專(zhuān)利名稱(chēng)：與半導(dǎo)體裝置之射極接點(diǎn)形成接觸點(diǎn)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一半導(dǎo)體裝置根據(jù)權(quán)利要求第1項(xiàng)以及第10項(xiàng)且關(guān)于一種方法根據(jù)權(quán)利要求第5項(xiàng)以及第12項(xiàng)用以制造一半導(dǎo)體裝置。


圖16顯示一傳統(tǒng)半導(dǎo)體裝置，其將被用以證明先前技藝的問(wèn)題以其本發(fā)明系被影響。半導(dǎo)體裝置包含一(垂直的)雙極晶體管10，其，在一已知的方式中，具有一基極接觸點(diǎn)12，一射極接觸點(diǎn)14以及一集極接觸點(diǎn)16。雙極晶體管10可能為一npn晶體管或者一pnp晶體管，舉例來(lái)說(shuō)，其形成半導(dǎo)體裝置之一無(wú)線(xiàn)頻率電路的部分。此外，一CMOS電路，在最簡(jiǎn)單的例子中包含有一MOS晶體管20具有一源極接觸點(diǎn)22，一閘極接觸點(diǎn)24以及一汲極接觸點(diǎn)26，可能被提供于相同的基板8之上(例如一硅晶圓)。
此類(lèi)型雙極CMOS電路之一特征樣式系為射極接觸點(diǎn)(如已知的射極堆棧)14系被設(shè)計(jì)以明顯地”較高”于全部的其它接觸點(diǎn)在基板8之加工表面8’之上。射極接觸點(diǎn)14之接觸表面，遠(yuǎn)離基板8之加工表面8’，系自加工表面8’比其它接觸點(diǎn)12，16，22，24以及26之接觸表面在一較大的距離。射極接觸點(diǎn)14之此相對(duì)大的高度起因于把必要的程序需求強(qiáng)加于一最佳化的雙極晶體管。
經(jīng)由舉例，一雙極晶體管之射極接觸點(diǎn)14全部的高度符合Infineon B9C程序在加工表面8’之上系典型地為550奈米。相較之下，經(jīng)由舉例，配置在相同基板8之一MOS晶體管20之多硅閘極接觸點(diǎn)24之高度系典型地為280奈米。
比較其它接觸點(diǎn)，射極接觸點(diǎn)14之接觸表面這些非常不同的高度導(dǎo)致嚴(yán)重的處理技術(shù)問(wèn)題關(guān)于這些接觸點(diǎn)經(jīng)由接觸洞32到一第一圖樣化金屬平面34(如已知金屬-1平面)，且這些問(wèn)題系被描述于下。
半導(dǎo)體裝置(即雙極以及CMOS晶體管)之全部活化的組件，在FEOL(front end of line)程序結(jié)束之后，系典型地被以一介電層30覆蓋，例如BPSG(硼磷硅酸玻璃)到一總高度趨近于1400奈米。圖1顯示一半導(dǎo)體裝置跟隨沉積這個(gè)絕緣層層30的步驟(BPSG層)。在此程序階段，根據(jù)本發(fā)明之半導(dǎo)體裝置系尚未與先前技藝不同。
接著，絕緣層30系被磨光直到其為平面而具有一特定目標(biāo)厚度藉由一化學(xué)機(jī)械平面化步驟(CMP BPSG步驟)。在此磨光步驟結(jié)束之后所獲得之半導(dǎo)體裝置系概略地描述于圖2。
高射極接觸點(diǎn)14表示平面的磨光步驟(CMP BPSG步驟)系極不可缺少的。反之在Infineon C9N程序中，其系一CMOS邏輯程序?qū)儆诘诰糯褂?.25微米技術(shù)，此平面磨光步驟系不為一處理技術(shù)需求由于閘極接觸點(diǎn)24之相關(guān)地低高度(趨近280毫米高于基板表面)，轉(zhuǎn)移程序規(guī)格用于C9N CMP BPSG步驟直接地導(dǎo)致明顯的產(chǎn)率損失。
例如，根據(jù)C9N程序，絕緣層30(BPSG層)在CMP BPSG磨光步驟中系被磨光回到一總高度為700奈米±150奈米。因此，造成一平均值在整個(gè)晶圓表面，有一最小值的BPSG層厚度為550奈米在基板表面之上，且因此一具有高度為至少剩余270奈米的BPSG層30在閘極接觸點(diǎn)24上。依賴(lài)位置占領(lǐng)密度之有效組件可能造成BPSG層厚度區(qū)域性地掉落到典型值550奈米之下。因此，用于一純邏輯基礎(chǔ)程序而達(dá)成之絕緣層30之層高度根據(jù)C9N系不為必要的，導(dǎo)致一相對(duì)寬的CMPBPSG步驟的程序窗。
然而，如果一雙極晶體管10系被提供作為半導(dǎo)體裝置中之有效組件(如果仍為適當(dāng)?shù)某艘籆MOS晶體管20)，程序技術(shù)狀況系有點(diǎn)不同。特別地，如果磨光絕緣層30的步驟規(guī)格(CMP BPSG)系直接從CMOS邏輯程序(InfineonC9N程序BPSG層高度700奈米±150奈米)被轉(zhuǎn)移到雙極CMOS程序(Infineon B9C程序)，最不利的局面，給予一射極接觸高度于基板8上為550奈米，可能導(dǎo)致一BPSG絕緣層30具有一高度僅一少量奈米值。此非常薄的絕緣層30在射極接觸點(diǎn)14之上系不適合于隨后一接觸洞32之圖樣化。因此，以B9C處理技術(shù)之平面化步驟(CMP BPSG)之程序窗系大大地縮減。
再者，可能未來(lái)的雙極晶體管世代，其包含特別是硅鍺異雙極晶體管，將具有與其它接觸點(diǎn)(例如閘極接觸多疊)相比均勻的較高射極接觸點(diǎn)(射極堆棧)，其將仍然更進(jìn)一步地加強(qiáng)此問(wèn)題。
與相對(duì)高的射極接觸點(diǎn)14連結(jié)的傳統(tǒng)半導(dǎo)體裝置之一更深遠(yuǎn)的問(wèn)題系基于在接觸洞32(CT)圖樣化的步驟上高處理工程需求，經(jīng)由接觸點(diǎn)12，14，16，22，24以及26系在每一例子中以一標(biāo)準(zhǔn)方式被連接到第一圖樣化金屬平面34。例如，接觸洞32之蝕刻步驟(CT蝕刻步驟)，其系典型地為一電漿蝕刻步驟，關(guān)于射極接觸點(diǎn)14(多硅接觸點(diǎn))必須為較高選擇性的，為了允許”最深的”接觸表面(即位于最接近基板8之加工表面8’的表面)被可靠地開(kāi)放且無(wú)殘留而無(wú)射極接觸點(diǎn)14被攻擊。例如，以上述C9N程序的規(guī)格，MOS晶體管20之源極接觸點(diǎn)22以及汲極接觸點(diǎn)26可能被埋入一最大值為850奈米在絕緣層30之下在磨光步驟(CMP BPSG)之后。
為了以電漿蝕刻步驟的方式使這些位于靠近基板的接觸點(diǎn)22以及26可以被開(kāi)放而無(wú)留下任何殘余物，一相對(duì)較長(zhǎng)的蝕刻時(shí)間系被需要。此長(zhǎng)蝕刻時(shí)間，關(guān)于一BPSG層厚度為700奈米±150奈米，表示，對(duì)于一最小的厚度為550奈米在一短時(shí)間期間，蝕刻位在射極接觸點(diǎn)14上面的接觸洞32的正面將已經(jīng)到達(dá)射極接觸點(diǎn)14之接觸表面。從此瞬間向前，射極接觸點(diǎn)14之接觸表面系被暴露于電漿蝕刻中。只有電漿蝕刻步驟蝕刻絕緣層30(例如BPSG)高選擇性地(經(jīng)由適當(dāng)鈍化化合物的添加到蝕刻電漿中)相關(guān)于接觸材料(例如多晶硅)，蝕刻程序用以開(kāi)放深層接觸被繼續(xù)而無(wú)射極接觸點(diǎn)14被攻擊。此程序的工程需求可能導(dǎo)致更明顯的產(chǎn)率損失。
除了程序工程困難被上述傳統(tǒng)的半導(dǎo)體裝置生產(chǎn)所限制(用于CMPBPSG以及CT蝕刻程序步驟中必須的程序窗)，在此類(lèi)型已知的半導(dǎo)體裝置中，射極接觸點(diǎn)14之接觸表面區(qū)域系不利地被接觸洞32的表面區(qū)域所限制。雙極應(yīng)用，其需要高射極收集電流強(qiáng)度，僅可被實(shí)現(xiàn)一受限制的范圍由于比射極接觸點(diǎn)14之橫切面最佳的利用較小。
與制造已知的半導(dǎo)體裝置有關(guān)的上述問(wèn)題如今已經(jīng)藉由”拓寬”規(guī)格而解決，從C9N程序衍生，對(duì)于實(shí)行于絕緣層30之磨光步驟(CMPBPSG)。而再平面化步驟之后需要一規(guī)格為700奈米±150奈米之絕緣層30層高度之C9N程序，雙極CMOS程序步驟(Infineon B9C程序)僅需要一絕緣層30層高度為750奈米±150奈米在加工表面8’之上。
如果射極接觸的高度被縮減50奈米(即500奈米)，蝕刻接觸洞32的步驟之程序窗系，如其被限制，因?yàn)楝F(xiàn)在有一較小的射極接觸點(diǎn)14之多晶硅之”保留”，其可被接觸洞蝕刻(CT蝕刻)所攻擊。此縮減接觸洞32之電漿蝕刻步驟之程序窗。
考慮到上述傳統(tǒng)半導(dǎo)體裝置的缺點(diǎn)以及它們的生產(chǎn)程序，本發(fā)明的目的系提供一半導(dǎo)體裝置以及制造一半導(dǎo)體裝置的程序，其中一接觸點(diǎn)(例如射極接觸電14)的高度可被選擇如所需而從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看不使半導(dǎo)體裝置的處理太困難。
此目的可藉由一半導(dǎo)體裝置如權(quán)利要求第1項(xiàng)以及第10項(xiàng)所述與一種用于制造一半導(dǎo)體裝置的方法如權(quán)利要求第5項(xiàng)以及第12項(xiàng)所述的方法被達(dá)成。較佳的實(shí)施例形成附屬的權(quán)利要求內(nèi)容。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，一半導(dǎo)體裝置包含-一基板，其加工表面具有一基板法線(xiàn)方向；-至少一第一接觸點(diǎn)以及一第二接觸點(diǎn)配置在基板上，第二接觸點(diǎn)之一接觸點(diǎn)表面系比第一接觸點(diǎn)之一接觸點(diǎn)表面自基板在基板法線(xiàn)方向有一較大的距離；以及-至少一第一以及一第二圖樣化金屬平面，在其每一中至少一導(dǎo)體，其可被連接到至少一接觸點(diǎn)，系被形成；第二金屬平面系比第一金屬平面自基板在基板法線(xiàn)方向有一較大的距離，第二接觸點(diǎn)系以電連接到，位于其上在基板法線(xiàn)方向上第二金屬平面之一導(dǎo)體而無(wú)第一金屬平面之一導(dǎo)體被連接在其間，以及第一接觸點(diǎn)系電連接到位于其上在基板法線(xiàn)方向上第一金屬平面之一導(dǎo)體。
如同已經(jīng)敘述于上，習(xí)慣上對(duì)于傳統(tǒng)半導(dǎo)體裝置之所有的有效組件接觸點(diǎn)被連接，典型地經(jīng)由如已知的接觸洞(CT)，到一第一圖樣化金屬平面之導(dǎo)體，位于他們之上在基板法線(xiàn)方向。例如，如果半導(dǎo)體裝置之有效組件為一雙極晶體管，第一圖樣化金屬平面之分別的導(dǎo)體系被連接至晶體管的基極接觸點(diǎn)，射極接觸點(diǎn)以及集極接觸點(diǎn)。
然而，根據(jù)本發(fā)明的第一方向，采用一不同的途徑。根據(jù)本發(fā)明，一接觸點(diǎn)其接觸表面系在從基板的加工表面之一大距離而不被連接至第一金屬平面的一導(dǎo)體。反之，接觸點(diǎn)僅以此接觸制造于一隨后的程序階段，例如經(jīng)由一接觸洞引導(dǎo)至一第二圖樣化金屬平面，其系被配置于第一圖樣化金屬平面之上，如在基板法線(xiàn)方向所見(jiàn)。因此，第二接觸點(diǎn)，其具有一可想而知的高度在加工表面之上相較于其它接觸點(diǎn)，可被提供具有任何所想要的高度，因?yàn)椴恍枰龀雠c此第二接觸點(diǎn)之接觸伴同其它接觸點(diǎn)晶由第一圖樣化金屬平面。
沒(méi)有導(dǎo)體屬于配置在第二(高)接觸點(diǎn)之上的第一金屬平面，如在基板法線(xiàn)方向可見(jiàn)。反之，僅第二金屬平面之一導(dǎo)體，其系被連接到第二接觸點(diǎn)之接觸表面例如經(jīng)由一鎢接觸腳，系被配置在第二接觸點(diǎn)之上。
以根據(jù)本發(fā)明之此半導(dǎo)體裝置，事實(shí)上所造成特別有利的優(yōu)點(diǎn)為更垂直的連接接觸點(diǎn)(如VIA連接接觸已知)系經(jīng)常被提供于任何例子中在處理之后為了連接特定屬于第一金屬平面之導(dǎo)體至更高的屬于第二金屬平面的導(dǎo)體。因此，接觸可被制造于第二接觸以及第二金屬平面之間經(jīng)由VIA-1連接接觸，以及隨后不需要任何額外的微影，清潔，金屬化以及磨光步驟以使其經(jīng)由更高的金屬平面與第二接觸點(diǎn)接觸。
根據(jù)一較佳的實(shí)施例，第二接觸系一雙極晶體管之一射極接觸點(diǎn)，以及第一接觸點(diǎn)系一雙極晶體管之底部接觸點(diǎn)或集極接觸點(diǎn)或一MOS晶體管之源極接觸點(diǎn)，閘極接觸點(diǎn)或汲極接觸點(diǎn)。如同在引言中已經(jīng)描述，一雙極晶體管之射極接觸點(diǎn)，與一半導(dǎo)體裝置之有效組件之其它接觸點(diǎn)相較，典型第具有最大高度在基板之加工表面之上。此系因此有利于(相對(duì)較高的)射極接觸點(diǎn)埠被連接到第一金屬平面之一導(dǎo)體，而僅被連接至第二金屬平面之一導(dǎo)體，例如經(jīng)由一VIA-1接觸。
因此，沒(méi)有導(dǎo)體屬于位再射極接觸點(diǎn)之上的第一金屬平面。
第一接觸點(diǎn)系較佳地被連接到第一金屬平面之導(dǎo)體經(jīng)由一接觸洞其在基板法線(xiàn)方向延伸且系以一電傳導(dǎo)接觸洞填充材料填補(bǔ)。接觸洞填充材料可能，例如，為鎢其系被導(dǎo)入一先前電漿蝕刻接觸洞中使用一MCVD程序。如已知為一線(xiàn)型，例如一TiN線(xiàn)型，可能被提供作為一擴(kuò)散停止在全部接口(特別是在接觸洞填充材料以及金屬平面或接觸材料之間)。
第二接觸系較佳地被連接至第二金屬平面之導(dǎo)體經(jīng)由一接觸洞，其延伸于基板法線(xiàn)方向且系被以一電傳導(dǎo)性的接觸洞填充材料填補(bǔ)，而無(wú)第一金屬平面之一導(dǎo)體被連接于其間。如同已經(jīng)在上面所解釋?zhuān)佑|洞可能為如已知的VIA-1連接接觸，其一般地連接第二圖樣化金屬平面之導(dǎo)體到對(duì)應(yīng)的第一圖樣化金屬平面的導(dǎo)體。根據(jù)本發(fā)明，此VIA-1連接接觸可被使用以制造與第二接觸或一富庶的高接觸點(diǎn)之接觸。沒(méi)有第一金屬平面的導(dǎo)體被配置于對(duì)應(yīng)的第二金屬平面之導(dǎo)體以及第二接觸點(diǎn)之接觸表面之間，如在基板法線(xiàn)方向所見(jiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的第一方向，一種制造一半導(dǎo)體的方法，特別是一半導(dǎo)體裝置根據(jù)本發(fā)明的第一方向，包含下列步驟-提供一基板，其加工表面具有一基板法線(xiàn)方向；-定義至少一第一接觸點(diǎn)以及一第二接觸點(diǎn)在該基板上，第二接觸點(diǎn)之一接觸點(diǎn)表面相較于第一接觸點(diǎn)之一接觸點(diǎn)表面位于自基板之基板法線(xiàn)方向一較大的距離；-電連接第一接觸點(diǎn)到位于其上在基板法線(xiàn)方向之一第一圖樣化的金屬平面之一導(dǎo)體；以及-電連接第二接觸點(diǎn)到位于其上在基板法線(xiàn)方向之一第二圖樣化金屬平面之一導(dǎo)體而無(wú)第一金屬平面之一導(dǎo)體被連接在其中；第二金屬平面相較于第一金屬平面自基板在基板法線(xiàn)方向之一較大距離。
據(jù)此，在制造根據(jù)本發(fā)明之第一方向之一半導(dǎo)體裝置的方法中，第二接觸點(diǎn)，其系更加遠(yuǎn)離加工表面如在基板法線(xiàn)方向所見(jiàn)，系不被連接至第一金屬平面之一導(dǎo)體，而僅被連接至位于其上在基板法線(xiàn)方向之第二金屬平面之一導(dǎo)體。
此簡(jiǎn)化其它接觸點(diǎn)之電子連接之圖樣化以形成第一圖樣化金屬平面到一可想象的范圍中。此系因?yàn)椴恍枰紤](高)第二接觸點(diǎn)或者此高第二接觸點(diǎn)之一多重性當(dāng)實(shí)現(xiàn)程序工程用以電連接第一接觸到第一金屬平面時(shí)。反之，圖樣化以及程序參數(shù)用以制造與第一接觸(或第一接觸點(diǎn))之接觸可被最佳化于此接觸制造步驟。在同時(shí)，第二接觸點(diǎn)之高度(即自第二接觸點(diǎn)的頂端到加工表面的距離，如在垂直基板的法線(xiàn)方向所見(jiàn))可被選擇如所需要(提供BPSG層厚度系同時(shí)為適合的；其最小高度必須大于或等于造成之第二接觸點(diǎn)之接觸高度)，為了確定最佳化的圖樣化以及組件特性。
第二接觸系較佳地為一雙極晶體管之一射極接觸點(diǎn)，以及第一接觸系較佳地為一雙極晶體管之一基極接觸點(diǎn)或集極接觸點(diǎn)或者為一MOS晶體管之一源極接觸點(diǎn)，閘極接觸點(diǎn)或汲極接觸點(diǎn)。
電連接第一接觸之步驟較佳地包含下列步驟-定義一接觸洞，其終止于第一接觸點(diǎn)且在基板法線(xiàn)方向延伸，于一絕緣層(30)；-以一電傳導(dǎo)性的接觸洞填充材料填充接觸洞；以及-定義第一金屬平面之導(dǎo)體，其在基板法線(xiàn)方向位于第一接觸點(diǎn)之上，以此方式其系被電連接到接觸洞填充材料。
由于范例，在半導(dǎo)體裝置之有效組件被完成之后(FEOL程序終止)，一介電絕緣層，例如BPSG(硼磷硅酸玻璃)系藉由一CVD程序被沉積在半導(dǎo)體裝置之上，系藉由一隨后的平面化步驟(CNP BPSG)被磨光回到一目標(biāo)高度且藉由傳統(tǒng)的微影以及蝕刻步驟被圖樣化。所形成且沿著基板法線(xiàn)方向延伸之接觸洞終止于第一接觸藉其接觸系被制造或者第一接觸點(diǎn)藉其接觸被制造。此接觸洞可接著被以一電傳導(dǎo)接觸洞填充材料填補(bǔ)，較佳地為鎢，藉由一MCVD金屬化步驟。接著，其系較佳地對(duì)于第一金屬平面之一導(dǎo)體被配置在鎢接觸腳上，其已經(jīng)再次被平面化，以此方式，其系電傳導(dǎo)地連接到第一接觸。
電連接第二接觸點(diǎn)之步驟較佳地包含下列步驟-定義一接觸洞，其終止于第二接觸點(diǎn)且在基板法線(xiàn)方向延伸，于一絕緣層中；-以一電傳導(dǎo)性接觸洞填充材料填充接觸洞；以及-定義第二金屬平面之導(dǎo)體，其位于在基板法線(xiàn)方向之第二接觸點(diǎn)之上，以此方式其系電連接至接觸洞填充材料而無(wú)第一金屬平面之一導(dǎo)體被連接于其間。
在同時(shí)當(dāng)電連接第二接觸到第二金屬平面之導(dǎo)體的步驟時(shí)，其系較佳的對(duì)于第一金屬平面的至少一導(dǎo)體被連接到第二金屬平面之一導(dǎo)體。據(jù)此，第二接觸系較佳地經(jīng)由如已知的VIA-1連接接觸而電傳導(dǎo)性地連接至第二金屬平面之一導(dǎo)體。這些VIA-1連接接觸點(diǎn)之程序形成部分的執(zhí)行于此類(lèi)型半導(dǎo)體裝置上之標(biāo)準(zhǔn)程序，且接著不需要任何額外的圖樣化步驟來(lái)制造與第二接觸點(diǎn)之接觸，相較于傳統(tǒng)處理步驟。
根據(jù)一本發(fā)明之第二方向，一半導(dǎo)體裝置包含-一基板，其加工表面具有一基板法線(xiàn)方向；-至少一第一接觸點(diǎn)以及一第二接觸點(diǎn)配置于基板上，第二接觸點(diǎn)之一接觸表面系比第一接觸點(diǎn)自基板于基板法線(xiàn)方向上一較大的距離；以及-至少一圖樣化金屬平面，其中至少一第一導(dǎo)體以及一第二導(dǎo)體被形成，其每一可被連接至接觸點(diǎn)其中之一；第一接觸點(diǎn)經(jīng)由一接觸洞被電連接到位于其上在基板法線(xiàn)方向之金屬平面之第一導(dǎo)體，其在基板法線(xiàn)方向延伸且系被一電傳導(dǎo)性接觸洞填充材料所填滿(mǎn)，以及第二接觸點(diǎn)直接與位于其上于基板法線(xiàn)方向之金屬平面之第二導(dǎo)體相鄰，以使第二接觸點(diǎn)被電連接至第二導(dǎo)體而無(wú)一被填充的接觸洞被連接于其間。
根據(jù)本發(fā)明之第二方向，第二接觸(即較高的接觸)系不經(jīng)由一接觸洞被電連接到(如第一)金屬平面之一導(dǎo)體。反之，電連接系直接作用而無(wú)一電接觸洞被連接于其間藉由毗鄰第二接觸接觸表面之金屬平面之第二導(dǎo)體的優(yōu)點(diǎn)。隨后，其它接觸點(diǎn)之接觸洞的處理可被執(zhí)行而無(wú)考慮到高的第二接觸，其表示圖樣化接觸洞用以連接第一接觸到金屬平面相較于傳統(tǒng)半導(dǎo)體裝置如引言中所述系不一定必要。
第二接觸之接觸表面系不藉由一接觸洞之一電漿蝕刻步驟而被開(kāi)放，而系較佳地藉由一磨光步驟(CMP步驟)而開(kāi)放。隨后，第二接觸之高度可被選擇如所欲或符合一最佳化的有效組件之程序需求。
第二接觸系較佳地為一雙極晶體管之一射極接觸點(diǎn)，以及第一接觸點(diǎn)系較佳地為一基極接觸點(diǎn)或者集極接觸點(diǎn)或?yàn)橐籑OS晶體管之一源極接觸點(diǎn)，閘極接觸點(diǎn)或者汲極接觸點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的第二方向，一種用于制造一半導(dǎo)體裝置的方法，較佳地為根據(jù)本發(fā)明第二方向之半導(dǎo)體裝置，包含下列步驟-提供一基板，其加工表面具有一基板法線(xiàn)方向；-定義至少一第一接觸點(diǎn)以及一第二接觸點(diǎn)在基板上，第二接觸點(diǎn)之一接觸點(diǎn)表面相較于第一接觸點(diǎn)之一接觸點(diǎn)表面位于自基板之基板法線(xiàn)方向一較大的距離；-電連接第一接觸點(diǎn)到位于其上在基板法線(xiàn)方向之一第一圖樣化的金屬平面之一導(dǎo)體藉由一接觸洞，其在基板法線(xiàn)方向延伸且系以電傳導(dǎo)性接觸洞填充材料填充；以及-電連接第二接觸點(diǎn)到位于其上在該基板法線(xiàn)方向且毗鄰第二接觸點(diǎn)之金屬平面之一第二導(dǎo)體而無(wú)一被填充的接觸洞被連接在其中。
結(jié)果，第一接觸或第一接觸點(diǎn)-亦如以典型已知制造方法的例子-系被連接至圖樣化金屬平面之對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體經(jīng)由延伸于基板法線(xiàn)方向之接觸洞。接觸洞系被定義，例如，在一絕緣層中，特別是BPSG，藉由一微影以及隨后的電漿蝕刻步驟，其系隨后藉由一金屬化步驟以填補(bǔ)接觸洞使用一接觸洞填充材料，例如鎢。接著，金屬平面之第一導(dǎo)體被定義于磨光的頂側(cè)，遠(yuǎn)離加工表面，在此垂直接觸腳上，其中止于第一接觸之接觸表面，以此方式，此地一導(dǎo)體系電連接到接觸洞填充材料。
相較之下，圖樣化金屬平面之一第二導(dǎo)體之第二接觸之電連接以一不同的方式取代。在此例子中，以接觸洞填充材料填補(bǔ)之一接觸洞系不被使用，即垂直接觸腳系不存在。反之，第二接觸之接觸表面直接毗鄰金屬平面之對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體，因此有一電連接在(第一)金屬平面之導(dǎo)體以及第二接觸之間。然而，對(duì)于一薄的線(xiàn)性層是可能的，特別是作為一擴(kuò)散停止(如包含TiN)，存在于第二接觸之接觸表面以及圖樣化金屬平面之第二導(dǎo)體之間。
由于在接觸表面以及第二接觸之間的接觸系不藉由一接觸洞伴隨第一接觸或接觸點(diǎn)被制造，利用于圖樣化接觸洞之程序需求系明顯的較不嚴(yán)密。第二接觸之一般高度現(xiàn)在可被選擇如所需，與接觸洞圖樣化之程序限制無(wú)關(guān)。
第二接觸系較佳地為一雙極晶體管之一射極接觸點(diǎn)，以及第一接觸系較佳地為一雙極晶體管之一基極接觸點(diǎn)或集極接觸點(diǎn)或?yàn)橐籑OS晶體管之一源極接觸點(diǎn)，閘極接觸點(diǎn)或汲極接觸點(diǎn)。
電連接第一接觸之步驟較佳地包含下列步驟-定義一接觸洞，其終止于第一接觸點(diǎn)且在基板法線(xiàn)方向延伸，于一絕緣層；-以一電傳導(dǎo)性的接觸洞填充材料填充接觸洞；以及-定義第一金屬平面之導(dǎo)體，其如所見(jiàn)在基板法線(xiàn)方向位于第一接觸點(diǎn)之上，以此方式其系被電連接到接觸洞填充材料。
電連接第二接觸之步驟較佳地包含下列步驟-定義第二接觸點(diǎn)之一未覆蓋的接觸表面，其系以基板法線(xiàn)方向?yàn)榉较?，藉由一平面的磨光步驟；以及-定義金屬平面之第二導(dǎo)體，以此方式其毗鄰第二接觸點(diǎn)之未覆蓋的接觸表面以一電傳導(dǎo)的方式。
較佳的對(duì)于第二接觸之表面藉由一平面磨光步驟被開(kāi)放，而非藉由一電漿蝕刻步驟如在第一接觸的范例中所示。在此文中，已知的CMP磨光步驟系特別適合。由于范例，在FEOL程序結(jié)束之后的絕緣層(例如BPSG)之CVD沉積之后，平面磨光步驟用以磨回絕緣層(如BPSG)系被執(zhí)行于此方式中使絕緣層之目標(biāo)高度因此磨光步驟終止于第二接觸。
已知終點(diǎn)偵測(cè)系統(tǒng)可被使用于以一已知方式設(shè)定CMP磨光步驟之終點(diǎn)。其系較佳的對(duì)于第二接觸本身被使用作為一磨光停止在磨光或平面化步驟中。其亦可能提供額外的結(jié)構(gòu)被使用作為一磨光停止。
因?yàn)橄惹拔锤采w的第二接觸之接觸表面在接觸洞微影以及電漿蝕刻步驟期間系被一光阻保護(hù)以制造與第一接觸之接觸，因此在電漿蝕刻步驟其間系不被攻擊。因此，與第二接觸之未覆蓋的接觸表面之接觸可輕易藉由金屬平面之第二導(dǎo)體被使用于此接觸表面而被制造。對(duì)于已知如一線(xiàn)型(例如TiN)可能為有利的，其功能如一遷移停止，被噴濺在定義金屬平面(例如一AlCu平面其已經(jīng)被使用一MCVD程序且接著被圖樣化)之第二導(dǎo)體之前。
如一可選擇的不覆蓋第二接觸之接觸表面藉由一磨光步驟執(zhí)行于絕緣層(例如BPSG)，對(duì)于此接觸表面亦可能為未覆蓋藉由一隨后磨光步驟執(zhí)行于接觸洞填充材料。
本發(fā)明系被描述于下由于范例伴隨參靠隨附的圖標(biāo)顯示較佳實(shí)施例，其中圖1至14顯示概略剖面圖經(jīng)由根據(jù)本發(fā)明之第一方向之一半導(dǎo)體裝置較佳實(shí)施例在制造方法其間之多種圖樣化或程序階段；圖15顯示一概略剖面圖經(jīng)由根據(jù)本發(fā)明第二方向之一半導(dǎo)體裝置只一較佳實(shí)施例；以及圖16顯示一剖面圖經(jīng)由一傳統(tǒng)半導(dǎo)體裝置。
圖1顯示一剖面圖根據(jù)本發(fā)明第一方向之一半導(dǎo)體裝置只一較佳實(shí)施例。半導(dǎo)體裝置系在一程序階段，其中有效組件-例如雙極晶體管10以及MOS晶體管20-已經(jīng)被完成。FEOL(線(xiàn)之終點(diǎn)之前)程序結(jié)束，其中特別是高溫步驟可能發(fā)生，已經(jīng)因此被達(dá)到。
如圖1所示，在隨后的程序步驟中，整個(gè)半導(dǎo)體裝置系被以一介電絕緣層30覆蓋，其可能，舉例來(lái)說(shuō)，為BPSG(硼磷硅酸玻璃)，較佳地藉由一CVD沉積步驟(CVD BPSG步驟)。絕緣層30系典型地被應(yīng)用于一層高度為趨近1400奈米中。此層覆蓋系明顯地大于射極接觸點(diǎn)14的高度，其系典型地為550奈米，且大于閘極接觸點(diǎn)24的高度，其系典型地為280奈米。
隨后的程序步驟，圖標(biāo)于圖2中，絕緣層30系被磨回藉由一磨光步驟而達(dá)到一目標(biāo)高度典型地為700奈米±150奈米，為了此目的已知的CMP(化學(xué)機(jī)械平面化)步驟系被使用(CMP BPSG步驟)。
如圖3所示，接觸洞32系接著被定義于絕緣層30中藉由一微影以及隨后的蝕刻步驟(CT蝕刻步驟)。這些接觸洞32在垂直基板8的方向延伸，即他們有一垂直的方向。不像在一傳統(tǒng)的制造方法中，例如一半導(dǎo)體裝置如圖16所示，一接觸洞32終止于射極接觸點(diǎn)14之接觸表面而不被定義。換句話(huà)說(shuō)，一窗導(dǎo)致射極接觸點(diǎn)14之接觸表面不被石刻進(jìn)入絕緣層30。
因此，在隨后的金屬化步驟期間，與射極接觸點(diǎn)14之接觸系不被制造，其在此半導(dǎo)體實(shí)施例中系為第二(較高的)接觸點(diǎn)。由于在此程序階段與射極接觸點(diǎn)14(第二接觸點(diǎn))之接觸不被制造的事實(shí)，接觸洞33的圖樣化，即CMP BPSG磨光步驟以及CT蝕刻電漿蝕刻步驟，并不需要被采用以制造同時(shí)發(fā)生的與第一以及第二接觸之接觸，其在程序工程方面系復(fù)雜的。
結(jié)果，CMP BPSG磨光步驟之程序窗，其造成的結(jié)果圖標(biāo)于圖2中，且CT蝕刻電漿蝕刻步驟(參照?qǐng)D3)之程序窗系被相當(dāng)?shù)赝貙捪噍^于一制造圖16中所示半導(dǎo)體裝置的方法。在基板法線(xiàn)方向第二接觸點(diǎn)14可允許的高度在考慮圖樣化接觸洞32時(shí)已經(jīng)被選擇。反之，依照根據(jù)本發(fā)明第一方向的半導(dǎo)體裝置制造方法，射極接觸點(diǎn)14之高度可被自由地選擇或符合一最佳化的雙極晶體管之程序需求。消除技術(shù)引起在射極接觸點(diǎn)14之高度的限制使其可能去避免需要發(fā)展新的接觸洞蝕刻技術(shù)用于屬于未來(lái)技術(shù)平臺(tái)之雙極組件。
圖4說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第一方向之半導(dǎo)體裝置較佳的實(shí)施例在接觸洞金屬化結(jié)束之后。首先，其系較佳的對(duì)于已知如一線(xiàn)型，其包含，舉例來(lái)說(shuō)，一TiN且被使用特別是作為一擴(kuò)散停止，而被噴濺。接著，例如，鎢被沉積，填補(bǔ)接觸洞32作為一接觸洞填充材料，例如藉由一MCVD程序。
圖4至圖9中所說(shuō)明之程序步驟符合使用于一傳統(tǒng)方法之步驟而用來(lái)制造一如圖標(biāo)之半導(dǎo)體裝置，例如，圖16中所示。因此，在一傳統(tǒng)方法中，電傳導(dǎo)接觸洞填充材料系被磨光回到一目標(biāo)高度藉由一平面化步驟(步驟CMP W)。目標(biāo)高度在此例中系被選擇，以此方式射極接觸點(diǎn)14(第二接觸)系不被開(kāi)放(參照?qǐng)D5)且沒(méi)有填充材料之殘留物或者線(xiàn)型在定義的接觸洞外側(cè)。
接著，為了形成第一圖樣化金屬平面34，一金屬，其可能，舉例來(lái)說(shuō)，為銅化鋁，系被噴濺于半導(dǎo)體裝置上(參照?qǐng)D6；步驟噴濺金屬1)。此第一金屬平面34之層厚度可被選擇作為設(shè)計(jì)需求之一功能且系典型地趨近于400奈米。
一隨后的微影以及蝕刻步驟(步驟蝕刻金屬1)系被使用以圖樣化第一金屬平面34，以此方式，電導(dǎo)體或連接接觸系被形成于接觸洞32上之第一金屬平面34中，其系被填補(bǔ)，舉例來(lái)說(shuō)，以鎢填補(bǔ)。如圖7所示，所有(第一)接觸點(diǎn)12，16，22，24以及26系被連接經(jīng)由接觸洞到對(duì)應(yīng)的第一金屬平面34之導(dǎo)體，位在他們之上而在基板法線(xiàn)方向。僅在第二接觸點(diǎn)13之上，在本發(fā)明實(shí)施例中系為射極接觸點(diǎn)，系沒(méi)有第一金屬平面34之導(dǎo)體配置在接觸點(diǎn)14之上在基板法線(xiàn)方向。
在一沉積步驟中，此系隨后應(yīng)用一再一介電層或絕緣層(步驟沉積ILD1(絕緣層介電1))。圖8顯示半導(dǎo)體裝置在此沉積步驟之后已經(jīng)結(jié)束。接著，已經(jīng)先被沉積之介電層被磨光回到一目標(biāo)高度藉由一再度磨光步驟(步驟CMP ILD1)(參照?qǐng)D9)。
下一步，以相同方式如圖樣化絕緣層30之步驟參考圖3所解釋?zhuān)晃⒂耙约拔g刻步驟系被使用以引導(dǎo)接觸洞38進(jìn)入介電層36(ILD)(步驟蝕刻VIA1)。不像在一傳統(tǒng)制造方法中，例如圖16所示之一半導(dǎo)體裝置，然而，不僅接觸洞38終止于第一金屬平面34之導(dǎo)體，終止于射極接觸點(diǎn)14(第二接觸)接觸平面之一接觸洞38亦被圖樣化。
一引導(dǎo)射極接觸點(diǎn)14之窗系因此較佳地僅開(kāi)放在圖樣化已知如VIA-1連接頻道期間，其系連接第一金屬平面34之導(dǎo)體到第二金屬平面40之導(dǎo)體之標(biāo)準(zhǔn)方法。因此，不像在先前技藝中，接觸系以射極接觸點(diǎn)14被制造較佳地經(jīng)由一VIA1接觸洞連接到第二金屬化平面。
接著，在參考圖4所述金屬化步驟之一相似的方法中，接觸洞38系以一電傳導(dǎo)接觸填充材料填補(bǔ)。再次，首先一線(xiàn)型(TiN)被噴濺在其上作為一擴(kuò)散停止層(步驟噴濺線(xiàn)型)。下一步，一適當(dāng)?shù)慕饘?例如鎢)藉由一MCVD程序被沉積(步驟MCVD W；參照?qǐng)D11)，且此金屬系被磨光回到一目標(biāo)高度藉由一再次平面磨光步驟(步驟CMPW；參照?qǐng)D12)。第二金屬平面40系以同樣方法被圖樣化如第一金屬平面34之圖樣化，其系被描述參考圖6以及圖7。
根據(jù)本發(fā)明第一方向之半導(dǎo)體裝置較佳的實(shí)施例在本發(fā)明的方法步驟已經(jīng)結(jié)束之后系被圖標(biāo)于圖14中。如同已經(jīng)詳細(xì)解釋于上，此半導(dǎo)體裝置不同于圖16所示之一已知半導(dǎo)體裝置，特別是經(jīng)由第二接觸點(diǎn)14(在此實(shí)施例中為射極接觸點(diǎn))不藉由一填充接觸洞32被連接到第一金屬平面34之一導(dǎo)體的事實(shí)，但是被直接地連接到第二金屬化平面40，較佳地經(jīng)由已知如VIA-1連接接觸。沒(méi)有導(dǎo)體屬于第一金屬平面被配置在第二接觸點(diǎn)14之接觸平面以及第二金屬化平面40之導(dǎo)體之間，其系被配置在基板法線(xiàn)方向之接觸點(diǎn)14之上。
因?yàn)樗^的VIA-1連接接觸，其系為一連接第一金屬平面之導(dǎo)體到第二金屬平面之導(dǎo)體之標(biāo)準(zhǔn)方法，必須在任何例子中被形成以一標(biāo)準(zhǔn)程序，與第二接觸點(diǎn)14接觸經(jīng)由第二金屬平面40而不必須額外的程序步驟。據(jù)此，VIA-1蝕刻在接觸點(diǎn)14之上系不藉由第一金屬平面之一導(dǎo)體來(lái)停止，但是終止于射極接觸點(diǎn)14之多晶硅。因此，可被使用作為蝕刻停止線(xiàn)之線(xiàn)型系被切斷經(jīng)由以同時(shí)控制的方式進(jìn)入第一金屬平面34或者射極接觸點(diǎn)14之多晶硅中。
圖15顯示根據(jù)本發(fā)明第二方向之一半導(dǎo)體裝置在本發(fā)明制造方法步驟已經(jīng)結(jié)束之后。半導(dǎo)體裝置具有一基板80，其可能為一硅半導(dǎo)體基板，具有一加工表面80’。已經(jīng)以FEOL程序步驟被圖樣化之有效組件可能，舉例來(lái)說(shuō)，符合根據(jù)本發(fā)明第一方向之半導(dǎo)體裝置之較佳實(shí)施例中的那些組件，其已經(jīng)被描述于上。
在圖15所示之較佳實(shí)施例中，有一雙極晶體管100具有一基極接觸點(diǎn)120(第一接觸點(diǎn))，一射極接觸點(diǎn)140，其形成第二(較高的)接觸點(diǎn)，以及一集極接觸電160(第一接觸點(diǎn))。雙極晶體管100可能，舉例來(lái)說(shuō)，為部分的半導(dǎo)體裝置之一無(wú)線(xiàn)頻率電路。再者，圖15所示之半導(dǎo)體裝置的實(shí)施例具有一CMOS電路，其系以簡(jiǎn)化型式藉由一MOS晶體管200表示。MOS晶體管200包含一源極接觸點(diǎn)220，一閘極接觸點(diǎn)240包含多晶硅以及一汲極接觸點(diǎn)260。接觸電220，240以及260系為本發(fā)明之常識(shí)中第一接觸點(diǎn)。
如已經(jīng)被描述關(guān)于圖1，在FEOL程序結(jié)束之后，半導(dǎo)體裝置系被以一絕緣層300覆蓋，其系，舉例來(lái)說(shuō)，為BPSG(硼磷硅酸玻璃)，例如藉由一CVD沉積步驟。
不像在根據(jù)本發(fā)明第一方向的制造方法以及已知制造方法中，然而，隨后的平面磨光步驟(步驟CMD BPSG)系被執(zhí)行以此方式，使絕緣層被磨光回到與第二接觸點(diǎn)相同(極射極接觸點(diǎn)140)。CMP程序步驟系因此被停止于射極接觸點(diǎn)140。在一已知方法中，一終點(diǎn)偵測(cè)系統(tǒng)，其指示在磨光步驟到達(dá)第二接觸點(diǎn)140的瞬間，可被使用于此目的。其亦可能提供額外的附屬結(jié)構(gòu)其作用如一磨光停止層。
如同已經(jīng)被詳細(xì)描述參考圖3至圖5，接觸洞320系接著被圖樣化于絕緣層300中藉由一微影步驟以及一蝕刻步驟(步驟CT蝕刻)。然而，不像在如圖16中所示一傳統(tǒng)半導(dǎo)體裝置的例子中，一接觸洞320系不形成于射極接觸點(diǎn)140之上。接觸洞320可被畫(huà)線(xiàn)以平常的方式以一線(xiàn)型(例如包含TiN)且以一適當(dāng)?shù)慕佑|洞填充材料填補(bǔ)，例如鎢。已經(jīng)被使用之金屬層，例如，使用一MCVD程序被磨回，在一隨后的平面磨光步驟中(CMP W)，到達(dá)一目標(biāo)高度，其使(第二接觸之)射極接觸點(diǎn)140之接觸平面不被覆蓋。此表示磨光接觸洞320之接觸洞填充材料的步驟亦可被使用于開(kāi)放(且消去線(xiàn)型殘留物自)第二接觸點(diǎn)140之接觸表面。
隨后(第一)圖樣化金屬平面340系被定義，其程序步驟系沒(méi)有不同于一傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)程序用以定義此類(lèi)型金屬平面。必須注意的是，配置于第二接觸140上在基板法線(xiàn)方向之金屬平面340之一導(dǎo)體直接毗鄰此第二接觸，因此一電傳導(dǎo)連接系被產(chǎn)生于第二接觸點(diǎn)140(射極接觸點(diǎn))以及對(duì)應(yīng)的金屬平面340之(第二)導(dǎo)體。換句話(huà)說(shuō)，第二接觸140，不像半導(dǎo)體裝置之其它接觸，不被連接到關(guān)聯(lián)的金屬平面340之第二導(dǎo)體藉由一接觸洞腳320。反之，與第二接觸140之接觸系直接地藉由毗鄰其之第一金屬平面340之導(dǎo)體被制造。一薄的，特別是金屬內(nèi)層可能存在于第二接觸以及金屬層340之第二導(dǎo)體之間，例如為了減少接觸殘留。
以此制造方法以及/或半導(dǎo)體裝置所獲得的優(yōu)點(diǎn)系為第二接觸點(diǎn)140之高度可被選擇如所需要在基板法線(xiàn)方向以及/或可被符合一最佳化的雙極晶體管之程序需求。不需要藉由STI之厚度測(cè)量。同時(shí)，絕緣層300(BPSG層)之層厚度測(cè)量中的不確定性在CMP BPSG磨光步驟(其數(shù)量到±150奈米)之后系被縮減且過(guò)度磨光的風(fēng)險(xiǎn)系被最小化或者消除。不需要藉由以接觸洞填充材料(例如鎢)填補(bǔ)之一接觸洞300制造與第二接觸點(diǎn)的接觸。第一金屬平面340可被直接地(不需要接觸洞腳320)連接到射極接觸點(diǎn)140。
接觸表面區(qū)域的限制，即接觸洞320的直徑，系被消除，因?yàn)榈诙佑|點(diǎn)140之整個(gè)有效表面區(qū)域可被使用來(lái)制造一接觸。此表示更高的電流強(qiáng)度可被實(shí)現(xiàn)于雙極晶體管100以及/或最佳化地符合射極接觸點(diǎn)140之表面區(qū)域。
參考組件符號(hào)用于根據(jù)本發(fā)明之第一方向較佳實(shí)施例以及先前技藝8基板(如硅半導(dǎo)體基板)8’ 基板8之加工表面10 雙極晶體管12 雙極晶體管之基極接觸點(diǎn)14 雙極晶體管之射極接觸點(diǎn)(射極堆棧)16 極晶體管之集極接觸點(diǎn)20 MOS晶體管22 MOS晶體管之汲極接觸點(diǎn)24 MOS晶體管之閘極接觸點(diǎn)26 MOS晶體管之源極接觸點(diǎn)30 絕緣層(如BPSG)32 以接觸洞填充材料(如鎢)填補(bǔ)之接觸洞(CT)34 具有導(dǎo)體之圖樣化第一金屬平面36 介電層(絕緣層)ILD(如TEOS)38 以接觸洞填充材料填補(bǔ)之接觸洞(VIA-1)40 具有導(dǎo)體之圖樣化第二金屬平面用于根據(jù)本發(fā)明第二方向之較佳實(shí)施例80 基板(例如硅半導(dǎo)體基板)80’ 基板80之加工表面100 極晶體管120 雙極晶體管之基極接觸點(diǎn)140 雙極晶體管之射極接觸點(diǎn)(射極堆棧)160 雙極晶體管之集極接觸點(diǎn)200 MOS晶體管220 MOS晶體管之汲極接觸點(diǎn)240 MOS晶體管之閘極接觸點(diǎn)260 MOS晶體管之源極接觸點(diǎn)300 絕緣層(如BPSG)320 以接觸洞填充材料(如鎢)填補(bǔ)之接觸洞(CT)340 具有導(dǎo)體之圖樣化第一金屬平面
權(quán)利要求
1.半導(dǎo)體裝置，具有-一基板(8)，其加工表面(8’)具有一基板法線(xiàn)方向；-至少一第一接觸點(diǎn)(12，16，22，24，26)以及一第二接觸點(diǎn)(14)配置在該基板上，該第二接觸點(diǎn)(14)之一接觸點(diǎn)表面系比該第一接觸點(diǎn)(12，16，22，24，26)之一接觸點(diǎn)表面自該基板(8)在該基板法線(xiàn)方向有一較大的距離；以及-至少一第一(34)以及一第二(40)圖樣化金屬平面，在其每一中至少一導(dǎo)體，其可被連接到至少一該接觸點(diǎn)，系被形成；該第二金屬平面(40)系比該第一金屬平面(34)在自該基板(8)在該基板法線(xiàn)方向有一較大的距離，該第二接觸點(diǎn)(14)系以電連接到，位于其上在該基板法線(xiàn)方向上該第二金屬平面(40)之一導(dǎo)體而無(wú)該第一金屬平面(34)之一導(dǎo)體被連接在其間，以及該第一接觸點(diǎn)(12，16，22，24，26)系電連接到位于其上在該基板法線(xiàn)方向上該第一金屬平面(34)之一導(dǎo)體。
2.根據(jù)權(quán)利要求第1項(xiàng)所述之半導(dǎo)體裝置，其中該第二接觸點(diǎn)(14)系一雙極晶體管(10)之一射極接觸點(diǎn)，以及該第一接觸點(diǎn)系一雙極晶體管之基極接觸點(diǎn)(12)或者一集極接觸點(diǎn)(16)或者系一MOS晶體管(20)之源極接觸點(diǎn)(22)，閘極接觸點(diǎn)(24)或汲極接觸點(diǎn)(26)。
3.根據(jù)權(quán)利要求第1項(xiàng)或第2項(xiàng)所述之半導(dǎo)體裝置，其中該第一接觸點(diǎn)(12，16，22，24，26)系經(jīng)由一接觸洞(32)連接至該第一金屬平面(34)之該導(dǎo)體，該接觸洞在該基板法線(xiàn)方向延伸且系以一電傳導(dǎo)的接觸洞填充材料填滿(mǎn)。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求其中之一項(xiàng)所述之半導(dǎo)體裝置，其中該第二接觸(14)系經(jīng)由一接觸洞(38)被連接至該第二金屬平面(40)之該導(dǎo)體，該接觸洞在該基板線(xiàn)方向延伸且系以一電傳導(dǎo)性的接觸洞填充材料填滿(mǎn)，而無(wú)該第一金屬平面(34)之一導(dǎo)體連接期間。
5.制造一半導(dǎo)體裝置的方法，包含下列步驟-提供一基板(8)，其加工表面(8’)具有一基板法線(xiàn)方向；-定義至少一第一接觸點(diǎn)(12，16，22，24，26)以及一第二接觸點(diǎn)(14)在該基板(8)上，該第二接觸點(diǎn)(14)之一接觸點(diǎn)表面相較于該第一接觸點(diǎn)(12，16，22，24，26)之一接觸點(diǎn)表面位于自該基板(8)之基板法線(xiàn)方向一較大的距離；-電連接該第一接觸點(diǎn)(12，16，22，24，26)到位于其上在該基板法線(xiàn)方向之一第一圖樣化的金屬平面(34)之一導(dǎo)體；以及-電連接該第二接觸點(diǎn)(14)到位于其上在該基板法線(xiàn)方向之一第二圖樣化金屬平面(40)之一導(dǎo)體而無(wú)該第一金屬平面(34)之一導(dǎo)體被連接在其中；該第二金屬平面(40)相較于該第一金屬平面(34)自基板(8)在該基板法線(xiàn)方向之一較大距離。
6.根據(jù)權(quán)利要求第5項(xiàng)所述之步驟，其中該第二接觸點(diǎn)(14)系一雙極晶體管(10)之一射極接觸點(diǎn)，以及該第一接觸點(diǎn)系一雙極晶體管之一基極接觸點(diǎn)(12)或者集極接觸點(diǎn)(16)或者系一MOS晶體管(20)之一源極接觸點(diǎn)(22)，閘極接觸點(diǎn)(24)或汲極接觸點(diǎn)(26)。
7.根據(jù)權(quán)利要求第5項(xiàng)或第6項(xiàng)所述之方法，其中電連接該第一接觸點(diǎn)(12，16，22，24，26)的步驟包含下列步驟-定義一接觸洞(32)，其終止于該第一接觸點(diǎn)(12，16，22，24，26)且在該基板法線(xiàn)方向延伸，于一絕緣層(30)；-以一電傳導(dǎo)性的接觸洞填充材料填充該接觸洞(32)；以及-定義該第一金屬平面(34)之該導(dǎo)體，其在該基板法線(xiàn)方向位于該第一接觸點(diǎn)(12，16，22，24，26)之上，以此方式其系被電連接到該接觸洞填充材料。
8. 根據(jù)權(quán)利要求第5項(xiàng)至第7項(xiàng)之任一項(xiàng)所述之方法，其中電連接該第二接觸點(diǎn)(14)的步驟包含下列步驟-定義一接觸洞(38)，其終止于該第二接觸點(diǎn)(14)且在該基板法線(xiàn)方向延伸，于一絕緣層(36)中；-以一電傳導(dǎo)性接觸洞填充材料填充該接觸洞(38)；以及-定義該第二金屬平面(40)之該導(dǎo)體，其位于在該基板法線(xiàn)方向之該第二接觸點(diǎn)(14)之上，以此方式其系電連接至該接觸洞填充材料而無(wú)該第一金屬平面(34)之一導(dǎo)體被連接于其間。
9.根據(jù)權(quán)利要求第5項(xiàng)至第8項(xiàng)任一項(xiàng)所述之方法，其中在電連接該第二接觸點(diǎn)(14)到該第二金屬平面(40)導(dǎo)體之步驟的同時(shí)，至少一該第一金屬平面(34)之導(dǎo)體系被連接至該第二金屬平面(40)之一導(dǎo)體。
10.半導(dǎo)體裝置，具有-一基板(80)，其加工表面(80’)具有一基板法線(xiàn)方向；-至少一第一接觸點(diǎn)(120，160，220，240，260)以及一第二接觸點(diǎn)(140)配置于該基板上，該第二接觸點(diǎn)(140)之一接觸表面系比該第一接觸點(diǎn)(120，160，220，240，260)之一接觸表面自該基板(80)于該基板法線(xiàn)方向上有一較大的距離；以及-至少一圖樣化金屬平面(340)，其中至少一第一導(dǎo)體以及一第二導(dǎo)體被形成，其每一可被連接至該接觸點(diǎn)(120，140，160，220，240，260)其中之一；該第一接觸點(diǎn)(120，160，220，240，260)經(jīng)由一接觸洞(320)被電連接到位于其上在該基板法線(xiàn)方向之該金屬平面(340)之第一導(dǎo)體，其在該基板法線(xiàn)方向延伸且系被一電傳導(dǎo)性接觸洞填充材料所填滿(mǎn)，以及該第二接觸點(diǎn)(140)直接與位于其上于該基板法線(xiàn)方向之該金屬平面(340)之該第二導(dǎo)體相鄰，以使該第二接觸點(diǎn)(140)被電連接至該第二導(dǎo)體而無(wú)一被填充的接觸洞(320)被連接于其間。
11.根據(jù)權(quán)利要求第1項(xiàng)所述之半導(dǎo)體裝置，其中該第二接觸點(diǎn)(140)系一雙極晶體管(100)之一射極接觸點(diǎn)，以及該第一接觸點(diǎn)系一雙極晶體管之基極接觸點(diǎn)(120)或者一集極接觸點(diǎn)(160)或者系一MOS晶體管(200)之源極接觸點(diǎn)(220)，閘極接觸點(diǎn)(240)或汲極接觸點(diǎn)(260)。
12.制造一半導(dǎo)體裝置的方法，包含下列步驟-提供一基板(80)，其加工表面(80’)具有一基板法線(xiàn)方向；-定義至少一第一接觸點(diǎn)(120，160，220，240，260)以及一第二接觸點(diǎn)(140)在該基板(80)上，該第二接觸點(diǎn)(140)之一接觸點(diǎn)表面相較于該第一接觸點(diǎn)(120，160，220，240，260)之一接觸點(diǎn)表面位于自該基板(80)之基板法線(xiàn)方向有一較大的距離；-電連接該第一接觸點(diǎn)(120，160，220，240，260)到位于其上在該基板法線(xiàn)方向之一第一圖樣化的金屬平面(340)之一導(dǎo)體，其系藉由一接觸洞(320)，其在該基板法線(xiàn)方向延伸且系以電傳導(dǎo)性接觸洞填充材料填充；以及一電連接該第二接觸點(diǎn)(140)到位于其上在該基板法線(xiàn)方向且毗鄰該第二接觸點(diǎn)之該金屬平面(340)之一第二導(dǎo)體而無(wú)一被填充的接觸洞(320)被連接在其中。
13.根據(jù)權(quán)利要求第12項(xiàng)所述之半導(dǎo)體裝置，其中該第二接觸點(diǎn)(140)系一雙極晶體管(100)之一射極接觸點(diǎn)，以及該第一接觸點(diǎn)系一雙極晶體管之基極接觸點(diǎn)(120)或者一集極接觸點(diǎn)(160)或者系一MOS晶體管(200)之源極接觸點(diǎn)(220)，閘極接觸點(diǎn)(240)或汲極接觸點(diǎn)(260)。
14.根據(jù)權(quán)利要求第12項(xiàng)或第13項(xiàng)所述之方法，其中電連接該第一接觸點(diǎn)(120，160，220，240，260)的步驟包含下列步驟-定義一接觸洞(320)，其終止于該第一接觸點(diǎn)(120，160，220，240，260)且在該基板法線(xiàn)方向延伸于一絕緣層(300)中；-以一電傳導(dǎo)性的接觸洞填充材料填充該接觸洞(320)；以及-定義該第一金屬平面(340)之該導(dǎo)體，其如在該基板法線(xiàn)方向所見(jiàn)位于該第一接觸點(diǎn)(120，160，220，240，260)之上，以此方式其系被電連接到該接觸洞填充材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求第12項(xiàng)至第14項(xiàng)其中一項(xiàng)所述之方法，其中電連接該第二接觸點(diǎn)(140)的步驟包含下列步驟-定義該第二接觸點(diǎn)(140)之一未覆蓋的接觸表面，其系以該基板法線(xiàn)方向?yàn)榉较?，其系藉由一平面的磨光步驟(CMP BPSG，CMP W)；以及-定義該金屬平面(340)之該第二導(dǎo)體，以此方式其毗鄰該第二接觸點(diǎn)(140)之未覆蓋的接觸表面以一電傳導(dǎo)的方式。
全文摘要
本發(fā)明關(guān)于一半導(dǎo)體裝置，具有一基板(8)，其加工表面(8’)具有一基板法線(xiàn)方向；至少一第一接觸點(diǎn)(12，16，22，24，26)以及一第二接觸點(diǎn)(14)配置在基板上，第二接觸點(diǎn)(14)之一接觸點(diǎn)表面系比第一接觸點(diǎn)(12，16，22，24，26)之一接觸點(diǎn)表面自該基板(8)在該基板法線(xiàn)方向有一較大的距離；以及至少一第一(34)以及一第二(40)圖樣化金屬平面，在其每一中至少一導(dǎo)體，其可被連接到至少一接觸點(diǎn)而被形成；第二金屬平面(40)系比第一金屬平面(34)自基板(8)在基板法線(xiàn)方向有一較大的距離，第二接觸點(diǎn)(14)系以電連接到位于其上在基板法線(xiàn)方向之第二金屬平面(40)之一導(dǎo)體而無(wú)第一金屬平面(34)之一導(dǎo)體被連接在其間，以及第一接觸點(diǎn)(12，16，22，24，26)系電連接到位于其上在基板法線(xiàn)方向之第一金屬平面(34)之一導(dǎo)體。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1550038SQ02817129
公開(kāi)日2004年11月24日 申請(qǐng)日期2002年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月31日
發(fā)明者K·戈?duì)柪? K 戈?duì)柪?申請(qǐng)人:因芬尼昂技術(shù)股份公司