專利名稱：發(fā)光器件的倒裝結(jié)合和適用于倒裝結(jié)合的發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，尤其涉及用倒裝結(jié)構(gòu)安裝在底座上的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
基于GaN的發(fā)光二極管(LED)一般包括絕緣的或半導(dǎo)體的或者導(dǎo)電的襯底例如藍(lán)寶石或SiC，在其上淀積多個基于GaN的外延層。外延層包括具有p-n結(jié)的有源區(qū)，其在被激勵時發(fā)光。一般的LED被安裝在一個底座上，使其襯底側(cè)朝下，底座也稱為封裝或引線框架(下文稱為“底座”)。圖1示意地表示常規(guī)的LED，其具有n-型SiC襯底10，包括生成在襯底上的并被形成為平臺的基于GaN的n型層14和基于GaN的p型層16的有源區(qū)12。金屬p電極18被淀積在基于GaN的p型層16上，并在p電極18上形成對結(jié)合焊盤20的導(dǎo)線結(jié)合連接28。在導(dǎo)電襯底上的n電極22利用導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂26連附于金屬底座24上。在常規(guī)的工藝中，導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂26(通常是銀環(huán)氧樹脂)被沉積在底座上，并把LED壓入環(huán)氧樹脂26中。然后使環(huán)氧樹脂進(jìn)行熱固化，這使得其變硬，從而對LED芯片提供穩(wěn)定的導(dǎo)電的安裝。在有源區(qū)12產(chǎn)生的光被向上引導(dǎo)，并被引導(dǎo)到器件的外部。然而，產(chǎn)生的光的大部分透射到襯底內(nèi)并被環(huán)氧樹脂26吸收。
LED的倒裝涉及把LED襯底側(cè)朝上安裝在底座上。然后通過透明的襯底提取和發(fā)射光。對于安裝基于SiC的LED，倒裝安裝可以是一種特別需要的技術(shù)。因?yàn)镾iC比GaN具有較高的折射率，在有源區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的光在GaN/SiC交界處不在內(nèi)部反射(即向回反射進(jìn)入基于GaN的層)?；赟iC的LED的倒裝當(dāng)使用本領(lǐng)域熟知的某些芯片成形技術(shù)時可以提供改善的光提取效果。SiC LED的倒裝封裝可以具有其它的優(yōu)點(diǎn)，例如能夠改善散熱，根據(jù)芯片的特定的應(yīng)用，這可能是需要的。
倒裝芯片的一個問題如圖2所示。即，當(dāng)芯片被倒裝在導(dǎo)電的底座或封裝上時，常規(guī)技術(shù)可能是不可能的。一般地說，導(dǎo)電的芯片連附材料26例如銀環(huán)氧樹脂被沉積在芯片和/或底座24上，并把芯片壓入底座24內(nèi)。這可以導(dǎo)致粘的導(dǎo)電的芯片連附材料26被擠出，因而和器件的基于GaN的n型層14以及n型SiC襯底10接觸，借以形成肖特基二極管連接，其將有源區(qū)的p-n結(jié)短路，導(dǎo)致可以可預(yù)料到的不希望的結(jié)果。因而，需要一種用于倒裝安裝LED的新的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供利用B級可固化的芯片環(huán)氧樹脂，通過把基于氮化鍺的發(fā)光區(qū)的電極安裝到底座上，以倒裝結(jié)構(gòu)將具有基于氮化鍺的發(fā)光區(qū)的發(fā)光器件安裝在碳化硅襯底上的方法。
在本發(fā)明的特定的實(shí)施例中，通過在電極上形成B級可固化環(huán)氧樹脂的預(yù)定圖案，把所述電極安裝在底座上，其中所述預(yù)定圖案只覆蓋所述電極的預(yù)定部分。利用B級可固化芯片環(huán)氧樹脂的預(yù)定圖案把基于氮化鍺的發(fā)光區(qū)的電極連附到底座上。所述B級可固化芯片環(huán)氧樹脂的預(yù)定圖案可以通過利用絲網(wǎng)印刷對電極涂覆B級可固化芯片環(huán)氧樹脂來提供。優(yōu)選地，所述絲網(wǎng)印刷以大約4密耳的分辨率涂覆所述B級可固化芯片環(huán)氧樹脂。
B級可固化芯片環(huán)氧樹脂的預(yù)定圖案還可以通過在電極的所需位置上分配B級環(huán)氧樹脂來提供。此外，B級可固化芯片環(huán)氧樹脂的預(yù)定圖案還可以通過用B級環(huán)氧樹脂涂覆所述電極并選擇地從電極上除去B級環(huán)氧樹脂，從而提供預(yù)定的圖案來提供。B級環(huán)氧樹脂可以通過激光劃線所述B級環(huán)氧樹脂被選擇地除去，從而選擇地除去環(huán)氧樹脂而提供預(yù)定的圖案。如果B級環(huán)氧樹脂是光敏的B級環(huán)氧樹脂，則B級環(huán)氧樹脂可以利用光刻法被選擇地除去，從而提供預(yù)定的圖案。B級可固化芯片環(huán)氧樹脂的預(yù)定圖案也可以通過把B級環(huán)氧樹脂針傳遞到電極上的合適位置來提供，從而提供預(yù)定的圖案。
在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，在形成B級可固化芯片環(huán)氧樹脂的預(yù)定圖案之后使B級環(huán)氧樹脂進(jìn)行預(yù)固化。B級環(huán)氧樹脂的預(yù)固化可以通過利用從大約50℃到大約150℃的溫度預(yù)固化B級環(huán)氧樹脂來提供。具體地說，B級環(huán)氧樹脂可以利用大約85℃的溫度預(yù)固化。此外，基于氮化鍺的發(fā)光區(qū)的電極可以通過利用B級可固化芯片環(huán)氧樹脂的預(yù)定圖案被連附到底座上，其中把發(fā)光器件設(shè)置到底座上，并把B級環(huán)氧樹脂加熱到一個最終固化溫度，使得引起B(yǎng)級環(huán)氧樹脂回流。B級環(huán)氧樹脂可被加熱到至少大約為150℃的溫度。
在特定的實(shí)施例中，預(yù)定圖案是在電極上的B級環(huán)氧樹脂的一個小球。預(yù)定圖案也可以是電極上的B級環(huán)氧樹脂的多個凸起。預(yù)定圖案還可以是在電極上的多行的B級環(huán)氧樹脂。預(yù)定圖案還可以是電極上的B級環(huán)氧樹脂的十字圖案。
在本發(fā)明的附加的實(shí)施例中，具有在襯底上的平臺結(jié)構(gòu)和在平臺上的電極的發(fā)光器件芯片以倒裝結(jié)構(gòu)被連附于底座上，其中借助于在電極和底座的至少一個上形成導(dǎo)電的芯片連附材料的預(yù)定圖案，并把發(fā)光器件芯片安裝到底座上。選擇導(dǎo)電的芯片連附材料的預(yù)定圖案，使得當(dāng)發(fā)光器件被安裝到底座上時，防止導(dǎo)電的芯片連附材料接觸平臺或襯底的側(cè)壁。導(dǎo)電的芯片連附材料的預(yù)定圖案可以提供一個芯片連附材料的體積，該體積小于由電極的面積和電極與底座之間的距離限定的體積。
在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，預(yù)定圖案是在電極上的芯片連附材料的一個小球。預(yù)定圖案也可以是電極上的芯片連附材料的多個凸起。預(yù)定圖案還可以是在電極上的多行的芯片連附材料。預(yù)定圖案還可以是電極上的芯片連附材料的十字圖案。
在本發(fā)明的附加的實(shí)施例中，導(dǎo)電的芯片連附材料至少是B級可固化芯片環(huán)氧樹脂、焊料膏、焊料凸起的圖案和/或?qū)щ姷木酆衔镏械囊环N。如果導(dǎo)電的芯片連附材料是焊料膏，則預(yù)定圖案可以通過利用絲網(wǎng)印刷、分配方法和/或針傳遞方法中的至少一種，形成焊料膏的預(yù)定圖案來提供。如果導(dǎo)電的芯片連附材料是焊料凸起，則預(yù)定圖案可以利用分配焊料膏并回流、電鍍和/或浸蘸方法中的至少一種，通過形成焊料膏凸起的預(yù)定圖案來提供。如果導(dǎo)電的芯片連附材料是B級可固化芯片環(huán)氧樹脂和/或?qū)щ姷木酆衔?，則預(yù)定圖案可以利用絲網(wǎng)印刷、分配、分配和回流、成層和激光劃線、光刻法和/或針傳遞方法，通過形成B級可固化芯片環(huán)氧樹脂和/或?qū)щ姷木酆衔锏膱D案來提供。
在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，一種適用于安裝在底座上的發(fā)光器件芯片包括導(dǎo)電的襯底，例如碳化硅襯底，在所述碳化硅襯底上的基于氮化鍺的有源區(qū)，以及在和襯底相對的基于氮化鍺的有源區(qū)上的第一電極。在一些實(shí)施例中，所述第一電極和基于氮化鍺的有源區(qū)形成具有側(cè)壁的平臺。一個第二電極被提供在和氮化鍺有源區(qū)相對的碳化硅襯底上。導(dǎo)電的芯片連附材料的預(yù)定圖案被提供在和氮化鍺有源區(qū)相對的第一電極上，使得當(dāng)把發(fā)光器件安裝到底座上時基本上阻止導(dǎo)電的芯片連附材料和所述平臺和/或襯底的側(cè)壁接觸。
導(dǎo)電的芯片連附材料的預(yù)定圖案可以提供芯片連附材料的一個體積，所述體積小于由第一電極的面積與第一電極和底座之間的距離限定的體積。預(yù)定圖案可以是第一電極上的導(dǎo)電的芯片連附材料的一個小球。預(yù)定圖案也可以是第一電極上的導(dǎo)電的芯片連附材料的多個凸起。預(yù)定圖案還可以是第一電極上的多行的導(dǎo)電芯片連附材料。預(yù)定圖案還可以是第一電極上的導(dǎo)電的芯片連附材料的十字形圖案。
導(dǎo)電的芯片連附材料可以是B級可固化芯片環(huán)氧樹脂，焊料膏，焊料凸起的圖案和/或?qū)щ姷木酆衔铩?br> 也可以提供一個底座。在這種情況下，第一電極借助于導(dǎo)電的芯片連附材料的預(yù)定圖案被安裝在底座上。
本發(fā)明的附加的實(shí)施例提供一種適合于安裝在底座上的發(fā)光器件，其包括襯底，例如碳化硅襯底，在所述襯底上的基于氮化鍺的有源區(qū)，以及在和所述襯底相對的基于氮化鍺的有源區(qū)上的第一電極。所述第一電極和所述基于氮化鍺的有源區(qū)可以形成具有側(cè)壁的平臺。一個第二電極可被提供在和基于氮化鍺的有源區(qū)相對的襯底上。B級導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂被提供在和氮化鍺有源區(qū)相對的第一電極上。
B級導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂可以預(yù)定圖案被提供。B級導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂的預(yù)定圖案可以提供B級導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂的一個體積，所述體積小于由第一電極的面積和第一電極與底座之間的距離限定的體積。預(yù)定圖案可以是第一電極上的導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂的一個小球。預(yù)定圖案也可以是第一電極上的導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂的多個凸起。預(yù)定圖案還可以是第一電極上的多行的導(dǎo)電環(huán)氧樹脂。預(yù)定圖案還可以是第一電極上的導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂的十字形圖案。
也可以提供一個底座。在這種情況下，第一電極借助于B級導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂的預(yù)定圖案被安裝在底座上。
在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，一種發(fā)光器件芯片包括具有第一導(dǎo)電類型的至少一個區(qū)域的基于氮化鍺的有源區(qū)，以及被電連接在所述基于氮化鍺的有源區(qū)上的第一電極。一個第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材料的區(qū)域和基于氮化鍺的有源區(qū)電氣相連。所述第二導(dǎo)電類型和所述第一導(dǎo)電類型相反。一個導(dǎo)電的芯片連附材料的預(yù)定圖案位于和氮化鍺有源區(qū)相對的第一電極上，并被配置使得當(dāng)把發(fā)光器件安裝在底座上時基本上防止導(dǎo)電的芯片連附材料接觸第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材料的區(qū)域。
一個第二電極也可以被提供在第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材料的區(qū)域上。也可以提供一個襯底，并且基于氮化鍺的有源區(qū)可以位于所述襯底上。第一電極和第二電極可以位于襯底的相對側(cè)，也可以位于襯底的相同側(cè)。所述襯底可以是絕緣的或?qū)щ姷?。在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，所述襯底是碳化硅襯底。


圖1是常規(guī)的LED的示意圖；圖2示意地表示利用常規(guī)技術(shù)倒裝的LED；圖3A，3B，3C和3D表示按照本發(fā)明的不同實(shí)施例的芯片連附材料的圖案；圖4是表示按照本發(fā)明的實(shí)施例的操作的流程圖；圖5表示按照本發(fā)明的實(shí)施例被連附于底座上的LED；圖6是按照本發(fā)明的實(shí)施例的具有p型電極的LED的平面圖，所述電極具有呈一個圖案的芯片連附材料凸起；圖7是圖6的LED的側(cè)視圖；以及圖8是在安裝在底座上之后的圖6和圖7所示的LED的側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖更詳細(xì)地說明本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。不過，本發(fā)明可以用許多不同的形式實(shí)施，因而不應(yīng)當(dāng)限于這里提出的實(shí)施例，而是，提供這些實(shí)施例是為了更清楚、完整地說明本發(fā)明，并且充分地對本領(lǐng)域的技術(shù)人員轉(zhuǎn)達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，相同的標(biāo)號表示相同的元件。此外，圖中所示的各層和各個區(qū)只是一種示意的表示。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本文所指的形成在襯底或其它層“上”的層可以指直接形成在襯底或其它層上的層，或者形成在在襯底或其它層上形成的插入的一層或幾層上的層。相應(yīng)地，本發(fā)明不限于附圖中所示的有關(guān)的尺寸和間距。
本發(fā)明的實(shí)施例提供具有發(fā)光元件的發(fā)光器件例如LED芯片以倒裝結(jié)構(gòu)和底座或封裝的連接，其中使用芯片連附材料，所述芯片連附材料可以在封裝發(fā)光器件之前涂覆到發(fā)光器件的例如p電極的電極和/或底座或封裝上。可以使用芯片連附材料在發(fā)光器件和底座之間形成導(dǎo)電的連接，而不形成使器件的p-n二極管短路的寄生二極管。在一些實(shí)施例中，通過阻止在固化期間導(dǎo)電黏合劑的流動來避免形成旁路二極管。在其它實(shí)施例中，通過阻止導(dǎo)電黏合劑連接相反導(dǎo)電類型的一個區(qū)域和導(dǎo)電黏合劑對其提供一個連接的區(qū)域來避免形成旁路二極管。因而，例如，如果導(dǎo)電黏合劑對器件的p型接觸提供一個接點(diǎn)，則通過阻止導(dǎo)電黏合劑接觸器件的n型區(qū)域來避免形成旁路二極管。如果導(dǎo)電黏合劑對器件的n型接觸提供一個連接，則通過阻止導(dǎo)電黏合劑接觸器件的p型區(qū)域來避免形成旁路二極管。
在其中導(dǎo)電黏合劑是焊料的本發(fā)明的其它的實(shí)施例中，當(dāng)器件以倒裝結(jié)構(gòu)安裝時，導(dǎo)電黏合劑可以幫助從器件提取熱量。這種熱量提取作用對于大功率器件是有利的，例如那些適用于白光應(yīng)用的器件。此外，雖然本發(fā)明主要參照在器件的相對側(cè)上具有連接的器件進(jìn)行說明，但本發(fā)明的實(shí)施例對于在器件的相同側(cè)上具有兩個連接的器件也是有利的。在這種情況下，導(dǎo)電黏合劑可以用這樣的方式被提供，使得接點(diǎn)的導(dǎo)電黏合劑不會通過連接導(dǎo)電黏合劑要連接的相反導(dǎo)電類型的器件的區(qū)域而形成旁路二極管。此外，兩個接點(diǎn)的導(dǎo)電黏合劑不應(yīng)當(dāng)彼此接觸。
本發(fā)明的實(shí)施例參照在SiC襯底10上的基于GaN的并具有n型層14、p型層16和與p型層電氣相連的p電極18的LED進(jìn)行了說明。然而，本發(fā)明不應(yīng)當(dāng)限于這種結(jié)構(gòu)。因而，這里引用的短路n型區(qū)域10和14的導(dǎo)電的芯片連附材料只是用于說明的目的。因而，所引用的短路n型區(qū)域10和14可以認(rèn)為在其它的器件結(jié)構(gòu)中短路的是其它的層(例如在多量子阱器件中的量子阱和/或勢壘層)，其中和芯片連附材料的無意的接觸將導(dǎo)致器件的性能、可靠性或其它特性變差。
在本發(fā)明的實(shí)施例中使用的發(fā)光器件可以是基于鍺的氮化物的LED，或者是在碳化硅襯底上制造的激光器，例如由Cree，Inc.ofDurham，North Carolina制造和銷售的那些器件。例如，本發(fā)明可以適用于以下的美國專利中所述的LED和/或激光器6201262，6187606，6120600，5912477，5739554，5631190，5604135，5523589，5416342，5393993，5338944，5210051，5027168，4966862和/或4918497，這些專利的全部內(nèi)容被包括在此作為參考，就如同把這些專利的內(nèi)容全部寫入本文中一樣。其它的合適的LED和/或激光器在以下的美國臨時專利申請中說明了名稱為“LIGHT EMI TTING DIODESTRUCTURE WITH MULTI-QUANTUM WELL AND SUPERLATTICESTRUCTURE”，序列號為60/294378的美國臨時專利申請，名稱為“MULTI-QUANTUM LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE”，序列號為60/294445的美國臨時專利申請，名稱為“LIGHT EMITTING DIODESTRUCTURE WITH SUPERLATTICE STRUCTURE”，序列號為60/294308的美國臨時專利申請，這些都是2001年5月30日申請的，還有2002年5月7日申請的，名稱為“GROUP III NITRIDE RASED LIGHT EMITTINGDIODE STRUCTURES WITH A QUANTUM WELL AND SUPERLATTICE，GROUPIII NITRIDE BASED QUANTUM WELL STRUCTURES AND GROUP IIINITRIDE EASED SUPERLATTICE STRUCTURES”，序列號為10/140796的美國臨時專利申請，以及2001年7月23日申請的，名稱為“LIGHTEMITTING DIODES INCLUDING SUBSTRATE MODIFICATIONS FOR LIGHTEXTRACTION AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR”，序列號為10/05782的美國臨時專利申請，和美國專利申請序列號為10/05782，申請日為2002年1月25日，名稱為“LIGHT EMITTING DIODESINCLUDING SUBSTRATE MODIFICATIONS FOR LIGHT EXTRACTION ANDMANUFACTURING METHODS THEREFOR”的美國專利申請。這些專利的全部內(nèi)容被包括在此作為參考，就如同把這些專利的內(nèi)容全部寫入本文中一樣。
在本發(fā)明的特定的實(shí)施例中，發(fā)光器件可以包括p電極，其提供一個反射層，用于通過器件向回反射在有源區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的光。反射的p電極及其相關(guān)的結(jié)構(gòu)在2002年1月25日申請的，名稱為“LIGHTEMITTING DIODES INCLUDING SUBSTRATE MODIFICATIONS FOR LIGHTEXTRACTION AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR”，序列號為10/05782的美國臨時專利申請中說明了，該專利的全部內(nèi)容被包括在此作為參考，就如同把這些專利的內(nèi)容全部寫入本文中一樣。
LED和/或激光器可以被配置使得按照“倒裝”結(jié)構(gòu)操作，從‘而通過襯底進(jìn)行光的發(fā)射。在這種實(shí)施例中，襯底可以被這樣成形，使得能夠增強(qiáng)器件的光輸出，例如如以下的美國專利申請所述2001年7月23日申請的，名稱為“ LIGHT EMITTING DIODES INCLUDINGMODIFICATIONS FOR LIGHT EXTRACTION AND MANUFACTURING METHODSTHEREFOR”，序列號為60/307235的美國臨時專利申請，和2002年1月25日申請的，名稱為“ LIGHT EMITTING DIODES INCLUDINGSUBSTRATE MODIFICATIONS FOR LIGHT EXTRACTION ANDMANUFACTURING METHODS THEREFOR”，序列號為10/05782的美國臨時專利申請。
在本發(fā)明的特定的實(shí)施例中，芯片連附材料可以一種圖案提供在被形成在碳化硅襯底上的基于氮化鍺的發(fā)光二極管的p電極上。這里所用的術(shù)語圖案指的是芯片連附材料覆蓋設(shè)置這些材料的表面的一些部分而不是全部。在這種實(shí)施例中，所述圖案可以被這樣選擇，使得能夠基本上防止導(dǎo)電的芯片連附材料流動到氮化鍺器件的側(cè)壁上而短路器件的有源區(qū)。在其它實(shí)施例中，圖案可被這樣選擇，使得能夠基本上防止導(dǎo)電的黏合劑在固化/連接期間流動。導(dǎo)電的芯片連附材料的合適的圖案的例子如圖3A-3D所示。如圖3A所示，在襯底10上的發(fā)光器件的p電極18上提供芯片連附材料30的一個小球。圖3B表示在p電極18上以小球的陣列形式形成的芯片連附材料30。圖3C表示在p電極18上以線的陣列形成的芯片連附材料30。圖3D表示在p電極18上以十字交叉的或X形的圖案形成的芯片連附材料30?？梢允褂闷渌膱D案而不脫離本發(fā)明的范圍。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電的芯片連附材料的圖案提供這樣一個體積的芯片連附材料，所述數(shù)量小于由發(fā)光器件的p電極的面積和發(fā)光器件與底座之間的距離限定的體積。
用于提供導(dǎo)電的芯片連附材料的圖案的特定的技術(shù)和導(dǎo)電的芯片連附材料有關(guān)。合適的芯片連附材料包括B級可固化芯片環(huán)氧樹脂(或“B級環(huán)氧樹脂”)，焊膏，焊料凸起的圖案和/或?qū)щ姷木酆衔?。本發(fā)明的實(shí)施例包括對LED芯片或晶片涂覆芯片連附材料的方法，還包括其上設(shè)置有芯片連附材料的LED芯片。附加的實(shí)施例包括在LED芯片上成形芯片連附材料的方法或?qū)ED芯片或晶片涂覆一種形成圖案的芯片連附材料的方法，還包括所得的LED芯片。
如上所述，芯片連附材料可以包括標(biāo)準(zhǔn)的B級環(huán)氧樹脂。這種環(huán)氧樹脂可以在市場上得到，例如Emerson Cumming，Ablestik，Dexter，Diemat and Epotek，Ablestik’s RP 333-3環(huán)氧樹脂，Dexter’sBMI-519環(huán)氧樹脂和Emerson and Cumming’s LA-9843-28環(huán)氧樹脂是合適的B級環(huán)氧樹脂。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，環(huán)氧樹脂具有以下特征.B級可固化的；.導(dǎo)電的；.耐水的(在隨后的晶片鋸開操作期間)；以及.具有足夠的物理強(qiáng)度，以便經(jīng)得起隨后的處理操作(例如被安裝在帶上或從帶上拆下)。
在其它實(shí)施例中，B級環(huán)氧樹脂不必是導(dǎo)電的，并且可以提供單獨(dú)的導(dǎo)電通路。芯片連附材料可以包括導(dǎo)電的聚合物例如由DuPont制造的CB028。
下面參照圖4的流程圖說明按照本發(fā)明的實(shí)施例的用于制造發(fā)光器件芯片的操作。如圖4所示，上述的那些基于氮化鍺的發(fā)光器件被制造在SiC襯底上(塊100)。在所述的制造中，在SiC晶片上淀積所需的外延層之后而在被切成方塊之前，在晶片的相對側(cè)上形成電阻接點(diǎn)。例如通過刻蝕而形成多個臺面，使晶片成形而成為LED。在優(yōu)選實(shí)施例中，形成鈍化層以保護(hù)所述外延層，例如在序列號為60/352941，申請日為2002年1月30日，名稱為“LED DIE ATTACH METHODS ANDRESULTING STRUCTURES”的美國臨時專利申請所述，該專利全文被包括在此作為參考，就如同把這些專利的內(nèi)容全部寫入本文中一樣。不過，即使在這種實(shí)施例中，如果使用常規(guī)的方法，也存在芯片連附材料接觸襯底的可能性，例如在襯底被鋸開或折斷的部分，借以形成旁路二極管。類似地，如果鈍化層受到一些破壞，例如在襯底被折斷的邊沿，也可以在這些區(qū)域無意地形成接觸。
在發(fā)光器件被制成之后，在LED的p電極上以預(yù)定的圖案形成芯片連附材料(塊105)。如果使用B級環(huán)氧樹脂或?qū)щ娋酆衔铮瑒t其可以使用以下技術(shù)的任何一種被沉積(如果需要，可以使用這些技術(shù)的組合).絲網(wǎng)印刷；在這些實(shí)施例中，B級環(huán)氧樹脂或聚合物通過使用自動視覺控制進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。絲網(wǎng)印刷和機(jī)器視覺系統(tǒng)是本領(lǐng)域熟知的，因此，這里不進(jìn)行詳細(xì)說明。對于這種應(yīng)用的合適的絲網(wǎng)印刷機(jī)是由MPM公司制造的SPM絲網(wǎng)印刷機(jī)。如果使用絲網(wǎng)印刷，環(huán)氧樹脂應(yīng)當(dāng)能夠以合適的尺寸進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。在一些實(shí)施例中，環(huán)氧樹脂可以大約4密耳的最小的特征尺寸進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。
.分配；在這些實(shí)施例中，B級環(huán)氧樹脂被從供應(yīng)源直接分配到晶片或底座上的所需的位置上。這些實(shí)施例可以根據(jù)環(huán)氧樹脂的類型來使用，并且可以包括針傳遞、氣動分配和/或通過螺旋輸送機(jī)或活塞作用進(jìn)行正排量分配。
.成層和激光劃線；在這些實(shí)施例中，晶片的p電極側(cè)全部涂覆B級環(huán)氧樹脂，并使用激光劃線選擇地除去不需要的部分。
.光刻技術(shù)；在這些實(shí)施例中，把光敏的B級環(huán)氧樹脂涂覆在晶片的p電極側(cè)，并使用光刻技術(shù)選擇地除去不需要的環(huán)氧樹脂。
也可以利用用于選擇地提供B級環(huán)氧樹脂圖案的其它技術(shù)。
一旦B級環(huán)氧樹脂被沉積，便被進(jìn)行預(yù)先處理，以便進(jìn)行固化。一般進(jìn)行預(yù)先處理的加熱范圍是50-150℃。最好是，預(yù)先處理在85℃以下的溫度下進(jìn)行，以便避免破壞在制造過程中使用的其它材料，例如安裝帶。
如上所述，在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，也可以利用其它的導(dǎo)電芯片連附材料。例如可以使用焊膏作為芯片連附材料。焊膏一般包括焊料金屬或合金，例如Au/Ge，Pb/Sn，Au/Sn，或In，其和溶劑和/或粘結(jié)劑混和在一起而形成膏。焊膏可以通過絲網(wǎng)印刷、分配或針傳遞來施加，如同上面結(jié)合環(huán)氧樹脂所述。在其中使用焊料作為芯片連附材料的本發(fā)明的特定的實(shí)施例中，可以使用針傳遞技術(shù)來提供作為芯片連附材料的圖案的焊料點(diǎn)。例如，由針傳遞技術(shù)形成的大約為0.2mm的焊料點(diǎn)可用于把器件連附于底座上。
類似地，芯片連附材料可以包括形成在p電極上的焊料凸起。焊料凸起一般包括沒有黏合劑或溶劑的焊料金屬，并且例如可以通過分配焊料膏，然后進(jìn)行回流、電鍍和/或浸蘸被沉積。
在任何情況下，在把導(dǎo)電的芯片連附材料圖案提供在晶片上的器件的p電極上之后，利用常規(guī)技術(shù)把晶片鋸開和/或鋸開并折斷，從而分開各個芯片(塊10)。因?yàn)榭梢栽谌ルx子(DI)水流下進(jìn)行鋸操作，在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電的芯片連附材料例如B級環(huán)氧樹脂是能夠耐水的，并能夠耐受由鋸操作和折斷操作所施加的機(jī)械應(yīng)力。然后把各個芯片固定到有黏性的帶輥上，以便幫助進(jìn)行自動地封裝。此外，可以提供成組的的芯片組，如序列號為10/058369，申請日為2002年1月28日，名稱為“CLUSTER PACKAGING OF LIGHT EMITTING DIODES”的美國臨時專利申請所述，該專利的全文被包括在此作為參考，如同被全部寫入本文中一樣。
然后，利用p電極上的導(dǎo)電的芯片連附材料把各個芯片連附于底座上(塊115)。例如當(dāng)利用B級環(huán)氧樹脂作為導(dǎo)電的芯片連附材料對芯片進(jìn)行最后的封裝時(即芯片被安裝到底座上或封裝上)，可以把芯片設(shè)置在底座的適當(dāng)?shù)奈恢蒙?，并被加熱到最后的固化溫?一般超過150℃)。這引起環(huán)氧樹脂回流，并在LED芯片和底座之間產(chǎn)生永久的連接。不過，因?yàn)樗玫膶?dǎo)電的芯片連附材料、在p電極上的芯片連附材料的圖案和/或在連接期間使用的壓力，導(dǎo)電材料不會流到器件的平臺和/或襯底的側(cè)壁上而產(chǎn)生和器件的有源區(qū)并聯(lián)的旁路二極管。然后對n電極進(jìn)行導(dǎo)線結(jié)合連接。
雖然圖4表示的本發(fā)明的實(shí)施例中的芯片連附材料被提供在器件的p電極上，此外，芯片連附材料可以所需的圖案被直接地施加在封裝或底座上，或施加在底座和p電極兩者上。在這種實(shí)施例中，底座被加熱到最后的固化溫度，并把LED芯片壓到底座上。因?yàn)槭褂肂級環(huán)氧樹脂代替粘度較低的常規(guī)的環(huán)氧樹脂，所以不太可能使環(huán)氧樹脂接觸器件的有源區(qū)的n型層。
圖5表示按照本發(fā)明的實(shí)施例安裝的LED。如圖5所示，芯片連附材料環(huán)氧樹脂30被設(shè)置在p電極18和底座24之間，但是不接觸器件的n型層14或襯底10。芯片連附材料30的體積小于由p電極18的面積和p電極18與底座24之間的距離限定的體積。
圖6表示發(fā)光器件的襯底10和p電極18，其上例如通過沉積、成形和/或其它技術(shù)形成有導(dǎo)電的芯片連附材料30的凸起的陣列。圖7是圖6的發(fā)光器件的正視圖。在沉積凸起30之后，LED被置于底座上，并在足以使凸起30回流的溫度下對器件進(jìn)行加熱。在一些實(shí)施例中，可以施加助熔劑作為回流處理的一部分?；亓鳒囟热Q于使用的特定的金屬或合金。例如，含有高的百分?jǐn)?shù)的Sn的合金可以具有低于200℃的熔點(diǎn)，而具有低的百分?jǐn)?shù)的Sn的合金可以具有大于350℃以上的熔點(diǎn)。在一些實(shí)施例中，當(dāng)凸起處于增加的溫度下時，表面張力保持凸起不會外流而弄濕LED的n型層14或襯底10。在其它實(shí)施例中，可以使用不可濕的圖案和/或焊料阻斷來控制外流。
當(dāng)凸起被熔化之后，使器件冷卻，從而把LED連接到底座24上。圖8表示按照本發(fā)明的這些實(shí)施例安裝的LED。如圖8所示，芯片連附材料環(huán)氧樹脂30的凸起被設(shè)置在p電極18和底座24之間，但是不接觸器件的n型層14或襯底10。因而，芯片連附材料30(例如焊料凸起)的體積小于由p電極18的面積和p電極18與襯底24之間的距離限定的體積。因此，在器件的焊料凸起和n型部分之間不會形成肖特基二極管。
在附圖和說明書中，披露了本發(fā)明的典型的優(yōu)選實(shí)施例，雖然使用了特定的術(shù)語，但這些都是在一般的和說明的意義上使用的，并沒有限制的目的，本發(fā)明的范圍在下面的權(quán)利要求中提出。
權(quán)利要求
1.一種用于以倒裝結(jié)構(gòu)把具有基于氮化鍺的發(fā)光區(qū)的發(fā)光器件安裝在碳化硅襯底上的方法，所述方法包括利用B級可固化的芯片環(huán)氧樹脂，把基于氮化鍺的發(fā)光區(qū)的電極安裝到底座上。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述安裝步驟包括在電極和/或底座的至少一個上形成B級可固化環(huán)氧樹脂的預(yù)定圖案；以及利用B級可固化芯片環(huán)氧樹脂的預(yù)定圖案使基于氮化鍺的發(fā)光區(qū)的電極和底座彼此相連。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，形成B級可固化芯片環(huán)氧樹脂的預(yù)定圖案包括通過絲網(wǎng)印刷對電極涂覆B級可固化芯片環(huán)氧樹脂。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，絲網(wǎng)印刷提供大約4密耳的B級可固化芯片環(huán)氧樹脂的涂覆分辨率。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，形成B級可固化芯片環(huán)氧樹脂的預(yù)定圖案包括在電極的所需位置上分配B級環(huán)氧樹脂。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，形成B級可固化芯片環(huán)氧樹脂的預(yù)定圖案包括用B級環(huán)氧樹脂涂覆電極；以及選擇地從電極上除去B級環(huán)氧樹脂，從而提供預(yù)定的圖案。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，選擇地除去的步驟包括激光劃線B級環(huán)氧樹脂，從而選擇地除去環(huán)氧樹脂，以便提供預(yù)定的圖案。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，B級環(huán)氧樹脂包括光敏的B級環(huán)氧樹脂，并且其中形成預(yù)定的圖案的步驟包括利用光刻法選擇地除去環(huán)氧樹脂，從而提供預(yù)定圖案。
9.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，形成B級可固化芯片環(huán)氧樹脂的預(yù)定圖案的步驟包括把B級環(huán)氧樹脂針傳遞到電極上的合適位置，從而提供預(yù)定的圖案。
10.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，形成B級可固化芯片環(huán)氧樹脂的預(yù)定圖案的步驟之后進(jìn)行使B級環(huán)氧樹脂預(yù)固化的步驟。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，預(yù)固化B級環(huán)氧樹脂的步驟包括利用從大約50℃到大約150℃的溫度預(yù)固化B級環(huán)氧樹脂的步驟。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，預(yù)固化B級環(huán)氧樹脂的步驟包括利用大約85℃的溫度預(yù)固化B級環(huán)氧樹脂的步驟。
13.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，利用B級可固化芯片環(huán)氧樹脂的預(yù)定圖案使基于氮化鍺的發(fā)光區(qū)的電極和底座彼此相連的步驟包括把發(fā)光器件設(shè)置到底座上；以及把B級環(huán)氧樹脂加熱到一個最終固化溫度，使得引起B(yǎng)級環(huán)氧樹脂回流。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，加熱的步驟包括加熱B級環(huán)氧樹脂到至少大約為150℃的溫度。
15.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，預(yù)定圖案包括在電極上的B級環(huán)氧樹脂的一個小球。
16.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，預(yù)定圖案包括電極上的B級環(huán)氧樹脂的多個凸起。
17.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，預(yù)定圖案包括在電極上的多行的B級環(huán)氧樹脂。
18.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，預(yù)定圖案包括電極上的B級環(huán)氧樹脂的十字圖案。
19.一種用于使發(fā)光器件芯片和底座以倒裝結(jié)構(gòu)彼此相連的方法，發(fā)光器件芯片具有在襯底上的平臺結(jié)構(gòu)和在平臺上的電極，所述方法包括在電極和底座的至少一個上形成導(dǎo)電的芯片連附材料的預(yù)定圖案；利用其間的導(dǎo)電的芯片連附材料使發(fā)光器件芯片和底座彼此相連；以及其中這樣選擇導(dǎo)電的芯片連附材料的預(yù)定圖案，使得在連附期間防止導(dǎo)電的芯片連附材料接觸平臺和/或襯底的側(cè)壁。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，導(dǎo)電的芯片連附材料的預(yù)定圖案提供一個芯片連附材料的體積，該體積小于由電極的面積和電極與底座之間的距離限定的體積。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，預(yù)定圖案包括在電極上的導(dǎo)電的芯片連附材料的一個小球。
22.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，預(yù)定圖案包括電極上的導(dǎo)電的芯片連附材料的多個凸起。
23.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，預(yù)定圖案包括多行的電極上的導(dǎo)電芯片連附材料。
24.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，預(yù)定圖案包括電極上的導(dǎo)電的芯片連附材料的十字圖案。
25.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，導(dǎo)電的芯片連附材料包括B級可固化芯片環(huán)氧樹脂、焊料膏、焊料凸起的圖案和/或?qū)щ姷木酆衔镏械闹辽僖环N。
26.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，導(dǎo)電的芯片連附材料包括焊料膏，并且其中形成預(yù)定圖案包括利用絲網(wǎng)印刷、分配方法和/或針傳遞方法中的至少一種來形成焊料膏的預(yù)定圖案。
27.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，導(dǎo)電的芯片連附材料包括焊料凸起，并且其中形成預(yù)定圖案的步驟包括利用分配焊料膏并回流、電鍍和/或浸蘸方法中的至少一種形成焊料膏凸起的預(yù)定圖案。
28.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，導(dǎo)電的芯片連附材料包括B級可固化芯片環(huán)氧樹脂和/或?qū)щ姷木酆衔镏械闹辽僖环N，并且其中形成預(yù)定圖案包括利用絲網(wǎng)印刷、分配、成層和激光劃線、光刻法和/或針傳遞方法至少一種形成B級可固化芯片環(huán)氧樹脂和/或?qū)щ姷木酆衔锏膱D案。
29.一種發(fā)光器件芯片，包括導(dǎo)電的襯底；在導(dǎo)電的襯底上的基于氮化鍺的有源區(qū)；在和襯底相對的基于氮化鍺的有源區(qū)上的第一電極，第一電極和基于氮化鍺的有源區(qū)形成具有側(cè)壁的平臺；在和氮化鍺有源區(qū)相對的導(dǎo)電的襯底上的第二電極；以及在和氮化鍺有源區(qū)相對的第一電極上的導(dǎo)電的芯片連附材料的預(yù)定圖案，當(dāng)把發(fā)光器件安裝到底座上時，預(yù)定圖案基本上阻止導(dǎo)電的芯片連附材料和平臺與襯底的側(cè)壁中的至少一個接觸。
30.如權(quán)利要求29所述的芯片，其特征在于，導(dǎo)電的襯底包括碳化硅襯底。
31.如權(quán)利要求29所述的芯片，其特征在于，導(dǎo)電的芯片連附材料的預(yù)定圖案提供芯片連附材料的一個體積，所述體積小于由第一電極的面積與第一電極和底座之間的距離限定的體積。
32.如權(quán)利要求29所述的芯片，其特征在于，預(yù)定圖案包括第一電極上的導(dǎo)電的芯片連附材料的一個小球。
33.如權(quán)利要求29所述的芯片，其特征在于，預(yù)定圖案包括第一電極上的導(dǎo)電的芯片連附材料的多個凸起。
34.如權(quán)利要求29所述的芯片，其特征在于，預(yù)定圖案包括多行的第一電極上的導(dǎo)電芯片連附材料。
35.如權(quán)利要求29所述的芯片，其特征在于，預(yù)定圖案包括第一電極上的導(dǎo)電的芯片連附材料的十字形圖案。
36.如權(quán)利要求29所述的芯片，其特征在于，導(dǎo)電的芯片連附材料包括B級可固化芯片環(huán)氧樹脂，焊料膏，焊料凸起的圖案和/或?qū)щ姷木酆衔镏械闹辽僖环N。
37.如權(quán)利要求29所述的芯片，還包括一個底座，其特征在于，第一電極借助于導(dǎo)電的芯片連附材料的預(yù)定圖案被安裝在底座上。
38.一種發(fā)光器件芯片，包括襯底；在襯底上的基于氮化鍺的有源區(qū)；在和襯底相對的基于氮化鍺的有源區(qū)上的第一電極；在和氮化鍺有源區(qū)相對的第一電極上的B級導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂。
39.如權(quán)利要求38所述的芯片，其特征在于，第一電極和基于氮化鍺的有源區(qū)形成具有側(cè)壁的平臺。
40.如權(quán)利要求38所述的芯片，其特征在于，襯底是導(dǎo)電的襯底，芯片還包括在和基于氮化鍺的有源區(qū)相對的導(dǎo)電的襯底上一個第二電極。
41.如權(quán)利要求38所述的芯片，其特征在于，襯底是絕緣襯底，芯片還包括在和氮化鍺的有源區(qū)相同的襯底一側(cè)上的一個第二電極。
42.如權(quán)利要求38所述的芯片，其特征在于，導(dǎo)電的襯底包括碳化硅襯底。
43.如權(quán)利要求38所述的芯片，其特征在于，B級導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂呈一個預(yù)定圖案位于第一電極上。
44.如權(quán)利要求43所述的芯片，其特征在于，導(dǎo)電的芯片連附材料的預(yù)定圖案提供芯片連附材料的一個體積，所述體積小于由第一電極的面積和第一電極與底座之間的距離限定的體積。
45.如權(quán)利要求43所述的芯片，其特征在于，預(yù)定圖案包括第一電極上的B級導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂的一個小球。
46.如權(quán)利要求43所述的芯片，其特征在于，預(yù)定圖案包括第一電極上的B級導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂的多個凸起。
47.如權(quán)利要求43所述的芯片，其特征在于，預(yù)定圖案包括多行的第一電極上的B級導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂。
48.如權(quán)利要求43所述的芯片，其特征在于，預(yù)定圖案包括第一電極上的B級導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂的十字形圖案。
49.如權(quán)利要求38所述的芯片，還包括一個底座，其特征在于，第一電極借助于B級導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂被安裝在底座上。
50.一種用于倒裝安裝的發(fā)光器件芯片，包括具有第一導(dǎo)電類型的至少一個區(qū)域的基于氮化鍺的有源區(qū)；被電連接在基于氮化鍺的有源區(qū)上的第一電極；和基于氮化鍺的有源區(qū)電氣相連的一個第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材料的區(qū)域，第二導(dǎo)電類型和第一導(dǎo)電類型相反；以及位于和氮化鍺有源區(qū)相對的第一電極上的一個導(dǎo)電的芯片連附材料的預(yù)定圖案，預(yù)定圖案被配置使得當(dāng)把發(fā)光器件安裝在底座上時基本上防止導(dǎo)電的芯片連附材料接觸第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材料的區(qū)域。
51.如權(quán)利要求50所述的芯片，還包括第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材料的區(qū)域上的一個第二電極。
52.如權(quán)利要求51所述的芯片，還包括一個襯底，其特征在于，基于氮化鍺的有源區(qū)可以位于所述襯底上。
53.如權(quán)利要求52所述的芯片，其特征在于，第一電極和第二電極位于襯底的相對側(cè)。
54.如權(quán)利要求52所述的芯片，其特征在于，第一電極和第二電極位于襯底的相同側(cè)。
55.如權(quán)利要求52所述的芯片，其特征在于，襯底包括碳化硅襯底。
56.如權(quán)利要求50所述的芯片，其特征在于，導(dǎo)電的芯片連附材料的預(yù)定圖案提供一個芯片連附材料的體積，該體積小于由電極的面積和電極與底座之間的距離限定的體積。
57.如權(quán)利要求50所述的芯片，其特征在于，預(yù)定圖案包括在電極上的導(dǎo)電的芯片連附材料的一個小球。
58.如權(quán)利要求50所述的芯片，其特征在于，導(dǎo)電的芯片連附材料包括焊料。
59.如權(quán)利要求50所述的芯片，其特征在于，預(yù)定圖案包括在電極上的導(dǎo)電的芯片連附材料的多個凸起。
60.如權(quán)利要求50所述的芯片，其特征在于，預(yù)定圖案包括多行的第一電極上的導(dǎo)電的芯片連附材料。
61.如權(quán)利要求50所述的芯片，其特征在于，預(yù)定圖案包括電極上的導(dǎo)電的芯片連附材料的十字圖案。
62.如權(quán)利要求50所述的芯片，其特征在于，導(dǎo)電的芯片連附材料包括B級可固化芯片環(huán)氧樹脂、焊料膏、焊料凸起的圖案和/或?qū)щ姷木酆衔镏械闹辽僖环N。
63.如權(quán)利要求50所述的芯片，還包括一個底座，其特征在于，第一電極利用導(dǎo)電的芯片連附材料被安裝在底座上。
全文摘要
具有在一個襯底上的平臺結(jié)構(gòu)和在平臺上的電極的發(fā)光器件以倒裝結(jié)構(gòu)被連附于一個底座上，其中借助于在電極和底座的至少一個上形成導(dǎo)電的芯片連附材料的預(yù)定的圖案，把發(fā)光器件安裝到底座上。導(dǎo)電的芯片連附材料的預(yù)定圖案被這樣選擇，使得當(dāng)把發(fā)光器件安裝到底座上時，防止導(dǎo)電的芯片連附材料接觸具有相反導(dǎo)電類型的區(qū)域。導(dǎo)電的芯片連附材料的預(yù)定圖案可以提供芯片連附材料的一個體積，所述體積小于由電極的面積和在電極和底座之間的距離限定的體積。還提供了一種具有導(dǎo)電的芯片連附材料的預(yù)定圖案的發(fā)光器件。具有在襯底例如碳化硅襯底上的基于氮化鍺的發(fā)光區(qū)的發(fā)光器件也可以用倒裝結(jié)構(gòu)被安裝，其中利用B級可固化芯片環(huán)氧樹脂把基于氮化鍺的發(fā)光區(qū)的電極安裝到底座上。還提供了一種具有B級可固化芯片環(huán)氧樹脂發(fā)光器件。
文檔編號H01L33/62GK1557025SQ02818620
公開日2004年12月22日 申請日期2002年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月23日
發(fā)明者D·斯拉特, D 斯拉特, J·哈拉坦, 仆, J·埃蒙, 返, M·拉菲托, 窶 , A·莫哈梅德, 侶乘, G·內(nèi)格利, P·安德魯斯 申請人:克里公司, 克里微波公司