專利名稱：功率管理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及射頻技術(shù)，尤其涉及用于射頻和微波頻段的功率管理裝置。
背景技術(shù)：
工作于高頻頻段的功率分配器/組合器用于分配或組合無線電和微波信號。功率分配器通常包括一個輸入端口和兩個輸出端口。輸入到輸入端口的功率被均勻或以另一比例分配給輸出端口。在功率組合器中，若干個輸入信號被組合為一個輸出信號。
根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的功率分配器/組合器由稱為威爾金森(Wilkinson)功率分配器/組合器的功率分配器/組合器表示。在常規(guī)威爾金森功率分配器/組合器中，在絕緣基片結(jié)構(gòu)之上有導(dǎo)電圖，如印刷板。這種導(dǎo)電圖在輸入端口和輸出端口之間有長為λ/4的傳輸線。需要功率分配器/組合器的質(zhì)量包含小的功率損耗、傳輸線之間的充分絕緣以及充分的EMC保護。
然而，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的威爾金森功率分配器/組合器尺寸很大，而且從印刷板的表面層占據(jù)過多空間，以便能集成到新近的要求部件越來越小的設(shè)備中。如果不削弱傳輸線間的絕緣和大大增加功率損耗，很難縮小威爾金森功率分配器/組合器的尺寸。
因此，需要一種工作于高頻頻段的威爾金森功率分配器/組合器，其從印刷板的表面層只占據(jù)很小空間，而且其功率損耗也很小，而傳輸線間的絕緣和功率分配器對周圍環(huán)境的電磁保護也很好。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是以這樣一種方式實現(xiàn)功率管理裝置所實現(xiàn)的裝置尺寸小但具有良好的絕緣能力和小功率損耗。
這是通過一種功率管理裝置實現(xiàn)的，這種裝置形成多層結(jié)構(gòu)，包括幾個絕緣層；用作基準(zhǔn)面的幾個導(dǎo)電層；第一端口，第二端口和第三端口；從第一端口到第二端口的第一傳輸線；從第一端口到第三端口的第二傳輸線；用于連接這些傳輸線與端口的設(shè)備；第二和第三端口之間的至少一個無源單元。在根據(jù)本發(fā)明的功率管理裝置中，第一傳輸線與第二傳輸線不在同一層。
本發(fā)明的優(yōu)選實施例在附屬權(quán)利要求中描述。
本發(fā)明基于位于不同層的功率管理裝置的傳輸線。
利用根據(jù)本發(fā)明的功率管理裝置可實現(xiàn)多個優(yōu)點。在功率管理裝置的不同傳輸線的支線之間實現(xiàn)了良好的絕緣。由于在根據(jù)本發(fā)明的解決方案中使用了基準(zhǔn)面結(jié)構(gòu)，功率損耗得以降低，而且EMC(電磁兼容性)保護得以改善。在印刷板的表面層也節(jié)省了大量空間。


現(xiàn)在聯(lián)系優(yōu)選實施例參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明，其中圖1是鎖相電路的框圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的威爾金森功率分配器的透視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的威爾金森功率分配器的頂視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的威爾金森功率分配器的側(cè)視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的威爾金森功率分配器的前視圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的威爾金森功率分配器的透視圖。
具體實施例方式
圖1是使用威爾金森功率分配器實現(xiàn)功率管理裝置的鎖相電路90的簡化框圖。鎖相電路被廣泛應(yīng)用于電信系統(tǒng)中。鎖相電路負(fù)責(zé)為電信系統(tǒng)的接收機和收發(fā)信機生成具有足夠的頻率穩(wěn)定性和足夠低噪聲的振蕩器信號。
在圖1中，鎖相電路90包括壓控振蕩器(VCO)94、威爾金森功率分配器92、輸出放大器96、同步裝置98以及濾波器99。壓控振蕩器94生成輸出功率以響應(yīng)輸入電壓。威爾金森功率分配器92需要用于將由振蕩器生成的輸出功率分配給輸出放大器96，以及分配給由同步裝置98和濾波器99構(gòu)成的環(huán)路。濾波器99通常為低通濾波器，其可通過利用例如放大器、電阻和電容實現(xiàn)。
圖2是根據(jù)所提出的解決方案的威爾金森功率分配器的透視圖。根據(jù)圖2的功率分配器設(shè)計用于工作在1.8GHz的中頻。根據(jù)圖2的威爾金森功率分配器形成多層結(jié)構(gòu)100，包括多個絕緣層130、132、134、136；多個導(dǎo)電層124、126、128；第一端口101、第二端口102和第三端口104；第一傳輸線106和第二傳輸線108；無源單元116及絕緣層132、134、136及導(dǎo)電層126、128上的多個引線(lead-through)110、112、114、122。在圖2中，第一傳輸線106位于次上絕緣層134上，而第二傳輸線108位于最低絕緣層130上。用作基準(zhǔn)面的導(dǎo)電層124、126、128的中間導(dǎo)電層126，位于第一和第二傳輸線106、108之間的區(qū)域。在本例中，用作基準(zhǔn)面的導(dǎo)電層124、126、128實際上為接地面。
在圖2的例子中，多層結(jié)構(gòu)100的絕緣層130、132、134、136是借助例如稱為LTCC(低溫?zé)Y(jié)(cofired)陶瓷)或THCC(高溫?zé)Y(jié)陶瓷)的陶瓷技術(shù)實現(xiàn)的。作為選擇，絕緣層130、132、134、136也可利用根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機印刷板材料實現(xiàn)。在實現(xiàn)絕緣層130、132、134、136中使用的陶瓷材料例如為氧化鋁和玻璃的混合物。在圖2的例子中，每個絕緣層130、132、134、136的厚度優(yōu)選為0.4mm，介電常數(shù)為7.7。根據(jù)本例，多層結(jié)構(gòu)100包括用作基準(zhǔn)面的三個導(dǎo)電層124、126、128。導(dǎo)電層124、126、128是以下述方式置于多層結(jié)構(gòu)100中的在中間和最上導(dǎo)電層126、128之間有兩個最上絕緣層134、136，而在最低和中間導(dǎo)電層124、126之間有兩個最低絕緣層130、132，因此根據(jù)圖2，位于多層結(jié)構(gòu)100的下表面和上表面的區(qū)域是導(dǎo)電層124、128，而位于多層結(jié)構(gòu)100的4個絕緣層130、132、134、136中間的層是導(dǎo)電層126。在圖2的例子中，每個導(dǎo)電層124、126、128的厚度優(yōu)選為10μm。
在多層結(jié)構(gòu)100的次下絕緣層132之上有第一端口101，其用作輸出端口。第一端口101優(yōu)選包括一根50Ω的帶狀線。第一端口101的寬度優(yōu)選為380μm。在多層結(jié)構(gòu)100的最上絕緣層130之上有第二端口102和第三端口104。第二和第三端口102、104用作輸出端口。在圖2的例子中，第二和第三端口102、104優(yōu)選包括50Ω的帶狀線。第二和第三端口102、104的寬度優(yōu)選為460μm。盡管在本例中利用兩個輸出端口實現(xiàn)，但該功率管理裝置也可以利用若干個輸出端口實現(xiàn)。功率管理裝置也可以用于功率組合而不是功率分配，在此情況下，第一端口101將用作輸出端口，相應(yīng)地，第二和第三端口102、104將用作輸入端口。在本例中，無源單元116設(shè)置于第二和第三端口102、104之間，該單元在圖2的例子中優(yōu)選為一個100Ω的電阻器。無源單元116的目的是改善第二和第三端口102、104之間的絕緣性能。
在多層結(jié)構(gòu)100的次上絕緣層134之上有第一傳輸線106。而第二傳輸線108則位于最低絕緣層130之上。在本解決方案中，傳輸線106、108為長度為λ/4的帶狀線。第一、第二和第三端口101、102、104的阻抗為Zo，而傳輸線106、108的阻抗在本例中可通過 計算。當(dāng)端口101、102和104的阻抗為50Ω時，傳輸線106、108的特征阻抗優(yōu)選為70.7Ω。傳輸線106、108的寬度優(yōu)選為80μm。引線110、112、114、122為電鍍引線(plated-through)，優(yōu)選填充液態(tài)錫，由此形成端口101、102、104和傳輸線106、108之間所需的連接。引線110、112、114、122優(yōu)選阻抗匹配。第一端口101利用通過絕緣層132、134形成的引線110、122以及利用在這些引線上形成的導(dǎo)電金屬鍍層連接傳輸線106、108。第一傳輸線106通過其一端146c借助經(jīng)最上絕緣層136引出的引線112上形成的導(dǎo)電金屬鍍層連接第二端口102。而第二傳輸線通過其一端156c借助經(jīng)絕緣層132、134、136引出的引線114上形成的導(dǎo)電金屬鍍層與第三端口104相連。
根據(jù)圖2的例子，傳輸線106、108均為連續(xù)支線140-146，150-156形狀，以節(jié)約空間。在圖2的例子中，連續(xù)支線140-146、150-156包括向絕緣層130、134的外沿伸展的發(fā)散區(qū)140a-146a，150a-156a，再次接近絕緣層130、134中間區(qū)域的返回區(qū)140c-146c，150c-156c，以及發(fā)散區(qū)和返回區(qū)之間的轉(zhuǎn)向區(qū)140b-146b，150b-156b。轉(zhuǎn)向區(qū)140b-146b，150b-156b優(yōu)選相對發(fā)散區(qū)和返回區(qū)成90角。由傳輸線106、108形成的導(dǎo)電圖優(yōu)選以稱為薄膜和厚膜技術(shù)的方式實現(xiàn)。或者，由傳輸線106、108形成的導(dǎo)電圖也可利用生長或蝕刻技術(shù)實現(xiàn)。
傳輸線106的第一支線140的發(fā)散區(qū)140a利用在引線110上形成導(dǎo)電金屬鍍層連接第一端口101，而傳輸線108的第一支線150的發(fā)散區(qū)150a利用在引線122上形成導(dǎo)電金屬鍍層連接第一端口101。根據(jù)本例，傳輸線106、108的第一發(fā)散區(qū)140a、150a，從第一端口101開始，位于第一端口101的不同側(cè)面，這樣第一發(fā)散區(qū)140a、150a就不會物理重疊。兩根連續(xù)支線140-146，150-156的轉(zhuǎn)向區(qū)140b-146b，150b-156b在本例中位于第一端口101的不同側(cè)面。在第一端口101的左側(cè)，支線140、142、144、146、151、153、155的平行區(qū)域之間的距離在本例中為200μm。在第一端口101的右側(cè)，支線141、143、145、150、152、154、156的平行區(qū)域之間的距離也是200μm。第一和第二傳輸線106、108的支線140-146、150-156相互平行。
包含支線140-146、150-156的傳輸線106、108的形狀使得在威爾金森功率分配器中能大量節(jié)省空間。當(dāng)傳輸線106、108置于多層結(jié)構(gòu)100的不同層時，在多層結(jié)構(gòu)100的最上絕緣層136上大量空間變得空閑。利用根據(jù)本發(fā)明的裝置，相比傳輸線106、108位于多層結(jié)構(gòu)100的同一層的情況，威爾金森功率分配器在最上絕緣層136上能少占用多達(dá)90％的空間。根據(jù)本解決方案，傳輸線106、108疊加置于多層結(jié)構(gòu)100中。根據(jù)圖2，傳輸線106、108優(yōu)選以下述方式位于不同層第一和第二傳輸線106、108中朝向相反方向的支線140-146，150-156的區(qū)域重疊。
在圖2的例子中，用作導(dǎo)電層124、126、128的基準(zhǔn)面利用傳輸線106、108和第一端口的微波傳輸帶形成帶狀線結(jié)構(gòu)。帶狀線通常在兩個基準(zhǔn)面之間包含帶狀線。因此，最低導(dǎo)電層124和中間導(dǎo)電層126用作第二傳輸線108的基準(zhǔn)面。兩個最低絕緣層130、132用作帶狀線結(jié)構(gòu)的絕緣層。最低導(dǎo)電層124和最上導(dǎo)電層128用作第一端口101的基準(zhǔn)面。中間和最上導(dǎo)電層126、128用作第一傳輸線106的基準(zhǔn)面層。
在根據(jù)圖2的例子中，中間導(dǎo)電層126，第二和第三端口102、104的帶狀線以及絕緣層134、136形成微波傳輸帶狀線結(jié)構(gòu)。通常，微波傳輸帶狀線包含帶狀線和基準(zhǔn)面，二者之間是絕緣基片130、132、134、136。因此，中間導(dǎo)電層126對第二和第三端口102、104都用作基準(zhǔn)面。用作基準(zhǔn)面層的導(dǎo)電層124、126、128與傳輸線106、108以及端口101、102、104的連接是利用在多層結(jié)構(gòu)100的引線120上形成的導(dǎo)電金屬鍍層實現(xiàn)的。為簡化起見，從圖2中省略了引線120。
在本解決方案中，第二和第三端口102、104也可位于次下絕緣層132之上，從而最低導(dǎo)電層124和最上導(dǎo)電層128用作端口102、104的基準(zhǔn)面。因此，第二和第三端口102、104利用導(dǎo)電層124、128形成帶狀線結(jié)構(gòu)。在這個可選解決方案中，有引線從第二和第三端口102、104通過兩個最上絕緣層134、136到達(dá)諸如電阻器的無源單元116。
圖3是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的威爾金森功率分配器的頂視圖。圖3的例子類似于圖2所示的威爾金森功率分配器，但圖3是通過省略導(dǎo)電層124、126、128和絕緣層130、132、134、136簡化的。圖3利用由虛線限制的區(qū)域指示具有導(dǎo)電金屬鍍層的那些引線，借助這些引線能實現(xiàn)導(dǎo)電層124、126、128和傳輸線106、108的連接。
在圖3中，第一端口101借助在引線110上形成的導(dǎo)電金屬鍍層連接次上絕緣層134之上的傳輸線106。最低絕緣層130之上的傳輸線108借助在引線122上形成的導(dǎo)電金屬鍍層連接第一端口101。然而，在圖3中，引線122位于第一端口101的引線110之下。
如同在圖2中一樣，在圖3中傳輸線106、108也包括連續(xù)支線104-146，150-156。然而第二傳輸線108部分位于上一層上的第一傳輸線106之下，這樣從上面就無法全部看見它。為很容易獲得相同長度的傳輸線106、108，優(yōu)選長為λ/4，傳輸線106、108的第一支線140、150從第一端口101開始，必須位于第一端口101的不同側(cè)面，這樣第一支線140、150的發(fā)散區(qū)140a、150a就不會物理重疊。在圖3的例子中，對于傳輸線106、108的另一端也是這一，這樣傳輸線106、108的最后支線146、156的返回區(qū)146c、156c從相反方向接近第二和第三端口102、104。為改善絕緣，在第二和第三端口102、104之間設(shè)置無源單元116，該單元在圖3的例子中也為100Ω的電阻。
圖4是根據(jù)圖2和3的威爾金森功率分配器的側(cè)視圖。圖4沒有示意具有導(dǎo)電金屬鍍層的引線120，通過此引線120可實現(xiàn)導(dǎo)電層124、126、128與傳輸線106、108和端口101、102、104的連接。
圖4示出了多層結(jié)構(gòu)100的4個絕緣層130、132、134、136；用做基準(zhǔn)面的3個層124、126、128；第一和第三端口101、104；第一和第二傳輸線106、108；以及引線110、114、122。圖4所示的導(dǎo)電層124、126、128位于絕緣層130、132、134、136之下、之上和之間。在次下絕緣層132之上有第一端口101，其借助在引線110上形成的導(dǎo)電金屬鍍層連接次上絕緣層之上的第一傳輸線106，以及借助在引線122上形成的導(dǎo)電金屬鍍層連接最低絕緣層130之上的第二傳輸線108。
根據(jù)本例，傳輸線106、108以平面方式從第一端口101的引線110、112通向第二和第三端口102、104的引線112、114。然而，在圖4中看不到第二端口102以及連接第一傳輸線106與第二端口102的引線112，這是因為它們位于第三端口104以及連接第二傳輸線108與第三端口104的引線114之后。
圖5是圖2、3和4的例子的前視圖。在此也沒有示意具有導(dǎo)電金屬鍍層的引線120，借助此引線120可實現(xiàn)導(dǎo)電層124、126、128與傳輸線106、108和端口101、102、104的連接。
圖5示出了多層結(jié)構(gòu)100的4個絕緣層130、132、134、136；用做基準(zhǔn)面的三個導(dǎo)電層124、126、128；第一、第二和第三端口101、102、104；第一和第二傳輸線106、108；以及引線110、112、114、122。圖5所示的導(dǎo)電層124、126、128位于絕緣層130、132、134之下、之上以及之間。在次下絕緣層132之上有第一端口101，其借助在引線110上形成的導(dǎo)電金屬鍍層連接第三絕緣層134之上的第一傳輸線106，以及借助在引線122上形成的導(dǎo)電金屬鍍層連接第一絕緣層130之上的第二傳輸線108。在第一端口101的兩側(cè)有中間導(dǎo)電層126，其用做第一和第二傳輸線106、108以及第二和第三端口102、104的基準(zhǔn)面。
第二和第三端口102、104位于最上絕緣層136之上。用做第一端口101和第一傳輸線106的基準(zhǔn)面的最上絕緣層128位于最上絕緣層136之上。位于第一絕緣層130之下的導(dǎo)電層124用做第二傳輸線108和第一端口101的基準(zhǔn)面。第一傳輸線106借助在引線112上形成的導(dǎo)電金屬鍍層連接位于最上絕緣層136之上的第二端口102。而第二傳輸線108借助在引線114上形成的導(dǎo)電金屬鍍層連接第三端口104。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的另一實例的透視圖。根據(jù)圖6實例的威爾金森功率分配器也形成多層結(jié)構(gòu)100，包括用做基準(zhǔn)面的幾個導(dǎo)電層124、126、128；第一端口101、第二端口102和第三端口104；第一傳輸線106和第二傳輸線108；無源單元116；以及幾根引線110、112、114、122。在多層結(jié)構(gòu)100的次上絕緣層134之上有第一傳輸線106。而第二傳輸線108位于最低絕緣層130之上。
由圖6實例中的傳輸線106、108形成的導(dǎo)電圖是以已知方式，優(yōu)選以薄膜或厚膜技術(shù)實現(xiàn)的?；蛘?，由傳輸線106、108形成的導(dǎo)電圖也可以利用生長或蝕刻技術(shù)實現(xiàn)。傳輸線106借助在引線110上形成的導(dǎo)電金屬鍍層連接第一端口101，而傳輸線108借助在引線122上形成的導(dǎo)電金屬鍍層連接第一端口101。
與圖2-5的例子不同的是，圖6所示的傳輸線106、108是螺旋狀的。傳輸線106、108設(shè)計成螺旋狀，以便第一傳輸線106中的螺旋扭曲相比第二傳輸線108中的螺旋扭曲在相反方向開始打開。在圖6的實例中，第一傳輸線106中的螺旋扭曲順時針發(fā)生，并在第二端口102的左側(cè)連接第二端口。相反，第二傳輸線108中的螺旋扭曲逆時針發(fā)生，并在第三端口104的右側(cè)連接第三端口。為改善絕緣，在第二和第三端口102、104之間設(shè)置無源單元116，例如電阻。
借助圖6的解決方案也可實現(xiàn)多個優(yōu)點。由于傳輸線106、108為螺旋狀，因此節(jié)省了許多空間，而且用做基準(zhǔn)面的導(dǎo)電層124、126、128在傳輸線106、108之間提供了良好絕緣，并增強了威爾金森功率分配器對周圍環(huán)境的電磁保護。
盡管本發(fā)明是參考附圖中的例子描述的，但顯然并不局限于此，而是可在所附權(quán)利要求書的發(fā)明觀點內(nèi)進行各種修改。
權(quán)利要求
1.一種功率管理裝置，形成多層結(jié)構(gòu)(100)，包括多個絕緣層(130，132，134，136)；用作基準(zhǔn)面的多個導(dǎo)電層(124，126，128)；第一端口(101)、第二端口(102)和第三端口(104)；從第一端口(101)到第二端口(102)的第一傳輸線(106)，從第一端口(101)到第三端口(104)的第二傳輸線(108)；用于連接所述傳輸線(106，108)與所述端口(101，102，104)的設(shè)備；第二和第三端口(102，104)之間的至少一個無源單元(116)；其特征在于，第一傳輸線(106)所處的絕緣層(130，132，134，136)不同于第二傳輸線(108)所處的絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，用做接地面的至少一個導(dǎo)電層(124，126，128)位于第一和第二傳輸線(106，108)之間的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，第一傳輸線(106)為連續(xù)支線(140-146)形狀，這些支線(140-146)包括發(fā)散區(qū)(140a-146a)和返回區(qū)(140c-146c)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，第二傳輸線(108)為連續(xù)支線(150-156)形狀，這些支線(150-156)包括發(fā)散區(qū)(150a-156a)和返回區(qū)(150c-156c)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4的功率管理裝置，其特征在于，第一和第二傳輸線(106、108)的支線(140-146，150-156)互相平行。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，第一和第二傳輸線(106，108)重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求3或4的功率管理裝置，其特征在于，第一和第二傳輸線(106，108)的支線(140-146，150-156)重疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求3或4的功率管理裝置，其特征在于，以相反方向前鋪的第一和第二傳輸線(106，108)的支線(140-146，150-156)的區(qū)域重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，第一傳輸線(106)為螺旋狀。10.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，第二傳輸線(108)為螺旋狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求3或4的功率管理裝置，其特征在于，第一傳輸線(106)的第一支線(140)的發(fā)散區(qū)(140a)和第二傳輸線(108)的第二支線(150)的發(fā)散區(qū)(150a)沿多層結(jié)構(gòu)(100)的反向邊沿前鋪。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，所述功率管理裝置為功率分配器。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的功率管理裝置，其特征在于，所述功率管理裝置為威爾金森功率分配器。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，所述功率管理裝置為功率組合器。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的功率管理裝置，其特征在于，所述功率管理裝置為威爾金森功率組合器。
16.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，用做基準(zhǔn)面的導(dǎo)電層(124，126，128)為接地面。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，傳輸線(106，108)為帶狀線。
18.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，傳輸線(106，108)和導(dǎo)電層(124，126，128)構(gòu)成帶狀線結(jié)構(gòu)。
19.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，第一、第二和第三端口(101，102，103)為帶狀線。
20.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，第一端口(101)和部分導(dǎo)電層(124，126，128)構(gòu)成帶狀線結(jié)構(gòu)。
21.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，第二端口(102)、部分導(dǎo)電層(124，126，128)以及部分絕緣層(130，132，134，136)構(gòu)成微波傳輸帶狀線結(jié)構(gòu)。
22.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，第二端口(102)和部分導(dǎo)電層(124，126，128)構(gòu)成帶狀線結(jié)構(gòu)。
23.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，第三端口(104)、部分導(dǎo)電層(124，126，128)以及部分絕緣層(130，132，134，136)構(gòu)成微波傳輸帶狀線結(jié)構(gòu)。
24.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，第三端口(104)和部分導(dǎo)電層(124，126，128)構(gòu)成帶狀線結(jié)構(gòu)。
25.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，第一和第二傳輸線(106，108)長度相同。
26.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，第一和第二傳輸線(106，108)長λ/4。
27.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，用于連接所述傳輸線(106，108)和端口(101，102，104)的裝置(110，112，114，122)包括導(dǎo)電阻抗匹配的引線。
28.根據(jù)權(quán)利要求1的功率管理裝置，其特征在于，所述無源單元(116)為電阻。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種功率管理裝置，其形成多層結(jié)構(gòu)(100)，包括多個絕緣層(130，132，134，136)；用作基準(zhǔn)面的多個導(dǎo)電層(124，126，128)；第一端口(101)、第二端口(102)和第三端口(104)；從第一端口(101)到第二端口(102)的第一傳輸線(106)，從第一端口(101)到第三端口(104)的第二傳輸線(108)；用于連接傳輸線(106，108)與端口(101，102，104)的設(shè)備；以及第二和第三端口(102，104)之間的至少一個無源單元(116)。在本功率管理裝置中，第一傳輸線(106)所處的絕緣層(130，132，134，136)不同于第二傳輸線(108)所處的絕緣層。
文檔編號H01P5/16GK1445883SQ03120499
公開日2003年10月1日 申請日期2003年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月19日
發(fā)明者加利·科萊赫曼寧, 伊爾普·科科寧 申請人:諾基亞公司