專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法，特別是涉及在切割半導(dǎo)體晶片后的IC芯片的邊沿和側(cè)面形成了保護(hù)膜的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，如圖7(a)所示，在完成了元件的形成的半導(dǎo)體晶片101的IC焊盤部(圖中未示出)上形成芯片電極103。
接著，如圖7(b)所示，在包含該芯片電極(或凸點部)103的半導(dǎo)體晶片101整個面上通過光焊接等形成用于保護(hù)IC芯片的有源面的保護(hù)膜105。作為該保護(hù)膜105，還可以使用聚酰亞胺或硅數(shù)據(jù)等。
然后，在保護(hù)膜105上涂敷光刻膠膜(圖中未示出)，通過使該光刻膠膜曝光、顯影，在保護(hù)膜上形成了芯片電極103的上方開口的光致抗蝕圖形。接著，該光致抗蝕圖形為掩模，蝕刻芯片電極103上的保護(hù)膜105?；蛘咄ㄟ^遮光掩模，進(jìn)行光刻。據(jù)此，如圖7(c)所示，露出了芯片電極103。根據(jù)必要，然后形成具有一定厚度的電極。
接著，為了使半導(dǎo)體晶片101分離成各IC芯片，進(jìn)行切割。該切割可通過對半導(dǎo)體晶片使用切片鋸(圖中未示出)而進(jìn)行。
在半導(dǎo)體晶片101的表面形成了圖中未示出的劃線。該劃線最好形成比切片鋸的寬度寬20～30％左右。例如，當(dāng)切片鋸的寬度為100μm時，劃線為120μm左右。
接著，沿著該劃線進(jìn)行第一切割(半切割)。該第一切割進(jìn)行到半導(dǎo)體晶片的厚度的一半左右。據(jù)此，在半導(dǎo)體晶片101的表面一側(cè)形成了切割痕。
接著，沿著切割痕，從表面一側(cè)進(jìn)行第二切割(完全切割)。該第二切割對半導(dǎo)體晶片的厚度的第一切割后留下的厚度例如20％左右的厚度進(jìn)行。據(jù)此，半導(dǎo)體晶片101分離為IC芯片。須指出的是，第二切割為了抑制IC芯片的損傷，以70mm/sec左右的處理速度進(jìn)行。這時的切片鋸為4萬轉(zhuǎn)左右。
另外，代替進(jìn)行第二切割(完全切割)，可以通過對半導(dǎo)體晶片101進(jìn)行裂開，把半導(dǎo)體晶片分離為IC芯片。
圖8(a)～(c)是表示其他的以往的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖，在與圖7相同的部分付與了相同的符號，只就不同的部分加以說明。
首先，如圖8(a)所示，準(zhǔn)備完成了元件的形成的半導(dǎo)體晶片101，在該半導(dǎo)體晶片101的整個面上形成保護(hù)膜105。
接著，如圖8(b)所示，在保護(hù)膜105上，形成位于半導(dǎo)體晶片101的IC焊盤部(圖中未示出)上的開口部。接著在該開口部內(nèi)形成芯片電極103。
然后，如圖8(c)所示，為了使半導(dǎo)體晶片101分離為各IC芯片，進(jìn)行切割。
可是，在所述以往的半導(dǎo)體裝置的制造方法以及所述其他的以往的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在半導(dǎo)體晶片101的表面上形成了保護(hù)膜105后，對半導(dǎo)體晶片101進(jìn)行了切割。因此，在切割后的半導(dǎo)體晶片的切斷面(即IC芯片的側(cè)面)上未形成保護(hù)膜105。因此，IC芯片的側(cè)面變?yōu)槁冻龉璧臓顟B(tài)，所以水分等有可能從該側(cè)面侵入IC芯片的內(nèi)部。因此，要求制造在切割半導(dǎo)體晶片后的IC芯片的側(cè)面也形成了保護(hù)膜等的更合理化的CSP(Chip Size Package)。
為了解決所述課題，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于具有準(zhǔn)備形成了半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體晶片的步驟；通過沿著該半導(dǎo)體晶片的劃線，切割該半導(dǎo)體晶片的厚度的20μm以上，在劃線上形成溝的半切割步驟；
在包含溝內(nèi)的半導(dǎo)體晶片的整個面上形成保護(hù)膜的步驟；通過沿著所述溝切割，把半導(dǎo)體晶片分離為IC芯片的完全切割步驟。
根據(jù)所述半導(dǎo)體裝置的制造方法，在對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行了半切割后，在半導(dǎo)體晶片的整個面上形成保護(hù)膜，在溝內(nèi)也覆蓋保護(hù)膜，然后，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的完全切割。因此，在IC芯片的側(cè)面的20μm以上的部分能覆蓋保護(hù)膜，所以能防止水分等從該側(cè)面侵入IC芯片的內(nèi)部。另外，能防止IC芯片的邊緣附近的保護(hù)膜的剝離、缺少等。
另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在所述半切割步驟中形成的溝的寬度最好比所述完全切割步驟中的半導(dǎo)體晶片的切斷寬度寬。這是因為半切割步驟時的切斷面上形成了保護(hù)膜。即通過把半切割的寬度設(shè)定為比完全切割的寬度寬，能確保保護(hù)膜向IC芯片的側(cè)面的延伸，能在IC芯片的側(cè)面形成保護(hù)膜。另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在所述半切割步驟中形成的溝的截面的至少一部分上能形成了錐形或R形狀的部分。
另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在所述準(zhǔn)備步驟中準(zhǔn)備的半導(dǎo)體晶片的焊盤部的上表面上也能形成了電極。
另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在所述準(zhǔn)備步驟中準(zhǔn)備的半導(dǎo)體晶片的焊盤部上形成了向芯片內(nèi)部區(qū)域引出的導(dǎo)線的一端，在該引出的導(dǎo)線的另一端上形成了具有比焊盤部寬的表面面積的電極。
另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在形成所述保護(hù)膜的步驟和所述完全切割步驟之間，還能包含除去所述電極上的保護(hù)膜，使該電極露出的步驟。另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在所述露出步驟后，還能包含根據(jù)需要形成突起電極的電極加厚步驟。
另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在形成所述保護(hù)膜和所述完全切割步驟之間，還能包含在所述保護(hù)膜上，設(shè)置位于半導(dǎo)體晶片的焊盤部的上表面上的開口部，在該開口部內(nèi)形成電極的步驟。
另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在所述準(zhǔn)備步驟中準(zhǔn)備的半導(dǎo)體晶片的焊盤部上形成了向芯片內(nèi)部區(qū)域引出的導(dǎo)線的一端，在形成所述保護(hù)膜的步驟和所述完全切割步驟之間，還能包含在所述保護(hù)膜上，設(shè)置位于該引出導(dǎo)線的另一端上的開口部，在該開口部內(nèi)形成具有比該焊盤部大的表面面積的電極的步驟。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在IC芯片的側(cè)面的至少20μm以上以及IC芯片的表面分別形成了保護(hù)膜，其特征在于具備形成有半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體晶片，通過沿著該半導(dǎo)體晶片的劃線，切割該半導(dǎo)體晶片的厚度的20μm以上，在劃線上形成溝，在包含溝內(nèi)的半導(dǎo)體晶片的整個面上形成保護(hù)膜，通過沿著所述溝切割而形成。
另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，在所述IC芯片的邊緣部的至少一部分形成了錐形或R形的部分。
另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，所述半導(dǎo)體晶片具有焊盤部，在該焊盤部的上表面上形成了電極。
另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，所述半導(dǎo)體晶片具有焊盤部，在該焊盤部的上表面上形成了向芯片內(nèi)部區(qū)域引出的導(dǎo)線的一端，在該導(dǎo)線的另一端形成了具有比焊盤部更大的表面面積的電極。
另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，最好在所述電極上的保護(hù)膜上形成開口，露出該電極。另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，在所述露出的電極上，根據(jù)需要形成突起電極。
圖2(a)、(b)表示本發(fā)明實施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法，是表示

圖1(c)的下一步驟的剖視圖。
圖3(a)～(c)是用于說明所述實施例1的變形例的剖視圖。
圖4(a)～(c)是表示本發(fā)明實施例2的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
圖5(a)、(b)表示本發(fā)明實施例2的半導(dǎo)體裝置的制造方法，是表示圖4(c)的下一步驟的剖視圖。
圖6(a)～(c)是用于說明所述實施例2的變形例的剖視圖。
圖7(a)～(c)是表示以往的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
圖8(a)～(c)是表示其他以往的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
圖中1—硅晶片；1a-IC焊盤部2—引出導(dǎo)線；3、103—芯片電極(或凸點部)；4—切割痕(溝)；5、105—保護(hù)膜；101—半導(dǎo)體晶片。
圖1(a)～(c)以及圖2(a)、(b)是表示本發(fā)明實施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。在本實施例中，說明半導(dǎo)體晶片為硅晶片時的情形。
首先，如圖1(a)所示，準(zhǔn)備硅晶片1。在該硅晶片1的表面形成了劃分芯片區(qū)域的劃線。該劃線最好比切片鋸的寬度還寬20～30％。例如，當(dāng)切片鋸的寬度為100μm左右時，劃線寬度為120μm左右。須指出的是，在硅晶片1上已完成了元件的形成，但是在圖中未表示。
在完成了元件的形成的硅晶片1的IC焊盤部(圖中未示出)形成由芯片電極(或凸點部)3。
接著，如圖1(b)所示，沿著劃線，從硅晶片1的表面一側(cè)進(jìn)行第一切割(半切割)。第一切割進(jìn)行到硅晶片1的厚度的20μm以上，例如一半左右。據(jù)此，在硅晶片1的上形成了切割痕(溝)4。在圖1(b)中溝4的截面形狀為四角形，但是溝的截面形狀并不局限于此，例如溝的截面的至少一部分上能形成錐形的部分，另外，在溝的截面的至少一部分上能形成R形狀的部分。為了在溝的截面上形成錐形或R形狀的部分，使用切片鋸的刀(刃)的截面形成了錐形的部分或R形狀的部分的切片鋸。如果這用這樣的刀，則最終制作的芯片的邊緣部的至少一部分上形成了錐形或R形狀的部分。
接著，如圖1(c)所示，在包含芯片電極3的硅晶片1的整個面上，通過光焊接等形成了用于保護(hù)IC芯片的有源面的保護(hù)膜5。該保護(hù)膜5也覆蓋了切割痕4內(nèi)。這樣，在晶片狀態(tài)以保護(hù)膜進(jìn)行了密封。須指出的是，作為保護(hù)膜5，最好使用聚酰亞胺或硅樹脂等。
然后，如圖2(a)所示，在保護(hù)膜5上涂敷光刻膠膜(圖中未示出)，通過使該光刻膠膜曝光、顯影，在保護(hù)膜上形成在芯片電極3的上方開口的光致抗蝕圖形。接著，以該光致抗蝕圖形為掩模，蝕刻芯片電極3上的保護(hù)膜5?；蛘?，通過遮光掩模進(jìn)行光刻。據(jù)此，露出芯片電極3。然后，按照需要，形成加厚電極。
接著，如圖2(b)所示，沿著切割痕4，從表面一側(cè)進(jìn)行第二切割(完全切割)。該第二切割對硅晶片厚度的在第一切割中剩下的厚度例如20％左右進(jìn)行。據(jù)此，硅晶片1分離為IC芯片，形成了IC芯片的側(cè)面的20μm以上以及μm的表面分別由保護(hù)膜密封的半導(dǎo)體封裝。須指出的是，在第二切割中使用的切片鋸比第一切片鋸的寬度窄。這是因為在第一切割時的切斷面上形成有保護(hù)膜5。如上所述，當(dāng)?shù)谝磺懈钪惺褂玫那衅彽膶挾燃s為100μm時，在第二切割中，最好使用寬度約為60μm左右的切片鋸。另外，第二切割為了抑制IC芯片的損傷，最好用比第一切割慢的處理速度進(jìn)行，為了抑制IC芯片的損傷，例如最好以70mm/sec的處理速度進(jìn)行。這時的切片鋸為4萬轉(zhuǎn)左右。
另外，代替進(jìn)行第二切割(完全切割)，可以通過對硅晶片1進(jìn)行裂開，把硅晶片分離為IC芯片。
根據(jù)所述實施例1，在對硅晶片1進(jìn)行了半切割后，在硅晶片的整個面上形成保護(hù)膜5，在切割痕(溝)內(nèi)也覆蓋保護(hù)膜，然后，進(jìn)行硅晶片的完全切割。這時，通過把半切割的寬度設(shè)定為比完全切割的寬度大，能確保保護(hù)膜向IC芯片的側(cè)面蔓延，能在IC芯片的側(cè)面形成保護(hù)膜5。因此，能防止水分等從該側(cè)面向IC芯片的內(nèi)部侵入。即能制造在切割硅晶片后的IC芯片的側(cè)面也形成了保護(hù)膜等的更合理化的CSP。
圖3(a)～(c)是用于說明對所述實施例1的變形例的剖視圖，對與圖1、圖2相同的部分采用了相同的符號，只就不同的部分加以說明。
首先，如圖3所示，準(zhǔn)備完成了元件的形成的硅晶片1。在該硅晶片1未形成芯片電極。接著，沿著劃線，通過從硅晶片1的表面一側(cè)進(jìn)行第一切割(半切割)，在硅晶片1上形成了切割痕(溝)4。
接著，如圖3(b)所示，在包含切割痕4的硅晶片1的整個面上形成保護(hù)膜5。
接著，如圖3(c)所示，在該保護(hù)膜5上涂敷光刻膠膜，通過使該光刻膠膜曝光、顯影，在保護(hù)膜上形成在IC焊盤部(圖中未示出)的上方開口的光致抗蝕圖形。接著，以該光致抗蝕圖形為掩模，通過蝕刻保護(hù)膜5，使IC焊盤部露出。
然后，如圖2(a)所示，在IC焊盤部上形成芯片電極3。該芯片電極的形成方法能使用各種方法，例如能通過電鍍法形成芯片電極，另外，也能通過浸漬方式形成芯片電極，也能通過安裝球而形成芯片電極。接著，如圖2(b)所示，沿著切割痕4，從表面一側(cè)進(jìn)行第二切割(完全切割)。
在所述變形例中，也能取得與實施例1同樣的效果。
圖4(a)～(c)以及圖5(a)、(b)是表示本發(fā)明實施例2的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。在本實施例中，說明半導(dǎo)體晶片為硅晶片時的情形。
首先，如圖4(a)所示，準(zhǔn)備硅晶片1。在該硅晶片1的表面形成了劃分芯片區(qū)域的劃線。該劃線最好比切片鋸的寬度寬20～30％左右。須指出的是，雖然完成了元件的形成，但是并未在圖中表示。
在完成了元件的形成的硅晶片1的IC焊盤部1a上形成了引出導(dǎo)線2的一端。該引出導(dǎo)線2的另一端引出到IC芯片的內(nèi)部區(qū)域上。在該引出導(dǎo)線2的另一端上形成了具有比IC焊盤部大的表面面積的芯片電極(或凸點部)3。通過使用這樣的導(dǎo)線2，能在IC芯片上形成大面積的芯片電極3。
接著，如圖4(b)所示，沿著劃線，從硅晶片1的表面一側(cè)進(jìn)行第一切割(半切割)。該半切割的寬度最好比后面描述的完全切割的適當(dāng)寬度大。第一切割進(jìn)行到硅晶片1的厚度的20μm以上，例如一半左右。據(jù)此，在硅晶片1的上形成了切割痕(溝)4。在圖4(b)中，溝4的截面形狀為四角形，但是溝的截面形狀并不局限于此，例如溝的截面的至少一部分上能形成錐形的部分，另外，在溝的截面的至少一部分上能形成R形狀的部分。為了在溝的截面的至少一部分上形成錐形或R形狀的部分，使用切片鋸的刀(刃)的截面形成了錐形的部分或R形狀的部分的切片鋸。如果這用這樣的刀，則最終制作的芯片的邊緣部的至少一部分上形成了錐形或R形狀的部分。
接著，如圖4(c)所示，在包含芯片電極3的硅晶片1的整個面上，通過光焊接等形成了用于保護(hù)IC芯片的有源面的保護(hù)膜5。該保護(hù)膜5也覆蓋了切割痕4內(nèi)。這樣，在晶片狀態(tài)以保護(hù)膜進(jìn)行了密封。須指出的是，作為保護(hù)膜5，最好使用聚酰亞胺或硅樹脂等。
然后，如圖5(a)所示，在保護(hù)膜5上涂敷光刻膠膜(圖中未示出)，通過使該光刻膠膜曝光、顯影，在保護(hù)膜上形成在芯片電極3的上方開口的光致抗蝕圖形。接著，以該光致抗蝕圖形為掩模，蝕刻芯片電極3上的保護(hù)膜5。或者，通過遮光掩模進(jìn)行光刻。據(jù)此，露出芯片電極3。然后，按照需要，形成加厚電極。
接著，如圖5(b)所示，沿著切割痕4，從表面一側(cè)進(jìn)行第二切割(完全切割)。該第二切割對硅晶片厚度的在第一切割中剩下的厚度例如20％左右進(jìn)行。據(jù)此，硅晶片1分離為IC芯片，形成了IC芯片的側(cè)面的20μm以上以及μm的表面分別由保護(hù)膜密封的半導(dǎo)體封裝。須指出的是，在第二切割中使用的切片鋸比第一切片鋸的寬度窄。這是因為在第一切割時的切斷面和芯片邊緣上形成了保護(hù)膜5。
另外，代替進(jìn)行第二切割(完全切割)，可以通過對硅晶片1進(jìn)行裂開，把硅晶片分離為IC芯片。
根據(jù)所述實施例2，在具有大面積的芯片電極(包含電極焊盤、凸點等)的半導(dǎo)體裝置中，能取得與實施例1同樣的效果。即對硅晶片1進(jìn)行了半切割后，在硅晶片的整個面上形成保護(hù)膜5，在切割痕(溝)內(nèi)也覆蓋保護(hù)膜，然后，進(jìn)行硅晶片的完全切割。這時，通過把半切割的寬度設(shè)定為比完全切割的寬度大，能確保保護(hù)膜向IC芯片的側(cè)面蔓延，能在IC芯片的側(cè)面形成保護(hù)膜5。因此，能防止水分等從該側(cè)面向IC芯片的內(nèi)部侵入。也能防止邊緣附近的保護(hù)膜的剝離、缺少等。即能制造在切割硅晶片后的IC芯片的側(cè)面也形成了保護(hù)膜等的更合理化的CSP。
圖6(a)～(c)是用于說明所述實施例2的變形例的剖視圖，對與圖4、圖5相同的部分采用了相同的符號，只就不同的部分加以說明。
首先，如圖6(a)所示，準(zhǔn)備好完成了元件的形成的硅晶片1。在該硅晶片1上還未形成芯片電極。接著，沿著劃線，通過從硅晶片1的表面一側(cè)進(jìn)行第一切割(半切割)，在硅晶片1上形成了切割痕(溝)4。
接著，如圖6(b)所示，在包含切割痕4的硅晶片1的整個面上形成保護(hù)膜5。
接著，如圖6(c)所示，在該保護(hù)膜5上涂敷光刻膠膜(圖中未示出)，通過使該光刻膠膜曝光、顯影，在保護(hù)膜上形成在引出導(dǎo)線2的另一端的上方開口的光致抗蝕圖形。接著，以該光致抗蝕圖形為掩模，通過蝕刻保護(hù)膜5，使引出導(dǎo)線2的另一端露出。
然后，如圖5(a)所示，在引出導(dǎo)線2的另一端上形成芯片電極3。該芯片電極的形成方法能使用各種方法。
在所述變形例中，能獲得與實施例2同樣的效果。
本發(fā)明并不局限于所述實施例，能進(jìn)行各種變更而實施。例如，在第一和第二切割中使用的切片鋸的寬度和保護(hù)膜的厚度、它的材料的種類等能做適當(dāng)?shù)淖兏Ａ硗?，在本發(fā)明中，半導(dǎo)體晶片是硅晶片以外時也能應(yīng)用。另外，在本發(fā)明中，在保護(hù)膜中，可以另外對包含半切割部的附近部分進(jìn)行鍍膜。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行了半切割后，在半導(dǎo)體晶片的整個面上形成保護(hù)膜，在溝內(nèi)也覆蓋保護(hù)膜，然后，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的完全切割。因此，能提供在切割半導(dǎo)體晶片后的IC芯片的側(cè)面以及芯片邊緣形成了保護(hù)膜的可靠性更高的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于具有準(zhǔn)備好形成有半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體晶片的步驟；通過沿著該半導(dǎo)體晶片的劃線，切割該半導(dǎo)體晶片的厚度的20μm以上，在劃線上形成溝的半切割步驟；在包含溝內(nèi)的半導(dǎo)體晶片的整個面上形成保護(hù)膜的步驟；通過沿著所述溝切割，把半導(dǎo)體晶片分離為IC芯片的完全切割步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在所述半切割步驟中形成的溝的寬度比所述完全切割步驟中半導(dǎo)體晶片的切斷寬度大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在所述半切割步驟中形成的溝的截面的至少一部分上形成錐形或R形的部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在所述準(zhǔn)備步驟中準(zhǔn)備的半導(dǎo)體晶片的焊盤部的上表面上形成電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在所述準(zhǔn)備步驟中準(zhǔn)備的半導(dǎo)體晶片的焊盤部上形成向芯片內(nèi)部區(qū)域引出的導(dǎo)線的一端，在該引出的導(dǎo)線的另一端上形成具有比焊盤部寬的表面面積的電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在形成所述保護(hù)膜的步驟和所述完全切割步驟之間，還包含除去所述電極上的保護(hù)膜，使該電極露出的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于還包含在所述露出步驟后，還包含根據(jù)需要形成突起電極的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在形成所述保護(hù)膜和所述完全切割步驟之間，還包含在所述保護(hù)膜上，設(shè)置位于半導(dǎo)體晶片的焊盤部的上表面上的開口部，在該開口部內(nèi)形成電極的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在所述準(zhǔn)備步驟中準(zhǔn)備的半導(dǎo)體晶片的焊盤部上形成向芯片內(nèi)部區(qū)域引出的導(dǎo)線的一端，在形成所述保護(hù)膜的步驟和所述完全切割步驟之間，還包含在所述保護(hù)膜上，設(shè)置位于該引出導(dǎo)線的另一端上的開口部，在該開口部內(nèi)形成具有比該焊盤部大的表面面積的電極的步驟。
10.一種半導(dǎo)體裝置，在IC芯片的側(cè)面的至少20μm以上以及IC芯片的表面分別形成有保護(hù)膜，其特征在于具備形成有半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體晶片，通過沿著該半導(dǎo)體晶片的劃線，切割該半導(dǎo)體晶片的厚度20μm以上，在劃線上形成溝，在包含溝內(nèi)的半導(dǎo)體晶片的整個面上形成保護(hù)膜，通過沿著所述溝切割而形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于在所述IC芯片的邊緣部的至少一部分形成錐形或R形的部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體晶片具有焊盤部，在該焊盤部的上表面上形成有電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體晶片具有焊盤部，在該焊盤部的上表面上形成有向芯片內(nèi)部區(qū)域引出的導(dǎo)線的一端，在該導(dǎo)線的另一端形成有具有比焊盤部更大的表面面積的電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求12、13所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于在所述電極上的保護(hù)膜上開口，露出該電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于在所述露出的電極上，根據(jù)需要形成突起電極。
全文摘要
本發(fā)明為一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法具有準(zhǔn)備形成有半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體晶片(1)的步驟；通過沿著該半導(dǎo)體晶片(1)的劃線，切割該半導(dǎo)體晶片的厚度的20μm以上，在劃線上形成溝(4)的半切割步驟；在包含溝內(nèi)的半導(dǎo)體晶片的必要部分上形成保護(hù)膜(5)的步驟；按照必要，增加電極部厚度的步驟；通過沿著所述溝切割，把半導(dǎo)體晶片分離為各個IC芯片、芯片尺寸封裝元件的完全切割步驟。從而可實現(xiàn)在切割半導(dǎo)體晶片后的IC芯片的側(cè)面和芯片邊緣形成有保護(hù)膜的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
文檔編號H01L21/301GK1441479SQ0310618
公開日2003年9月10日 申請日期2003年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月26日
發(fā)明者小林豐雄 申請人:精工愛普生株式會社