專(zhuān)利名稱(chēng)：具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件的制作方法，且特別是一種具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
一般而言，金屬氧化半導(dǎo)體(MOS)元件由金屬層、氧化層和半導(dǎo)體襯底構(gòu)成。由于金屬與氧化物間的黏著性不佳，常使用多晶硅取代金屬以形成MOS元件中柵極結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層。然而，多晶硅的缺點(diǎn)在于其電阻比金屬高，雖可藉由雜質(zhì)摻雜來(lái)降低電阻，然而所產(chǎn)生的導(dǎo)電性仍無(wú)法作為一良好的導(dǎo)電層。常見(jiàn)的解決方法之一就是在多晶硅層上增加一層如常見(jiàn)的鎢化硅(WSi)的金屬硅化物層以改善柵極結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電性。此外，上述的柵極結(jié)構(gòu)還包括位于金屬硅化物層上的上蓋層(cap layer)，以及位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯墊層(liner)和間隔壁(spacer)，該些上蓋層和間隔壁的材質(zhì)優(yōu)選是氮化硅(silicon nitride)，以提供柵極結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)慕^緣保護(hù)。
在上述作為字線用途的柵極結(jié)構(gòu)形成后，并配合后續(xù)如硼磷硅玻璃(BPSG)材質(zhì)的介電層沉積和光刻等工序，將可在兩鄰近字線(word-line，WL)間適當(dāng)位置的介電層(如硼磷硅玻璃)中形成一開(kāi)口(opening)并露出其內(nèi)的半導(dǎo)體襯底，并接著在此開(kāi)口填入適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料，以在此開(kāi)口內(nèi)形成與后續(xù)金屬線，如位線(bit-line，BL)間電連接的接觸節(jié)點(diǎn)(contact node)。上述工藝即是近來(lái)半導(dǎo)體元件制作技術(shù)中被廣泛使用的自對(duì)準(zhǔn)接觸(self-alignedcontact，SAC)開(kāi)口(opening)技術(shù)。
然而，在形成上述開(kāi)口的過(guò)程中，將無(wú)法避免部分去除該些柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的間隔壁(spacers)材料(例如為氮化硅)，并在此開(kāi)口形成后，該些柵極結(jié)構(gòu)內(nèi)的導(dǎo)電材料仍可被上述間隔壁保護(hù)而不暴露在此開(kāi)口中。假使該些柵極內(nèi)的導(dǎo)電材料部分暴露在此開(kāi)口中，該些元件將會(huì)損失而無(wú)法表現(xiàn)出其原先的功能。在目前的半導(dǎo)體工藝中，仍無(wú)法避免地會(huì)發(fā)現(xiàn)上述間隔壁被過(guò)度蝕刻所導(dǎo)致的柵極結(jié)構(gòu)內(nèi)導(dǎo)電材料(如鎢化硅或多晶硅等)外露情形，即是現(xiàn)有的位線接觸(bit-line contact，CB)結(jié)構(gòu)與字線短路情形(CB to WLshort)，進(jìn)而造成半導(dǎo)體元件的電損失。另外如果在上述開(kāi)口的過(guò)程中若蝕刻不足則會(huì)導(dǎo)致另一現(xiàn)有的位線接觸斷路(bit-line contact open，CB open)。
此外，隨著工藝的微縮，鄰近柵極間的間距變小，相對(duì)的深寬比(aspectratio)則變大。對(duì)于填入柵極間的介電層(如硼磷硅玻璃)，如果填入能力(gap-fill)不佳造成空洞(void)，則會(huì)導(dǎo)致后續(xù)填入導(dǎo)電材料在自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)開(kāi)口時(shí)造成位線接觸與鄰近另一位線接觸短路(CB to CB short)，進(jìn)而造成半導(dǎo)體元件的電損失，并影響生產(chǎn)的合格率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的就是提供一種具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法，以避免連結(jié)位線接觸結(jié)構(gòu)與字線短路(CB to WL short)、位線接觸斷路(CB open)、位線接觸與鄰近另一位線接觸短路(CB to CB short)等情形。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法，其結(jié)構(gòu)包括一半導(dǎo)體襯底；一柵極介電層、一柵極導(dǎo)電層以及一上蓋層順序堆疊在上述半導(dǎo)體襯底上以構(gòu)成一柵極結(jié)構(gòu)；一襯墊層，形成在上述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上，其中上述柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)邊上的上述襯墊層被部分蝕刻去除，并部分露出鄰近的上述柵極結(jié)構(gòu)。
此外，上述本發(fā)明的單一側(cè)邊具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)其在后續(xù)自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)工藝的應(yīng)用，可還包括下列結(jié)構(gòu)一層間介電層，覆蓋在上述柵極結(jié)構(gòu)上；以及一位線接觸窗，形成在上述層間介電層內(nèi)并露出上述位線接觸窗內(nèi)的半導(dǎo)體襯底和部分上述柵極結(jié)構(gòu)，其中露出的上述柵極結(jié)構(gòu)部分內(nèi)側(cè)壁上的上述襯墊層被部分蝕刻去除。
再者，上述具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法則包括下列步驟提供一半導(dǎo)體襯底，在該半導(dǎo)體襯底上具有至少兩鄰近的柵極結(jié)構(gòu)，其中上述柵極結(jié)構(gòu)由形成在半導(dǎo)體襯底的一柵極介電層、一柵極導(dǎo)電層以及一上蓋層構(gòu)成，且上述柵極結(jié)構(gòu)的各側(cè)邊覆蓋有一襯墊層；順序形成一保護(hù)層和一掩膜層在上述柵極結(jié)構(gòu)上；在掩膜層內(nèi)定義出至少一開(kāi)口，并蝕刻部分上述開(kāi)口內(nèi)的該保護(hù)層，以部分露出開(kāi)口內(nèi)兩鄰近柵極結(jié)構(gòu)單一側(cè)邊上的襯墊層；蝕刻去除上述部分露出的襯墊層，且可選擇地局部去除鄰近該些露出襯墊層的柵極導(dǎo)電層；去除掩膜層和保護(hù)層；以及形成一間隔壁覆蓋在上述柵極結(jié)構(gòu)各側(cè)壁上，以形成多個(gè)單一側(cè)邊具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)。
此外，將上述本發(fā)明的一側(cè)邊具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)其應(yīng)用于后續(xù)自對(duì)準(zhǔn)接觸開(kāi)口(SAC)工藝的制作方法，還包括下列步驟形成一層間介電層覆蓋在該些柵極結(jié)構(gòu)上；以及施行一光刻的工序以在該層間介電層定義出至少一位線接觸窗并露出該位線接觸窗內(nèi)的半導(dǎo)體襯底和部分該些鄰近柵極結(jié)構(gòu)。
再者，本發(fā)明也提供了另一種具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，其結(jié)構(gòu)包括一半導(dǎo)體襯底；一柵極介電層、一柵極導(dǎo)電層以及一上蓋層順序堆疊在上述半導(dǎo)體襯底上以構(gòu)成一柵極結(jié)構(gòu)，一襯墊層，分別形成在該柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)壁上，其中該柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)壁上的該襯墊層被部分蝕刻去除并部分露出鄰近的該柵極結(jié)構(gòu)。
此外，上述本發(fā)明的兩側(cè)邊具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)其在后續(xù)自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)工藝的應(yīng)用，可還包括下列結(jié)構(gòu)一層間介電層，覆蓋在上述柵極結(jié)構(gòu)上；以及一位線接觸窗，形成在上述層間介電層內(nèi)并露出位線接觸窗內(nèi)的半導(dǎo)體襯底和部分上述柵極結(jié)構(gòu)，其中露出的該柵極結(jié)構(gòu)部分內(nèi)側(cè)壁上的該襯墊層被部分蝕刻去除。
此外，上述按照本發(fā)明的另一種具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括下列步驟提供一半導(dǎo)體襯底，在該半導(dǎo)體襯底上具有至少兩鄰近的柵極結(jié)構(gòu)，其中該些柵極結(jié)構(gòu)由形成在該半導(dǎo)體襯底的一柵極介電層、一柵極導(dǎo)電層以及一上蓋層構(gòu)成，且該些柵極結(jié)構(gòu)的各側(cè)邊覆蓋有一襯墊層；形成一保護(hù)層在該些柵極結(jié)構(gòu)上；蝕刻部分該保護(hù)層，以部分露出該些柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)邊上的該襯墊層；蝕刻去除該些露出的襯墊層部分；去除該保護(hù)層；以及形成一間隔壁覆蓋在該些柵極結(jié)構(gòu)各側(cè)壁上以形成多個(gè)兩側(cè)邊具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)。此外，在蝕刻去除上述部分露出的襯墊層后可還包括一局部去除鄰近上述露出襯墊層的柵極導(dǎo)電層的步驟。
此外，將上述本發(fā)明的兩側(cè)邊具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)其應(yīng)用于后續(xù)自對(duì)準(zhǔn)接觸開(kāi)口(SAC)工藝的制作方法，還包括下列步驟
形成一層間介電層覆蓋在該些柵極結(jié)構(gòu)上；以及施行一光刻的工序以在該層間介電層定義出至少一位線接觸窗并露出該位線接觸窗內(nèi)的半導(dǎo)體襯底和部分該些鄰近柵極結(jié)構(gòu)。
使用本發(fā)明的形成具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)的自對(duì)準(zhǔn)接觸開(kāi)口的方法，可改善現(xiàn)有如位線接觸結(jié)構(gòu)與字線短路情形(CB to WL short)、位線接觸斷路(CB open)、位線接觸與鄰近另一位線接觸短路(CB to CB short)等情形，以及具有加大鄰近柵極間的間距(如圖6和圖15內(nèi)的間距X)以提供自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)工藝中的工藝裕度(process window)并適應(yīng)柵極結(jié)構(gòu)線寬間距縮小的趨勢(shì)。
此外，本發(fā)明所形成具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)不會(huì)改變后續(xù)離子注入(ion implantation)工藝的注入?yún)^(qū)域，其柵極溝道長(zhǎng)度(channel length)仍可維持一定，不受到襯墊層局部蝕刻的影響。且本發(fā)明可由現(xiàn)有工藝稍加改進(jìn)，可迅速和容易地導(dǎo)入現(xiàn)有工藝中。


圖1～7是一系列剖面圖，用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施例中制作具有單一側(cè)邊局部蝕刻?hào)艠O結(jié)構(gòu)的自對(duì)準(zhǔn)接觸開(kāi)口的方法。
圖8～16是一系列剖面圖，用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施例中制作具有兩側(cè)邊局部蝕刻?hào)艠O結(jié)構(gòu)的自對(duì)準(zhǔn)接觸開(kāi)口的方法。
附圖標(biāo)記說(shuō)明10～硅襯底； 12～柵極介電層；14～多晶硅層； 16～金屬硅化物層；18～上蓋層； 20～襯墊層；22～保護(hù)層； 24～第一掩膜層；26～間隔壁； 28～摻雜區(qū)；30～層間介電層； 32～第二掩膜層；34～接觸節(jié)點(diǎn)； G～柵極結(jié)構(gòu)；OP、OP’～開(kāi)口； X～間距。
具體實(shí)施例方式
第一實(shí)施例本發(fā)明中形成具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)的方法，以及將該具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)應(yīng)用在自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)工藝的第一實(shí)施例將配合圖1至圖7作一詳細(xì)敘述如下。
首先請(qǐng)參照?qǐng)D1，提供一半導(dǎo)體襯底，例如是一硅襯底10，其表面上具有至少兩鄰近的柵極結(jié)構(gòu)G。該些柵極結(jié)構(gòu)G包含由順序堆疊在硅襯底10上的柵極介電層12、多晶硅層14、金屬硅化物層16以及上蓋層18構(gòu)成，而襯墊層(liner)20成長(zhǎng)在硅襯底10表面和柵極結(jié)構(gòu)G內(nèi)的多晶硅層14和金屬硅化物層16部分的側(cè)壁上。上述的柵極介電層12、多晶硅層14、金屬硅化物層16、上蓋層18以及襯墊層20的材質(zhì)優(yōu)選地分別為二氧化硅、經(jīng)適當(dāng)雜質(zhì)摻雜的多晶硅、鎢化硅(Tungsten Silicide)、氮化硅(silicon nitride)以及快速熱氧化層(rapid thermal oxide)等材料，而多晶硅層14和金屬硅化物層16則構(gòu)成該些柵極結(jié)構(gòu)G的柵極導(dǎo)電層。
請(qǐng)參照?qǐng)D2，接著順序地在硅襯底10上形成保護(hù)層22和第一掩膜層24并覆蓋在該些柵極結(jié)構(gòu)G上。上述保護(hù)層22例如是有機(jī)抗反射材料(BARC)，而該第一掩膜層24則例如是光致抗蝕劑材料。接著還通過(guò)一顯影工序(未顯示)以在該第一掩膜層24適當(dāng)位置內(nèi)定義出一開(kāi)口OP，并露出開(kāi)口OP內(nèi)的該保護(hù)層22。上述開(kāi)口OP對(duì)應(yīng)至后續(xù)位線接觸窗(bit-line contact，CB)的相對(duì)位置，定義該開(kāi)口OP可使用位線節(jié)點(diǎn)掩膜(bit-line contact nodemask)或位線接觸窗掩膜(bit-line contact mask)來(lái)完成。
請(qǐng)參照?qǐng)D3，接著蝕刻開(kāi)口OP內(nèi)的保護(hù)層22，留下部分保護(hù)層22在襯墊層20上，以部分露出位于開(kāi)口OP內(nèi)該些鄰近柵極結(jié)構(gòu)G單一側(cè)邊上的襯墊層20。
請(qǐng)參照?qǐng)D4，采用如濕法蝕刻之一的適當(dāng)蝕刻方法(如稀釋氫氟酸(DHF)或氫氟酸(HF)與氟化氨(NH4F)的混合溶液(BOE))，蝕刻去除前述未被保護(hù)層22覆蓋而露出的襯墊層20部分，即可得到該些單一側(cè)邊具有局部蝕刻襯墊層的柵極結(jié)構(gòu)G。另可選擇如濕法蝕刻的另一適當(dāng)蝕刻方法(如氨水(NH4OH)與過(guò)氧化氫(H2O2)的混合溶液(RCAl))去除該些柵極結(jié)構(gòu)G側(cè)邊未被該襯墊層20保護(hù)的部分柵極導(dǎo)電層材料(如部分的金屬硅化物層16)，并在去除第一掩膜層24和保護(hù)層22后，即可得到該些單一側(cè)邊具有局部蝕刻?hào)艠O導(dǎo)電層的柵極結(jié)構(gòu)G。在此，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員也可藉由控制先前在開(kāi)口OP內(nèi)保護(hù)層22的蝕刻程度來(lái)調(diào)整所留下保護(hù)層22的高度，并在去除露出的襯墊層20后，使得柵極導(dǎo)電層露出程度還可達(dá)到部分的多晶硅層14，實(shí)際柵極導(dǎo)電層所需的露出情形則視工藝所需可作任意調(diào)整，在此不對(duì)露出部分的金屬硅化物層16加以限定。
請(qǐng)參照?qǐng)D5，接著按照現(xiàn)有的沉積-回蝕刻程序，在該些柵極結(jié)構(gòu)G的兩側(cè)壁上各形成一間隔壁(spacer)26，其材質(zhì)例如是氮化硅。該些間隔壁26除了覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)G側(cè)壁的襯墊層20上，并填入于先前被局部去除的柵極導(dǎo)電層(例如是金屬硅化物層16)內(nèi)。接著并藉由現(xiàn)有的源極/漏極離子注入程序(未顯示)，在該些柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的硅襯底10內(nèi)再形成多個(gè)摻雜區(qū)28以作為該些柵極結(jié)構(gòu)G的源極/漏極(source/drain)。至此，該些單一側(cè)邊具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)G即可作為字線(WL)用。
請(qǐng)參照?qǐng)D6，上述利用本發(fā)明的方法所形成單一側(cè)邊具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)其在后續(xù)自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)工藝的應(yīng)用，接著在該些柵極結(jié)構(gòu)G上再形成例如是硼磷硅玻璃(BPSG)的一層間介電層(interlayerdielectric，ILD)30和例如是光致抗蝕劑材質(zhì)的第二掩膜層32后，配合一光刻的工序，在該些柵極G間適當(dāng)位置的第二掩膜層32和層間介電層30中形成一開(kāi)口(opening)OP’，并露出其內(nèi)硅襯底10中的摻雜區(qū)28和部分該些柵極結(jié)構(gòu)G。而在形成上述開(kāi)口OP’過(guò)程中，雖無(wú)法避免部分去除該些柵極結(jié)構(gòu)G側(cè)邊上的上蓋層18和間隔壁26(spacers)，但由于該些柵極已在先前工藝中形成局部蝕刻，故該些柵極結(jié)構(gòu)G內(nèi)的柵極導(dǎo)電層仍可被間隔壁26和上蓋層18所絕緣保護(hù)而不暴露在該開(kāi)口OP’中。
請(qǐng)參照?qǐng)D7，在去除第二掩膜層32后，接著在開(kāi)口OP’內(nèi)填入如鎢金屬等適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料后，并經(jīng)由一如CMP的平坦化程序后，在開(kāi)口OP’內(nèi)形成與后續(xù)金屬線(未顯示)連接的位線接觸結(jié)構(gòu)34(bitline contact，CB)。在此，開(kāi)口OP’即是一自對(duì)準(zhǔn)開(kāi)口，而上述工藝即是一自對(duì)準(zhǔn)接觸(self-alignedcontact，SAC)工藝。
此外，完成上述具定義開(kāi)口的第一掩膜層24和第二掩膜層32不限于顯影工藝，也可采用納米印刻工藝(Nanoimprint Lithography，NIL)來(lái)完成。
本發(fā)明提供一種具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，將配合圖5和圖7作一詳細(xì)敘述如下。
首先請(qǐng)參照?qǐng)D5，顯示按照本發(fā)明的一種單一側(cè)邊具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)，其包括
半導(dǎo)體襯底(如硅襯底10)；由順序堆疊在上述半導(dǎo)體襯底上的柵極介電層12、柵極導(dǎo)電層(例如由多晶硅14和金屬硅化物層16所構(gòu)成)以及上蓋層18所構(gòu)成的兩鄰近柵極結(jié)構(gòu)G；以及一襯墊層20，分別形成在柵極結(jié)構(gòu)G的兩側(cè)壁上，其中在柵極結(jié)構(gòu)G一側(cè)邊上的襯墊層20被局部蝕刻去除并露出鄰近的柵極結(jié)構(gòu)部分，并還可選擇性地去除該鄰近的露出柵極結(jié)構(gòu)部分(例如是金屬硅化物層16)。此外，在上述柵極結(jié)構(gòu)G的兩側(cè)壁上則分別設(shè)置有一間隔壁26覆蓋在襯墊層20上。
接著請(qǐng)參照?qǐng)D7，顯示將上述本發(fā)明的單一側(cè)邊具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)配合后續(xù)自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)工藝的應(yīng)用所形成的一種單一側(cè)邊具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其還包括層間介電層30，覆蓋在上述柵極結(jié)構(gòu)G上；以及位線接觸窗(例如位線接觸結(jié)構(gòu)34)，形成在上述層間介電層內(nèi)并露出該位線接觸窗內(nèi)的半導(dǎo)體襯底和部分上述柵極結(jié)構(gòu)，其中露出的柵極結(jié)構(gòu)G部分內(nèi)側(cè)壁上的襯墊層20被部分蝕刻去除。
第二實(shí)施例本發(fā)明中形成具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)的方法，以及將該具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)應(yīng)用于自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)工藝的另一實(shí)施例將配合圖8至圖16作一詳細(xì)敘述如下。
首先請(qǐng)參照?qǐng)D8，提供一半導(dǎo)體襯底，例如是一硅襯底10，其表面上具有至少兩鄰近的柵極結(jié)構(gòu)G。該些柵極結(jié)構(gòu)G包含由順序堆疊在硅襯底10上的柵極介電層12、多晶硅層14、金屬硅化物層16以及上蓋層18所構(gòu)成，而襯墊層(liner)20成長(zhǎng)在硅襯底10表面和門(mén)極結(jié)構(gòu)G內(nèi)的多晶硅層14以及金屬硅化物層16部分的側(cè)壁上。上述的柵極介電層12、多晶硅層14、金屬硅化物層16、上蓋層18以及襯墊層20的材質(zhì)優(yōu)選地分別為二氧化硅、經(jīng)適當(dāng)雜質(zhì)摻雜的多晶硅、鎢化硅(Tungsten Silicide)、氮化硅(silicon nitride)以及快速熱氧化層(rapid thermal oxide)等材料，而多晶硅層14和金屬硅化物層16則構(gòu)成該些柵極結(jié)構(gòu)G的柵極導(dǎo)電層。
請(qǐng)參照?qǐng)D9，接著順序在硅襯底10上形成保護(hù)層22和第一掩膜層24并覆蓋在該些柵極結(jié)構(gòu)G上。上述保護(hù)層22材質(zhì)例如是有機(jī)抗反射材料(BARC)，而第一掩膜層24材質(zhì)則例如是光致抗蝕劑材料(photoresist)。接著再通過(guò)一顯影工序(未顯示)以在該些柵極結(jié)構(gòu)G相對(duì)位置上定義出覆蓋在保護(hù)層22上的第一掩膜層24。
請(qǐng)參照?qǐng)D10，接著蝕刻未被第一掩膜層24遮蔽的保護(hù)層22材料，并留下部分的保護(hù)層22在襯墊層20上，以局部露出位于開(kāi)口OP內(nèi)的該些鄰近柵極結(jié)構(gòu)G兩側(cè)邊上的襯墊層20。
此外，上述圖9至圖10的制造流程也可選擇性采用如圖11至圖12所述工藝。請(qǐng)參照?qǐng)D11，在硅襯底10上形成保護(hù)層22并覆蓋在該些柵極結(jié)構(gòu)G上。上述保護(hù)層22材質(zhì)例如是有機(jī)抗反射材料(BARC)或光致抗蝕劑材料(photoresist)。
請(qǐng)參照?qǐng)D12，接著利用一回蝕刻程序(未顯示)，蝕刻該保護(hù)層22，以留下部分的保護(hù)層22在襯墊層20上，并部分露出該些鄰近柵極結(jié)構(gòu)G兩側(cè)邊上的襯墊層20。
接著請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D13，接著采用如濕法蝕刻之一的適當(dāng)蝕刻方法(如稀釋氫氟酸(DHF)或氫氟酸(HF)和氟化氨(NH4F)的混合溶液(BOE))，蝕刻去除如圖10或圖12中的未被保護(hù)層22覆蓋而露出的襯墊層20部分，即可得到該些兩側(cè)邊具有局部蝕刻襯墊層的柵極結(jié)構(gòu)G。另可選擇接著采用如濕法蝕刻的另一適當(dāng)蝕刻方法(如氨水(NH4OH)和過(guò)氧化氫(H2O2)的混合溶液(RCA1))去除該些柵極結(jié)構(gòu)G兩側(cè)邊未被襯墊層20保護(hù)的部分柵極導(dǎo)電層(如金屬硅化物層16)。并在去除第一掩膜層24和保護(hù)層22后，即可得到該些兩側(cè)邊具有局部蝕刻?hào)艠O導(dǎo)電層的柵極結(jié)構(gòu)G。在此，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員也可藉由控制保護(hù)層22的蝕刻程度來(lái)調(diào)整所留下保護(hù)層22的高度，并在去除露出的襯墊層20后，使得柵極導(dǎo)電層露出程度還可達(dá)部分的多晶硅層14，實(shí)際柵極導(dǎo)電層所需的露出情形則視工藝所需可作任意調(diào)整，在此不對(duì)露出部分的金屬硅化物層16加以限定。
請(qǐng)參照?qǐng)D14，接著按照現(xiàn)有的沉積-回蝕刻程序，在該些柵極結(jié)構(gòu)G的兩側(cè)壁上各形成一間隔壁(spacer)26，其材質(zhì)例如是氮化硅材料。上述的間隔壁26除了覆蓋在該些柵極結(jié)構(gòu)G兩側(cè)壁的襯墊層20上，并填入在先前局部去除的柵極導(dǎo)電層(例如是金屬硅化物層16)內(nèi)。接著并藉由現(xiàn)有的源極/漏極離子注入程序(未顯示)，以在該些柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的硅襯底10內(nèi)形成多個(gè)摻雜區(qū)28以作為該些柵極結(jié)構(gòu)G的源極/漏極(source/drain)。至此，該些兩側(cè)邊具有局部蝕刻導(dǎo)電層的柵極結(jié)構(gòu)G即可作字線(WL)用。
請(qǐng)參照?qǐng)D15，上述利用本發(fā)明的方法所形成兩側(cè)邊具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)其在后續(xù)自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)工藝的應(yīng)用，在該些柵極結(jié)構(gòu)G上還形成例如是硼磷硅玻璃(BPSG)的一層間介電層(interlayer dielectric，ILD)30和例如是光致抗蝕劑材質(zhì)的第二掩膜層32后，配合一光刻的工序，在該些柵極G間適當(dāng)位置的第二掩膜層32和層間介電層30中形成一開(kāi)口(opening)OP’，并露出其內(nèi)硅襯底10中的摻雜區(qū)28和部分的該些柵極結(jié)構(gòu)G。而在形成上述開(kāi)口OP’過(guò)程中，雖無(wú)法避免部分去除該些柵極結(jié)構(gòu)G側(cè)邊上的上蓋層18和間隔壁26(spacers)，但由于該些柵極已于先前工藝中形成局部蝕刻，故該些柵極結(jié)構(gòu)G內(nèi)的柵極導(dǎo)電層仍可被間隔壁26和上蓋層18所絕緣保護(hù)而不暴露在該開(kāi)口OP’中。
請(qǐng)參照?qǐng)D16，在去除第二掩膜層32后，接著在開(kāi)口OP’內(nèi)填入如鎢金屬等適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料后，并經(jīng)由一如CMP的平坦化程序后，在開(kāi)口OP’內(nèi)形成與后續(xù)金屬線(未顯示)連接的位線接觸結(jié)構(gòu)34(bit-line contact，CB)。在此，開(kāi)口OP’即是一自對(duì)準(zhǔn)開(kāi)口，而上述工藝即是一自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)工藝。
此外，完成上述具定義開(kāi)口的第一掩膜層24和第二掩膜層32不限于顯影工藝，也可應(yīng)用納米印刻技術(shù)(Nanoimprint Lithography，NIL)來(lái)完成。
本發(fā)明提供另一種具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，將配合圖14和圖16作一詳細(xì)敘述如下。
首先請(qǐng)參照?qǐng)D14，顯示按照本發(fā)明的一種兩側(cè)邊具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)，其包括半導(dǎo)體襯底(如硅襯底10)；由順序堆疊在上述半導(dǎo)體襯底上的柵極介電層12、柵極導(dǎo)電層(例如由多晶硅14和金屬硅化物層16所構(gòu)成)以及上蓋層18構(gòu)成的兩鄰近柵極結(jié)構(gòu)G；以及一襯墊層20，分別形成在柵極結(jié)構(gòu)G的兩側(cè)壁上，其中在柵極結(jié)構(gòu)G兩側(cè)邊上的襯墊層20被局部蝕刻去除并露出鄰近的柵極結(jié)構(gòu)部分，并還可選擇性地去除此鄰近的露出柵極結(jié)構(gòu)部分(例如是金屬硅化物層16)。此外，在上述柵極結(jié)構(gòu)G的兩側(cè)壁上則分別設(shè)置有一間隔壁26覆蓋在襯墊層20上。
接著請(qǐng)參照?qǐng)D16，顯示將上述本發(fā)明的兩側(cè)邊具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)配合后續(xù)自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)工藝的應(yīng)用所形成的一種兩側(cè)邊具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其還包括層間介電層30，覆蓋在上述柵極結(jié)構(gòu)G上；以及位線接觸窗(例如位線接觸結(jié)構(gòu)34)，形成在上述層間介電層內(nèi)并露出該位線接觸窗內(nèi)的半導(dǎo)體襯底和部分上述柵極結(jié)構(gòu)，其中露出的柵極結(jié)構(gòu)G部分內(nèi)側(cè)壁上的襯墊層20被部分蝕刻去除。
請(qǐng)參照?qǐng)D6和圖15，分別顯示出按照本發(fā)明的第一實(shí)施例和第二實(shí)施例中的方法在柵極結(jié)構(gòu)的單一側(cè)邊或兩側(cè)邊所形成具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)，在后續(xù)自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)工藝內(nèi)形成自對(duì)準(zhǔn)開(kāi)口OP’的過(guò)程中，該些柵極結(jié)構(gòu)G內(nèi)的導(dǎo)電材料仍可被兩側(cè)間隔壁26所保護(hù)而不暴露在該開(kāi)口中。該些半導(dǎo)體元件將可表現(xiàn)出其原先的功能而不會(huì)造成現(xiàn)有的位線接觸結(jié)構(gòu)與字線短路情形(CB to WL short)。
此外，藉由第一和第二實(shí)施例的方法，可適度控制柵極導(dǎo)電層去除的程度，以保持柵極結(jié)構(gòu)的阻值(sheet resistance；Rs)不致過(guò)高。再者，隨著該些柵極結(jié)構(gòu)G線寬/間距(line/pitch)縮小的趨勢(shì)，利用本發(fā)明的方法將構(gòu)成柵極導(dǎo)電層中金屬硅化物旁側(cè)的襯墊層去除后，可加大鄰近柵極間的間距(如圖6和圖15內(nèi)所示的間距X)以提供后續(xù)自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)工藝的工藝裕度(process window)，以避免該蝕刻過(guò)程中因蝕刻不足所導(dǎo)致的位線接觸斷路(CB open)。此外，加大鄰近柵極間的間距也可避免填入柵極間的介電層(如硼磷硅玻璃)填入能力(gap-fill)不佳造成的空洞(void)，進(jìn)一步避免后續(xù)填入導(dǎo)電材料在自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)開(kāi)口時(shí)造成位線接觸與鄰近另一位線接觸短路(CB to CB short)。另外，利用本發(fā)明方法所形成具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)，其柵極溝道長(zhǎng)度并不受到上述柵極導(dǎo)電層局部蝕刻的影響，仍可維持一定。
本發(fā)明的特征在于形成具有單一側(cè)邊或兩側(cè)邊局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)，并應(yīng)用于現(xiàn)有自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)工藝，即可避免現(xiàn)有的位線接觸結(jié)構(gòu)與字線短路情形(CB to WL short)、位線接觸斷路(CB open)、位線接觸與鄰近另一位線接觸短路(CB to CB short)等情形。且本發(fā)明的方法可由現(xiàn)有工藝加以改進(jìn)，可容易和迅速地導(dǎo)入現(xiàn)有工藝。
雖然本發(fā)明已結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作各種的更動(dòng)和潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書(shū)所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，包括提供一半導(dǎo)體襯底，在該半導(dǎo)體襯底上具有至少兩鄰近的柵極結(jié)構(gòu)，其中該些柵極結(jié)構(gòu)由形成在該半導(dǎo)體襯底的一柵極介電層、一柵極導(dǎo)電層以及一上蓋層構(gòu)成，且該些柵極結(jié)構(gòu)的各側(cè)邊覆蓋有一襯墊層；順序形成一保護(hù)層和一掩模層在該些柵極結(jié)構(gòu)上；在該掩模層內(nèi)定義出至少一開(kāi)口，并蝕刻部分該開(kāi)口內(nèi)的該保護(hù)層，以部分露出該開(kāi)口內(nèi)兩鄰近柵極結(jié)構(gòu)單一側(cè)邊上的該襯墊層；蝕刻去除該些部分露出的襯墊層；去除該掩模層和該保護(hù)層；以及形成一間隔壁覆蓋在該些柵極結(jié)構(gòu)各側(cè)壁上，以形成多個(gè)單一側(cè)邊具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中在蝕刻去除該些部分露出的襯墊層后還包括局部去除鄰近該些露出襯墊層的該柵極導(dǎo)電層。
3.如權(quán)利要求1所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，還包括形成一層間介電層覆蓋在該些柵極結(jié)構(gòu)上；以及施行一光刻的工序以在該層間介電層定義出至少一位線接觸窗并露出該位線接觸窗內(nèi)的半導(dǎo)體襯底和部分該些鄰近柵極結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該柵極導(dǎo)電層由一多晶硅層和一金屬硅化物層所構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求4所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該金屬硅化物層材質(zhì)是鎢化硅。
6.如權(quán)利要求1所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該保護(hù)層材質(zhì)是有機(jī)抗反射材料。
7.如權(quán)利要求1所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該掩模層材質(zhì)是光致抗蝕劑材料。
8.如權(quán)利要求1所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該上蓋層和該間隔壁材質(zhì)是氮化硅。
9.如權(quán)利要求1所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該襯墊層材質(zhì)是快速熱氧化層。
10.如權(quán)利要求4所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中鄰近該些露出襯墊層的柵極導(dǎo)電層是該金屬硅化物層。
11.如權(quán)利要求3所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該開(kāi)口對(duì)應(yīng)至該位線接觸窗的相對(duì)位置。
12.如權(quán)利要求3所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中定義該開(kāi)口和該位線接觸窗選自顯影工藝或納米印刻工藝。
13.如權(quán)利要求1所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中定義該開(kāi)口使用的掩模選自位線節(jié)點(diǎn)掩?；蛭痪€接觸窗掩模。
14.如權(quán)利要求1所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中蝕刻去除該些部分露出的襯墊層使用稀釋氫氟酸或氫氟酸和氟化氨的混合溶液。
15.如權(quán)利要求2所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中局部去除鄰近該些露出襯墊層的該柵極導(dǎo)電層使用氨水和過(guò)氧化氫的混合溶液。
16.一種具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括一半導(dǎo)體襯底；一柵極介電層、一柵極導(dǎo)電層以及一上蓋層順序堆疊在該半導(dǎo)體襯底上，以構(gòu)成一柵極結(jié)構(gòu)；以及一襯墊層，形成在該柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上，其中該柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)邊上的該襯墊層被部分蝕刻去除并部分露出鄰近的該柵極結(jié)構(gòu)。
17.如權(quán)利要求16所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中還包括一層間介電層，覆蓋在該柵極結(jié)構(gòu)上；以及一位線接觸窗，形成在該層間介電層內(nèi)并露出該位線接觸窗內(nèi)的該半導(dǎo)體襯底和部分該柵極結(jié)構(gòu)，其中露出的該柵極結(jié)構(gòu)部分內(nèi)側(cè)壁上的該襯墊層被部分蝕刻去除。
18.如權(quán)利要求16所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該露出的鄰近柵極結(jié)構(gòu)部分是該柵極導(dǎo)電層。
19.如權(quán)利要求18所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該柵極導(dǎo)電層由一多晶硅層和一金屬硅化物層構(gòu)成。
20.如權(quán)利要求19所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該露出的鄰近柵極結(jié)構(gòu)部分是該金屬硅化物層，且該金屬硅化物層被部分蝕刻去除。
21.如權(quán)利要求16所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中還包括一間隔壁，分別形成在該柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)壁上并覆蓋該襯墊層。
22.如權(quán)利要求16所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該襯墊層材質(zhì)是快速熱氧化層。
23.如權(quán)利要求21所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中間隔壁材質(zhì)是氮化硅。
24.一種具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，包括提供一半導(dǎo)體襯底，在該半導(dǎo)體襯底上具有至少兩鄰近的柵極結(jié)構(gòu)，其中該些柵極結(jié)構(gòu)由形成在該半導(dǎo)體襯底的一柵極介電層、一柵極導(dǎo)電層以及一上蓋層構(gòu)成，且該些柵極結(jié)構(gòu)的各側(cè)邊覆蓋有一襯墊層；形成一保護(hù)層在該些柵極結(jié)構(gòu)上；蝕刻部分該保護(hù)層，以部分露出該些柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)邊上的該襯墊層；蝕刻去除該些露出的襯墊層部分；去除該保護(hù)層；以及形成一間隔壁覆蓋在該些柵極結(jié)構(gòu)各側(cè)壁上以形成多個(gè)兩側(cè)邊具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)。
25.如權(quán)利要求24所述的具有局部柵極的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中在蝕刻部分該保護(hù)層前還包括下列步驟形成一掩模層在該保護(hù)層上；以及在該掩模層內(nèi)定義出多個(gè)掩模圖案，覆蓋在該些柵極結(jié)構(gòu)相對(duì)位置的該保護(hù)層上。
26.如權(quán)利要求24所述的具有局部柵極的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中蝕刻去除該些部分露出的襯墊層后還包括局部去除鄰近該些露出襯墊層的該柵極導(dǎo)電層。
27.如權(quán)利要求24所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，還包括形成一層間介電層覆蓋在該些柵極結(jié)構(gòu)上；以及施行一光刻的工序以在該層間介電層定義出至少一位線接觸窗并露出該位線接觸窗內(nèi)的半導(dǎo)體襯底和部分該些鄰近柵極結(jié)構(gòu)。
28.如權(quán)利要求24所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該柵極導(dǎo)電層由一多晶硅層和一金屬硅化物層所構(gòu)成
29.如權(quán)利要求24所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該保護(hù)層材質(zhì)是有機(jī)抗反射材料或光致抗蝕劑材料。
30.如權(quán)利要求24所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該保護(hù)層材質(zhì)是有機(jī)抗反射材料且該掩模層材質(zhì)是光致抗蝕劑材料。
31.如權(quán)利要求24所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該上蓋層和該間隔物材質(zhì)是氮化硅。
32.如權(quán)利要求27所述的具有局部蝕刻導(dǎo)電層的柵極結(jié)構(gòu)的制作方法，其中鄰近該些露出襯墊層的柵極導(dǎo)電層是該金屬硅化物層。
33.如權(quán)利要求24所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中蝕刻去除該些部分露出的襯墊層使用稀釋氫氟酸或氫氟酸和氟化氨的混合溶液。
34.如權(quán)利要求26所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中局部去除鄰近該些露出襯墊層的該柵極導(dǎo)電層使用氨水和過(guò)氧化氫的混合溶液。
35.一種具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括一半導(dǎo)體襯底；一柵極介電層、一柵極導(dǎo)電層以及一上蓋層順序堆疊在該半導(dǎo)體襯底上以構(gòu)成一柵極結(jié)構(gòu)；以及一襯墊層，形成在該柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上，其中該柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)邊上的該襯墊層分別被部分蝕刻去除并部分露出鄰近的該柵極結(jié)構(gòu)。
36.如權(quán)利要求35所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中還包括一層間介電層，覆蓋在該柵極結(jié)構(gòu)上；以及一位線接觸窗，形成在該層間介電層內(nèi)并露出該位線接觸窗內(nèi)的該半導(dǎo)體襯底和部分該柵極結(jié)構(gòu)，其中露出的該柵極結(jié)構(gòu)部分側(cè)壁上的該襯墊層被部分蝕刻去除。
37.如權(quán)利要求35所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該露出的鄰近柵極結(jié)構(gòu)部分是該柵極導(dǎo)電層。
38.如權(quán)利要求37所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該柵極導(dǎo)電層由一多晶硅層和一金屬硅化物層所構(gòu)成。
39.如權(quán)利要求38所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該露出的鄰近柵極結(jié)構(gòu)部分是該金屬硅化物層，且該金屬硅化物層被部分蝕刻去除。
40.如權(quán)利要求35所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中還包括一間隔壁，分別形成在該柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)壁上并覆蓋該襯墊層。
41.如權(quán)利要求35所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該襯墊層材質(zhì)是快速熱氧化層。
42.如權(quán)利要求40所述的具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中間隔壁材質(zhì)是氮化硅。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有局部蝕刻?hào)艠O的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法，該方法包括提供一半導(dǎo)體襯底，在該半導(dǎo)體襯底上具有至少兩鄰近的柵極結(jié)構(gòu)，其中上述柵極結(jié)構(gòu)由形成在半導(dǎo)體襯底的一柵極介電層、一柵極導(dǎo)電層以及一上蓋層所構(gòu)成，且上述柵極結(jié)構(gòu)的各側(cè)邊覆蓋有一襯墊層；順序形成一保護(hù)層和一掩膜層在上述柵極結(jié)構(gòu)上；在掩膜層內(nèi)定義出至少一開(kāi)口，并蝕刻部分上述開(kāi)口內(nèi)的該保護(hù)層，以部分露出開(kāi)口內(nèi)兩鄰近柵極結(jié)構(gòu)單一側(cè)邊上的襯墊層；蝕刻去除上述部分露出的襯墊層，且可選擇地部分去除鄰近該些露出襯墊層的柵極導(dǎo)電層；去除掩膜層和保護(hù)層；以及形成一間隔壁覆蓋在上述柵極結(jié)構(gòu)各側(cè)壁上，以形成多個(gè)單一側(cè)邊具有局部蝕刻的柵極結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01L21/28GK1542919SQ03125019
公開(kāi)日2004年11月3日 申請(qǐng)日期2003年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月29日
發(fā)明者李岳川, 董明圣 申請(qǐng)人:茂德科技股份有限公司