專利名稱：微機電可調(diào)諧垂直腔光電器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體涉及半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域，涉及微機電可調(diào)諧垂直腔光電器件(如濾波器和激光器)及其制造方法。
背景技術(shù)：
以微機電法布里-珀羅(Fabry-Perot)濾波器技術(shù)為基礎(chǔ)的可調(diào)諧光學(xué)濾波器和可調(diào)諧垂直腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)近來在本技術(shù)領(lǐng)域引起了廣泛的興趣。這是因為這些器件為通常因昂貴而無法用在對成本很敏感的先進的波分復(fù)用通信(WDM)本地區(qū)域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中的標準可調(diào)諧濾波器、激光器和光檢測器等元件提供了便宜的代用品。
工作在特定波長范圍內(nèi)的微機電可調(diào)諧垂直腔器件代表一個形成于兩個分布式布拉格(Bragg)反射器(DBR)之間的法布里-珀羅腔體，此DBR在這個特定波長范圍內(nèi)具有很高的反射率值。法布里-珀羅腔體包含一個可調(diào)諧空氣隙腔體，其厚度約為幾個半波長。通常頂部DBR是懸在空氣隙上方的一個微型機械懸臂梁(或幾個微型梁)上，并可通過改變空氣隙腔體內(nèi)的電場使其偏轉(zhuǎn)。這使法布里-珀羅腔體的諧振波長改變。DBR的反射率越高，在可調(diào)諧濾波器內(nèi)傳輸波長的線寬就越窄。在可調(diào)諧VCSEL和諧振光檢測器內(nèi)分別可獲得較低的閾增益和較高的選擇性。
具有較低的光吸收率、良好的導(dǎo)熱性和超過99.5％的反射率值的以半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的DBR，在本領(lǐng)域內(nèi)廣泛用于不同類型微機電可調(diào)諧垂直腔器件的制造中。
美國專利5771253*公布布了一種以微機電法布里-珀羅濾波器技術(shù)為基礎(chǔ)的可調(diào)諧VCSEL器件，它包括一個可電偏轉(zhuǎn)的懸臂梁，一個頂部和底部DBR，及一個多量子阱(MQW)區(qū)。此MQW區(qū)處于一個頂部DBR和一個頂部反射器(它由一個位于MQW頂部的部分DBR組成)之間，一個空氣隙和可動的DBR處于懸臂梁上。在此部分DBR中有一氧化層，以在活性區(qū)提供橫向電氣和光學(xué)限制。
M.S.Wu，E.S.Vail，G.S.Li，W.Yuen和C.J.Chang-Hasnain發(fā)表在IEEE Photon.Technol.Lett.，8(1996)，No.1，pp.98-100上的文章“具有波長跟蹤的寬范圍和連續(xù)可調(diào)諧的微機械諧振腔體檢測器”*公布了一種以微機電法布里-珀羅濾波器技術(shù)為基礎(chǔ)的可調(diào)諧光檢測器，它包括一個可電偏轉(zhuǎn)的懸臂梁、頂部和底部DBR，及處于它們之間的光檢測器區(qū)域。
E.C.Vail等人發(fā)表在Electronics Letters Online，Vol.31，No.3，1995，pp.228-229上的文章“鎵砷微機械寬可調(diào)諧法布里-珀羅濾波器”*公開了此類可調(diào)諧光學(xué)濾波器的加工過程。首先，形成一個包含由犧牲層隔開的頂部和底部DBR的整體結(jié)構(gòu)。接著通過在無掩膜區(qū)對它進行完全蝕刻直至達到犧牲層而使頂部DBR結(jié)構(gòu)化。然后在無掩膜區(qū)和頂部DBR及支撐懸臂梁下面對犧牲層進行選擇性蝕刻。這樣就使頂部DBR懸在底部DBR之上，并在頂部和底部DBR之間產(chǎn)生一個空氣隙，其厚度約等于犧牲層的厚度。犧牲層的剩余部分將懸臂梁固定在它的底座上。
所有以懸臂梁為基礎(chǔ)的器件的加工過程都很復(fù)雜，而且機械上不穩(wěn)定，因而成品率低。這些器件也很難優(yōu)化如果懸臂梁長于100微米，則機械穩(wěn)定性大大降低。若懸臂梁較短，則柔性下降，從而要減小其厚度。這將使頂部DBR疊層中的對數(shù)減少，因而使器件參數(shù)變壞。
在美國專利5,739,945和P.Tayebati等人發(fā)表在IEEEPhotonics Technology Letters，Vol.10，No.3，1998，pp.394-396上的文章“采用鎵(鋁)砷-AlOx可變形鏡的寬調(diào)諧Falry-Perot濾波器”*中，提出了一種不同的電可調(diào)諧光學(xué)濾波器制造方法。根據(jù)這種方法，采用經(jīng)過氧化的鋁鎵砷層或空氣隙代替由鎵砷和鋁鎵砷層組成的普通鏡疊層的低指標鋁鎵砷層。雖然這種方法可提供相當好的結(jié)果(即，加上50V電壓可在1.5微米附近得到70納米的調(diào)諧范圍)，但加工過程很復(fù)雜，同時用這種方法獲得的器件結(jié)構(gòu)比標準的懸臂梁型器件在機械上更加不穩(wěn)定。
發(fā)明概要因而需要通過提供一種新型器件結(jié)構(gòu)及制造方法來改善微機電可調(diào)諧垂直腔器件。
本發(fā)明的基本思想是，用一塊膜片代替先前此類器件中用以支撐頂部DBR的懸臂梁腔體和梁，此膜片將空氣隙腔體全部蓋住并支撐處于膜片中心的頂部DBR疊層。空氣隙包括在一個隔片中的已刻通的凹口內(nèi)，隔片當器件連接片加上電壓使膜片偏轉(zhuǎn)時將電流阻斷。膜片偏轉(zhuǎn)產(chǎn)生對空氣隙腔體的調(diào)諧，并因此調(diào)節(jié)器件的諧振波長。
以上結(jié)果將按照下面的方法來實現(xiàn)首先，通過在隔片上蝕刻出一個貫穿它的凹口，使得隔片的表面形成一定結(jié)構(gòu)。接著將一種上面帶DBR的支撐結(jié)構(gòu)與隔片的結(jié)構(gòu)表面相結(jié)合。然后對DBR進行蝕刻直至到達支撐區(qū)，從而形成頂部DBR疊層的一個臺面。此臺面是以一條通過凹口中心的垂直軸線為中心，且橫向尺寸小于凹口的橫向尺寸。膜片處于頂部DBR疊層(臺面)之外和凹口之上的一個支撐結(jié)構(gòu)區(qū)。
膜片一方面很柔軟(厚度約為1微米)，另一方面在橫向是連續(xù)的，因而機械上很穩(wěn)定，制造成品率很高。頂部DBR可以由很多層制成而不影響膜片的柔軟性，故使得被傳輸光的線寬很窄。通過在器件光學(xué)腔內(nèi)的光束路徑內(nèi)形成一個高折射率材料的小島，可使光束在調(diào)諧過程中的位置得以穩(wěn)定。
因此，按照本發(fā)明的一個方面，提供一法布里-珀羅可調(diào)諧垂直腔器件，它包括由可調(diào)諧空氣隙腔體分開的頂部和底部半導(dǎo)體DBR疊層以及支持頂部DBR疊層的支撐結(jié)構(gòu)，其中空氣隙腔體處在一個被支撐結(jié)構(gòu)完全蓋住的隔片中形成的凹口內(nèi)，頂部DBR疊層以通過該凹口中心的垂直軸線為中心且其橫向尺寸比凹口的橫向尺寸小，在凹口上面和頂部DBR疊層外面的支撐結(jié)構(gòu)區(qū)呈現(xiàn)為一塊膜片，該膜片通過施加到器件電接觸件上的電壓而偏轉(zhuǎn)。
按照本發(fā)明的另一方面，提供一種法布里-珀羅可調(diào)諧垂直腔器件的制造方法，該器件包含頂部和底部DBR疊層，其間為一個可調(diào)諧空氣隙腔體，所述方法包括以下步驟(i)在底部DBR疊層上形成一個隔片；(ii)在隔片內(nèi)加工出一個刻通的凹口，從而形成隔片的結(jié)構(gòu)表面，該凹口為可調(diào)諧空氣隙腔體提供一個位置；(iii)將包含支撐結(jié)構(gòu)的頂部DBR晶片與隔片的結(jié)構(gòu)表面相連，使得支撐結(jié)構(gòu)面對隔片的結(jié)構(gòu)表面并完全蓋住凹口，從而形成一個空氣隙腔體，并選擇性地蝕刻一個襯底(在它上面已生長頂部DBR各層)；(iv)通過蝕刻頂部DBR各層直至到達支撐結(jié)構(gòu)，以在所述凹口的一個中心區(qū)上方形成頂部DBR疊層，并在該頂部DBR疊層之外的凹口上方形成一個膜片，從而界定一個臺面即該頂部DBR疊層，這個頂部DBR疊層的橫向尺寸小于凹口的橫向尺寸，且以通過凹口中心的垂直軸線為中心，在凹口之上和臺面之外的支撐結(jié)構(gòu)區(qū)呈現(xiàn)為所述膜片，它可通過施加在器件電接觸件上的調(diào)諧電壓而偏轉(zhuǎn)。
為了限制透射或發(fā)射光的光學(xué)模式，可以在凹口底部形成一個臺面，它以通過凹口中心的垂直軸線為中心，且橫向尺寸和高度分別小于器件工作波長的10倍和1/30。
隔片區(qū)可位于底部DBR的頂上，在那種情況下該器件是一個可調(diào)諧光學(xué)濾波器。在可調(diào)諧VCSEL和可調(diào)諧諧振光檢測器的情況下，在隔片和底部DBR之間安放一種活性腔體材料。
頂部DBR疊層可包括幾個AlxGa1-xAS(x取不同值)層對，且支撐結(jié)構(gòu)和底部DBR疊層也可包含頂部DBR疊層中相同的層對數(shù)。隔片可包含帶交替n-型和p-型摻雜的各層。在可調(diào)諧濾波器的情況下，隔片可包含與帶交替的n-型和p-型摻雜的底部DBR相同的層對數(shù)。在可調(diào)諧VCSEL和可調(diào)諧諧振光檢測器的情況下，隔片可包含在相同材料系內(nèi)生長的各層，此材料系與帶交替的n-型和p-型摻雜的活性腔體材料疊層中的各層是一樣的。
附圖簡介為了解本發(fā)明并看看如何實際上實施它，下參照附圖僅以幾個不受限制的例子描述幾種實施裝置，附圖中，

圖1是按本發(fā)明的一個可調(diào)諧光學(xué)濾波器器件的例子；圖2表示圖1的濾波器器件的加工；圖3是按本發(fā)明的一個可調(diào)諧VCSEL器件的例子；圖4和5表示圖3的可調(diào)諧VCSEL器件的加工。
發(fā)明的詳細說明參看圖1，總體上以10概示出按本發(fā)明一種實施例制造的可調(diào)諧垂直腔器件。器件10設(shè)計成一個法布里-珀羅垂直腔器件，它有兩個半導(dǎo)體DBR 12a和12b及一個處在其間的空氣隙腔體14，一個可調(diào)諧光學(xué)濾波器。空氣隙腔體14處于開在隔片17中的刻通凹口16內(nèi)，隔片位于底部DBR 12b的頂上并被支撐結(jié)構(gòu)18(它支撐著頂部DBR疊層12a)完全蓋住。頂部DBR 12a處在支撐結(jié)構(gòu)18的一個區(qū)域18a上，使得它以通過凹口16中心的垂直軸線為中心。此頂部DBR 12a的橫向尺寸比凹口16的小。在區(qū)域18a(它支持著DBR疊層12a)外面的支撐結(jié)構(gòu)區(qū)18b呈現(xiàn)為一個膜片23，它可通過施加在器件接觸件26上的調(diào)諧電壓而偏轉(zhuǎn)。
在本例中，底部DBR12b包含30對生長在n-型鎵砷襯底上的鋁鎵砷/鎵砷n-型層，且在1.55微米的反射率為99.5％。隔片17是一個六對鋁鎵砷/鎵砷層的疊層，其厚度和組成與底部DBR疊層12b中的一樣。與底部DBR疊層的層結(jié)構(gòu)不同，隔片17中的層具有交替的n-型和p-型摻雜。橫向尺寸為300×300微米2的凹口16是通過對全部6層隔片17的刻蝕而做出的，因而凹口16的深度約為1.5微米(由它確定空氣隙腔體14的厚度)，且凹口16的底面20與底部DBR疊層12b的頂面重合。
頂部DBR疊層12a是一個包含25對鋁鎵砷/鎵砷層的臺面，其反射率為99.5％，橫向尺寸為80×80微米2。頂部DBR疊層12a位于支撐結(jié)構(gòu)18(在它的區(qū)域18a以內(nèi))上，后者由4對鋁鎵砷/鎵砷層組成，其厚度和組成與頂部DBR疊層12a內(nèi)的各層相同，且以一個銦鎵磷蝕刻-阻擋層19為末端。層19的厚度為30納米并處在頂部DBR 12a和支撐結(jié)構(gòu)18間的界面上。支撐結(jié)構(gòu)18在其區(qū)域18b內(nèi)(在區(qū)域18a外面)的橫向延伸形成膜片23，后者將凹口16全部蓋住。
現(xiàn)在參照圖2來描述濾波器器件10的加工。
在第一步驟中，通過在Cl2-CH4-Ar中的反應(yīng)等離子體干法蝕刻和在HF-H2O溶液中的選擇性化學(xué)蝕刻，在隔片17(它由帶交替的n-型和p-型摻雜的6對鋁鎵砷/鎵鋁層疊層組成)中形成橫向尺寸為300×300微米2的刻通凹口16。這個過程可以在蝕刻到達底部鋁鎵砷/鎵鋁DBR疊層12b(生長于襯底11上)時使它準確地終止，使得凹口的深度為1.5微米左右。
在第二個步驟中，在頂部DBR晶片24的支撐結(jié)構(gòu)18的表面與隔片17的結(jié)構(gòu)表面之間進行晶片熔合。頂部DBR晶片24包含一個生長在鎵砷襯底25上的DBR 12(以后在它里面形成頂部DBR 12a)和生長在DBR 12頂面上的支撐結(jié)構(gòu)18。因此，支撐結(jié)構(gòu)18的表面是與隔片17的結(jié)構(gòu)表面面對面地熔合，并在凹口外面隔片17的表面區(qū)內(nèi)形成一個熔合界面。在溫度為650℃時在熔合界面上加上2巴的壓力實現(xiàn)熔合。然后(雖然圖中未特別表示)，將鎵砷襯底25在H2O2-NH3OH溶液中作選擇性蝕刻直至到達DBR結(jié)構(gòu)12的第一鋁鎵砷層(也即與隔片連接的結(jié)構(gòu)12的底層)，后者用作蝕刻阻擋層并且也在HF-H2O溶液中作選擇性蝕刻。
在第三個步驟中，通過在Cl2-CH4-Ar中的干法蝕刻和在HF-H2O溶液中的選擇性化學(xué)蝕刻，在DBR 12內(nèi)蝕刻臺面直至到達蝕刻-阻擋層19，以形成頂部DBR疊層12a(見圖1)，后者以通過凹口16的中心的一條垂直軸線為中心，且橫向尺寸為80×80微米2。經(jīng)過這次蝕刻后，支撐結(jié)構(gòu)18(它的區(qū)域186)的橫向延續(xù)形成膜片23，它將凹口16全部蓋住。這樣就形成了空氣隙腔體14，它的底面被底部DBR疊層12b的頂面所限制，而頂面被支撐結(jié)構(gòu)18所限制。在形成電接觸件26之后，器件的加工就完成了。
在本例中，隔片結(jié)構(gòu)17和支撐結(jié)構(gòu)18是由鎵砷/鋁鎵砷層對制成的。但應(yīng)指出，這些結(jié)構(gòu)以及DBR疊層的結(jié)構(gòu)也可以用鎵砷或其它類型的介質(zhì)層制成。為了穩(wěn)定透射光學(xué)模式，可以在凹口16的底部形成一個臺面，它以通過凹口中心的垂直軸線為中心，且其橫向尺寸和高度分別小于器件工作波長的10倍和1/30。
參看圖3，示出了按本發(fā)明另一個實施例的可調(diào)諧垂直腔器件100，它呈現(xiàn)為一種VCSEL器件結(jié)構(gòu)。此器件設(shè)計在1.55微米附近發(fā)射光。為便于理解，在器件10和100中相同的元件采用同樣的標號。與前面例子中的器件10類似，器件100設(shè)計成象一個可調(diào)諧法布里-珀羅腔體，它分別具有頂部和底部DBR12a和12b，最大反射率處在1.55微米處。與前述器件10不同，在器件100中隔片17是處在活性腔體材料27的頂部，這種活性材料是與鋁鎵砷/鎵砷底部DBR 12b的表面相熔合的。
活性腔體材料包含一個多量子阱銦鎵砷磷/銦鎵砷層疊層28，后者在1.55微米處具有最大的熒光發(fā)射，而且被夾在兩個銦磷包層29和34之間?；钚郧惑w材料的光學(xué)厚度等于3/2×1.55微米。隔片17的總厚度為1.5微米，它包含一個帶交替p-n-p-n摻雜的銦磷層30，銦磷層30夾在2個蝕刻-阻擋層31和32之間。一個由銦鎵砷磷制成并在1.4微米具有最大熒光發(fā)射(PLmax)的臺面33處于凹口16的頂部，并以通過凹口16中心的垂直軸線為中心。
器件100可通過頂部DBR 12a等用980納米的泵激光被光學(xué)泵激，從而在1.55微米處發(fā)射并穿過底部DBR 12b和鎵砷襯底11。在接觸件26之間加上電壓可使膜片23偏向凹口16的底部，這樣就縮短了空氣隙腔體14，并從而也使VCSEL器件的發(fā)射波長縮短。臺面33引起光學(xué)腔體中的橫向折射率變化，以使光學(xué)模式穩(wěn)定下來。臺面33的高度和橫向尺寸應(yīng)分別小于器件工作波長的1/30和10倍。
現(xiàn)在參照圖4和5來描述可調(diào)諧VCSEL器件100的加工。
首先，在銦磷襯底35上生長出多層疊層結(jié)構(gòu)40。此結(jié)構(gòu)包括隔片17和活性腔體材料27。隔片17的總厚度為1.5微米，且包含一個帶交替的p-n-p-n摻雜的銦磷層30，銦磷層30夾在兩個蝕刻阻擋銦鎵砷磷層(兩層的PLmax＝1.4微米，且厚度為50納米)之間。活性腔體材料27的總厚度為725納米，并包含6個夾在兩個銦磷包層之間的量子阱。
然后，將多層疊層40與底部DBR疊層12b熔合，方法是把它們面對面地放入一種混合氣體環(huán)境內(nèi)，將溫度升至650℃，并給熔合界面加上2巴左右的壓力。這個過程之后是在HCl-H2O溶液內(nèi)對銦磷襯底35進行選擇性蝕刻，直至到達銦鎵砷磷蝕刻-阻擋層32以形成凹口16。更具體地說，選擇性蝕刻包括首先在H2SO4-H2O2-H2O溶液內(nèi)蝕刻銦鎵砷磷蝕刻-阻擋層32，然后在HCl-H2O溶液內(nèi)蝕刻銦磷層30。這之后通過在H2SO4-H2O2-H2O溶液中的蝕刻形成臺面33。
在下一個步驟中，隔片17的結(jié)構(gòu)表面將與支撐結(jié)構(gòu)18的基本為平的表面相熔合。熔合時的溫度為650℃并在熔合界面上加2巴的壓力。接下來對頂部DBR晶片24的鎵砷襯底25進行選擇性蝕刻，并像上述加工器件10那樣蝕刻DBR 12以形成臺面33。在形成電接觸件26后器件的加工就完成了。
本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解可以對上面所舉的優(yōu)選實施例作各種修正和改變，而不會超出本發(fā)明的范圍，本發(fā)明的范圍將由下面的權(quán)利要求書界定。請注意上面以星號*標示的出版物已被引用于此作為參考。
權(quán)利要求
1.一種可調(diào)諧法布里-珀羅垂直腔器件，包括由可調(diào)諧空氣隙腔體分隔的頂部和底部半導(dǎo)體分布式布拉格反射器(DBR)疊層，以及支持頂部DBR疊層的支撐結(jié)構(gòu)，其中空氣隙腔體處于完全被支撐結(jié)構(gòu)蓋住的在隔片內(nèi)形成的一凹口中，頂部DBR疊層以通過所述凹口中心的垂直軸線為中心且其橫向尺寸小于凹口的橫向尺寸，在頂部DBR疊層之外和凹口上方的一支撐結(jié)構(gòu)區(qū)域，它呈現(xiàn)為一膜片，可以通過施加在器件電接觸件上的調(diào)諧電壓而偏轉(zhuǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的器件，其中一臺面處于所述凹口的底部上，且以通過凹口中心的中央垂直軸線為中心，所述臺面的橫向尺寸和高度分別小于器件工作波長的10倍和1/30。
3.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述隔片位于底部DBR疊層上。
4.如權(quán)利要求3所述的器件，可用作一可調(diào)諧光學(xué)濾波器。
5.如權(quán)利要求1所述的器件，還包括一處于底部DBR疊層和隔片之間的活性腔體材料，所述器件可用作可調(diào)諧垂直腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)。
6.如權(quán)利要求5所述的器件，其中所述活性腔體材料包括一種處于所述隔片和底部DBR疊層之間的半導(dǎo)體多量子阱(MQW)發(fā)光材料。
7.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述膜片的厚度約為1微米。
8.一種制造法布里-珀羅可調(diào)諧垂直腔器件的方法，該器件包括頂部和底部DBR疊層，所述疊層之間具有可調(diào)諧空氣隙腔體，所述方法包括以下步驟(i)在底部DBR疊層上形成一隔片；(ii)在隔片內(nèi)加工一刻通的凹口，從而形成隔片的結(jié)構(gòu)表面，所述凹口為所述可調(diào)諧空氣隙腔體提供位置；(iii)將包括支撐結(jié)構(gòu)的頂部DBR晶片與隔片的結(jié)構(gòu)表面以這樣一種方式結(jié)合，使得所述支撐結(jié)構(gòu)面對隔片的所述結(jié)構(gòu)表面并完全蓋住所述凹口，從而形成一空氣隙腔體，同時選擇性地蝕刻一襯底，在該襯底的各層上生長有頂部DBR；(iv)通過蝕刻頂部DBR各層直至到達支撐結(jié)構(gòu)，以在所述凹口中心區(qū)的上面形成頂部DBR疊層，并在該頂部DBR疊層之外的凹口上面形成一膜片，這樣就界定了一臺面，該臺面呈現(xiàn)為所述頂部DBR疊層，其橫向尺寸小于所述凹口的橫向尺寸，且以通過凹口中心的垂直軸線為中心，所述凹口上方和所述臺面的外面的支撐結(jié)構(gòu)區(qū)域呈現(xiàn)為所述膜片，它通過在器件電接觸件上施加調(diào)諧電壓而偏轉(zhuǎn)。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中頂部DBR疊層包括一些具有不同x值的AlxGa1-xAs層的對。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中支撐結(jié)構(gòu)包括一些具有不同x值的AlxGa1-xAs層的對。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中支撐結(jié)構(gòu)包括與頂部DBR疊層同樣的AlxGa1-xAs層的對。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，其中每一個頂部和底部DBR疊層包括一些具有不同x值的AlxGa1-xAs層的對。
13.如權(quán)利要求8所述的方法，還包括在底部DBR疊層和隔片之間形成一種活性腔體材料。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中形成活性腔體材料包括在兩個包層之間生長多量子阱層的疊層的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種可調(diào)諧Farby－Perot垂直腔光電器件及其制造方法。該器件包括頂部和底部半導(dǎo)體DBR疊層及處在它們之間的可調(diào)諧空氣隙腔。該空氣隙腔形成于底部DBR疊層上方的一個隔片的凹口內(nèi)。頂部DBR疊層由一個支撐結(jié)構(gòu)支持在位于凹口中心區(qū)域上方的支撐結(jié)構(gòu)區(qū)域內(nèi)，而在凹口上方和DBR疊層之外的支持結(jié)構(gòu)區(qū)域呈現(xiàn)為一個膜片，它可以通過施加在器件接觸件上的調(diào)諧電壓而偏轉(zhuǎn)。
文檔編號H01S5/187GK1509406SQ02810125
公開日2004年6月30日 申請日期2002年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月15日
發(fā)明者E·卡彭, E 卡彭, V·伊亞科夫勒夫, 強品蚶輾, A·西爾布, 呂, A·魯?shù)吕? 城信, G·敘魯切努 申請人:洛桑生態(tài)綜合技術(shù)聯(lián)合公司