專利名稱：大量生產(chǎn)多個磁傳感器的方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及的是大量生產(chǎn)多個磁傳感器的方法。具體講它適合于，然而卻不只是適合于，專利申請EP 1 052 519中所述類型的磁傳感器，這個專利是以本申請人的名義申請的。
在本專利申請所附的

圖1中，用透視分解法表示了一種上述類型的磁傳感器。這種磁傳感器總體上由總體標號1表示，它裝在大致為平行六面體形的半導體基體4的表面2上。與此磁傳感器相關(guān)聯(lián)的電子線路(未畫出)通過CMOS集成在半導體基體4的大的上表面2上而實施。
磁傳感器1包含有一個平的激勵線圈6，這個激勵線圈是在CMOS集成過程中，在基體4的表面2上添加的金屬層中生成的。線圈6具有一個由其基本是四方形的外圈60構(gòu)成的外周邊。這個激勵線圈6的其他圈62到68相對于外圈60是同心安置的。圈62到68也是四方形，它們的尺寸逐漸減少，正如在圖1中可以看到的。
一般是通過粘結(jié)把鐵磁芯8添加在激勵線圈6上面。這個鐵磁芯8是由目前市場上可得到的無定形磁性材料條帶制作的。
正如在圖1中可以看到的，磁芯8為十字形狀，它與由激勵線圈6的外圈60所構(gòu)成的四方形的兩條對角線相重合。因而可以測量外部磁場HEXT的兩個垂直分量H1和H2，這兩個分量分別沿著磁芯8的正交分支80和82取向。外部磁場HEXT的分量H1因而是通過磁芯8的分支80來測量的，而分量H2則是通過其垂直分支82來測量的。
外部磁場HEXT的探測是借助于兩對共面探測線圈10，12和14，16而實現(xiàn)的。這兩個第一線圈10和12是由CMOS技術(shù)添加在半導體基體4的上表面2上，它們是按照差動布置串聯(lián)安裝的。這兩個線圈10和12安置在平激勵線圈6下面，或是安置在與此線圈同一個平面中，每一個線圈都定位在鐵磁芯8的分支80的一個自由端的對面。因而第一對線圈10，12的作用是探測外部磁場HEXT的分量H1。
另外兩個探測線圈14和16與上面所述兩個線圈10和12是同樣的。這兩個探測線圈14，16也是按照差動布置而串聯(lián)安裝的，它們每一個都安置在鐵磁芯8的第二分支82的一個自由端的對面。因此第二對線圈14，16的作用是探測外部磁場HEXT的分量H2。
上述類型的磁傳感器特別用來裝備磁場計，用于在與探測線圈平面平行的平面中探測非常小的弱磁場，這例如用在醫(yī)學上。這些磁場計因而最好是按照CMOS集成技術(shù)來制作，其相關(guān)聯(lián)的電子線路被集成在基體中，而傳感器就制作在此基體上。
生產(chǎn)這樣一些用來探測和測量磁場的裝置帶來了一個重要問題，就申請者所知，這個問題到現(xiàn)在還沒有滿意地解決。事實上與磁傳感器相關(guān)聯(lián)的電子線路是用CMOS技術(shù)制作的，這種技術(shù)包含有一套設計和生產(chǎn)電子元件的步驟，而這些步驟現(xiàn)在已經(jīng)非常好地掌握了，能批量地制作可靠便宜的裝置。
相反，對于與上述電子線路相關(guān)的磁傳感器的制作來說，情況就不同了。和上面描述的一樣，這些磁傳感器特別是包含有無定形鐵磁芯。然而沒有任何一種生產(chǎn)半導體裝置的現(xiàn)時可行技術(shù)能制作無定形結(jié)構(gòu)的元件。在這些技術(shù)中，特別可以提到的是汽相沉積，它以其英語的命名“ chemical vapour deposition”(CVD)為人所知。它是在真空中使加熱升華的金屬汽化，以便通過由適當氣體產(chǎn)生的化學反應而生成一層，例如，氧化物或氮化物。另一種技術(shù)稱作電沉積或電鍍法，它是通過電解作用在部件上生成一層金屬層，這種技術(shù)適合于溶液的或熔化的化合物，而這些化合物則是能分解成兩類離子，這兩類離子保證因其位移而有電流通過，正離子指向陰極，負離子指向陽極。
因此，生產(chǎn)CMOS集成電路的技術(shù)只能生產(chǎn)具有有序晶體結(jié)構(gòu)的元件，不能為制作無定形的，也就是說，沒有晶體點陣的結(jié)構(gòu)體提出代替的解決方案。然而，我們知道某些技術(shù)，能在基體表面上沉積一層無定形材料。但是這些技術(shù)只能沉積具有由單一組分構(gòu)成的簡單化學組成的材料。對于比較復雜的產(chǎn)物而言，例如，包含有多個組分的磁性材料，就沒能提出任何解決方案。
于是本申請人研究的用來制作磁傳感器，例如上面提到專利申請EP 1 052 519中所述的傳感器，的技術(shù)是首先是在半導體薄片上制作一套電子線路，然后，鋸切此半導體薄片，給出許多單個的電子線路，最后，把無定形磁性材料條帶粘結(jié)在這些單個線路上，這些條帶在光刻和化學侵蝕以后，生成鐵磁芯。
容易理解，這樣的技術(shù)，盡管在試驗階段可以使用，但絕不能用在工業(yè)規(guī)模上，在工業(yè)規(guī)模上，必須能快速低價地生產(chǎn)非常大量的元件。
本發(fā)明的目的是克服上面提到的缺點以及其它缺點，提出一種便宜可靠地成批生產(chǎn)磁傳感器的方法，傳感器對外磁場敏感的區(qū)域是由無定形磁性材料制作的。
為此，本發(fā)明涉及的是一種在半導體基體上大量生產(chǎn)多個磁傳感器的方法，這些傳感器包含有至少一個由無定形磁性材料制作的磁芯。這個方法的特征在于在集成了與此磁傳感器相關(guān)聯(lián)的電子線路以后，把無定形磁性材料薄膜粘結(jié)在半導體基體上，這層薄膜是由無定形磁性材料的條帶得到的，它被切割成許多部段，這些部段相互靠著安置在一個支承板上，然后使該薄膜具有一定的結(jié)構(gòu)，生成該磁傳感器的磁芯，最后對此半導體基體進行切割，給出多個獨立的磁傳感器。
由于這些特性，本發(fā)明得到了一個方法，這個方法能在半導體材料制成的薄片上實現(xiàn)生產(chǎn)帶無定形磁芯的磁傳感器的所有操作，在這塊薄片中則集成了要與該磁傳感器相關(guān)聯(lián)的電子線路。由于有了本發(fā)明，尤其是可能批量生產(chǎn)由無定形磁性材料制作的磁芯，并可能只是在磁傳感器完全完工后才對半導體材料薄片進行鋸切。因此這樣的一個方法能極度可靠地便宜地同時生產(chǎn)大量的磁傳感器，典型的情況是每塊6英寸的半導體薄片大約有3000個傳感器或更多。尤其是發(fā)現(xiàn)，磁芯和線圈之間可能的不對準性不超過幾個微米，而且磁傳感器的特性在同一塊薄片上，甚至在一批薄片上，有大的均勻性。這些特別有利的結(jié)果是由于這樣一個事實而得到的按照本發(fā)明，用多個無定形磁性材料條帶生成一層薄膜，這些條帶例如是市場上可以得到的條帶，它們并排安置在支承板上，接下來把此薄膜粘結(jié)到半導體材料薄片上，然后使它具有一定結(jié)構(gòu)，以便生成磁芯，最后鋸切此薄片，給出許多單個的待使用的傳感器。這樣的技術(shù)當然比現(xiàn)有技術(shù)更有利，現(xiàn)有技術(shù)是在集成了電子線路以后，對半導體材料薄片進行切割，然后在這些單個的電子線路上，一個一個地使這些磁芯具有一定結(jié)構(gòu)。
按照本發(fā)明的另一個特點，無定形磁性材料薄膜是在真空中粘結(jié)到半導基體上的。因此就保證了此薄膜將以相當大的力緊貼在半導體基體上，這有助于把薄膜粘貼在基體上，能防止氣泡被捕獲在金屬層下面。
按照本發(fā)明的再一個特點，無定形磁性材料薄膜是用目前在生產(chǎn)半導體元件的領域內(nèi)所用的蝕刻技術(shù)結(jié)構(gòu)化的。因此可靠地實現(xiàn)了能低價生產(chǎn)磁芯并保證磁芯特性有很好重復性的技術(shù)。
下面對實現(xiàn)本發(fā)明方法的一個例子進行了詳細描述，由這描述中可以看出本發(fā)明的其他特點和優(yōu)點，這個例子純粹是以解說性和非限定性的方式給出的，它帶有附圖，其中-圖1已經(jīng)引用過，它是磁傳感器的透視分解圖，這個傳感器包含有一個由無定形磁性材料制作的磁芯；-圖2是一個表示無定形金屬條帶的視圖，這些條帶切割后粘結(jié)在單面粘性的基體上；-圖3是粘性掩膜的一個視圖，它用來對圖1所示金屬條帶進行化學侵蝕，以便使這些條帶具有半導體薄片的形狀，這些條帶后來就粘結(jié)在這塊半導體薄片上；-圖4是圖2中粘性掩膜粘結(jié)在無定形磁性材料條帶上的一個視圖；-圖5是一個表示無定形金屬條帶侵蝕以后的視圖；-圖6是一塊半導體薄片的視圖，它放置在一個建立了真空的袋子中，無定形金屬條帶就粘結(jié)在此半導體薄片上；以及-圖7A到7G是一些原理圖，它們圖解說明了實現(xiàn)本發(fā)明方法的各個步驟。
本發(fā)明是來自于一個創(chuàng)新性的總體設想，這個設想是用多個并排安置在一個支承板上的無定形磁性材料條帶來組成無定形磁性材料薄膜，并把這樣得到的薄膜粘結(jié)在半導體薄片上，在這塊薄片中先前已經(jīng)集成了與待生產(chǎn)的磁傳感器相關(guān)聯(lián)的電子線路。在這個粘結(jié)步驟以后，通過蝕刻法使此無定形磁性材料薄膜具有一定結(jié)構(gòu)，以便生成磁芯，此磁芯組成了磁傳感器對外磁場敏感的部分。由于有這些特性，就解決了目前通用于生產(chǎn)半導體器件而不能制作無定形層的技術(shù)所帶來的問題，使批量生產(chǎn)帶無定形磁芯的磁傳感器成為可能。
將結(jié)合專利申請EP 1 052 519所講的磁傳感器來對本發(fā)明進行描述，這個專利是以本申請人的名義申請的。然而不言而喻，本發(fā)明絕不局限于這樣一種類型的傳感器，它同樣適合于包含一個或多個磁芯的所有類型的磁傳感器，而且其形狀和尺寸可以變化。
現(xiàn)在來對這樣一個方法的各個步驟進行描述，這個方法能把用無定形磁性材料制作的鐵磁芯添加在由半導體材料，例如硅，制作的薄片的表面上。此硅薄片，英語也稱為“wafer”，其典型直徑為6英寸，其表面上有標準CMOS型的集成電路。我們特別是對這樣一些步驟感興趣這些步驟必須得以實現(xiàn)，以便把由鑄造廠交付的整塊硅薄片變成準備好向印刷電路板上安裝的集成電路，這些集成電路英語也稱為“chips”。
現(xiàn)在市場上可以得到要使用的無定形磁性材料，形狀為條帶，幾米長，一英寸寬，18μm厚。第一個步驟是通過研磨使這些條帶變薄，把其厚度從18μm減少到11μm，這也能改善其表面狀況，減少其粗糙度。
然后使這樣得到的條帶經(jīng)受輕微的化學侵蝕，在條帶的每一面都溶解大約一微米的金屬，其作用是除去初始的研磨步驟在條帶表面上產(chǎn)生的機械應力。
在這個準備條帶的初始步驟以后，這些條帶之一被切割成幾個小段18，這些小段將被并排粘結(jié)在單面粘性的支承板20(見圖2)上，以生成一個表面，這個表面至少覆蓋了半導體基體4的要粘結(jié)這些無定形磁性材料條帶小段18的表面。
為了用上面提到的全部條帶18得到形狀與半導體基體4的形狀相一致的無定形磁性材料薄膜22，把粘性掩膜24粘結(jié)在薄膜22(見圖3)上，透過這個掩膜24進行化學侵蝕。只有無定形磁性材料薄膜22的不受掩膜24保護的區(qū)域才被蝕刻掉(見圖4和5)。這個步驟同時也能在薄膜22中產(chǎn)生一些間隙區(qū)域26，這些間隙區(qū)域后來能在光刻步驟時使存在于半導體基體4上的對準標記被看見。
在化學侵蝕以后，取下粘性基體20，在沒有保護的一側(cè)面上對條帶18進行清洗和干燥。粘性掩膜24保持在原位上，以便用來在粘結(jié)步驟時通過限制粘結(jié)劑向薄膜22的表面上可能的滲透而進行保護。為了能容易地取下粘性基體20而沒有撕破無定形磁性材料條帶18的危險，基體20必須比粘性掩膜24具有較小的粘結(jié)力。
在描述的這個步驟，應著重注意，用同樣材料條帶小段18的重疊來制作的稱之為無定形磁性材料“薄膜”22只是受技術(shù)指標的支配。事實上，在目前市場上，沒有寬度至少等于標準硅基體直徑的無定形磁性條帶。因此人們必須依靠上面描述的技術(shù)。當然，如果在市場上可以得到較寬條帶的話，就將優(yōu)先使用它們，這是因為它們將能避免把一些較窄條帶小段粘結(jié)在粘性支承板上的步驟。
在無定形磁性材料條帶18被粘結(jié)在半導體薄片4上之前，先用例如丙酮，然后是用異丙醇來清洗半導體薄片，再用軟化水漂洗兩次，最后在無塵室中干燥。接下來把薄片14放置在一個烘箱中，使剩余的水分蒸發(fā)，這將改善粘結(jié)劑的黏著力。
先制備用來把無定形磁性材料薄膜22粘結(jié)在半導體薄片4上的粘結(jié)劑28，然后除去氣體。這可能涉及的是環(huán)氧樹脂型粘結(jié)劑，如果需要的話，可以向里面加入粘性促進劑，例如二氧化硅微粒。
在半導體薄片4的中心放置上適量的粘結(jié)劑28，然后把半導體薄片放置在旋轉(zhuǎn)平臺上。接下來使半導體薄片4高速旋轉(zhuǎn)一個特定的時間，例如以4000rpm旋轉(zhuǎn)40秒，使得粘結(jié)劑28在該半導體薄片4的整個表面上因離心作用而分布均勻。
在鋪設這層粘結(jié)劑28以后，通過壓力輥或軋機，使由粘性掩膜24所支承的無定形磁性材料條帶18的整體相對于半導體薄片4定位，然后鋪設在半導體薄片的大的上表面2上，這能避免氣泡被捕獲在金屬層下面。
此外，為了避免粘結(jié)劑的穿透，可以在粘性掩膜24上鋪設輔助保護薄膜，例如注冊為Mylar的薄膜。
把已經(jīng)鋪設了無定形磁性材料條帶18的半導體薄片4放在真空袋30(見圖6)中，其中這些條帶18由可以覆蓋上述保護薄膜的粘性掩膜24保持在一起。在真空袋30中建立了真空以后，密封此真空袋，然后轉(zhuǎn)成環(huán)境氣壓。此氣壓施加一個力，這個力使無定形磁性材料薄膜22緊貼在半導體薄片4上。為了避免施加真空時，條帶18開膠，也可以在裝入袋子前，在保護薄膜上面放置保持平板。
上述粘結(jié)劑的聚合反應在一個60℃的烘箱中進行至少48小時。
當粘結(jié)完成時，把半導體薄片4從加真空的袋子30中取出來。取下粘性掩膜24，然后對薄片4進行清洗和干燥。
結(jié)合圖7A到7G，現(xiàn)在我們感興趣的是光刻步驟，這個步驟能使無定形金屬薄膜22具有一定的結(jié)構(gòu)，以便生成磁傳感器的磁芯。
首先開始在無定形金屬22(圖7A)的薄膜的整個表面上沉積一層正性光敏樹脂32。然后通過紫外光透過光蝕掩膜34的透明區(qū)域而使這層光敏樹脂進行感光，而此掩膜相對于半導體薄片4是適當對準的，此感光作用復制待感光的區(qū)域。然后使光敏樹脂層32顯影，最后此樹脂層僅僅占據(jù)在半導體薄片4(圖7B)上磁芯8應該處在的位置。顯微鏡檢查能確信光敏樹脂32的顯影是適當完成的。
按照本發(fā)明的方法，接下來的步驟是對金屬薄膜22進行蝕刻。為此目的，在半導體薄片4的整個表面上噴上化學蝕刻溶液，以便在任何沒有被正性光敏樹脂層32保護的地方對無定形金屬進行侵蝕(圖7C)。在這個步驟中，使半導體薄片4在傳送帶上運動到一個工作室中，在這里射流把化學侵蝕溶液噴灑在半導體薄片4的兩個面上，這能讓此侵蝕溶液不斷更新，保證快速均勻地侵蝕作用。
侵蝕作用進行1分30秒到2分鐘。以去離子水對半導體薄片4的漂洗作為結(jié)束。然后除去剩余的光敏樹脂層32(圖7D)?？梢詫@樣得到的鐵磁芯8進行電子顯微鏡觀察，以便驗證其尺寸以及其表面狀態(tài)。
現(xiàn)在我們感興趣的是除去粘結(jié)劑28的殘余層的步驟，這將結(jié)合圖7E進行描述。
事實上，覆蓋整個半導體薄片4的膠合層28已經(jīng)阻止了上述化學侵蝕作用。因此必須除去這個粘結(jié)劑層28，以便露出傳感器1的電連接區(qū)域。為此目的，使半導體薄片4經(jīng)受一次等離子體侵蝕，在這種侵蝕中侵蝕劑是氧。處理至少持續(xù)240分鐘。等離子體侵蝕后所進行的測試表明，連接區(qū)的表面狀態(tài)是這樣的使得可以使用通常的把這些連接區(qū)與印刷電路相連接的技術(shù)，而磁傳感器1就是要固定在此印刷電路上。
最后，在磁芯8上沉積負性光敏樹脂的厚層36，以便在下面的操作(圖7F)期間，使磁芯不受損壞，甚至不被揭下來。然而光敏樹脂層36必須不覆蓋磁傳感器1的連接區(qū)域，以便后來使磁傳感器能連接到其上將要安裝磁傳感器1的印刷電路上。
將會理解，在沉積負性樹脂層36之前，必須把粘結(jié)劑28的殘余層除去，因為不這樣做，樹脂層36在基體上將不會很好地貼緊。
通過離心作用把負性光敏樹脂36分布在半導體薄片4上，然后透過第二光蝕掩膜38而曝光，最后顯影(圖7G)。用這種方式，可以在每個磁芯8上面沉積約幾十個微米厚的負性樹脂層36，以便有效地保護這些磁芯8。
最后，對半導體薄片進行鋸切，以便給出許多單個的磁傳感器1，然后把它們儲存到抗靜電的盒子中。
在鋸切半導體薄片4期間，在處理這些單個磁傳感器期間，尤其是在它最后向線路上組裝期間，由樹脂層36所賦予的保護作用尤其是有用的。
不言而喻，本發(fā)明不局限于剛才所描述過的實施例，在不偏離本發(fā)明范圍的情況下，可以設想各種簡單的改進和變種。
權(quán)利要求
1.在半導體基體(4)上大量生產(chǎn)多個磁傳感器(1)的方法，這些傳感器(1)包含有至少一個由無定形磁性材料制作的磁芯(8)，這個方法的特征在于在集成了與此磁傳感器(1)相關(guān)聯(lián)的電子線路以后，把無定形磁性材料薄膜(22)粘結(jié)在半導體基體(4)上，這層薄膜(22)是由無定形磁性材料的條帶得到的，它被切割成許多部段(18)，這些部段相互靠著安置在一個支承板(20)上，然后使該薄膜具有一定的結(jié)構(gòu)，以便生成該磁傳感器(1)的磁芯(8)，最后對此半導體基體(4)進行切割，以便給出多個獨立的磁傳感器(1)。
2.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于支承板(20)是由單面膠帶構(gòu)成的。
3.按照權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于在粘結(jié)以前，使無定形磁性材料薄膜22具有半導體基體(4)的尺寸，該薄膜(22)用來粘結(jié)在該半導體基體(4)上。
4.按照權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于為了使無定形磁性材料薄膜(22)具有與半導體基體(4)相應的尺寸，透過一個適當形狀的掩膜(24)進行化學侵蝕，使得只有薄膜(22)的不受掩膜(24)保護的那些區(qū)域才被蝕刻。
5.按照權(quán)利要求1到4中的任一項所述的方法，其特征在于把無定形磁性材料薄膜(22)在真空中粘結(jié)到半導體基體(4)上。
6.按照權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于使無定形磁性材料薄膜(22)相對于半導體基體(4)定位，然后把它放在半導體基體的表面(2)上，接著，整個放進袋子(30)中，在袋子中做成真空，再把袋子密封，最后恢復環(huán)境大氣壓，環(huán)境大氣壓施加一個力，這個力把無定形磁性材料薄膜(22)緊貼在半導體基體(4)上。
7.按照權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于在裝入袋子之前，在無定形磁性材料薄膜(22)上面安置一層保護膜，以避免粘結(jié)劑(28)重新粘結(jié)。
8.按照權(quán)利要求1到7中任一項所述的方法，其特征在于在粘結(jié)以后，在無定形磁性材料薄膜(22)上沉積一層正性光敏樹脂(32)，然后透過光蝕掩膜(34)對這層樹脂曬印，接著使光敏樹脂(32)顯影，最后樹脂僅僅占據(jù)在半導體基體(4)上磁芯(8)應該處在的位置。
9.按照權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于把化學蝕刻溶液噴灑在半導體基體(4)的整個表面上，以便除去任何沒有被光敏樹脂層(32)保護的地方的無定形磁性材料(22)。
10.按照權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于在蝕刻以后，在半導體基體(4)上沉積一層負性光敏樹脂(36)，然后透過光蝕掩膜(38)對此樹脂曬印，接著使光敏樹脂(36)顯影，使樹脂只在它所保護的磁芯(8)的上面存在。
11.按照權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于用等離子體侵蝕法除去仍舊覆蓋半導體基體(4)的整個表面(2)的粘結(jié)劑(28)。
12.按照權(quán)利要求1到11中任一項所述的方法，其特征在于在粘結(jié)劑準備好以后，對用來把無定形磁性材料薄膜(22)粘結(jié)到半導體基體(4)上的粘結(jié)劑(28)進行除氣，然后通過離心力而使粘合劑(28)分布在該半導體基體(4)上。
13.按照權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于粘結(jié)劑(28)是環(huán)氧樹脂類型的粘結(jié)劑，可以向其中加入粘性促進劑。
14.按照權(quán)利要求1到13中的任一項所述的方法，其特征在于在粘結(jié)無定形磁性材料薄膜(22)之前，首先對半導體基體(4)進行清洗，然后把它放入一個烘箱中，蒸發(fā)掉殘余的濕氣，以改善粘性。
15.按照權(quán)利要求1到14中的任一項所述的方法，其特征在于通過研磨使半導體材料條帶變薄，然后使它經(jīng)受化學侵蝕，以便在此條帶的每一側(cè)面溶解少量金屬，來除去由研磨而在表面上產(chǎn)生的機械應力。
16.按照權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于把用于進行侵蝕的掩膜(24)粘結(jié)在該薄膜(22)的自由面上，而此化學侵蝕則使無定形磁性材料薄膜(22)具有半導體基體(4)的尺寸。
17.按照權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于在化學侵蝕以后，取下粘性支承板(20)，在沒有被保護的一個側(cè)面對條帶(18)進行清洗和干燥，用作掩膜的粘合劑(24)仍留在原位，用于隨后在把無定形磁性材料薄膜(22)粘結(jié)到半導體基體(4)上時起保護作用。
全文摘要
大量生產(chǎn)在半導體基體(4)上實施的多個磁傳感器(1)的方法，這些傳感器(1)包含有至少一個由無定形磁性材料制作的磁芯(8)。這個方法的特征在于在集成了與此磁傳感器(1)相關(guān)聯(lián)的電子線路以后，把無定形磁性材料薄膜(22)粘結(jié)在半導體基體(4)上，這層薄膜(22)是由無定形磁性材料的條帶得到的，它被切割成許多部段(18)，這些部段相互靠著安置在一個支承板(20)上，然后使該薄膜具有一定的結(jié)構(gòu)，生成該磁傳感器(1)的磁芯(8)，最后對此半導體基體(4)進行切割，給出多個獨立的磁傳感器(1)。
文檔編號H01L43/08GK1541424SQ02815778
公開日2004年10月27日 申請日期2002年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月12日
發(fā)明者D·皮蓋, F·文森特, D 皮蓋 申請人:阿蘇拉布股份有限公司