專(zhuān)利名稱(chēng)：一種薄型集成電路的封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種組件封裝技術(shù)，尤指一種超薄型態(tài)的組件封裝方法。
背景技術(shù)：
就電子產(chǎn)業(yè)的封裝技術(shù)來(lái)看，已逐漸演變以追求構(gòu)裝結(jié)構(gòu)能符合輕薄短小的要求，藉此將間接使得電子產(chǎn)品的整體體積有效縮減且亦能降低制造成本，令產(chǎn)品于市面上更具有商業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。
就目前發(fā)光二極管(LED)的構(gòu)裝技術(shù)來(lái)看，現(xiàn)今仍是將晶粒(CHIP)粘著于印刷電路板(PCB)上再灌膠覆蓋以透光材質(zhì)。然而以此種技術(shù)制成的發(fā)光二極管，其厚度幾乎是為印刷電路板與膠體兩者厚度的總和，其中僅僅是印刷電路板的厚度即占據(jù)一定程度，對(duì)于縮減封裝體的厚度實(shí)為一大阻力且有機(jī)材料也是一種熱阻，降低產(chǎn)品效能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種薄型集成電路的封裝技術(shù)，以構(gòu)成僅有封膠厚度的超薄型電子組件，不僅縮減生產(chǎn)成本，且令組件厚度大幅減少而更益于電子組件體積的輕巧化。
為達(dá)成前述目的，本發(fā)明表面粘著式的封裝方法，于一基板表面以顯影蝕刻及電鍍手段形成薄膜導(dǎo)電線路，并再將晶粒粘附于前述導(dǎo)電線路上，再于該晶粒上采灌膠封裝步驟覆以一層保護(hù)膠體，前述基板再自底面進(jìn)行蝕刻而顯露出前述薄膜導(dǎo)電線路作為外部電連接之用，以完成封裝程序。
本發(fā)明的具體技術(shù)方案如下一種薄型集成電路的封裝方法，其特征在于于一基板表面以顯影蝕刻及電鍍手段形成導(dǎo)電線路，并再將晶粒粘附于所述導(dǎo)電線路的其中一面上，再于所述晶粒上采灌膠封裝步驟覆以一層保護(hù)膠體，所述基板自底面進(jìn)行蝕刻而顯露出所述導(dǎo)電線路的另一面。
所述顯影蝕刻及電鍍手段包括蝕刻所述基板表面以形成復(fù)數(shù)個(gè)下凹點(diǎn)；于所述各個(gè)下凹點(diǎn)形成一導(dǎo)電層，且各下凹點(diǎn)的導(dǎo)電層不相互連接以構(gòu)成導(dǎo)電線路，藉此當(dāng)所述基板自底面蝕刻后，而所述下凹點(diǎn)直接外露作為導(dǎo)電接點(diǎn)，而構(gòu)成一表面粘著式集成電路組件。
所述顯影蝕刻及電鍍手段包括蝕刻所述基板表面，并電鍍一導(dǎo)電層以形成復(fù)數(shù)個(gè)平板式薄膜導(dǎo)線，所述薄膜導(dǎo)線可供與外部線連接。
所述晶粒以金屬導(dǎo)線連接至所述基板上的導(dǎo)電線路。
所述晶粒以錫球連接至所述基板上的導(dǎo)電線路。
所述基板的底面部份蝕刻而顯露出所述導(dǎo)電線路，而未蝕刻的基板作為一支撐用導(dǎo)線架，所述導(dǎo)線支撐架部份可利用來(lái)做測(cè)試或彎折海甌腳用。
所述顯露出的導(dǎo)電線路之間形成有一背光用的絕緣層。
所述晶粒為發(fā)光二極管的晶粒。
所述顯露出的導(dǎo)電線路之間形成有一反光用的絕緣層。
于所述導(dǎo)電線路顯露的另一面上，再以表面粘著技術(shù)設(shè)置有晶粒，所述晶粒采灌膠封裝步驟覆以一層保護(hù)膠體，藉此構(gòu)成多晶粒集成電路封裝組件。
前述外露的導(dǎo)電線路因與晶粒連接，故可透過(guò)該導(dǎo)電線路，將封裝組件連接于任何電路板上，因封裝組件的厚度幾乎僅是灌膠膠體的厚度，所以可以有效縮減組件體積而有助于電子產(chǎn)品輕巧化。


圖1A至圖1K為本發(fā)明應(yīng)用于表面粘著式集成電路的封裝方法流程實(shí)施2為本發(fā)明另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意3A至3D分別為本發(fā)明數(shù)種實(shí)施例的示意4A至圖4C分別為本發(fā)明另數(shù)種實(shí)施例的示意5A、圖5B分別為本發(fā)明應(yīng)用于多晶粒集成電路的結(jié)構(gòu)示意圖附圖標(biāo)記說(shuō)明(1)基板 (11)凹點(diǎn)(12)切割線(13)光阻劑(14)導(dǎo)電層(20)晶粒(21)金屬導(dǎo)線 (22)銀膠(23)錫球 (30)封膠(31)絕緣層(32)錫膏層(33)錫球具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖，具體描述本發(fā)明的詳細(xì)實(shí)施方式。以下說(shuō)明以一表面粘著式(SMT)發(fā)光二極管的封裝為例，惟本發(fā)明并不局限于此種型態(tài)的組件種類(lèi)。
首先請(qǐng)參閱圖1A、圖1B所示，采用一基板(1)作為供承載組件，此基板(1)可為黃(紅)銅板。于該基板(1)表面先行加工蝕刻形成復(fù)數(shù)個(gè)表面圓滑的下凹點(diǎn)(11)(Dimples)及數(shù)道切割線(12)，兩相鄰切割線(12)之間即為一個(gè)更小尺寸的工作基板。
請(qǐng)參閱圖1C、圖1D圖所示，于兩相鄰凹點(diǎn)(11)之間的基板(1)表面先涂布一層光阻劑(13)(Dry film)，再于未覆蓋光阻劑(13)的凹點(diǎn)(11)表面及部份基板(1)表面電鍍一導(dǎo)電層(14)，該導(dǎo)電層(14)具備抗腐蝕特性及可供金線或鋁線連接的金屬表面，亦可作為供錫鉛焊接的金屬薄層，如銅/鎳/銅/軟鎳/軟金、軟鎳/軟金、軟鎳/金/PD等，無(wú)論是采用合種材質(zhì)構(gòu)成，該導(dǎo)電層(14)的較佳厚度依產(chǎn)品額定電流設(shè)計(jì)最小可薄至3um。
如圖1E、圖1F所示，當(dāng)前述光阻劑(13)去除后，利用基板(1)表面的切割線(12)將整片基板(1)加以切割成多片，以符合封裝儀器所能處理的小尺寸工作基板。兩相鄰凹點(diǎn)(11)上的導(dǎo)電層(14)，因先前光阻劑(13)的隔離并未相互連接，所以可將發(fā)光二極管晶粒(20)的一極粘置于其中一導(dǎo)電層(14)(如采用銀膠粘附)，而晶粒(20)的另一極則可采用金屬導(dǎo)線(21)與另一凹點(diǎn)(11)上的導(dǎo)電層(14)連接。
請(qǐng)參閱圖1G所示，待晶粒(20)設(shè)置于基板(1)上后，再進(jìn)行灌膠封裝處理，因本實(shí)施例以發(fā)光二極管為例說(shuō)明，故所使用的封膠(30)為透光材料。
請(qǐng)參閱圖1H、圖1I所示，封膠步驟完成后，針對(duì)前述基板(1)進(jìn)行蝕刻，其中基板(1)的一部份完全蝕刻而顯露出凹點(diǎn)(11)的導(dǎo)電薄膜層(14)底面及部份封膠(30)，而部分基板(1)則保留作為導(dǎo)線架(1’)(Lead-frame)使用，此導(dǎo)線架(1’)部份可利用來(lái)做測(cè)試或彎折海甌腳用。于兩相鄰顯露出的導(dǎo)電層(14)之間再加工形成一層白色的絕緣層(31)，此絕緣層(31)作為背光層，可反射晶粒(20)所發(fā)射出的光線。
如圖1J所示，于各凹點(diǎn)(11)的導(dǎo)電層(14)底面再形成一錫膏層(32)。就導(dǎo)線架(1’)的底面而言，導(dǎo)電層(14)與錫膏層(32)略呈凸出狀的接點(diǎn)，故若將包覆晶粒(20)的封裝體切割成單體之后(如圖1K所示)，此凸出接點(diǎn)即直接成為晶粒(20)的連接接點(diǎn)，而可焊接于電路板上。
如圖2所示為本發(fā)明的又一實(shí)施例，與第一實(shí)施例主要不同點(diǎn)在于導(dǎo)電層(14)設(shè)計(jì)為平面式，于導(dǎo)電層(14)下由錫膏層(32)形成的突狀接點(diǎn)，此實(shí)施例的最佳優(yōu)點(diǎn)在于封裝完成的成品厚度幾乎僅是封膠體的厚度而已，從而有效縮減產(chǎn)品體積的效果。
再者，本發(fā)明依據(jù)產(chǎn)品要求亦可衍生出數(shù)種可行的實(shí)施例，如圖3A至圖3D所示，其中以導(dǎo)電層(14)構(gòu)成的接點(diǎn)呈凸出BUMP形式，但前述程序中凹點(diǎn)(11)部份也可以變化成實(shí)心柱狀或平坦型式。如圖3A、圖3B所示，晶粒(20)除可利用銀膠(22)粘著于其中一導(dǎo)電層(14)，并配合金屬導(dǎo)線(21)連接另一金屬層之外，亦可如圖2C所示利用錫球(23)連接兩接點(diǎn)，或均采用金屬導(dǎo)線(21)連接兩接點(diǎn)(如圖3D)。
于圖4A至圖4C所示，為另外數(shù)種本發(fā)明的實(shí)施態(tài)樣，其中導(dǎo)電層(14)的下表面形成錫球(33)，以該錫球(33)直接與印刷電路板上的線路連接。
本發(fā)明除應(yīng)用于表面粘著式的組件封裝之外，亦可適用于圖5A、圖5B中所示的實(shí)施態(tài)樣，此態(tài)樣可作多晶粒復(fù)合封裝。其中導(dǎo)電層(14)上方的晶粒(20a)以打線施工后封膠，導(dǎo)電層(14)下方的晶粒(20b)以表面粘著技術(shù)(SMT)焊接，再行背面封膠。并可利用載板設(shè)計(jì)成海甌折腳形成市面上SOP型態(tài)產(chǎn)品，又因薄膜可輕易完成25um線路可將此型態(tài)產(chǎn)品推廣成平面及線狀SOP封裝產(chǎn)品。
權(quán)利要求
1.一種薄型集成電路的封裝方法，其特征在于于一基板表面以顯影蝕刻及電鍍手段形成導(dǎo)電線路，并再將晶粒粘附于所述導(dǎo)電線路的其中一面上，再于所述晶粒上采灌膠封裝步驟覆以一層保護(hù)膠體，所述基板自底面進(jìn)行蝕刻而顯露出所述導(dǎo)電線路的另一面。
2.如權(quán)利要求1所述的薄型集成電路的封裝方法，其特征在于所述顯影蝕刻及電鍍手段包括蝕刻所述基板表面以形成復(fù)數(shù)個(gè)下凹點(diǎn)；于所述各個(gè)下凹點(diǎn)形成一導(dǎo)電層，且各下凹點(diǎn)的導(dǎo)電層不相互連接以構(gòu)成導(dǎo)電線路，藉此當(dāng)所述基板自底面蝕刻后，而所述下凹點(diǎn)直接外露作為導(dǎo)電接點(diǎn)，而構(gòu)成一表面粘著式集成電路組件。
3.如權(quán)利要求1所述的薄型集成電路的封裝方法，其特征在于所述顯影蝕刻及電鍍手段包括蝕刻所述基板表面，并電鍍一導(dǎo)電層以形成復(fù)數(shù)個(gè)平板式薄膜導(dǎo)線，所述薄膜導(dǎo)線可供與外部線連接。
4.如權(quán)利要求1至3所述的薄型集成電路的封裝方法，其特征在于所述晶粒以金屬導(dǎo)線連接至所述基板上的導(dǎo)電線路。
5.如權(quán)利要求1至3所述的薄型集成電路的封裝方法，其特征在于所述晶粒以錫球連接至所述基板上的導(dǎo)電線路。
6.如權(quán)利要求1至3所述的薄型集成電路的封裝方法，其特征在于所述基板的底面部份蝕刻而顯露出所述導(dǎo)電線路，而未蝕刻的基板作為一支撐用導(dǎo)線架，所述導(dǎo)線支撐架部份可利用來(lái)做測(cè)試或彎折海甌腳用。
7.如權(quán)利要求1所述的薄型集成電路的封裝方法，其特征在于所述顯露出的導(dǎo)電線路之間形成有一背光用的絕緣層。
8.如權(quán)利要求1所述的薄型集成電路的封裝方法，其特征在于所述晶粒為發(fā)光二極管的晶粒。
9.如權(quán)利要求8所述的薄型集成電路的封裝方法，其特征在于所述顯露出的導(dǎo)電線路之間形成有一反光用的絕緣層。
10.如權(quán)利要求1所述的薄型集成電路的封裝方法，其特征在于于所述導(dǎo)電線路顯露的另一面上，再以表面粘著技術(shù)設(shè)置有晶粒，所述晶粒采灌膠封裝步驟覆以一層保護(hù)膠體，藉此構(gòu)成多晶粒集成電路封裝組件。
全文摘要
本發(fā)明為一種薄型集成電路的封裝方法，于一基板(銅板)表面以顯影蝕刻后再重復(fù)做曝光顯影電鍍等手段形成薄膜導(dǎo)電線路，并再將晶粒粘附于前述導(dǎo)電線路上，該晶粒上采用金或鋁線或以SMT焊接后灌膠封裝步驟覆以一層保護(hù)膠體，前述基板自底面蝕刻部分基板而顯露出前述導(dǎo)電線路以完成封裝程序；因前述外露的導(dǎo)電線路與晶粒連接，故可直接將封裝完成的組件單體設(shè)置于任何電路板上，本發(fā)明因使封裝組件僅具有封裝膠體厚度，故可有效縮減組件體積真正做到無(wú)載板封裝。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1534748SQ03109050
公開(kāi)日2004年10月6日 申請(qǐng)日期2003年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月2日
發(fā)明者張榮騫 申請(qǐng)人:大耀有限公司