專利名稱：電子器件散熱器及裝備該件的電路板和等離子顯示器面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子器件散熱器，和每個(gè)都裝有這種散熱器的電路板和等離子顯示器面板裝置。特別是，本發(fā)明涉及一種能夠降低噪音的電子器件散熱器，和每個(gè)都裝有這種散熱器的電路板和等離子顯示器裝置。
背景技術(shù)：
通常，安裝在各種電子裝置內(nèi)的一塊電路板上裝有許多電子器件，并通過電子器件間的相互作用進(jìn)行控制操作。
這些電子器件由電源供電，并進(jìn)行預(yù)定的操作。根據(jù)其運(yùn)行特性，其中一些電子器件在操作過程中將產(chǎn)生熱量和振動(dòng)。
通過一個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)，舉例說明了產(chǎn)生熱量和振動(dòng)的電子器件。
將MOSFET應(yīng)用在一塊等離子顯示器面板(PDP)上，用于給PDP的每個(gè)單元放電。當(dāng)PDP的每個(gè)單元通電/斷電時(shí)，在MOSFET上就產(chǎn)生了熱量。
圖1所示牢固地安裝在電路板1上的一個(gè)MOSFET 2和一個(gè)傳統(tǒng)散熱器3的視圖。
如圖1中圖解說明所示，用于電子器件的傳統(tǒng)散熱器3包括一個(gè)固定在電路板1上的基座部分3a，一個(gè)從基座部分3a上伸出，并且其中一邊與MOSFET 2接觸的接觸部分3b，和多個(gè)都從接觸部分3b伸出，彼此間隔一定距離的散熱片3c。
因此，熱量通過散熱器3的接觸部分3b傳遞到散熱片3c上，再通過散熱片3c輻射到空氣中。
當(dāng)MOSFET 2通電時(shí)，在MOSFET 2中產(chǎn)生電磁力，當(dāng)MOSFET 2斷電時(shí)，在MOSFET 2所產(chǎn)生的電磁力就消失了。因此，當(dāng)MOSFET 2進(jìn)行通電/斷電這種開關(guān)操作時(shí)，電磁力重復(fù)地產(chǎn)生和消失，從而使MOSFET 2產(chǎn)生振動(dòng)。
當(dāng)MOSFET 2產(chǎn)生振動(dòng)時(shí)，這種振動(dòng)隨之傳遞到用于冷卻MOSFET 2的散熱器3上，這種振動(dòng)使散熱器3上的散熱片3c發(fā)生振動(dòng)，并且產(chǎn)生了噪音。因?yàn)樯崞?c上的振動(dòng)與其到固定在電路板1上的基座部分3a的距離成正比，因此在散熱片3c上產(chǎn)生的噪音也與其到基座部分3a的距離成正比。
特別是，將傳統(tǒng)的電子器件散熱器應(yīng)用在一種家庭影院系統(tǒng)的電視機(jī)上，該散熱器產(chǎn)生了過量的噪音，用戶可能會抱怨產(chǎn)品的過量噪音。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明一方面提出一種能夠降低噪音的電子器件散熱器，與每個(gè)都裝有這種散熱器的電路板和等離子顯示器裝置。
本發(fā)明另外的方面和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明部分提出，而且這些方面和優(yōu)點(diǎn)在說明部分是非常明顯的，或者說，通過本發(fā)明的實(shí)施，可以很容易地理解這些方面和優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明上述的和別的方面是通過提供一種電子器件散熱器，與每個(gè)都裝有這種散熱器的電路板和PDP裝置來實(shí)現(xiàn)，這種散熱器包括一個(gè)固定在一塊電路板上的基座部分，與一個(gè)或多個(gè)電子器件緊密牢固地接觸的一個(gè)接觸部分，和多個(gè)都從接觸部分伸出一定長度的散熱片；其中一個(gè)遠(yuǎn)離基座部分的散熱片比接近基座部分的散熱片具有更窄的寬度。
本發(fā)明的第二方面是多個(gè)散熱片中的一片可以固定在電路板上，并構(gòu)成基座部分。
本發(fā)明的第三方面是接觸部分可以從基座部分伸出，并與基座部分形成一定的夾角，多片散熱片可以從接觸部分伸出，并與基座部分保持平行。
本發(fā)明的第四方面是離基座部分的距離超過一個(gè)預(yù)定值的一片散熱片可以比其距離在預(yù)定值內(nèi)的散熱片有更窄的寬度。
本發(fā)明的第五方面是每片散熱片的寬度都可以與其到基座部分的距離成反比。
本發(fā)明的第六方面是電子器件可以是MOSFET。


在下面示例性實(shí)施例的說明及其與之相連的附圖中，本發(fā)明的這些和別的方面與優(yōu)點(diǎn)是明顯的且易于理解的圖1所示一個(gè)傳統(tǒng)的電子器件散熱器與裝有這種傳統(tǒng)散熱器的電路板的平面圖；圖2所示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例，一個(gè)PDP裝置的分解透視圖；圖3所示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例，一個(gè)PDP裝置的剖視圖；圖4所示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例，一個(gè)基座面板的后視圖；圖5所示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例，一個(gè)散熱器和一塊裝有散熱器的電路板的透視圖；圖6所示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例，一個(gè)散熱器和一塊裝有這種散熱器的電路板的平面圖；圖7所示根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)說明性的非限制實(shí)施例，一個(gè)散熱器和一塊裝有這種散熱器的電路板的平面圖；圖8所示傳統(tǒng)散熱器與本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例中的散熱器所產(chǎn)生的噪音對比圖。
具體實(shí)施例方式
在本發(fā)明的說明性的非限制實(shí)施例中將提出參考部分，在附圖中圖解說明參考部分，其中，同一個(gè)參考數(shù)字自始至終指向同一個(gè)部件。
圖2所示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)說明性的非限制實(shí)施例，一個(gè)PDP裝置的分解透視圖。
本發(fā)明的PDP裝置10包括一個(gè)顯示圖像的PDP 20，一個(gè)基座面板40，PDP 20設(shè)置于基座面板40之前，和一個(gè)位于PDP 20和基座面板40之間用于傳遞熱量的薄板30。
如圖3圖解說明所示，在這個(gè)PDP 20中，多個(gè)隔斷墻22規(guī)則地形成于分別裝有一個(gè)X電極21a和一個(gè)Y電極21b的一對玻璃襯底21之間，形成許多個(gè)像素23，每個(gè)像素23都被密封，并在其內(nèi)部裝有高壓放電氣體。每個(gè)像素23都裝有一種熒光材料24，當(dāng)紫外線輻射這個(gè)像素23時(shí)，這種熒光材料24能發(fā)出紅、綠和藍(lán)色可見光中的一種。因此，當(dāng)將電壓施加在X電極21a和一個(gè)Y電極21b之間時(shí)，就通過像素23中的放電氣體進(jìn)行等離子放電，并產(chǎn)生紫外線。所產(chǎn)生的紫外線撞擊熒光材料24，從而，通過紫外線與熒光材料24之間的撞擊，也就產(chǎn)生了可見光。
參考圖4，各種電子器件都安裝在基座面板40的后部，用于向每個(gè)像素23施加電壓。對于安裝在基座面板40的后部的電子器件，有一個(gè)給PDP裝置和電路板60a和60b供電的開關(guān)式電源(SMPS)50，PDP裝置10和電路板60a和60b通過在X電極21a和Y電極21b之間選擇性地施加和移去電壓控制顯示。
在這個(gè)實(shí)施例中，電路板60a和60b包括一塊給每個(gè)像素23的X電極21a施加電壓的X電路板60a，和一塊給每個(gè)像素23的Y電極21b施加電壓的Y電路板60b。
如圖5所示，一個(gè)MOSFET 70實(shí)質(zhì)上是以板形制成的，多個(gè)連線71都從MOSFET 70上伸出，并連接到電路板60a和60b上。通過一種固定裝置如一個(gè)螺栓，將MOSFET 70的寬表面緊緊地安裝在散熱器80上，致使在MOSFET 70中所產(chǎn)生的熱量傳遞到散熱器80上，并通過散熱器80輻射出去。
散熱器80牢固地安裝在電路板60a和60b上，散熱器80包括一個(gè)固定在電路板60a和60b上的基座部分81，一個(gè)從基座部分81向上伸出，并且其中一個(gè)邊與MOSFET 70接觸的接觸部分82，用于接收在MOSFET70中所產(chǎn)生的熱量，和多個(gè)從接觸部分82上伸出一定長度，并與基座部分81平行的散熱片83a，83b和83c，用于向外輻射熱量。
散熱器80的基座部分81牢固地安裝在電路板60a和60b上，另外基座部分81也起一個(gè)散熱片的作用。
散熱片83a，83b和83c都是以板形制成的。這些散熱片83a，83b和83c沿垂直方向彼此平行排列，并且位于彼此相距一定間隔的位置上，用于按期望向外散熱。在這個(gè)說明性的非限制實(shí)施例中，散熱片83a，83b和83c的數(shù)目是三個(gè)。
在這個(gè)實(shí)施例中，在三個(gè)散熱片83a，83b和83c中，其中最上面一片散熱片的寬度被設(shè)計(jì)成L2，小于三個(gè)散熱片83a，83b和83c中的中間的和最下面的散熱片的寬度L1。
隨著散熱片到基座部分81的距離加大，散熱片83a，83b或83c的振動(dòng)量成正比地增加。另外，如果散熱片83a，83b和83c上的振動(dòng)幅度大于一定值時(shí)，那么就使空氣發(fā)生振動(dòng)并產(chǎn)生噪音。因此，當(dāng)最上面的散熱片83a的寬度設(shè)計(jì)成小于另外兩片散熱片83b和83c的寬度時(shí)，最上面的散熱片83a的振動(dòng)幅度就降低到一個(gè)接近中間和最下面的散熱片83b和83c的振動(dòng)幅度值。
將中間和最下面的散熱片83b和83c設(shè)計(jì)成有相等的寬度。中間和最下面的散熱片83b和83c的振動(dòng)幅度小于最上面的散熱片83a上的振動(dòng)幅度。所以，中間和最下面的散熱片83b和83c不產(chǎn)生噪音。另外，也因?yàn)榭紤]到便于制作，因此將它們設(shè)計(jì)成具有相同寬度的散熱片。
在這個(gè)說明性的非限制實(shí)施例中，詞語“上面的”和“下面的”用于表示部件的相對位置，但是，不用于限定散熱器80的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。
另外，雖然在這個(gè)說明性的非限制實(shí)施例中，將散熱片83a，83b和83c的數(shù)目描述為三個(gè)，但是散熱片的數(shù)目并不限定為三個(gè)。相應(yīng)地，在散熱器的總體設(shè)計(jì)決定了散熱片的數(shù)目之后，就可以決定散熱片的寬度，并允許每個(gè)散熱片的振動(dòng)幅度都小于一個(gè)確定值，所以散熱器80產(chǎn)生的噪音可以降低到一定值之下。
而且，雖然在這個(gè)說明性的非限制實(shí)施例中，雖然將中間和最下面的散熱片83b和83c設(shè)計(jì)成具有相同的寬度，但是，如圖7所示，散熱片83a，83b和83c的寬度也能夠設(shè)計(jì)成與散熱片到基座部分91的距離稱反比。
在下文中，將參考附圖詳細(xì)地說明電子器件散熱器與都裝有散熱器的電路板和PDP裝置的運(yùn)行和效果。
多個(gè)MOSFET70安裝在X和Y電路板60a和60b上，并通過開/關(guān)切換操作產(chǎn)生熱量和振動(dòng)。所產(chǎn)生的熱量傳遞到散熱器80上，并通過散熱器90輻射到空氣中，因此能夠阻止MOSFET70的過熱。
MOSFET70伴隨熱量而產(chǎn)生振動(dòng)，并傳遞到散熱器80上，從MOSFET70上傳遞來的振動(dòng)使安裝在散熱器80上的散熱片83a，83b和83c隨之發(fā)生振動(dòng)。
在這個(gè)實(shí)施例中，散熱器80的基座部分81牢固地安裝在電路板60a和60b上，散熱片83a，83b和83c上的振動(dòng)幅度與散熱片83a，83b或83c和散熱器80的基座部分81之間的距離成正比。
由于最上面的散熱片83a距離基座部分81最遠(yuǎn)，其寬度L2小于中間和最下面的散熱片83b和83c的寬度L1，如圖6所示，致使最上面的散熱片83a的振動(dòng)幅度接近于中間和最下面的散熱片83b和83c的振動(dòng)幅度，因此能夠阻止噪音的發(fā)生。
圖8所示裝有三個(gè)寬度相同的散熱片的傳統(tǒng)散熱器與本發(fā)明的散熱器的噪音對比圖，在本發(fā)明的散熱器中，將最上面的散熱片83a的寬度L2設(shè)計(jì)成小于中間和最下面的散熱片83b和83c的寬度L1。
在圖8中，一條實(shí)線表示本發(fā)明的散熱器80中的噪音試驗(yàn)值，一條虛線表示傳統(tǒng)散熱器80的噪音試驗(yàn)值。
如圖8中“A”部分所示，本發(fā)明的散熱器中的噪音峰值比傳統(tǒng)散熱器的噪音峰值小得多。
如上文說明所述，當(dāng)從MOSFET傳遞來一個(gè)振動(dòng)時(shí)，由于將本發(fā)明散熱器上的散熱片設(shè)計(jì)成具有這樣的寬度，致使能夠限定散熱片的振動(dòng)幅度，使之小于一定值。因此，降低了振動(dòng)所引起的噪音。
而且，就如降低散熱器產(chǎn)生的噪音一樣，也可以降低都裝有本發(fā)明散熱器的電路板和PDP面板所產(chǎn)生的噪音。
雖然已經(jīng)展示并說明了幾個(gè)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但是，普通技術(shù)人員都能理解，在沒有偏離本發(fā)明的原理和精神的條件下，本發(fā)明的非限制實(shí)施例可以有所變化，本發(fā)明的范圍限定在權(quán)利要求及其等價(jià)物中。
權(quán)利要求
1.一種電子器件散熱器，包括一個(gè)固定在一塊電路板上的基座部分；一個(gè)用于固定一個(gè)或多個(gè)電子器件的接觸部分；和多個(gè)都從接觸部分延伸一定長度的散熱片，其中遠(yuǎn)離基座部分的散熱片中的至少一個(gè)的寬度小于接近基座部分的散熱片的寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件散熱器，其特征在于，其中多個(gè)散熱片中的一片固定在電路板上，并且構(gòu)成基座部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件散熱器，其特征在于，其中接觸部分從基座部分上伸出，并與基座部分形成一定夾角，多片散熱片都從接觸部分上伸出，并與基座部分平行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件散熱器，其特征在于，其中，離基座部分的距離超過一個(gè)預(yù)定值的散熱片比其距離在預(yù)定值內(nèi)的散熱片有更窄的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件散熱器，其特征在于，其中每個(gè)散熱片的寬度都與其到基座部分的距離成反比。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件散熱器，其特征在于，其中電子器件是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET。
7.一裝有一個(gè)散熱器的電路板，該散熱器與一個(gè)或多個(gè)產(chǎn)生熱和噪音的電子器件接觸，用于散去所產(chǎn)生的熱量，該散熱器包括一個(gè)固定在一塊電路板上的基座部分；一個(gè)牢固地接觸一個(gè)或多個(gè)電子器件的接觸部分；每個(gè)都從接觸部分延伸一定長度的多個(gè)散熱片；其中一個(gè)遠(yuǎn)離基座部分的散熱片的寬度比接近基座部分的散熱片的寬度更窄。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子器件散熱器，其特征在于，其中多個(gè)散熱片中的一片散熱片固定在電路板上，并且構(gòu)成基座部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子器件散熱器，其特征在于，其中接觸部分從基座部分上伸出，并與基座部分形成一個(gè)夾角，多片散熱片都從接觸部分上伸出，并與基座部分平行。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子器件散熱器，其特征在于，其中，離基座部分的距離超過一個(gè)預(yù)定值的散熱片比其距離在預(yù)定值內(nèi)的散熱片有更窄的寬度。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子器件散熱器，其特征在于，其中每個(gè)散熱片的寬度都與其到基座部分的距離成反比。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子器件散熱器，其特征在于，其中電子器件是MOSFET。
13一裝有一個(gè)散熱器的等離子顯示器面板裝置，該散熱器與一個(gè)或多個(gè)產(chǎn)生熱量和噪音的電子器件接觸，用于散去所產(chǎn)生的熱量，該散熱器和電子器件都安裝在一塊或多塊電路板上，該散熱器包括一個(gè)固定在一塊電路板上的基座部分；一個(gè)牢固地接觸一個(gè)或多個(gè)電子器件的接觸部分；每個(gè)都從接觸部分延伸一定長度的多個(gè)散熱片；其中一個(gè)遠(yuǎn)離基座部分的散熱片的寬度比接近基座部分的散熱片的寬度更窄。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子器件散熱器，其特征在于，其中多個(gè)散熱片中的一片固定在電路板上，并且構(gòu)成基座部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子器件散熱器，其特征在于，其中接觸部分從基座部分上伸出，并與基座部分形成一個(gè)夾角，多片散熱片都從接觸部分上伸出，并與基座部分平行。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子器件散熱器，其特征在于，其中，離基座部分的距離超過一個(gè)預(yù)定值的散熱片比其距離在預(yù)定值內(nèi)的散熱片有更窄的寬度。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子器件散熱器，其特征在于，其中每個(gè)散熱片的寬度都與其到基座部分的距離成反比。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子器件散熱器，其特征在于，其中電子器件是MOSFET。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子器件散熱器，其特征在于，其中接觸部分從基座部分上伸出，并與基座部分形成一個(gè)90度夾角。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子器件散熱器，其特征在于，其中如此規(guī)定多個(gè)散熱片的寬度，致使每個(gè)散熱片的振動(dòng)幅度都能小于一定值。
21.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子器件散熱器，其特征在于其中至少兩個(gè)散熱片具有相同的寬度。
全文摘要
一種電子器件散熱器，和每個(gè)都裝有散熱器的電路板和等離子顯示器面板裝置的散熱器，一種電子器件散熱器，和每個(gè)都裝有散熱器的電路板和等離子顯示器裝置的散熱器包括一個(gè)固定在電路板上的基座部分，與一個(gè)或多個(gè)電子器件緊密接觸的一個(gè)接觸部分，和都從基座部分伸出一個(gè)固定長度的多個(gè)散熱片。遠(yuǎn)離基座部分的散熱片的寬度小于靠近基座部分的散熱片的寬度。
文檔編號H01L23/40GK1494135SQ03120410
公開日2004年5月5日 申請日期2003年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月1日
發(fā)明者崔秀镕, 朱載晚, 李錫榮, 姜定勛, 吳相京, 崔秀 申請人:三星電子株式會社