專利名稱：用于在襯底上沉積具有較高介電常數(shù)的涂層的方法
相關(guān)申請本申請要求享有于2001年3月20日提交的臨時申請No.60/277326的優(yōu)先權(quán)。
背景技術(shù)：
為了形成MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)器件或高性能存儲器件如DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)，通常需要在襯底如硅晶片上形成薄的高介電常數(shù)(高k)的涂層。例如，這種涂層的厚度通常小于30毫微米。為了在襯底上形成這種薄介電涂層，已經(jīng)開發(fā)了多種沉積技術(shù)。
例如，傳統(tǒng)上采用化學氣相沉積(CVD)來在襯底上形成高k涂層?；瘜W氣相沉積通常涉及將氣體先質(zhì)和氧化氣體供應(yīng)到容器中。先質(zhì)分解并與氧化氣體在襯底表面上發(fā)生反應(yīng)以形成氧化涂層。然而，化學氣相沉積通常會導(dǎo)致具有許多缺陷的較厚的層，這會限制所得電子設(shè)備的性能。因此，在形成高k涂層之后，通常將其暴露在退火氣體中，使得氧氣可滲入到涂層中，消除存在于涂層和襯底的交界處以及涂層體積內(nèi)的缺陷。在許多情況下，需要較高的溫度來使氧化氣體以上述方式擴散通過此涂層。
然而，這種高溫有時會引起不希望發(fā)生的涂層結(jié)晶化，從而增大通過晶粒邊界的泄漏電流，它會不利地降低電子器件的整體性能。
因此，鑒于這些問題，已經(jīng)開發(fā)了另一種用于在襯底上沉積高k涂層的方法，其稱為“原子層沉積”。原子層沉積涉及反應(yīng)化學物到晶片襯底上的連續(xù)循環(huán)以形成薄膜層。具體地說，在相同的沉積和表面活性條件下進行各反應(yīng)循環(huán)，使得每次反應(yīng)循環(huán)只形成一個單層。例如，原子層沉積通常涉及供應(yīng)氣體先質(zhì)(如無機金屬鹵化物)以提供一個單層。之后，供應(yīng)第二氣體如水，以完全地氧化氣體先質(zhì)并在晶片襯底上形成金屬氧化膜。采用附加的循環(huán)來形成其它的單層，直到形成所需的涂層。之后，供應(yīng)退火氣體以消除涂層上的缺陷。例如，如圖4A所示，圖中顯示了根據(jù)傳統(tǒng)的“原子層沉積”技術(shù)所形成的涂層。在授予Suntola的美國專利No.4058430和4413022中介紹了這種傳統(tǒng)原子層沉積技術(shù)的其它例子。
雖然原子層沉積較現(xiàn)有方法具有一些優(yōu)點，然而它仍存在許多問題。例如，原子層沉積提供了非常少的加工控制，因此，可能無法容易地實現(xiàn)介電涂層的某些目標性能。另外，由于原子層沉積限制在每次反應(yīng)循環(huán)只形成一個單層，因此它在生產(chǎn)環(huán)境中的有效性受到了限制。
因此，存在著對在襯底上沉積高k涂層的改進方法的需求。
發(fā)明概要根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種用于在襯底(如半導(dǎo)體晶片)上沉積介電涂層的方法，此方法包括一種系統(tǒng)，其包括適于容納襯底的反應(yīng)容器和與反應(yīng)容器連通以加熱襯底的能量源。然而在反應(yīng)容器中，可對襯底進行一次或多次反應(yīng)循環(huán)。例如，一個反應(yīng)循環(huán)可包括下述a)采用能量源將襯底加熱到第一沉積溫度，其中第一沉積溫度大于約300℃；b)在襯底處于第一沉積溫度時向反應(yīng)容器中供應(yīng)第一氣體先質(zhì)并持續(xù)第一沉積時間，第一氣體先質(zhì)具有第一氣體先質(zhì)流量，第一氣體先質(zhì)包括有機金屬化合物；c)在襯底處于第一氧化氣體溫度時向反應(yīng)容器中供應(yīng)第一氧化氣體并持續(xù)第一氧化氣體時間，第一氧化氣體具有第一氧化氣體流量。
結(jié)果，在反應(yīng)循環(huán)期間形成了電介質(zhì)的至少部分單層，在一些情況下至少形成了一個單層。例如，電介質(zhì)可含有金屬氧化物，其包括但不限于氧化鋁(Al2O3)、氧化鉭(Ta2O5)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鉿(HfO2)、氧化釔(Y2O3)及其組合物等。另外，介電涂層還可含有金屬硅酸鹽，例如硅酸鉿或硅酸鋯。
另外，用于在襯底上沉積介電涂層的方法還包括對襯底進行第二反應(yīng)循環(huán)，所述第二反應(yīng)循環(huán)包括a)在襯底處于第二沉積溫度時向反應(yīng)容器中供應(yīng)第二氣體先質(zhì)并持續(xù)第二沉積時間，此第二沉積溫度大于約300℃，第二氣體先質(zhì)具有第二氣體先質(zhì)流量；b)在襯底處于第二氧化氣體溫度時向反應(yīng)容器中供應(yīng)第二氧化氣體并持續(xù)第二氧化氣體時間，第二氧化氣體具有第二氧化氣體流量。
此方法還包括控制第一反應(yīng)循環(huán)和第二反應(yīng)循環(huán)，使得第一沉積溫度與第二沉積溫度不同，第一氣體先質(zhì)流量與第二氣體先質(zhì)流量不同，第一沉積時間與第二沉積時間不同，第一氧化氣體溫度與第二氧化氣體溫度不同，第一氧化氣體流量與第二氧化氣體流量不同，第一氧化氣體時間與第二氧化氣體時間不同，或者使得存在著上述不同的組合。然而在一些備選實施例中，在各反應(yīng)循環(huán)中各上述參數(shù)基本上保持相同。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，公開了一種用于沉積介電涂層的方法。此方法包括i)提供一種系統(tǒng)，其包括適于容納半導(dǎo)體晶片的反應(yīng)容器和與反應(yīng)容器連通以加熱容納于容器中的半導(dǎo)體晶片的能量源；和ii)對半導(dǎo)體晶片進行第一反應(yīng)循環(huán)，此第一反應(yīng)循環(huán)包括a)采用能量源將半導(dǎo)體晶片加熱到第一沉積溫度，其中第一沉積溫度大于約300℃；b)在半導(dǎo)體晶片處于第一沉積溫度時向反應(yīng)容器中供應(yīng)第一氣體先質(zhì)并持續(xù)第一沉積時間，第一氣體先質(zhì)具有第一氣體先質(zhì)流量；c)在半導(dǎo)體晶片處于第一氧化溫度時向反應(yīng)容器中供應(yīng)第一氧化氣體并持續(xù)第一氧化氣體時間，第一氧化氣體具有第一氧化氣體流量，其中在第一反應(yīng)循環(huán)期間形成了電介質(zhì)的至少部分單層；和iii)對半導(dǎo)體晶片進行第二反應(yīng)循環(huán)，此第二反應(yīng)循環(huán)包括a)在半導(dǎo)體晶片處于第二沉積溫度時向反應(yīng)容器中供應(yīng)第二氣體先質(zhì)并持續(xù)第二沉積時間，此第二沉積溫度大于約300℃，第二氣體先質(zhì)具有第二氣體先質(zhì)流量；b)在半導(dǎo)體晶片處于第二氧化氣體溫度時向反應(yīng)容器中供應(yīng)第二氧化氣體并持續(xù)第二氧化氣體時間，第二氧化氣體具有第二氧化氣體流量，其中在第二反應(yīng)循環(huán)期間形成了電介質(zhì)的至少部分單層；和iv)對半導(dǎo)體晶片進行一次或多次附加反應(yīng)循環(huán)以達到目標厚度。在此實施例中，第一氣體先質(zhì)、第二氣體先質(zhì)或其組合包括有機硅化合物，使得所得到的介電涂層含有金屬硅酸鹽。
下面將詳細地討論本發(fā)明的其它特征和方面。
附圖簡介在引用了附圖的說明書的余下部分中將更具體地介紹本發(fā)明的完整且有效的公開內(nèi)容，其包括實施發(fā)明的最佳方式，這是本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解的。在附圖中

圖1是可在本發(fā)明的一個實施例中使用的快速熱化學氣相沉積系統(tǒng)的剖視圖；圖2是用于確定本發(fā)明的一個實施例所需的反應(yīng)循環(huán)次數(shù)的方法的流程圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于三個反應(yīng)循環(huán)的溫度、流量和時間曲線的圖示；
圖4是各個反應(yīng)循環(huán)的圖示，其中圖4A顯示了采用傳統(tǒng)的原子層沉積技術(shù)來沉積化學物“a”和“e”，圖4B顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例來沉積化學物“a”和“e”；圖5是本發(fā)明的一個實施例的圖示，其中圖5A是沉積厚度與循環(huán)次數(shù)的關(guān)系圖，圖5B是沉積厚度與氣體先質(zhì)時間的關(guān)系圖，圖5C是沉積厚度與總時間的關(guān)系圖，而圖5D是沉積厚度與氣體先質(zhì)蒸氣壓力的關(guān)系圖；和圖6是本發(fā)明的一個實施例的圖示，其中圖6A是晶片上不同點處的沉積厚度與此點到晶片中心的距離的關(guān)系圖，而圖6B是由橢圓對稱和原子力顯微技術(shù)確定的晶片的表面均勻性和光潔度。
在此說明書和附圖中對標號的重復(fù)使用是用于說明本發(fā)明的相同或相似的特征或元件。
代表性實施例的詳細介紹本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，這里的討論只是代表性實施例的描述，并不限制本發(fā)明的更廣的范圍，其中在代表性結(jié)構(gòu)中體現(xiàn)了更廣的范圍。
本發(fā)明大體上涉及一種在襯底上沉積具有較高介電常數(shù)″k″的涂層的方法。例如，根據(jù)本發(fā)明形成的涂層的介電常數(shù)通常大于約4，在一些實施例中大于約8，在一些實施例中大于約10，并且在一些實施例中大于約15。例如，根據(jù)本發(fā)明形成的涂層的介電常數(shù)在約5到約100之間，在一些實施例中在約15到約20之間。另外，所得的高k涂層通常具有小于約30毫微米的厚度。例如，在形成邏輯部件如MOSFET器件時，所得厚度通常在約1到約8毫微米之間，在一些實施例中在約1到約2毫微米之間。另外，在形成存儲器件如DRAM時，所得厚度通常在約2到約30毫微米之間，在一些實施例中在約5到約10毫微米之間。
在一些實施例中，本發(fā)明的方法可用于沉積含有金屬氧化物的高k介電涂層，其中此金屬為鋁、鉿、鉭、鈦、鋯、釔、硅及其組合物，等等。例如，本發(fā)明的方法可用于在由硅制成的半導(dǎo)體晶片上沉積金屬氧化物的薄涂層，例如氧化鋁(Al2O3)、氧化鉭(Ta2O5)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鉿(HfO2)和氧化釔(Y2O3)等。例如，氧化鉭通?？尚纬山殡姵?shù)在約15到約30之間的涂層。類似地，介電涂層還可含有金屬硅酸鹽化合物，例如硅酸鋯(SiZrO4)、硅酸鉿(SiHfO4)，等等。
為了沉積較高k的涂層，可對襯底進行多種反應(yīng)循環(huán)。例如，在典型的反應(yīng)循環(huán)中，將晶片襯底加熱到一定的沉積溫度(例如大于約300℃)。之后，將一種或多種反應(yīng)氣體先質(zhì)供應(yīng)到反應(yīng)容器中。為了使沉積層完全地氧化和/或退火(即致密化)，可將氧化氣體以一定的氧化溫度供應(yīng)到容器中，此氧化溫度可與沉積溫度相同或不同?？刹捎酶郊拥姆磻?yīng)循環(huán)來在襯底上沉積另外的層，以得到具有所需厚度的涂層。結(jié)果，可在反應(yīng)循環(huán)中形成介電涂層，其厚度等于至少一個部分單層，在一些情況下，其厚度至少等于一個單層。
可以仔細地控制上述工藝中的各參數(shù)，使得對所得涂層的特性進行優(yōu)化。例如，可以在各循環(huán)中控制氣體先質(zhì)和/或氧化氣體的沉積溫度、氧化溫度和/或流量，使得沉積涂層可完全地氧化并具有相對較低的缺陷密度。如下文中更詳細地介紹那樣，本發(fā)明的方法可以提供對傳統(tǒng)沉積技術(shù)的多種改進。例如，與傳統(tǒng)技術(shù)相比，本發(fā)明的方法可用于在一次反應(yīng)循環(huán)中形成多個氧化物層。特別是，多個層可由使用更高的沉積和/或氧化溫度來部分地形成。而且，根據(jù)本發(fā)明而形成的層可以遞增的步驟、即在不同的反應(yīng)循環(huán)中的氣體先質(zhì)沉積之間完全地氧化和/或退火。另外，由于這種氧化和/或退火在沉積期間遞增式地發(fā)生，因此，實際上就無須在完全沉積后進行單獨的退火工序。作為這些和其它改進的結(jié)果，發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，與傳統(tǒng)形成的涂層相比，所形成的高k介電涂層具有較少的缺陷、較低的泄漏電流和較高的產(chǎn)量，并且更均勻。
通常來說，能夠用于在襯底上沉積介電涂層的任何腔或容器均可用于本發(fā)明中。例如，傳統(tǒng)的化學氣相沉積容器可適用于本發(fā)明的方法。然而應(yīng)當理解，在其它技術(shù)中使用的其它容器，例如在物理氣相沉積、等離子增強化學氣相沉積和濺射等中使用的容器也可用于本發(fā)明中。
關(guān)于這一點，參見圖1，圖中顯示了采用化學氣相沉積來在襯底上沉積介電涂層的系統(tǒng)10的一個特定實施例。如圖所示，系統(tǒng)10包括適于容納襯底如半導(dǎo)體晶片14的反應(yīng)容器12。如圖所示，晶片14處于襯底固定器15上，此襯底固定器例如由絕熱材料如石英制成。在一個實施例中，襯底固定器15可在加工期間通過晶片旋轉(zhuǎn)機構(gòu)來使晶片14旋轉(zhuǎn)。使晶片14旋轉(zhuǎn)可促進在晶片14表面上得到更佳的溫度均勻性，并促進在晶片14和引入到反應(yīng)容器12中的氣體之間得到增強的接觸和氣體均勻性。然而應(yīng)當理解，除晶片之外，反應(yīng)容器12還適于加工其它襯底，例如光學器件、薄膜、纖維、帶狀物，等等。
反應(yīng)容器12設(shè)計成可很快地并在精細控制的條件下加熱晶片14。反應(yīng)容器12可由各種材料制成，包括例如金屬和陶瓷。例如，在一些實施例中，反應(yīng)容器12可由不銹鋼或石英制成。在反應(yīng)容器12由傳熱材料制成時，它通常包括冷卻系統(tǒng)。例如，如圖1所示，反應(yīng)容器12包括冷卻導(dǎo)管16，其纏繞在反應(yīng)容器12的周邊，或者包含在反應(yīng)容器12的孔內(nèi)。
如圖所示，在裝置10中還設(shè)有能量源22。特別是，能量源22可設(shè)置成與反應(yīng)容器12相通，以便在加工期間發(fā)出能量以加熱晶片14。通常來說，可采用各種加熱裝置作為能量源22。例如，能量源22可包括光、激光(例如氮氣激光)、紫外線輻射加熱裝置、弧光燈、閃光燈、紅外線輻射裝置及其組合，等等。而且，可以改變能量源22的光譜形狀和/或一定的特性(例如強度、偏振性、連續(xù)性和/或脈沖發(fā)光輻射)以適應(yīng)特定的工藝。例如，可以控制能量源22的光譜形狀，其作為時間的函數(shù)或晶片14或晶片14上的薄膜的性能(例如，薄膜和/或晶片14的溫度、沉積在晶片14上的薄膜厚度、或者薄膜或晶片14的任何其它的物理或化學參數(shù))的函數(shù)。
例如，在所示實施例中，能量源22包括多個燈24。燈24可以是白熾燈，例如鎢-鹵素燈。能量源22還可包括反射鏡或一組反射鏡，用于將燈24所發(fā)出的能量均勻地引導(dǎo)到晶片14上。如圖1所示，燈24設(shè)置在晶片14之上。然而應(yīng)當理解，燈24可以設(shè)置在任何特定的位置上。例如，燈可設(shè)置在晶片14之上和/或之下。另外，如果需要的話，可以在系統(tǒng)10中設(shè)置更多或更少的燈。
系統(tǒng)10還可包括位于能量源22和晶片14之間的窗口32，其能夠允許預(yù)選波長的能量從中通過。例如，在一些實施例中，窗口32可用作濾光器，其可允許一定波長的光從中通過，同時吸收其它波長的光。另外，在一些實施例中，窗口32可以不用作濾光器。例如，在一個實施例中，可采用透明窗口32來允許激光、例如可發(fā)出337毫微米波長的光的氮氣激光從能量源22中發(fā)出并照射在晶片14上。在此實施例中，窗口32不必用作濾光器。
為了在加熱循環(huán)期間監(jiān)控晶片14的溫度，在一個實施例中，反應(yīng)容器12可包括多個輻射檢測裝置27。輻射檢測裝置27例如可包括多個光纖、透鏡、光導(dǎo)管等。例如在所示實施例中，輻射檢測裝置包括光導(dǎo)管28，其與多個相應(yīng)的溫度檢測器30相連。例如在一個實施例中，光纖28設(shè)置成可接收由晶片14發(fā)出的特定波長的熱能。然后將所檢測到的輻射量發(fā)送到溫度檢測器30中，其可產(chǎn)生可用電壓信號以確定晶片的溫度，此溫度可部分地根據(jù)普朗克定律來計算。在一個實施例中，與溫度檢測器30相結(jié)合的各光纖28包括高溫計。在另一實施例中，光纖28連接到一個多路復(fù)用的輻射檢測裝置上。
除輻射檢測裝置外，其它溫度檢測裝置也可用于本發(fā)明的系統(tǒng)中。例如，可在系統(tǒng)中結(jié)合一個或多個熱電偶，以便監(jiān)控晶片14的一個或多個位置處的溫度。熱電偶可設(shè)置成與晶片14直接接觸，或者放置在晶片14的附近，溫度從此處向外傳播。
反應(yīng)容器12還包括至少一個入口18，用于將一種或多種液體先質(zhì)或氣體引入到容器中以在晶片14上形成介電涂層。例如，如圖所示，入口18可通過管線72與供氣源70相連通，并通過管線74與供氣源80相連通，以便對反應(yīng)容器12提供兩股單獨的氣體。反應(yīng)容器12還包括至少一個出口20，用于在一定時間之后將氣體從容器12中排出。例如，如下面將更詳細地介紹那樣，氣體先質(zhì)和氧化氣體可通過入口18而引入到反應(yīng)容器12中，以便在晶片14上形成涂層。還應(yīng)當理解，雖然只顯示了一個入口18和出口20，然而容器12可設(shè)有任何數(shù)量的入口和出口，以便為容器供應(yīng)氣體或液體。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，在反應(yīng)容器12中提供一種或多種氣體，以便在晶片14上形成介電涂層。介電涂層可直接形成在晶片14上，或形成在先前已形成于晶片14上的一個勢壘層如氮化硅層上。關(guān)于這一點，下面將更詳細地介紹采用如圖1所示的化學氣相沉積系統(tǒng)來在晶片14上形成介電涂層的本發(fā)明方法的一個實施例。然而應(yīng)當理解，其它的系統(tǒng)和其它的沉積技術(shù)也可用于本發(fā)明的方法。例如，在Loan等人的美國專利No.6136725中介紹了一種適當?shù)幕瘜W氣相沉積系統(tǒng)，此專利通過引用而整體地結(jié)合于本文中。
如圖所示，首先通過用能量源22將晶片14加熱到一定的沉積溫度來啟動反應(yīng)循環(huán)。如下文中所詳細介紹的那樣，給定反應(yīng)循環(huán)的特定沉積溫度通?？筛鶕?jù)所用的襯底、所用的反應(yīng)氣體和/或沉積涂層的所需性能而變化。
根據(jù)本發(fā)明，沉積溫度通常為較高的值，使得如果需要的話可在襯底上形成多個高k層。例如，通常希望本發(fā)明所用的沉積溫度大于在傳統(tǒng)的原子層沉積技術(shù)中采用的沉積溫度。特別是，當在硅晶片上沉積高k介電層時，晶片的沉積溫度通常保持在大于約300℃，在一些實施例中大于約350℃，而且在一些實施例中大于約500℃。例如，雖然沉積溫度通常根據(jù)所用的氣體先質(zhì)而變化，然而它一般為約300℃到約900℃，在一些實施例中為約500℃到約900℃。而且，沉積期間的反應(yīng)容器的壓力通常為約10-7托到約100托。
在晶片14保持在沉積溫度時，將氣體先質(zhì)經(jīng)入口18供應(yīng)到反應(yīng)容器12中，并保持一定的沉積時間和一定的流量。例如，如圖1所示，可從供氣源70中經(jīng)管線72將一種或多種氣體先質(zhì)供應(yīng)到氣體入口18。氣體先質(zhì)的流量可以變化，但通常為約1標準立方厘米/分鐘到約1升/分鐘。氣體先質(zhì)可單獨地或者與載氣如惰性氣體(如氬氣)一起供應(yīng)到反應(yīng)容器12中。在DiMeo，Jr.的美國專利No.5972430中介紹了其它適當?shù)亩栊詺怏w，此專利通過引用而整體地結(jié)合于本文中。
通常來說，本發(fā)明可采用多種氣體先質(zhì)來形成具有高介電常數(shù)″k″的涂層。特別是，在本發(fā)明中可使用任何能夠在晶片上形成高k涂層的氣體先質(zhì)。例如，一些適當?shù)臍怏w先質(zhì)包括含有鋁、鉿、鉭、鈦、硅、釔、鋯及其組合物等的氣體。
在一些情況下，可采用有機金屬化合物的蒸氣作為先質(zhì)。這種有機金屬氣體先質(zhì)的一些例子包括但不限于三異丁基鋁、乙醇鋁、乙酰丙酮鋁、叔丁醇鉿(IV)、乙醇鉿(IV)、四丁氧基硅烷、四乙氧基硅烷、五(二甲氨基)鉭、乙醇鉭、甲醇鉭、四乙氧基乙酰丙酮酸鉭、四(二乙氨基)鈦、叔丁醇鈦、乙醇鈦、三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚烷二酮酸根合)鈦、三[N，N-雙(三甲代甲硅烷基)酰胺]釔、三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚烷二酮酸根合)釔、四(二乙氨基)鋯、叔丁醇鋯、四(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚烷二酮酸根合)鋯、雙(環(huán)戊二烯基)二甲基鋯，等等。
當根據(jù)本發(fā)明來使用時，例如上述的有機金屬先質(zhì)可在晶片襯底上形成部分單層、單層或多個單層(部分的或完全的)。因此，與采用無機金屬氣體先質(zhì)與氧化氣體反應(yīng)而形成介電涂層的傳統(tǒng)CVD技術(shù)相比，本發(fā)明的方法能夠有利地形成層，無須用氧化氣體與襯底表面發(fā)生反應(yīng)。然而應(yīng)當理解，在本發(fā)明中，無機金屬氣體先質(zhì)可與有機金屬先質(zhì)相結(jié)合地使用。例如在一個實施例中，在第一反應(yīng)循環(huán)期間使用有機金屬先質(zhì)(如有機硅化合物)，而在第二反應(yīng)循環(huán)期間使用無機金屬先質(zhì)(如含硅無機化合物)，或者與之相反。
在本發(fā)明的方法中形成層的期間，有機金屬氣體先質(zhì)有時會在襯底上產(chǎn)生不希望有的碳氫化合物。因此，在一些情況下，可提供一種或多種氧化氣體以減小層中的碳氫化合物缺陷。例如，如圖1所示，在所需的沉積時間之后，可采用泵(未示出)并通過出口20來從反應(yīng)容器12中除去氣體先質(zhì)。還可采用一種或多種惰性氣體來凈化氣體先質(zhì)。然后可經(jīng)入口18將氧化氣體供應(yīng)到反應(yīng)容器12中，并保持一定的氧化時間和一定的流量。例如，如圖1所示，可從供氣源80中經(jīng)管線74將一種或多種氧化氣體供應(yīng)到氣體入口18。氧化氣體的流量可以變化，但通常在1標準立方厘米/分鐘到約1標準升/分鐘之間。通常來說，在本發(fā)明中可使用多種能氧化金屬的任一種氣體。例如，一些適當?shù)难趸瘹怏w包括但不限于氧氣、二氧化氮(NO2)、一氧化二氮(N2O)、水蒸氣及其組合物，等等。
在氧化氣體時間中，通常由能量源22將晶片14加熱到氧化氣體溫度，以便氧化和/或致密化氧化物涂層，以便限制在其中形成缺陷。氧化氣體溫度可與沉積溫度相同或不同。實際上，給定反應(yīng)循環(huán)的特定氧化氣體溫度通常可根據(jù)所用的襯底、所用的氣體和/或沉積涂層的所需性能而變化。例如，當在硅晶片上沉積高k介電涂層時，所采用的氧化氣體溫度通常保持在大于約300℃，在一些實施例中大于約500℃，在一些實施例中在約400℃到約900℃之間，并且在一些實施例中在約500℃到約900℃之間。而且，氧化期間的反應(yīng)容器的壓力通常在約10-7托到約100托之間。
作為例如上述反應(yīng)循環(huán)的結(jié)果，可在晶片14的界面附近形成高k氧化物材料的一個或多個層，因此，它們在這里稱為“界面”層。
如上所述，通過采用一個或多個附加反應(yīng)循環(huán)，還可在這些界面層上形成附加層。這些附加層在這里稱為“體積”層。應(yīng)當理解，只有形成在晶片14上的第一層才一定稱為“界面”層，只有形成在晶片14上的最后層才一定稱為“體積”層。具體地說，形成在第一層和最后層之間的層可稱為體積層或界面層。
如上所述，可進行附加反應(yīng)循環(huán)以實現(xiàn)所需的涂層厚度。例如，參考圖2，圖中顯示了用于確定給定工藝所需的反應(yīng)循環(huán)的數(shù)量的方法的一個實施例。例如，如圖所示，首先根據(jù)標準工業(yè)技術(shù)來得到用于所需涂層的給定沉積溫度下的金屬氧化物沉積曲線。在加工期間，層的生長作為沉積時間的函數(shù)來觀測，以確定層是連續(xù)地生長或已達到飽和厚度。如果達到飽和厚度，就提高沉積溫度并得到在升高的溫度下的生長曲線。重復(fù)這一過程，直到在增加沉積時間時觀測到層連續(xù)地生長。在此時，在指定溫度下進行一個例如上述的反應(yīng)循環(huán)，確定沉積層的厚度。然后將測量厚度與預(yù)定的目標厚度相比較。所需的附加反應(yīng)循環(huán)的數(shù)量等于預(yù)定的目標厚度除以測量厚度。
沉積工藝可在飽和區(qū)域或連續(xù)生長區(qū)域中進行。沉積膜的形貌和膜特性因所涉及的不同表面反應(yīng)機理而變化。
根據(jù)本發(fā)明，可以控制上述方法的各個參數(shù)，以生產(chǎn)出具有一定預(yù)選性能的介電涂層。例如，用于反應(yīng)循環(huán)的氣體先質(zhì)和氧化氣體可選擇為相同或不同。而且，在一個實施例中，可以控制一個或多個反應(yīng)循環(huán)的“沉積條件”(即允許氣體先質(zhì)與襯底接觸的時間段內(nèi)的條件)。例如在一些實施例中，希望使用一定的預(yù)選沉積溫度圖形、氣體先質(zhì)蒸氣壓力圖形、沉積時間圖形和/或氣體先質(zhì)流量圖形，以便使一個反應(yīng)循環(huán)在一組沉積條件下操作，而另一反應(yīng)循環(huán)在另一組沉積條件下操作。
參考圖3，圖中顯示了可用于本發(fā)明的一組沉積條件的曲線的一個實施例。特別是，圖3所示的實施例表示采用了三個反應(yīng)循環(huán)的工藝。如圖所示，各循環(huán)的沉積溫度均下降，而所有三個反應(yīng)循環(huán)的氣體先質(zhì)流量保持相同。例如，在一個實施例中，第一循環(huán)的沉積溫度為約500℃，并在之后降低。而且，在如圖3所示的實施例中，第一反應(yīng)循環(huán)的先質(zhì)沉積時間稍短于其余兩個反應(yīng)循環(huán)的沉積時間。結(jié)果，在第一循環(huán)中形成的初始界面層可能比在其它循環(huán)中形成的層稍薄，這在一些情況下可提高界面層的質(zhì)量和提高所得涂層的電性能。
除了控制一個或多個反應(yīng)循環(huán)的沉積條件之外，還可以控制一個或多個反應(yīng)循環(huán)的“氧化氣體條件”(即在允許氧化氣體與襯底接觸的時間段內(nèi)的條件)。例如，在一些實施例中，希望使用一定的預(yù)選氧化氣體溫度圖形、氧化氣體蒸氣壓力圖形、氧化氣體時間圖形和/或氧化氣體流量圖形，以便使一個反應(yīng)循環(huán)在一組氧化條件下操作，而另一反應(yīng)循環(huán)在另一組氧化/退火條件下操作。
參考圖3，圖中顯示了可用于本發(fā)明的氧化條件圖形的一個實施例。如圖所示，對于所有三個反應(yīng)循環(huán)來說，氧化氣體時間和溫度均下降。另外，對較長時間的第一反應(yīng)循環(huán)來說，氧化氣體流量較高，而對較短時間的第二和第三反應(yīng)循環(huán)來說，氧化氣體流量較低。
這種氧化氣體條件的圖形可對金屬氧化物涂層提供許多有利的后果。特別是，通過在第一反應(yīng)循環(huán)中使用較高的氧化氣體溫度和氧化氣體流量，所得的界面層可具有較高濃度的氧氣。此較高的氧氣濃度可減少金屬氧化物(例如氧化鋁、氧化鉿、氧化鉭、氧化鈦、氧化鋯、氧化釔和氧化硅等)和晶片(如硅)之間的不希望有的懸空鍵，其通常稱為“缺陷”并會導(dǎo)致“泄漏電流”。
與傳統(tǒng)技術(shù)相比，如圖4B所示，本發(fā)明的一個實施例的方法可在各循環(huán)之后沉積一個(部分單層或整體單層)或多個單層(部分單層或整體單層)，后續(xù)的氧化步驟用于完全地氧化和致密化薄膜以除去/降低缺陷。本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，這一通常在比先質(zhì)沉積工序更高的溫度下進行的氧化氣體工序可使至少一部分氣體分子通過所形成的氧化物層而擴散，如圖4B所示，從而抑制了泄漏電流。
因此，作為本發(fā)明的結(jié)果，與傳統(tǒng)技術(shù)相比，高k介電涂層可以更可控和更可度量的方式來沉積到襯底上，從而允許所形成的涂層有較少的缺陷。在圖5A-5D中顯示了本發(fā)明的可度量工藝的一個例子。如圖所示，沉積膜厚度與循環(huán)次數(shù)、先質(zhì)暴露時間、總暴露時間和先質(zhì)的蒸氣壓力成線性比例。而且，本發(fā)明的工藝還可提供非常均勻且光滑的超薄膜。例如，在圖6A-6B中顯示了根據(jù)本發(fā)明形成的均勻且光滑的襯底的一個實施例。
雖然在上文中已經(jīng)介紹了本發(fā)明方法的多個實施例，然而應(yīng)當理解，在本發(fā)明的方法中也可使用其它的沉積和氧化條件。例如，只要至少一個反應(yīng)循環(huán)的沉積或氧化參數(shù)(例如沉積時間、沉積溫度、氣體先質(zhì)流量、氧化氣體時間、氧化氣體溫度或氧化氣體流量)中的至少一個變化，就通常可采用任一組沉積或氧化條件。
為了以上述方式控制沉積和氧化氣體條件，可以采用多種機理。例如，在本發(fā)明的一個實施例中，如圖1所示，系統(tǒng)10包括系統(tǒng)控制器50，其能夠從系統(tǒng)10的各部件或從操作人員中接收輸入信號，并根據(jù)這些信號來控制系統(tǒng)10的特定參數(shù)。控制器50可以是可編程序邏輯計算機(PLC)，例如Allen-Bradley Controllogix處理器，然而也可使用任何其它適于控制上述系統(tǒng)10的控制器?；蛘撸刹捎糜策B線電路、繼電器、軟件等來代替PLC并用作控制器50。
例如，在一個實施例中，系統(tǒng)控制器50從溫度檢測器30中接收電壓信號，其表示在各個位置處取樣的輻射量。根據(jù)所接收到的信號，控制器50可計算晶片14的不同位置處的溫度。另外，如圖1所示，系統(tǒng)控制器50還可與燈能量控制器25相連。在這種設(shè)置中，控制器50可確定晶片14的溫度，并根據(jù)此信息來控制由能量源22發(fā)出的熱能的量。這樣，可以對用于加工晶片14的反應(yīng)容器12內(nèi)的條件作出比較瞬時的調(diào)節(jié)，并使其處于精細控制的限值內(nèi)。
例如，如上所述，系統(tǒng)控制器50可與溫度檢測器30和能量源22結(jié)合使用，以將反應(yīng)容器12內(nèi)的溫度調(diào)節(jié)到預(yù)定的沉積或氧化溫度。此溫度也可在預(yù)定的沉積或氧化時間之后自動地調(diào)節(jié)。而且，還可采用控制器50來調(diào)節(jié)一個或多個循環(huán)的沉積或氧化溫度，例如如上所述。
控制器50還可用于自動地控制系統(tǒng)10的其它部件。例如，控制器50可用于控制經(jīng)氣體入口18進入到反應(yīng)容器12中的氣體(如氣體先質(zhì)和/或氧化氣體)的流量。如圖所示，系統(tǒng)控制器50可與閥76和78(如電磁閥)連通，以便分別控制來自氣體供應(yīng)源70和80的氣體的流量。例如，在一些實施例中，控制器50設(shè)置成可從溫度檢測器30中接收溫度測量。因此，如上所述，當在特定反應(yīng)循環(huán)期間達到一定的溫度時，系統(tǒng)控制器50可使閥76和/或78打開，以預(yù)定流量向反應(yīng)容器12提供一種或多種氣體。系統(tǒng)控制器可根據(jù)來自系統(tǒng)10或程序員的各輸入信號來調(diào)節(jié)氣體的流量。
作為控制一個或多個反應(yīng)循環(huán)的各個參數(shù)的結(jié)果，本發(fā)明可實現(xiàn)許多優(yōu)點。例如，與傳統(tǒng)的“原子層沉積”技術(shù)相比，本發(fā)明的方法具有較高的產(chǎn)量，并能充分地抑制泄漏電流。而且，通過提供循環(huán)參數(shù)的控制，所得介電涂層能更容易地形成為具有預(yù)選的性能。例如，在晶片加工期間可測量涂層的一些性能(如厚度)。通過簡單地改變一個循環(huán)參數(shù)，例如所供應(yīng)的氣體的溫度或流量，就可以在需要時瞬時地調(diào)節(jié)這些性能。而且，涂層中的一些層可形成為具有一種特性，而其它層形成為具有另一種特性。例如，界面層可形成為具有較高濃度的氧氣，因而可降低泄漏電流。因此，與傳統(tǒng)的沉積技術(shù)相比，本發(fā)明的方法提供了對反應(yīng)循環(huán)參數(shù)的控制，因此可以更容易地形成具有特定的預(yù)定性能的介電涂層。
在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行這些和其它的修改或變化。另外，應(yīng)當理解，各個實施例的方面可整體地或部分地互換。此外，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，上述介紹只是示例性的，并不限制本發(fā)明，本發(fā)明在所附權(quán)利要求中限定。
權(quán)利要求
1.一種用于在襯底上沉積介電涂層的方法，包括i)提供一種系統(tǒng)，其包括適于容納所述襯底的反應(yīng)容器和與所述反應(yīng)容器連通以加熱容納在所述容器內(nèi)的所述襯底的能量源；和ii)對所述襯底進行第一反應(yīng)循環(huán)，所述第一反應(yīng)循環(huán)包括a)采用所述能量源將所述襯底加熱到第一沉積溫度，其中所述第一沉積溫度大于約300℃；b)在所述襯底處于所述第一沉積溫度時向所述反應(yīng)容器中供應(yīng)第一氣體先質(zhì)并持續(xù)第一沉積時間，所述第一氣體先質(zhì)具有第一氣體先質(zhì)流量，所述第一氣體先質(zhì)包括有機金屬化合物；c)在所述襯底處于第一氧化氣體溫度時向所述反應(yīng)容器中供應(yīng)第一氧化氣體并持續(xù)第一氧化氣體時間，所述第一氧化氣體具有第一氧化氣體流量，其中在所述第一反應(yīng)循環(huán)期間形成電介質(zhì)的至少部分單層；和iii)對所述襯底進行一個或多個附加反應(yīng)循環(huán)以達到目標厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，至少一個單層為在所述第一反應(yīng)循環(huán)期間形成的介電層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一沉積溫度大于約500℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一沉積溫度為從約500℃到約900℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化氣體溫度大于約300℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化氣體溫度為從約500℃到約900℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述第一反應(yīng)循環(huán)之后對所述襯底進行第二反應(yīng)循環(huán)，所述第二反應(yīng)循環(huán)包括a)在所述襯底處于第二沉積溫度時向所述反應(yīng)容器供應(yīng)第二氣體先質(zhì)并持續(xù)第二沉積時間，所述第二沉積溫度大于約300℃，所述第二氣體先質(zhì)具有第二氣體先質(zhì)流量；b)在所述襯底處于第二氧化氣體溫度時向所述反應(yīng)容器供應(yīng)第二氧化氣體并持續(xù)第二氧化氣體時間，所述第二氧化氣體具有第二氧化氣體流量，其中在所述第二反應(yīng)循環(huán)期間形成電介質(zhì)的至少部分單層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法還包括控制所述第一反應(yīng)循環(huán)和所述第二反應(yīng)循環(huán)，使得所述第一沉積溫度與所述第二沉積溫度不同，所述第一氣體先質(zhì)流量與所述第二氣體先質(zhì)流量不同，所述第一沉積時間與所述第二沉積時間不同，所述第一氧化氣體溫度與所述第二氧化氣體溫度不同，所述第一氧化氣體流量與所述第二氧化氣體流量不同，所述第一氧化氣體時間與所述第二氧化氣體時間不同，或者使得存在著上述不同的組合。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述介電涂層的介電常數(shù)大于約8。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述介電涂層的介電常數(shù)為從約10到約80。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述介電涂層含有金屬氧化物。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物涂層的所述金屬選自鋁、鉭、鈦、鋯、硅、鉿、釔及其組合物。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述介電涂層含有金屬硅酸鹽。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底為半導(dǎo)體晶片。
15.一種用于在襯底上沉積介電涂層的方法，包括i)提供一種系統(tǒng)，其包括適于容納襯底的反應(yīng)容器和與所述反應(yīng)容器連通以加熱容納于所述容器中的所述襯底的能量源；和ii)對所述襯底進行第一反應(yīng)循環(huán)，所述第一反應(yīng)循環(huán)包括a)采用所述能量源將所述襯底加熱到第一沉積溫度，其中所述第一沉積溫度大于約300℃；b)在所述襯底處于所述第一沉積溫度時向所述反應(yīng)容器中供應(yīng)第一氣體先質(zhì)并持續(xù)第一沉積時間，所述第一氣體先質(zhì)具有第一氣體先質(zhì)流量，所述第一氣體先質(zhì)包括有機金屬化合物；和c)在所述襯底處于第一氧化氣體溫度時向所述反應(yīng)容器中供應(yīng)第一氧化氣體并持續(xù)第一氧化氣體時間，所述第一氧化氣體具有第一氧化氣體流量，其中在所述第一反應(yīng)循環(huán)期間形成了電介質(zhì)的至少部分單層；和iii)對所述襯底進行第二反應(yīng)循環(huán)，所述第二反應(yīng)循環(huán)包括a)在所述襯底處于第二沉積溫度時向所述反應(yīng)容器中供應(yīng)第二氣體先質(zhì)并持續(xù)第二沉積時間，所述第二沉積溫度大于約300℃，所述第二氣體先質(zhì)具有第二氣體先質(zhì)流量；b)在所述襯底處于第二氧化氣體溫度時向所述反應(yīng)容器中供應(yīng)第二氧化氣體并持續(xù)第二氧化氣體時間，所述第二氧化氣體具有第二氧化氣體流量，其中在所述第二反應(yīng)循環(huán)期間形成了電介質(zhì)的至少部分單層；和iv)還可以選擇性地對所述襯底進行一次或多次附加反應(yīng)循環(huán)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述電介質(zhì)的至少一個單層在所述第一反應(yīng)循環(huán)、第二反應(yīng)循環(huán)或其組合的期間形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一沉積溫度為約500℃到約900℃。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述第一氧化氣體溫度為約500℃到約900℃。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述方法還包括控制所述第一反應(yīng)循環(huán)和所述第二反應(yīng)循環(huán)，使得所述第一沉積溫度與所述第二沉積溫度不同，所述第一氣體先質(zhì)流量與所述第二氣體先質(zhì)流量不同，所述第一沉積時間與所述第二沉積時間不同，所述第一氧化氣體溫度與所述第二氧化氣體溫度不同，所述第一氧化氣體流量與所述第二氧化氣體流量不同，所述第一氧化氣體時間與所述第二氧化氣體時間不同，或者使得存在著上述不同的組合。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述介電涂層的介電常數(shù)大于約8。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述介電涂層的介電常數(shù)為從約10到約80。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述介電涂層含有金屬氧化物。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物涂層的所述金屬選自鋁、鉭、鈦、鋯、硅、鉿、釔及其組合物。
24.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述介電涂層含有金屬硅酸鹽。
25.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述襯底為半導(dǎo)體晶片。
26.一種用于沉積介電涂層的方法，所述方法包括i)提供一種系統(tǒng)，其包括適于容納半導(dǎo)體晶片的反應(yīng)容器和與所述反應(yīng)容器連通以加熱容納于所述容器中的半導(dǎo)體晶片的能量源；和ii)對所述半導(dǎo)體晶片進行第一反應(yīng)循環(huán)，所述第一反應(yīng)循環(huán)包括a)采用所述能量源將所述半導(dǎo)體晶片加熱到第一沉積溫度，其中所述第一沉積溫度大于約300℃；b)在所述半導(dǎo)體晶片處于所述第一沉積溫度時向所述反應(yīng)容器中供應(yīng)第一氣體先質(zhì)并持續(xù)第一沉積時間，所述第一氣體先質(zhì)具有第一氣體先質(zhì)流量；c)在所述半導(dǎo)體晶片處于第一氧化氣體溫度時向所述反應(yīng)容器中供應(yīng)第一氧化氣體并持續(xù)第一氧化氣體時間，所述第一氧化氣體具有第一氧化氣體流量，其中在所述第一反應(yīng)循環(huán)期間形成了電介質(zhì)的至少部分單層；和iii)對所述半導(dǎo)體晶片進行第二反應(yīng)循環(huán)，所述第二反應(yīng)循環(huán)包括a)在所述半導(dǎo)體晶片處于第二沉積溫度時向所述反應(yīng)容器中供應(yīng)第二氣體先質(zhì)并持續(xù)第二沉積時間，所述第二沉積溫度大于約300℃，所述第二氣體先質(zhì)具有第二氣體先質(zhì)流量；b)在所述半導(dǎo)體晶片處于第二氧化氣體溫度時向所述反應(yīng)容器中供應(yīng)第二氧化氣體并持續(xù)第二氧化氣體時間，所述第二氧化氣體具有第二氧化氣體流量，其中在所述第二反應(yīng)循環(huán)期間形成了電介質(zhì)的至少部分單層；和iv)還可以選擇性地對所述半導(dǎo)體晶片進行一次或多次附加反應(yīng)循環(huán)以達到目標厚度；其中所述第一氣體先質(zhì)、第二氣體先質(zhì)或其組合物為有機硅化合物，使得所得介電涂層含有金屬硅酸鹽。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，至少一個單層在所述第一反應(yīng)循環(huán)、第二反應(yīng)循環(huán)或其組合的期間形成。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述第一沉積溫度為約500℃到約900℃。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述第一氧化氣體溫度為約500℃到約900℃。
30.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述方法還包括控制所述第一反應(yīng)循環(huán)和所述第二反應(yīng)循環(huán)，使得所述第一沉積溫度與所述第二沉積溫度不同，所述第一氣體先質(zhì)流量與所述第二氣體先質(zhì)流量不同，所述第一沉積時間與所述第二沉積時間不同，所述第一氧化氣體溫度與所述第二氧化氣體溫度不同，所述第一氧化氣體流量與所述第二氧化氣體流量不同，所述第一氧化氣體時間與所述第二氧化氣體時間不同，或者使得存在著上述不同的組合。
31.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述第一氣體先質(zhì)、所述第二氣體先質(zhì)或其組合物包括無機硅化合物。
32.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述介電涂層的介電常數(shù)大于約8。
33.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述介電涂層的介電常數(shù)為從約10到約80。
34.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述金屬硅酸鹽選自硅酸鋯、硅酸鉿及其組合物。
全文摘要
提供了一種用于在襯底(14)如半導(dǎo)體晶片上沉積高k介電涂層的方法。對襯底進行一次或多次反應(yīng)循環(huán)。例如，在典型的反應(yīng)循環(huán)中，將襯底加熱到一定的沉積溫度。之后，在一個實施例中，將一種或多種用于反應(yīng)的有機金屬氣體先質(zhì)供應(yīng)到反應(yīng)容器(12)中。還在一定的氧化溫度下向襯底提供氧化氣體，以便氧化和/或致密化這些層。結(jié)果，形成了金屬氧化物涂層，其厚度等于至少約一個單層，在一些情況下等于兩個或多個單層。所得金屬氧化物涂層的介電常數(shù)通常大于約4，在一些情況下為約10到約80。
文檔編號H01L21/316GK1498285SQ02806762
公開日2004年5月19日 申請日期2002年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月20日
發(fā)明者J·常, Y·－S·林, A·凱普滕, M·森德勒, S·萊維, R·布洛姆, J 常, ち, 呂, 迥, 針 申請人:馬特森技術(shù)公司, 加州大學評議會