專利名稱：罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種內(nèi)存的制造法，且特別是有關(guān)于一種罩幕式只讀存儲(chǔ)器(Mask ROM)的制造方法。
背景技術(shù)：
罩幕式只讀存儲(chǔ)器可以保存資料而且所保存的資料不會(huì)因?yàn)殡娫粗袛喽?，是一種廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及電器產(chǎn)品的存儲(chǔ)元件。公知罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法，在接獲訂單之前，先制作已完成埋入式位線與字線制作工藝的半成品，待接獲訂單之后再依照訂單的求所制得的光罩來進(jìn)行編碼(coding)，以制得所需的罩幕式只讀存儲(chǔ)器產(chǎn)品。
典型的編碼步驟，先在基底上形成一層光阻層，然后，以依照訂單需求所制成的光罩進(jìn)行曝光。當(dāng)光阻顯影之后，再以已形成編碼開口的光阻作為罩幕，進(jìn)行編碼離子植入步驟，即可在編碼開口所對(duì)應(yīng)的基底中植入離子，完成程序化的步驟。
隨著產(chǎn)品的輕薄短小化，罩幕式只讀存儲(chǔ)器也必須朝著高集成度邁進(jìn)方能符合市場(chǎng)需求。然而，當(dāng)芯片上的組件縮小、密度增加之后，以公知的制作工藝方法在制造罩幕式只讀存儲(chǔ)器時(shí)將會(huì)面臨許多的問題，因此，公知的制作工藝方法并不適用。
以公知的制作工藝方法制造罩幕式只讀存儲(chǔ)器時(shí)所面臨的其中一個(gè)問題，在光阻層形成編碼開口的曝光制作工藝時(shí)，一旦發(fā)生錯(cuò)誤對(duì)準(zhǔn)，所形成的編碼開口將無法準(zhǔn)確的對(duì)準(zhǔn)欲進(jìn)行編碼的編碼區(qū)，以致于編碼離子植入所植入的離子無法植入至正確的位置而達(dá)到程序化的目的。
另一個(gè)問題是，公知的方法在形成編碼開口時(shí)，因?yàn)榫幋a開口的疏密不同所產(chǎn)生的微負(fù)載效應(yīng)(micro-loading effect)將使得密度較疏的編碼開口無法形成所需的形狀或大小，甚至有編碼開口無法開啟的情形。而編碼開口大小(critical dimension)以及形狀的飄移將會(huì)影響后續(xù)編碼時(shí)植入編碼區(qū)的離子是否能達(dá)到程序化的目的。
為了克服上述問題，典型的作法通過光罩上圖案的修正配合先進(jìn)機(jī)臺(tái)的使用來達(dá)到目的。然而，在制作光罩時(shí)，由于光罩的制作繁復(fù)費(fèi)時(shí)，因此，必須耗費(fèi)非常高的光罩成本，而且出貨的時(shí)間(turnaround time，TAT)也將因?yàn)楣庹值闹谱鲿r(shí)間過長而延誤。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在提供一種罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法，其可以解決妥知制作編碼罩幕時(shí)因?yàn)殄e(cuò)誤對(duì)準(zhǔn)導(dǎo)致編碼開口未對(duì)準(zhǔn)編碼區(qū)所衍生的問題。
本發(fā)明的再一目的是提供一種罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法，其可以解決妥知制作編碼罩幕時(shí)因?yàn)榫幋a開口大小不一致所衍生的問題。
本發(fā)明的又一目的是提供一種可以制造高集成度且可以降低制造成本的罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法。
本發(fā)明的另一目的是提供一種可以增加制作工藝欲度的罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法。
本發(fā)明的另一目的是提供一種可以縮短出貨時(shí)間的罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法。
本發(fā)明提出一種罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法，此方法先在基底中形成埋入式位線并在基底上形成柵極與字線，之后，在基底上形成一具有復(fù)數(shù)個(gè)預(yù)編碼開口的預(yù)編碼層，該些預(yù)編碼開口與該些柵極下方的基底中的復(fù)數(shù)個(gè)編碼區(qū)對(duì)應(yīng)。其后，在該些預(yù)編碼開口中填入一填充層，接著，再于基底上形成一編碼罩幕。其后，將編碼罩幕的編碼開口其所對(duì)應(yīng)的預(yù)編碼開口中所有的填充層去除。之后，去除編碼罩幕，再以預(yù)編碼層與填充層為罩幕，進(jìn)行一編碼離子植入步驟，以在已移除填充層的預(yù)編碼開口其所對(duì)應(yīng)的編碼區(qū)植入離子。
依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述，以精準(zhǔn)度(precision)較高的步驟來進(jìn)行上述在該預(yù)編碼層中形成該些預(yù)編碼開口的步驟；而以精準(zhǔn)度較低的步驟來進(jìn)行上述在該編碼罩幕中形成該編碼開口的步驟。并且，預(yù)編碼層的材質(zhì)與填充層的材質(zhì)具有不同的蝕刻速率者。編碼層的材質(zhì)可選用氧化硅、氮化硅與金屬其中之一；填充層的材質(zhì)可以選用旋涂式玻璃、金屬與氧化硅其中之一。當(dāng)編碼層或填充層的材質(zhì)為金屬時(shí)，在進(jìn)行編碼離子植入步驟之后，更包括除去除金屬材質(zhì)的編碼層或填充層的步驟。此外，移出該編碼口所裸露的該填充層的步驟，可以采用濕式蝕刻法。
由于本發(fā)明的預(yù)編碼層的材質(zhì)與填充層的材質(zhì)具有不同的蝕刻速率，因此，罩幕層的編碼開口僅需露出位于預(yù)定進(jìn)行編碼的編碼區(qū)上方的填充層的一部份，在后續(xù)的蝕刻制作工藝?yán)铮A(yù)定進(jìn)行編碼的編碼區(qū)上方的填充層即可被選擇性地完全被蝕刻去除。因此，只要預(yù)編碼層的預(yù)編碼開口可以準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)基底中的編碼區(qū)，則在進(jìn)行編碼離子植入時(shí)，所植入的離子即可自行對(duì)準(zhǔn)預(yù)定進(jìn)行編碼的編碼區(qū)。換言之，在定義罩幕層的編碼開口時(shí)，即使在微影過程中發(fā)生錯(cuò)誤對(duì)準(zhǔn)，或是在進(jìn)行蝕刻時(shí)會(huì)有微負(fù)載效應(yīng)，只要所形成的編碼開口可以裸露出預(yù)定進(jìn)行編碼的編碼區(qū)上方的填充層的一部份，則利用填充層與預(yù)編碼層蝕刻選擇性的不同，預(yù)編碼的編碼區(qū)上的形狀相同且大小均一的預(yù)編碼開口即可裸露出來，后續(xù)的編碼離子植入制作工藝所植入的離子即可自行對(duì)準(zhǔn)預(yù)定進(jìn)行編碼的編碼區(qū)。
由于罩幕層的編碼開口僅需裸露出預(yù)定進(jìn)行編碼的編碼區(qū)上方的填充層的一部份，因此其制作工藝的對(duì)準(zhǔn)裕度較大，可以使用精準(zhǔn)度較低的機(jī)臺(tái)來進(jìn)行，而且用以定義編碼開口的光罩可以使用較不復(fù)雜的光罩制作技術(shù)(less sophisticated mask-making technique)來加以制作而且光罩制作的時(shí)間也較短(shorter turnaround time，TAT)，此外，罩幕層亦可使用較不精準(zhǔn)的光阻，因此，可以有效降低成本。
另一方面，由于預(yù)編碼層的預(yù)編碼開口的密度均一，因此，用來定義預(yù)編碼開口的光罩并不須以較為復(fù)雜的光罩制作技術(shù)來加以制作。而且，不論存儲(chǔ)元件要如何編碼，其所需的預(yù)編碼開口均是相同，因此，預(yù)編碼開口光罩可用在各種編碼產(chǎn)品上。故在制作罩幕式只讀存儲(chǔ)器時(shí)，可以以既有的預(yù)編碼光罩來定義預(yù)編碼層，而不須再額外定作光罩。因此，整體而言，本發(fā)明可以降低制造的成本，增加制作工藝的欲度，并且可以縮短出貨的時(shí)間。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明。


圖1至圖11繪示本發(fā)明實(shí)施例的一種罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法的示意圖，其中圖2為圖1的上視圖；圖8為圖7的上視圖。
標(biāo)示說明100基底102柵介電層104導(dǎo)體線 104a柵極106、132離子植入 108埋入式位線110、113介電層 112導(dǎo)體層112a字線 114、114a預(yù)編碼層116光阻層 118、130光罩120、120a預(yù)編碼開口122、122a編碼區(qū)124、124a填充層126罩幕層128編碼開 134離子具體實(shí)施方式
請(qǐng)參照?qǐng)D1，在一基底100上形成一柵介電層102與數(shù)條導(dǎo)體線104。柵介電層102的形成方法例如為熱氧化法。導(dǎo)體線104的材質(zhì)例如為摻雜復(fù)晶硅，形成的方法例如為化學(xué)氣相沉積法。其后，以導(dǎo)體線104為罩幕，進(jìn)行離子植入106，以于基底100中形成數(shù)條埋入式位線108。離子植入106所植入的離子例如為n型離子，其組件的上視圖如圖2所示。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D3，于導(dǎo)體線104之間填入一介電層110，其后，在于介電層110與導(dǎo)體線104上覆蓋一導(dǎo)體層112。介電層110的材質(zhì)例如是氧化硅，其形成的方法例如是先在整個(gè)基底上覆蓋一層氧化硅層，然后經(jīng)過回蝕刻或化學(xué)機(jī)械研磨制作工藝，以移除覆蓋在導(dǎo)體線104的部分。導(dǎo)體層104例如是由復(fù)晶硅層與硅化金屬層所構(gòu)成，其形成的方法例如是化學(xué)氣相沉積法。
其后，以微影與蝕刻制作工藝將導(dǎo)體層112圖案化，以形成字線112a；在此同時(shí)并蝕刻去除未被字線112a所覆蓋的導(dǎo)體線104，使留在字線112a下方的導(dǎo)體線104a作為柵極。之后，在字線112a之間填入介電層113。介電層113例如是氧化硅，其形成的方法例如是先在整個(gè)基底上覆蓋一層氧化硅層，然后經(jīng)由回蝕刻或化學(xué)機(jī)械研磨制作工藝，以移除覆蓋在字線112a上的部分。進(jìn)行上述制作工藝之后，組件的剖面圖仍與圖3相同，但其上視圖則請(qǐng)參照?qǐng)D4。
其后，請(qǐng)參照?qǐng)D5，在字線112a與介電層113上形成一預(yù)編碼層114。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D6，在預(yù)編碼層114上形成一層光阻層116，然后，以一光罩118進(jìn)行微影，將光罩118上的圖案轉(zhuǎn)移到光阻層116上。之后再以光阻層116作為蝕刻罩幕，蝕刻預(yù)編碼層114，以在圖案化之后的預(yù)編碼層114a中形成數(shù)個(gè)預(yù)編碼開口120。各預(yù)編碼開口120與基底100之中的編碼區(qū)122相對(duì)應(yīng)。由于預(yù)編碼層114a的預(yù)編碼開口120的密度均一，因此，用來定義預(yù)編碼開口的光罩118并不須以較為復(fù)雜的光罩制作技術(shù)來加以制作。另一方面，由于此步驟以高精準(zhǔn)的步驟，即是以較為先進(jìn)的機(jī)臺(tái)來進(jìn)行曝光且以分辨率較高的光阻材料來制作光阻層116，而且由于基底100存儲(chǔ)單元區(qū)上欲形成的編碼開口圖案的密度均一，因此，在形成編碼開口120的蝕刻過程中并不會(huì)有微負(fù)載效應(yīng)，因此，所形成的編碼開口120均是形狀相同且大小均一者。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D7，于預(yù)編碼開口120之中填入填充層124，使基底100中的每一個(gè)編碼區(qū)122上均與一填充層124相對(duì)應(yīng)，其組件的上視圖如圖8所示。
上述的填充層124的材質(zhì)與預(yù)編碼層114a的材質(zhì)具有不同的蝕刻速率。預(yù)編碼層114a的材質(zhì)包括氧化硅、氮化硅或金屬；填充層124的材質(zhì)包括旋涂式玻璃、金屬或氧化硅。當(dāng)預(yù)編碼層114a的材質(zhì)為氧化硅或氮化硅時(shí)，填充層124例如為旋涂式玻璃層或金屬層，其中金屬層例如是由鈦/氮化鈦所組成的阻障層與鎢金屬層所構(gòu)成者。當(dāng)預(yù)編碼層114a的材質(zhì)為金屬時(shí)，填充層124的材質(zhì)例如為旋涂式玻璃層或氧化硅。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D9，在預(yù)編碼層114a與填充層124上覆蓋一罩幕層126，例如是一層光阻層。然后，以一光罩130進(jìn)行微影，將光罩130上的圖案轉(zhuǎn)移到罩幕層126上，以在罩幕層126中形成編碼開口128。編碼開口128裸露出與之對(duì)應(yīng)的預(yù)編碼開口120a之中的填充層124a，亦即是編碼區(qū)122a上方的填充層124a。上述步驟可以采用精準(zhǔn)度較低的步驟來進(jìn)行，例如是使用精準(zhǔn)度較低的光阻材料來制作罩幕層126，且可以以較不復(fù)雜的光罩制作技術(shù)所制作定義編碼開口128的光罩130，或以精準(zhǔn)度較低的機(jī)臺(tái)來進(jìn)行曝光。
其后，請(qǐng)參照?qǐng)D10，以罩幕層126為罩幕，將預(yù)編碼開口120a之中的填充層124a，亦即是將編碼區(qū)122a上方的填充層124a完全去除。由于預(yù)編碼層114a與填充層124的材質(zhì)具有不同的蝕刻率，因此，填充層124a可以采用具有選擇性的等向性蝕刻法以去除之，較佳的等向性蝕刻法是以濕式蝕刻法，例如是以氫氟酸溶液作為蝕刻溶液。當(dāng)編碼區(qū)122a上方的填充層124a完全去除之后，基底100上由一層預(yù)編碼層114a所覆蓋，而此編碼層114a中的編碼開口120有兩種狀態(tài)。其一是完全被填充層124所覆蓋；另一則是完全裸露，未被任何的填充層124或其它材料所填充，并且所裸露出來的編碼開口120均是形狀相同且大小均一者。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D11，去除罩幕層126，再以預(yù)編碼層114a與填充層124為罩幕，進(jìn)行編碼離子植入步驟132，以在已移除填充層124a的預(yù)編碼開口120a其所對(duì)應(yīng)的編碼區(qū)122a植入離子，以形成已植入離子134的編碼區(qū)122a。編碼離子植入步驟132所植入的離子可以是與埋入式位線108的離子型態(tài)相同或不相同者，例如是p型離子。
若是預(yù)編碼層114a或填充層124為金屬材質(zhì)，則在進(jìn)行編碼離子植入步驟132之后，必須再將其去除。
簡(jiǎn)而言之，本發(fā)明先以精準(zhǔn)度較高的光罩在預(yù)編碼層中定義出預(yù)編碼開口數(shù)組，再以精準(zhǔn)度較低的光罩在罩幕層中定義出編碼開口，之后，利用罩幕層為蝕刻罩幕，蝕刻去除對(duì)應(yīng)于編碼開口的預(yù)編碼開口之中所有的填充層。其后，再以預(yù)編碼層與填充層為罩幕，進(jìn)行一編碼離子植入步驟，即可在已移除填充層的預(yù)編碼開口其所對(duì)應(yīng)的編碼區(qū)植入離子。
由于本發(fā)明的預(yù)編碼層的材質(zhì)與填充層的材質(zhì)具有不同的蝕刻速率，因此，罩幕層的編碼開口僅需露出位于預(yù)定進(jìn)行編碼的編碼區(qū)上方的填充層的一部份，在后續(xù)的蝕刻制作工藝?yán)?，預(yù)定進(jìn)行編碼的編碼區(qū)上方的填充層則會(huì)被選擇性地完全被蝕刻去除。因此，只要預(yù)編碼層的預(yù)編碼開口可以準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)基底中的編碼區(qū)，則在進(jìn)行編碼離子植入時(shí)，所植入的離子即可自行對(duì)準(zhǔn)預(yù)定進(jìn)行編碼的編碼區(qū)。換言之，在定義罩幕層的編碼開口時(shí)，即使在微影過程中發(fā)生錯(cuò)誤對(duì)準(zhǔn)，或是在進(jìn)行蝕刻時(shí)會(huì)有微負(fù)載效應(yīng)，只要所形成的編碼開口可以裸露出預(yù)定進(jìn)行編碼的編碼區(qū)上方的填充層的一部份，則利用填充層與預(yù)編碼層蝕刻選擇性的不同，預(yù)編碼折編碼區(qū)上的形狀相同且大小均一的預(yù)編碼開口即可裸露出來，后續(xù)的編碼離子植入制作工藝所植入的離子即可自行對(duì)準(zhǔn)預(yù)定進(jìn)行編碼的編碼區(qū)。
由于罩幕層的編碼開口僅需裸露出預(yù)定進(jìn)行編碼的編碼區(qū)上方的填充層的一部份，因此其制作工藝的對(duì)準(zhǔn)裕度較大，可以使用精準(zhǔn)度較低的機(jī)臺(tái)來進(jìn)行，而且用以定義編碼開口的光罩可以使用較不復(fù)雜的光罩制作技術(shù)來加以制作而且光罩制作的時(shí)間也較短，此外，罩幕層亦可使用較不精準(zhǔn)的光阻，因此，可以有效降低成本。
另一方面，由于預(yù)編碼層的預(yù)編碼開口的密度均一，因此，用來定義預(yù)編碼開口的光罩并不須以較為復(fù)雜的光罩制作技術(shù)來加以制作。而且，不論存儲(chǔ)元件要如何編碼，其所需的預(yù)編碼開口均是相同，因此，僅需制作一個(gè)精準(zhǔn)度較高的光罩，即可將其用在各種編碼產(chǎn)品上。故在制作罩幕式只讀存儲(chǔ)器時(shí)，可以以既有的預(yù)編碼光罩來定義預(yù)編碼層，而不須再額外定作光罩。
因此，整體而言，本發(fā)明可以制造高集成度的存儲(chǔ)元件、增加制作工藝的欲度、提高制作工藝的良率、降低制造的成本并且可以縮短出貨的時(shí)間。
雖然本發(fā)明已以一較佳實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許之更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于該方法包括提供一基底；于該基底中形成復(fù)數(shù)條埋入式位線并于該基底上形成復(fù)數(shù)條字線，其中該些字線的走向與該些埋入式位線大致垂直，且于任一條字線下方的任二埋入式位線之間的基底上形成一柵極，并于該些柵極之間以及該些字線之間形成一介電層；在該基底上形成一預(yù)編碼層；在該預(yù)編碼層中形成復(fù)數(shù)個(gè)預(yù)編碼開口，該些預(yù)編碼開口與該些柵極下方的基底中的復(fù)數(shù)個(gè)編碼區(qū)對(duì)應(yīng)；于該預(yù)編碼開口中填入一填充層；于該基底上形成一編碼罩幕；在該編碼罩幕中形成至少一編碼開口，該編碼開口至少裸露出該些預(yù)編碼開口的一第一預(yù)編碼開口中的該填充層；移除該第一預(yù)編碼開口中的該填充層；去除該編碼罩幕；以及以該預(yù)編碼層與該些預(yù)編碼開口中的該填充層為罩幕，進(jìn)行一編碼離子植入步驟，以在該第一預(yù)編碼開口其所對(duì)應(yīng)的該編碼區(qū)植入離子。
2.如權(quán)利要求1所述的罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于該些埋入式位線、該些字線、該些柵極以及該介電層的形成方法包括于該基底上形成一柵介電層；于該柵介電層上形成復(fù)數(shù)條導(dǎo)體線；以該些導(dǎo)體線為罩幕，進(jìn)行離子植入，以于該基底中形成該些埋入式位線；于該些導(dǎo)體線之間填入一第一介電層；于該基底上形成一導(dǎo)體層；圖案化該導(dǎo)體層并同時(shí)將該些導(dǎo)體線圖案化，以形成該些字線與該些柵極；以及于該些字線之間填入一第二介電層，其中該第一、該第二介電層構(gòu)成該介電層。
3.如權(quán)利要求1所述的罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于該預(yù)編碼層的材質(zhì)與該填充層的材質(zhì)具有不同的蝕刻速率。
4.如權(quán)利要求3所述的罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于該預(yù)編碼層的材質(zhì)包括氧化硅、氮化硅與金屬其中之一。
5.如權(quán)利要求4所述的罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于當(dāng)該預(yù)編碼層的材質(zhì)為金屬時(shí)，在進(jìn)行該編碼離子植入步驟之后，還包括一去除該預(yù)編碼層的步驟。
6.如權(quán)利要求3所述的罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于該填充層的材質(zhì)包括旋涂式玻璃、金屬與氧化硅其中之一。
7.如權(quán)利要求6所述的罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于當(dāng)該填充層的材質(zhì)為金屬時(shí)，在進(jìn)行該編碼離子植入步驟之后，還包括一去除該填充層的步驟。
8.如權(quán)利要求1所述的罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于在該預(yù)編碼層中形成該些預(yù)編碼開口的步驟的精準(zhǔn)度高于在該編碼罩幕中形成該編碼開口的步驟的精準(zhǔn)度。
9.如權(quán)利要求1所述的罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于該移出該第一預(yù)編碼開口所裸露的該填充層的步驟采用等向性蝕刻制作工藝。
10.如權(quán)利要求9所述的罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于該移出該第一預(yù)編碼口所裸露的該填充層的步驟采用濕式蝕刻制作工藝。
11.如權(quán)利要求1所述的罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于該編碼罩幕包括光阻層。
12.一種內(nèi)存的編碼方法，其特征在于該方法包括在一基底上形成一預(yù)編碼層；在該預(yù)編碼層中形成復(fù)數(shù)個(gè)預(yù)編碼開口，該些預(yù)編碼開口與該基底中的復(fù)數(shù)個(gè)編碼區(qū)對(duì)應(yīng)；于該些預(yù)編碼開口中填入一填充層；于該基底上形成一編碼罩幕；于該編碼罩幕中形成至少一編碼開口，該編碼開口至至少裸露出該些預(yù)編碼開口的一第一預(yù)編碼開口中的該填充層；移除該第一預(yù)編碼開口中的該填充層；去除該編碼罩幕；以該預(yù)編碼層與該些預(yù)編碼開口中的該填充層為罩幕，進(jìn)行一編碼離子植入步驟，以在該第一預(yù)編碼開口其所對(duì)應(yīng)的該編碼區(qū)植入離子。
13.如權(quán)利要求12所述的內(nèi)存的編碼方法，其特征在于該預(yù)編碼層的材質(zhì)與該填充層的材質(zhì)具有不同的蝕刻速率。
14.如權(quán)利要求13所述的內(nèi)存的編碼方法，其特征在于該預(yù)編碼層的材質(zhì)包括氧化硅、氮化硅與金屬其中之一。
15.如權(quán)利要求14所述的內(nèi)存的編碼方法，其特征在于當(dāng)該預(yù)編碼層的材質(zhì)為金屬時(shí)，在進(jìn)行該編碼離子植入步驟之后，更包括一去除該預(yù)編碼層的步驟。
16.如權(quán)利要求13所述的內(nèi)存的編碼方法，其特征在于該填充層的材質(zhì)包括旋涂式玻璃、金屬與氧化硅其中之一。
17.如權(quán)利要求16所述的內(nèi)存的編碼方法，其特征在于當(dāng)該填充層的材質(zhì)為金屬時(shí)，在進(jìn)行該編碼離子植入步驟之后，還包括一去除該填充層的步驟。
18.如權(quán)利要求12所述的內(nèi)存的編碼方法，其特征在于該移除該第一預(yù)編碼開口中的該填充層的步驟采用等向性蝕刻制作工藝。
19.如權(quán)利要求18所述的內(nèi)存的編碼方法，其特征在于該移除該第一預(yù)編碼開口征的該填充層的步驟采用濕式蝕刻制作工藝。
20.如權(quán)利要求12所述的內(nèi)存的編碼方法，其特征在于該編碼罩幕包括光阻層。
21.如權(quán)利要求12所述的內(nèi)存的編碼方法，其特征在于在該預(yù)編碼層中形成該些預(yù)編碼開口的步驟的精準(zhǔn)度高于在該編碼罩幕中形成該編碼開口的步驟的精準(zhǔn)度。
全文摘要
一種罩幕式只讀存儲(chǔ)器的制造方法，此方法先在基底中形成埋入式位線并在基底上形成柵極與字線，之后，以一精準(zhǔn)度較高的步驟，在基底上形成一具有復(fù)數(shù)個(gè)預(yù)編碼開口的預(yù)編碼層，該些預(yù)編碼開口與基底中的復(fù)數(shù)個(gè)編碼區(qū)對(duì)應(yīng)。其后，在該些預(yù)編碼開口中填入一填充層，再以一精準(zhǔn)度較低的步驟，于基底上形成一編碼罩幕。接著，將編碼罩幕的編碼開口其所對(duì)應(yīng)的預(yù)編碼開口之中的填充層完全去除。之后，移除編碼罩幕，再以預(yù)編碼層與填充層為罩幕，進(jìn)行一編碼離子植入步驟，以在已移除填充層的預(yù)編碼開口其所對(duì)應(yīng)的編碼區(qū)植入離子。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1516271SQ0310024
公開日2004年7月28日 申請(qǐng)日期2003年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月6日
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