專利名稱：半導(dǎo)體集成電路裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路裝置，特別是涉及具有形成在半導(dǎo)體基板表面的活性區(qū)域(工作區(qū)域)上部的突起電極(凸臺電極)的半導(dǎo)體集成電路裝置。
工作區(qū)域是形成晶體管、二極管等電路元件的區(qū)域和形成連接電路元件的金屬布線層(例如鋁等金屬布線層)的區(qū)域。
焊盤區(qū)域是形成用于連接半導(dǎo)體集成電路裝置和外部連接端子的電極(突起電極)的區(qū)域，是能進行信號的輸入輸出的區(qū)域。另外，突起電極隨著形成的間距(間隔)的不同而不同，例如當(dāng)在液晶驅(qū)動器中使用時，是40×90μm的長方形，50～80μm的間隔，形成在半導(dǎo)體集成電路裝置周圍部。
另外，突起電極不行成在工作區(qū)域中，而是被設(shè)置在該工作區(qū)域的周圍部。這是為了當(dāng)接合突起電極和外部連接端子時，不會由于機械壓力或基于熱應(yīng)力等的應(yīng)力，通過突起電極把所述壓力、應(yīng)力作用到工作區(qū)域上。
可是，現(xiàn)在伴隨著移動電話、便攜式信息終端等電子儀器的小型輕量化(短小輕薄化)，搭載在這些儀器上的電子元件的高密度化(集成度的增加)不斷進展。因此，連接半導(dǎo)體集成電路裝置的電路元件間的金屬布線層的圖案復(fù)雜化、并且重疊多層金屬布線層的多層布線結(jié)構(gòu)成為主流。
伴隨著此，在半導(dǎo)體集成電路裝置中，用于與外部連接端子連接的端子數(shù)達到500～600。因此，焊盤區(qū)域的面積增大，半導(dǎo)體集成電路裝置的尺寸增大，成為與移動電話和PDA(Personal Digital Assistants)等的小型輕量化的潮流相反的狀況。
因此，作為半導(dǎo)體集成電路裝置的小型化的方法，提出了在半導(dǎo)體集成電路裝置的工作區(qū)域形成突起電極的稱作“區(qū)焊盤”的方法。而且，作為使用這樣的區(qū)焊盤的半導(dǎo)體集成電路裝置的一例，日本國公開專利公報“特開平11-8247號公報(
公開日1999年1月12日)”進行了描述。在該公報中記載的半導(dǎo)體集成電路裝置中，在有源元件上依次設(shè)置了第1布線層、層間膜，在突起電極下按順序設(shè)置了第2布線層、阻擋金屬，再把所述層間膜和阻擋金屬通過緊貼膜(絕緣膜)接合在一起。而且，該緊貼膜因為與阻擋金屬的緊貼性高，所以該阻擋金屬和層間膜的緊貼力提高，例如即使由于接合時的應(yīng)力等作用了外力，阻擋金屬也很難從下層剝離。另外，為了能實現(xiàn)與突起電極的電連接，在突起電極和第2布線層間也設(shè)置了阻擋金屬。
而且，近年，使用該“區(qū)焊盤”制作的例如用于驅(qū)動液晶顯示用面板的半導(dǎo)體集成電路裝置安裝(接合)在帶載體(例如，在絕緣性薄膜基板上形成了金屬布線的帶)上。該安裝方法被稱作COF(Chip OnFPC(Flexible Printed Circuit))法。
下面，使用圖3(a)、圖3(b)，說明基于COF的安裝步驟和安裝中使用的部件。另外，圖3(a)是通過后面描述的ILB方式連接突起電極和金屬布線圖案前的半導(dǎo)體集成電路裝置的概略剖視圖，圖3(b)是通過ILB方式連接突起電極和金屬布線圖案后的半導(dǎo)體集成電路裝置的概略剖視圖。
如圖3(a)所示，半導(dǎo)體集成電路裝置121在其表面設(shè)置有輸入輸出用端子電極的金屬布線層(鋁焊盤)103。而且，在金屬布線層103的底面設(shè)置了突起電極107。另外，對于金屬布線層103，通過鍍金(Au)而形成該突起電極107，其厚度為10～18μm左右。
而安裝了半導(dǎo)體集成電路裝置的絕緣性薄膜基板122在表面設(shè)置有金屬布線圖案(引線框)123。
絕緣性薄膜基板122是以聚酰亞胺樹脂和聚酯等為主材料的帶狀部件，在其兩側(cè)緣以給定間隔設(shè)置了送進孔，可在長度方向移動。
金屬布線圖案123由銅(Cu)等導(dǎo)電性物質(zhì)構(gòu)成，在其表面進行了鍍錫(Sn)、鍍金等。另外，在金屬布線圖案123中，存在內(nèi)部引線、外部引線、中間引線等。
而且，使用焊頭124(參照圖3(a))，把所述半導(dǎo)體集成電路裝置12接合(連接)到絕緣性薄膜基板122上。具體而言，如圖3(b)所示，通過使用焊頭124的熱壓接，使突起電極107和金屬布線圖案123接合。另外，這樣的連接方法一般稱作ILB(Inner Lead Bonding)。
在ILB后，雖未圖示，但是用環(huán)氧樹脂和硅樹脂等材料密封了半導(dǎo)體集成電路裝置。樹脂密封是通過噴嘴涂敷在半導(dǎo)體集成電路裝置的周圍，通過回流方式等加熱、硬化。然后，通過帶載體沖切半導(dǎo)體集成電路裝置的安裝部，作為個別的半導(dǎo)體集成電路裝置(半導(dǎo)體封裝)安裝到液晶顯示用面板上。
可是，在所述公報的半導(dǎo)體集成電路裝置121中，有可能發(fā)生以下的問題。
圖4(a)、圖4(b)是圖示半導(dǎo)體集成電路裝置121的主要部件的概略剖視圖、概略俯視圖。如圖4(a)所示，在半導(dǎo)體集成電路裝置121中，在第1布線層101的上部，設(shè)置了用于把由于該第1布線層101而產(chǎn)生的階梯(由于第1布線層101的間隔Q而產(chǎn)生的階梯)平坦化的(負責(zé)階梯補償)層間絕緣膜102。而且，為了使所述平坦化成為可能，該層間絕緣膜102以SOG(Spin On Glass)等具有低硬度特性的材料為主材料。
另外，在所述層間絕緣膜102上設(shè)置了金屬布線層(第2布線層)103，并且設(shè)置了保護膜104，覆蓋除了該第2布線層103的一部分(窗部106)以外。而且，第2布線層103通過設(shè)置在所述保護膜104、窗部106上的阻擋金屬105與突起電極107電連接。
這里，當(dāng)在突起電極107上連接金屬布線圖案(外部連接端子)時，即把突起電極107接合到外部連接端子上時，在突起電極107上作用了應(yīng)力，在第2布線層103上的保護膜104中有可能產(chǎn)生裂紋C。該裂紋C擴展，水分浸透，有可能引起腐蝕，最后有可能斷線等問題。
該裂紋C的原因是當(dāng)在突起電極107上作用了應(yīng)力時，即在第2布線層103上作用了應(yīng)力時，硬度低的SOG制層間絕緣膜102撓曲。特別是該撓曲在完全不設(shè)置第1布線層101時，表現(xiàn)得十分顯著。
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路裝置為了解決所述問題，包括并列配置有多條與工作區(qū)域電連接的布線的第1布線層；形成在覆蓋第1布線層的層間絕緣膜上的第2布線層；形成在第2布線層上，并且至少一部分與工作區(qū)域重疊的用于與外部電連接的突起電極；其特征在于把所述突起電極正下方區(qū)域的所述布線間隔設(shè)定為能夠防止在突起電極上連接外部連接端子時發(fā)生的負荷所引起的所述層間絕緣膜的撓曲的間隔。
在基于所述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體集成電路裝置中，存在具有有源元件(晶體管等)的工作區(qū)域，而且，在該工作區(qū)域中設(shè)置了由電導(dǎo)通的布線構(gòu)成的第1布線層。而且，隔著層間絕緣膜設(shè)置了用于電連接該第1布線層的第2布線層。而且，通過把這樣的半導(dǎo)體集成電路裝置作為半導(dǎo)體芯片安裝在例如具有引線框的帶載體等上(通過接合)，成為半導(dǎo)體封裝。
在所述的安裝中，如果把半導(dǎo)體集成電路裝置按在例如帶載體上，則外力(負荷)作用于層間絕緣膜上。這樣，通過該外力，例如用硬度低的材料構(gòu)成的層間絕緣膜會形成撓曲。
可是，在本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路裝置中，在突起電極上連接外部連接端子時的承受負荷特別大的突起電極正下方區(qū)域中，通過刻意地設(shè)定布線間隔，成為防止層間絕緣膜的撓曲的結(jié)構(gòu)。例如，通過使第1布線層的布線間隔(布線間隔)比以往的布線間隔還密，使存在于層間絕緣膜中的第1布線層周圍的該第1布線層的體積(總量)增加，使所述第1布線層周圍的層間絕緣膜的體積比率比以往的層間絕緣膜的體積比率還低。即通過使第1布線層的布線間隔變密，在層間絕緣膜的第1布線層周圍，減少層間絕緣膜的量(總量)。
例如，因為把第1布線層的布線設(shè)置得很密的區(qū)域能減少低硬度材料的體積比例，所以本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路裝置的層間絕緣膜變得比以往的層間絕緣膜的撓曲小。結(jié)果，在設(shè)置在層間絕緣膜上的保護膜等中不會作用該層間絕緣膜的撓曲引起的應(yīng)力等，所以在該保護膜中不會產(chǎn)生裂紋。因此，能防止所述保護膜的裂紋等引起的第2布線層的斷線等問題，本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路裝置成為可靠性高的半導(dǎo)體集成電路裝置。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路裝置為了解決所述問題，包括形成與工作區(qū)域電連接的布線的第1布線層；形成在覆蓋第1布線層的層間絕緣膜上的第2布線層；形成在第2布線層上，并且至少一部分與工作區(qū)域重疊的用于與外部電連接的突起電極；其特征在于至少在所述突起電極的正下方的區(qū)域中設(shè)置加強所述層間絕緣膜的強度的空布線。
根據(jù)所述的結(jié)構(gòu)，在特別承受負荷的正下方的區(qū)域，即在突起電極上連接外部連接端子時的承受負荷特別大的突起電極正下方區(qū)域中，設(shè)置不電連接工作區(qū)域的空布線作為加強層間絕緣膜的強度的結(jié)構(gòu)。結(jié)果，與以往相比，層間絕緣膜的撓曲減小，例如在設(shè)置在層間絕緣膜上的保護膜等上，不作用該層間絕緣膜的撓曲引起的應(yīng)力(應(yīng)力等)。因此，不會產(chǎn)生撓曲的層間絕緣膜引起的所述保護膜的裂紋，從而能防止第2布線層的斷線等問題。
下面，將對本發(fā)明的其他目的、特征、優(yōu)異點進行明確的說明。另外，在參照附圖的以下說明中，將對本發(fā)明的優(yōu)點做進一步的闡明。
圖2是

圖1(a)的半導(dǎo)體集成電路裝置的詳細剖視圖。
圖3(a)是通過ILB方式連接突起電極和金屬布線圖案前的半導(dǎo)體集成電路裝置的概略剖視圖，圖3(b)是通過ILB方式連接突起電極和金屬布線圖案后的半導(dǎo)體集成電路裝置的概略剖視圖。
圖4(a)是表示以往的半導(dǎo)體集成電路裝置的主要部分的概略剖視圖，圖4(b)是圖4(a)的概略俯視圖。
在本實施例的半導(dǎo)體集成電路裝置21中，如圖2所示，在包含擴散層14(14a、14b)的硅基板11(半導(dǎo)體基板)上形成了氧化硅膜12(半導(dǎo)體基板)，在該氧化硅膜12上形成了作為成為柵極的導(dǎo)電層的多晶硅膜13(半導(dǎo)體基板)。
在氧化硅膜12、多晶硅膜13上依次層疊有例如通過CVD法形成的CVD-氧化硅膜15、BPSG(硼硅酸鹽玻璃)膜16。然后，在CVD-氧化硅膜15、BPSG膜16上形成了接觸孔，在那里形成了例如由鈦鎢等構(gòu)成的阻擋金屬17(17a、17b)、由鋁硅或鋁銅等鋁合金膜和鋁構(gòu)成的作為金屬布線的第1布線層1(1a、1b)，構(gòu)成了有源元件30。
另外，在BPSG膜16、第1布線層(金屬布線)1上形成了層間絕緣膜2。層間絕緣膜2由例如SOG(Spin On Glass)等構(gòu)成，具有作為補償在第1布線層1中產(chǎn)生的階梯的階梯補償膜的功能。
然后，在層間絕緣膜2上，隔著絕緣膜18設(shè)置了由鈦鎢等構(gòu)成的阻擋金屬(阻擋金屬層)19，再在阻擋金屬19上形成了由鋁或鋁合金等組成的布線構(gòu)成第2布線層(焊盤金屬)3。另外，希望設(shè)置絕緣膜18，但是也可以不設(shè)置。
另外，在第2布線層3上的給定部位形成了由PSG(硅酸鹽玻璃)和氮化硅膜等構(gòu)成的保護膜4(4a、4b)。在本實施例中，如圖2所示，從第2布線層3的邊緣部向內(nèi)側(cè)凹陷例如2.5～10μm左右形成了保護膜(燉化膜)4a、4b的窗部(SR窗部)6。
而且，在第2布線層3、保護膜4a、4b上形成了由鈦或鈦鎢等高熔點金屬構(gòu)成的阻擋金屬5，在該阻擋金屬5上形成了與引線框(未圖示)電連接的突起電極7。
另外，如果說明所述的半導(dǎo)體集成電路裝置21的制造方法，則首先在硅基板11上形成了氧化硅膜12后，在所述氧化硅膜12上形成多晶硅膜13，制作柵極。然后，在硅基板11上形成擴散層14(14a、14b)后，通過低壓CVD法，形成CVD-氧化硅膜15。然后，在CVD-氧化硅膜15上以常壓形成BPSG膜16后，對所述CVD-氧化硅膜1 5和BPSG膜16進行光刻，形成接觸孔。
然后，通過濺射法，形成阻擋金屬17(17a、17b)、第1布線層1后，通過干蝕刻，把所述阻擋金屬17a、17b和第1布線層1加工為必要的布線形狀。
接著，在BPSG膜16和第1布線層1上形成層間絕緣膜2。即在BPSG膜16和第1布線層1上，通過例如化學(xué)氣相沉積法(CVDChemical VaporDeposition)，形成氧化硅膜，在其上通過旋轉(zhuǎn)涂敷法(涂敷法)全面形成SOG膜后，通過稱作反蝕刻(Etch Back)的技術(shù)，對SOG膜全面蝕刻，只在氧化硅膜的凹部留下SOG膜，使表面平坦化。通過在其上再度用化學(xué)氣相沉積法形成氧化硅膜，形成層間絕緣膜2。然后，在層間絕緣膜2上通過等離子體CVD法形成與阻擋金屬19的緊貼性高的例如由氮化硅膜構(gòu)成的絕緣膜18。
然后，在層間絕緣膜2、絕緣膜18上形成了通孔H后，布線形成阻擋金屬19和第2布線層3。
然后，當(dāng)使用基于ILB法的接合方式時，用濺射法在第2布線層3和保護膜4a、4b上形成阻擋金屬5，然后在阻擋金屬5上通過電鍍法形成突起電極7。
這里，使用簡化半導(dǎo)體集成電路裝置21而圖示的圖1(a)、圖1(b)(圖2的A-A線向視剖視圖)，說明本實施例的半導(dǎo)體集成電路裝置。
在半導(dǎo)體集成電路裝置21中，如圖1(a)、圖1(b)所示，在第1布線層1上隔著層間絕緣膜2形成了第2布線層3，在該第2布線層3的上部形成了保護膜4。然后，在保護膜4上設(shè)置窗部6，在突起電極7和保護膜4之間形成了阻擋金屬5。然后，電連接突起電極7、阻擋金屬5、第2布線層3。
在本實施例的半導(dǎo)體集成電路裝置21，層間絕緣膜2中的第1布線層1的布線間隔(布線間隔P1)變密。即通過增加層間絕緣膜2中的第1布線層1的總量，降低(削減)第1布線層1周圍的層間絕緣膜2(例如，硬度低，成為撓曲的原因的層間絕緣膜的總量。
而且，所述布線間隔P1希望在1.5μm以下。該數(shù)值是實際上通過COF方式安裝半導(dǎo)體集成電路裝置21，通過確認(rèn)第2布線層3上的保護膜4中是否產(chǎn)生裂紋C的評價方法，計算出的數(shù)值。根據(jù)評價結(jié)果，當(dāng)布線間隔P1為3.6μm，以90％以上的概率產(chǎn)生裂紋C，當(dāng)為2.1μm時，也以20％左右的概率發(fā)生?？墒?，布線間隔P1為1.5μm時，發(fā)生率為0％，所以采用了該數(shù)值。
如上所述，在本實施例的半導(dǎo)體集成電路裝置21中，位于突起電極7的下方(正下方區(qū)域)的第1布線層1的布線間隔P1配置為密集，希望以1.5μm以下配置。
如上所述，如果以布線間隔P1形成半導(dǎo)體集成電路裝置21，就能削減由于通過COF方式連接金屬布線圖案(引線框，參照圖3(a)、(b))和突起電極7時的應(yīng)力(負荷)而撓曲的層間絕緣膜2的總量。即如圖1(a)所示，如果把密集配置的第1布線層1看作在例如層間絕緣膜2的底面上擴展的一面硬度高的金屬布線層，則與以往的層間絕緣膜102(參照圖4(a))的厚度相比，本實施例的層間絕緣膜2的厚度虛擬地變薄。厚度變薄是層間絕緣膜2的總量減少。這樣，一般與層間絕緣膜2的總量的降低成比例，與以往相比，層間絕緣膜2的撓曲量也減小。結(jié)果，能防止由于層間絕緣膜2的撓曲而產(chǎn)生的保護膜4的裂紋C(參照圖4(a))。
因此，例如對于第2布線層3能防止保護膜4的裂紋C擴展而引起的水分等的滲透、電流流過水分滲透的地方引起的腐蝕，結(jié)果，能抑制斷線等的發(fā)生(能減輕斷線不良)。
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路裝置通過密集設(shè)置存在于層間絕緣膜2中的第1布線層1的布線、空布線9，與以往相比，能減少層間絕緣膜2的總量。
另外，在本實施例的半導(dǎo)體集成電路裝置中，當(dāng)不形成位于第2布線層3的下方(正下方區(qū)域)的第1布線層1時，可以設(shè)置未電連接的第1布線層1的空布線(虛擬布線)9。另外，也可以是在第2布線層3的下方完全不設(shè)置所述第1布線層的結(jié)構(gòu)。
即通過設(shè)置空布線9，使第1布線層1的布線間隔P2(第1布線層1的布線和空布線9的間隔)變密。另外，空布線9和所述第1布線層1的布線間隔P2與所述P1同樣，最好在1.5μm以下。
形成空布線9是指在負荷特別作用的正下方區(qū)域，即在突起電極7上外部連接端子時承載了特別大的負荷的該突起電極7的正下方的層間絕緣膜2區(qū)域設(shè)置空布線9，作為加強層間絕緣膜2的強度的結(jié)構(gòu)物。結(jié)果，與以往相比，層間絕緣膜的撓曲量也減小，能防止設(shè)置在層間絕緣膜2上的保護膜4中產(chǎn)生裂紋，減少保護膜4的裂紋C的發(fā)生率，能減少斷線等問題。
另外，密集配置所述第1布線層1彼此的布線間隔P1和第1布線層1與空布線9的布線間隔P2，希望為1.5μm以下的間隔。在本實施例的半導(dǎo)體集成電路裝置中，通過設(shè)置輔助層間絕緣膜2的強度的部件，與以往相比，能降低層間絕緣膜2的撓曲。
而且，第1布線層1彼此的布線間隔P1、第1布線層1與空布線9的布線間隔P2或空布線9彼此的布線間隔(未圖示)希望為1.5μm以下，更希望所述三種布線間隔都是1.5μm以下。
另外，層間絕緣膜2的膜厚為1350nm左右，第1布線層1的布線的膜厚為900nm左右，布線間隔為1.5μm以下。
特別是突起電極7的正下方區(qū)域，即在層間絕緣膜2中的下層形成了第1布線層1的區(qū)域中的層間絕緣膜2的膜厚為450nm左右，該層間絕緣膜2的正下方的第1布線層1的布線的膜厚為900nm左右。即突起電極7正下方的層間絕緣膜2的體積和第1布線層1的體積與所述膜厚的比相同。
另外，作為空布線9的材料，只要硬度高，便沒有其他的特別限定。
另外，在本實施例的半導(dǎo)體集成電路裝置21中，在第2布線層3上隔著阻擋金屬5設(shè)置了與外部連接端子連接的突起電極7，但是突起電極7的面積比第2布線層3的面積大。
另外，在半導(dǎo)體集成電路裝置21中，例如即使是由SOG那樣柔軟的材料構(gòu)成的層間絕緣膜2，在本實施例的半導(dǎo)體集成電路裝置中，也能抑制層間絕緣膜2的撓曲。
另外，半導(dǎo)體集成電路裝置也能表現(xiàn)如下。
半導(dǎo)體集成電路裝置包括形成了半導(dǎo)體元件(電路元件)的區(qū)域即工作區(qū)域；半導(dǎo)體基板；形成在所述半導(dǎo)體基板上并連接所述工作區(qū)域的第1布線層；與第1布線層隔著絕緣膜即層間膜而形成的第2布線層；至少一部分與工作區(qū)域重疊而形成的用于與外部電連接的突起電極；其特征在于在所述突起電極的正下方密集形成了第1布線層1。
另外，半導(dǎo)體集成電路裝置的特征在于所述第2布線層(第2布線層的電極焊盤，焊盤金屬)正下方的第1布線層的布線間隔為1.5μm以下。
另外，半導(dǎo)體集成電路裝置的特征在于當(dāng)是在所述第2布線層正下方不形成第1布線層的結(jié)構(gòu)時，形成空布線層。
另外，半導(dǎo)體集成電路裝置的特征在于所述空布線間的間隔為1.5μm以下。
另外，其特征在于所述突起電極的面積比第2布線層(電極焊盤)的面積大。
如上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路裝置，包括并列了多條與工作區(qū)域電連接的布線的第1布線層；形成在覆蓋第1布線層的層間絕緣膜上的第2布線層；形成在第2布線層上，并且至少一部分形成為與工作區(qū)域重疊的用于與外部電連接的突起電極；其中把所述突起電極正下方區(qū)域的所述布線間隔設(shè)定為能防止在突起電極上連接外部連接端子時的負荷引起的所述層間絕緣膜的撓曲的間隔。
據(jù)此，以為密集設(shè)置了第1布線層的布線的區(qū)域能減少硬度低的材料的體積比率，所以本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路裝置的層間絕緣膜比以往的層間絕緣膜的撓曲量小。結(jié)果，在設(shè)置在層間絕緣膜上的保護膜等上不會作用該層間絕緣膜的撓曲引起的應(yīng)力等，所以該保護膜上不會產(chǎn)生裂紋。因此，能防止所述保護膜的裂紋引起的第2布線層的斷線等問題，取得了本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路裝置變?yōu)榭煽啃愿叩陌雽?dǎo)體集成電路裝置的效果。
另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路裝置中，在所述結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，所述布線間隔希望為1.5μm以下。
據(jù)此，成為密集配置的第1布線層，增加了以往的層間絕緣膜中的金屬布線的總量，所以該層間絕緣膜的總量減少。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路裝置包括形成與工作區(qū)域電連接的布線的第1布線層；形成在覆蓋第1布線層的層間絕緣膜上的第2布線層；形成在第2布線層上，并且至少一部分形成為與工作區(qū)域重疊的用于與外部電連接的突起電極；其中至少在所述突起電極的正下方的區(qū)域中設(shè)置加強所述層間絕緣膜的強度的空布線。
據(jù)此，在突起電極上連接外部連接端子時的承受負荷特別大的突起電極正下方區(qū)域中，設(shè)置不電連接工作區(qū)域的空布線作為加強層間絕緣膜的強度的結(jié)構(gòu)物。結(jié)果，與以往相比，層間絕緣膜的撓曲減小，例如在設(shè)置在層間絕緣膜上的保護膜等上，不作用該層間絕緣膜的撓曲引起的應(yīng)力(應(yīng)力等)。因此，不會產(chǎn)生撓曲的層間絕緣膜引起的所述保護膜的裂紋，從而實現(xiàn)能防止第2布線層的斷線等問題的效果。
另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路裝置中，在所述結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，所述空布線和所述布線的布線間隔、所述布線彼此的布線間隔、或所述空布線彼此的布線間隔希望在1.5μm以下。
據(jù)此，密集配置的第1布線層和空布線存在于層間絕緣膜中，所以與以往相比，取得了層間絕緣膜的總量減少的效果。
在發(fā)明的詳細說明項中的具體實施形態(tài)或?qū)嵤├贿^是為了明確本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，并不局限于這樣的具體例而狹義地解釋，在不超出本發(fā)明的精神和技術(shù)構(gòu)思的范圍內(nèi)，能做各種變更而實施。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體集成電路裝置(21)，包括并列配置有多條與工作區(qū)域電連接的布線的第1布線層(1)；形成在覆蓋第1布線層(1)的層間絕緣膜(2)上的第2布線層(3)；形成在第2布線層(3)上，并且至少一部分與工作區(qū)域重疊的用于與外部電連接的突起電極(7)；其特征在于把所述突起電極(7)正下方區(qū)域的所述布線間隔設(shè)定為，能夠防止在突起電極(7)上連接外部連接端子時發(fā)生的負荷所引起的所述層間絕緣膜(2)的撓曲的間隔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置(21)，其特征在于所述布線(1)的間隔為1.5μm以下。
3.一種半導(dǎo)體集成電路裝置(21)，包括形成與工作區(qū)域電連接的布線的第1布線層(1)；形成在覆蓋第1布線層(1)的層間絕緣膜(2)上的第2布線層(3)；形成在第2布線層(3)上，并且至少一部分形成為與工作區(qū)域重疊的用于與外部電連接的突起電極(7)；其特征在于至少在所述突起電極(7)的正下方的區(qū)域中設(shè)置加強所述層間絕緣膜(2)的強度的空布線(9)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體集成電路裝置(21)，其特征在于所述空布線的材料硬度高。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體集成電路裝置(21)，其特征在于所述空布線(9)與所述布線(1)的布線間隔、相鄰的所述布線(1)的布線間隔、或相鄰的所述空布線(9)的布線間隔在1.5μm以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體集成電路裝置(21)，其特征在于所述空布線(9)與所述布線(1)的布線間隔、相鄰的所述布線(1)的布線間隔、以及相鄰的所述空布線(9)的布線間隔的所有間隔在1.5μm以下。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體集成電路裝置，通過使層間絕緣膜的第1布線層的布線間隔密集，使層間絕緣膜中的第1布線層總量增加，而減少成為撓曲原因的硬度低的層間絕緣膜總量。結(jié)果，例如在設(shè)置在層間絕緣膜上的保護膜中不作用該層間絕緣膜的撓曲引起的應(yīng)力(負荷等)，所以在該保護膜中不產(chǎn)生裂紋。因此，能防止所述保護膜的裂紋等引起的在第2布線層上的斷線等的問題，由此實現(xiàn)高可靠性的半導(dǎo)體集成電路裝置。
文檔編號H01L27/04GK1452243SQ0312253
公開日2003年10月29日 申請日期2003年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月19日
發(fā)明者鈴木岳洋 申請人:夏普株式會社