專利名稱：使用間隔元件生產(chǎn)場致發(fā)光顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造有機(jī)場致發(fā)光設(shè)備的方法，和更具體地涉及使用輻射誘導(dǎo)有機(jī)材料熱轉(zhuǎn)移生產(chǎn)顯示元件。
背景技術(shù)：
在具有著色像素例如紅色、綠色和藍(lán)色彩色像素(通常稱為RGB像素)的陣列的彩色或者全色有機(jī)場致發(fā)光(EL)顯示器中，RGB像素的產(chǎn)生需要產(chǎn)色有機(jī)EL介質(zhì)的精密圖案化?；镜挠袡C(jī)EL設(shè)備共同具有陽極、陰極和夾在所述陽極和所述陰極之間的有機(jī)EL介質(zhì)。有機(jī)EL介質(zhì)可以由一個(gè)或多個(gè)有機(jī)薄膜層組成，其中所述層之一或者層內(nèi)部的區(qū)域主要地用于產(chǎn)生光或者場致發(fā)光。該特定層通常稱為有機(jī)EL介質(zhì)的發(fā)光層?？梢源嬖谟谟袡C(jī)EL介質(zhì)之中的其他有機(jī)層通常促進(jìn)電子傳輸，例如空穴-傳輸層(對(duì)于空穴導(dǎo)電)或者電子-傳輸層(對(duì)于電子導(dǎo)電)。在于全色有機(jī)EL顯示面板中形成RGB像素中，必須設(shè)計(jì)一種方法，以精確圖案化有機(jī)EL介質(zhì)的發(fā)光層或者整個(gè)有機(jī)EL介質(zhì)。
通常，場致發(fā)光像素在顯示器上借助于蔭罩技術(shù)形成，例如示于US-A-5,742,129中的。盡管這一直是有效的，但是它存在幾個(gè)缺點(diǎn)。使用蔭罩一直難以獲得高分辨率的像素尺寸。此外，在基材和蔭罩之間的排列存在問題，而且必須注意像素在適當(dāng)?shù)奈恢眯纬?。?dāng)希望增加基材尺寸時(shí)，難以操作所述蔭罩以形成適當(dāng)定位的像素。蔭罩方法的另一個(gè)缺點(diǎn)是障板孔可能隨時(shí)間而堵塞。障板上堵塞的孔導(dǎo)致EL顯示器上存在不起作用的像素的不希望的結(jié)果。
蔭罩方法還存在另一個(gè)問題，在制造一側(cè)的尺寸超過幾英寸的EL設(shè)備時(shí)該問題變得特別明顯。對(duì)于精確地形成EL設(shè)備，以要求的精度(孔定位±5微米)制造較大的蔭罩是非常困難的。
用于圖案化高分辨率有機(jī)EL顯示器的方法已經(jīng)由Grande等公開于US-A-5,851,709中。該方法由以下步驟序列組成1)提供具有相反的第一和第二表面的給體載體；2)在所述給體載體的第一表面上形成透光的絕熱層；3)在所述絕熱層上形成光吸收層；4)在所述給體載體上提供從所述第二表面延伸到所述絕熱層的開口的陣列；5)提供在所述光吸收層上形成的可轉(zhuǎn)移的、顏色形成有機(jī)給體層；6)精密排列所述給體載體，使所述顯示器基材在基材中的開口和設(shè)備上的對(duì)應(yīng)彩色像素之間處于定位的關(guān)系；和7)使用在光吸收層在所述開口上產(chǎn)生足夠熱量的輻射源，以引起在所述給體載體上的有機(jī)層變成顯示器基材。Grande等方法的問題是需要給體載體上開口陣列的圖案化。這產(chǎn)生許多與蔭罩方法一樣的問題，包括要求所述給體載體和顯示器基材之間的精密機(jī)械定位。另一個(gè)問題是所述給體圖案被固定和不能容易地變化。
使用未圖案化的給體片材和精密光源、例如激光，可以消除圖案化給體遇到的某些困難。這類方法由Littman公開于US-A-5,688,551，以及由Wolk等公開于一系列專利(US-A-6,114,088；US-A-6,140,009；US-A-6,214,520；和US-A-6,221,553)。然而，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)通過激光轉(zhuǎn)移的有機(jī)顯示材料的性能可能遜色于通過常規(guī)汽相沉積方法沉積的那些。這類性能包括均勻性、有效性和穩(wěn)定性。因此，為了充分利用由輻射誘導(dǎo)熱轉(zhuǎn)移提供的圖案化優(yōu)點(diǎn)，需要改進(jìn)轉(zhuǎn)移材料的性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供用于圖案化有機(jī)EL介質(zhì)的方法，該方法沒有常規(guī)光刻法或者蔭罩法的缺點(diǎn)。
本發(fā)明的另一目的是提供用于圖案化高分辨率、全色有機(jī)EL顯示器的改進(jìn)方法。
本發(fā)明另一目的是提供用于圖案化高分辨率彩色EL顯示器的方法，該方法沒有機(jī)械精密定位的缺點(diǎn)，并且能夠動(dòng)態(tài)定位和簡單地變化圖案。
這些目的借助于一種有機(jī)場致發(fā)光顯示設(shè)備實(shí)現(xiàn)，該設(shè)備具有在顯示基材上配置的像素陣列，包括以下步驟a)在顯示基材上提供第一電極的陣列；b)提供給體元件，其包括給體載體、在所述給體載體上的輻射吸收層和在所述輻射吸收層上的至少一個(gè)有機(jī)層，其中所述有機(jī)層包含要轉(zhuǎn)移到所述顯示基材的材料；c)提供間隔元件，其或者單獨(dú)地或者作為給體元件或者顯示基材的一部分提供；
d)以與所述用第一電極陣列圖案化的顯示基材成轉(zhuǎn)移關(guān)系定位所述給體元件，以便所述給體元件和所述顯示基材與所述間隔元件接合；e)在所述給體元件的輻射吸收層上聚焦和掃描具有足夠的功率和適合的光斑尺寸的激光束，以使所述有機(jī)層的選擇部分從所述給體元件轉(zhuǎn)移到在所述顯示基材上對(duì)應(yīng)于像素的指定區(qū)域，其與所述第一電極處于電連接；和f)在所述顯示基材上，在所述轉(zhuǎn)移的有機(jī)部分上提供第二電極。
優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，所述給體元件借助于所述間隔元件從所述顯示基材精確地間隔。該間隙或者間隔保證了所述有機(jī)層轉(zhuǎn)移的均勻性。本發(fā)明尤其適合于生產(chǎn)全色、有機(jī)EL顯示器，其具有高質(zhì)量和好的均勻性。該方法另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，通過使用掃描激光束進(jìn)行印刷，能夠?qū)崿F(xiàn)彩色像素的精細(xì)的精密圖案化，使得能夠生產(chǎn)高分辨率顯示器。通過將所述間隔元件設(shè)置成在所述給體元件上的突起的突出部，通過保證所述給體元件和所述顯示基材之間的間隙，因此產(chǎn)生好的轉(zhuǎn)移均勻性，而沒有粘合缺陷，并且沒有由所述層之間的光學(xué)接觸所引起的缺陷點(diǎn)，從而帶來了顯示質(zhì)量高的優(yōu)點(diǎn)。


圖1為適用于從給體元件轉(zhuǎn)移部分有機(jī)層到顯示基材的設(shè)備的示意圖；圖2是剖面視圖，其更詳細(xì)地描述具有間隔元件的顯示基材和給體元件；和圖3以橫截面顯示全色有機(jī)場致發(fā)光顯示設(shè)備的簡圖。
現(xiàn)在參考圖1，顯示了激光印刷設(shè)備10，其用于從給體轉(zhuǎn)移元件，其在下文中稱為給體元件12，轉(zhuǎn)移材料到本發(fā)明的顯示基材18上。印刷設(shè)備10的激光器14可以是二極管激光器或者任何其他大功率激光器，其產(chǎn)生激光束26。在本發(fā)明中，可以同時(shí)使用多于一個(gè)的激光器或者激光束。為了掃瞄所述激光束，以提供激光束26和給體元件12之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)，包括可移動(dòng)的鏡子的檢流計(jì)22掃描所述光束通過f-θ透鏡24，以在X方向上形成線。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，掃描激光束也可以通過其他種類的可移動(dòng)的鏡子實(shí)現(xiàn)，例如具有鏡面的旋轉(zhuǎn)多邊形，或者通過其他設(shè)備例如旋轉(zhuǎn)衍射光柵實(shí)現(xiàn)。
在示于圖1的實(shí)施方案中，給體元件12和顯示基材18在Y方向上輸送其與所述線正交，通過平移載物臺(tái)32使全部區(qū)域得到掃描。在掃瞄中在任一點(diǎn)的光束強(qiáng)度通過激光功率控制線30使用來自計(jì)算機(jī)28的指令控制?？蛇x擇地，激光束的強(qiáng)度可以通過分離的調(diào)制器例如聲光調(diào)制器(未顯示)進(jìn)行控制，如激光光學(xué)領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的。在選擇性的實(shí)施方案中，所述基材可以保持固定，而激光器運(yùn)動(dòng)或者其光束光學(xué)地重定向。重要的特點(diǎn)是激光束和顯示基材之間存在相對(duì)運(yùn)動(dòng)以使全部區(qū)域得到掃描。
如圖2所示，給體元件12以與顯示基材18成轉(zhuǎn)移關(guān)系進(jìn)行定位。給體元件12和顯示基材18的構(gòu)造、材料和加工以下更詳細(xì)地論述。給體元件12和顯示基材18可以通過夾鉗、施加壓力、粘合劑等來固定就位。給體元件12和顯示基材18借助于間隔元件16分離成區(qū)域。優(yōu)選的是在惰性氣氛、例如氮?dú)饣蛘邭鍤庀?，或者在真空下進(jìn)行轉(zhuǎn)移。
當(dāng)檢流計(jì)22掃描激光束時(shí)，f-θ透鏡24將激光束聚焦在給體元件12的輻射吸收層36上。該激光束必須具有足夠的功率以加熱輻射吸收層36到足夠高的溫度，以將有機(jī)層38中的材料轉(zhuǎn)移到顯示基材18，由此形成轉(zhuǎn)移的有機(jī)層44。在一個(gè)實(shí)施方案中，這通過部分或者完全蒸發(fā)有機(jī)層38中的材料，在顯示基材18上凝結(jié)來進(jìn)行。由f-θ透鏡24造成的光斑尺寸決定了將被轉(zhuǎn)移的有機(jī)層的面積。所述配置使得在激光束對(duì)于給定的掃描速率具有足夠的功率時(shí)，光斑尺寸使光發(fā)射層的照亮部分的材料選擇性地從給體元件轉(zhuǎn)移到在顯示基材上對(duì)應(yīng)于像素的指定區(qū)域。在圖2中，所述激光束顯示為兩個(gè)間隔的箭頭。為了便于說明，將理解激光束26實(shí)際上已經(jīng)在兩個(gè)不同的位置之間運(yùn)動(dòng)，其中對(duì)于有機(jī)層38的轉(zhuǎn)移部分它被開起。
在優(yōu)選的實(shí)施方案中，光束連續(xù)地通過檢流計(jì)22掃描通過所述給體元件12，而所述激光功率通過來自計(jì)算機(jī)28的指示得到調(diào)節(jié)。在給體元件12上激光功率的調(diào)節(jié)，使有機(jī)層38中的有機(jī)材料，以可選量在掃描的選擇區(qū)域中轉(zhuǎn)移到顯示基材18。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，有機(jī)層38中的大部分或者所有材料被轉(zhuǎn)移到基材18。
激光器14可以是紅外線固體激光器、neodynium YAG激光器或者任何其他提供足夠的功率以轉(zhuǎn)移所述有機(jī)層的激光器。必要的功率將取決于光吸收層的吸收和激光器波長之間的配合。光束形狀可以是橢圓形，以使當(dāng)使用低成本多模激光器時(shí)寫出細(xì)線。
為了產(chǎn)生彩色或者全色顯示，對(duì)于使用具有不同的有機(jī)層38的不同的給體元件12，該有機(jī)層38在有機(jī)EL設(shè)備制造完成時(shí)產(chǎn)生不同顏色的光，對(duì)于分離的像素區(qū)域重復(fù)所述工藝。
在優(yōu)選的實(shí)施方案中，用于所述轉(zhuǎn)移過程的給體元件12包含對(duì)于激光是透射的給體載體34、將激光轉(zhuǎn)化成熱的輻射吸收層36和將被轉(zhuǎn)移的有機(jī)層38。在不同的實(shí)施方案中，所述有機(jī)層38也可以起輻射吸收層的作用和層36可以被除去?？蛇x擇地，載體34也可以作為輻射吸收層，這樣層36可以被除去?？捎糜诒景l(fā)明的給體載體和輻射吸收材料的例子見于US-A-4,772,582。給體載體必須能夠在光-熱-誘導(dǎo)轉(zhuǎn)移期間保持結(jié)構(gòu)完整性。另外，給體載體必須能夠在一個(gè)表面上接收較薄的有機(jī)給體材料涂層，并且能夠維持該涂層在涂覆的載體的預(yù)期儲(chǔ)存期間不降解。滿足這些要求的載體材料包括，例如玻璃、金屬箔、塑料(聚合物)箔，其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高于在轉(zhuǎn)移期間預(yù)期的載體溫度，以及纖維增強(qiáng)塑料箔。塑料箔是優(yōu)選的。當(dāng)適合的載體材料的選擇可以取決于已知的工程方法時(shí)，將理解選擇的載體材料的某些方面，當(dāng)設(shè)置成可用于實(shí)施本發(fā)明的給體載體時(shí)，值得進(jìn)一步考慮。例如，在用可轉(zhuǎn)移的有機(jī)材料預(yù)涂之前，所述載體能夠需要多步的凈化和表面處理工藝。
用于輻射吸收層36的材料可以是染料，例如在US-A-5,578,416中說明的染料，或者顏料例如炭黑。輻射吸收層可以是金屬例如鉻、鎳或者鈦，或者由于抗反射性能吸收輻射的層疊材料。主要的要求是，光吸收層在激光發(fā)射波長產(chǎn)生吸收，具有足夠高的光密度以吸收大部分激光，由此產(chǎn)生足夠的熱以引起有機(jī)層轉(zhuǎn)移。眾所周知，這一轉(zhuǎn)移取決于激光器輸出量、光斑尺寸、光束重疊及其他因素。通常，光吸收層的光密度應(yīng)該至少0.1(～20％的光被吸收)。
本發(fā)明的重要特點(diǎn)是在給體元件12和顯示基材18之間結(jié)合間隔元件16。間隔元件16可以是在兩個(gè)復(fù)合材料之間的自由的粒子或者珠粒，或者可以連接到給體元件12或者顯示基材18二者之一。它們也可以是整體地形成的突出部，從給體載體34、輻射吸收層36或者顯示基材18伸出。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方案中，給體載體34是聚酰亞胺薄膜和間隔元件16是作為聚酰亞胺薄膜表面結(jié)構(gòu)的一部分的突出部。由間隔元件16帶來的優(yōu)點(diǎn)在于通過本發(fā)明中描述的方法制備的最終顯示元件的質(zhì)量和均勻性。相信給體元件12和顯示基材18在有機(jī)層38的激光轉(zhuǎn)移期間的接觸可能是有害的。間隔元件16防止或者最小化這一接觸。有可能所述層的接觸提供熱從有機(jī)層38耗散的通路，因此降低有機(jī)層38由激光器14產(chǎn)生的溫度，并且使轉(zhuǎn)移不完全。另一破壞方式可能是接觸面積中的熔化粘合，導(dǎo)致在從顯示基材18除去時(shí)，拉離所有涂覆在給體元件12上的材料。無論破壞的機(jī)理是什么，用間隔元件16制成的顯示器，與不用間隔元件16生產(chǎn)的相比，具有較高的質(zhì)量和均勻性。
間隔元件16可以由被用于未圖案化的給體載體34的相同材料、用于顯示基材18的材料組成，或者可以由不同的材料構(gòu)成，例如聚合物，例如聚苯乙烯或者聚甲基丙烯酸甲酯，或者可以是無機(jī)材料例如玻璃、硅石或者氧化鋁，或者可以是復(fù)合材料或者任何這些材料的混合物。所述間隔元件可以是圖案化的抗光蝕劑。所述間隔元件16在高度上可以為約1微米到約100微米和更優(yōu)選從約2微米到約5微米的尺寸。在圖案化像素時(shí)，間隔元件的高度應(yīng)該通常小于5倍的像素之間距離，即像素間距，和優(yōu)選小于像素間距。間隔元件16的數(shù)目應(yīng)該足夠少，以接觸不多于10％的EL像素區(qū)域，和更優(yōu)選不多于1％的EL像素區(qū)域。間隔元件16可以通過變形或者成形所述給體載體34、所述輻射吸收層36或者顯示基材18來形成。間隔元件16可以在施加層36和38之前涂覆在給體載體34的表面上、在施加層38之前涂覆在輻射吸收層36上或者涂覆在層38上。間隔元件可以涂覆在顯示基材18上。
雖然上述說明使用激光器用于有機(jī)材料的選擇性沉積，應(yīng)當(dāng)理解間隔元件的使用不僅僅局限于這一實(shí)施方案。在使用任何類型的輻射加熱給體元件，以通過蒸發(fā)轉(zhuǎn)移有機(jī)材料時(shí)，間隔元件的使用是有利的，無論是否圖案化。這包括，例如，使用閃光燈、IR加熱器、借助于通過電流的給體元件層的電阻加熱等的未圖案化的或者大面積有機(jī)材料的轉(zhuǎn)移。選擇性沉積可以使用任何局部加熱方法，包括但不限于在閃光燈和所述給體之間使用光學(xué)掩模。在所有這些情況中，間隔元件的使用正如激光誘導(dǎo)熱轉(zhuǎn)移情況一樣提供類似的優(yōu)點(diǎn)。
顯示基材18、可用于有機(jī)EL顯示器的有機(jī)材料的一般說明及其他有關(guān)信息提供如下。
本發(fā)明可以用于大多數(shù)的OLED設(shè)備配置中。這些包括非常簡單的包括單一的陽極和陰極的結(jié)構(gòu)，直到更復(fù)雜的設(shè)備，例如被動(dòng)的矩陣顯示器，其由陽極和陰極的正交陣列組成以形成像素，以及活性矩陣顯示器，其中每一個(gè)像素獨(dú)立地控制，例如利用薄膜晶體管(TFT)。本發(fā)明在應(yīng)用于全色顯示設(shè)備加工時(shí)是最有利的。
在本領(lǐng)域中有很多已知的有機(jī)層的構(gòu)造，其中本發(fā)明可以成功地實(shí)施。非限制地，一般的構(gòu)造示于圖3，其由以下組成基材101、可獨(dú)立尋址的陽極103、任選的空穴注入層105、空穴傳輸層107、發(fā)光層109，其進(jìn)一步定義為用于紅色發(fā)射像素的109R、用于綠色發(fā)射像素的109G和用于藍(lán)色發(fā)射像素的109B，電子傳輸層111和陰極層113，其可以或者可以不獨(dú)立尋址。這些層詳細(xì)描述如下。注意，基材可以可選擇地靠近陰極定位，或者基材可以實(shí)際上構(gòu)成陽極或者陰極。靠近基材形成的電極通常稱為第一電極，和在有機(jī)EL材料已經(jīng)沉積之后形成的電極通常稱為第二電極。第一電極通常以圖案化陣列形成，該陣列定義RGB像素。如果低的工作電壓是希望的，有機(jī)層的總結(jié)合厚度優(yōu)選小于500nm。
借助于本發(fā)明，即借助于輻射誘導(dǎo)熱轉(zhuǎn)移，轉(zhuǎn)移的層可以是上述的任何一個(gè)。最優(yōu)選，通過本發(fā)明轉(zhuǎn)移的層的至少一個(gè)是發(fā)光層并且在圖案化的第一電極陣列上形成，其以空間限定方式形成，以便產(chǎn)生具有希望的顏色例如紅色的像素陣列。這些第一電極與轉(zhuǎn)移的發(fā)光層電連接，或者直接地或者通過中間層例如空穴傳輸層電連接。類似地，其他發(fā)光層通過本發(fā)明方法涂覆，以形成其他顏色像素例如綠色和藍(lán)色的陣列。通過在給體元件12上涂覆許多的層，許多的層或者材料可以轉(zhuǎn)移到顯示基材18。取決于條件，這一轉(zhuǎn)移可以伴隨小的、部分的或者完全的層的混合而發(fā)生。不需要精密圖案化的其他設(shè)備層可以通過許多如下所述方法涂覆。在一個(gè)有用的實(shí)施方案中，在每一個(gè)像素中的發(fā)光層通過激光轉(zhuǎn)移沉積和其它層通過常規(guī)升華作用覆蓋(blanket)涂覆。
基材101可以是透光的或者不透光的，取決于預(yù)定的發(fā)光方向。對(duì)于通過所述基材觀察EL發(fā)射，透光性能是所希望的。透明玻璃或者塑料被通常用于這類情況。對(duì)于其中EL發(fā)射通過上部電極觀察的應(yīng)用，底部載體的透射特征是不重要的，因此可以是透光的、吸收光的或者反射光的。用于這一情況的基材包括，但是不局限于，玻璃、塑料、半導(dǎo)體材料、陶瓷和電路板材料。當(dāng)然，在這些設(shè)備構(gòu)造中必須提供透光的上部電極。
導(dǎo)電陽極層103通常在基材上形成，并且在EL發(fā)射通過陽極觀察時(shí)，對(duì)于有價(jià)值的發(fā)射應(yīng)該是透明的或者基本上是透明的。用于本發(fā)明的通用透明陽極材料是銦-錫氧化物(ITO)和氧化錫，但是其他金屬氧化物也可以使用，包括但不限于鋁-或者銦-摻雜的氧化鋅(IZO)、鎂-銦氧化物和鎳-鎢氧化物。除這些氧化物外，金屬氮化物例如氮化鎵和金屬硒化物例如硒化鋅和金屬硫化物例如硫化鋅可用于層103。對(duì)于其中EL發(fā)射通過上部電極觀察的應(yīng)用，層103的透射特性是不重要的，并且可以使用任何導(dǎo)電材料，可以是透明的、不透明的或者反射性的。用于這一應(yīng)用的導(dǎo)體例子包括，但是不局限于，金、銥、鉬、鈀和鉑。一般的陽極材料，透射或者不透射，具有的功函數(shù)為4.1eV或者更大。希望的陽極材料通常通過任何合適的方法沉積，例如蒸發(fā)、濺射、化學(xué)蒸汽淀積或者電化學(xué)手段。陽極可以使用眾所周知的光刻工藝圖案化。
雖然不一定總是必要的，通常有用的是空穴注入層105提供在陽極103和空穴傳輸層107之間?？昭ㄗ⑷氩牧峡梢杂脕砀倪M(jìn)后續(xù)有機(jī)層的薄膜形成性能和促進(jìn)空穴進(jìn)入空穴傳輸層的注射。用于空穴注入層的適合的材料包括，但是不局限于，porphyrinic化合物，如US-A-4,720,432所描述的，和等離子體沉積碳氟聚合物，如US-A-6,208,075所描述的。據(jù)報(bào)道可用于有機(jī)EL設(shè)備的選擇性的空穴注入材料描述于EP 0 891 121 A1和EP 1 029 909 A1。
有機(jī)EL設(shè)備的空穴傳輸層107包含至少一種空穴輸送化合物例如芳香族叔胺，其中后者被理解為是包含至少一個(gè)三價(jià)氮原子的化合物，該氮原子僅僅鍵接于碳原子，其中至少一個(gè)是芳族環(huán)的成員。在一種形式中，芳香族叔胺可以是芳基胺，例如單芳基胺、二芳基胺、三芳基胺或者聚合物芳基胺。示例性的單體的三芳基胺由Klupfel等在US-A-3,180,730中進(jìn)行了舉例說明。其他適合的三芳基胺，其被一個(gè)或多個(gè)乙烯基取代和/或包含至少一個(gè)包含活性氫的基團(tuán)，由Brant1ey等公開于US-A-3,567,450和US-A-3,658,520。
更優(yōu)選類別的芳香族叔胺是包含至少兩個(gè)芳香族叔胺部分的那些，如US-A-4,720,432和US-A-5,061,569所描述的。這類化合物包括由結(jié)構(gòu)式(A)表示的那些 其中Q1和Q2是獨(dú)立地選擇的芳香族叔胺部分；和G是碳碳鍵的連接基團(tuán)例如亞芳基、亞環(huán)烷基或者亞烷基基團(tuán)。在一個(gè)實(shí)施方案中，Q1或者Q2的至少一個(gè)包含多環(huán)的稠環(huán)構(gòu)造例如萘。在G是芳基基團(tuán)時(shí)，它方便地是亞苯基、亞聯(lián)苯基或者萘部分。
滿足結(jié)構(gòu)式(A)和包含兩個(gè)三芳基胺部分的有用的類別的三芳基胺由結(jié)構(gòu)式(B)表示 其中R1和R2各自獨(dú)立地表示氫原子、芳基基團(tuán)或者烷基基團(tuán)，或者R1和R2在一起表示形成環(huán)烷基基團(tuán)的原子；和R3和R4各自獨(dú)立地表示芳基基團(tuán)，其又可以被二芳基取代的氨基基團(tuán)取代，如結(jié)構(gòu)式(C)說明的 其中R5和R6是獨(dú)立地選擇的芳基基團(tuán)。在一個(gè)實(shí)施方案中，R5或者R6的至少一個(gè)包含多環(huán)的稠環(huán)構(gòu)造例如萘。
另一類別的芳香族叔胺是四芳基二胺。希望的四芳基二胺包括兩個(gè)二芳基氨基基團(tuán)，例如由式(C)表明的，其通過亞芳基基團(tuán)鍵合。有用的四芳基二胺包括由式(D)表示的那些
其中每個(gè)Afe是獨(dú)立地選擇的亞芳基基團(tuán)，例如亞苯基或者蒽部分；n是從1到4的整數(shù)；和Ar、R7、R8和R9是獨(dú)立地選擇的芳基基團(tuán)。在典型的實(shí)施方案中，Ar、R7、R8和R9的至少一個(gè)是多環(huán)的稠環(huán)構(gòu)造例如萘。
上述結(jié)構(gòu)式(A)、(B)、(C)、(D)的各種烷基、亞烷基、芳基和亞芳基部分每個(gè)又可以被取代。典型的取代基包括烷基基團(tuán)、烷氧基基團(tuán)、芳基基團(tuán)、芳氧基基團(tuán)和鹵素例如氟、氯和溴。所述各種烷基和亞烷基部分通常包含從約1到6個(gè)碳原子。所述環(huán)烷基部分可以包含從3到約10個(gè)碳原子，但是通常包含五、六或者七個(gè)環(huán)碳原子-例如、環(huán)戊基、環(huán)己基和環(huán)庚基環(huán)狀結(jié)構(gòu)。所述芳基和亞芳基部分通常是苯基和亞苯基部分。
所述空穴傳輸層可以由單一的或者混合的芳香族叔胺化合物形成。特別地，可以結(jié)合使用三芳基胺，例如滿足式(B)的三芳基胺，與例如式(D)表明的四芳基二胺。在三芳基胺與四芳基二胺結(jié)合使用時(shí)，后者作為層插入在三芳基胺和電子注入和傳輸層之間定位。有用的芳香族叔胺的例子如下1，1-雙(4-二-p-甲苯基氨基苯基)環(huán)己烷1，1-雙(4-二-p-甲苯基氨基苯基)-4-苯基環(huán)己烷4，4’-雙(二苯基氨基)四苯基雙(4-二甲氨基-2-甲基苯基)-苯基甲烷N，N，N-三(p-甲苯基)胺4-(二-p-甲苯基氨基)-4’-[4(二-p-甲苯基氨基)-苯乙烯基]1，2-二苯乙烯N，N，N’，N’-四對(duì)甲苯基-4-4’-二氨基聯(lián)苯N，N，N’，N’-四苯基-4，4’-二氨基聯(lián)苯N，N，N’，N’-四-1-萘基-4，4’-二氨基聯(lián)苯N，N，N’，N’-四-2-萘基-4，4’-二氨基聯(lián)苯N-苯基咔唑4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(NPB)4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]聯(lián)苯4，4”-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]對(duì)-聯(lián)三苯
4，4’-雙[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4’-雙[N-(3-苊基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯1，5-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘4，4’-雙[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4”-雙[N-(1-蒽基)-N-苯基氨基]對(duì)-聯(lián)三苯4，4’-雙[N-(2-菲基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4’-雙[N-(8-熒蒽基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4’-雙[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4’-雙[N-(2-并四苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4’-雙[N-(2-苝基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4’-雙[N-(蔻基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯2，6-雙(二-p-甲苯基氨基)萘2，6-雙[二-(1-萘基)氨基]萘2，6-雙[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘N，N，N’，N’-四(2-萘基)-4，4”-二氨基-對(duì)-聯(lián)三苯4 ，4’-雙{N-苯基-N-[4-(1-萘基)-苯基]氨基}聯(lián)苯4，4’-雙[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]聯(lián)苯2，6-雙[N，N-二二(2-萘基)胺]芴1，5-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘另一類別的有用的空穴輸送材料包括多環(huán)芳香烴化合物，如EP 1009 041所描述的。此外，可以使用聚合物空穴輸送材料，例如聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺，和共聚物例如聚(3，4-亞乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)，也稱為PEDOT/PSS。
如更充分地描述在US-A-4,769,292和US-A-5,935,721中的，有機(jī)EL元件的發(fā)光層(LEL)109包括發(fā)光的或者熒光的材料，其中場致發(fā)光作為在該區(qū)域中電子空穴對(duì)再結(jié)合的結(jié)果產(chǎn)生。所述發(fā)光層可以由單一的材料組成，但是更通常由摻雜有客體化合物的基質(zhì)材料組成，其中發(fā)光主要地來自摻雜劑并且可以具有任何顏色。發(fā)光層中的基質(zhì)材料可以是如以下限定的電子輸送材料，如以上限定的空穴輸送材料或者支持空穴電子再結(jié)合的另一種材料或者材料組合。摻雜劑通常選自高度熒光性染料，但是磷光性的化合物，例如過渡金屬配合物也是有用的，如WO 98/55561、WO 00/18851、WO 00/57676和WO 00/70655所描述的。摻雜劑通常以0.01到10重量％涂覆到基質(zhì)材料。不同的基質(zhì)/摻雜劑組合被用于不同的發(fā)光像素。
選擇作為摻雜劑的染料的重要的關(guān)系是帶隙勢(shì)能的對(duì)比，其被定義為所述分子在最高占有分子軌道和最低空分子軌道之間的能量差異。為了從基質(zhì)到摻雜劑分子的有效的能量轉(zhuǎn)移，必要條件是摻雜劑的帶隙小于基質(zhì)材料的帶隙。
已知有用的基質(zhì)和發(fā)射分子包括，但是不局限于US-A-4,769,292；US-A-5,141,671；US-A-5,150,006；US-A-5,151,629；US-A-5,405,709；US-A-5,484,922；US-A-5,593,788；US-A-5,645,948；US-A-5,683,823；US-A-5,755,999；US-A-5,928,802；US-A-5,935,720；US-A-5,935,721；和US-A-6,020,078。
8-羥基喹啉和類似的衍生物(式E)的金屬配合物構(gòu)成一類有用的能夠支持場致發(fā)光的基質(zhì)化合物，并且尤其適合于波長長于500nm的發(fā)光，例如綠色、黃色、橙色和紅色。 其中M表示金屬；n是從1到4的整數(shù)；和Z獨(dú)立地在每種情況下表示形成具有至少兩個(gè)稠合的芳族環(huán)的環(huán)的原子。
從上述顯而易見，所述金屬可以是單價(jià)、二價(jià)、三價(jià)的或者四價(jià)的金屬。所述金屬可以例如是堿金屬、例如鋰、鈉或者鉀；堿土金屬例如鎂或者鈣；土金屬例如鋁或者鎵或者過渡金屬例如鋅或者鋯?？梢允褂猛ǔＨ魏我阎獮橛杏玫尿辖饘俚膯蝺r(jià)、二價(jià)、三價(jià)或者四價(jià)的金屬。
Z形成包含至少兩個(gè)稠合的芳族環(huán)的雜環(huán)核，該芳族環(huán)中至少一個(gè)是吡咯或者吖嗪環(huán)。如果需要，另外的環(huán)，包括脂肪族和芳族環(huán)兩者，可以與所述兩個(gè)需要的環(huán)稠合。為了避免增加分子體積而沒有改進(jìn)功能，環(huán)原子的數(shù)目通常維持在18或者更少。
有用的螯合oxinoid化合物的例子如下CO-1鋁三喔星[同義名，三(8-羥基喹啉)鋁(III)，同義名ALQ]CO-2鎂雙喔星[同義名，雙(8-羥基喹啉)鎂(II)]CO-3雙[苯并{f}-8-羥基喹啉]鋅(II)CO-4雙(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁(III)-μ-氧代-雙(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁(III)CO-5銦三喔星[同義名，三(8-羥基喹啉)銦]CO-6鋁三(5-甲基喔星)[同義名，三(5-甲基-8-羥基喹啉)鋁(III)CO-7鋰喔星[同義名，(8-羥基喹啉)鋰(I)]CO-8鎵喔星[同義名，三(8-羥基喹啉)鎵(III)]CO-9鋯喔星[同義名，四(8-羥基喹啉)鋯(IV)]9，10-二-(萘基)蒽(式F)的衍生物構(gòu)成一類有用的能夠支持場致發(fā)光的基質(zhì)，并且尤其適合于波長長于400nm的發(fā)光，例如藍(lán)色、綠色、黃色、橙色或者紅色。 其中R1、R2、R3、R4、R5和R6表示在每一個(gè)環(huán)上的一個(gè)或多個(gè)取代基，其中每個(gè)取代基單獨(dú)地選自以下小組小組1氫或者具有1到24個(gè)碳原子的烷基；小組2芳基或者取代芳基，具有5到20個(gè)碳原子；小組3形成蒽基；芘基或者苝基的稠合芳族環(huán)必需的4到24個(gè)碳原子小組4雜芳基或者取代雜芳基，具有5到24個(gè)碳原子，其為形成呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基或者其他雜環(huán)系統(tǒng)的稠合的雜芳族環(huán)所需要的；小組5烷氧基氨基、烷基氨基或者芳基氨基，其具有1到24個(gè)碳原子；和小組6氟、氯、溴或者氰基。
說明的例子包括9，10-二-(2-萘基)蒽和2-叔丁基-9，10-二-(2-萘基)蒽(TBADN)。其他蒽衍生物在LEL中作為基質(zhì)可能是有用的，包括9，10-雙[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基]蒽。
吲哚衍生物(式G)構(gòu)成另一類有用的能夠支持場致發(fā)光的基質(zhì)，并且尤其適合于波長長于400nm的發(fā)光，例如藍(lán)色、綠色、黃色、橙色或者紅色。 其中n是3到8的整數(shù)；Z是O、NR或者S；R和R′單獨(dú)地是氫；具有1到24個(gè)碳原子的烷基，例如、丙基、叔丁基、庚基等等；具有5到20個(gè)碳原子的芳基或者雜原子取代的芳基，例如苯基和萘基、呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基及其他雜環(huán)系統(tǒng)；或者鹵素例如氯、氟；或者形成稠合的芳族環(huán)必需的原子；和L是連接單元，其由烷基、芳基取代烷基或者取代芳基組成，其共軛地或者非共軛地將許多的吲哚連接在一起。
有用的吲哚的例子是2，2′，2”-(1，3，5-亞苯基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑]。
希望的熒光性摻雜劑包括以下化合物的衍生物蒽、并四苯、占噸、苝、紅熒烯、香豆素、若丹明、喹吖啶酮、二氰基亞甲基吡喃化合物、噻喃化合物、聚甲炔化合物、pyri1ium和thiapyri1ium化合物和carbostyryl化合物。有用的摻雜劑的說明的例子包括，但是不局限于以下 用于形成本發(fā)明的有機(jī)EL設(shè)備的電子傳輸層111的優(yōu)選的薄膜形成材料是金屬螯合的oxinoid化合物，包括喔星本身(通常也稱為8-羥基喹啉)的螯合物。這類化合物有助于注入和輸送電子和顯示高水平性能和易于制造成薄膜的形式兩者?？紤]的oxinoid化合物的示例是滿足前面描述的結(jié)構(gòu)式(E)的那些。
其他電子輸送材料包括各種丁二烯衍生物，如公開于US-A-4,356,429中的和各種雜環(huán)的光學(xué)增亮劑，如US-A-4,539,507所描述的。滿足結(jié)構(gòu)式(G)的吲哚也是有用的電子輸送材料。
在有些情況下，層109和111可以任選地折疊成單層，其起支持發(fā)光和電子傳輸兩者的作用。類似地，層109和107可以任選地折疊成單層，其起支持發(fā)光和空穴傳輸兩者的作用。
在發(fā)光通過陽極時(shí)，用于本發(fā)明的陰極層113可以由幾乎任何導(dǎo)電材料組成。希望的材料具有好的成膜性能，以保證與下面的有機(jī)層好的接觸，提高低壓下的電子注入，并且具有好的穩(wěn)定性。有用的陰極材料通常包含低功函數(shù)金屬(＜4.0eV)或者金屬合金。一種優(yōu)選的陰極材料由Mg∶Ag合金組成，其中銀的百分比在1到20％范圍之內(nèi)，如US-A-4,885,221所描述的。另一適合類別的陰極材料包括由低功函數(shù)金屬薄層或者用導(dǎo)電金屬的厚層組成的雙層。一種這類陰極由LiF薄層繼之以A1的厚層組成，如US-A-5,677,572所描述的。其他有用的陰極材料包括，但是不局限于，公開于US-A-5,059,861；US-A-5,059,862；和US-A-6,140,763的那些。
在發(fā)光通過陰極觀察時(shí)，陰極必須是透明的或者幾乎是透明的。對(duì)于這類應(yīng)用，金屬必須是薄的或者必須使用透明的導(dǎo)電氧化物，或者這些材料的結(jié)合。光學(xué)透明的陰極已經(jīng)更詳細(xì)地描述于US-A-5,776,623。陰極材料可以通過蒸發(fā)、濺射或者化學(xué)蒸汽淀積進(jìn)行沉積。必要時(shí)，圖案化可以通過許多眾所周知的方法實(shí)現(xiàn)，包括但不限于，全面(through)-屏蔽沉積、整體蔭罩，如US-A-5,276,380和EP0 732 868所描述的，激光燒蝕和選擇性的化學(xué)蒸汽淀積。
上述有機(jī)材料的非圖案化沉積，例如在顯示基材18上或者在給體載體上形成有機(jī)層38，可以適當(dāng)?shù)赝ㄟ^升華作用實(shí)現(xiàn)。然而，有機(jī)材料也可以從帶有任選的粘結(jié)劑的溶劑沉積，以改進(jìn)薄膜形成。如果材料是聚合物，溶劑沉積通常是優(yōu)選的。要通過升華作用沉積的材料可以從由鉭材料組成的升華器“舟皿”蒸發(fā)，例如US-A-6,237,529所描述的。注意，不需要圖案化的層可以首先沉積在載體上形成給體元件12，然后通過未圖案化的閃光燈沉積十分近似地升華到基材。需要材料混合物的層可以利用分離的升華器舟皿或者所述材料可以被預(yù)混合和從單一舟皿或者給體片材涂覆。
大多數(shù)的OLED設(shè)備對(duì)水分和/或氧氣敏感，因此它們通常在惰性氣氛例如氮?dú)饣蛘邭鍤庖约案稍飫├缪趸X、鋁礬土、硫酸鈣、粘土、硅膠、沸石、堿金屬氧化物、堿土金屬氧化物、硫酸鹽或者金屬鹵化物和高氯酸鹽中密封。包封和干燥的方法包括，但是不局限于描述在US-A-6,226,890中的那些。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例作為間隔元件16的均勻珠?；蛘咄怀霾康谋碚魇呛唵蔚?。在表面粗糙的材料被用作給體載體34時(shí)，在本發(fā)明中可以有效使用的材料的表征，與那些無效的對(duì)照，是更復(fù)雜的。觀察到，由用于給體載體34的粗糙載體制造的顯示器，與用平滑的用于給體載體34的載體制成的顯示器相比，產(chǎn)生較好的像素均勻性和較高的發(fā)光效率。為了表征對(duì)于改進(jìn)的EL設(shè)備需要的粗糙度，一系列粗糙度改變的載體被用作給體載體34?；氖侨軇┝餮拥木埘啺?、熱塑性的聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯和聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯。這些載體的樣品用近似1大氣壓的真空保持在平面玻璃板上。彩色牛頓環(huán)，其由兩個(gè)表面的緊密接觸所引起，在使用平滑的載體時(shí)被看到，但是在使用粗糙的載體時(shí)沒有看到。表面的粗糙度可以通過如下所述的牛頓環(huán)測試進(jìn)行表征不同載體的樣品由真空保持在平坦的平面玻璃板上。在白光反射顯微鏡下，用數(shù)字照相機(jī)拍照約3.1mm乘2.3mm的區(qū)域，產(chǎn)生300乘225像素的全色牛頓環(huán)圖象。所述圖像使用Adobe Photoshop軟件轉(zhuǎn)化為L*a*b*色空間數(shù)據(jù)。記錄a*值的最高和最低值之間的差(Δa*)，作為由牛頓環(huán)所引起的色移的量。這些數(shù)據(jù)示于表1。
表1

給體元件12通過60nm鉻的輻射吸收層36的真空淀積在給體載體34上形成，如表1中表明的。在其上真空淀積10nm厚的2-叔丁基-9，10-雙(2-萘基)蒽(TBADN)層，繼之以0.1nm的化合物L(fēng)2(TBP)，以形成有機(jī)層38。
在干凈的玻璃基板上用40到80nm銦錫氧化物(ITO)真空淀積和圖案化以形成陽極。然后在ITO上真空淀積75nm的4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(NPB)。該玻璃/ITO/NPB構(gòu)造構(gòu)成顯示器基材18。前面描述的給體元件12的TBP層置于與顯示器基材18的NPB層接觸和通過使用真空固定就位在給體元件12和顯示基材18之間。
激光轉(zhuǎn)移從給體元件12到顯示基材18通過用紅外光束在830nm通過給體載體34輻射來進(jìn)行。光束尺寸對(duì)于1/e2點(diǎn)為大約16微米乘80微米。通過反射鏡電流計(jì)22的光束掃瞄通過F-θ透鏡20進(jìn)行，其與光束的長軸平行以產(chǎn)生掃描行。停延時(shí)間為29微秒，功率密度為～300mw。給體斑點(diǎn)轉(zhuǎn)移通過平移顯示基材18和給體元件12垂直于光束掃描行每掃描行6微米來進(jìn)行。轉(zhuǎn)移的有機(jī)材料44構(gòu)成設(shè)備發(fā)光層并且發(fā)射藍(lán)色光。
在轉(zhuǎn)移的發(fā)光層上，真空淀積40nm化合物CO-1的層以形成電子傳輸層。繼之以共沉積20nm的銀加200nm的鎂以形成陰極。
在施加9V時(shí)，觀察到藍(lán)色發(fā)射。如上制備對(duì)照樣品，但是沒有激光轉(zhuǎn)移層。在對(duì)照上施加9V產(chǎn)生由于從CO-1的發(fā)射產(chǎn)生的均勻綠色輝光。用藍(lán)色發(fā)光層制備的實(shí)施例的發(fā)射質(zhì)量通過藍(lán)色發(fā)射的均勻性判斷并且在圖1中給出。非均勻的轉(zhuǎn)移生產(chǎn)雜色狀態(tài)。該雜色歸因于色彩(綠色和藍(lán)色)和總體光強(qiáng)兩者的改變。均勻性數(shù)據(jù)示于表1，連同牛頓環(huán)試驗(yàn)數(shù)據(jù)。該表顯示，Δa*值，來自在此定義的牛頓環(huán)測試，低于約80對(duì)于用于顯示載體34的適合粗糙的材料是需要的，和更優(yōu)選，Δa*應(yīng)該小于約50。
本發(fā)明的其他特點(diǎn)包括以下。
通過未圖案化汽相沉積沉積空穴傳輸層和電子傳輸層的方法。
給體元件在給體載體和要被轉(zhuǎn)移的有機(jī)材料之間還包括輻射吸收層的方法。
間隔元件整體地作為給體載體的一部分形成的方法。
用于制造有機(jī)場致發(fā)光設(shè)備的給體元件，包括a)給體載體；b)在所述給體載體上提供的輻射吸收層；c)包括要被轉(zhuǎn)移到所述顯示基材的材料的至少一個(gè)有機(jī)層；和d)間隔元件；其中，間隔元件作為所述給體載體或者輻射吸收層的一部分提供。
其中間隔元件為1到100微米高的給體元件。
其中間隔元件作為給體載體的一部分提供的給體元件。
權(quán)利要求
1.制造有機(jī)場致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，該有機(jī)場致發(fā)光顯示設(shè)備具有配置在顯示基材上的像素的陣列，包括以下步驟a)在顯示基材上提供第一電極的陣列；b)提供給體元件，其包括給體載體、在所述給體載體上的輻射吸收層和在所述輻射吸收層上的至少一個(gè)有機(jī)層，其中所述有機(jī)層包含轉(zhuǎn)移到所述顯示基材的材料；c)提供間隔元件，其或者單獨(dú)地或者作為給體元件或者顯示基材的一部分提供；d)以與所述用第一電極陣列圖案化的顯示基材成轉(zhuǎn)移關(guān)系定位所述給體元件，以便所述給體元件和所述顯示基材與所述間隔元件接合；e)在所述給體元件的輻射吸收層上聚焦和掃描具有足夠的功率和適合的光斑尺寸的激光束，以使所述有機(jī)層的選擇部分從所述給體元件轉(zhuǎn)移到在所述顯示基材上對(duì)應(yīng)于像素的指定區(qū)域，其與所述第一電極處于電連接；和f)在所述顯示基材上，在所述轉(zhuǎn)移的有機(jī)部分上提供第二電極。
2.權(quán)利要求1的方法，其中所述間隔元件作為所述給體載體的一部分整體地形成。
3.權(quán)利要求2的方法，其中所述給體載體是聚酰亞胺薄膜。
4.權(quán)利要求1的方法，其中所述間隔元件是粒子或者珠粒。
5.權(quán)利要求1的方法，其中所述間隔元件由提供于所述給體載體的相同材料組成或者由聚合物、抗光蝕劑、玻璃、硅石或者氧化鋁或者其復(fù)合材料混合物制成。
6.權(quán)利要求1的方法，其中所述間隔元件接觸不多于1％的EL像素的區(qū)域和優(yōu)選具有從2微米到5微米的高度。
7.權(quán)利要求1的方法，進(jìn)一步包括重復(fù)步驟b)-e)，以轉(zhuǎn)移不同的顏色產(chǎn)生有機(jī)發(fā)光層，以提供全色顯示設(shè)備。
8.權(quán)利要求1的方法，其中所述設(shè)備還包括空穴傳輸層和電子傳輸層。
9.制造有機(jī)場致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，該有機(jī)場致發(fā)光顯示設(shè)備具有配置在顯示基材上的像素的陣列，包括以下步驟a)在顯示基材上提供第一電極的陣列；b)提供給體元件，該給體元件包括至少一個(gè)有機(jī)層，該有機(jī)層包含要被轉(zhuǎn)移到所述顯示基材的材料；c)提供間隔元件，其或者單獨(dú)地或者作為給體元件或者顯示基材的一部分提供；d)以與所述用第一電極陣列圖案化的顯示基材成轉(zhuǎn)移關(guān)系定位所述給體元件，以便所述給體元件和所述顯示基材與所述間隔元件接合；e)在所述給體元件上聚焦和掃描具有足夠的功率和適合的光斑尺寸的激光束，以使所述有機(jī)層的選擇部分從所述給體元件轉(zhuǎn)移到在所述顯示基材上對(duì)應(yīng)于像素的指定區(qū)域，其與所述第一電極處于電連接；和f)在所述顯示基材上，在所述轉(zhuǎn)移的有機(jī)部分上提供第二電極。
10.制造有機(jī)場致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，包含以下步驟a)提供具有至少一個(gè)第一電極的顯示器基材；b)提供給體元件，該給體元件包括給體載體和至少一個(gè)有機(jī)層，該有機(jī)層包含要被轉(zhuǎn)移到所述顯示基材的材料；c)提供間隔元件，其或者單獨(dú)地或者作為給體元件或者顯示基材的一部分提供；d)以與所述顯示基材成轉(zhuǎn)移關(guān)系定位所述給體元件，以便所述給體元件和所述顯示基材與所述間隔元件接合；e)在所述給體元件上提供具有足夠的功率和適合的面積的輻射，以使所述有機(jī)層的選擇的部分從所述給體元件轉(zhuǎn)移到所述顯示基材，其與所述第一電極電連接；和f)在所述顯示基材上，在某些或者所有的所述轉(zhuǎn)移的有機(jī)部分上提供第二電極。
全文摘要
制造有機(jī)場致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述有機(jī)場致發(fā)光顯示設(shè)備具有配置在顯示基材上的像素的陣列，該方法包括單獨(dú)地或者作為給體元件或者顯示基材的一部分提供間隔元件。然后將輻射誘導(dǎo)熱轉(zhuǎn)移用于從所述給體元件轉(zhuǎn)移有機(jī)材料到所述顯示基材。
文檔編號(hào)H01L27/32GK1436026SQ03101999
公開日2003年8月13日 申請(qǐng)日期2003年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月30日
發(fā)明者M·S·博貝里, L·W·圖特, M·W·庫爾弗, 鄧青云 申請(qǐng)人:伊斯曼柯達(dá)公司