專利名稱：有機(jī)材料從給予體轉(zhuǎn)移形成有機(jī)發(fā)光二極管裝置中的一層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光(EL)裝置，也知之為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。本發(fā)明特別涉及從給予體轉(zhuǎn)移有機(jī)材料以在這種裝置中形成一層或多層有機(jī)層。
在有一系列彩色像素，諸如紅、綠和藍(lán)色像素(常稱之為RGB像素)的彩色或全彩色有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示器中，精確圖形的形成要求生色的有機(jī)EL介質(zhì)產(chǎn)生RGB像素?；镜腅L裝置具有共同的陽(yáng)極、陰極和夾在陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)EL介質(zhì)。有機(jī)介質(zhì)由一層或多層有機(jī)薄膜組成，其中的一層或一層中的區(qū)域主要負(fù)責(zé)光的產(chǎn)生或電致發(fā)光。這一特殊的層一般稱之為有機(jī)EL介質(zhì)發(fā)光層。在有機(jī)EL介質(zhì)中的其它層則共同促使電子的傳輸，并被稱之為空穴傳輸層(空穴導(dǎo)電)或稱之為電子傳輸層(電子導(dǎo)電)。在全彩色有機(jī)EL顯示板中形成RGB像素是需要設(shè)計(jì)一種方法以精確地繪制有機(jī)EL介質(zhì)發(fā)射層或整個(gè)有機(jī)EL介質(zhì)的圖形的。
典型的電致發(fā)光像素是用蔭罩技術(shù)在顯示器上形成的，諸如共同轉(zhuǎn)讓的美國(guó)專利申請(qǐng)US-A-5,742,129所述。雖然此技術(shù)有效，但也有幾個(gè)缺點(diǎn)。使用蔭罩技術(shù)難以達(dá)到像素尺寸的高分辨率。而且底板和蔭罩對(duì)準(zhǔn)是困難的，必須十分小心使像素在合適的位置形成。當(dāng)需要增加底板尺寸時(shí)，形成適合位置的像素是難于操作的。蔭罩法還有一個(gè)缺點(diǎn)是蔭罩空穴因時(shí)間而變得堵塞。蔭罩上堵塞的空穴可導(dǎo)致EL顯示器上的非功能像素這一不理想的結(jié)果。
蔭罩法還有一些問題，制作一邊的尺寸大于幾英寸的EL裝置時(shí)，就變得特別明顯。制造精度合要求(空穴位置為±5微米)以精確地形成EL裝置的較大的蔭罩是極其困難的。
繪制高分辨率有機(jī)EL顯示器圖形的方法公開于Grande等人的共同轉(zhuǎn)讓美國(guó)專利申請(qǐng)US-A-5,851,709中。此方法包括下列的步驟次序1〕提供具有相對(duì)第一和第二表面的給予體底板；2〕在給予體底板的第二表面形成光傳輸絕熱層；3〕在絕熱層上形成一光吸收層；4〕提供有從第二表面到絕熱層的開口系列的給予體底板；5〕提供在光吸收層上形成的可轉(zhuǎn)移的形成顏色的有機(jī)給予體層；6〕按底板中的開口和裝置上對(duì)應(yīng)的彩色像素之間已調(diào)定的關(guān)系將給予體底板與顯示器底板精確對(duì)準(zhǔn)；7〕采用一輻射源以使開口上的光吸收層傳輸足夠的熱量，使給予體底板上的有機(jī)層轉(zhuǎn)移到顯示器底板。Grande等人的方法的問題在于要求在給予體底板上制出一系列的開口，這就產(chǎn)生了許多與蔭罩法相同的問題，包括要求在給予體底板和顯示器底板之間要有精確的機(jī)械對(duì)準(zhǔn)。還有一個(gè)問題是，給予體圖形是固定的，不容易進(jìn)行改變。
使用非圖形給予體板和精確的光源(諸如激光)可以消除圖形給予體中所遇到的許多困難。這一方法由Littman公開于共同轉(zhuǎn)讓的US-A-5,688,551以及Wolk等人的系列專利(US-A-6,114,088；US-A-6,140,009；US-A-6,214,520和US-A-6,221,553)中。
Tang在共同轉(zhuǎn)讓的專利申請(qǐng)US-A-5,937,272中敘述了用EL材料的蒸氣沉積法將多色像素(例如紅、綠和藍(lán)色子像素)在薄膜晶體管(TFT)陣列底板上形成圖形。這樣的EL材料可以預(yù)涂在給予體承載材料的一個(gè)面上，并用蒸氣沉積法以選定的圖形轉(zhuǎn)移到底板上(如上述專利US-A-5,937,272的圖4、5、6)。
所述EL材料的轉(zhuǎn)移最好是如Tang在上述專利中所述的在真空室中進(jìn)行，特別是在給予體和底板之間維持真空。在EL材料進(jìn)行轉(zhuǎn)移時(shí)，給予體和底板必須靠得很近(按照tang的方法，涂料和底板凸起部分之間的距離要小于250微米)。再者，給予體可以與底板的凸起部分接觸，并由此在涂層和沉積EL材料的底板凹進(jìn)部分之間保持足夠的間隙。總之，要求使用一種方法使給予體和底板在真空室中保持接觸，同時(shí)維持給予體和底板之間的真空。
在Isber g等人的共同轉(zhuǎn)讓歐洲專利申請(qǐng)1028001中，公開了一種給予體層和底板之間的促粘層的使用。這有助于促進(jìn)Tang等人所要求的緊密接觸，但這也會(huì)是一個(gè)缺點(diǎn)，因?yàn)榇僬硨涌梢砸胍哉澈蟿┬问酱嬖诘碾s質(zhì)。
因此，本發(fā)明的目的是提供一個(gè)確定給予體元件與OLED底板的相對(duì)位置有效的方法，使之形成一層或多層有機(jī)材料層。
此目的的完成是用一種設(shè)備將給予體上的有機(jī)材料轉(zhuǎn)移到底板，以在一個(gè)或多個(gè)OLED裝置上形成一層有機(jī)材料層。這一設(shè)備包括
(a)減壓的真空室；(b)置于真空室中的第一夾具；(c)置于真空室中的第二夾具，與第一夾具對(duì)齊并與之組合以?shī)A緊用第一和第二夾具至少之一支承的給予體和底板，并形成位于給予體非轉(zhuǎn)移表面的第二室；(d)給第二室提供氣體的措施，以給給予體的非轉(zhuǎn)移表面施以壓力，保證相對(duì)于底板的給予體位置；(e)第一夾具包括一活動(dòng)件，在封閉位置(限定真空室的一個(gè)表面)和展開的輻射接受位置(讓輻射傳送至給予體的非轉(zhuǎn)移面)之間移動(dòng)，由此產(chǎn)生熱量，并使有機(jī)材料從給予體轉(zhuǎn)移至底板；(f)照明光源，將輻射通過展開的輻射接受位置引向給予體，使有機(jī)材料轉(zhuǎn)移到底板。
這一目的也以從給予體轉(zhuǎn)移有機(jī)材料到底板以在一個(gè)或多個(gè)OLED裝置上形成一層有機(jī)材料的方法而完成。該方法包括以下步驟(a)在減壓環(huán)境下將第一夾具與第二夾具對(duì)齊，并將底板和給予體置于由對(duì)齊的第一和第二夾具所限定的小室內(nèi)；(b)增加施于給予體非轉(zhuǎn)移表面的壓力，以保證給予體相對(duì)于底板的位置；(c)步驟b以后，將第一夾具上的活動(dòng)件從封閉位置移動(dòng)到展開位置，讓輻射傳送到給予體的非轉(zhuǎn)移表面，這樣便能產(chǎn)生熱量，并使有機(jī)材料從給予體轉(zhuǎn)移至底板；(d)用輻射經(jīng)由展開的輻射接受位置輻照給予體，使有機(jī)材料轉(zhuǎn)移至底板。
這一方法的優(yōu)點(diǎn)是，它在真空或真空環(huán)境中在給予體材料和底板之間提供了均勻的間隙，并最好能在給予體和底板之間維持真空。這樣便能在有利于減少污染有利的真空環(huán)境中適合地夾住給予體和底板。另一優(yōu)點(diǎn)是，此方法和設(shè)備能降低光學(xué)變形的可能性。還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，此設(shè)備更容易升級(jí)以生產(chǎn)比其它方法更大的顯示器。再有的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，設(shè)備中由第一和第二夾具形成的小室可以變得更小，以便能夠較快地加壓或減壓，提高生產(chǎn)能力。進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)是，本發(fā)明能實(shí)現(xiàn)完全自動(dòng)化，包括給予體和底板介質(zhì)的處理。本發(fā)明特別適合在具有許多OLED顯示器裝置的大面積上形成有機(jī)層。由于是在過程中形成，因此提高了生產(chǎn)能力。


圖1是根據(jù)本發(fā)明設(shè)計(jì)的設(shè)備的一個(gè)具體實(shí)施方案的展開狀態(tài)橫截面圖；圖2是上述設(shè)備的封閉狀態(tài)橫截面圖；圖3是顯示細(xì)節(jié)的封閉狀態(tài)的圖1和圖2設(shè)備的一部分；圖4a是使用激光時(shí)上述設(shè)備的橫截面圖；圖4b是使用閃光燈時(shí)上述設(shè)備的橫截面圖；圖5a所示是用于本發(fā)明的給予體結(jié)構(gòu)的一個(gè)具體實(shí)施方案；圖5b所示是用于本發(fā)明的給予體結(jié)構(gòu)的另一具體實(shí)施方案；圖5c所示是用于本發(fā)明的給予體結(jié)構(gòu)的又一具體實(shí)施方案；圖6a所示是根據(jù)本發(fā)明的給予體在底板上的放置的一個(gè)具體實(shí)施方案橫截面圖；圖6b所示是根據(jù)本發(fā)明的給予體在底板上的放置的另一具體實(shí)施方案橫截面圖；圖7a所示是用光處理的一種方法將有機(jī)材料從給予體轉(zhuǎn)移到底板上的橫截面圖；圖7b所示是用光處理的另一方法將有機(jī)材料從給予體轉(zhuǎn)移到底板上的橫截面圖；圖8所示為處理過的底板的平面圖。
因?yàn)檠b置的特征尺寸(諸如層厚)常在微米以下，為了便于看清，各圖已經(jīng)放大而非準(zhǔn)確的尺寸。
“顯示器”或“顯示板”一詞是指能夠用電子顯示視頻圖文的屏幕?！跋袼亍币辉~的技術(shù)公認(rèn)用法是指獨(dú)立于其它部分的可以受激發(fā)光的顯示板上的面積?！癘LED裝置”一詞是用其包括有機(jī)發(fā)光二極管作為像素的顯示器裝置的技術(shù)公認(rèn)含義。一種彩色OLED裝置發(fā)射至少一種顏色的光。采用“多色”一詞以敘述能夠在不同區(qū)域發(fā)射不同色彩光線的顯示板，特別是用來(lái)敘述能顯示不同顏色影象的顯示板。這些區(qū)域不必是相鄰的?！叭币辉~是敘述能夠發(fā)射可見光譜的紅、綠和藍(lán)色區(qū)域光線并敘述任何組合色彩影象的多色顯示板。紅色、綠色和藍(lán)色是三種主色，將三種主色恰當(dāng)?shù)鼗旌峡梢援a(chǎn)生其它各種顏色。“色彩”一詞是指可見光譜范圍內(nèi)的光發(fā)射的色飽和度情況，不同的色彩呈現(xiàn)視覺上能分辨的顏色差別。像素或子像素一般用來(lái)表示顯示板中的最小可尋址單元。對(duì)于單色顯示器來(lái)說，像素或子像素之間是沒有區(qū)別的。“子像素”是用于單色顯示板的，并且是用來(lái)標(biāo)示能夠獨(dú)立尋址的以發(fā)射特定顏色的像素部分的，例如藍(lán)色子像素是能夠被編址以發(fā)射藍(lán)光的像素部分。在全色顯示器中像素一般包括三原色子像素，即藍(lán)色、綠色和紅色?！肮?jié)矩”一詞是用來(lái)指分離顯示板中兩個(gè)像素或子像素的距離。因此，子像素節(jié)矩意即兩個(gè)像素間的間隙。
Phillips等人在其共同轉(zhuǎn)讓的美國(guó)專利申請(qǐng)SN10/21,410中公開了一種設(shè)備，該設(shè)備在給予體元件的一面提供壓力，因而增進(jìn)了給予體元件和底板之間的緊密接觸，同時(shí)又保持了底板和給予體元件之間的真空，有利于元件材料的轉(zhuǎn)移。此設(shè)備的設(shè)計(jì)包括作為真空室一部分的透明部分去維持給予體元件的壓力。諸如用激光束對(duì)給予體元件的照射是通過透明部分完成的。用這種設(shè)備生產(chǎn)較大的顯示設(shè)備要求有較大的透明部分，必須有一個(gè)較厚的透明部分維持加壓室和真空室之間壓力差。厚度的增加對(duì)激光束產(chǎn)生較大的光學(xué)影響，諸如折射、反射和光的散射，增加了發(fā)射過程中光學(xué)畸變的可能性，也增加了生產(chǎn)無(wú)用顯示裝置的可能性。
現(xiàn)回到圖1，圖1所示是展開的設(shè)備8的一個(gè)具體實(shí)施方案的橫截面圖，它的設(shè)計(jì)可以根據(jù)本發(fā)明在一個(gè)或多個(gè)OLED裝置上形成一層有機(jī)材料，該設(shè)備包括兩個(gè)夾具。第一夾具10包括基板20。在此特殊的實(shí)例中，底板是一加工成下述特征的開口矩形板?；?0支承給予體32和底板34，并能容納安裝于剛性構(gòu)架30上的給予體32?？恐?0的是一活動(dòng)件26，它可以是板形或其它方便的形狀。在此所示的活動(dòng)件26是處于封閉的位置的。活動(dòng)件26可以移至一展開位置以便暴露給予體32的非轉(zhuǎn)移面33。在封閉位置，活動(dòng)件26是靠著基板20并壓著墊圈22的，墊圈置于為其加工好的槽22中。處于封閉位置時(shí)，活動(dòng)件26、墊圈22和基板20形成了一氣密室，在此定義為無(wú)液體漏出或是在真空室39內(nèi)不給環(huán)境帶來(lái)負(fù)面影響的足夠低的滲漏率。因此，在這一構(gòu)造中，活動(dòng)件26形成真空室39的一部分內(nèi)表面?；?0還有另一經(jīng)過加工的糟，可以放入墊圈24。
第二夾具12包括板件38，它與夾具10對(duì)齊并組合，將底板34和給予體32固定并以壓力接觸密封圈24，在給予體32的非轉(zhuǎn)移表面33和活動(dòng)件26之間建立一個(gè)氣密室。板件38是由剛性材料制成的，諸如鋼或硬質(zhì)塑料，最好是平的在激光的焦深范圍內(nèi)。
圖1中的第一和第二夾具10和12的這種松散的關(guān)系能使給予體32和底板34在設(shè)備8中便于放入或取出。給予體32在夾具之間的放置是使它支撐在夾具10上。底板34置于給予體32和夾具12之間。由于給予體32可以由柔軟的載體形成，可以選用剛性構(gòu)架30作為薄片給予體32裝卸的支承體。如果使用剛性構(gòu)架30，基板20將包括機(jī)床加工的槽14以容納剛性構(gòu)架30。
第一夾具10是置于真空室39中的，并形成真空室39的一部分。第二夾具也置于真空室39中。真空室39包括維持真空室39減壓的真空泵41。“減壓”和“真空”二詞均被定義為1托或更低的壓力。這對(duì)某些類型的轉(zhuǎn)移是有利的，其原因有1〕在真空下經(jīng)過非接觸間隙的轉(zhuǎn)移是比較有效的；2〕一些給予體材料對(duì)氧、濕氣或其它的污染物敏感。
底板34可以是為接受來(lái)自給予體的有機(jī)材料提供表面的有機(jī)固體、無(wú)機(jī)固體或有機(jī)和無(wú)機(jī)固體的組合。底板34可以是剛性或柔性的，并可被加工成為分離的單個(gè)制件，諸如薄板或薄片或是連續(xù)的卷狀物。典型的底板材料包括玻璃、塑料、金屬、陶瓷、半導(dǎo)體、金屬氧化物、半導(dǎo)體氧化物、半導(dǎo)體氰化物、或它們的組合。底板34可以是均勻地材料混合物、材料復(fù)合物或多層材料。底板34可以是OLED底板，是通常用來(lái)制備OLED裝置的底板，例如有源矩陣低溫多晶硅TFT底板。底板34可以是透光的或不透光的，決定于所要的光輻射方向。通過底板觀察EL輻射選需要有透光性，在這種情況下一般采用透明玻璃或塑料。對(duì)于通過頂電極觀察EL輻射的應(yīng)用，底部支承體的透光性能是不重要的，因此可以是透光的、吸光的或是反光的支承體。在這種情況下所用的底板包括但不限于玻璃、塑料半導(dǎo)體材料、陶瓷和電路板材料。
圖2所示為圖1的閉合結(jié)構(gòu)狀態(tài)的設(shè)備8。第一夾具和第二夾具互相對(duì)齊、嚙合，這樣便限定了第二室40并在第二室40的周邊產(chǎn)生壓力，將底板34和給予體32固定在第二室的一個(gè)位置上，密封圈24受到壓力形成不漏氣的密封。它與基板20、密封圈22和活動(dòng)件26一起形成了相對(duì)于給予體32非轉(zhuǎn)移面33的第二室40。在此結(jié)構(gòu)中，活動(dòng)件26就形成了第二室40內(nèi)表面的一部分。顯而易見，第二室40是可以打開的而不影響真空室39的真空，因此底板34和給予體32的相互之間的位置相對(duì)關(guān)系是底板34與給予體32之間有間隙，或是底板34與給予體32之間的接觸?；顒?dòng)件26可以打開，讓照明源照射給予體32的非轉(zhuǎn)移面33。第二夾具12提供了一個(gè)平整的表面，在用激光輻射時(shí)，其表面位于激光焦深范圍內(nèi)給予體32的輻射吸收部分(其性質(zhì)是明顯的)。
應(yīng)當(dāng)理解，設(shè)備8和真空室39的位置和取向?qū)Q定給予體32和底板34的支持狀態(tài)。如圖2所示，給予體32和底板34最初是由第一夾具支承的。在第二室40加壓后，第二夾具可支持底板34對(duì)第二室40的壓力。如果設(shè)備8和真空室39倒置，第二夾具可支持給予體32和底板34二者。
圖3所示更詳細(xì)地顯示了封閉狀態(tài)的設(shè)備8的一部分，顯示向活動(dòng)件26后的第二室40供氣方法和維持底板34和給予體32的轉(zhuǎn)移表面35之間環(huán)境壓力的方法。第二夾具12包括一能容納底板34的凹槽。給予體32延伸到底板34外并在第二夾具12與第一夾具10嚙合時(shí)由第二夾具將其固定于密封圈24。這就在給予體32的轉(zhuǎn)移表面35之上建立了第一室45和在給予體32的非轉(zhuǎn)移表面33之下建立了第二室。在第二夾具12中有一個(gè)或多個(gè)通道48，并通至真空環(huán)境而不破壞在密封圈24處所建立起來(lái)的氣密封。氣體可由供氣裝置46通過人口42和通道44供應(yīng)第二室40。供應(yīng)的氣體可以是任何氣體物質(zhì)，例如空氣、氮?dú)?、二氧化碳、氟利昂等。供氣裝置46可以是加壓的氣罐或氣閥。供氣裝置對(duì)第二室40供氣時(shí)，壓力施于固體32的非轉(zhuǎn)移面33上，由此再向底板34施壓，并傳至板38。這就保證了相對(duì)于底板34的給予體32位置并保持這一位置。當(dāng)給予體32的非轉(zhuǎn)移表面33處于第二室40中的相對(duì)較高壓力下時(shí)，通道48維持第一室45中給予體32的轉(zhuǎn)移表面35和底板34上的真空壓力條件。當(dāng)?shù)诙?0內(nèi)的壓力等于活動(dòng)件26和真空室39外的壓力時(shí)，活動(dòng)件26就可移至其展開的位置。
圖4a所示是設(shè)備8使用光輻射的方法?；顒?dòng)件26是位于它的展開的位置，也叫輻射接受位置，因?yàn)樗菰S光輻射傳送至給予體32的非轉(zhuǎn)移面33?；顒?dòng)件26展開時(shí)，激光器62將激光60引至給予體32，并選擇性地用輻射輻照給予體32的非轉(zhuǎn)移面33，例如用激光60將給予體材料轉(zhuǎn)移至底板34。也可以使用其它能提供輻射的輻照源，諸如高功率平行光或電子束或能引起材料從給予體32轉(zhuǎn)移至底板34的任何其它的輻射。
圖4b所示是另一種設(shè)備8使用光輻射的方法。活動(dòng)件26是位于它的展開的位置，也叫輻射接受位置，因?yàn)樗菰S光輻射傳送至給予體32的非轉(zhuǎn)移面33?；顒?dòng)件26展開時(shí)，閃光燈64將閃光66引至給予體32，并用輻射輻照給予體32的非轉(zhuǎn)移面33。例如用閃光66將給予體材料轉(zhuǎn)移至底板34。
圖5a所示是一給予體32的結(jié)構(gòu)的具體實(shí)施方案。給予體32包括至少一個(gè)給予體支持元件72，最好是柔性的，并包括非轉(zhuǎn)移面33。給予體支持元件72是用有機(jī)材料70均勻涂覆的，包括轉(zhuǎn)移面35。
給予體支持元件72可以由至少滿足下列要求的幾種材料的任何一種制成。給予體支持元件必須足夠柔軟，并具有適合的張力強(qiáng)度以在本發(fā)明的實(shí)踐中能夠經(jīng)得起支持元件的預(yù)涂步驟和卷對(duì)卷或堆集片的運(yùn)輸。在光-熱誘發(fā)的轉(zhuǎn)移步驟同時(shí)在一側(cè)施壓時(shí)，以及在任何企圖除去諸如水蒸氣之類的揮發(fā)成分的預(yù)熱步驟中，給予體支持元件72必須能夠保持結(jié)構(gòu)的整體性。此外，給予體支持元件72必須能夠在一個(gè)表面上接受相對(duì)薄的有機(jī)材料涂層，并保持涂層在預(yù)計(jì)的涂覆支持元件貯存期中不會(huì)降解。滿足這些要求的支持材料包括，例如金屬箔、玻璃化溫度值高于預(yù)計(jì)引起支持元件涂層上可轉(zhuǎn)移的有機(jī)材料轉(zhuǎn)移的支持元件溫度值的某些塑料箔，以及纖維增強(qiáng)塑料箔。適合的支持材料的選擇有賴于已知的工程方法，同時(shí)須知當(dāng)構(gòu)成本發(fā)明實(shí)踐中有用的給予體支持元件時(shí)，需要進(jìn)一步考慮所選擇的支持材料的某些方面。例如支持材料可要求多步驟的清潔工作和用可轉(zhuǎn)移的有機(jī)材料預(yù)涂前的表面準(zhǔn)備過程。如果支持材料是可透射輻射的材料，與支持元件結(jié)合或與支持元件的表面結(jié)合的輻射吸收材料能有利于更有效地加熱給予體支持元件，并在使用適合的閃光燈進(jìn)行閃光輻射或適合的激光器的激光時(shí)，能使可轉(zhuǎn)移的有機(jī)給予體材料從支持元件轉(zhuǎn)移到底板有相應(yīng)的轉(zhuǎn)移增加。
典型的OELD裝置一般含有如下順序的各層陽(yáng)極，空穴注入層，空穴傳輸層，光發(fā)射層，電子傳輸層，陰極。其中的全部或任何一層都可包括有機(jī)材料70，并形成有機(jī)層。有機(jī)材料70可以是一空穴注入材料、空穴傳輸材料、電子傳輸材料、發(fā)射材料、基質(zhì)材料，或者這些材料的任何組合?？昭ㄗ⑷?HI)材料在有機(jī)發(fā)光顯示器中提供一空穴注入層雖然不是經(jīng)常必須的，但常常也是有用的?？昭ㄗ⑷氩牧峡梢杂脕?lái)改進(jìn)相繼有機(jī)層的膜形成性質(zhì)，并有利于將空穴注入到空穴傳輸層。用于空穴傳輸層的適合材料包括但不限于卟啉化合物(如共同轉(zhuǎn)讓的US-A-4,720,432所述)和等離子體沉積的氟烴聚合物(如共同轉(zhuǎn)讓的US-A--6,208,075所述)。其它用于有機(jī)EL裝置的空穴注入材料敘述于EP0891121A1和EP1029909A1中?？昭▊鬏?HT)材料用作有機(jī)材料70的空穴傳輸材料是熟知的，它們包括諸如芳香族叔胺之類的化合物，它們被認(rèn)為是含有只連接于碳原子的至少一個(gè)三價(jià)氮原子的化合物，并且至少一個(gè)是芳香環(huán)中的一員。芳香族叔胺的一種形式可以是芳基，諸如單芳胺、二芳胺、三芳胺或聚合的芳胺。單體三芳基胺的實(shí)例說明于Klupfel等人US-A-3,180,730中。其它用一個(gè)或多個(gè)乙烯基取代的和/或包括至少含一個(gè)活潑氫的基團(tuán)的三芳基胺公開于Brantley等人的共同轉(zhuǎn)讓專利申請(qǐng)US-A-3,567,450和US-A-3,658,520中。
優(yōu)先選擇的芳香族叔胺是包括至少兩個(gè)芳香族叔胺部分的化合物，如共同轉(zhuǎn)讓的US-A-4,720,432和US-A-5,061,569中所述。這一類化合物包括以結(jié)構(gòu)式(A)代表的化合物 式中Q1和Q2分別選自芳香族叔胺部分；G是一連接基團(tuán)，諸如亞芳基、亞環(huán)烷基或碳-碳鍵亞烷基。在一個(gè)具體實(shí)施方案中，Q1和Q2至少有一個(gè)含多環(huán)的稠環(huán)結(jié)構(gòu)，例如萘。當(dāng)G為芳基時(shí)，常用的是亞苯基、亞聯(lián)苯基或萘基。
一類滿足結(jié)構(gòu)式(A)并含有兩個(gè)三芳基胺部分的三芳基胺是以結(jié)構(gòu)式(B)代表的 式中R1和R2分別代表氫原子、芳基或烷基，或者R1和R2一起代表組成環(huán)烷基的原子；R3和R4分別代表用二芳基取代的氨基取代的芳基，如結(jié)構(gòu)式(C)所示。 式中R5和R6分別是所選擇的芳基。在一個(gè)具體實(shí)施方案中，R5或R6至少有一個(gè)含多環(huán)的稠環(huán)結(jié)構(gòu)，例如萘。
另一類芳香族叔胺是四芳基二胺。理想的四芳基二胺包括兩個(gè)二芳基氨基(諸如式C所示)通過一亞芳基連接起來(lái)。有用的四芳基二胺包括式(D)代表的化合物。 式中各Are是分別選擇的亞芳基，諸如亞苯基或蒽的部分；n是1-4的整數(shù)；Ar、R7、R8和R9是分別選擇的芳基；在一典型的具體實(shí)施方案中，Ar、R7、R8和R9中的至少一個(gè)是一多環(huán)的稠環(huán)結(jié)構(gòu)，例如萘。
上述結(jié)構(gòu)式(A)、(B)、(C)、(D)中的各種烷基、亞烷基、芳基和亞芳基部分可以再被取代。典型的取代物包括烷基、烷氧基、芳基、芳氧基和諸如氟、氯、溴之類的鹵素。各種烷基和亞烷基部分一般含約1-6個(gè)碳原子。環(huán)烷基部分可含3-約10個(gè)碳原子，但典型的是含5、6或7個(gè)環(huán)碳原子，例如環(huán)戊基、環(huán)己基和環(huán)庚基的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。芳基和亞芳基部分通常是苯基和亞苯基。
空穴傳輸層可以由單獨(dú)的芳香族叔胺化合物或它們的混合物形成。具體地說，可以采用三芳基胺(諸如滿足式(B)的三芳基胺)與四芳基二胺(諸如式(D)所示)的組合。當(dāng)采用三芳基胺與四芳基二胺的組合時(shí)，后者作為一層置于三芳基胺與電子注入和傳輸層之間。下面是有用的芳香族叔胺1，1-雙(4-二對(duì)甲苯基氨基苯基)環(huán)己烷1，1-雙(4-二對(duì)甲苯基氨基苯基)-4-苯基環(huán)己烷4，4’-雙(二苯基氨基)四苯基雙(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯甲烷N，N，N-三(對(duì)甲苯基)胺4(二對(duì)甲苯基氨基)-4’-[4-(二對(duì)甲苯基氨基)苯乙烯基]-1，2-二苯乙烯N，N，N’，N’-四對(duì)甲苯基-4，4’-二氨基聯(lián)苯N，N，N’，N’-四苯基-4，4’-二氨基聯(lián)苯N-苯基咔唑多(N-乙烯基)咔唑N，N’-二-1-萘基-N，N’-二苯基-4，4’-二氨基聯(lián)苯4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]對(duì)三聯(lián)苯4，4’-雙[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4’-雙[N-(3苊基-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯1，5-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘4，4’-雙[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4’-雙[N-(2-苯蒽基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4’-雙[N-(8-熒基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4’-雙[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4’-雙[N-(2-并四苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4’-雙[N-(2-二萘嵌苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯4，4’-雙[N-(1-暈苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯2，6-雙(二對(duì)甲苯基氨基)萘2，6-雙[(二(1-萘基)氨基)]萘2，6-雙[(N-(1-萘基)-(N-(2-萘基)氨基))萘N，N，N’，N’-四(2-萘基)-4，4”-二氨基對(duì)三聯(lián)苯4，4’-雙{N-苯基-N-[4-(1-萘基)苯基]氨基}聯(lián)苯4，4’-雙[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]聯(lián)苯
2，6-雙[(N，N-二(2-萘基)胺)芴1，5-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘另一類空穴傳輸材料包括多環(huán)芳香族化合物，如EP1009041中所述。此外，可以使用聚合物空穴傳輸材料，諸如聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺和諸如聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)共聚物，也稱PEDOT/PSS。發(fā)光材料用作有機(jī)材料70的發(fā)光材料是已知的。正如共同轉(zhuǎn)讓的US-A-4,769,292和US-A-5,935,721中所充分?jǐn)⑹鲞^的，有機(jī)EL元件的發(fā)光層(LEL)包括一發(fā)光或熒光材料，它在本區(qū)域電子-空穴對(duì)復(fù)合的結(jié)果，產(chǎn)生電致發(fā)光。發(fā)光層可由單一材料組成，但比較通常的是由用客體化合物摻雜的基質(zhì)材料或光發(fā)射主要來(lái)自摻雜物的化合物的摻雜基質(zhì)材料組成，并且可以是任何顏色。發(fā)光層中的基質(zhì)材料可以是電子傳輸材料(如下所定義)、空穴傳輸材料(如上定義)或支持空穴-電子復(fù)合的另外的材料。摻雜物通常選自高熒光染料，但磷光化合物也是可以使用的，如WO98/55561、WO00/18851、WO00/57676和WO00/70655中所述的過渡金屬絡(luò)合物。摻雜物一般以0.01％-10％(重量)涂覆到基質(zhì)材料上。
選擇染料作為摻雜物的重要關(guān)系是能隙的比較，能隙的定義是所占分子的最高軌道和最低軌道之間的能量差。為了有效地進(jìn)行基質(zhì)到摻雜物分子的能量轉(zhuǎn)移，其必須的條件是摻雜物的能隙要小于基質(zhì)材料的能隙。
有用的基質(zhì)和發(fā)射分子包括但不限于下列共同轉(zhuǎn)讓專利中所公開的US-A-4,768,292；US-A-5,141,671；US-A-5,150,006；US-A-5,151,629；US-A-5,294,870；US-A-5,405,709；US-A-5,484,922；US-A-5,593,788；US-A-5,645,948；US-A-5,683,823；US-A-5,755,999；US-A-5,928,802，US-A-5,935,720；US-A-5,935,721，and US-A-6,020,078.
8-羥基喹啉的金屬絡(luò)合物和類似的衍生物(式E)構(gòu)成了一類能夠支持電致發(fā)光的有用基質(zhì)化合物，并特別適合于波長(zhǎng)大于500nm的(例如綠色、黃色、橙色和紅色)的光發(fā)射。 式中M代表金屬；n是1-3的整數(shù)；Z在各種情況下分別代表完成至少有兩個(gè)芳香稠環(huán)的母核的原子。
從上所知，很明顯，金屬可以是一價(jià)、二價(jià)或三價(jià)的。金屬可以是例如堿金屬(例如鋰、鈉或鉀)；堿土金屬(諸如鎂或鈣)或土金屬(諸如硼或鋁)。一般說來(lái)，任何一價(jià)、二價(jià)或三價(jià)的有用螯合金屬都是可以使用的。
Z完成一含有至少兩個(gè)芳香稠環(huán)的雜環(huán)母核，其中至少一個(gè)是吡咯或丫嗪環(huán)。需要時(shí)，附加的環(huán)(包括脂環(huán)和芳環(huán))可以與這兩個(gè)所要求的環(huán)稠合。為避免增加分子的體積，環(huán)原子的數(shù)目通常保持在18個(gè)或更少。
有用的8-羥基喹啉類化合物說明于下CO-1三喔星鋁(別名三(8-羥基喹啉基)鋁(III))CO-2二喔星鎂(別名二(8-羥基喹啉基)鎂(II))CO-3雙[苯并{f}-8-羥基喹啉基]鋅(II))CO-4雙(2-甲基-8-羥基喹啉基)鋁(III)-μ-氧-雙(2-甲基-8-羥基喹啉基)鋁(III)CO-5三喔星銦(別名三(8-羥基喹啉基)銦)CO-6三(5-甲基喔星)鋁(別名三(5-甲基-8-羥基喹啉基)鋁(III))CO-7喔星鋰(別名二(8-羥基喹啉基)鋰(I))9，10-二(2-萘基)蒽的衍生物(式F)構(gòu)成能夠支承電致發(fā)光的一類有用基質(zhì)，并特別適合于波長(zhǎng)大于400nm(例如藍(lán)色、綠色、黃色、橙色或紅色)的光發(fā)射。 式中R1、R2、R3、R4、R5和R6代表各環(huán)上的一個(gè)或多個(gè)取代物，各個(gè)取代物分別選自下面的基團(tuán)基團(tuán)1氫或1-24個(gè)碳原子的烷基基團(tuán)25-20個(gè)碳原子的芳基或取代芳基基團(tuán)3能形成蒽基、芘基或二萘嵌苯基芳香稠環(huán)的4-24個(gè)碳原子基團(tuán)4能形成呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基或其它雜環(huán)體系的5-24個(gè)碳原子的雜芳基或取代雜芳基基團(tuán)51-24個(gè)碳原子的烷氧基氨基、烷基氨基或芳基氨基基團(tuán)6氟、氯、溴或氰基吲哚衍生物(式G)構(gòu)成能夠支承電致發(fā)光的另一類有用基質(zhì)，并特別適合于波長(zhǎng)大于400nm(例如藍(lán)色、綠色、黃色、橙色或紅色)的光發(fā)射。 式中n是3-8的整數(shù)；Z是O、NR或S；
R’是氫、1-24個(gè)碳原子的烷基(例如丙基、叔丁基、庚基等)、5-20個(gè)碳原子的芳基或雜原子取代的芳基(例如苯基、萘基、呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基和其它的雜環(huán)體系)，或鹵素(諸如氟、氯)或形成芳香稠環(huán)所需的原子。
L是由烷基、芳基、取代烷基或取代芳基組成的連接單元，它們以共軛或非共軛方式將多個(gè)吲哚連接在一起。
有用的吲哚實(shí)例是2，2，’2”-(1，3，5-亞苯基)三[1-苯基-1H苯并咪唑]。
理想的熒光摻雜物包括蒽、并四苯、占噸、二萘嵌苯、紅熒烯、香豆素、若丹明、喹丫酮、二氰基亞甲基吡喃化合物、噻喃化合物、聚甲醛化合物、吡喃嗡和噻喃嗡化合物、喹諾酮化合物的衍生物。
有用的摻雜物的說明實(shí)例包括但不限于下列的化合物 其它的有機(jī)發(fā)射材料可以是，例如聚亞苯基乙烯基衍生物、二烷氧基-聚亞苯基乙烯、聚對(duì)亞苯基衍生物和聚芴衍生物，如Wolk等人的共同轉(zhuǎn)讓專利US-A-6,194,119B1所述，在此作為參考。
電子傳輸(ET)材料用于本發(fā)明有機(jī)EL裝置的優(yōu)選電子傳輸材料是金屬螯合的喔星類化合物，包括喔星(通常也稱為8-羥基喹啉)螯合物。這類化合物有助于電子的注入和傳輸，并呈現(xiàn)高性能和容易形成薄膜。喔星類化合物的實(shí)例是前述的那些滿足于結(jié)構(gòu)式(E)的化合物。
其它的電子傳輸材料包括各種丁二烯衍生物(如共同轉(zhuǎn)讓的US-A-4,356,429中所公開)和各種光學(xué)增亮劑(如共同轉(zhuǎn)讓的US-A-4,539,507中所述)。滿足于結(jié)構(gòu)式(G)的吲哚類也是有用的電子傳輸材料。
其它的電子傳輸材料可以是聚合物質(zhì)，例如聚亞苯基乙烯衍生物、聚對(duì)亞苯基衍生物、聚芴衍生物、聚噻吩、聚乙炔和其它的導(dǎo)電聚合有機(jī)材料，諸如Handbook of Conductive Molecules and Polymers(導(dǎo)電分子和聚合物手冊(cè))(Vols1-4，H.S.Nalwa，ed.，John Wileyand Sons，Chichester(1997))中所述。
在若干例子中，單層就能起支持光發(fā)射和電子傳輸?shù)淖饔茫蚨鴮òl(fā)射材料和電子傳輸材料。陽(yáng)極材料導(dǎo)電陽(yáng)極是在底板板上形成的，如通過陽(yáng)極觀察EL發(fā)射，則對(duì)于該發(fā)射應(yīng)是透明的或基本透明的。用于本發(fā)明的一般透明陽(yáng)極材料是氧化銦-錫和氧化錫，但也可以使用其它的金屬氧化物，包括但不限于鋁或銦摻雜的氧化鋅、氧化鎂-銦、以及氧化鎳-鎢。除了以上氧化物外，金屬氮化物(諸如氮化鎵)、金屬硒化物(諸如硒化鋅)和金屬硫化物(諸如硫化鋅)也可用作陽(yáng)極材料。在通過頂電極觀察EL發(fā)射的應(yīng)用中，陽(yáng)極材料的透射特性是不重要的，并且任何透明的、不透明的或有反射作用的導(dǎo)電材料都是可以使用的。此應(yīng)用中的導(dǎo)體包括但不限于金、銥、鉬、鈀和鉑。典型的陽(yáng)極材料(不論是否透射的)具有的功函為4.1eV或更高。理想的陽(yáng)極材料可以任何適合的方法進(jìn)行沉積，例如蒸發(fā)、噴鍍、化學(xué)蒸氣沉積或電化學(xué)法。陽(yáng)極材料可以用悉知的光刻蝕法繪制圖形。陰極材料通過陽(yáng)極進(jìn)行光發(fā)射時(shí)，陰極材料幾乎可以是由任何導(dǎo)電材料組成的。理想的材料有好的成膜性質(zhì)以保證與其下的有機(jī)層很好地接觸，促進(jìn)在低壓下的電子注入；還需要有好的穩(wěn)定性。有用的陰極材料常常含低功函(＜4.0eV)金屬或金屬合金。一種優(yōu)選的陰極材料是由Mg∶Ag組成，其中銀的百分率在1-20％的范圍，如US-A-4,885,221中所述。另一類適合的陰極材料是雙層組成，是在低功函金屬或金屬鹽的薄層上覆蓋一層較厚的導(dǎo)電金屬層。這樣的一種陰極如共同轉(zhuǎn)讓的US-A-5,677,572中所述，是由一LiF薄層覆蓋一較厚的鋁層組成的。其它有用的陰極材料包括但不限于在共同轉(zhuǎn)讓的US-A-5,059,861；US-A-5,059,862和US-A-6,140,763中所公開的材料。
通過陰極觀察光發(fā)射時(shí)，陰極必須是透明的或接近透明。在這種應(yīng)用中，兩個(gè)金屬層必須很薄，或者一個(gè)必須使用透明導(dǎo)電氧化物或者這些材料的組合。光學(xué)透明陰極在共同轉(zhuǎn)讓的US-A-5,776,623中有較詳細(xì)的敘述。陰極材料的沉積可以用蒸發(fā)、噴鍍或化學(xué)蒸氣沉積法。需要時(shí)可以通過熟知的方法制作圖形，包括但不限于通透掩模沉積法、整體蔭罩法(如共同轉(zhuǎn)讓的US-A-5,276,380和EP0732868中所述)、激光消融法和選擇性化學(xué)蒸氣沉積法。
給予體32也必須包括一輻射吸收材料，它在光譜的預(yù)定部分吸收輻射并產(chǎn)生熱量，并且在本具體實(shí)施方案中是摻合在有機(jī)材料70或支承體72中的。輻射吸收材料可以是染料(諸如共同轉(zhuǎn)讓的US-A-5,578,416中所指出的染料)、顏料(諸如碳)或金屬(諸如鎳、鉻、鈦等)。
圖5b所所示為給予體32結(jié)構(gòu)的另一具體實(shí)施方案。在此具體實(shí)施方案中，支承體72首先均勻地涂以輻射吸收材料74，然后再涂以有機(jī)材料70。支承體72包括非轉(zhuǎn)移面33，有機(jī)材料包括轉(zhuǎn)移面35。如前所述，輻射吸收材料74能在光譜預(yù)定部分吸收輻射并產(chǎn)生熱量。
圖5c所示為給予體32結(jié)構(gòu)的另一具體實(shí)施方案。在此具體實(shí)施方案中，支承體72首先涂以吸收輻射的圖形層76，然后再涂以有機(jī)材料70。支承體72包括非轉(zhuǎn)移面33，有機(jī)材料包括轉(zhuǎn)移面35。輻射吸收?qǐng)D形層76能在光譜預(yù)定部分吸收輻射并產(chǎn)生熱量。
圖6a所示是給予體32和底板34之間的相互關(guān)系的具體實(shí)施方案截面圖，即符合本發(fā)明的給予體32在底板34上的位置。在此具體實(shí)施方案中，給予體32和底板34放置的相對(duì)位置是使給予體32和底板34之間有間隙。由于有薄膜晶體管100的存在，底板34的接受面106是不平的。由于凸起的表面部分102，薄膜晶體管100在底板34中是分離的，這產(chǎn)生于各個(gè)像素和子像素的多層構(gòu)造，在Tang的共同轉(zhuǎn)讓專利US-A-5,937,272中有所敘述，在此提供參考。凸起的表面102的存在)保持了在壓力(未示出)下間隙104的分離(壓力是由壓縮氣體施于非轉(zhuǎn)移表面33的)，并保持了給予體32和底板34之間的間隙。
圖6b所示是給予體32和底板34之間的相互關(guān)系的另一具體實(shí)施方案截面圖，即符合本發(fā)明的給予體32在底板34上的位置。在此具體實(shí)施方案中，給予體32和底板34放置的相對(duì)位置是，底板34和給予體32之間是接觸的。給予體32的轉(zhuǎn)移表面35與底板34因壓力而完全接觸，壓力是由壓縮氣體施于非轉(zhuǎn)移表面33的。
圖7a所示是用光處理方法將有機(jī)材料70從給予體32轉(zhuǎn)移至底板34的截面圖。在此具體實(shí)施方案中，給予體32制備了輻射吸收?qǐng)D形層76。閃光66照射到非轉(zhuǎn)移表面33。當(dāng)閃光66沖擊輻射吸收?qǐng)D形層76時(shí)，便產(chǎn)生熱量110，加熱了接近輻射吸收層76附近的有機(jī)材料70。在此具體實(shí)施方案中，只有一部分射至給予體32的光(即直接沖擊輻射吸收?qǐng)D形層76)將轉(zhuǎn)變成熱。一些或全部的被加熱的有機(jī)材料70開始升華、蒸發(fā)或消融，然后開始轉(zhuǎn)移，在底板34的要求部分形成一層有機(jī)材料層。在圖形轉(zhuǎn)移中，所說的這一層以底板34的接受表面106上轉(zhuǎn)移的有機(jī)材料112為代表。
圖7b所示是用光處理的另一方法將有機(jī)材料70從給予體32轉(zhuǎn)移至底板34的截面圖。在此具體實(shí)施方案中，給予體32制備了輻射吸收?qǐng)D形層74，間隙104由薄膜晶體管100和介入的凸起薄表面部分102的結(jié)構(gòu)所保持。激光60的圖形照射非轉(zhuǎn)移表面33。當(dāng)激光60沖擊輻射吸收材料74時(shí)，便產(chǎn)生熱量110，加熱了激光60鄰近的有機(jī)材料70。在此具體實(shí)施方案中，大部分射至給予體32的光將轉(zhuǎn)變成熱，但此情況只發(fā)生在給予體32的選擇照射部分。一些或全部的被加熱的有機(jī)材料70開始升華、蒸發(fā)或消融，然后開始轉(zhuǎn)移，在底板34的要求部分形成一層有機(jī)材料層。在圖形轉(zhuǎn)移中，所說的這一層以底板34的接受表面106上轉(zhuǎn)移的有機(jī)材料112為代表。
圖8(參見圖7a和7b)所示為經(jīng)過處理的底板82的平面圖，是按本發(fā)明的方法處理的。有機(jī)材料70的預(yù)定部分已轉(zhuǎn)移至底板34成為轉(zhuǎn)移圖形80。轉(zhuǎn)移圖形80形成的狀態(tài)與經(jīng)處理的底板82的終用途是一致的(例如轉(zhuǎn)移圖形80是經(jīng)轉(zhuǎn)移到底板34上已存在的薄膜晶體管位置的OLED發(fā)光材料)。轉(zhuǎn)移圖形80反映了它所用的制備方法(例如圖7a中的輻射吸收?qǐng)D形層76或圖7b的激光60輻射圖形)。
應(yīng)知道，用類似于上面引用的Phillips等人的共同轉(zhuǎn)讓的美國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?0/021,410的方法，第一夾具10可以安排在完成第二夾具的某些或全部功能的位置；第二夾具可以完成第一夾具的某些或全部功能。
權(quán)利要求
1.將有機(jī)材料從給予體轉(zhuǎn)移到底板，以在一個(gè)或多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管裝置上形成一層有機(jī)材料的設(shè)備，該設(shè)備包括(a)減壓的真空室；(b)置于真空室中的第一夾具；(c)置于真空室中的第二夾具，與第一夾具對(duì)齊并與之組合以?shī)A緊用第一和第二夾具至少之一支承的給予體和底板，并形成位于給予體非轉(zhuǎn)移表面的第二室；(d)給第二室提供氣體的措施，以給給予體的非轉(zhuǎn)移表面施以壓力，保證相對(duì)于底板的給予體位置；(e)第一夾具包括一活動(dòng)件，在限定真空室的一個(gè)表面的封閉位置和讓輻射傳至給予體的非轉(zhuǎn)移面的展開的輻射接受位置之間移動(dòng)，由此產(chǎn)生熱量，并使有機(jī)材料從給予體轉(zhuǎn)移至底板；(f)照明光源，將輻射通過展開的輻射接受位置引向給予體，使有機(jī)材料轉(zhuǎn)移到底板。
2.權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中給予體是由一個(gè)夾具支承的，底板由另一夾具支承，或者二者由同一夾具支承使底板與給予體之間有這樣的相對(duì)關(guān)系底板與給予體之間有間隙，或底板與給予體之間是相接觸的，并且其中有機(jī)材料被轉(zhuǎn)移到底板的幾個(gè)部分上。
3.權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中底板由第二夾具支承，給予體由第一夾具支承。
4.權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中光照源產(chǎn)生的是激光。
5.一種將有機(jī)材料從給予體轉(zhuǎn)移到底板，以在一個(gè)或多個(gè)OLED裝置上形成一層有機(jī)材料層的方法，該方法包括如下步驟(a)在減壓環(huán)境下將第一夾具與第二夾具對(duì)齊，并將底板和給予體置于由對(duì)齊的第一和第二夾具所限定的小室內(nèi)；(b)增加施于給予體非轉(zhuǎn)移表面的壓力，以保證給予體相對(duì)于底板的位置；(c)步驟b以后，將第一夾具上的活動(dòng)件從封閉位置移動(dòng)到展開位置，讓輻射傳送到給予體的非轉(zhuǎn)移表面，這樣便能產(chǎn)生熱量，并使有機(jī)材料從給予體轉(zhuǎn)移至底板；(e)用輻射經(jīng)由展開的輻射接受位置輻照給予體，使有機(jī)材料轉(zhuǎn)移至底板。
6.權(quán)利要求5所述的方法，其中步驟(a)包括將將底板與給予體安置成這樣的相對(duì)關(guān)系底板與給予體之間有間隙，或底板與給予體之間是相接觸的，并且其中有機(jī)材料是轉(zhuǎn)移到底板的幾個(gè)部分上。
7.權(quán)利要求6所述的方法，其中底板由第二夾具支承，給予體由第一夾具支承。
全文摘要
公開了一種將有機(jī)材料從給予體轉(zhuǎn)移到底板以在一個(gè)或多個(gè)OLED裝置上形成一層有機(jī)材料層的方法和設(shè)備，是在減壓環(huán)境中將第一夾具和第二夾具對(duì)齊并將底板和給予體置于由第一和第二夾具所限定的小室中；在給予體的非轉(zhuǎn)移面上增加壓力以保證給予體相對(duì)于底板的位置；將第一夾具上提供的活動(dòng)元件從封閉位置移動(dòng)到展開的輻射接受位置，讓輻射傳送到給予體的非轉(zhuǎn)移面，這樣便會(huì)產(chǎn)生熱量，使有機(jī)材料從給予體轉(zhuǎn)移到底板。
文檔編號(hào)H01L51/30GK1444297SQ0312051
公開日2003年9月24日 申請(qǐng)日期2003年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月13日
發(fā)明者Y·-S·泰安 申請(qǐng)人:伊斯曼柯達(dá)公司