專利名稱：顯示裝置、發(fā)光二極管屏、薄膜晶體管控制裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及諸如采用有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的顯示裝置等。更具體地，本發(fā)明涉及使用薄膜晶體管作為驅(qū)動OLED的顯示裝置(下文將該顯示裝置稱為OLED)等。
背景技術(shù)：
OLED(也稱為有機(jī)EL)是一種通過在具有電場激勵的熒光性的有機(jī)化合物上流過直流電流而產(chǎn)生光發(fā)射的技術(shù)。就OLED所具有的外形簡單(lowprofile)、廣視角、寬色移(gamut)等特點(diǎn)而言，OLED已經(jīng)作為下一代顯示設(shè)備而倍受關(guān)注。驅(qū)動OLED的模式有兩種類型，即被動式和主動式。但是，從材料、壽命、串?dāng)_等方面而言，主動式更適合獲得寬屏幕和高清晰度顯示質(zhì)量。在這種主動式中需要驅(qū)動薄膜晶體管(下文稱作“TFT”)。該TFT技術(shù)利用兩種類型的材料，即低溫多晶硅和非晶硅(a-Si)。
因為其能夠流過基于大遷移率而導(dǎo)致的大電流，并且能夠提高屏幕的亮度，所以使用低溫多晶硅的多晶硅TFT得到廣泛地應(yīng)用。但是，生成多晶硅TFT的過程需要例如使用電流技術(shù)的9種光刻處理(PEP)。因此，隨著處理復(fù)雜程度的增加，導(dǎo)致多晶硅TFT的成本增加。而且使用多晶硅TFT，難于獲得大屏幕，并且目前其最大屏幕尺寸僅為15英寸。與之相反，a-Si(非晶硅)TFT則能夠通過較少的處理過程來形成；因此，就限制成本而言，a-Si TFT是有利的。而且a-Si TFT能夠形成大屏幕，并且從諸如亮度均勻之類的圖象質(zhì)量的角度來看，a-Si TFT具有非常好的效果。因此，隨著對多晶硅TFT的研究深入，對a-Si TFT的研究也正在進(jìn)行之中。
在此，OLED是電流驅(qū)動元件。因此，由于隨時間而產(chǎn)生的電流退化的不均衡或驅(qū)動晶體管中的不均衡直接導(dǎo)致了圖象質(zhì)量的惡化。就TFT的閾值電壓(Vth)而言，在使用多晶硅TFT的驅(qū)動晶體管中，閾值電壓(Vth)的偏移受到限制。相反，在非晶硅TFT中，Vth的偏移實際上是隨時間推移而惡化的。
造成閾值電壓(Vth)的這種偏移的第一個原因是當(dāng)電子在TFT的溝道中流動時，電子躍遷到柵極絕緣膜上。而且第二個原因是一旦電子在TFT的溝道上流動時，就對Si進(jìn)行充電，因為電子脫離了Si的束縛(bonding)。
圖6是當(dāng)使用非晶硅TFT時，隨時間變化的閾值電壓(Vth)的偏移量。橫坐標(biāo)軸表示時間，縱坐標(biāo)軸表示Vth的偏移量。如圖6所示，當(dāng)使用非晶硅TFT驅(qū)動OLED時，Vth實質(zhì)上使隨時間而偏移的，從開始時的0.7V上升到大約10小時之后的2V。如果閾值電壓(Vth)如上所述偏移，則電流值下降，由此使屏幕變暗。而且，在分級顯示(gradation display)的情況下存在以下問題不能以合適的灰度顯示接近黑色的灰階部分。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是針對上述技術(shù)問題提出的。本發(fā)明的一個目的是減小在通過TFT驅(qū)動OLED的過程中出現(xiàn)的閾值電壓(Vth)的偏移量。
本發(fā)明的另一個目的是通過減小閾值電壓(Vth)的偏移量，尤其是減小非晶硅TFT的閾值電壓(Vth)的偏移量，來延長使用非晶硅TFT作為驅(qū)動晶體管的OLED顯示屏的壽命。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明主要在于通過使柵極電壓和漏極電壓(源極電壓)間斷地和幾乎同時地上升，來消除用于驅(qū)動OLED的晶體管(諸如非晶硅TFT)中的閾值電壓(Vth)的增加的分量。特別地，采用本發(fā)明的一種顯示裝置，包括OLED；非晶硅薄膜TFT，用于驅(qū)動所述OLED；以及電源線驅(qū)動器，用于在施加到所述非晶硅薄膜TFT的柵電極的柵極電壓下降時，使施加到源電極和漏電極之一的電源線電壓下降。而且當(dāng)提供柵極電壓時，所述電源線驅(qū)動器提供電源線電壓。在此，“源電極和漏電極中的任何一個”反映的是其中的電極可以被稱為二者中的任何一個的特殊場合。上述說明同樣適用于下文中同樣的情況。
而且，在應(yīng)用了本發(fā)明的顯示裝置中，當(dāng)驅(qū)動晶體管驅(qū)動OLED時，電源線驅(qū)動器將一電壓施加到驅(qū)動晶體管的柵電極和漏電極之一，同時使施加到其上的電壓間斷地上升。在此，以使所述驅(qū)動晶體管的柵極電壓間斷地上升的相同的時序，所述電源線驅(qū)動器使施加到所述柵電極和漏電極任意之一的電源線電壓間斷地上升。
同時，應(yīng)用本發(fā)明的一種顯示裝置包括驅(qū)動部件，用于使用TFT驅(qū)動OLED；柵極電壓供給部件，用于使在所述驅(qū)動部件中施加到所述TFT的柵極的柵極電壓間斷地上升；以及控制部件，用于執(zhí)行控制，以便當(dāng)所述柵極電壓供給部件使所述柵電極的柵極電壓下降時，消除所述薄膜晶體管的漏電極和源電極之間的電位差。在此，根據(jù)從掃描線驅(qū)動器提供的掃描線信號和從數(shù)據(jù)線驅(qū)動器提供的數(shù)據(jù)線信號，所述柵極電壓供給部件使柵極電壓間斷地上升，并且，與柵極電壓供給部件使柵極電壓的下降同步地，控制部件使施加到TFT的電源線電壓下降。
而且，應(yīng)用本發(fā)明的一種有機(jī)發(fā)光二極管屏包括自發(fā)光的OLED，提供在每一個像素上；以及非晶硅TFT，用于驅(qū)動所述OLED。在此，以下面方式控制所述非晶硅TFT。具體地，當(dāng)提供給柵電極的電壓下降時，漏極和源極之間的電壓變得等于0V，并且當(dāng)提供給柵電極的電壓下降時，使正空穴陷入在非晶硅中，來減小閾值電壓(Vth)的偏移量。
而且，在應(yīng)用本發(fā)明的一種用于TFT的控制裝置中，柵極電壓提供部件將柵極電壓提供給TFT的柵電極，所述TFT用于驅(qū)動OLED。而且電壓供給部件將電壓提供給TFT的源電極和漏電極中的任何一個，并當(dāng)柵極電壓供給部件使柵極電壓下降時，使提供到所述源電極和漏電極中的任何一個的所述電壓下降。當(dāng)所述柵極電壓供給部件提供所述柵極電壓時，所述電壓供給部件的構(gòu)成可以使提供給源電極和漏電極中的任何一個的所述電壓保持上升。
從其它方面來看，應(yīng)用本發(fā)明的一種控制TFT的方法，包括以下步驟控制提供到TFT的源電極和漏電極的任何一個的電壓，以便當(dāng)提供到所述TFT的柵電極的柵極電壓上升時，使所述電壓保持上升；以及控制提供到所述源電極和漏電極的任何一個的所述電壓，以便當(dāng)柵極電壓下降時，使所述電壓下降。在此，能夠允許提供到所述源電極和漏電極的任何一個的所述電壓與所述柵極電壓的上升同步地上升。
而且本發(fā)明提供一種控制OLED顯示的方法，包括以下步驟根據(jù)數(shù)據(jù)信號，將電壓提供給TFT，所述TFT用于驅(qū)動OLED；以及根據(jù)預(yù)定的占空比，當(dāng)所述電源線電壓間斷地上升時，將所述電源線電壓提供給所述TFT。而且在提供所述電源線電壓的步驟中，所述電源線電壓的電壓值由提供到所述TFT的總電荷量確定。


為更全面地理解本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在將結(jié)合附圖，進(jìn)行參考說明。
圖1是采用本發(fā)明實施例的主動矩陣(active-matrix)OLED顯示屏的示意圖。
圖2是在OLED顯示屏中使用的驅(qū)動電路的組成示意圖。
圖3A和3B是由該實施例的控制單元控制的驅(qū)動電路的時序示意圖。
圖4是說明在50[攝氏度]時驅(qū)動TFT的Vth的偏移量的示意圖。
圖5是顯示當(dāng)在35[攝氏度]驅(qū)動該驅(qū)動TFT時，去除了由具有大激化能量的電流所造成的惡化分量(正偏移)的結(jié)果示意圖。
圖6是當(dāng)使用非晶硅時，隨時間變化的閾值(Vth)的偏移量的示意圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在，參照附圖，根據(jù)實施例，來詳細(xì)說明本發(fā)明。
圖1是采用本發(fā)明實施例的主動矩陣OLED顯示屏10的示意圖。本實施例針對使用非晶硅(a-Si)TFT的主動矩陣OLED顯示屏10。為了驅(qū)動具有m[乘以]n排列的點(diǎn)矩陣顯示屏，該OLED顯示屏10包括控制單元11，用于按照處理所施加的視頻信號需要的定時，將控制信號輸出到每一個驅(qū)動電路；掃描線驅(qū)動器12，用于根據(jù)控制單元11的控制信號，將選擇信號(地址信號)提供到掃描線Y1至Yn；數(shù)據(jù)線驅(qū)動器13，用于根據(jù)控制單元11的控制信號，將數(shù)據(jù)信號提供到數(shù)據(jù)線X1至Xm；電源線驅(qū)動器14，其為電源，以便能夠在OLED中產(chǎn)生電流；命令線驅(qū)動器15，用于將提供給OLED的電流接地；以及驅(qū)動電路20，分別提供在m[乘以]n個像素單位上。命令線驅(qū)動器15由掃描線驅(qū)動器12的選擇信號和數(shù)據(jù)線驅(qū)動器13的數(shù)據(jù)信號控制。在此，上述組成還可以包括用于生成提供到控制單元11的視頻信號的電路結(jié)構(gòu)，并且它們可以一起被看作是顯示裝置。同時，上述組成可以不包括控制單元11等，并且可以被作為OLED顯示屏來運(yùn)行。而且，還可以不提供命令線驅(qū)動器15來組成OLED顯示屏，使得提供到OLED的電流簡單地接地。
圖2是在OLED顯示屏10中使用的驅(qū)動電路20的組成示意圖。圖2所示的驅(qū)動電路20包括OLED 21，用于將有機(jī)化合物提供給發(fā)光層；驅(qū)動TFT 22，由驅(qū)動OLED 21的非晶硅TFT組成；開關(guān)TFT 23，用于根據(jù)通過掃描線從掃描線驅(qū)動器12獲得的掃描信號和通過數(shù)據(jù)線從數(shù)據(jù)線驅(qū)動器13獲得的數(shù)據(jù)信號，執(zhí)行開關(guān)操作；以及電容器24，連接到來自電源線驅(qū)動器14的電流供給線，電容器24存儲充電電荷以保持柵極的電位。在本實施例中，控制單元11控制電源線驅(qū)動器14，以便使提供到驅(qū)動TFT 22的柵極電壓和經(jīng)由電流供給線獲得的電源線電壓(本實施例中被稱為漏極電壓)間斷地并幾乎是同時地上升。注意，在不同的命名方式中，電源線電壓也可能被稱為源極電壓。
例如，從電源線驅(qū)動器14提供到驅(qū)動TFT22的電源線電壓在15V時被不正常地間斷上升。因此，通常保持提供恒定電流。但是，在本實施例中，電源線電壓(漏極電壓)隨著柵極電壓一起間斷地上升，由此驅(qū)動TFT 22的閾值電壓(Vth)的偏移量減小。注意“使該電壓保持不變(stop)”的表述并不一定意味著將該電壓設(shè)置成0V。這點(diǎn)是指傳導(dǎo)電子幾乎從驅(qū)動22的溝道中消失的狀態(tài)。換言之，這點(diǎn)也可以指柵極電壓下降到閾值以下的狀態(tài)。
在允許例如1[微安]電流流過驅(qū)動TFT 22的情況下，有多種方式來實現(xiàn)允許1[微安]電流的通過。例如，有一種方式，允許1[微安]電流以直流電流形式流過；另一種方式是允許2[微安]的電流以50％的占空比(duty ratio)來流過；還存在其它的方式。而且還可以想象柵極電壓和漏極電壓作為一組看待，當(dāng)柵極電壓被間斷地上升時，使漏極電壓下降的方式也有變化。結(jié)果，實質(zhì)上是調(diào)整總的電荷量。本發(fā)明的發(fā)明人對如何允許電流的方式進(jìn)行了深入研究，并發(fā)現(xiàn)通過間斷地并且?guī)缀跬瑫r地升高柵極電壓和漏極電壓能夠減小閾值電壓(Vth)的正偏移惡化。
圖3A和3B是由該實施例的控制單元11控制的驅(qū)動電路20的時序示意圖。圖3A和3B示出了兩個例子。在此，每一幅附圖示出了從公共線驅(qū)動器15獲得的公共線信號、從電源線驅(qū)動器14獲得的電源線信號、從掃描線驅(qū)動器12獲得的掃描線信號、從數(shù)據(jù)線驅(qū)動器13獲得的數(shù)據(jù)線信號以及在驅(qū)動電路20的驅(qū)動TFT 22的柵電極上出現(xiàn)的柵極電位。電源線信號是以例如50％的占空比操作的。電源線信號在掃描線信號的脈沖之間切換on和off狀態(tài)(圖3A的情況)；或者根據(jù)掃描線信號的各個脈沖順序切換on和off狀態(tài)(圖3B的情況)。柵極電位隨著電源線信號的下降而下降。具體地，上述的柵極電位和漏極電位的跌落可以通過使電源線驅(qū)動器14的電源線信號下降而實現(xiàn)。
在圖3A和3B中，驅(qū)動TFT 22的柵極電位和電源線信號是間斷地和同時地上升的時序。這得益于電源線驅(qū)動器14的電流供給線被連接到驅(qū)動TFT22的柵電極的事實。在本實施例中，電容器24插入在驅(qū)動TFT 22的漏電極和柵電極之間以便通過使用電容器24使柵極電位和電源線信號間斷地和同時地上升。在用于驅(qū)動TFT 22的漏電極以及柵電極的電流供給線與電源之間提供電源線驅(qū)動器14，用于間斷地和同時地使柵電極和電源線信號上升。注意，“同時”一詞不是僅指時間的完全一致的狀態(tài)。為獲得本實施例的優(yōu)點(diǎn)，通過將時序設(shè)置成“幾乎同時”能夠獲得類似的效果，“幾乎同時”包括它們之間給定的時間間隔。這點(diǎn)同樣適合于提到該詞的其它地方。
圖4是說明在50[攝氏度]時驅(qū)動TFT 22的Vth的偏移量的示意圖。在圖4中，縱坐標(biāo)軸表示閾值電壓(Vth)的偏移量(V)，橫坐標(biāo)軸表示時間(小時)。圖4示出了通過以50％的占空比順序改變柵極電壓以及漏/源極電壓時驅(qū)動的狀態(tài)。圖4中的三角形標(biāo)記表示的圖顯示了基于傳統(tǒng)模式的Vth的偏移量，其中漏極電壓Vd保持上升(10V時)而與柵極電壓Vg的間斷上升無關(guān)。同時，圖4中的正方形標(biāo)記表示的圖顯示了當(dāng)漏極電壓Vd與柵極電壓Vg的間斷上升(10V和0V時)一起間斷上升的Vth的偏移量。如圖4所示，當(dāng)柵極電壓Vg和漏極電壓Vd一起間接地、同時地上升時，Vth的偏移量減小是可以理解的。結(jié)果，能夠?qū)Ⅱ?qū)動TFT 20的壽命延長兩倍或更長。
圖5是顯示當(dāng)在35[攝氏度]驅(qū)動驅(qū)動TFT 22時，去除了由具有大激化能量的電流所造成的惡化分量(正偏移)的結(jié)果示意圖。縱坐標(biāo)軸表示閾值電壓(Vth)的偏移量(V)，橫坐標(biāo)軸表示時間(小時)。其中三角形標(biāo)記指示的圖顯示了基于傳統(tǒng)模式的Vth的偏移量，其中漏極電壓Vd保持上升而與柵極電壓Vg的間斷上升無關(guān)。同時，圓形標(biāo)記指示的圖顯示了控制漏極電壓以便使漏極電壓Vd在15V和0V之間切換的情況，所述的漏極電壓Vd在15V和0V之間的切換是與柵極電壓Vg在10V和0V之間的間斷切換相關(guān)的。而且，菱形標(biāo)記指示的圖顯示了控制漏極電壓以便使漏極電壓Vd在10V和0V之間切換的情況，所述的漏極電壓Vd在10V和0V之間的切換是與柵極電壓Vg在10V和0V之間的間斷切換相關(guān)的。從圖5可知，在去除了由具有大激化能量的電流所造成的惡化分量(正偏移)的情況中，通過幾乎同時施加和停止柵極電壓Vg和漏極電壓Vd，產(chǎn)生了負(fù)偏移。
通常，產(chǎn)生負(fù)偏移的可想象到的機(jī)制是捕獲(trap)正電荷或排出其中原始存在的負(fù)電荷。由于圖5所示的負(fù)偏移不影響其中原始存在的負(fù)電荷，因此其中的捕獲正電荷的機(jī)制看來是可行的。在該機(jī)制中，首先，通過熱等激發(fā)的電子-正空穴對中的電子，在即使當(dāng)電壓下降時，也通過穿越n+阻擋層而從漏電極和/或源電極逃逸。相反，在現(xiàn)有技術(shù)中，即使電壓停止時，漏極電壓被施加到正空穴上，其不能穿越n+阻擋層。由于漏極和源極之間存在電位差，通過形成具有在源極周圍激發(fā)的電子的對，正空穴消失。在本發(fā)明的該實施例中，當(dāng)柵極電壓下降時，通過使漏極電壓下降而消除漏極和源極之間的電位差。由于電子不能被激發(fā)，可以想象，捕獲在非晶硅中的正空穴使閾值電壓(Vth)產(chǎn)生負(fù)偏移。盡管正空穴(正電荷)捕獲在初始狀態(tài)的非晶硅TFT中，隨著時間的推移，通過上述機(jī)制，正空穴逐漸地被陷入在其中。負(fù)偏移的這種效果抵消了部分正偏移。最終，可以減小閾值電壓(Vth)的偏移。
因此，為了使用負(fù)偏移的這種效果抵消部分正偏移，并由此減小閾值電壓(Vth)的偏移，所采用的方式不限于使電壓間斷地和幾乎同時地上升的情況。取而代之，當(dāng)柵極電壓施加到柵極時，如果電壓被提供到源電極或漏電極是令人滿意的。為了在柵極電壓下降時，消除漏極和源極之間的電位差，最好在柵極電壓下降時，將提供給源電極或漏電極的電壓停止。并且確定將施加到源電極或漏電極的電流值和用于使電壓間斷地上升的占空比，以便使總的電荷量相符。
如上所述，在本實施例中，構(gòu)建了用做驅(qū)動OLED的驅(qū)動TFT的非晶硅TFT，使得柵極電壓和漏極電壓(電源線電壓)間斷地并同時地上升。在這種方式中，通過使電源線驅(qū)動器14的電源線信號間斷地上升，在非晶硅TFT中的閾值電壓(Vth)的正偏移惡化能夠通過Vth的負(fù)偏移量抵消，所述的Vth的負(fù)偏移量是由于柵極電壓和漏極電壓(電源線電壓)間斷地并同時地上升產(chǎn)生的。結(jié)果，能夠減小閾值電壓(Vth)的偏移。通過減小閾值電壓(Vth)的偏移，能夠延長非晶硅TFT的壽命，并進(jìn)而延長使用非晶硅TFT的OLED顯示屏的壽命。盡管本實施例是以非晶硅TFT作為例子進(jìn)行說明的，對于通常閾值電壓(Vth)具有小偏移的多晶硅TFT也可以進(jìn)行類似的控制。但是不用說，就閾值電壓(Vth)的偏移這個問題而言，本發(fā)明對非晶硅TFT的功效更顯著。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在驅(qū)動使用TFT的OLED時，能夠減小在TFT(TFT)中產(chǎn)生的閾值電壓(Vth)的正偏移，并能夠延長這樣的TFT驅(qū)動的OLED顯示屏的壽命。
盡管已經(jīng)詳細(xì)地說明了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應(yīng)該理解，在不脫離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的實質(zhì)和范圍的前提下，能夠從其中產(chǎn)生各種改變、替代以及變型。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括有機(jī)發(fā)光二極管；非晶硅薄膜晶體管，用于驅(qū)動所述有機(jī)發(fā)光二極管；以及電源線驅(qū)動器，用于在施加到所述非晶硅薄膜晶體管的柵電極的柵極電壓下降時，使施加到源電極和漏電極之一的電源線電壓下降。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中當(dāng)所述柵極電壓上升時，所述電源線驅(qū)動器使電源線電壓保持上升。
3.一種顯示裝置，包括有機(jī)發(fā)光二極管；驅(qū)動晶體管，用于驅(qū)動所述有機(jī)發(fā)光二極管；以及電源線驅(qū)動器，用于將一電壓施加到所述驅(qū)動晶體管的柵電極和漏電極之一，同時使所述電壓間斷地上升。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中以使所述驅(qū)動晶體管的柵極電壓間斷地上升的相同的時序，所述電源線驅(qū)動器使施加到所述柵電極和漏電極任意之一的電源線電壓間斷地上升。
5.一種顯示裝置，包括驅(qū)動部件，用于使用薄膜晶體管驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管；柵極電壓供給部件，用于使在所述驅(qū)動部件中施加到所述薄膜晶體管的柵極的柵極電壓間斷地上升；以及控制部件，用于執(zhí)行控制，以便當(dāng)所述柵極電壓供給部件使所述柵電極的柵極電壓下降時，消除所述薄膜晶體管的漏電極和源電極之間的電位差。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，根據(jù)從掃描線驅(qū)動器提供的掃描線信號和從數(shù)據(jù)線驅(qū)動器提供的數(shù)據(jù)線信號，所述柵極電壓供給部件使柵極電壓間斷地上升，以及與柵極電壓供給部件使柵極電壓的下降同步地，控制部件使施加到薄膜晶體管的電源線電壓下降。
7.一種有機(jī)發(fā)光二極管屏，包括自發(fā)光的有機(jī)發(fā)光二極管，提供在每一個像素上；以及非晶硅薄膜晶體管，用于驅(qū)動所述有機(jī)發(fā)光二極管，其中，控制所述非晶硅薄膜晶體管，以便當(dāng)停止提供給柵電極的電壓時，通過在非晶硅中捕獲的正空穴，使得閾值電壓(Vth)的偏移量減小。
8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管屏，其中，當(dāng)停止提供給柵電極的電壓時，非晶硅薄膜晶體管的漏極和源極之間的電壓變得等于0V。
9.一種用于薄膜晶體管的控制裝置，包括柵極電壓提供部件，用于將柵極電壓提供給薄膜晶體管的柵電極，所述薄膜晶體管用于驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管；以及電壓供給部件，用于將電壓提供給薄膜晶體管的源電極和漏電極中的任何一個，并用于當(dāng)柵極電壓供給部件使柵極電壓下降時，使提供到所述源電極和漏電極中的任何一個的所述電壓下降。
10.如權(quán)利要求9所述的控制裝置，其中，當(dāng)所述柵極電壓供給部件使所述柵極電壓提供到所述薄膜晶體管的柵電極時，所述電壓供給部件將提供給源電極和漏電極中的任何一個的所述電壓保持上升。
11.一種控制用于驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管的薄膜晶體管的方法，包括以下步驟控制提供到薄膜晶體管的源電極和漏電極的任何一個的電壓，以便當(dāng)提供到所述薄膜晶體管的柵電極的柵極電壓上升時，使所述電壓保持上升；以及控制提供到所述源電極和漏電極的任何一個的所述電壓，以便當(dāng)柵極電壓下降時，使所述電壓下降。
12.如權(quán)利要求11所述的控制薄膜晶體管的方法，其中提供到所述源電極和漏電極的任何一個的所述電壓與所述柵極電壓的上升同步地上升。
13.一種控制有機(jī)發(fā)光二極管的方法，包括以下步驟根據(jù)數(shù)據(jù)信號，將電壓提供給薄膜晶體管，所述薄膜晶體管用于驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管；以及根據(jù)預(yù)定的占空比，將電源線電壓提供給所述薄膜晶體管，同時使所述電源線電壓間斷地上升。
14.如權(quán)利要求13所述的控制有機(jī)發(fā)光二極管的方法，其中在提供所述電源線電壓的步驟中，所述電源線電壓的電壓值由提供到所述薄膜晶體管的總電荷量確定。
全文摘要
在用薄膜晶體管(TFT)驅(qū)動OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)時，減小薄膜晶體管所產(chǎn)生的閾值電壓(Vth)的正偏移。用于驅(qū)動OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)的晶體管的非晶硅TFT，通過使柵壓和漏極電壓同時導(dǎo)通和切斷，來去除閾值電壓(Vth)的增加分量。即在OLED顯示屏(10)中，包括用非晶硅TFT驅(qū)動OLED的驅(qū)動電路(20)；以及電源線驅(qū)動器(14)，在將使提供給該驅(qū)動電路(20)中的非晶硅TFT的柵電極的柵極電壓導(dǎo)通－截止時，將提供給非晶硅TFT的漏電極的電壓截止。
文檔編號H01L51/50GK1448900SQ0310852
公開日2003年10月15日 申請日期2003年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月29日
發(fā)明者辻村隆俊, 三和宏一, 師岡光雄 申請人:國際商業(yè)機(jī)器公司