專利名稱：配線構(gòu)造及制造方法、帶配線構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置及配線基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及配線構(gòu)造及其制造方法、以及具備配線構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置及配線基板，尤其涉及作為傳輸信號用的傳輸線路的配線構(gòu)造及其制造方法，以及具備配線構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置及配線基板。
背景技術(shù)：
近年來，隨著半導(dǎo)體裝置的精密化及高速化，信號頻率接近G赫茲(GHz)。一部分半導(dǎo)體裝置已經(jīng)超過1GHz。頻率處于GHz領(lǐng)域，半導(dǎo)體裝置的設(shè)計中，以往用于集中參數(shù)電路的信號配線的處理方法就顯得行不通，而應(yīng)當(dāng)以分布參數(shù)處理信號配線。這里，所謂的集中參數(shù)電路，是指電感及電阻的大小集中存在于電路的有限范圍進(jìn)行處理的電路。此外，所謂分布參數(shù)電路，線路的單位長度的電阻及電感等遍及線路全體作同等處理的電路。在這種分布參數(shù)電路中，傳輸信號的路徑稱為傳輸線路。該傳輸線路成為傳輸電磁波的線路。
以往，半導(dǎo)體裝置接點(diǎn)內(nèi)的配線，由于配線長度不長，作為集中參數(shù)電路處理。為此，在半導(dǎo)體裝置接點(diǎn)內(nèi)不采用傳輸線路構(gòu)造。此外，在實(shí)裝半導(dǎo)體裝置的配線基板，配線長度長，所以，通常采用以往的傳輸線路(例如，參照特許公開公報2002-158227號)。
圖12～圖15是表示以往的傳輸線路構(gòu)造例的剖視圖。在圖12，表示包含埋入絕緣膜103內(nèi)的信號線102、及分別形成在絕緣膜103的下面和上面的屏蔽線(接地線)101及104的帶狀線構(gòu)造。此外，在圖13，表示包含形成在絕緣膜113的一方的面上的屏蔽線(接地線)111、及形成在絕緣膜113的他方的面上的信號線112的微波帶狀線構(gòu)造。此外，在圖14，表示在絕緣膜123的一方及他方的面上，分別形成具有同幅及同厚的信號線121及屏蔽線(接地線)122的積層雙線構(gòu)造。
此外，在圖15，表示具有信號線131，以及經(jīng)由絕緣物133包圍信號線131形成的屏蔽線(接地線)132的同軸電纜。
如上所述，在實(shí)裝以往的半導(dǎo)體裝置用的配線基板上，采用圖12～圖15的傳輸線路。
另外，如果工作在GHz的信號頻率區(qū)，半導(dǎo)體裝置接點(diǎn)內(nèi)的配線也應(yīng)作為傳輸線路處理。此時，例如，采用以往的半導(dǎo)體裝置的制造工序形成具有如圖12所示的帶狀線構(gòu)造的傳輸線路構(gòu)造，形成屏蔽線101及104，形成信號線102，共計3次，要進(jìn)行包括石印工序、腐蝕工序及保護(hù)膜除去工序的圖案形成工序。為此，帶來不僅制造工序復(fù)雜，同時制造費(fèi)用上升等問題。此外，對于圖13及圖14的構(gòu)造，在作為半導(dǎo)體裝置接點(diǎn)內(nèi)的配線形成的場合，在形成信號線及屏蔽線時，也要經(jīng)過2次的圖案形成工序(石印工序、腐蝕工序及保護(hù)膜除去工序)，所以，此時也有制造工序復(fù)雜，同時制造費(fèi)用也上升等問題。
此外，在實(shí)裝前述半導(dǎo)體裝置用的配線基板上采用的如圖12～圖14所示的傳輸線路構(gòu)造中，由于屏蔽線的屏蔽效果不十分好，所以，隨著頻率的增大，信號的傳輸容易受到外部的影響。為此，有時出現(xiàn)難以充分地抑制別處的信號系統(tǒng)的信號泄漏到一方的信號系統(tǒng)的信號中來的所謂串音的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一是提供包括可簡化制造工序的傳輸線路構(gòu)造的配線構(gòu)造及其制造方法以及配線構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置及配線基板。
本發(fā)明的另一目的是在包括前述配線構(gòu)造及其制造方法并配線構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置與配線基板上，得到具有高屏蔽效果的高可靠性的傳輸線路。
本發(fā)明的第1局面的配線構(gòu)造，包括第1槽，形成在基板上的第1絕緣膜上，第1配線，沿所述第1槽的內(nèi)面的至少一部分、形成在所述第1槽的延伸方向，以及第2配線，構(gòu)成與所述第1配線一起傳輸信號用的傳輸線路，經(jīng)第2絕緣膜與所述第1配線對向形成；將所述第1配線、所述第2絕緣膜及所述第2配線，埋入在所述第1槽內(nèi)。
在第1局面的配線構(gòu)造中，如上所述，通過將經(jīng)第2絕緣膜形成的第1配線及第2配線埋入第1絕緣膜的第1槽內(nèi)形成，所以，可形成埋入單一的第1絕緣膜內(nèi)的傳輸線路構(gòu)造。在這樣的傳輸線路構(gòu)造，石印工序、腐蝕工序及保護(hù)膜除去工序，在形成第1槽時只要進(jìn)行1次就行了，因此，不僅可以簡化制造工序，而且可減低制造成本。
在前述第1局面的配線構(gòu)造，最好是，形成所述第1配線，使得沿所述第1槽的內(nèi)面覆蓋所述第1槽的實(shí)質(zhì)內(nèi)面的全域，經(jīng)所述第2絕緣膜與所述第1配線對向形成的所述第2配線，形成與所述第1配線的對向面，使得由所述第1配線包圍。
按照這樣的構(gòu)成，在將第2配線作為信號線使用時，可獲得第1配線的屏蔽效果高的構(gòu)造。這樣，由第2配線進(jìn)行的信號的傳輸，不易受外部影響，對于超過GHz區(qū)域的高頻率信號，可抑制串音傳輸。這一結(jié)果，可作為高可靠性的傳輸線路使用。
此時，最好，第1配線，含有屏蔽線，第2配線，含有信號線。按照這樣的構(gòu)成，作為信號線的第2配線被作為屏蔽線的第1配線包圍，可提高對作為信號線的第2配線的屏蔽效果。
此外，在第2配線被第1配線包圍的前述配線構(gòu)造中，第1槽，可具有上寬下窄的梯形形狀。
按照這樣的構(gòu)成，第1槽的底部的拐角部，成為鈍角狀。與第1槽是矩形狀的場合比較，可緩和電場集中。
此外，在第2配線被第1配線包圍的前述配線構(gòu)造中，第1槽的底部的拐角部，也可具有圓形形狀。
按照這樣的構(gòu)成，可以把第1配線及第2配線做成無角部的形狀。這樣，可抑制電場集中，從而抑制第1配線與第2配線間的泄漏電流及絕緣破壞。最終實(shí)現(xiàn)更好的傳輸線路特性。
此外，在第2配線被第1配線包圍的前述配線構(gòu)造中，第1槽，可具有上寬下窄的圓弧形狀。
按照這樣的構(gòu)成，在第1槽的內(nèi)面，整個成為圓形形狀，所以，可以把第1配線及第2配線做成無角部的形狀。這樣，可抑制電場集中，從而抑制第1配線與第2配線間的泄漏電流及絕緣破壞。最終實(shí)現(xiàn)更好的傳輸線路特性。此時，第1槽，可具有實(shí)質(zhì)上半圓形狀。
此外，在前述第1局面的配線構(gòu)造，第1槽形成矩形狀，第1配線在前述第1槽的底面上可具有實(shí)質(zhì)上平坦的上面，經(jīng)第2絕緣膜與前述第1配線對向形成的第2配線，其幅度可以比第1配線小。
按照這樣的構(gòu)成，微波帶狀線構(gòu)造可得到被埋入第1槽的構(gòu)造。
此外，在前述第1局面的配線構(gòu)造，最好，還包括第2槽，形成在基板上的第1絕緣膜、并與所述第1槽隔開規(guī)定的間隔形成，以及第3配線，以充填所述第2槽形成。
按照這樣的構(gòu)成，可將第1配線及第2配線作為傳輸線路使用，將第3配線作為通常配線使用。此時，第3配線與第1配線，最好由以同一工序形成的層構(gòu)成。按照這樣的構(gòu)成，第3配線與第1配線可同時形成，因此，不僅可以簡化制造工序，而且可減低制造成本。
具備按本發(fā)明第2局面形成的配線構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置，包括第1槽，在基板上的第1絕緣膜上形成，第1配線，沿所述第1槽的內(nèi)面的至少一部分、形成在所述第1槽的延伸方向，以及第2配線，經(jīng)第2絕緣膜與所述第1配線對向形成；將所述第1配線、所述第2絕緣膜及所述第2配線，埋入在所述第1槽內(nèi)。
具備按本發(fā)明第2局面形成的配線構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置，如上所述，由于經(jīng)第2絕緣膜形成的第1配線及第2配線被埋入第1絕緣膜的第1槽內(nèi)，可形成被埋入單一的第1絕緣膜內(nèi)的傳輸線路構(gòu)造，不會影響到半導(dǎo)體基板上的其他層，從而能容易地形成傳輸線路構(gòu)造。這樣，半導(dǎo)體裝置內(nèi)的配線，可容易地被作為能承擔(dān)高頻信號傳輸?shù)膫鬏斁€路來使用，可實(shí)現(xiàn)自由度高的配線設(shè)計。此外，由于做成前述配線構(gòu)造，采用以往的半導(dǎo)體裝置的配線的形成工序，可容易地形成被埋入單一的第1絕緣膜內(nèi)的傳輸線路構(gòu)造。對于這樣的傳輸線路構(gòu)造，石印工序、腐蝕工序及保護(hù)膜除去工序，在形成第1槽時只要進(jìn)行1次就行了，因此，不僅可以簡化半導(dǎo)體裝置的制造工序，而且可減低半導(dǎo)體裝置的制造成本。
在具備按本發(fā)明第2局面形成的配線構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置，最好，形成所述第1配線，使得沿所述第1槽的內(nèi)面覆蓋所述第1槽的實(shí)質(zhì)內(nèi)面的全域，經(jīng)所述第2絕緣膜與所述第1配線對向形成的所述第2配線，形成與所述第1配線的對向面，使得由所述第1配線包圍。
按照這樣的構(gòu)成，將第2配線作為信號線使用時，可獲得第1配線的屏蔽效果高的構(gòu)造。這樣，由第2配線進(jìn)行的信號的傳輸，不易受外部影響，對于超過GHz區(qū)域的高頻率信號，可抑制串音傳輸。這一結(jié)果，可作為高可靠性的傳輸線路使用。
具備按本發(fā)明第3局面形成的配線構(gòu)造的配線基板，包括第1槽，在基板上的第1絕緣膜上形成，第1配線，沿所述第1槽的內(nèi)面的至少一部分、形成在所述第1槽的延伸方向，以及第2配線，經(jīng)第2絕緣膜與所述第1配線對向形成；將所述第1配線、所述第2絕緣膜及所述第2配線，埋入在所述第1槽內(nèi)。
具備按本發(fā)明第3局面形成的配線構(gòu)造的配線基板，如上所述，由于經(jīng)第2絕緣膜形成的第1配線及第2配線，被埋入第1絕緣膜的第1槽內(nèi)，可形成被埋入單一的第1絕緣膜內(nèi)的傳輸線路構(gòu)造。對于這樣的傳輸線路構(gòu)造，石印工序、腐蝕工序及保護(hù)膜除去工序，在形成第1槽時只要進(jìn)行1次就行了，因此，不僅可以簡化配線基板的制造工序，而且可減低配線基板的制造成本。
具備按本發(fā)明第3局面形成的配線構(gòu)造的配線基板，最好，第1配線，可沿第1槽的內(nèi)面對第1槽的實(shí)質(zhì)內(nèi)面的全域進(jìn)行覆蓋，經(jīng)第2絕緣膜與第1配線對向形成的第2配線，在形成時，其與第1配線的對向面被前述第1配線包圍。
按照這樣的構(gòu)成，將第2配線作為信號線使用時，可獲得第1配線的屏蔽效果高的構(gòu)造。這樣，由第2配線進(jìn)行的信號傳輸，不易受外部影響，對于超過GHz區(qū)域的高頻率信號，可抑制串音傳輸。這一結(jié)果，可作為高可靠性的傳輸線路使用。
以本發(fā)明的第4局面構(gòu)成的配線構(gòu)造的制造方法，包括在形成在基板上的第1絕緣膜的表面、形成第1槽的工序，以及在第1槽的內(nèi)部及第1絕緣膜上、形成作為第1配線用的第1導(dǎo)電膜的工序，以及在第1導(dǎo)電膜上形成第2絕緣膜的工序，以及在第2絕緣膜上、形成作為第2配線用的第2導(dǎo)電膜的工序，以及通過將形成在第1導(dǎo)電膜、第2絕緣膜及第2導(dǎo)電膜中的第1槽內(nèi)部以外的部分除去、再分別形成第1配線、第2絕緣膜及第2配線的工序。
在以本發(fā)明的第4局面構(gòu)成的配線構(gòu)造的制造方法，如上所述，由于在第1槽的內(nèi)部及第1絕緣膜上、形成第1導(dǎo)電膜、第2絕緣膜及第2導(dǎo)電膜后，通過將形成在這些膜中的第1槽內(nèi)部以外的部分除去、再分別形成第1配線、第2絕緣膜及第2配線，由于工序簡單，可形成被埋入單一的第1絕緣膜內(nèi)的傳輸線路構(gòu)造。此外，按照這樣的配線構(gòu)造的制造方法，石印工序、腐蝕工序及保護(hù)膜除去工序，在形成第1槽時只要進(jìn)行1次就行了，這樣，不僅可以簡化制造工序，而且可減低制造成本。
以本發(fā)明的第4局面構(gòu)成的配線構(gòu)造的制造方法，最好，形成第1配線、第2絕緣膜及第2配線的工序，包含決定第1槽的幅度及深度、以及第1導(dǎo)電膜、第2絕緣膜及第2導(dǎo)電膜的膜厚及材質(zhì)的工序；這些決定應(yīng)滿足第2導(dǎo)電膜，在第1槽的表面的中心部具有規(guī)定的膜厚及線幅、并有所殘留，同時在第1槽的內(nèi)部、第1導(dǎo)電膜經(jīng)第2絕緣膜以規(guī)定的電氣特性將第2導(dǎo)電膜包圍。
按照這樣的構(gòu)成，可容易地形成具有期望電氣特性(特性阻抗等)的傳輸線路的配線構(gòu)造。
在以本發(fā)明的第4局面構(gòu)成的配線構(gòu)造的制造方法，最好，第1導(dǎo)電膜及第2導(dǎo)電膜的至少一方的形成，是通過電解電鍍法及無電解電鍍法中的任一方法進(jìn)行的。按照這樣的構(gòu)成，第1導(dǎo)電膜及第2導(dǎo)電膜的至少一方在形成時，都能夠以期望的形狀及膜厚形成。
在以本發(fā)明的第4局面構(gòu)成的配線構(gòu)造的制造方法，最好，第1配線、第2絕緣膜及第2配線的工序，包含采用化學(xué)研磨(ChemicalMechanical Polishing)、通過將形成在第1導(dǎo)電膜、第2絕緣膜及第2導(dǎo)電膜中的前述第1槽內(nèi)部以外的部分除去、再形成第1配線、第2絕緣膜及第2配線的工序。
按照這樣的構(gòu)成，在將形成在第1導(dǎo)電膜、第2絕緣膜及第2導(dǎo)電膜中的前述第1槽內(nèi)部以外的部分除去時，可以使配線構(gòu)造的上面具有良好的平坦性。最終可容易地形成具有良好平坦性的配線構(gòu)造。此外，經(jīng)過1次的石印工序、腐蝕工序及保護(hù)膜除去工序，及1次的CMP工序，就可形成配線構(gòu)造，比之需要經(jīng)過2次以上石印工序、腐蝕工序及保護(hù)膜除去工序的傳統(tǒng)工序，不僅可以簡化制造工序，而且可減低制造成本。
在前述第1配線包圍第2配線形成的配線構(gòu)造的制造方法中，最好，第1配線含有屏蔽線，第2配線含有信號線。
按照這樣的構(gòu)成，利用作為屏蔽線的、包圍作為信號線的第2配線的第1配線，可以高效地對作為信號線的第2配線進(jìn)行屏蔽，這樣，由第2配線進(jìn)行的信號傳輸，不易受外部影響，對于超過GHz區(qū)域的高頻率信號，也可抑制串音傳輸。這一結(jié)果，可作為高可靠性的傳輸線路使用。
在前述第1配線包圍第2配線形成的配線構(gòu)造的制造方法中，第1槽具有上寬下窄的梯形形狀。
按照這樣的構(gòu)成，第1槽的底部的拐角部，成為鈍角形狀，比之第1槽為矩形形狀時，可緩和電場集中。此外，在第1配線包圍第2配線形成的配線構(gòu)造的制造方法中，在第1槽的底部的拐角部，可具有圓形形狀。按照這樣的構(gòu)成，可抑制在第1槽的底部的拐角部的電場集中。這樣，可抑制第1配線與第2配線間的泄漏電流及絕緣破壞。實(shí)現(xiàn)更好的傳輸線路特性。
在前述第1配線包圍第2配線形成的配線構(gòu)造的制造方法中，第1槽具有上寬下窄的圓弧形狀。
按照這樣的構(gòu)成，由于第1槽的內(nèi)面沒有角部，可抑制電場集中。這樣，可抑制第1配線與第2配線間的泄漏電流及絕緣破壞。實(shí)現(xiàn)更好的傳輸線路特性。此時，第1槽，可具有實(shí)質(zhì)上半圓形狀。
在由第4局面構(gòu)成的配線構(gòu)造的制造方法中，包括下述工序在形成在基板上的第1絕緣膜的表面、形成第1槽的工序，在所述第1槽的內(nèi)部及所述第1絕緣膜上、形成作為第1配線用的第1導(dǎo)電膜的工序，在所述第1導(dǎo)電膜上形成第2絕緣膜的工序，在所述第2絕緣膜上形成作為第2配線用的第2導(dǎo)電膜的工序，以及通過將形成在所述第1導(dǎo)電膜、所述第2絕緣膜及所述第2導(dǎo)電膜中的所述第1槽內(nèi)部以外的部分除去，再分別形成所述第1配線、所述第2絕緣膜及所述第2配線的工序。
在由第4局面構(gòu)成的配線構(gòu)造的制造方法中，最好，還包括在基板上的第1絕緣膜、與第1槽隔開規(guī)定的間隔形成第2槽的工序，以及形成能充填前述第2槽的第3配線的工序。
按照這樣的構(gòu)成，可將第1配線及第2配線作為傳輸線路使用，將第3配線作為通常配線使用。
此時，形成第3配線的工序，最好，包含通過將構(gòu)成第1配線的第1導(dǎo)電膜充填到第2槽內(nèi)以形成第3配線的工序。
按照這樣的構(gòu)成，可同時形成第3配線及第1配線，這樣，不僅可以簡化制造工序，而且可減低制造成本。


圖1是表示包含本發(fā)明的第1實(shí)施形態(tài)的配線構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置的立體圖。
圖2到圖6是用來說明包含圖1所示的第1實(shí)施形態(tài)的配線構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖視圖。
圖7是用來表示包含圖1所示的第1實(shí)施形態(tài)的第1變形例的配線構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
圖8是用來表示包含圖1所示的第1實(shí)施形態(tài)的第2變形例的配線構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
圖9是用來表示包含圖1所示的第1實(shí)施形態(tài)的第3變形例的配線構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
圖10是用來表示包含圖1所示的第1實(shí)施形態(tài)的第4變形例的配線構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
圖11是表示包含本發(fā)明的第2實(shí)施形態(tài)的配線構(gòu)造的配線基板的立體圖。
圖12是表示用于以往的配線基板的帶狀線構(gòu)造的剖視圖。
圖13是表示用于以往的配線基板的微波帶狀線構(gòu)造的剖視圖。
圖14是表示用于以往的配線基板的積層雙線構(gòu)造的剖視圖。
圖15是表示以往的同軸電纜的剖視圖。
具體實(shí)施形態(tài)以下，以附圖為基礎(chǔ)對將本發(fā)明具體化的實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說明。
(第1實(shí)施形態(tài))首先，參照圖1，對含有第1實(shí)施形態(tài)的配線構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造進(jìn)行說明。在第1實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，如圖1所示，在半導(dǎo)體基板上，形成以SiO2膜構(gòu)成的下地(日文下地)層11。在下地層11上，形成具有約2μm～約20μm的膜厚的絕緣膜12。該絕緣膜12便是本發(fā)明的“第1絕緣膜”的一例。
這里，在第1實(shí)施形態(tài)，在絕緣膜12的表面，隔開規(guī)定的間隔，形成矩形狀的槽13a及槽13b。槽13a，具有約1μm～約10μm的幅度，及約1μm～10μm的深度。槽13b的幅度比槽13a小，深度與槽13a相同。在槽13a內(nèi)，被埋入以銅構(gòu)成的外側(cè)配線14、以SiO2膜構(gòu)成的絕緣膜15、及以銅構(gòu)成的內(nèi)側(cè)配線16。具體地說，外側(cè)配線14，沿矩形狀的槽13a的底面及側(cè)面形成為凹狀。此外，絕緣膜15，沿外側(cè)配線14的內(nèi)面形成為凹狀。此外，內(nèi)側(cè)配線16可充填絕緣膜15的凹狀部形成。
此外，槽13a是本發(fā)明的“第1槽”的一例，槽13b是本發(fā)明的“第2槽”的一例。外側(cè)配線14是本發(fā)明的“第1配線”的一例，絕緣膜15是本發(fā)明的“第2絕緣膜”的一例。此外，內(nèi)側(cè)配線16是本發(fā)明的“第2配線”的一例。
此外，外側(cè)配線14，包圍著內(nèi)側(cè)配線16的底面及兩側(cè)面形成。外側(cè)配線14，具有屏蔽線功能，內(nèi)側(cè)配線16起信號線作用。利用外側(cè)配線14與內(nèi)側(cè)配線16，構(gòu)成傳輸線路的配線對17。
此外，在槽13b內(nèi)，充填著以與埋入槽13a內(nèi)的外側(cè)配線14同樣的導(dǎo)電層形成的單一配線18。該單一配線18，不是作為傳輸線路使用而是起配線層的作用。此外，單一配線18是本發(fā)明的“第3配線”的一例。
在第1實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，如上所述，由于將經(jīng)絕緣膜15形成的外側(cè)配線14及內(nèi)側(cè)配線16埋入絕緣膜12內(nèi)的槽13a，可形成埋入單一的絕緣膜12內(nèi)的傳輸線路構(gòu)造。對這樣的傳輸線路構(gòu)造，在后述的制造工序中，在形成槽13a時經(jīng)過1次的石印工序、腐蝕工序及保護(hù)膜除去工序，及1次的CMP工序，就可形成配線構(gòu)造，比之需要經(jīng)過2次以上石印工序、腐蝕工序及保護(hù)膜除去工序的傳統(tǒng)工序，不僅可以簡化制造工序，而且可減低制造成本。
此外，在第1實(shí)施形態(tài)，形成外側(cè)配線14時，不僅包圍內(nèi)側(cè)配線16的底面而且包圍兩側(cè)面，所以可提高對作為信號線的內(nèi)側(cè)配線16的屏蔽效果。即亦，在第1實(shí)施形態(tài)，可以得到類似同軸電纜下半部分的構(gòu)造的構(gòu)造。這樣，以內(nèi)側(cè)配線16進(jìn)行的信號傳輸不易受外部影響，對于超過GHz區(qū)域的高頻率信號，可抑制串音進(jìn)行傳輸。這一結(jié)果，可作為高可靠性的傳輸線路使用。
此外，在第1實(shí)施形態(tài)，由于可形成被埋入單一的絕緣膜12內(nèi)的傳輸線路構(gòu)造，不會影響到半導(dǎo)體基板10上的其他層，從而能容易地形成傳輸線路構(gòu)造。這樣，半導(dǎo)體裝置內(nèi)的配線，可容易地作為能承擔(dān)高頻信號傳輸?shù)膫鬏斁€路來使用，同時，可實(shí)現(xiàn)自由度高的配線設(shè)計。
此外，在第1實(shí)施形態(tài)，槽13a內(nèi)形成的外側(cè)配線14與槽13b內(nèi)形成的單一配線18是通過同一導(dǎo)電層形成的，在后述的制造工序中，可同時形成外側(cè)配線14及單一配線18，所以，不僅可以簡化制造工序，而且可減低制造成本。
下面，參照圖2～圖6，對含有圖1所示的第1實(shí)施形態(tài)的配線構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置的制造工序進(jìn)行說明。
首先，如圖2所示，在半導(dǎo)體基板10上，形成下地層11。在下地層11上，形成具有約2μm～約20μm的膜厚的絕緣膜12。然后，利用通常的石印技術(shù)及干腐蝕技術(shù)，在絕緣膜12的表面，形成槽13a及槽13b。
槽13a的開口幅度W，約為1μm～約10μm，槽13a的深度約為1μm～10μm。此時，13a的深度D的值，不能超過絕緣膜12的膜厚。此外，槽13b的深度與槽13a相同，且，具有比槽13a的開口幅度小的開口幅度。
下面，如圖3所示，采用電解電鍍法或無電解電鍍法，在絕緣膜12的槽13a及槽13b內(nèi)、及絕緣膜12的上面上形成以銅構(gòu)成的外側(cè)配線膜14a。該外側(cè)配線膜14a的膜厚，不要超過槽13a及槽13b的深度值D。此外，以開口幅度小的槽13b能被外側(cè)配線膜14a完全充填的膜厚來設(shè)定外側(cè)配線膜14a。此外，外側(cè)配線膜14a是本發(fā)明的“第1導(dǎo)電膜”的一例。
此外，如圖4所示，在外側(cè)配線膜14a的上面、形成以SiO2膜構(gòu)成的絕緣膜15a。該絕緣膜15a的厚度，被設(shè)定在不能以絕緣膜15a將槽13a完全充填的厚度。
下面，如圖5所示，采用電解電鍍法或無電解電鍍法，在絕緣膜15a的上面上，形成以銅構(gòu)成的內(nèi)側(cè)配線膜16a。這樣，在槽13a內(nèi)，外側(cè)配線膜14a、絕緣膜15a及內(nèi)側(cè)配線膜16a處于被充填狀態(tài)。此外，內(nèi)側(cè)配線膜15a成為本發(fā)明的“第2導(dǎo)電膜膜”的一例。
然后，在外側(cè)配線14a，絕緣膜15a及內(nèi)側(cè)配線膜16a中的槽13a的內(nèi)部以外形成的部分，用CMP法通過研磨除去。這樣，具有如圖6所示的、平坦化的上面的外側(cè)配線14、絕緣膜15及內(nèi)側(cè)配線16的3層被埋入槽13a內(nèi)的構(gòu)造便可得到了。此外，可得到在槽13b內(nèi)被充填以外側(cè)配線膜14a(參照圖5)構(gòu)成的單一配線18的構(gòu)造。
這里，在第1實(shí)施形態(tài)的制造工序中，通過適當(dāng)調(diào)整槽13a的開口幅度W及深度D、槽13a內(nèi)堆積的外側(cè)配線膜14a、絕緣膜15a及內(nèi)側(cè)配線膜16a的膜厚及材質(zhì)，可輕易且高精度地設(shè)定配線對17的電氣特性(例如，特性阻抗等)。
這里，在第1實(shí)施形態(tài)的制造工序中，如上所述，采用電解電鍍法或無電解電鍍法形成外側(cè)配線膜14a及內(nèi)側(cè)配線膜16a，可以以期望的形狀及膜厚形成外側(cè)配線膜14a及內(nèi)側(cè)配線膜16a。
此外，在第1實(shí)施形態(tài)的制造工序中，應(yīng)用CMP法進(jìn)行研磨使外側(cè)配線膜14a、絕緣膜15a及內(nèi)側(cè)配線膜16a平坦化，可良好地進(jìn)行絕緣膜12的平坦化。最終可輕易地得到具有良好平坦性的配線構(gòu)造。
下面，參照圖7～圖10，對含有第1實(shí)施形態(tài)的配線構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置的第1～第4變形例進(jìn)行說明。首先，參照圖7，在該第1實(shí)施形態(tài)的第1變形例，在形成在下地層11的絕緣膜22的表面，形成具有上寬下窄的梯形形狀的槽23a、及與第1實(shí)施形態(tài)同樣的矩形狀的槽13b。在該第1實(shí)施形態(tài)的第1變形例，沿梯形形狀的槽23a、外側(cè)配線24形成凹狀。沿外側(cè)配線24的內(nèi)面，絕緣膜25形成凹狀。形成內(nèi)側(cè)配線26使之能夠充填絕緣膜25的凹狀部。該內(nèi)側(cè)配線26，具有上寬下窄的梯形狀的斷面形狀。此外，梯形形狀的槽23a，用干腐蝕法不難形成。
此外，絕緣膜22，是本發(fā)明的“第1絕緣膜”的一例，槽23a是本發(fā)明的“第1槽”的一例，此外，外側(cè)配線24是本發(fā)明的“第1配線”的一例，絕緣膜25是本發(fā)明的“第2絕緣膜”的一例，此外，內(nèi)側(cè)配線26是本發(fā)明的“第2配線”的一例。此外，通過外側(cè)配線24與內(nèi)側(cè)配線26，構(gòu)成傳輸線路構(gòu)用的配線對27。內(nèi)側(cè)配線26具有信號線的功能，同時，外側(cè)配線24具有屏蔽線的功能。由于這樣將槽23a做成梯形形狀，槽23a的底部的拐角部為鈍角，比之槽為矩形的場合，能緩和電場集中。此外，該第1實(shí)施形態(tài)的第1變形例的其他效果，與前述第1實(shí)施形態(tài)同樣。
下面，參照圖8，在該第1實(shí)施形態(tài)的第2變形例，在下地層11上形成的絕緣膜32的表面，形成圓弧形狀(半圓形狀)的槽33a、以及與第1實(shí)施形態(tài)同樣的矩形狀的槽13b。此外，沿半圓形狀的槽33a的內(nèi)面，外側(cè)配線34形成凹狀。此外，沿外側(cè)配線34的內(nèi)面，絕緣膜35形成凹狀。此外，形成半圓形狀的內(nèi)側(cè)配線36使能夠充填絕緣膜35的凹狀部。利用外側(cè)配線34及內(nèi)側(cè)配線36構(gòu)成配線對37。內(nèi)側(cè)配線36具有信號線的功能，同時，外側(cè)配線34具有屏蔽線的功能。
此外，絕緣膜32是本發(fā)明的“第1絕緣膜”的一例，槽33a是本發(fā)明的“第1槽”的一例，此外，外側(cè)配線34是本發(fā)明的“第1配線”的一例，絕緣膜35是本發(fā)明的“第2絕緣膜”的一例，此外，內(nèi)側(cè)配線36是本發(fā)明的“第2配線”的一例。
在該第1實(shí)施形態(tài)的第2變形例，如上所述，通過將槽33a形成為半圓形狀，槽33a的內(nèi)面，呈現(xiàn)全體為圓形狀，可將外側(cè)配線34及內(nèi)側(cè)配線36做成無角部的形狀。這樣，可抑制電場集中，從而抑制外側(cè)配線34與內(nèi)側(cè)配線36間的泄漏電流及絕緣破壞。實(shí)現(xiàn)更好的傳輸線路特性。此外，該第1實(shí)施形態(tài)的第2變形例的其他效果，與前述第1實(shí)施形態(tài)同樣。
下面，參照圖9，在該第1實(shí)施形態(tài)的第3變形例，在下地層11上形成的絕緣膜42的表面，形成矩形狀的槽43a、以及與第1實(shí)施形態(tài)同樣的矩形狀的槽13b。此外，在43a的底面的全面上，外側(cè)配線44形成具有平坦的上面。此外，在外側(cè)配線44上，絕緣膜45形成具有凹部45a。此外，形成內(nèi)側(cè)配線46使能夠充填絕緣膜45的凹狀部45a內(nèi)。利用外側(cè)配線44及內(nèi)側(cè)配線46構(gòu)成作為傳輸線路的配線對47。內(nèi)側(cè)配線46具有信號線的功能，同時，外側(cè)配線44具有屏蔽線的功能。此外，內(nèi)側(cè)配線46以比外側(cè)配線44小的幅度形成。此外，也可以使內(nèi)側(cè)配線46與外側(cè)配線44具有實(shí)質(zhì)上相同的幅度。
此外，絕緣膜42是本發(fā)明的“第1絕緣膜”的一例，槽43a是本發(fā)明的“第1槽”的一例，此外，外側(cè)配線44是本發(fā)明的“第1配線”的一例，絕緣膜45是本發(fā)明的“第2絕緣膜”的一例，此外，內(nèi)側(cè)配線46是本發(fā)明的“第2配線”的一例。
在該第1實(shí)施形態(tài)的第3變形例，可將圖13所示的微波帶狀線構(gòu)造埋入絕緣膜42的槽43a內(nèi)形成。該第1實(shí)施形態(tài)的第3變形例的其他效果，與前述第1實(shí)施形態(tài)同樣。
下面，參照圖10，在該第1實(shí)施形態(tài)的第4變形例，對圖7所示的第1實(shí)施形態(tài)的第1變形例的在槽的底面拐角部無角部的構(gòu)造進(jìn)行說明。即亦，在該第1實(shí)施形態(tài)的第4變形例，在下地層11上形成的絕緣膜52的表面，形成梯形形狀、且，底面拐角部有圓形狀的槽53a、以及與第1實(shí)施形態(tài)同樣的矩形狀的槽13b。此外，沿槽53a的內(nèi)面，角部圓形的外側(cè)配線24a形成凹狀。此外，沿外側(cè)配線24a的內(nèi)面，絕緣膜25a形成凹狀。此外，形成角部圓形狀的梯形形狀的內(nèi)側(cè)配線26a使能夠充填絕緣膜25a的凹狀部。利用內(nèi)側(cè)配線26a及外側(cè)配線24a構(gòu)成作為傳輸線路的配線對27a。內(nèi)側(cè)配線26a具有信號線的功能，同時，外側(cè)配線24a具有屏蔽線的功能。
此外，絕緣膜52是本發(fā)明的“第1絕緣膜”的一例，槽53a是本發(fā)明的“第1槽”的一例，此外，外側(cè)配線24a是本發(fā)明的“第1配線”的一例，絕緣膜25a是本發(fā)明的“第2絕緣膜”的一例，此外，內(nèi)側(cè)配線26a是本發(fā)明的“第2配線”的一例。
在該第1實(shí)施形態(tài)的第4變形例，由于將槽53a做成梯形形狀、且，底面拐角部有圓形狀的槽，外側(cè)配線24a及內(nèi)側(cè)配線26a成為無角部的形狀，所以，可抑制電場集中。這樣，可抑制外側(cè)配線24a與內(nèi)側(cè)配線26a間的泄漏電流及絕緣破壞。實(shí)現(xiàn)更好的傳輸線路特性。
此外，在如圖10所示的第1實(shí)施形態(tài)的第4變形例的底面角部為圓形的梯形形狀的槽53a，采用濕腐蝕可輕易地形成。
(第2實(shí)施形態(tài))參照圖11，在第2實(shí)施形態(tài)，對與前述第1實(shí)施形態(tài)不同、實(shí)裝集成電路(半導(dǎo)體裝置)的配線基板中適用本發(fā)明的場合的例進(jìn)行說明。
即亦，在第2實(shí)施形態(tài)，在配線基板61上形成絕緣膜62。在絕緣膜62的表面形成矩形狀的槽63a及63b。這槽63a及63b，分別具有如圖1所示的第1實(shí)施形態(tài)的槽13a及13b同樣的尺寸及形狀。沿矩形狀的槽63a的內(nèi)面，外側(cè)配線64形成凹狀。沿外側(cè)配線64的內(nèi)面，絕緣膜65形成凹狀。此外，形成內(nèi)側(cè)配線66，使能夠充填絕緣膜65的凹狀部。利用內(nèi)側(cè)配線66及外側(cè)配線64構(gòu)成作為傳輸線路的配線對67。內(nèi)側(cè)配線66具有信號線的功能，同時，外側(cè)配線64具有屏蔽線的功能。
此外，絕緣膜62是本發(fā)明的“第1絕緣膜”的一例，槽63a是本發(fā)明的“第1槽”的一例，此外，槽63b是本發(fā)明的“第2槽”的一例，此外，外側(cè)配線64是本發(fā)明的“第1配線”的一例，絕緣膜65是本發(fā)明的“第2絕緣膜”的一例，此外，內(nèi)側(cè)配線66是本發(fā)明的“第2配線”的一例，此外，在槽63b內(nèi)，埋入以與外側(cè)配線64同一的導(dǎo)電層形成的單一配線68。單一配線68是本發(fā)明的“第3配線”的一例，此外，第2實(shí)施形態(tài)的配線構(gòu)造的制造工序，與圖2～圖6中的第1實(shí)施形態(tài)的制造工序同樣。
在第2實(shí)施形態(tài)，如上所述，由于在配線基板61上的絕緣膜62的表面形成槽63a，同時在槽63a內(nèi)，埋入以外側(cè)配線64、絕緣膜65及內(nèi)側(cè)配線66構(gòu)成的傳輸線路構(gòu)造，可輕易地將埋入單一的絕緣膜62內(nèi)的傳輸線路構(gòu)造形成在配線基板61。對這樣的傳輸線路構(gòu)造，在形成槽63a時經(jīng)過1次的石印工序、腐蝕工序及保護(hù)膜除去工序，及1次的CMP工序，就可形成配線構(gòu)造，比之需要經(jīng)過2次以上石印工序、腐蝕工序及保護(hù)膜除去工序的傳統(tǒng)的制造工序，不僅可以簡化配線基板61的制造工序，而且可減低制造配線基板61的成本。
這里，在第2實(shí)施形態(tài)中，與前述第1實(shí)施形態(tài)同樣，通過適當(dāng)設(shè)定槽63a的幅度及深度、外側(cè)配線64、絕緣膜65及內(nèi)側(cè)配線66的膜厚及材質(zhì)，可得到配線基板61需要的特性阻抗等的電氣特性。
此外，在第2實(shí)施形態(tài)，由于形成的外側(cè)配線64不僅包圍內(nèi)側(cè)配線66的底面而且包圍兩側(cè)面，可以提高對作為信號線的內(nèi)側(cè)配線66的屏蔽效果。這樣，由內(nèi)側(cè)配線66進(jìn)行的信號傳輸，不易受外部影響，對于超過GHz區(qū)域的高頻率信號，也可抑制串音傳輸。這一結(jié)果，可得到含高可靠性的傳輸線路的配線基板61。
此外，在第2實(shí)施形態(tài)，由于以同一導(dǎo)電層構(gòu)成形成在槽63a的外側(cè)配線64與形成在槽63b內(nèi)的單一配線68，可同時形成外側(cè)配線64及單一配線68，這樣，不僅可以簡化制造工序，而且可減低制造成本。
第2實(shí)施形態(tài)的其他效果，與前述第1實(shí)施形態(tài)同樣。
此外，這里表示的實(shí)施形態(tài)，對各方面作了例示，但均不加限制。本發(fā)明的范圍，包括未在前述實(shí)施形態(tài)中說明的權(quán)利要求范圍，還包括與權(quán)利要求范圍具備均等意義的所有變更。
例如，在前述實(shí)施形態(tài)，對采用電解電鍍法或無電解電鍍法形成外側(cè)配線膜及內(nèi)側(cè)配線膜的場合作了說明，但本發(fā)明不限于此，采用噴涂法及CVD法，或者將若干種成膜方法配合起來形成外側(cè)配線膜及內(nèi)側(cè)配線膜都可以。
此外，也可以將圖7～圖10中的第1實(shí)施形態(tài)的第1～第4變形例的半導(dǎo)體裝置的傳輸線路構(gòu)造作為如圖11所示的第2實(shí)施形態(tài)的配線基板的傳輸線路構(gòu)造的變形例使用。
此外，在圖10中的第1實(shí)施形態(tài)的第4變形例中，將圖7中的第1實(shí)施形態(tài)的第1變形例的梯形形狀的槽的底面拐角部做成圓形形狀，但本發(fā)明不限于此，將圖1中的第1實(shí)施形態(tài)的矩形形狀的槽的底面拐角部做成圓形形狀也行。
此外，在前述實(shí)施形態(tài)，采用銅形成內(nèi)側(cè)配線及外側(cè)配線，但本發(fā)明不限于此，用鎢(W)及鈦(Ti)等別的金屬或合金或積層膜也可以。
此外，在前述實(shí)施形態(tài)，作為配置于內(nèi)側(cè)配線及外側(cè)配線間的絕緣膜，采用SiO2，但本發(fā)明不限于此，比SiO2電感率高的其他材料構(gòu)成的絕緣膜也可用。例如能使用SiN膜。
權(quán)利要求
1.一種配線構(gòu)造，其特征在于，包括第1槽，形成在基板上的第1絕緣膜上，第1配線，沿所述第1槽的內(nèi)面的至少一部分、形成在所述第1槽的延伸方向，以及第2配線，構(gòu)成與所述第1配線一起傳輸信號用的傳輸線路，經(jīng)第2絕緣膜與所述第1配線對向形成；將所述第1配線、所述第2絕緣膜及所述第2配線，埋入在所述第1槽內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的配線構(gòu)造，其特征在于，形成所述第1配線，使得沿所述第1槽的內(nèi)面覆蓋所述第1槽的實(shí)質(zhì)內(nèi)面的全域，經(jīng)所述第2絕緣膜與所述第1配線對向形成的所述第2配線，形成與所述第1配線的對向面，使得由所述第1配線包圍。
3.如權(quán)利要求2所述的配線構(gòu)造，其特征在于，所述第1配線含有屏蔽線，所述第2配線含有信號線。
4.如權(quán)利要求2所述的配線構(gòu)造，其特征在于，所述第1槽，具有上寬下窄的梯形形狀。
5.如權(quán)利要求2所述的配線構(gòu)造，其特征在于，所述第1槽的底部的拐角部具有圓形形狀。
6.如權(quán)利要求2所述的配線構(gòu)造，其特征在于，所述第1槽具有上寬下窄的圓弧形狀。
7.如權(quán)利要求6所述的配線構(gòu)造，其特征在于，所述第1槽具有實(shí)質(zhì)上半圓形狀。
8.如權(quán)利要求1所述的配線構(gòu)造，其特征在于，矩形狀地形成所述第1槽，形成所述第1配線，使得在所述第1槽的底面上具有實(shí)質(zhì)上平坦的上面，經(jīng)所述第2絕緣膜與所述第1配線對向形成的所述第2配線，具有比所述第1配線小的寬度。
9.如權(quán)利要求1所述的配線構(gòu)造，其特征在于，還包括第2槽，形成在基板上的第1絕緣膜、并與所述第1槽隔開規(guī)定的間隔形成，以及第3配線，以充填所述第2槽形成。
10.如權(quán)利要求9所述的配線構(gòu)造，其特征在于，所述第3配線與所述第1配線，由同一處理形成的層構(gòu)成。
11.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括第1槽，形成在半導(dǎo)體基板上的第1絕緣膜上，第1配線，沿所述第1槽的內(nèi)面的至少一部分、形成在所述第1槽的延伸方向，以及第2配線，經(jīng)第2絕緣膜與所述第1配線對向形成；將所述第1配線、所述第2絕緣膜及所述第2配線，埋入在所述第1槽內(nèi)。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，形成所述第1配線，使得沿所述第1槽的內(nèi)面覆蓋所述第1槽的實(shí)質(zhì)內(nèi)面的全域，經(jīng)所述第2絕緣膜與所述第1配線對向形成的所述第2配線，形成與所述第1配線的對向面，使得由所述第1配線包圍。
13.一種配線基板，其特征在于，包括第1槽，在基板上的第1絕緣膜上形成，第1配線，沿所述第1槽的內(nèi)面的至少一部分、形成在所述第1槽的延伸方向，以及第2配線，經(jīng)第2絕緣膜與所述第1配線對向形成；將所述第1配線、所述第2絕緣膜及所述第2配線，埋入在所述第1槽內(nèi)。
14.如權(quán)利要求13所述的配線基板，其特征在于，形成所述第1配線，使得沿所述第1槽的內(nèi)面覆蓋所述第1槽的實(shí)質(zhì)內(nèi)面的全域，經(jīng)所述第2絕緣膜與所述第1配線對向形成的所述第2配線，形成與所述第1配線的對向面，使得由所述第1配線包圍。
15.一種配線構(gòu)造的制造方法，其特征在于，包括下述工序在形成在基板上的第1絕緣膜的表面、形成第1槽的工序，在所述第1槽的內(nèi)部及所述第1絕緣膜上、形成作為第1配線用的第1導(dǎo)電膜的工序，在所述第1導(dǎo)電膜上形成第2絕緣膜的工序，在所述第2絕緣膜上形成作為第2配線用的第2導(dǎo)電膜的工序，以及通過將形成在所述第1導(dǎo)電膜、所述第2絕緣膜及所述第2導(dǎo)電膜中的所述第1槽內(nèi)部以外的部分除去，再分別形成所述第1配線、所述第2絕緣膜及所述第2配線的工序。
16.如權(quán)利要求15所述的配線構(gòu)造的制造方法，其特征在于，形成所述第1配線、所述第2絕緣膜及所述第2配線的工序，包含決定所述第1槽的幅度及深度、以及所述第1導(dǎo)電膜、所述第2絕緣膜及所述第2導(dǎo)電膜的膜厚及材質(zhì)的工序，以便所述第2導(dǎo)電膜，在所述第1槽的表面的中心部具有規(guī)定的膜厚及線幅、并有所殘留，同時在所述第1槽的內(nèi)部、所述第1導(dǎo)電膜經(jīng)所述第2絕緣膜以規(guī)定的電氣特性將所述第2導(dǎo)電膜包圍。
17.如權(quán)利要求15所述的配線構(gòu)造的制造方法，其特征在于，通過電解電鍍法及無電解電鍍法中的任何一種方法，進(jìn)行的所述第1導(dǎo)電膜及所述第2導(dǎo)電膜的至少一方的形成。
18.如權(quán)利要求15所述的配線構(gòu)造的制造方法，其特征在于，形成所述第1配線、所述第2絕緣膜及所述第2配線的工序，包含采用化學(xué)研磨(Chemical Mechanical Polishing)、通過將形成在所述第1導(dǎo)電膜、所述第2絕緣膜及所述第2導(dǎo)電膜中的所述第1槽內(nèi)部以外的部分除去、再分別形成所述第1配線、所述第2絕緣膜及所述第2配線的工序。
19.如權(quán)利要求16所述的配線構(gòu)造的制造方法，其特征在于，所述第1配線含有屏蔽線，所述第2配線含有信號線。
20.如權(quán)利要求16所述的配線構(gòu)造的制造方法，其特征在于，所述第1槽，具有上寬下窄的梯形形狀。
21.如權(quán)利要求16所述的配線構(gòu)造的制造方法，其特征在于，所述第1槽的底部的拐角部具有圓形形狀。
22.如權(quán)利要求16所述的配線構(gòu)造的制造方法，其特征在于，所述第1槽具有上寬下窄的圓弧形狀。
23.如權(quán)利要求22所述的配線構(gòu)造的制造方法，其特征在于，所述第1槽具有實(shí)質(zhì)上半圓形狀。
24.如權(quán)利要求15所述的配線構(gòu)造的制造方法，其特征在于，矩形狀地形成所述第1槽，將所述第1配線，做成在所述第1槽的底面上可具有實(shí)質(zhì)上平坦的上面，將經(jīng)所述第2絕緣膜與所述第1配線對向形成的所述第2配線，做成其幅度比所述第1配線的小。
25.如權(quán)利要求15所述的配線構(gòu)造的制造方法，其特征在于，還包括形成第2槽的工序，在基板上的第1絕緣膜上與所述第1槽隔開規(guī)定的間隔形成，以及第3配線的工序，以充填所述第2槽形成。
26.如權(quán)利要求25所述的配線構(gòu)造的制造方法，其特征在于，形成所述第3配線的工序，包含通過將構(gòu)成所述第1配線的所述第1導(dǎo)電膜充填到所述第2槽內(nèi)、以便形成所述第3配線的工序。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種能包含能簡化制造工序的傳輸線路構(gòu)造的配線構(gòu)造。該配線構(gòu)造，包括在基板上的第1絕緣膜上形成的第1槽，沿第1槽的內(nèi)面的至少一部分、形成在第1槽的延伸方向的第1配線，以及構(gòu)成與第1配線一起傳輸信號用的傳輸線路、經(jīng)第2絕緣膜、與第1配線對向形成的第2配線；并且，將第1配線、第2絕緣膜及第2配線埋入在第1槽內(nèi)。經(jīng)過形成第1槽時的1次的石印工序、腐蝕工序及保護(hù)膜除去工序、以及1次的CMP工序、形成該配線構(gòu)造，因此能簡化制造工序。
文檔編號H01L23/522GK1433072SQ03100968
公開日2003年7月30日 申請日期2003年1月10日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月10日
發(fā)明者岡山芳央 申請人:三洋電機(jī)株式會社