顯影和回流，使部分感光膜流到沒有保留感光膜的部分，因此，可形成所述較薄的感光膜114。
然后，刻蝕感光膜114和其下薄膜，即，導體層60、中間層50和半導體層40。在這種情況下，在數(shù)據(jù)布線部分A中數(shù)據(jù)布線和其下薄膜同樣都應保留，在溝道部分C中只應保留半導體層，而在其余部分B中上述三層60、50和40應全部去除以暴露柵極絕緣膜30。
首先，如圖17A和17B所示，去除暴露在其余部分B中的導體層60，以暴露其中間層50。在該工序中同時使用干刻蝕法和濕刻蝕法，其中，優(yōu)選所述工序在刻蝕導體層60而幾乎不蝕刻感光膜圖案112和114的條件下進行。然而，在干刻蝕法中，不容易找到僅刻蝕導體層60而不刻蝕感光膜圖案112和114的條件，因此，可在也刻蝕感光圖案112和114的條件下進行。在這種情況下，第一部分114制作得比濕刻蝕法中厚，因此必須防止第一部分114被去除而使下導體層60暴露出來。
就此而言，在用于數(shù)據(jù)布線的導電材料是Al或Al合金的情況下，均可進行干法刻蝕和濕法刻蝕。但是，在Cr的情況下，由于不能較好地去除第一部分114，使用濕法刻蝕較好，使用CeNHO3作為刻蝕劑，而當Cr沉積為非常薄至500厚的范圍時，也可使用干法蝕刻。
通過這種方法，如圖17A和圖17B所示，溝道部分C和數(shù)據(jù)布線A中的導體層60即僅用于源極/漏極的導體圖案67和用于存儲電容的導體圖案64留下，而其余部分B中的導體圖案60被去除以暴露其中間層50。這里，除了源極電極65和漏極電極66沒有斷開而是連接的點外，剩余的導體圖案67和64的形狀與數(shù)據(jù)布線62、64、65、66和68相同。而且，當使用干刻蝕法時，感光圖案112和114被刻蝕至一定的厚度。
接著，如圖18A和圖18B所示，通過干刻蝕法在去除第一部分的同時去除其余部分B中暴露出的中間層50和下半導體層40。當通過干刻蝕法刻蝕導體圖案67時，通過原位進行(with an in-situ)干刻蝕順序刻蝕中間層50和半導體層40。中間層50和半導體層40的刻蝕應當在感光膜圖案112和114、中間層50和半導體層40(中間層和半導體層幾乎沒有刻蝕選擇性)被同時刻蝕而柵極絕緣膜30不被刻蝕的條件下進行，特別優(yōu)選感光膜圖案112和114與半導體圖案40的刻蝕率幾近相同。如果感光膜圖案112和114與半導體圖案40的速率相同，第一部分114的厚度與半導體層40和中間層50的厚度之和相同或更小。
通過這種方法，如圖18A和18B所示，溝道部分C和數(shù)據(jù)布線A中的導體層即僅用于源極/漏極的導體圖案67和用于存儲電容的導體圖案64留下，而其余部分B中的導體圖案60被全部去除。而且，溝道部分C中的第一部分114被去除以暴露用于源極/漏極的導體圖案，而其余部分B中的中間層50和半導體層40被去除以暴露其下柵極絕緣膜30。同時，數(shù)據(jù)布線A中的第二部分112也被蝕刻，于是它變得較薄。而且，在本工序中完成導體圖案42和48。
標號57和58分別表示用于源極/漏極的導體圖案67的下中間層圖案和用于存儲電容的導體圖案64的下中間層圖案。這里，溝道部分C中的用于源極/漏極的導體圖案可通過分離PR回蝕工藝暴露，而且在感光膜被充分刻蝕的條件下，可省去PR回蝕工藝。
然后，通過灰磨工藝去除留在溝道部分C中用于源極/漏極的導體圖案的表面中的感光膜剩余物。
接著，如圖19A和19B所示，刻蝕并去除溝道部分C中的其用于源極/漏極的導體圖案67和用于源極/漏極的下中間圖案57。此時，兩者的刻蝕可僅使用干刻蝕法，用于源極/漏極的導體圖案經濕刻蝕法被刻蝕，而中間層圖案57經干刻蝕法被刻蝕。在本實施方式中，如圖15所示，去除部分半導體圖案42，于是其厚度變薄，此時，感光膜圖案的第二部分112也被刻蝕至一定厚度。所述刻蝕是在柵極絕緣膜30不被刻蝕的條件下進行的，優(yōu)選感光膜圖案較厚使得第二部分112被刻蝕但不會暴露其下數(shù)據(jù)布線62、64、65、66和68。
通過這種方式，當源極電極65和漏極電極66被分開時，完成數(shù)據(jù)布線62、64、65、66和68及其接觸層圖案55、56和58。
最后，去除留在數(shù)據(jù)布線部分A中的感光膜的第二部分112。但是，可在去除溝道部分C中的用于源極/漏極的導體圖案67之后和在去除其下中間層圖案57之前去除所述第二部分112。
當通過這種方式形成數(shù)據(jù)布線62、64、65、66和68后，如圖20A～圖20C所示，通過化學氣相沉積法沉積SiNx以形成鈍化層70，并在其上通過化學氣相沉積法沉積具有小于4.0的低介電常數(shù)的SiOC或SiOF以形成低介電絕緣膜73。接著，通過旋轉涂敷法(spin coating)在低介電絕緣膜73上形成有機絕緣膜后，使用第三掩模使其曝光和顯影以形成感光圖案250，再利用該感光圖案250作為刻蝕掩模，形成用于暴露存儲電容的導體圖案64、柵極襯墊24、漏極電極66和數(shù)據(jù)襯墊68的接觸孔72、74、76和78。同樣在本實施方式中，將鈍化膜70和柵極絕緣膜30刻蝕至低介電絕緣膜73的下側，在接觸部分中也產生鉆蝕，與根據(jù)第二實施方式的半導體器件制造方法中一樣，為了消除鉆蝕，至少使接觸孔74和78周圍的襯墊部分中的感光膜圖案250形成得比其它部分的感光膜圖案薄。當然，所述感光膜圖案可呈臺階形，通過在掩模上形成狹縫圖案，使得接觸孔72和74周圍的厚度也較薄。
然后，如圖21A和21B所示，通過進行灰磨工藝去除形成在接觸孔74和78周圍的薄感光膜，以去除感光膜的一部分厚度，接著，用感光圖案250作為刻蝕掩模對被暴露的低介電絕緣膜73進行刻蝕。因此，如圖21A和21B所示，襯墊部分中的鈍化膜70暴露出來。在灰磨工藝中，去除接觸孔72和76上方的感光膜部分，以暴露限定出接觸孔72和76的低介電絕緣膜73的邊界線。如果使用感光圖案作為刻蝕掩模來刻蝕低介電絕緣膜73，接觸孔72和76的側壁上的鉆蝕結構被消除，如圖所示。這里，優(yōu)選使用干刻蝕法，并應當加上鈍化膜70和低介電絕緣膜73之間具有刻蝕選擇性的刻蝕條件?？墒褂没烊胙醯姆〈鷼怏w例如SF6+O2、CR4+O2或C2F6+O2作為刻蝕氣體，其組分比可隨低介電絕緣膜73的形成條件而變。
最后，在去除感光膜圖案后，如圖11～圖13所示，沉積厚度為400～500的ITO或IZO，并用第四掩模對其進行刻蝕，以形成連接至用于存儲電容圖案的導體圖案64的像素電極82、連接至柵極襯墊24的輔助柵極襯墊84和連接至數(shù)據(jù)襯墊68的輔助數(shù)據(jù)襯墊88。
本發(fā)明第二實施方式不僅具有第一實施方式的效果，并且通過使用一個掩模形成數(shù)據(jù)布線62、64、65、66和68，其下接觸層圖案55、56和58，以及半導體圖案42和48，并在該工藝中使源極電極65和漏極電極66絕緣，可簡化制造工藝。當然，同樣在根據(jù)第二實施方式的用于液晶顯示器的薄膜晶體管面板的制造方法中，感光膜圖案形成在待形成密封線的部分上且很薄，而該部分中的低介電絕緣膜30被去除以暴露鈍化膜70。
在通過這些制造工藝制造的用于液晶顯示器的薄膜晶體管面板中，如上所述，當驅動集成電路封裝在薄膜上時，襯墊部分和驅動集成電路可通過TCP或COF方式電連接，或者當驅動集成電路直接安裝在襯底上時，可通過COG方式電連接。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，通過將位于接觸部分中的下薄膜的鉆蝕上的接觸孔周圍的感光膜形成得比其它部分更薄，然后，進行灰磨工藝以暴露接觸部分中的下絕緣膜的邊界線，從而使接觸孔的側壁呈臺階形，可消除接觸部分中的鉆蝕。不僅如此，還通過防止接觸部分中出現(xiàn)斷開以確保其可靠性，可改善顯示器的顯示性能，并且通過使制造用于液晶顯示器的薄膜晶體管的光刻工藝最少，可簡化制造工藝，降低制造成本。而且，通過去除待形成密封線的部分中的有機膜，可改善液晶顯示器的兩個面板之間的不良接觸。
權利要求
1.一種半導體器件的制造方法，包括在襯底上形成第一布線；在該第一布線上形成一下薄膜；在該下薄膜上用感光性材料形成一感光圖案；用該感光薄膜作為刻蝕掩模，通過刻蝕所述下薄膜形成用于暴露所述第一布線的多個接觸孔；通過灰磨工藝去除部分感光薄膜圖案，以暴露限定出所述多個接觸孔的下薄膜的邊界線；以及形成經所述多個接觸孔連接至所述第一布線的第二布線。
2.如權利要求1所述的方法，其中所述下薄膜由SiNx或SiOx制成的絕緣膜構成。
3.如權利要求1所述的方法，其中所述下薄膜由導電膜構成。
4.如權利要求1所述的方法，還包括形成一第一絕緣膜和一第二絕緣膜的所述下薄膜；暴露該下薄膜的邊界線；以及然后，刻蝕不被所述感光膜圖案遮擋的所述第二絕緣膜，以暴露所述多個接觸孔中的所述第一絕緣膜的邊界線。
5.如權利要求1所述的方法，其中所述多個接觸孔周圍的感光膜圖案形成得比其它部分中的感光膜圖案薄。
6.一種半導體器件，包括一襯底；形成在該襯底上的第一布線；一覆蓋該第一布線并具有用于暴露該第一布線的多個第一接觸孔的下絕緣膜；一形成在該下絕緣膜上并具有用于暴露所述多個第一接觸孔的邊界線的上絕緣膜；以及形成在該上絕緣膜上并經所述多個第一接觸孔和多個第二接觸孔連接至第一布線的第二布線。
7.如權利要求6所述的器件，其中所述上絕緣膜由一有機絕緣膜或一具有小于4.0的低介電常數(shù)并通過化學氣相沉積形成的低介電絕緣膜構成。
8.一種用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列板的制造方法，包括形成包括一柵極線、連接至該柵極線的一柵極電極以及連接至該柵極線的一端的一柵極襯墊的柵極布線；沉積一柵極絕緣膜；形成一半導體層；形成數(shù)據(jù)布線，其包括與所述柵極線交叉的一數(shù)據(jù)線、連接至所述數(shù)據(jù)電極并與所述柵極電極相鄰的一源極電極、與和所述柵極電極相應的源極電極相對的一漏極電極、和連接至所述數(shù)據(jù)線的一端的一數(shù)據(jù)襯墊；沉積一絕緣膜；在該絕緣膜上形成感光有機絕緣膜圖案；用該有機絕緣膜圖案作為刻蝕掩?？涛g所述絕緣膜，以暴露用于暴露所述柵極襯墊或數(shù)據(jù)襯墊的多個第一接觸孔；進行灰磨工藝，以暴露所述多個接觸孔內的絕緣膜的邊界線；以及形成經所述多個第一接觸孔連接至所述柵極襯墊或數(shù)據(jù)襯墊的一輔助襯墊。
9.如權利要求8所述的方法，其中所述多個接觸孔周圍的有機絕緣膜圖案形成得比其它部分中的有機絕緣膜圖案薄。
10.如權利要求9所述的方法，還包括形成一第一絕緣膜和一第二絕緣膜的所述絕緣膜；暴露該絕緣膜的邊界線；然后，刻蝕未被所述有機絕緣膜圖案遮擋的所述第二絕緣膜；以及去除所述有機絕緣膜圖案。
11.如權利要求10所述的方法，其中所述第二絕緣膜是一具有小于4.0的低介電常數(shù)并通過化學氣相沉積形成的低介電絕緣膜。
12.如權利要求8所述的方法，其中所述有機絕緣膜圖案具有用于暴露帶所述絕緣膜的所述漏極電極的多個第二接觸孔，還包括在和所述輔助襯墊同一層上形成經所述多個第二接觸孔與所述漏極電極電連接的一像素電極。
13.如權利要求12所述的方法，其中所述多個第二接觸孔形成為具有所述多個第一接觸孔，且所述多個接觸孔周圍的有機絕緣膜圖案比其它部分中的有機絕緣膜圖案薄。
14.如權利要求8所述的方法，其中所述用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列板具有待形成用于密封液晶材料的密封線部分，還包括在比其它部分中的有機絕緣膜圖案薄的所述部分處形成所述有機絕緣膜圖案；以及通過灰磨工藝去除所述部分處的有機絕緣膜圖案。
15.如權利要求8所述的方法，其中通過使用厚度部分地不同的感光圖案的光刻工藝形成所述數(shù)據(jù)布線和半導體層。
16.一種用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列板，包括形成在襯底上并包括一柵極線、連接至該柵極線的一柵極電極和連接至該柵極線的一端的一柵極襯墊的柵極布線；覆蓋該柵極布線的一柵極絕緣膜；形成在該柵極絕緣層上的一半導體層；形成在該柵極絕緣膜上或該半導體層上并包括一數(shù)據(jù)線、連接至該數(shù)據(jù)線并與所述柵極電極相鄰的一源極電極、與和所述柵極電極相應的源極電極相對的一漏極電極、和連接至該數(shù)據(jù)線的一端的一數(shù)據(jù)襯墊的數(shù)據(jù)布線；覆蓋所述半導體層和用于暴露所述柵極襯墊或數(shù)據(jù)襯墊的多個第一接觸孔的一層間絕緣膜；以及形成在該層間絕緣膜上并經所述多個第一接觸孔連接至所述柵極襯墊或數(shù)據(jù)襯墊的一輔助襯墊，其中，所述層間絕緣膜由一下絕緣膜和形成在該下絕緣膜上的一上絕緣膜構成，并且，在所述多個第一接觸孔中，該下絕緣膜的邊界線形成在所述上絕緣膜的邊界線內以暴露該下絕緣膜。
17.如權利要求16所述的陣列板，其中所述下絕緣膜由一有機絕緣膜或一具有小于4.0的低介電常數(shù)并通過化學氣相沉積形成的低介電絕緣膜構成。
18.如權利要求16所述的陣列板，其中所述層間絕緣膜具有用于暴露所述漏極電極的多個第二接觸孔，還包括位于所述輔助襯墊的同一層內并經所述多個第二接觸孔與所述漏極電極電連接的一像素電極。
19.如權利要求16所述的陣列板，其中，在所述多個第二接觸孔中，所述下絕緣膜的邊界線形成在所述上絕緣膜的邊界線內以暴露所述下絕緣膜。
20.如權利要求16所述的陣列板，其中所述用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列板具有待形成用于密封液晶材料的密封線的部分，且從該部分去除所述上絕緣膜。
全文摘要
在襯底上形成柵極布線；接著，在形成一柵極絕緣膜后，在其上順序形成一半導體層和一歐姆接觸層；其次，形成數(shù)據(jù)布線；再沉積一鈍化層和一有機絕緣膜并對其進行構圖，以形成分別用于暴露漏極電極、柵極襯墊和數(shù)據(jù)襯墊的接觸孔，其中，所述接觸孔周圍的有機絕緣膜形成得比其它部分中的有機絕緣膜薄；然后，通過灰磨工藝去除接觸孔周圍的有機絕緣膜，以暴露接觸孔中的鈍化層的邊界線，從而消除鉆蝕，之后，形成分別連接至漏極電極、柵極襯墊和數(shù)據(jù)襯墊的一像素電極、一輔助柵極襯墊和一輔助數(shù)據(jù)襯墊。
文檔編號H01L27/12GK1491442SQ02804810
公開日2004年4月21日 申請日期2002年10月8日 優(yōu)先權日2001年11月12日
發(fā)明者金保成, 鄭寬旭, 洪完植, 金湘甲, 洪雯杓 申請人:三星電子株式會社