專利名稱：半導體晶片舉升裝置以及實施方法
1.發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導體制造設(shè)備，更具體地說，本發(fā)明涉及將半導體晶片從位于半導體加工室內(nèi)的晶片座中舉升并取出的改進裝置。
2.相關(guān)領(lǐng)域描述在半導體制造中，集成電路設(shè)備是由半導體晶片經(jīng)過許多加工過程制造而成的。許多加工過程通常是在加工處理室內(nèi)進行的，例如，在所述加工處理室內(nèi)相繼應用和定型電介質(zhì)層和金屬化材料層，以形成多層結(jié)構(gòu)。例如，一些層(如SiO2)通常是在化學蒸氣淀積(CVD)處理室內(nèi)淀積而成的，然后旋轉(zhuǎn)涂布光阻材料，并利用照相平板定型。當在特殊表面上定義光阻掩膜時，將所述半導體晶片置于等離子蝕刻處理室內(nèi)，以去除(蝕刻)部分未被光阻掩膜覆蓋的底層材料。


圖1A示出了半導體加工系統(tǒng)100，所述系統(tǒng)包括處理室102，用來通過蝕刻工藝加工半導體晶片。在所述范例中，所述處理室102包括用以支持半導體晶片106的晶片座104。所述處理室102也配有一上電極114。所述上電極114被配置成用來接收在加工過程中分布在等離子區(qū)112的加工氣體。所述等離子區(qū)112定義在上電極114表面和晶片106表面之間。
圖中也示出上電極114和匹配箱116a及RF電源118a相耦合。晶片座114也和匹配箱116a及RF電源118a相耦合。處理室102配有出口120，用于在加工過程中將處理室102中的過量氣體排出。在操作中，將RF電源118a配置成對上電極114施加偏壓，并以大約27MHz頻率下操作。RF電源118a主要負責在等離子區(qū)112內(nèi)產(chǎn)生大多數(shù)的等離子密度，而RF電源118b則主要負責在等離子區(qū)112內(nèi)產(chǎn)生偏壓。RF電源118b通常以大約2MHz的較低頻率范圍操作。
圖1B和1C提供了半導體加工系統(tǒng)100中晶片座104的較詳細的視圖。圖1B中示出的晶片座104是單極性的，其中在電介質(zhì)材料124中僅形成一個正電極122，而等離子112電勢則具有負極性。圖1C中示出的晶片座104是雙極性的，其中有兩個電極，即在電介質(zhì)材料124中形成的正電極130和負電極132。
如圖1B和1C所示，晶片座104包含多個穿孔126，在加工完成時，舉升柱狀結(jié)構(gòu)(lifting pin)128由氣壓推動穿過所述穿孔126，將半導體晶片106從晶片座104中舉起。在加工完成時，將晶片106從晶片座104中取出的過程被稱為離座過程，在最理想的離座過程中，僅僅利用氣壓將所述晶片舉升離開晶片座104，而后再將其從加工處理室100內(nèi)取出。
圖1D是描述一種傳統(tǒng)離座操作的流程圖。圖1D是從半導體晶片加工140完成開始的。在試圖將所述晶片106舉升離開晶片座104之前，所述晶片106必須被允許完全放電142。對于圖1B所示的單極性晶片座，晶片通過等離子區(qū)發(fā)生放電，大多數(shù)的系統(tǒng)大約需要120秒的時間來完成對晶片106上最小殘余電荷的放電。對于圖1C所示的雙極性晶片座104，一般經(jīng)過等離子體112放電的晶片還需通過擁有雙電極的晶片座補充放電。典型地，晶片106經(jīng)過雙極性晶片座放電的時間需要10到180秒。雙極性晶片座配件有利于將晶片放電所需要的時間減少到最小，并直接改善加工周期和生產(chǎn)能力?？墒牵烹娺^程通常導致殘余電荷不均勻地分布在晶片上。如以下所述，均勻或不均勻的殘余電荷的存在可導致晶片受損。
晶片放電完成后，圖1D繼續(xù)啟動144舉升柱狀結(jié)構(gòu)128將所述晶片106從晶片座104中清除，并允許將所述晶片106從系統(tǒng)中取出。通常利用氣壓力來啟動舉升柱狀結(jié)構(gòu)(典型地為3或4個)。舉升柱狀結(jié)構(gòu)128向上移動接觸到晶片的底面，然后舉升所述晶片106到一個預先調(diào)整好的轉(zhuǎn)移高度。一旦到達所述轉(zhuǎn)移高度，就從系統(tǒng)中將所述晶片106取出146。如要加工另一晶片106，則將下一晶片106放在148所述舉升柱狀結(jié)構(gòu)128上，降低150至晶片座104，然后重復圖1D中的過程。
從晶片座104中舉升晶片106有時會對晶片106造成無法修復的損壞。所述損壞通常是由舉升柱狀結(jié)構(gòu)128和晶片106之間的接觸造成的。假如晶片106包含足夠的通常是不均勻的殘余電荷，那么當舉升柱狀結(jié)構(gòu)128被啟動時，所述晶片106將因靜電仍然依附在晶片座104上。因為是氣壓啟動舉升柱狀結(jié)構(gòu)128，所以所述舉升柱狀結(jié)構(gòu)128以恒定的不可調(diào)整的力和速度移動。因此，當撞擊不可移動的(例如，依附著的)晶片時，舉升柱狀結(jié)構(gòu)會對晶片106造成損壞。假如僅在一端舉升晶片106(這是會想到的)，所述晶片將會滑出晶片座104而損壞。在某些情況下，晶片會破裂或?qū)χ坪玫碾娐樊a(chǎn)生無法挽回的損壞。還有，假如柱狀結(jié)構(gòu)舉升力一開始被晶片106和晶片座104之間殘余的靜電引力所抗衡的話，在施加舉升力而晶片放電過程又在繼續(xù)時，所述晶片106可能突然從晶片座104中釋放。這種突然從晶片座104中釋放，可能導致晶片106的彈射動作和相關(guān)的損壞。在其它情況下，假如晶片106包含足夠的殘余電荷，而又向舉升柱狀結(jié)構(gòu)施加足夠的力量，那么舉升柱狀結(jié)構(gòu)可能會實際上將所述晶片穿透。
綜上所述，我們需要的是一種柱狀結(jié)構(gòu)舉升裝置，和制造及實施所述裝置的方法，通過向晶片的背面施加受到監(jiān)控的舉升力，所述裝置將幫助有效地將半導體晶片從晶片座中舉升，并且所述裝置還提供快速去除晶片和晶片座之間的有阻力的殘余電荷的技術(shù)。
發(fā)明簡述廣而言之，本發(fā)明滿足了這些要求，提供了一種裝置和方法，用來在加工操作后，可控制地將一晶片舉升離開帶靜電的晶片座。應當理解，本發(fā)明可以以多種方式實施，包括過程，裝置，系統(tǒng)，設(shè)備或方法。以下描述本發(fā)明的幾個實施例。
在一個實施例中，公開了一種在晶片加工處理室中，在加工完成后用于控制將晶片舉升離開帶靜電的晶片座的晶片舉升機構(gòu)。所述晶片舉升機構(gòu)包括定位在帶靜電的晶片座下的柱狀舉升軛。所述柱狀舉升軛擁有一組與其連接的柱狀結(jié)構(gòu)，所述組柱狀結(jié)構(gòu)被配置成橫向經(jīng)過所述帶靜電的晶片座，并與晶片底面接觸。還提供了一個與柱狀舉升軛相耦合的連桿。所述連桿是可移動的，從而使柱狀舉升軛和所述組柱狀結(jié)構(gòu)得以在帶靜電的晶片座中移動，并與晶片底面接觸，并且一旦與晶片底面接觸，所述組柱狀結(jié)構(gòu)能夠?qū)⑺鼍e升離開帶靜電的晶片座。另外還包括用以移動連桿的馬達和在舉升過程中限制所述組柱狀結(jié)構(gòu)施加到晶片底面的作用力的作用力反饋系統(tǒng)。
在另一個實施例中，公開了一種在加工完成后用于控制將基底舉升離開帶靜電的晶片座的基底舉升機構(gòu)。所述基底舉升機構(gòu)包括一柱狀舉升軛，所述柱狀舉升軛擁有一組與其連接的柱狀結(jié)構(gòu)，所述組柱狀結(jié)構(gòu)被配置成與基底底面接觸。一個導向螺桿與所述柱狀舉升軛相連接，并提供了一個用來移動所述導向螺桿的馬達。另外也包括了一個作用力反饋系統(tǒng)。所述作用力反饋系統(tǒng)包括用來測量所述組柱狀結(jié)構(gòu)受到的阻力的應變測量器，和用來接收有關(guān)所述阻力的數(shù)據(jù)的數(shù)字信號處理器，用來控制馬達的馬達控制器和編碼器。所述編碼器被配置成將導向螺桿位置數(shù)據(jù)傳送到馬達控制器和數(shù)字信號處理器。
在另一實施例中，公開了一種在加工完成后用來將晶片舉升離開帶靜電的晶片座的方法。所述方法包括將一組柱狀結(jié)構(gòu)經(jīng)過帶靜電的晶片座向晶片底面舉起。然后取得所述組柱狀結(jié)構(gòu)和晶片底面之間的接觸。所述方法還包括向晶片底面施加一舉升力，并監(jiān)控所述舉升力。當所述監(jiān)控表明到達門限級時，所述舉升力被停止。
本發(fā)明有許多有價值的優(yōu)點。最值得注意的是，通過在舉升過程中監(jiān)控與晶片接觸的舉升柱狀機構(gòu)上的應變，可以決定何時停止舉起所述舉升柱狀結(jié)構(gòu)，以防止對晶片的損壞。一旦晶片被充分放電，可以很容易地從帶靜電的晶片座中取出，則可繼續(xù)舉起，直到將晶片放在其適當?shù)南蛏衔恢?，并可由機器人的末端受動器取得為止。通過以下詳細的描述和附圖，本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將變得更加明顯，所述詳述和附圖為了舉例說明本發(fā)明的原理。
附圖簡述參考附圖及以下的詳述，可以更好地理解本發(fā)明及其中的優(yōu)點。
圖1A示出了一種半導體加工系統(tǒng)，其中包括一個用來通過蝕刻操作加工半導體晶片的處理室。
圖1B提供了一個半導體加工系統(tǒng)的單極性帶靜電的晶片座的詳細視圖。
圖1C提供了一個半導體加工系統(tǒng)的雙極性帶靜電的晶片座的詳細視圖。
圖1D示出了在半導體加工系統(tǒng)中實施離座操作的流程圖。
圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，當舉升柱狀結(jié)構(gòu)接觸晶片表面時，半導體晶片舉升設(shè)備的橫截面圖。
圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，當舉升柱狀結(jié)構(gòu)舉升晶片時，半導體晶片舉升設(shè)備的橫截面圖。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，使用半導體晶片舉升設(shè)備實施離座過程的流程圖。
優(yōu)選實施例的詳細說明本發(fā)明描述的是一種半導體晶片舉升設(shè)備，所述設(shè)備幫助將一半導體晶片從位于半導體加工處理室中的晶片座中舉升并離座。在以下描述中，將提出多個具體資料，以便對本發(fā)明有一個徹底的了解。可是，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在沒有一些或所有的具體資料的情況下，顯然也可以實施本發(fā)明。在其它例子中，眾所周知的加工步驟就不再詳細描述，以避免對本發(fā)明造成不必要的混淆。
本發(fā)明的實施例公開了一種半導體晶片舉升設(shè)備，在處理室加工操作完成后，所述設(shè)備能使晶片被有效放電并能安全地從帶靜電的晶片座中將所述晶片舉升。盡管本發(fā)明的半導體晶片舉升設(shè)備可以用于多種不同類型的加工處理室，但是一種能從公開的晶片舉升設(shè)備的發(fā)明設(shè)計特征中得益的示范性的處理室是Rainbow 4520XL加工處理室，所述處理室可從Lam Research Corporation of Fremont，California購買到。在一些處理室的定位中，晶片座可以是單極性的或雙極性的。無論哪一種情況，本發(fā)明的半導體晶片舉升設(shè)備都將在克服現(xiàn)有技術(shù)的問題的前提下，幫助晶片放電并離座。
圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，當舉升柱狀結(jié)構(gòu)228接觸晶片206底面時，半導體晶片舉升設(shè)備的橫截面圖。在所述實施例中，半導體晶片舉升設(shè)備包括多個導電舉升柱狀結(jié)構(gòu)228，所述柱狀結(jié)構(gòu)228通過多個穿孔226橫穿過帶靜電的晶片座204。典型地，有3或4個舉升柱狀結(jié)構(gòu)228?？墒?，本發(fā)明的所述實施例不限制舉升柱狀結(jié)構(gòu)228的具體數(shù)目。所述舉升柱狀結(jié)構(gòu)228和舉升軛230相連接，以提供導電性。通過風箱232和密封環(huán)234將舉升柱狀結(jié)構(gòu)228和帶靜電的晶片座204之間的空間和晶片座下面的空間隔離開。風箱232的使用使得軛230能夠相對晶片座240移動而不影響加工處理室中的大氣隔離。舉升軛230通過開關(guān)裝置236和可變電阻238與大地電連接。由于位于軛230中心的絕緣材料240，而使通過舉升柱狀結(jié)構(gòu)228，軛230，開關(guān)裝置236和可變電阻238的電傳導和所述舉升設(shè)備的其余部分隔離開來。應變測量器242置于絕緣材料240和導向螺桿244之間，所述導向螺桿244由馬達246驅(qū)動，以移動所述軛230。應該注意的是，導向螺桿244可以由任何類型的連桿代替，只要它能升高或降低柱狀舉升軛230。
在一個實施例中，應變測量器242送出信息信號到數(shù)字信號處理器(DSP)250，接著所述數(shù)字信號處理器250又將信號送到馬達控制器246，所述馬達控制器246接著又將信號送到馬達246，以控制導向螺桿244的位置。編碼器248與馬達246相接口，并被配置成向馬達控制器246發(fā)送信號。由編碼器248提供的信息將包含導向螺桿244的目前位置數(shù)據(jù)。
在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例中，舉升柱狀結(jié)構(gòu)228被配置成和晶片206的底面相接觸，并施加一低作用力，使得在所述晶片和所述舉升柱狀結(jié)構(gòu)之間建立電傳導。所述低作用力被設(shè)計成在所述晶片由于靜電黏附在晶片座204上時，防止施加可能對晶片產(chǎn)生損壞的高應變。在操作中，打開開關(guān)236，則舉升柱狀結(jié)構(gòu)228和晶片206之間可以受控制地接觸。這樣，不受控制的靜電放電將不會發(fā)生，直到達到合適的處理時間為止。例如，一旦在包含殘余電荷的晶片206和舉升柱狀結(jié)構(gòu)228之間建立電傳導，開關(guān)236將關(guān)閉，使得所述晶片能夠通過可變電阻受控制地對大地放電。在保護晶片的完整性的同時，設(shè)定可變電阻238，以使得晶片206的所需的放電時間最少。
在一個優(yōu)選實施例中，舉升軛230將逐步上移，以便將晶片206從晶片座204中舉起。隨著舉升柱狀結(jié)構(gòu)228承受所述晶片206舉升過程中的阻力，所述阻力將被通過舉升軛230傳送到應變測量器242。接著，由應變測量器測量出的應變將受到DSP250的監(jiān)控。假如監(jiān)控到的應變作用力(Fs＝質(zhì)量×重力)不在容許范圍內(nèi)，那么DSP250(和相關(guān)聯(lián)的軟件，如果需要的話)將指示馬達控制器252停止增進馬達，并超時到允許晶片206放電，使得所述晶片206和晶片座204之間的靜電引力進一步減小。在一個實施例中，當達到門限值時，停止增進。所述門限值最好是一個能辨別出由舉升柱狀結(jié)構(gòu)施加的作用力何時達到可能損壞晶片的級別的設(shè)定值。因此，門限值是剛好不到可能損害晶片的級別，這樣，在沒有完成充分放電時，可以保護晶片免受過大的作用力。
在一個實施例中，重力狀態(tài)下容許的應變作用力Fs限值可介于1盎司到大約5盎司之間，視晶片大小而定。假如所述受監(jiān)控應變作用力是在容許范圍內(nèi)，DSP250和相關(guān)聯(lián)軟件將指示馬達控制器252繼續(xù)增進馬達。在增進過程中，連接在馬達246上的編碼器248將監(jiān)控導向螺桿244的位置，并發(fā)信號將導向螺桿位置通知給馬達控制器252。然后，當?shù)竭_期望的舉升高度時，所述馬達控制器252將指示馬達246停止舉升軛230。
圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，當舉升柱狀結(jié)構(gòu)228舉升晶片206時，半導體晶片舉升設(shè)備的橫截面圖。圖2B中所示部件和圖2A所示及所述部件完全一樣。圖2B描述了晶片206從晶片座204中舉升離開時，舉升軛230的運動。此時，晶片206將已就緒被末端受動器機器人的刀片從舉升柱狀結(jié)構(gòu)228上取走?，F(xiàn)在，另一個晶片206被放在所述舉升柱狀結(jié)構(gòu)228上，以便可以降低到晶片座204上進行加工。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，使用半導體晶片舉升設(shè)備實施離座過程的流程圖。圖3在半導體晶片加工300完成時進入所述離座操作。然后，所述舉升柱狀結(jié)構(gòu)以低作用力運動302來接觸所述晶片，使得在舉升柱狀結(jié)構(gòu)接觸點及其周圍處不損壞晶片的情況下建立電傳導。在一個實施例中，控制舉升軛和大地之間電傳導的開關(guān)被關(guān)閉304，以使得晶片能夠受控制地對大地放電。如圖2A和2B所示的可變電阻238是可選的，因此可以直接對大地放電。當被使用時，所述可變電阻可以被有效調(diào)整來控制流過所述電阻的電流，從而將放電時間減到最短。一旦所述晶片充分放電，馬達增進306以移動舉升軛并舉升所述晶片。在舉升過程中，由應變測量器測量應變，并由DSP進行監(jiān)控。
假如測量到的應變不在容許范圍內(nèi)310，則馬達停止，并允許晶片繼續(xù)放電一段時間312。此時，本發(fā)明的一個實施例允許降低312可變電阻，以加速殘余電荷從所述晶片經(jīng)過舉升柱狀結(jié)構(gòu)和軛的去除。繼續(xù)進行測量和監(jiān)控308應變，直到應變介于容許限值內(nèi)為止。
假如測量到的應變在容許限值內(nèi)310，然后檢查晶片舉升高度314，以確定晶片是否到達期望取回高度。假如晶片沒有到達期望取回高度，馬達再次增進306，進一步舉升所述晶片。可選地，假如晶片已經(jīng)達到期望取回高度，馬達不再增進，可以從加工處理室中將所述晶片取出316。假如需要加工另一個晶片，則將下一個晶片放在320舉升柱狀結(jié)構(gòu)上，降低322至晶片座，并重復圖3的過程。否則，終止圖3的過程。
因此，現(xiàn)在在從晶片座開始舉升晶片的過程中，可以針對加工后的殘余電荷智能監(jiān)控所述晶片。如上所述，在晶片上存在過多的殘余電荷，將造成晶片和晶片座之間的靜電引力，在舉升柱狀結(jié)構(gòu)向上運動時，這將阻礙晶片移動。由于在一個實施例中，可以通過舉升柱狀結(jié)構(gòu)迅速地去除晶片殘余電荷，因此可以迅速有效地克服對晶片移動的阻力。
本發(fā)明的舉升機構(gòu)的一個優(yōu)點在于提供了一個連續(xù)反饋回路。作用力反饋回路被配置成只有當靜電引力減少到最小時才控制舉升柱狀結(jié)構(gòu)，以減少舉升晶片所需的力量。根據(jù)晶片的大小，作用力反饋回路知道足夠的引力何時已經(jīng)被消除，因此使得舉升機構(gòu)的導向螺桿得以安全增進。如果沒有所述反饋回路，現(xiàn)有技術(shù)系統(tǒng)只會根據(jù)盲目的定時算法來舉升所述柱狀結(jié)構(gòu)。不幸的是，由于靜電放電通常是不均勻和不可預測的，現(xiàn)有技術(shù)的氣壓控制的舉升柱狀結(jié)構(gòu)可能會撞穿晶片。
另外，盡管上述參數(shù)和與Lam Research Rainbow 4520XL加工處理室相容的一種半導體晶片舉升設(shè)備有關(guān)，但是可以修改參數(shù)以用于其它的處理室和晶片座，并可用于不同大小和形狀的晶片，如在半導體設(shè)備和平板顯示器生產(chǎn)中使用的晶片。
雖然根據(jù)幾個優(yōu)選實施例對本發(fā)明進行描述，但是允許在本發(fā)明范圍內(nèi)的更改和變化。值得注意的是，許多不同的方法實施本發(fā)明的方法和裝置。因此，應當按照包括在本發(fā)明宗旨和范圍內(nèi)的所有變化和更改來解釋以下所附權(quán)利要求。
權(quán)利要求
1.在晶片加工處理室中，一種用于在加工完成時控制晶片舉升離開帶靜電的晶片座的晶片舉升機構(gòu)，所述晶片舉升機構(gòu)包括定位于帶靜電的晶片座之下的柱狀舉升軛，所述柱狀舉升軛擁有一組與之相連接的柱狀結(jié)構(gòu)，所述組柱狀結(jié)構(gòu)被配置成橫穿過帶靜電的晶片座，并和所述晶片的底面接觸；和所述柱狀舉升軛相連接的連桿，所述連桿是可移動的，以便使所述柱狀舉升軛和所述組柱狀結(jié)構(gòu)得以在帶靜電的晶片座中移動，并和所述晶片的底面相接觸，一旦和所述晶片的底面接觸，所述組柱狀結(jié)構(gòu)就能舉升所述晶片離開所述帶靜電的晶片座；用于移動所述連桿的馬達；和作用力反饋系統(tǒng)，用于在舉升過程中限制所述組柱狀結(jié)構(gòu)向所述晶片的底面施加作用力。
2.如權(quán)利要求1中所述的晶片舉升機構(gòu)，其中所述作用力反饋系統(tǒng)進一步包含應變測量器，用于測定所述組柱狀結(jié)構(gòu)向所述晶片的底面施加的作用力；數(shù)字信號處理器，用于接收和所述施加的作用力有關(guān)的數(shù)據(jù)；馬達控制器，用于控制所述馬達；和編碼器。
3.如權(quán)利要求2中所述的晶片舉升機構(gòu)，其中所述編碼器被配置成用來將連桿位置數(shù)據(jù)傳送到所述馬達控制器和所述數(shù)字信號處理器，使得所述數(shù)字信號處理器可以指示所述馬達延遲移動所述連桿，直到所述施加的作用力回落到門限級以下。
4.如權(quán)利要求1中所述的晶片舉升機構(gòu)，還包括放電開關(guān)，所述放電開關(guān)被耦合在所述柱狀舉升軛和大地之間。
5.如權(quán)利要求4中所述的晶片舉升機構(gòu)，其中所述開關(guān)被配置成關(guān)閉并提供從所述柱狀舉升軛到大地之間的直接路徑，以便加速帶靜電的晶片座的放電。
6.如權(quán)利要求4中所述的晶片舉升機構(gòu)，進一步包含電阻，所述電阻被耦合在所述開關(guān)和大地之間。
7.如權(quán)利要求1中所述的晶片舉升機構(gòu)，其中所述電阻是可變電阻。
8.如權(quán)利要求1中所述的晶片舉升機構(gòu)，其中所述連桿是由所述馬達控制的導向螺桿。
9.一種用于在完成加工時控制將基底舉升離開帶靜電的晶片座的基底舉升機構(gòu)，所述基底舉升機構(gòu)包括具有與一組柱狀結(jié)構(gòu)相連接的柱狀舉升軛，所述組柱狀結(jié)構(gòu)被配置成接觸所述基底的底面；與所述柱狀舉升軛相連接的導向螺桿；用于移動所述導向螺桿的馬達；以及作用力反饋系統(tǒng)，所述作用力反饋系統(tǒng)包括用于確定對所述組柱狀結(jié)構(gòu)的阻力的應變測量器；用于接收有關(guān)所述阻力的數(shù)據(jù)的數(shù)字信號處理器；用于控制所述馬達的馬達控制器；以及編碼器，所述編碼器被配置成用于將導向螺桿位置數(shù)據(jù)傳送到所述馬達控制器和數(shù)字信號處理器。
10.如權(quán)利要求9所述的基底舉升機構(gòu)，其中所述數(shù)字信號處理器延遲馬達移動導向螺桿，直到所述阻力落在所述基底的門限級以下為止。
11.如權(quán)利要求9所述的基底舉升機構(gòu)，還包括放電開關(guān)，所述放電開關(guān)被耦合在所述柱狀舉升軛和大地之間。
12.如權(quán)利要求11所述的基底舉升機構(gòu)，其中所述放電開關(guān)被配置成關(guān)閉并提供從所述柱狀舉升軛到大地之間的直接路徑，以加速帶靜電的晶片座的放電。
13.如權(quán)利要求11所述的基底舉升機構(gòu)，還包括電阻，所述電阻被耦合在所述開關(guān)和大地之間。
14.如權(quán)利要求11所述的基底舉升機構(gòu)，其中所述電阻是可變電阻。
15.一種用于在加工過程完成時將晶片舉升離開帶靜電的晶片座的方法，所述方法包含經(jīng)過帶靜電的晶片座將一組柱狀結(jié)構(gòu)舉向所述晶片的底面；實現(xiàn)所述組柱狀結(jié)構(gòu)和所述晶片的底面之間的接觸；將舉升力施加到所述晶片的底面；監(jiān)控所述舉升力；和當所述監(jiān)控表明已經(jīng)到達門限級時，停止所述舉升力。
16.如權(quán)利要求15中所述的舉升晶片的方法，進一步包含繼續(xù)向所述晶片的底面施加所述舉升力；和當所述晶片被舉升一舉升高度時，終止所述舉升力。
17.如權(quán)利要求15中所述的舉升晶片的方法，其中所述監(jiān)控包括處理一應變值。
18.如權(quán)利要求17中所述的舉升晶片的方法，其中所述應變值被用于確定是否到達門限值。
19.如權(quán)利要求18中所述的舉升晶片的方法，其中所述門限值是要施加在所述晶片背面的舉升力的最大值的信號。
20.如權(quán)利要求15中所述的舉升晶片的方法，還包括增強所述晶片到大地的放電。
全文摘要
提供了一種在晶片加工過程完成后用來將晶片舉升離開帶靜電的晶片座的裝置和方法。在一個特例中，定義了一種在加工完成時，用以控制將晶片舉升離開帶靜電的晶片座的晶片舉升機構(gòu)。所述晶片舉升機構(gòu)包括定位于帶靜電的晶片座之下的柱狀舉升軛。所述柱狀舉升軛擁有一組與之連接的柱狀結(jié)構(gòu)，所述組柱狀結(jié)構(gòu)被配置成橫穿過帶靜電的晶片座，并與所述晶片的底面接觸。也提供了一個和所述柱狀舉升軛相連接的連桿。所述連桿是可移動的，因此使所述柱狀舉升軛和所述組柱狀結(jié)構(gòu)得以在帶靜電的晶片座中移動，并和所述晶片的底面接觸，一旦和所述晶片的底面接觸，所述組柱狀結(jié)構(gòu)就能將所述晶片舉升離開晶片座。另外還包括用來移動所述連桿的馬達，和用來在舉升過程中限制所述組柱狀結(jié)構(gòu)向所述晶片的底面施加作用力的作用力反饋系統(tǒng)。在一個例子中，當應變級增加到可能會引起晶片損壞的級別時，中止施加作用力，就象在那些晶片因為靜電引力而強有力地依附在晶片座的例子中那樣。
文檔編號H01L21/683GK1513200SQ02811098
公開日2004年7月14日 申請日期2002年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月30日
發(fā)明者T·W·安德森, G·S·塞克斯頓, T W 安德森, 塞克斯頓 申請人:蘭姆研究有限公司