專利名稱：有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法
本申請要求2001年12月29日申請的第2001-0088538號和2002年6月3日申請的第2002-031045號韓國專利申請的權(quán)益，針對本申請涉及的所有目的，在本申請中將上述申請的全部內(nèi)容以引用的形式加以結(jié)合。
在多種FPD裝置中，電致發(fā)光顯示(ELD)裝置利用的是當(dāng)將一定強(qiáng)度的電場施加到熒光物質(zhì)上時(shí)將會產(chǎn)生光的電致發(fā)光現(xiàn)象。根據(jù)激發(fā)途徑源的不同可以將電致發(fā)光顯示(ELD)裝置分成無機(jī)電致發(fā)光顯示(ELD)裝置和有機(jī)電致發(fā)光顯示(ELD)裝置。因?yàn)橛袡C(jī)電致發(fā)光顯示(ELD)裝置能顯示可見光范圍內(nèi)的每一種顏色而且具有高亮度和低工作電壓，所以有機(jī)電致發(fā)光顯示(ELD)裝置作為一種自然色的顯示裝置已經(jīng)引起了人們的注意。
此外，由于有機(jī)電致發(fā)光顯示(ELD)裝置是自發(fā)光，所以它具有高對比度而且適用于超薄型顯示裝置。還有，由于有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造工藝簡單，所以對環(huán)境污染的程度相對較低。此外，有機(jī)電致發(fā)光顯示(ELD)裝置的響應(yīng)時(shí)間為幾微秒(μs)，所以其適合顯示運(yùn)動(dòng)圖像。有機(jī)電致發(fā)光顯示(ELD)裝置不受視角限制并且在低溫條件下很穩(wěn)定。由于可以用5V-15V這種比較低的電壓驅(qū)動(dòng)有機(jī)電致發(fā)光顯示(ELD)裝置，所以驅(qū)動(dòng)電路的制造和設(shè)計(jì)都比較容易。
有機(jī)電致發(fā)光顯示(ELD)裝置的結(jié)構(gòu)與無機(jī)電致發(fā)光顯示(ELD)裝置的結(jié)構(gòu)相類似，但是光發(fā)射理論與無機(jī)電致發(fā)光顯示(ELD)裝置不同。也就是說，有機(jī)電致發(fā)光顯示(ELD)裝置是通過電子和空穴的復(fù)合而發(fā)光，因此通常將其稱之為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。
最近，已將有源矩陣的模式廣泛應(yīng)用于平板式顯示裝置，在所述有源矩陣模式中，將多個(gè)象素設(shè)置成矩陣形式并將薄膜晶體管與之相連。有源矩陣模式也應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光顯示(ELD)裝置中，這被稱之為有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示(ELD)裝置。


圖1是表示現(xiàn)有技術(shù)的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示(ELD)裝置中基本象素結(jié)構(gòu)的等效電路圖。
按照圖1，有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的象素具有開關(guān)薄膜晶體管4，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管5，存儲電容器6和發(fā)光二極管(LED)7。開關(guān)薄膜晶體管4和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管5由P型多晶硅薄膜晶體管構(gòu)成。開關(guān)薄膜晶體管4的柵極與柵極線1相連，而開關(guān)薄膜晶體管4的源極與數(shù)據(jù)線2相連。開關(guān)薄膜晶體管4的漏極與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管5的柵極相連，而驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管5的漏極與發(fā)光二極管(LED)7的正極相連。發(fā)光二極管(LED)7的負(fù)極接地。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管5的源極與電源線3相連，而存儲電容器6與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管5的柵極和源極相連。
在圖1所示的象素結(jié)構(gòu)中，如果將掃描信號施加到柵極線1上，開關(guān)薄膜晶體管4將導(dǎo)通，而且來自數(shù)據(jù)線2的圖像信號將通過開關(guān)薄膜晶體管4存儲到存儲電容器6中。如果將圖像信號施加到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管5的柵極上，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管5將導(dǎo)通，而且發(fā)光二極管(LED)7將因此而發(fā)光。通過改變發(fā)光二極管(LED)7中的電流，可以控制發(fā)光二極管(LED)7的亮度。當(dāng)開關(guān)薄膜晶體管4斷開時(shí)，存儲電容器6將保持驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管5的柵電壓不變。也就是說，由于既使當(dāng)開關(guān)薄膜晶體管4斷開時(shí)，也可以通過存儲電容器6中存儲的電壓來驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管5，所以可以保持流入發(fā)光二極管(LED)7中的電流并因此在下一個(gè)圖像信號到來之前使發(fā)光二極管(LED)保持發(fā)光。
圖2是現(xiàn)有技術(shù)中有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的示意性剖面圖。圖2示出了有機(jī)發(fā)光二極管，存儲電容器和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。此外，其采用的是底部發(fā)射型，即，光通過下部電極的陽極發(fā)射。
按照圖2，在襯底上形成緩沖層11，然后在緩沖層11上形成具有第一到第三部分12a、12b和12c的第一多晶硅層以及第二多晶硅層13a。第一多晶硅層分成不攙雜質(zhì)的第一部分12a(即，有源區(qū))和攙雜質(zhì)的第二及第三部分12b和12c(即，分別為漏區(qū)和源區(qū))。第二多晶硅層13a成為電容器的一個(gè)電極。在有源區(qū)12a上設(shè)置柵極絕緣層14而在柵極絕緣層14上設(shè)置柵極15。在柵極15和柵極絕緣層14上形成第一隔層絕緣體16，絕緣體16同時(shí)覆蓋漏區(qū)12b和源區(qū)12c以及第二多晶硅層13a。在第一隔層絕緣體16上特別是在第二多晶硅層13a(即，電容器電極)上方設(shè)置電源線17。盡管圖2中沒有示出，但是電源線17作為一條線沿一個(gè)方向延伸。電源線17和第二多晶硅層13a與設(shè)在它們之間的第一隔層絕緣體16一起構(gòu)成存儲電容器。在第一隔層絕緣體16上形成第二隔層絕緣體18，絕緣體18同時(shí)覆蓋電源線17。
同時(shí)，貫穿第一和第二隔層絕緣體16和18的第一和第二接觸孔18a和18b分別暴露漏區(qū)12b和源區(qū)12c。此外，形成貫穿第二隔層絕緣體18的第三接觸孔18c并暴露一部分電源線17。在第二隔層絕緣體18上形成漏極19a和源極19b。漏極19a通過第一接觸孔18a與漏區(qū)12b接觸。源極19b分別通過第二接觸孔18b和通過第三接觸孔18c與源區(qū)12c和電源線17接觸。在漏極19a和源極19b上以及在第二隔層絕緣體18的暴露區(qū)上形成第一鈍化層20。第一鈍化層20具有用于暴露一部分漏極19a的第四接觸孔20a。在第一鈍化層20上設(shè)置用透明導(dǎo)電材料制成的陽極21，所述陽極通過第四接觸孔20a與漏極19a接觸。在陽極21上和在第一鈍化層20的暴露部分上形成第二鈍化層22。第二鈍化層22具有用于暴露一部分陽極21的井口22a。在第二鈍化層22上以及在井口22a內(nèi)形成電致發(fā)光層23。在第二鈍化層22的暴露部分上以及在電致發(fā)光層23上形成完整的陰極24。陰極24由不透明的金屬導(dǎo)電材料構(gòu)成。
在圖2所示的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，陽極21由透明導(dǎo)電材料制成，而陰極24由不透明導(dǎo)電材料制成。因此，從有機(jī)電致發(fā)光層23發(fā)射的光沿底部方向放射，這稱為底部發(fā)射型。
圖3A-3I是表示圖2所示有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置制造過程的剖面圖。圖3A-3G中所示多個(gè)圖形是利用掩模并通過涂敷光刻膠、定位、曝光和顯影步驟形成的。
在圖3A中，當(dāng)在襯底10的整個(gè)表面上形成緩沖層11之后，通過第一掩模工序在緩沖層11上形成的第一和第二多晶硅半導(dǎo)體層12和13。第一和第二多晶硅半導(dǎo)體層12和13形成島形。
在圖3B中，將氮化硅或氧化硅絕緣體以及金屬導(dǎo)電材料按順序沉積到第一多晶硅層12上而且用第二掩模工序形成圖形，由此，在第一多晶硅半導(dǎo)體層12上依次形成柵極絕緣層14和柵極15。此后，在第一和第二多晶硅半導(dǎo)體層12和13的暴露部分上攙雜P型離子。在攙雜期間，由于柵極15起掩模的作用，所以將第一多晶硅半導(dǎo)體層12分成不攙雜雜質(zhì)的有源區(qū)12a和攙雜雜質(zhì)的漏區(qū)12b及源區(qū)12c。此外，完全攙雜雜質(zhì)的第二多晶硅半導(dǎo)體層13成為電容器的電極13a。漏區(qū)12b和源區(qū)12c位于有源區(qū)12a的兩側(cè)。
參照圖3C，在緩沖層11的整個(gè)表面上形成第一隔層絕緣體16并使其蓋住柵極15、漏區(qū)12b和源區(qū)12c，以及電容電極13a。在襯底10的整個(gè)表面上形成第一隔層絕緣體16之后，通過第三掩模工序在第一隔層絕緣體16上尤其是與電容器電極13a重疊地形成金屬電源線17。由于電源線17形成在電容器電極13a的正上方，所以它與電容器電極13a以及設(shè)在它們之間的第一隔層絕緣體16共同形成了存儲電容器。
在圖3D中，在第一隔層絕緣體16和在電源線17上形成第二隔層絕緣體18。然后，用第四掩模工序形成第一到第三接觸孔18a、18b和18c。第一接觸孔18a用于暴露漏區(qū)12b；第二接觸孔18b用于暴露源區(qū)12c；而第三接觸孔18c用于暴露電源線17。
在圖3E中，在第二鈍化層18上形成金屬層，然后通過第五掩模工序形成圖形，由此形成漏極19a和源極19b。漏極19a通過第一接觸孔18a與漏區(qū)12b接觸，同時(shí)源極19b通過第二接觸孔18b與源區(qū)12c接觸。此外，源極19b通過第三接觸孔18c與電源線17接觸。
通過上述工序，便制成了帶有半導(dǎo)體層12、柵極15、漏極19a和源極19b的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。此外，與電源線17對應(yīng)的區(qū)域和電容器電極13a形成存儲電容器。盡管在圖3E中沒有示出，但是如圖1中所示，存儲電極13與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極15相連而電源線17與信號線并行(parallel)。
在圖3F中，通過第六掩模工序在第二隔層絕緣體上形成具有第四接觸孔20a的第一鈍化層20，該層同時(shí)覆蓋漏極19a和源極19b。第四接觸孔20a用于暴露一部分漏極19a。
在圖3G中，在第一鈍化層20上沉積透明導(dǎo)電材料，然后利用第七掩模工序形成圖形，由此形成通過第四接觸孔20a與漏極19a接觸的陽極21。
在圖3H中，在陽極21和第一鈍化層20的暴露部分上形成第二鈍化層22。然后，用第八掩模工序在第二鈍化層22上形成圖形，由此形成用于暴露一部分陽極21的井口22a。
現(xiàn)在進(jìn)入圖3I，在第二鈍化層上形成有機(jī)電致發(fā)光層23，該電致發(fā)光層23通過井口22a與陽極21接觸。隨后，在有機(jī)電致發(fā)光層23以及第二鈍化層22的暴露部分上形成陰極24。陰極24完全覆蓋襯底10。
在上述形成有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的工序中，重復(fù)進(jìn)行多次薄膜沉積，此外，還要重復(fù)多遍用掩模進(jìn)行的多次光刻工序。因此，這些重復(fù)增加了掩模工序。由于光刻工序包括沖洗工序、光刻膠沉積工序、曝光工序、顯影工序、蝕刻工序等，所以即使是僅省掉一個(gè)掩模工序也可以減少制造時(shí)間和生產(chǎn)成本。然而，參照圖3A-3I描述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置需要八次掩模，所以，其產(chǎn)量很低而且增加了成本。此外，有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置需要的掩模越多，生產(chǎn)過程出現(xiàn)的缺陷就越多。
此外，由于現(xiàn)有技術(shù)中的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置具有用不透明材料制成的電容器電極，所以其減小了發(fā)光區(qū)并降低了孔徑比。為了克服這些問題，應(yīng)提高電流強(qiáng)度以增加裝置的亮度，但由此又會降低有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的壽命。
此外，由于現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置設(shè)有直線形狀的電源線，所以電源線很容易老化和受損而且有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置不能均勻地顯示圖像。
另一方面，如上所述，通常被稱作有源層的有源區(qū)是通過在襯底上形成多晶硅層和使多晶硅層形成圖形的工序制成的。由于多晶硅層包括具有不同蝕刻選擇性的晶粒和晶粒邊界，所以為了蝕刻掉應(yīng)當(dāng)除去的所有晶粒和晶粒邊界，需要對多晶硅層進(jìn)行過蝕。在過蝕工序中，可以對通過除去多晶硅層而露出的一部分緩沖層進(jìn)行腐蝕，因此，當(dāng)多晶硅層形成完整的圖形時(shí)，可以在緩沖層的表面上形成晶體形狀。晶體形狀對緩沖層上形成的其他層，例如，柵極絕緣層和隔層絕緣體等會有影響，并因此使得在這些層上形成的由氧化銦錫制成的陽極表面很粗糙。
由于表面粗糙的緣故，使得在陽極和陰極之間感應(yīng)出不均勻場，這將導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的壽命降低。此外，由于因緩沖層的表面粗糙而使得整流比不好，所以很難顯示高灰度級的圖像。
本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，通過減少掩模工序的數(shù)量來提供一種生產(chǎn)成本低、產(chǎn)量高的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。
本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，提供一種具有高孔徑比和長壽命的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。
本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，提供一種能防止電源線老化和受損并能顯示均勻圖像的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。
本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在下面的說明中給出，其中一部分特征和優(yōu)點(diǎn)可以從說明中明顯得出或是通過本發(fā)明的實(shí)踐而得到。通過在文字說明部分、權(quán)利要求書以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點(diǎn)。
為了得到這些和其它優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，作為概括和廣義的描述，本發(fā)明的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置包括襯底；設(shè)在襯底上的地線層；設(shè)在地線層上的緩沖層；設(shè)在緩沖層上的多晶硅半導(dǎo)體層，所述多晶硅半導(dǎo)體層上設(shè)有有源區(qū)、漏區(qū)和源區(qū)，其中有源區(qū)設(shè)置在多晶硅層的中部，漏區(qū)和源區(qū)設(shè)在有源區(qū)的兩側(cè)；設(shè)在緩沖層上并覆蓋多晶硅層的柵極絕緣層；設(shè)在柵極絕緣層上的柵極，該柵極位于多晶硅層有源區(qū)的正上方；設(shè)在柵極絕緣層上的第一電容器電極；設(shè)在柵極絕緣層上并覆蓋柵極和第一電容器電極的隔層絕緣體；設(shè)在隔層絕緣體上的漏極和源極，漏極和源極分別通過貫穿隔層絕緣體和柵極絕緣層的第一和第二接觸孔與漏區(qū)和源區(qū)接觸；形成在隔層絕緣體上并與漏極相連的陰極；設(shè)在隔層絕緣體上的第二電容器電極；形成在隔層絕緣體上并覆蓋漏極、源極、陰極和第二電容器電極的鈍化層，所述鈍化層具有使陰極暴露的井口；在鈍化層上和井口內(nèi)形成的有機(jī)電致發(fā)光層，所述有機(jī)電致發(fā)光層通過井口與陰極接觸；和設(shè)在鈍化層暴露部分以及有機(jī)電致發(fā)光層上的陽極。
按照本發(fā)明的另一方面，所述制造有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的方法包括在襯底上形成地線層；在地線層上形成緩沖層；在緩沖層上形成多晶硅半導(dǎo)體層；在緩沖層上形成覆蓋多晶硅層的柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成柵極和第一電容器電極，所述柵極設(shè)在多晶硅層的正上方；用柵極作為掩模將離子攙雜到多晶硅半導(dǎo)體層中，使得多晶硅半導(dǎo)體層具有有源區(qū)、漏區(qū)和源區(qū)，其中，有源區(qū)設(shè)在多晶硅層的中部并位于柵極的正下方，而漏區(qū)和源區(qū)設(shè)在有源區(qū)的兩側(cè)；在柵極絕緣層上形成覆蓋柵極和第一電容器電極的隔層絕緣體；形成第一、第二、第三和第四接觸孔，其中第一和第二接觸孔通過貫穿隔層絕緣體和柵極絕緣層而分別暴露漏區(qū)和源區(qū)，而第三和第四接觸孔通過貫穿隔層絕緣體、柵極絕緣層以及緩沖層而暴露部分地線層；在隔層絕緣體上形成漏極和源極，所述漏極和源極通過第一接觸孔和第二接觸孔分別與漏區(qū)和源區(qū)相接觸；在隔層絕緣體上形成陰極，所述陰極與漏極相連；在隔層絕緣體上形成第二電容器電極；在隔層絕緣體上形成覆蓋漏極、源極、陰極和第二電容器電極的鈍化層，所述鈍化層具有使陰極暴露的井口；在鈍化層上和井口內(nèi)形成有機(jī)電致發(fā)光層，所述有機(jī)電致發(fā)光層通過井口與陰極接觸；和在鈍化層的暴露部分以及有機(jī)電致發(fā)光層上形成陽極。
很顯然，上面的一般性描述和下面的詳細(xì)說明都是示例性和解釋性的，其意在對本發(fā)明的權(quán)利要求作進(jìn)一步解釋。
附圖中圖1是表示現(xiàn)有技術(shù)中有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示(ELD)裝置基本象素結(jié)構(gòu)的等效電路圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的示意性剖面圖3A-3I是表示圖2所示有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置制作過程的剖面圖；圖4是按照本發(fā)明示例性實(shí)施例所述有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的示意性剖面圖；圖5是表示按照本發(fā)明所述有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示(ELD)裝置基本象素結(jié)構(gòu)的等效電路圖；圖6是示意性表示按照本發(fā)明示例性實(shí)施例所述電源線和地線層的平面圖；圖7A-7F是表示圖4所示有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置制作過程的剖面圖；圖8是按照本發(fā)明另一個(gè)示例性實(shí)施例所述有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的示意性剖面圖；圖9是表示形成上述圖6所述地線層的多晶硅層的照片；圖10是示意性表示按照本發(fā)明另一個(gè)示例性實(shí)施例所述地線層的平面圖；圖11是表示形成上述圖10所述地線層的多晶硅層的照片。
圖4是按照本發(fā)明示例性實(shí)施例所述有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的示意性剖面圖。由于有源矩陣型有機(jī)EL裝置使用了p-Si TFT，所以采用頂部柵極型。
按照圖4，在襯底110的整個(gè)表面上形成地線層120。地線層120是例如金屬等導(dǎo)電材料。在地線層120上形成氮化硅或氧化硅緩沖層130。在緩沖層130上形成島形多晶硅半導(dǎo)體層131(132和133)。將多晶硅半導(dǎo)體層分成不施加雜質(zhì)的有源區(qū)131以及施加雜質(zhì)并進(jìn)行攙雜的漏區(qū)132和源區(qū)133。在此，緩沖層130可防止雜質(zhì)從襯底110或地線層120滲入到多晶硅半導(dǎo)體層131(132和133)。在緩沖層130上形成覆蓋有源區(qū)131、漏區(qū)132和源區(qū)133的柵極絕緣層140。在柵極絕緣層140上形成位于多晶硅半導(dǎo)體層的有源區(qū)131上方并與之重疊的柵極151。柵極151可以形成在有源區(qū)131的正上方。此外，在柵極絕緣層140上形成第一電容器電極152，該電極用與柵極151相同的材料制成。
仍然參照圖4，在柵極絕緣層140上設(shè)置覆蓋柵極151和第一電容器電極152的隔層絕緣體160。同時(shí)，由貫穿隔層絕緣體160和柵極絕緣層140的第一和第二接觸孔161和162分別暴露漏區(qū)132和源區(qū)133。此外，形成貫穿隔層絕緣體160、柵極絕緣層140和緩沖層130的第三和第四接觸孔163和164并由第三和第四接觸孔來暴露一部分地線層120。在隔層絕緣體160上設(shè)置陰極171、漏極172、源極173和第二電容器電極174，它們由不透明導(dǎo)電材料例如金屬制成。陰極171與漏極172相連，漏極172通過第一接觸孔161與漏區(qū)132接觸。源極173通過第二接觸孔162和第三接觸孔163分別與源區(qū)133和地線層120接觸。第二電容器電極174通過第四接觸孔164與地線層120接觸。第一和第二電容器電極152和174與設(shè)在它們之間的隔層絕緣體160一起構(gòu)成存儲電容器。盡管圖4中未示出，但是當(dāng)從上部觀察時(shí)，可以看到第一電容器電極152與柵極151相連。在隔層絕緣體160上形成覆蓋陰極171、漏極172、源極173和第二電容器電極174的鈍化層180。鈍化層180上設(shè)有用于暴露陰極171的井口181。在鈍化層180上和井口181內(nèi)形成電致發(fā)光層190，使電致發(fā)光層190通過井口181與陰極171接觸。在電致發(fā)光層190和鈍化層180上形成陽極200。陽極200是透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫或氧化銦鋅。陽極設(shè)置在整個(gè)襯底110上，從而陽極200起電源線的作用。
圖5是表示按照本發(fā)明所述有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示(ELD)裝置基本象素結(jié)構(gòu)的等效電路圖。如圖5所示，柵極線212布置在第一方向上，數(shù)據(jù)線211布置在基本上垂直于第一方向的第二方向上，由此確立了一個(gè)象素區(qū)。在數(shù)據(jù)線211和柵極線212的交叉點(diǎn)附近設(shè)置開關(guān)薄膜晶體管(TFT)214，該晶體管與數(shù)據(jù)線211和柵極線212相連。開關(guān)TFT214的柵極與柵極線212相連，而開關(guān)TFT214的源極與數(shù)據(jù)線211相連。此外，開關(guān)TFT214還與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)215以及存儲電容器216相連。即，開關(guān)TFT214的漏極與驅(qū)動(dòng)TFT215的柵極以及存儲電容器216的電容器電極相連。驅(qū)動(dòng)TFT215的漏極與電致發(fā)光二極管217的陰極相連。驅(qū)動(dòng)TFT215的源極接地。電致發(fā)光二極管217的陽極與電源線213相連。為了均勻地保持驅(qū)動(dòng)TFT215的柵電壓，將存儲電容器216與驅(qū)動(dòng)TFT215的柵極和源極相連。
在圖5所示的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，合適的驅(qū)動(dòng)TFT215是n型薄膜晶體管。然而，開關(guān)TFT214既可以是n型薄膜晶體管也可以是p型薄膜晶體管。
如參照圖4所述的那樣，地線層和電源線層設(shè)置在整個(gè)襯底上。圖6是示意性表示按照本發(fā)明示例性實(shí)施例所述地線層212和電源線222的平面圖。在圖6中，為了敘述方便而省略了薄膜晶體管和存儲電容器。
如圖6所示，在襯底220上形成地線層221和電源線層222。地線層221以使襯底的某些部分暴露的形式設(shè)置在整個(gè)襯底220上。此外電源線層222也以使襯底的某些部分暴露的形式設(shè)置在整個(gè)襯底220。地線層221和電源線層222的重疊區(qū)是出現(xiàn)圖像的顯示區(qū)，因此多個(gè)薄膜晶體管和多個(gè)電致發(fā)光二極管設(shè)置在該顯示區(qū)內(nèi)。如上所述，在本發(fā)明中，電源線層222起電致發(fā)光二極管陽極的作用。
按照本發(fā)明，由于地線層和電源線層都形成在整個(gè)襯底上，所以電源線的電阻較低，由此防止了在裝置運(yùn)行期間引起的電源線的熱損壞。因此，提高了圖像質(zhì)量，并獲得了均勻顯示效果。
在圖4所示的第一實(shí)施例中，用不透明導(dǎo)電材料制作陰極而用透明導(dǎo)電材料制作陽極。因此，有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置成為在上部發(fā)射光的頂部發(fā)光型。由此可以獲得高孔徑比。所以，既使在電流強(qiáng)度不大的情況下也能提高顯示裝置的亮度。通過本發(fā)明可以看出，上述手段延長了有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的壽命。
圖7A-7F是表示圖4所示有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置制作過程的剖面圖。
在圖7A中，在襯底110上沉積金屬等導(dǎo)電材料，然后利用第一掩模工序使導(dǎo)電材料形成圖形進(jìn)而構(gòu)成地線層120。當(dāng)從上部觀察時(shí)，地線層120具有圖6中示出的形狀，因此，它在很大程度上設(shè)置在整個(gè)襯底110上并且覆蓋出現(xiàn)圖像的顯示區(qū)。此后，在地線層120上形成緩沖層130。緩沖層130是氧化硅和氮化硅之一。接著，在緩沖層130的整個(gè)表面上形成多晶硅層，然后利用第二掩模工序使多晶硅層形成圖形進(jìn)而構(gòu)成半導(dǎo)體層135。目前已有很多種形成多晶硅層的方法。一種方法是，在緩沖層上形成非晶硅層，然后對非晶硅進(jìn)行熱處理后形成多晶硅。另一種方法是，利用激光輻射將非晶硅轉(zhuǎn)換成多晶硅。在本發(fā)明中，襯底110可以是玻璃或其他透明物質(zhì)。
在圖7B中，在緩沖層130上形成覆蓋半導(dǎo)體層135的氮化硅或氧化硅柵極絕緣層140，然后將金屬材料沉積到柵極絕緣層140上。利用第三掩模工序使沉積的金屬材料形成圖形以便構(gòu)成柵極151和第一電容器電極152。將柵極151設(shè)置在半導(dǎo)體層135的上方。用柵極151作為掩模，向部分半導(dǎo)體層135施加雜質(zhì)(例如，n型離子)并進(jìn)行攙雜。因此，半導(dǎo)體層135分成位于中部的有源區(qū)131和位于有源區(qū)131兩側(cè)的漏區(qū)132和源區(qū)133。由于在攙雜過程中柵極151起掩模的作用，所以，雜質(zhì)不會存在于有源區(qū)131內(nèi)，而僅存在于漏區(qū)132和源區(qū)133內(nèi)。盡管圖7B中未示出，但是第一電容器電極152與柵極151電性連接。
在圖7C中，在柵極絕緣層140上形成覆蓋柵極151和第一電容器電極152的隔層絕緣體160。然后，進(jìn)行第四掩模工序形成第一到第四接觸孔161、162、163和164。第一和第二接觸孔161和162貫穿隔層絕緣體160和柵極絕緣層140，并分別暴露漏區(qū)132和源區(qū)133。此外，第三和第四接觸孔163和164貫穿隔層絕緣體160、柵極絕緣層140和緩沖層130，并因此暴露一部分地線層120。隔層絕緣體160可以用有機(jī)絕緣材料例如苯并環(huán)丁烯(BCB)等制作。在這種情況下，隔層絕緣體160具有平坦的表面。由于用隔層絕緣體160覆蓋如上所述表面很粗糙度的緩沖層130，所以緩沖層130的表面粗糙度對其上形成的其他層不會造成影響。因此，在這些層上形成的電極不會受緩沖層130表面粗糙度的影響。
在圖7D中，將金屬等導(dǎo)電材料沉積到隔層絕緣體160上，然后利用第五掩模工序使導(dǎo)電材料形成圖形從而構(gòu)成陰極171、漏極172、源極173和第二電容器電極174。如圖7D中所示，陰極171與漏極172相連。漏極172通過第一接觸孔161與漏區(qū)132接觸。源極173通過第二接觸孔162和第三接觸孔163分別與源區(qū)133和地線層120接觸。此外，第二電容器電極174通過第四接觸孔164與地線層120接觸并與第一電容器電極152以及設(shè)在它們之間的隔層絕緣體160一起構(gòu)成存儲電容器。
現(xiàn)在進(jìn)入圖7E，在形成圖形的導(dǎo)電層和隔層絕緣體160的暴露部分上形成鈍化層180。因此，鈍化層180覆蓋陰極171、漏極172、源極173和第二電容器電極174。此后，通過第六掩模工序使一部分鈍化層180成形，由此構(gòu)成暴露陰極171的井口181。
在圖7F中，在鈍化層180和暴露的陰極171上形成有機(jī)電致發(fā)光層190。有機(jī)電致發(fā)光層190通過井口181與陰極171接觸。隨后，在有機(jī)電致發(fā)光層190和鈍化層180上形成氧化銦錫或氧化銦鋅等透明導(dǎo)電材料，由此形成陽極200。在形成有機(jī)電致發(fā)光層190時(shí)，可采用噴墨法或障板，這樣便不再需要其他掩模工序。此外，由于還可以用障板形成陽極200，所以也不需要其他掩模工序。
如以上參照圖7A-7F所述，本發(fā)明的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置是通過第一到第六掩模工序制成的。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，明顯縮短了制作時(shí)間和降低了生產(chǎn)成本。此外，由于減少了掩模工序，所以減少了層狀部件的故障。因此，利用本發(fā)明可增加產(chǎn)量。
圖4和圖7A-7F中所示有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置是頂部發(fā)光型。然而，本發(fā)明的原理也適用于底部發(fā)光型裝置。下面將參照圖8詳細(xì)說明底部發(fā)光式有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。
圖8是按照本發(fā)明另一個(gè)示例性實(shí)施例所述有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的示意性剖面圖。
如圖8所示，在整個(gè)或是基本上在整個(gè)襯底310上形成透明導(dǎo)電材料的地線層320。透明導(dǎo)電材料是氧化銦錫(ITO)或是氧化銦鋅(IZO)，而襯底310例如主要是玻璃。在地線層320上形成緩沖層330。在緩沖層330上形成帶有有源區(qū)331、漏區(qū)332和源區(qū)333的半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體層由多晶硅制成，其形成的形狀象島形。有源層331是不施加雜質(zhì)的純硅區(qū)。設(shè)置在有源層331兩側(cè)的漏區(qū)和源區(qū)332和333是施加了雜質(zhì)并進(jìn)行攙雜的攙雜區(qū)。
然后，在緩沖層330上形成覆蓋有源區(qū)、漏區(qū)和源區(qū)331、332和333的柵極絕緣層340。在位于多晶硅半導(dǎo)體層有源區(qū)331上方的柵極絕緣層340上形成柵極351。柵極351可以形成在有源區(qū)331的正上方。此外，在柵極絕緣層340上形成用與柵極351相同的材料制成的第一電容器電極352。盡管圖8中未示出，但是柵極351和第一電容器電極352彼此電性連接。接著，在柵極絕緣層340上設(shè)置覆蓋柵極351和第一電容器電極352的隔層絕緣體360。隔層絕緣體360由有機(jī)絕緣材料制成并且使包括柵極351在內(nèi)的襯底310的表面平整。由于隔層絕緣體360覆蓋表面很粗糙度的緩沖層330，所以緩沖層330的表面粗糙度不會對其上形成的其他層造成影響。因此，在各層上形成的電極都不會受到緩沖層330表面粗糙度的影響。隔層絕緣體360可以包括苯并環(huán)丁烯(BCB)。
同時(shí)，形成貫穿隔層絕緣體360和柵極絕緣層340的第一和第二接觸孔361和362以便分別暴露漏區(qū)332和源區(qū)333。此外，與第一和第二接觸孔361及362同時(shí)形成貫穿隔層絕緣體360、柵極絕緣層340和緩沖層330的第三和第四接觸孔363和364，以便暴露一部分地線層320。在隔層絕緣體360上形成陰極371、漏極372、源極373和第二電容器電極374。陰極371具有單層結(jié)構(gòu)，而漏極372、源極373和第二電容器電極374可以具有雙層結(jié)構(gòu)。陰極371可由透明導(dǎo)電材料例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)等制成。此外漏極372的下部372a、源極373的下部373a和第二電容器電極374的下部374a也都用例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)等透明導(dǎo)電材料制成。相反，漏極372的上部372b、源極373的上部373b和第二電容器電極374的上部374b都用例如金屬等不透明導(dǎo)電材料制成。陰極371與雙層漏極372的下部372a相連，漏極372的下部通過第一接觸孔361與漏區(qū)332接觸。源極373的下部373a通過第二接觸孔362和第三接觸孔363分別與漏區(qū)333和地線層320接觸。第二電容器電極374的下部374a通過第四接觸孔364與地線層320接觸。第一和第二電容器電極352和374與設(shè)在它們之間的隔層絕緣體360一起構(gòu)成存儲電容器。
接著，在隔層絕緣體360上形成覆蓋陰極371、漏極372、源極373和第二電容器電極374的鈍化層380。鈍化層380上具有暴露陰極371的井口381。然后，在鈍化層380上以及井口381內(nèi)形成電致發(fā)光層390，使電致發(fā)光層390通過井口381與陰極371接觸。在電致發(fā)光層390和鈍化層380上形成陽極400。在此，可以看出，陽極400是用不透明導(dǎo)電材料例如金屬制成的。將陽極400設(shè)置在整個(gè)或基本上整個(gè)襯底310上，使陽極400起電源線的作用。
在圖8所示有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的示例性實(shí)例中，在整個(gè)襯底上形成地線層320和電源線陽極層400。因此，減小了電源線的電阻并防止了在裝置運(yùn)行期間產(chǎn)生的電源線熱損耗。由此，提高了圖像質(zhì)量并且能夠獲得均勻的顯示效果。此外，由于地線層320和陰極371是用透明導(dǎo)電層構(gòu)成的而起電源線作用的陽極400是用不透明導(dǎo)電材料制成的，所以，圖8的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置成為光在底部發(fā)射的底部發(fā)光型。
如圖7A-7F的第一實(shí)施例所示，在制作有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置時(shí)，采用了六個(gè)掩模工序。為了在圖8所示制作裝置的過程中僅使用六次掩模，而在隔層絕緣體360上依次形成由透明導(dǎo)電材料和不透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)。然后，利用在陰極371的部分帶有狹縫的專用掩模進(jìn)行曝光工序。由此，即使是漏極和源極372和373以及第二電容器電極374均具有雙層結(jié)構(gòu)也只需六次掩模工序。
同時(shí)，可以通過對沉積的非晶硅層進(jìn)行加熱或激光照射形成具有有源區(qū)、漏區(qū)和源區(qū)的多晶硅半導(dǎo)體層。然而，由于在上述結(jié)構(gòu)中是將地線層設(shè)置在整個(gè)襯底上，然后在地線層之上形成非晶硅層，所以，為結(jié)晶而進(jìn)行的加熱將會通過具有高熱導(dǎo)性的地線層分散，從而使非晶硅層不能完全結(jié)晶。熱分散現(xiàn)象導(dǎo)致結(jié)晶時(shí)間很長而且生成不合適的多晶硅。在圖9中示出了在地線層正上方形成的多晶硅層。如圖9所示，多晶硅的晶粒相對較小，所以由這些小尺寸晶粒構(gòu)成的薄膜晶體管不會有好的電性能。特別是，當(dāng)用激光束結(jié)晶時(shí)，由于激光束的光能在通過地線層時(shí)更容易分散，所以使結(jié)晶過程變得更糟。
因此，為了克服熱能或光能分散的問題，本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例提供了一種地線層，這種地線層上具有很多孔，每個(gè)孔的位置對應(yīng)于半導(dǎo)體層的位置。圖10中示出了具有多個(gè)孔的地線層。地線層421上具有以成排和成列的形式布置的多個(gè)孔421a。每個(gè)孔421a對應(yīng)于一個(gè)薄膜晶體管，具體地說是，對應(yīng)于具有有源區(qū)、漏區(qū)和源區(qū)的半導(dǎo)體層。當(dāng)采用圖10的地線層時(shí)，多晶硅半導(dǎo)體層具有較大的晶粒。
圖11是表示形成上述圖10所述地線層的多晶硅層的照片。由于地線層421的孔421a的存在，使得當(dāng)將非晶硅結(jié)晶時(shí)，非晶硅不會得不到熱能或光能。因此，如圖11所示，多晶硅半導(dǎo)體層的晶粒變得較大。具有這種大尺寸多晶硅半導(dǎo)體層的薄膜晶體管可以獲得很好的電特性。
本發(fā)明的上述實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)。
首先，由于是將地線和電源線完整地設(shè)置在襯底上，所以減小了電源線的電阻并避免了在裝置運(yùn)行期間出現(xiàn)的電源線熱損耗。因此，提高了圖像質(zhì)量并獲得了均勻顯示的效果。
第二，由于陰極是與漏極和源極同時(shí)形成的，所以減少了制作工序并降低了生產(chǎn)成本。此外，由于工序減少而降低了故障出現(xiàn)率，并提高了產(chǎn)量。
第三，本發(fā)明的原理既可以用于頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，也可以用于底部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。當(dāng)將本發(fā)明的原理用于頂部發(fā)光型時(shí)，有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置能夠具有高孔徑比。
第四，用有機(jī)材料制作設(shè)在柵極線和數(shù)據(jù)線之間的隔層絕緣體并對包含柵極線的襯底表面進(jìn)行平整。因此，在陽極和陰極之間產(chǎn)生均勻電場，改善了圖像的灰度級并提高了裝置的壽命。
對于熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，很顯然，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思或范圍的情況下，可以對本發(fā)明做出各種改進(jìn)和變型。因此，本發(fā)明意在覆蓋那些落入所附權(quán)利要求及其等同物范圍內(nèi)的改進(jìn)和變型。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，包括襯底；設(shè)在襯底上的地線層；設(shè)在地線層上的緩沖層；設(shè)在緩沖層上的多晶硅半導(dǎo)體層，所述多晶硅半導(dǎo)體層上設(shè)有有源區(qū)、漏區(qū)和源區(qū)，其中有源區(qū)設(shè)置在多晶硅層的中部，漏區(qū)和源區(qū)設(shè)在有源區(qū)的兩側(cè)；設(shè)在緩沖層上并覆蓋多晶硅層的柵極絕緣層；設(shè)在柵極絕緣層上的柵極，該柵極位于多晶硅層有源區(qū)的上方；設(shè)在柵極絕緣層上的第一電容器電極；設(shè)在柵極絕緣層上并覆蓋柵極和第一電容器電極的隔層絕緣體；設(shè)在隔層絕緣體上的漏極和源極，漏極和源極分別通過貫穿隔層絕緣體和柵極絕緣層的第一和第二接觸孔與漏區(qū)和源區(qū)接觸；設(shè)在隔層絕緣體上并與漏極相連的陰極；設(shè)在隔層絕緣體上的第二電容器電極；設(shè)在隔層絕緣體上并覆蓋漏極、源極、陰極和第二電容器電極的鈍化層，所述鈍化層具有使陰極暴露的井口；在鈍化層上和井口內(nèi)形成的有機(jī)電致發(fā)光層，所述有機(jī)電致發(fā)光層通過井口與陰極接觸；和設(shè)在鈍化層暴露部分以及有機(jī)電致發(fā)光層上的陽極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中柵極與第一電容器電極電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中柵極和第一電容器電極用相同材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中源極通過貫穿隔層絕緣體、柵極絕緣層和緩沖層并使一部分地線層暴露的第三接觸孔與地線層接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中第二電容電極通過貫穿隔層絕緣體、柵極絕緣層和緩沖層并使一部分地線層暴露的第四接觸孔與地線層接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中基本上是在整個(gè)襯底上設(shè)置陽極，所述陽極起電源線的作用。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中第一和第二電容器電極與設(shè)在它們之間的隔層絕緣體層一起構(gòu)成存儲電容器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中在多晶硅半導(dǎo)體層的漏區(qū)和源區(qū)上攙雜離子，而有源區(qū)為純硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中地線層具有多個(gè)孔，每個(gè)孔的位置對應(yīng)于多晶硅半導(dǎo)體層的位置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中地線層包括不透明導(dǎo)電材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中不透明導(dǎo)電材料是金屬。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中陰極、漏極、源極和第二電容器電極包括相同材料的不透明導(dǎo)電材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中不透明導(dǎo)電材料是金屬。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中陽極包括透明導(dǎo)電材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中透明導(dǎo)電材料包括氧化銦錫和氧化銦鋅之一。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中地線層包括透明導(dǎo)電材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中透明導(dǎo)電材料是氧化銦錫和氧化銦鋅之一。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中陰極包括透明導(dǎo)電材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其中透明導(dǎo)電材料是氧化銦錫和氧化銦鋅之一。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中陽極包括不透明導(dǎo)電材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置，其中不透明導(dǎo)電材料為金屬。
22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中漏極、源極和第二電容器電極具有由透明導(dǎo)電材料和不透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的裝置，其中透明導(dǎo)電材料包括氧化銦錫和氧化銦鋅之一，而不透明導(dǎo)電材料包括金屬。
24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中隔層絕緣體由有機(jī)材料制成。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的裝置，其中隔層絕緣體包括苯并環(huán)丁烯。
26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中柵極處于有源區(qū)的正上方。
27.一種制造有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置的方法，包括在襯底上形成地線層；在地線層上形成緩沖層；在緩沖層上形成多晶硅半導(dǎo)體層；在緩沖層上形成覆蓋多晶硅層的柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成柵極和第一電容器電極，所述柵極設(shè)在多晶硅層的上方；用柵極作為掩模將離子攙雜到多晶硅半導(dǎo)體層中，使得多晶硅半導(dǎo)體層具有有源區(qū)、漏區(qū)和源區(qū)，其中，有源區(qū)設(shè)在多晶硅層的中部并位于柵極的下方，而漏區(qū)和源區(qū)設(shè)在有源區(qū)的兩側(cè)；在柵極絕緣層上形成覆蓋柵極和第一電容器電極的隔層絕緣體；形成第一、第二、第三和第四接觸孔，其中第一和第二接觸孔通過貫穿隔層絕緣體和柵極絕緣層而分別暴露漏區(qū)和源區(qū)，而第三和第四接觸孔通過貫穿隔層絕緣體、柵極絕緣層以及緩沖層而暴露部分地線層；在隔層絕緣體上形成漏極和源極，所述漏極和源極通過第一接觸孔和第二接觸孔分別與漏區(qū)和源區(qū)相接觸；在隔層絕緣體上形成陰極，所述陰極與漏極相連；在隔層絕緣體上形成第二電容器電極；在隔層絕緣體上形成覆蓋漏極、源極、陰極和第二電容器電極的鈍化層，所述鈍化層具有使陰極暴露的井口(bank)；在鈍化層上和井口內(nèi)形成有機(jī)電致發(fā)光層，所述有機(jī)電致發(fā)光層通過井口與陰極接觸；和在鈍化層的暴露部分以及有機(jī)電致發(fā)光層上形成陽極。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中將柵極與第一電容器電極電性連接。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中用相同材料制作柵極和第一電容器電極。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中通過第三接觸孔使源極與地線層接觸，該第三接觸孔暴露部分地線層。
31.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中通過使一部分地線層暴露的第四接觸孔使第二電容器電極與地線層接觸。
32.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中基本上是在整個(gè)襯底上設(shè)置陽極，所述陽極起電源線的作用。
33.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中用第一和第二電容器電極與設(shè)在它們之間的隔層絕緣體層一起構(gòu)成存儲電容器。
34.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中在多晶硅半導(dǎo)體層的漏區(qū)和源區(qū)上攙雜離子，而有源區(qū)保持為純硅。
35.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中形成地線層包括在地線層上形成具有多個(gè)孔，每個(gè)孔的位置對應(yīng)于多晶硅半導(dǎo)體層的位置。
36.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中地線層由不透明導(dǎo)電材料制成。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中不透明導(dǎo)電材料是金屬。
38.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中形成漏極和源極、形成陰極和形成第二電容器電極的過程是在同一掩模工序中用相同材料的不透明導(dǎo)電材料完成的。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其中不透明導(dǎo)電材料是金屬。
40.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中陽極由透明導(dǎo)電材料制成。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的方法，其中透明導(dǎo)電材料包括氧化銦錫和氧化銦鋅之一。
42.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中地線層由透明導(dǎo)電材料制成。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，其中透明導(dǎo)電材料是氧化銦錫和氧化銦鋅之一。
44.根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，其中形成漏極和源極、形成陰極和形成第二電容器電極的過程是在同一時(shí)間使用同一掩模和使用不透明導(dǎo)電材料完成的。
45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其中掩模在對應(yīng)于陰極的位置上有狹縫。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的方法，其中陰極具有由透明導(dǎo)電材料形成的單層結(jié)構(gòu)。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其中透明導(dǎo)電材料包括氧化銦錫和氧化銦鋅之一。
48.根據(jù)權(quán)利要求45所述的方法，其中漏極、源極和第二電容器電極具有由透明導(dǎo)電材料和不透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)。
49.根據(jù)權(quán)利要求48所述的方法，其中透明導(dǎo)電材料包括氧化銦錫和氧化銦鋅之一，而不透明導(dǎo)電材料包括金屬。
50.根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，其中陽極由不透明導(dǎo)電材料制成。
51.根據(jù)權(quán)利要求50所述的方法，其中不透明導(dǎo)電材料是金屬。
52.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中隔層絕緣體由有機(jī)材料制成。
53.根據(jù)權(quán)利要求52所述的方法，其中隔層絕緣體包括苯并環(huán)丁烯。
54.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中將柵極設(shè)置在多晶硅層的正上方。
全文摘要
與現(xiàn)有技術(shù)使用八道掩模工序不同的是，本發(fā)明的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置是通過六道掩模工序完成的。在本發(fā)明中，由于地線和電源線完全地或基本上完全地設(shè)置在襯底上，所以減小了電源線的電阻并防止了在裝置運(yùn)行期間出現(xiàn)在電源線上的熱損耗。因此，提高了圖像質(zhì)量并獲得了均勻顯示效果。此外，由于減少了掩模工序，減少了出現(xiàn)故障的機(jī)會并由此提高的產(chǎn)量。此外，本發(fā)明的原理可應(yīng)用于頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置或底部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。當(dāng)采用頂部發(fā)光型時(shí)，有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置能夠具有高孔徑比。
文檔編號H01L21/3205GK1457220SQ0312413
公開日2003年11月19日 申請日期2003年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月3日
發(fā)明者樸宰用, 樸浚圭 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社