專利名稱：薄膜晶體管陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器(liquid crystal display，簡(jiǎn)稱LCD)中的薄膜晶體管陣列(thin film transistor array，簡(jiǎn)稱TFT array)的制作方法，尤其涉及一種能夠除靜電(electrostatic discharge，簡(jiǎn)稱ESD)破壞的薄膜晶體管陣列的制作方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器由于具有低電壓操作、無輻射線散射、重量輕以及體積小等傳統(tǒng)陰極射線管(cathode ray tube，簡(jiǎn)稱CRT)所制造的顯示器無法達(dá)到的優(yōu)點(diǎn)，與其他平板式顯示器如等離子體顯示器及電致發(fā)光(electroluminance)顯示器成為近年來顯示器研究的主要課題，更被視為二十一世紀(jì)顯示器的主流。目前液晶顯示器的發(fā)展，以主動(dòng)矩陣式(active matrix)液晶顯示器最被看好成為下一代主要的產(chǎn)品，這是由于當(dāng)掃描配線(scan line)數(shù)增加時(shí)，若各個(gè)像素皆需由外部來驅(qū)動(dòng)時(shí)，每一個(gè)像素所分配到的驅(qū)動(dòng)時(shí)間(duty)將會(huì)很少，結(jié)果將使顯示器的顯示特性變差。
主動(dòng)矩陣式液晶顯示器直接在像素電極(pixel electrode)處形成晶體管(transistor)或是二極管(diode)等主動(dòng)元件(active element)，來控制液晶顯示器的資料寫入。其中又以薄膜晶體管液晶顯示器被視為現(xiàn)今液晶顯示器的主流之一。當(dāng)像素電極處于選擇的狀態(tài)下(即打開“ON”的狀態(tài)下)，訊號(hào)將寫入此像素上；當(dāng)像素電極處于非選擇的狀態(tài)下(即關(guān)閉“OFF”的狀態(tài)下)，儲(chǔ)存電容可維持驅(qū)動(dòng)液晶的電位。因此，液晶與驅(qū)動(dòng)時(shí)間呈現(xiàn)了靜態(tài)(static)的特性。
薄膜晶體管液晶顯示器中的薄膜晶體管陣列通常是以所謂的“五道光罩”的制程所制作出來的，如圖1A至圖1E所示。其中，每一道光罩制程例如是經(jīng)過光阻涂布、軟烤、硬烤、曝光、定影、顯影、蝕刻等步驟，以將各層薄膜圖案化。
圖1A至圖1E是現(xiàn)有的一種薄膜晶體管陣列的制造流程剖視圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1A，利用第一道光罩的制程，在基板100表面形成第一金屬層102，此第一金屬層102為一圖案化的金屬層，其主要是由柵極102a以及與柵極102a連接的掃描配線102b所構(gòu)成。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D1B，形成一柵極絕緣層(gate insulating，簡(jiǎn)稱GI)104覆蓋基板100與其上的柵極102a和掃描配線102b。之后，利用第二道光罩的制程，在柵極絕緣層104上形成橫跨柵極102a的通道層(channel layer)106。
接著，請(qǐng)參照第1C圖，利用第三道光罩的制程，在基板100上形成第二金屬層110，此第二金屬層110為一圖案化的金屬層，其主要是由源/漏極(source/drain)110a以及與源/汲源110a一端(源極端)連接的數(shù)據(jù)配線(data line)110b所構(gòu)成。此外，源/漏極110a是位于通道層106的兩側(cè)。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D1D，在基板100上形成一層保護(hù)層(passivationlayer)112以覆蓋上述薄膜，即第一金屬層102、柵極絕緣層104、通道層106、第二金屬層110。然后，利用第四道光罩的制程，在保護(hù)層112中形成接觸窗口(contact opening)114，以暴露出源/漏極110a的另一端(漏極端)。
隨后，請(qǐng)參照?qǐng)D1E，利用第五道光罩的制程，在保護(hù)層112上形成像素電極116，此像素電極116的材質(zhì)例如為銦錫氧化物、銦鋅氧化物(IZO)等。此外，像素電極116可藉由保護(hù)層112中的接觸窗口114與源/漏極110a的另一端(漏極端)電性連接。
上述的第四道光罩制程中，除了會(huì)在保護(hù)層中形成接觸窗口之外，還會(huì)如圖1F所示，它是圖1E周邊的剖面示意簡(jiǎn)圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1F，在鄰近于基板100邊緣的柵極絕緣層104與保護(hù)層112中形成開口115a、115b，這些開口115a、115b會(huì)同時(shí)暴露出第一金屬層102與第二金屬層110。在第五道光罩制程中，第一金屬層102與第二金屬層110才會(huì)藉由所形成的像素電極116彼此電性連接。換言之，在第四道光罩制程之前，第一金屬層102與第二金屬層110是彼此隔離的狀態(tài)，因此造成兩金屬層之間靜電破壞的機(jī)率大為提高。
目前有一種解決上述因第一金屬層與第二金屬層彼此隔離而造成靜電破壞的方法，是增加一道光罩制程將柵極絕緣層圖案化。其中，圖案化之后的柵極絕緣層具有能夠?qū)⒌谝唤饘賹与姳┞兜亩搪翻h(huán)狀開口(short ring)，此短路環(huán)狀開口將會(huì)使得后續(xù)形成的第二金屬層能夠與其下的第一金屬層電性連接。然而，這種解決方式必須增加一道光罩制程，不但會(huì)增加制程的復(fù)雜度且會(huì)增加制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種薄膜晶體管陣列的制作方法，以避免現(xiàn)有的在形成像素電極之前，因第一金屬層與第二金屬層彼此隔離而導(dǎo)致靜電破壞的發(fā)生。
本發(fā)明的再一目的是提供一種薄膜晶體管陣列的制作方法，在不增加制程復(fù)雜度以及增加制造成本的情形下，避免因第一金屬層與第二金屬層彼此隔離而導(dǎo)致靜電破壞的發(fā)生。
根據(jù)上述與其它目的，本發(fā)明提出一種薄膜晶體管陳列的制作方法，適于在具有至少一預(yù)定顯示區(qū)的一基板上形成一薄膜晶體管陣列，包括在基板上形成一第一圖案化導(dǎo)體層，此第一圖案化導(dǎo)體層的分布范圍超出預(yù)定顯示區(qū)，再在基板上形成一第一介電層，藉由第一介電層使得預(yù)定顯示區(qū)以外的部分第一圖案化導(dǎo)體層暴露出來。然后，在第一介電層上形成一第二圖案化導(dǎo)體層，此第二圖案化導(dǎo)體層與暴露的第一圖案化導(dǎo)體層電性連接。之后，在基板上形成一第二介電層，其具有多個(gè)接觸窗口。接著，在第二介電層上形成多個(gè)像素電極，以使得像素電極藉由接觸窗口與第二圖案化導(dǎo)體層相連。最后，去除位于預(yù)定顯示區(qū)外的部分第二介電層、第三圖案化導(dǎo)體層、第一介電層以及第一圖案化導(dǎo)體層。
本發(fā)明另外提出一種除靜電破壞的方法，適用在制作具有預(yù)定顯示區(qū)的薄膜晶體管陣列，而薄膜晶體管陣列包括分布范圍超出預(yù)定顯示區(qū)且包括數(shù)個(gè)柵極以及與柵極連接的數(shù)條掃描配線的一第一圖案化導(dǎo)體層、形成于第一圖案化導(dǎo)體層上包括數(shù)個(gè)源/漏極以及與源/漏極一端(源極端)連接的數(shù)條數(shù)據(jù)配線的一第二圖案化導(dǎo)體層、形成于第一圖案化導(dǎo)體層與第二圖案化導(dǎo)體層之間的一第一介層以及連接源/漏極一端(漏極端)的一像素電極，其特征在于，形成第一介電層時(shí)，將其覆蓋預(yù)定顯示區(qū)內(nèi)的柵極以及掃描配線，且暴露出位于預(yù)定顯示區(qū)外的部分第一圖案化導(dǎo)體層。然后，在第一圖案化導(dǎo)體層上形成第二圖案化導(dǎo)體層時(shí)，使第二圖案化導(dǎo)體層與暴露出的部分第一圖案化導(dǎo)體層電性相連。
其中，形成第一介電層的步驟例如使用化學(xué)氣相沉積法，并控制其制程參數(shù)，以使第一介電層僅覆蓋預(yù)定顯示區(qū)內(nèi)的柵極與掃描配線，而暴露出位于預(yù)定顯示區(qū)外的部分第一圖案化導(dǎo)體層。
本發(fā)明又提出一種薄膜晶體管陣列的半成品結(jié)構(gòu)，適于形成在具有至少一預(yù)定顯示區(qū)的一基板上，此半成品結(jié)構(gòu)包括一第一圖案化導(dǎo)體層、一介電層以及一第二圖案化導(dǎo)體層。第一圖案化導(dǎo)體層是配置于基板上且分布范圍超出預(yù)定顯示區(qū)。介電層則覆蓋部分第一圖案化導(dǎo)體層，且暴露預(yù)定顯示區(qū)以外的部分第一圖案化導(dǎo)體層。第二圖案化導(dǎo)體層是配置于介電層上，且第二圖案化導(dǎo)體層與暴露出來的第一圖案化導(dǎo)體層是電性連接的。
本發(fā)明因?yàn)樵谠?漏極和數(shù)據(jù)配線形成之前，就將第二圖案化導(dǎo)體層與第一圖案化導(dǎo)體層電性相連，故可避免現(xiàn)有技術(shù)中在形成像素電極之前發(fā)生靜電破壞的情形。而且，本發(fā)明不需額外的光罩制程，因此可在不增加制程復(fù)雜度以及增加制造成本的情形下，避免因第一金屬層與第二金屬層彼此隔離而導(dǎo)致靜電破壞的發(fā)生。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。


圖1A至圖1E是現(xiàn)有的一種薄膜晶體管陣列的制造流程示意圖；圖1F是顯示圖1E周邊的剖面示意簡(jiǎn)圖；圖2A至圖2C是依照本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管陣列的前段制程示意圖；圖3A是顯示圖2B中的III部分的放大示意圖；圖3B是顯示圖2C的剖面示意簡(jiǎn)圖；
圖3C是顯示圖2C中的III’部分的放大示意圖；以及圖3D至圖3E所示是圖3B的步驟后的薄膜晶體管陣列的制造流程示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖2A至圖2C是依照本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管(thin filmtransistor，簡(jiǎn)稱TFT)陣列(array)的前段制程示意圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D2A，提供一基板200，在基板200中包括數(shù)個(gè)預(yù)定顯示區(qū)201。在本實(shí)施例中所描述的“預(yù)定顯示區(qū)”是指在基板200上每一個(gè)預(yù)定制成顯示器面板的區(qū)域。雖然在本實(shí)施例中的預(yù)定顯示區(qū)201的數(shù)目是6個(gè)，但應(yīng)用本發(fā)明于薄膜晶體管制程時(shí)，并不限定預(yù)定顯示區(qū)201的數(shù)量。然后，在基板200的表面形成一第一圖案化導(dǎo)體層202，其中第一圖案化導(dǎo)體層202分布范圍超出預(yù)定顯示區(qū)201。而第一圖案化導(dǎo)體層202包括數(shù)個(gè)柵極202a以及與柵極202a連接的數(shù)條掃描配線(scanline)202b，其形成步驟例如是在基板200上先形成一第一導(dǎo)體層(未示出)，然后再利用微影蝕刻制程定義此第一導(dǎo)體層，使其成為圖2A所示的柵極202a以及掃描配線202b，其中第一導(dǎo)體層的形成方法例如是濺鍍法(sputtering)，而其材質(zhì)例如是金屬材質(zhì)如鉻(chronlium)或鉭(tantalum)。為簡(jiǎn)化圖示，在本圖中的各預(yù)定顯示區(qū)201僅顯示一條掃描配線202b以及這條掃描配線202b上的柵極202a。然而，實(shí)際上每一預(yù)定顯示區(qū)201中不只一條掃描配線202b。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2B，在基板200上形成一第一介電層204，可作為柵極絕緣層(gate insulating，簡(jiǎn)稱GI)，并覆蓋預(yù)定顯示區(qū)201內(nèi)的柵極202a和掃描配線202b，且暴露出位于預(yù)定顯示區(qū)201外的部分第一圖案化導(dǎo)體層202。而此第一介電層204的形成方法例如是使用等離子體化學(xué)氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition，簡(jiǎn)稱PECVD)并配合沉積制程參數(shù)的控制，以使第一介電層204僅覆蓋預(yù)定顯示區(qū)201內(nèi)的間極202a與掃描配線202b，而暴露出位于預(yù)定顯示區(qū)201外的部分第一圖案化導(dǎo)體層202。而第一介電層204的材質(zhì)例如是氮化矽(silicon nitride，SiNx)。
之后的步驟是在基板200上形成橫跨柵極202a的通道層(channellayer)，但是因?yàn)閳D2B是一宏觀示意圖，所以為說明此步驟，需參照?qǐng)D3A，其是圖2B中的III部分的放大示意圖。由圖3A可知，第一介電層204僅覆蓋于預(yù)定顯示區(qū)201內(nèi)的柵極202a和掃描配線202b上，而暴露出預(yù)定顯示區(qū)201外的部分第一圖案化導(dǎo)體層202，以及一層形成于基板200上橫跨柵極202a的通道層206，其中通道層206可以是通道非晶矽薄膜(channel amorphous-Si layer)。而在通道層206形成之后，還可以選擇性地在通道層206上形成一層歐姆接觸層(未示出)，其中歐姆接觸層例如是一層n+非晶矽薄膜。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2C，在基板200上形成一層第二圖案化導(dǎo)體層210，以使第二圖案化導(dǎo)體層210與暴露出的部分第一圖案化導(dǎo)體層202電性相連，其中第二圖案化導(dǎo)體層210包括數(shù)個(gè)源/漏極(source/drain)210a以及與源/漏極210a一端(源極端)連接的數(shù)條數(shù)據(jù)配線(data line)210b。而為簡(jiǎn)化圖示，在本圖中僅顯示一條數(shù)據(jù)配線210b以及這條數(shù)據(jù)配線210b上的源/漏極210a。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D2C，第二圖案化導(dǎo)體層210的形成步驟例如是在基板200上先形成一第二導(dǎo)體層(未示出)，然后再利用微影蝕刻制程定義此第二導(dǎo)體層，使其成為圖2C所示的源/漏極210a以及數(shù)據(jù)配線210b，其中第二導(dǎo)體層的形成方法例如是濺鍍法，而其材質(zhì)例如是金屬材質(zhì)如鋁。此時(shí)，由于第二圖案化導(dǎo)體層210與第一圖案化導(dǎo)體層202電性相連，故可避免現(xiàn)有技術(shù)在形成像素電極之前發(fā)生靜電(electrostaticdischarge，簡(jiǎn)稱ESD)破壞的情形。
之后，為了詳細(xì)說明第一圖案化導(dǎo)體層202、第一介電層204以及第二圖案化導(dǎo)體層210的相對(duì)位置，需參照?qǐng)D3B與3C，其中圖3B是顯示圖2C的剖面示意簡(jiǎn)圖，而圖3C是圖2C中的III’部分的放大示意圖。請(qǐng)先參照?qǐng)D3B，基板200上的第一圖案化導(dǎo)體層202與第二圖案化導(dǎo)體層210在預(yù)定顯示區(qū)201范圍外互相連接，而在預(yù)定顯示區(qū)201范圍內(nèi)則是被第一介電層204所隔絕。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D3C，在預(yù)定顯示區(qū)201內(nèi)包含源/漏極210a以及數(shù)據(jù)配線210b的第二圖案化導(dǎo)體層210是通過第一介電層204而與底下包含柵極202a和掃描配線202b的第一圖案化導(dǎo)體層202相隔離；而第一圖案化導(dǎo)體層202與第二圖案化導(dǎo)體層210在預(yù)定顯示區(qū)201外則是電性相連的。
在完成源/漏極210a以及數(shù)據(jù)配線210b之后，請(qǐng)參照?qǐng)D3D至圖3E所示，顯示了圖3C的步驟后的薄膜晶體管陣列的制造流程示意圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D3D，在基板200上形成一層作為保護(hù)層(passivationlayer)的第二介電層212覆蓋上述元件，其中第二介電層212具有數(shù)個(gè)暴露出源/漏極210a另一端(漏極端)的接觸窗口(contact opening)214，而第二介電層212的材質(zhì)例如是介電質(zhì)。
隨后，請(qǐng)參照?qǐng)D3E，在預(yù)定顯示區(qū)201內(nèi)形成一像素電極(pixelelectrode)216并填滿第二介電層212的接觸窗口214，其中像素電極216例如是氧化銦錫(ITO)薄膜。而且，待完成上述制程后，可包括利用蝕刻制程去除預(yù)定顯示區(qū)201外的部分第二介電層212、第二圖案化導(dǎo)體層210、第一介電層204以及第一圖案化導(dǎo)體層202。
如上所述，本發(fā)明的特點(diǎn)在于將第二圖案化導(dǎo)體層與第一圖案化導(dǎo)體層電性相連，以避免現(xiàn)有技術(shù)中的在形成像素電極之前發(fā)生靜電破壞。此外，本發(fā)明不需額外的光罩制程，因此可在不增加制程復(fù)雜度以及增加制造成本的情形下。避免因第一金屬層與第二金屬層彼此隔離而導(dǎo)致靜電破壞的發(fā)生。
雖然已以優(yōu)選實(shí)施例形式公開了本發(fā)明，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可對(duì)本發(fā)明作出各種修改。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列的制作方法，適于在具有至少一預(yù)定顯示區(qū)的一基板上形成一薄膜晶體管陣列，該薄膜晶體管陣列的制作方法包括在該基板上形成一第一圖案化導(dǎo)體層，該第一圖案化導(dǎo)體層的分布范圍超出該預(yù)定顯示區(qū)；在該基板上形成一第一介電層，藉由該第一介電層使得該預(yù)定顯示區(qū)以外的部分該第一圖案化導(dǎo)體層暴露出來；在該第一介電層上形成一第二圖案化導(dǎo)體層，該第二圖案化導(dǎo)體層與暴露出來的該第一圖案化導(dǎo)體層電性連接；在該基板上形成一第二介電層，該第二介電層具有多個(gè)接觸窗口；在該第二介電層上形成多個(gè)像素電極，以使得這些像素電極藉由這些接觸窗口與該第二圖案化導(dǎo)體層相連；以及去除位于該預(yù)定顯示區(qū)外的部分該第二介電層、該第二圖案化導(dǎo)體層、該第一介電層以及該第一圖案化導(dǎo)體層。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列的制作方法，其特征在于，該第一圖案化導(dǎo)體層包括多個(gè)柵極以及多條與這些柵極連接的掃瞄配線。
3.權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列的制作方法，其特征在于，在該基板上形成該第一介電層的方法包括使用等離子體化學(xué)氣相沉積法，藉由控制該等離子體化學(xué)氣相沉積法的參數(shù)，以使該第一介電層僅覆蓋該預(yù)定顯示區(qū)內(nèi)的這些柵極與這些掃描配線，而暴露出位于該預(yù)定顯示區(qū)外的部分該第一圖案化導(dǎo)體層。
4.權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列的制作方法，其特征在于，在該基板上形成該第一圖案化導(dǎo)體層的步驟包括在該基板上形成一第一導(dǎo)體層；利用微影蝕刻制程定義該第一導(dǎo)體層，以形成這些柵極以及與這些柵極連接的這些掃瞄配線。
5.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列的制作方法，其特征在于，在該基板上形成該第一介電層之后，還包括在該第一介電層上形成多個(gè)通道層，這些通道層是橫跨這些柵極。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列的制作方法，其特征在于，該第二圖案化導(dǎo)體層包括多個(gè)源/漏極以及與這些源/漏極的一端連接的這些數(shù)據(jù)配線。
7.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管陣列的制作方法，其特征在于，在該第一介電層上形成該第二圖案化導(dǎo)體層的步驟包括在該基板上形成一第二導(dǎo)體層；利用微影蝕刻制程定義該第二導(dǎo)體層，以形成這些源/漏極以及與這些源/漏極的一端連接的這些數(shù)據(jù)配線。
8.一種除靜電破壞的方法，適用在制作具有至少一預(yù)定顯示區(qū)的一薄膜晶體管陣列，該薄膜晶體管陣列至少包括分布范圍超出該預(yù)定顯示區(qū)的一第一圖案化導(dǎo)體層，該第一圖案化導(dǎo)體層包括多個(gè)柵極以及與這些柵極連接的多條掃瞄配線、形成于該第一圖案化導(dǎo)體層上的一第二圖案化導(dǎo)體層，該第二圖案化導(dǎo)體層包括多個(gè)源/漏極以及與這些源/漏極的一端連接的多條數(shù)據(jù)配線、形成于該第一圖案化導(dǎo)體層與該第二圖案化導(dǎo)體層之間的一第一介電層、形成于該第二圖案化導(dǎo)體層上的一第二介電層以及在該第二介電層上且電性連接這些源/漏極的另一端的一像素電極，其特征在于形成該第一介電層覆蓋該預(yù)定顯示區(qū)內(nèi)的這些柵極以及這些掃瞄配線，且暴露出位于該預(yù)定顯示區(qū)外的部分該第一圖案化導(dǎo)體層；以及在該第一圖案化導(dǎo)體層上形成該第二圖案化導(dǎo)體層，以使該第二圖案化導(dǎo)體層與暴露出的部分該第一圖案化導(dǎo)體層電性相連。
9.一種薄膜晶體管陣列的半成品結(jié)構(gòu)，適于形成在具有至少一預(yù)定顯示區(qū)的一基板上，該半成品結(jié)構(gòu)包括一第一圖案化導(dǎo)體層，配置于該基板上，該第一圖案化導(dǎo)體層的分布范圍超出該預(yù)定顯示區(qū)；一介電層，覆蓋部分該第一圖案化導(dǎo)體層，且暴露該預(yù)定顯示區(qū)以外的部分該第一圖案化導(dǎo)體層；一第二圖案化導(dǎo)體層，配置于該介電層上，該第二圖案化導(dǎo)體層與暴露出來的該第一圖案化導(dǎo)體層電性連接。
10.如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管陣列的半成品結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一圖案化導(dǎo)體層包括多個(gè)柵極以及多條與這些柵極連接的掃瞄配線。
全文摘要
一種薄膜晶體管陣列的制作方法，適于在具有至少一預(yù)定顯示區(qū)的一基板上制作，是先于基板上形成一第一圖案化導(dǎo)體層，且其分布范圍超出預(yù)定顯示區(qū)。然后，于基板上形成一第一介電層，并暴露預(yù)定顯示區(qū)以外的部分第一圖案化導(dǎo)體層。之后，于第一介電層上形成一第二圖案化導(dǎo)體層，其是與暴露的第一圖案化導(dǎo)體層電性連接，再于基板上形成具有數(shù)個(gè)接觸窗口的一第二介電層。接著，于第二介電層上形成藉由接觸窗口與第二圖案化導(dǎo)體層相連的數(shù)個(gè)像素電極。最后去除位于預(yù)定顯示區(qū)外的各層。因此，上述制作方法可避免靜電破壞的發(fā)生。本發(fā)明還涉及一種薄膜晶體管陣列的半成品結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01L21/00GK1516231SQ0310093
公開日2004年7月28日 申請(qǐng)日期2003年1月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月8日
發(fā)明者洪孟逸 申請(qǐng)人:廣輝電子股份有限公司