專利名稱：使用虛擬元件來拋光集成電路器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及集成電路器件，更具體地說，涉及帶有虛擬元件(dummy feature)的集成電路器件。
背景技術(shù)：
拋光工藝是在形成集成電路器件時用于整平表面的。傳統(tǒng)上，在形成集成電路器件時并沒有采用貼片(Tiling)技術(shù)。當(dāng)沒有采用貼片技術(shù)時，拋光工藝會在集成電路器件襯底上造成表面凹陷或其它與未統(tǒng)一厚度相關(guān)的問題。這些問題包括超出與光刻或蝕刻相關(guān)的景深(depth of focus)。
對虛擬元件的使用就是為了解決這種與表面凹陷有關(guān)的問題和其它堆積厚度效應(yīng)。用于輔助拋光的虛擬元件是通過“貼片”技術(shù)形成的，因?yàn)閺募呻娐菲骷母┮晥D來看，虛擬元件的圖形看起來像瓷磚。貼片工藝通常包括建立電路布線圖、在該布線圖內(nèi)的有源元件周圍設(shè)定緩沖區(qū)(通常為大約1-10微米的范圍)以及結(jié)合該電路布線圖和最小區(qū)以確定排除區(qū)域。其它的區(qū)域都可用來貼片。
除了某些排除區(qū)域外，無論電路的密度大小，如果任意有源元件之間的距離等于或大于最小寬度，就可以使用貼片技術(shù)。通常，最小寬度不超過10微米且可以為10微米左右。貼片或至少部分貼片被放在至少5微米寬的可用區(qū)域內(nèi)。集成電路器件的貼片圖形(即，貼片的大小和密度)通常相同。參見在美國專利申請5,278,105和歐洲公布的專利申請0 712 156(1996)中均有的圖5。雖然缺少貼片部分，但使用的元件密度是相同的。
附圖簡要說明在附圖中通過示例方式而不是通過限制圖示說明了本發(fā)明，其中，相同的參考數(shù)字代表相同的組件，在附圖中

圖1包括示出部分半導(dǎo)體襯底和構(gòu)圖層的剖面圖；圖2包括示出在構(gòu)圖層上沉積第一電介質(zhì)層后的半導(dǎo)體襯底和構(gòu)圖層的剖面圖；圖3包括示出拋光后的半導(dǎo)體襯底和構(gòu)圖層的剖面圖；圖4包括示出除去構(gòu)圖層后的半導(dǎo)體襯底的剖面圖；圖5包括示出形成導(dǎo)電層后的部分半導(dǎo)體襯底的剖面圖；圖6包括示出在除去部分導(dǎo)電層后的部分半導(dǎo)體襯底的剖面圖；圖7包括示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例、帶有虛擬元件、構(gòu)圖層和第一電介質(zhì)層的部分半導(dǎo)體襯底的剖面圖；圖8包括示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例、除去部分第一電介質(zhì)層后的部分半導(dǎo)體襯底的剖面圖；圖9包括示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例、除去構(gòu)圖層并形成第二電介質(zhì)層和導(dǎo)電層后的部分半導(dǎo)體襯底的剖面圖；圖10包括示出根據(jù)本發(fā)明除去部分導(dǎo)電層后的部分半導(dǎo)體襯底的剖面圖；以及圖11包括示出本發(fā)明的一種實(shí)施例的平面圖。
本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，圖中的組件是為了簡化和清晰的目的而示出的，不一定是按比例描繪的。例如，圖中某些組件的尺寸相對于其它組件可能是被夸大的，以幫助更好地理解本發(fā)明的實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
在確定在何處放置拋光虛擬元件時，物理鄰近效應(yīng)、電鄰近效應(yīng)或者這兩種效應(yīng)都在考慮范圍之內(nèi)。拋光虛擬元件可以在一個或多個元件級上被插入、刪除、移動或進(jìn)行其它形式的修改，以獲得充足的平面性，而不會負(fù)面影響到集成電路器件的性能。主要使用的是拋光虛擬元件圖形的更有選擇性的擺放，而不是不加選擇的擺放。當(dāng)擺放的數(shù)目達(dá)到最大限度時，本發(fā)明的實(shí)施例就會提供足夠的平面性。
為便于理解本說明書，將許多術(shù)語定義如下。
1.有源元件是與集成電路器件的設(shè)計(jì)線路相應(yīng)的元件。有源元件包括部分晶體管、電容、電阻器等。有源元件包括設(shè)計(jì)成以基本恒定的電壓運(yùn)行的電源元件和設(shè)計(jì)成在一個電子條件集下以一個電壓運(yùn)行而在另一個電子條件集下以不同的電壓運(yùn)行的信號元件。
2.控制元件是幫助控制半導(dǎo)體襯底的處理的元件?？刂圃▽?zhǔn)標(biāo)志、用于測量元件尺寸的(“CD棒”)的結(jié)構(gòu)、電測試結(jié)構(gòu)等?？刂圃ǔＮ挥诩呻娐菲骷r底上的沖模(die)之間的劃線內(nèi)。
3.環(huán)境保護(hù)元件是擁有保護(hù)集成電路器件免受后期加工環(huán)境條件影響的主要(最重要)功能的元件。環(huán)繞沖模的邊緣密封環(huán)是最普通的且?guī)缀跏黔h(huán)境保護(hù)器件的唯一例子。邊緣密封環(huán)在切割和封裝過程中提供移動的離子保護(hù)。
4.集成電路區(qū)域是沖模上帶有有源元件的部分。通常，集成電路區(qū)域由靠近沖模邊緣的焊片所限制。
5.外圍區(qū)域是沖模上位于集成電路區(qū)域和劃線之間的部分。在很多集成電路中，外圍區(qū)域是沖模上位于焊片和劃線之間的部分。
6.清晰度輔助元件是對將被印刷到集成電路器件襯底上的有源元件的清晰度(resolution)起到輔助作用的子清晰度元件。清晰度輔助元件出現(xiàn)在掩模中，但沒有作為獨(dú)立的元件印刷到半導(dǎo)體襯底上。移相器是清晰度輔助元件的例子。對于本說明書來說，加有光學(xué)接近校正的元件被認(rèn)為是清晰度輔助元件。
7.虛擬元件包括被印刷到集成電路器件襯底上的元件，這些元件不是上面所定義的任何其它類型的元件。根據(jù)不同的目的在集成電路器件中使用不同類型的虛擬元件。在沿最外邊緣的存儲陣列上使用虛位線(dummy bit lines)，以使陣列上的所有有源位線可以被統(tǒng)一構(gòu)圖。不同于虛位線，拋光虛擬元件是在集成電路器件的掩模的元件級上添加的虛擬元件，以改善當(dāng)前或隨后形成的級上的拋光特性。在器件的正常工作中不需要拋光虛擬元件。
8.電子設(shè)計(jì)規(guī)則是在集成電路內(nèi)規(guī)定最小間隔、元件尺寸或元件間重疊的規(guī)則。電子設(shè)計(jì)規(guī)則部分通過處理邊界和器件性能(對閉鎖、電流泄漏等的抵抗性)來確定。
9.拋光虛擬元件設(shè)計(jì)規(guī)則是電子設(shè)計(jì)規(guī)則的子集，但特指拋光虛擬元件。通常，拋光虛擬元件和有源元件或另一拋光虛擬元件之間的最小間隔至少為1微米且通常不超過10微米左右。
10.差別排除區(qū)是同一元件級上拋光虛擬元件和有源元件之間的最小間隔與兩個有源元件之間的最小間隔之間的差別。
11.虛擬元件可用區(qū)是沖模上可供虛擬元件使用的部分。該部分是沖模和有源控制或環(huán)境保護(hù)元件的區(qū)域與這些元件相應(yīng)的排除區(qū)之間的差別。在優(yōu)選實(shí)施例中，該區(qū)域沒有任何有源元件。
12.元件密度是通過確定由元件占用的區(qū)域部分而計(jì)算出的。在一種實(shí)施例中，該區(qū)域是正方形或圓形。
13.低局部元件密度是元件密度的特定類型。術(shù)語“局部”指該區(qū)域具有5-35微米左右的寬度和高度。當(dāng)在小型有源元件(每一側(cè)小于3微米左右)的任何一側(cè)在至少10-15微米左右的范圍內(nèi)沒有其它元件時，通?？梢栽谛⌒陀性丛泥徑幇l(fā)現(xiàn)低局部元件密度值。
在一種實(shí)施例中，集成電路器件擁有元件級上的具有第一所需虛擬元件零密度的第一區(qū)，第一區(qū)內(nèi)的第一局部區(qū)域，在元件級上具有比第一所需虛擬元件密度大的第二所需虛擬元件密度的第二區(qū)，第一局部區(qū)域內(nèi)的第一有源元件25，第一局部區(qū)域內(nèi)的第二有源元件12，第一有源元件和第二有源元件之間、擁有跨過第一距離的無虛擬元件區(qū)的虛擬元件可用區(qū)，以及部分虛擬元件可用區(qū)內(nèi)、鄰近第二有源元件、從而超過第一所需虛擬元件密度的第一虛擬元件14。在一種實(shí)施例中，所需密度元件密度是在大于100×100微米左右的區(qū)域上計(jì)算出的。
在另一實(shí)施例中，集成電路器件擁有不帶有拋光虛擬元件14的第一有源元件區(qū)，拋光虛擬元件區(qū)，以及至少鄰近部分拋光虛擬元件區(qū)的虛擬元件可用區(qū)。拋光虛擬元件區(qū)擁有鄰近并包圍第一有源元件區(qū)的第一拋光虛擬元件密度，虛擬元件可用區(qū)擁有第二拋光虛擬元件密度。第二拋光虛擬元件密度基本上低于第一拋光虛擬元件密度。在一種實(shí)施例中，第一有源元件區(qū)小于400平方微米。
此外，虛擬元件可用區(qū)可以至少為400平方微米。集成電路器件還可以部分組裝有有源元件。拋光虛擬元件區(qū)還可以至少擁有幾排包圍第一有源元件區(qū)的虛擬元件。本發(fā)明由權(quán)利要求書定義，且參考附圖能對其更好地理解。
圖1是在形成半導(dǎo)體器件的集成電路器件的柵極前基本上已形成的晶體管之間的區(qū)域的剖面圖。這些晶體管形成在半導(dǎo)體襯底10上。半導(dǎo)體襯底10可以是硅、絕緣硅(SOI)、砷化鎵等。在優(yōu)選實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底10是單晶硅或多晶硅。有源元件12和有源元件25均從部分半導(dǎo)體襯底10、襯墊氧化物層40和氮化物層60上形成。為了形成有源元件12和25，可以采用任何適當(dāng)?shù)墓に噥硇纬梢r墊氧化物層40和氮化物層60，例如化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、旋涂工藝、熱生長等以及上述工藝的結(jié)合。在一種實(shí)施例中，襯墊氧化物層40是140埃(厚度)的二氧化硅且利用熱生長工藝形成。在相同或不同的實(shí)施例中，氮化物層60為1400埃(厚度)且利用CVD或PVD沉積。接下來，對襯墊氧化物層40、氮化物層60和半導(dǎo)體襯底10進(jìn)行圖形生成和蝕刻以形成溝道15和35以及有源元件12和25。
溝道15和35包含有虛擬元件可用區(qū)。位于半導(dǎo)體襯底10內(nèi)的溝道15把有源元件12和25隔開至少10微米左右，或者更特殊地，至少20微米左右。有源元件12擁有低局部元件密度。在本實(shí)施例中，有源元件12的寬度為0.2微米左右。有源元件25和12的寬度是在元件的頂部測量的。在一種實(shí)施例中，有源元件12與另一有源元件由至少10微米長的溝道15隔開。溝道15和35包含有虛擬元件可用區(qū)。在一種實(shí)施例中，有源元件25至少和有源元件12一樣寬。在另一實(shí)施例中，有源元件12的寬度大體上小于有源元件25的寬度。在一種實(shí)施例中，有源元件25為10微米寬。在另一實(shí)施例中，有源元件25是由更小的有源元件組成的組。這些更小的有源元件可以是多個高密度的有源元件。在本實(shí)施例中，有源元件25組的寬度將是每個有源元件的總寬度(在元件的頂部)加上在元件的頂部之間測量到的每個有源元件之間的距離。
如圖2所示，第一電介質(zhì)層80沉積在剩下的氮化物層60上以及溝道15和35內(nèi)。用于沉積電介質(zhì)的諸如CVD、PVD或這兩種的組合等典型工藝得到了使用。通常，電介質(zhì)層80是3,000-10,000埃的二氧化硅。使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝對第一電介質(zhì)層80進(jìn)行整平，這生成了第一基本平坦的表面90和第二基本平坦的表面95如圖3所示。整平之后，基本上只在溝道15和35內(nèi)剩下的第一電介質(zhì)層80。此外，氮化物層60變得更薄，生成了氮化物層62。但是，溝道15內(nèi)的基本平坦的表面90和95彼此之間基本上沒有共面，這是由本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)的。話句話說，在整平后，第一電介質(zhì)層80根據(jù)在溝槽15內(nèi)測量厚度的不同地方而擁有基本上不同的厚度。這是由于在有源元件12和25上第一電介質(zhì)層80的不同拋光速率而引起的。
使用濕蝕刻、干蝕刻或結(jié)合兩種工藝等除去氮化物層62和襯墊氧化物層40。在一種實(shí)施例中進(jìn)行干蝕刻，使用含氟的、諸如CF4或NF3的化學(xué)劑來除去襯墊氧化物層40，而使用含碳和氟的、諸如CF4的化學(xué)劑除去氮化物層62。如圖4所示，蝕刻生成了第一電介質(zhì)層80內(nèi)的槽200。
參考圖5，在有源元件25和12上形成第二電介質(zhì)層100。在一種實(shí)施例中，第二電介質(zhì)層100是通過熱生長形成的二氧化硅層。另外，可以使用CVD、PVD等以及結(jié)合上述工藝來形成第二電介質(zhì)層100。如果執(zhí)行CVD或PVD，可能需要執(zhí)行圖形生成和蝕刻工藝。在另一實(shí)施例中，第二電介質(zhì)層100可通過CVD、PVD或原子層沉積(ALD)來形成且可以是諸如ZrO2和HfO2的高-K材料。將對第二電介質(zhì)層100進(jìn)行圖形生成和蝕刻以形成形成于半導(dǎo)體器件的鄰近區(qū)域內(nèi)的晶體管的柵氧化層。通過CVD、PVD或兩種工藝的結(jié)合等在襯底10上沉積導(dǎo)電層110。導(dǎo)電層110可以是多晶硅、包含金屬的材料或另一種導(dǎo)電材料。將對導(dǎo)電層110進(jìn)行圖形生成和蝕刻以形成形成于半導(dǎo)體器件襯底10上的晶體管的柵極。
通過濕蝕刻、干蝕刻或兩種方法的結(jié)合除去導(dǎo)電層110和電介質(zhì)層100后，在槽200內(nèi)留下了縱條(stringer)120(如圖6所示)。縱條120是不希望出現(xiàn)的，因?yàn)樗鼤娺B接形成在圖中所示的區(qū)域兩側(cè)的沖模上多個晶體管的柵極。在另一實(shí)施例中，縱條120會造成集成電路器件的缺少或泄漏。本發(fā)明人已意識到例如縱條120的問題是由有源元件25和12的不同拋光率而引起的。
為了彌補(bǔ)第一電介質(zhì)層80的不同拋光率，如圖7所示，在形成有源元件12的同時，在有源元件12的兩側(cè)的附近且在虛擬元件可用區(qū)或溝道15和35內(nèi)形成虛擬元件14。與有源元件25和12一樣，虛擬元件14包括襯墊氧化物層40和氮化物層60。在一種實(shí)施例中，虛擬元件14的寬度為1-20微米左右，或者更優(yōu)選地，為1-10微米。在一種實(shí)施例中，它們比有源元件12更寬。虛擬元件14的寬度也是在元件的頂部測量的。在一種實(shí)施例中，虛擬元件14至少和有源元件12一樣寬。在一種實(shí)施例中，溝道15的寬度至少是虛擬元件14的五倍，或者更優(yōu)選地，其寬度是虛擬元件14的5-10倍。在一種實(shí)施例中，在有源元件25和虛擬元件14之間存在一個沒有虛擬元件14的虛擬元件可用區(qū)，它也可以稱為無虛擬元件部分，至少為20微米寬。在另一實(shí)施例中，虛擬元件14位于至少把有源元件12和有源元件25隔開20微米的第一虛擬元件可用區(qū)內(nèi)。虛擬元件14和有源元件12接近。在一種實(shí)施例中，虛擬元件14位于有源元件12的1-10微米之內(nèi)。進(jìn)而，在一種實(shí)施例中，有源元件12的寬度大體上小于有源元件25的寬度。在本實(shí)施例中，在虛擬元件14和有源元件25之間存在第二虛擬元件可用區(qū)，它至少20微米寬且沒有虛擬元件。此外，在第一虛擬元件可用區(qū)內(nèi)可能存在另一虛擬元件。
如圖7所示，在有源元件25和12以及虛擬元件14上沉積第一電介質(zhì)層80。可以使用任何前述的與第一電介質(zhì)層80相關(guān)的材料和工藝。
如圖8所示，在除去電介質(zhì)層80和部分氮化物層60后，集成電路器件的表面170幾乎是平坦的。在位于虛擬元件14和有源元件25之間不帶有虛擬元件的虛擬元件可用區(qū)內(nèi)，電介質(zhì)層80可能不是平坦的。但是，如果與本優(yōu)選實(shí)施例中的情形一樣在這個區(qū)域內(nèi)沒有有源元件，這對于器件的功能性并不重要。此外，厚度的變化是在比如果不存在虛擬元件14更小的區(qū)域上的且小于沒有虛擬元件14的結(jié)構(gòu)的變化。
拋光之后，使用前述的濕蝕刻化學(xué)劑剝除襯墊氧化物層40和氮化物層62。如圖9所示，第二電介質(zhì)層100和導(dǎo)電層層110形成于半導(dǎo)體襯底10上。可以使用與圖5相關(guān)的前述的相同的材料和工藝。如圖10所示，當(dāng)除去導(dǎo)電層110時，縱條120在添加虛擬元件14時已不存在。這是由于沒有虛擬元件14時槽200更小且更加一致。
如果需要或必要的話，可在集成電路器件上添加同一或不同元件級的其它虛擬元件以解決其它的問題，例如拋光問題。
圖11示出了被虛擬元件14和30包圍的有源元件25和12的平面圖。如前面與圖7-10相關(guān)的描述，虛擬元件14鄰近有源元件12的兩側(cè)。有源元件12的每一側(cè)無需都被虛擬元件14包圍且有源元件25不被任一虛擬元件14包圍。是否存在包圍有源元件12和25的虛擬元件14依賴于有源元件12和25的各個邊緣上的元件密度。在一種實(shí)施例中，如前面所描述，由于有源元件25的元件密度足夠大，有源元件25不被任一虛擬元件包圍。如圖11所示，在另一實(shí)施例中，由于有源元件25具有低局部元件密度，有源元件25完全被虛擬元件30包圍。因此，需要添加虛擬元件14以提高元件密度。有源元件25周圍的多個虛擬元件14與有源元件25隔開有第一距離，它可以是與虛擬元件14和有源元件12隔開的相同的距離。在替代的實(shí)施例中，如果在有源元件25的角上而不是邊緣上具有低元件密度，可以只在角上放置虛擬元件14。這對于有源元件12同樣適用。例如，在前述的實(shí)施例中，有源元件12的兩側(cè)被虛擬元件14所包圍。在替代的實(shí)施例中，如圖11所示，有源元件12的每一側(cè)都可能被虛擬元件14所包圍。此外，這依賴于有源元件12和25的特定的角和邊緣上的元件密度。通常來說，如果元件密度低于25-75％，則需要添加虛擬元件。
在前面的說明中，已參考具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行描述。但是，本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解在不背離所附權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的范圍的前提下，可以作出各種修改和改變。例如，可能在半導(dǎo)體襯底10的其它區(qū)域內(nèi)進(jìn)行以形成晶體管的源極區(qū)和漏極區(qū)的摻雜(doping)步驟可能在前述的工藝之間進(jìn)行。因此，本說明書和附圖被認(rèn)為是示例性的，而不是限制性的，且所有這種修改都認(rèn)為是包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
上面已對關(guān)于具體實(shí)施例的權(quán)益、其它優(yōu)點(diǎn)和問題解決方案進(jìn)行了描述。但是，這些權(quán)益、優(yōu)點(diǎn)、問題解決方案和其它可能帶來任何權(quán)益、優(yōu)點(diǎn)或問題解決方案或變得更加明顯的任何因素都不應(yīng)被理解為任一或所有權(quán)利要求的關(guān)鍵的、所需的、或必要的特性或元素。在文中所使用的術(shù)語“包含(comprises，comprising)”或任意其它變化形式意旨涵蓋非排它性的包括，例如包含一系列元素的工藝、方法、物品或裝置并不是只包括那些列出的元素，而是可能包括其它沒有明確列出的或者這些工藝、方法、事物或裝置本身固有的元素。
權(quán)利要求
1.一種集成電路器件，其包括半導(dǎo)體襯底；位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)、具有第一寬度的第一有源元件；位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)、具有基本上小于第一有源元件的第二寬度的第二有源元件；位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)、把所述第一有源元件和所述第二有源元件至少隔開20微米的第一虛擬元件可用區(qū)，其中該第一虛擬元件可用區(qū)沒有任何有源元件；位于所述第一虛擬元件可用區(qū)內(nèi)且鄰近所述第二有源元件的第一虛擬元件；以及位于所述第一虛擬元件可用區(qū)內(nèi)、把所述第一虛擬元件和所述第一有源元件至少隔開20微米的第二虛擬元件可用區(qū)，其中該第二虛擬元件可用區(qū)沒有任何虛擬元件。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述第二有源元件和所述第一虛擬元件相隔第一距離。
3.如權(quán)利要求2所述的集成電路器件，其進(jìn)一步包括包圍所述第二有源元件且與其相隔所述第一距離的多個虛擬元件。
4.如權(quán)利要求3所述的集成電路器件，其進(jìn)一步包括位于所述第一虛擬元件可用區(qū)內(nèi)且鄰近所述第一有源元件的第二虛擬元件。
5.一種在半導(dǎo)體襯底上形成集成電路器件的方法，其包括同時在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成具有第一寬度的第一有源元件，具有第二寬度、通過不帶有有源元件的虛擬元件可用區(qū)與所述第一有源元件隔開的第二有源元件，以及位于虛擬元件可用區(qū)內(nèi)、具有第三寬度的第一虛擬元件；以及其中，所述第一虛擬元件位于所述第二有源元件的鄰近處，并且通過跨過所述第三寬度的至少五倍距離的所述虛擬元件可用區(qū)的無虛擬元件部分與所述第一有源元件隔開。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述虛擬元件可用區(qū)內(nèi)形成鄰近于所述第一有源元件的第二虛擬元件。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第三寬度為大約1至10微米之間。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第一有源元件包括多個高密度有源元件。
9.一種形成于半導(dǎo)體襯底上的集成電路器件，其包括元件級上具有第一所需虛擬元件零密度的第一區(qū)；所述第一區(qū)內(nèi)的第一局部區(qū)域；所述元件級上具有比所述第一所需虛擬元件密度大的第二所需虛擬元件密度的第二區(qū)；所述第一局部區(qū)域內(nèi)的第一有源元件；所述第一局部區(qū)域內(nèi)的第二有源元件；所述第一有源元件和所述第二有源元件之間、具有跨過第一距離的無虛擬元件區(qū)的虛擬元件可用區(qū)；以及位于部分所述虛擬元件可用區(qū)內(nèi)、鄰近所述第二有源元件、從而超過所述第一所需虛擬元件密度的第一虛擬元件。
10.一種集成電路器件，其包括不帶有拋光虛擬元件的第一有源元件區(qū)；具有鄰近并包圍所述第一有源元件區(qū)的第一拋光虛擬元件密度的第一拋光虛擬元件區(qū)；以及至少鄰近部分所述拋光虛擬元件區(qū)、具有第二拋光虛擬元件密度的虛擬元件可用區(qū)，其中，所述第二拋光虛擬元件密度基本上低于所述第一拋光虛擬元件密度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種形成帶有虛擬元件(14)及其結(jié)構(gòu)的集成電路器件的方法。一種實(shí)施例包括第一有源元件(25)，其通過不帶有有源元件的虛擬元件可用區(qū)，與基本上較小的第二有源元件(12)隔開。虛擬元件(14)存在于虛擬元件可用區(qū)內(nèi)和第二有源元件的鄰近處。
文檔編號H01L21/70GK1505833SQ02809264
公開日2004年6月16日 申請日期2002年5月2日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月4日
發(fā)明者愛德華·O·特拉維斯, 賽扎爾·N·柴達(dá), 田銳騏, N 柴達(dá), 愛德華 O 特拉維斯 申請人:摩托羅拉公司