專利名稱：鰭狀半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種應(yīng)用于靜電放電防護(hù)(electrostatic discharge protection，ESD protection)且其制程可與制造復(fù)數(shù)閘極(multiple-gates)晶體管的制程兼容的鰭狀半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
數(shù)十年來(lái)，為了提高速度、提高組件積集度和降低集成電路的成本，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor，MOSFET)不斷往縮小尺寸的趨勢(shì)發(fā)展。當(dāng)閘極寬度不斷縮小時(shí)，意味著源極和汲極對(duì)信道(channel)的電位所造成的影響程度漸漸增強(qiáng)。因此，當(dāng)閘極寬度縮小至某一程度以下時(shí)，閘極上所施加的電壓實(shí)質(zhì)上已無(wú)法控制信道的開(kāi)或關(guān)狀態(tài)，這種因?yàn)榭s短閘極寬度所衍生的問(wèn)題就是“短信道效應(yīng)(short channel effect)”。傳統(tǒng)上用來(lái)解決短信道效應(yīng)的方式包括有增加半導(dǎo)體基材本體的摻雜濃度、減小閘極氧化層厚度和使用淺源/汲極接合。然而，當(dāng)閘極寬度縮小至50nm以下時(shí)，上述方式已漸漸難以抑制短信道效應(yīng)，取而代之的是形成復(fù)數(shù)閘極的晶體管結(jié)構(gòu)，例如雙閘極或三閘極的晶體管結(jié)構(gòu)，復(fù)數(shù)閘極的晶體管結(jié)構(gòu)可改善閘極和信道間的電容耦合效果、增加閘極對(duì)信道電位的控制能力、抑制短信道效應(yīng)和使晶體管尺寸往不斷縮小的趨勢(shì)發(fā)展。
但是，當(dāng)技術(shù)著重發(fā)展復(fù)數(shù)閘極晶體管的結(jié)構(gòu)及其制造方法時(shí)，很少的相關(guān)技術(shù)著力于提供對(duì)這些納米等級(jí)尺寸的晶體管的靜電放電防護(hù)。由于晶體管尺寸縮小，閘極氧化層也跟著變薄，因此，使得晶體管對(duì)于電壓沖擊(voltage stress)、電性過(guò)沖擊(electrical overstress，EOS)和靜電放電更為敏感。晶體管常常因?yàn)殪o電放電而失效，因此，如圖10所示，對(duì)于一集成電路芯片62而言，都會(huì)在集成電路芯片62和輸入/出焊墊(I/O pad)61的接口間增加一防護(hù)組件或一半導(dǎo)體二極管串行(semiconductor diode string)63，其用來(lái)提供對(duì)集成電路芯片62中的電路的靜電放電防護(hù)。
用于靜電放電防護(hù)的半導(dǎo)體二極管串行必須要有低的串聯(lián)電阻，串聯(lián)電阻低能使靜電放電防護(hù)效果更佳。半導(dǎo)體二極管的電阻主要取決于半導(dǎo)體二極管的尺寸大小、構(gòu)成半導(dǎo)體二極管所使用的材料、電流路徑的長(zhǎng)短和接觸窗對(duì)于n+與p+區(qū)域的接觸電阻。
請(qǐng)參照?qǐng)D1，其繪示現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體二極管形成于硅基材的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，其在具有隔離區(qū)11的硅基材10上形成有p+區(qū)域15和n+區(qū)域16，該p+區(qū)域15和n+區(qū)域16作為二極管的兩端點(diǎn)，多晶硅堆棧層13則連接至陰極或陽(yáng)極。請(qǐng)參照?qǐng)D2，其繪示現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體二極管形成于硅覆絕緣層(silicon-on-insulator，SOI)基材的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，硅覆絕緣層基材包含有一二氧化硅層12和一多晶硅層14，其在具有隔離區(qū)11的硅覆絕緣層基材上形成有p+區(qū)域15和n+區(qū)域16，該p+區(qū)域15和n+區(qū)域16作為二極管的兩端點(diǎn)，多晶硅堆棧層13則連接至陰極或陽(yáng)極。然而，圖1和圖2的半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)，其尺寸大、電流路徑長(zhǎng)，且接觸窗對(duì)于n+與p+區(qū)域的接觸電阻大，致使半導(dǎo)體二極管串行的串聯(lián)電阻高。因此，現(xiàn)有半導(dǎo)體二極管的靜電放電防護(hù)能力仍有待改善。因此，提供一種靜電放電防護(hù)效果佳、且可以和制造復(fù)數(shù)閘極晶體管的制程兼容的半導(dǎo)體二極管，實(shí)為當(dāng)前所需著重的課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種鰭狀半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)，尤其是其用來(lái)接觸的導(dǎo)電件位于半導(dǎo)體鰭狀體兩側(cè)、靜電放電防護(hù)效果佳、可縮小半導(dǎo)體二極管的尺寸且制造此結(jié)構(gòu)的制程可與制造復(fù)數(shù)閘極的晶體管的制程兼容的鰭狀半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種鰭狀的n+/p+穿遂二極管(n+/p+tunneldiode)結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明一方面提供一種半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)包括一半導(dǎo)體基材、一垂直半導(dǎo)體鰭狀體、一第一導(dǎo)電件和一第二導(dǎo)電件。該半導(dǎo)體鰭狀體位于半導(dǎo)體基材上方，其具有摻雜有第一摻雜物的第一重?fù)诫s區(qū)域和摻雜有第二摻雜物的第二重?fù)诫s區(qū)域，第一重?fù)诫s區(qū)域和第二重?fù)诫s區(qū)域分別位于半導(dǎo)體鰭狀體兩側(cè)。第一導(dǎo)電件接觸該第一重?fù)诫s區(qū)域，第二導(dǎo)電件接觸該第二重?fù)诫s區(qū)域。該第一重?fù)诫s區(qū)域和第二重?fù)诫s區(qū)域之間還可以包括有一輕摻雜區(qū)域。
本發(fā)明另一方面提供一種半導(dǎo)體二極管串行的結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)包括一半導(dǎo)體基材、若干個(gè)半導(dǎo)體鰭狀體和一導(dǎo)電件。這些半導(dǎo)體鰭狀體位于該半導(dǎo)體基材上方，每一半導(dǎo)體鰭狀體具有摻雜有第一摻雜物的第一重?fù)诫s區(qū)域和摻雜有第二摻雜物的第二重?fù)诫s區(qū)域，第一重?fù)诫s區(qū)域和第二重?fù)诫s區(qū)域分別位于半導(dǎo)體鰭狀體兩側(cè)。導(dǎo)電件位于其中一半導(dǎo)體鰭狀體的第一重?fù)诫s區(qū)域和相鄰半導(dǎo)體鰭狀體的第二重?fù)诫s區(qū)域之間，用來(lái)電連接此兩相鄰半導(dǎo)體鰭狀體。
本發(fā)明提供的鰭狀半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)，其靜電放電防護(hù)效果佳，可縮小半導(dǎo)體二極管的尺寸，且制造此結(jié)構(gòu)的制程可與制造復(fù)數(shù)閘極的晶體管的制程兼容。


圖1為現(xiàn)有的半導(dǎo)體二極管形成于硅基材的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有的半導(dǎo)體二極管形成于硅覆絕緣層基材的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明的半導(dǎo)體二極管的立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為圖3的俯視圖；圖5為本發(fā)明的n+/p+穿遂二極管的立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明的半導(dǎo)體二極管接觸導(dǎo)電件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為圖6的俯視圖；圖8為本發(fā)明的半導(dǎo)體二極管接觸另一導(dǎo)電件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明的半導(dǎo)體二極管于n+重?fù)诫s區(qū)域與p+重?fù)诫s區(qū)域表面形成一金屬硅化物層的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為半導(dǎo)體二極管保護(hù)一集成電路芯片中的電路的示意圖；圖11為本發(fā)明的半導(dǎo)體二極管串行的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；以及圖12為圖11的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參照?qǐng)D3和圖4，其分別為本發(fā)明半導(dǎo)體二極管20的俯視圖和立體結(jié)構(gòu)示意圖。該半導(dǎo)體二極管20，包括一半導(dǎo)體鰭狀體21，其位于半導(dǎo)體基材表面的一絕緣層23上方，該半導(dǎo)體鰭狀體21自該絕緣層23垂直延伸而出，其具有高度th和寬度tw。半導(dǎo)體鰭狀體21的材料可以為任何半導(dǎo)體材料，例如元素半導(dǎo)體(硅、鍺)、合金半導(dǎo)體(硅-鍺、硅-鍺-碳)或化合物半導(dǎo)體(磷化銦、砷化鎵)，絕緣層23的材料可以為二氧化硅、氮化硅或氧化鋁，較佳情況下半導(dǎo)體鰭狀體21的材料為硅，而絕緣層23的材料為二氧化硅。在形成半導(dǎo)體鰭狀體21的過(guò)程中，可通過(guò)一蝕刻屏蔽22加以定義并蝕刻形成半導(dǎo)體鰭狀體21，蝕刻屏蔽22位于半導(dǎo)體鰭狀體21上方，蝕刻屏蔽22的材料可以為介電材料，例如二氧化硅、氮化硅，或氮化硅位于二氧化硅上方的堆棧層，較佳情況下蝕刻屏蔽22的材料為二氧化硅。根據(jù)本發(fā)明，半導(dǎo)體鰭狀體21的高度th高于200，半導(dǎo)體鰭狀體21的寬度tw介于50～5000。半導(dǎo)體鰭狀體21的側(cè)壁可通過(guò)平滑化而減低其粗糙程度，可以先經(jīng)過(guò)一犧牲式氧化步驟，然后再經(jīng)一側(cè)壁處理步驟(例如在1000℃的氫氣環(huán)境中加熱)。
如圖3所示，半導(dǎo)體鰭狀體21具有摻雜有n-type摻雜物(例如磷、砷或銻)而形成的n+重?fù)诫s區(qū)域212，以及具有摻雜有p-type摻雜物(例如硼或銦)而形成的p+重?fù)诫s區(qū)域211，n+重?fù)诫s區(qū)域212和p+重?fù)诫s區(qū)域211分別位于半導(dǎo)體鰭狀體21兩側(cè)。當(dāng)僅在半導(dǎo)體鰭狀體21側(cè)壁的表面形成此n+重?fù)诫s區(qū)域212和p+重?fù)诫s區(qū)域211，如圖3所示，半導(dǎo)體鰭狀體21的中央?yún)^(qū)域213則可經(jīng)過(guò)摻雜而形成一n-type或一p-type輕摻雜區(qū)域，若中央?yún)^(qū)域213為一p-type輕摻雜區(qū)域，則此半導(dǎo)體二極管20為一n+/p二極管，若中央?yún)^(qū)域213為一n-type輕摻雜區(qū)域，則此半導(dǎo)體二極管20為一p+/n二極管，根據(jù)本發(fā)明，n+重?fù)诫s區(qū)域212或p+重?fù)诫s區(qū)域211的接合深度xj可介于25～1000。
當(dāng)n+重?fù)诫s區(qū)域212或p+重?fù)诫s區(qū)域211的接合深度xj過(guò)深，而使中央?yún)^(qū)域213不存在時(shí)，則n+重?fù)诫s區(qū)域212和p+重?fù)诫s區(qū)域211相鄰接，以使半導(dǎo)體二極管20形成一n+/p+穿遂二極管，如圖5所示。為形成此n+/p+穿遂二極管，摻雜濃度必須高得足以在n+重?fù)诫s區(qū)域212和p+重?fù)诫s區(qū)域211之間形成一穿遂接合，較佳情況下?lián)诫s物濃度高于1019cm-3。由于n+/p+穿遂二極管具有陡峭的電流-電壓特性曲線，尤其是改善了逆向特性曲線，因此n+/p+穿遂二極管無(wú)論在正向與逆向操作上，都廣泛應(yīng)用于微波放大與高速開(kāi)關(guān)上。
請(qǐng)參閱圖6，n+重?fù)诫s區(qū)域212和p+重?fù)诫s區(qū)域211可用導(dǎo)電件24接觸，圖7所示為圖6的俯視圖，導(dǎo)電件24實(shí)質(zhì)上包覆在半導(dǎo)體鰭狀體21的側(cè)壁。導(dǎo)電件24的材料可以為金屬(例如鎢、銅)、金屬氮化物(例如氮化鈦、氮化鉈)、重?fù)诫s半導(dǎo)體(例如n+摻雜的多晶硅)，或者導(dǎo)電件24可以為一選自于金屬氮化物、金屬與重?fù)诫s半導(dǎo)體材料的堆棧層，例如導(dǎo)電件24可包括有一第一導(dǎo)體層251和一第二導(dǎo)體層252，其中第一導(dǎo)體層251位于該第二導(dǎo)體層252下方(如圖8所示)，較佳情況下第一導(dǎo)體層251的材料為氮化鈦，第二導(dǎo)體層252的材料為鎢。
根據(jù)本發(fā)明，可在n+重?fù)诫s區(qū)域212和p+重?fù)诫s區(qū)域211表面形成一金屬硅化物層26(如圖9所示)，如此，導(dǎo)電件24將與金屬硅化物層26形成接觸，金屬硅化物層26的材料可以為硅化鈦、硅化鈷、硅化鎳或硅化鉑。以形成硅化鈷為例，可先沉積鈷于n+重?fù)诫s區(qū)域212與p+重?fù)诫s區(qū)域211表面，然后經(jīng)過(guò)一加熱步驟以形成硅化鈷。實(shí)際上，金屬硅化物層26若溶解穿透至中央?yún)^(qū)域213，反而會(huì)增加半導(dǎo)體二極管的正向與逆向漏電流，尤其對(duì)于當(dāng)金屬硅化物層的穿透深度m接近于接合深度n，例如n+重?fù)诫s區(qū)域212或p+重?fù)诫s區(qū)域211接合深度n縮短或金屬硅化物層的穿透深度m增加，更容易發(fā)生。因此，對(duì)于設(shè)計(jì)本發(fā)明的半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)，應(yīng)留意n+重?fù)诫s區(qū)域212或p+重?fù)诫s區(qū)域211接合深度n與金屬硅化物層的穿透深度m，較佳情況下n+重?fù)诫s區(qū)域212或p+重?fù)诫s區(qū)域211的接合深度n大于金屬硅化物層26的穿透深度至少50。
本發(fā)明鰭狀半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)，其半導(dǎo)體二極管的尺寸小、電流路徑短，且接觸窗對(duì)于n+與p+區(qū)域的接觸電阻小，使得半導(dǎo)體二極管串行的串聯(lián)電阻高，因此，本發(fā)明提供了一種靜電放電防護(hù)能力佳的半導(dǎo)體二極管。
由本發(fā)明圖6所形成的半導(dǎo)體二極管串行如圖11所示，圖12所示為圖11的俯視圖，圖上顯示本發(fā)明鰭狀半導(dǎo)體二極管串行占用的面積小，每一半導(dǎo)體二極管之間是以導(dǎo)電件24相接而形成串連結(jié)構(gòu)。
如圖10所示，當(dāng)欲保護(hù)集成電路芯片62中的電路時(shí)，在集成電路芯片62和輸入/出焊墊61的接口間增加一半導(dǎo)體二極管串行63，半導(dǎo)體二極管串行63分別在兩端電連接于電源供應(yīng)端點(diǎn)VDD和VSS。當(dāng)一正電壓火花放電施加于輸入/出焊墊61時(shí)，電連接于輸入/出焊墊61與VDD之間的半導(dǎo)體二極管串行631將順向偏壓，以保護(hù)集成電路芯片62中的電路。反之，當(dāng)一負(fù)電壓火花放電施加于輸入/出焊墊61時(shí)，電連接于輸入/出焊墊61與VSS之間的半導(dǎo)體二極管串行632將順向偏壓，以保護(hù)集成電路芯片62中的電路。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)，其包括一半導(dǎo)體基材，其特征在于該半導(dǎo)體二極管包括一位于該半導(dǎo)體基材上方的垂直半導(dǎo)體鰭狀體、一第一導(dǎo)電件和一第二導(dǎo)電件；該半導(dǎo)體鰭狀體具有摻雜有第一摻雜物的第一重?fù)诫s區(qū)域和摻雜有第二摻雜物的第二重?fù)诫s區(qū)域，該第一重?fù)诫s區(qū)域和該第二重?fù)诫s區(qū)域分別位于該半導(dǎo)體鰭狀體的兩側(cè)；該第一導(dǎo)電件接觸該第一重?fù)诫s區(qū)域，該第二導(dǎo)電件接觸該第二重?fù)诫s區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一摻雜物為n-type摻雜物，其材料選自于磷、砷和銻之一，該第二摻雜物為p-type摻雜物，其材料選自于硼和銦之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一導(dǎo)電件和該第二導(dǎo)電件的材料為金屬、金屬氮化物或重?fù)诫s半導(dǎo)體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一導(dǎo)電件和該第二導(dǎo)電件都具有一第一導(dǎo)體層和一第二導(dǎo)體層，該第一導(dǎo)體層位于該第二導(dǎo)體層下方，其中該第一導(dǎo)體層的材料為氮化鈦，該第二導(dǎo)體層的材料為鎢。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于該半導(dǎo)體基材為一硅覆絕緣物基材。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一重?fù)诫s區(qū)域和該第二重?fù)诫s區(qū)域相鄰接，使該半導(dǎo)體二極管為一穿遂二極管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于該半導(dǎo)體二極管還包括一蝕刻屏蔽，該蝕刻屏蔽位于該半導(dǎo)體鰭狀體上方，該蝕刻屏蔽的材料為介電材料，選自于二氧化硅、氮化硅和氮化硅位于二氧化硅上方的堆棧層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于該半導(dǎo)體二極管還包括有一金屬硅化物層，該金屬硅化物層位于該第一重?fù)诫s區(qū)域和該第二重?fù)诫s區(qū)域，該金屬硅化物層的材料選自于硅化鈦、硅化鈷、硅化鎳和硅化鉑之一。
9.一種半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)，其包括一半導(dǎo)體基材，其特征在于該半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)包括一位于該半導(dǎo)體基材上方的垂直半導(dǎo)體鰭狀體、一第一導(dǎo)電件和一第二導(dǎo)電件；該半導(dǎo)體鰭狀體具有摻雜有第一摻雜物的第一重?fù)诫s區(qū)域、摻雜有第二摻雜物的第二重?fù)诫s區(qū)域和一輕摻雜區(qū)域，該第一重?fù)诫s區(qū)域和該第二重?fù)诫s區(qū)域分別位于該半導(dǎo)體鰭狀體兩側(cè)；該第一導(dǎo)電件接觸該第一重?fù)诫s區(qū)域，該第二導(dǎo)電件接觸該第二重?fù)诫s區(qū)域。
10.一種半導(dǎo)體二極管串行結(jié)構(gòu)，其包括一半導(dǎo)體基材，其特征在于該半導(dǎo)體二極管串行結(jié)構(gòu)包括若干個(gè)位于該半導(dǎo)體基材上方的半導(dǎo)體鰭狀體和一導(dǎo)電件；每一該半導(dǎo)體鰭狀體具有摻雜有第一摻雜物的第一重?fù)诫s區(qū)域和摻雜有第二摻雜物的第二重?fù)诫s區(qū)域，該第一重?fù)诫s區(qū)域和該第二重?fù)诫s區(qū)域分別位于該半導(dǎo)體鰭狀體兩側(cè)；該導(dǎo)電件位于一半導(dǎo)體鰭狀體的第一重?fù)诫s區(qū)域和相鄰半導(dǎo)體鰭狀體的第二重?fù)诫s區(qū)域之間，用來(lái)電連接該兩相鄰半導(dǎo)體鰭狀體。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體二極管串行結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一摻雜物為n-type摻雜物，其材料選自于磷、砷和銻之一，該第二摻雜物為p-type摻雜物，其材料選自于硼和銦之一。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體二極管串行結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一導(dǎo)電件和該第二導(dǎo)電件的材料為金屬、金屬氮化物或重?fù)诫s半導(dǎo)體。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體二極管串行結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一導(dǎo)電件和該第二導(dǎo)電件都具有一第一導(dǎo)體層和一第二導(dǎo)體層，該第一導(dǎo)體層位于該第二導(dǎo)體層下方，其中該第一導(dǎo)體層的材料為氮化鈦，該第二導(dǎo)體層的材料為鎢。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體二極管串行結(jié)構(gòu)，其特征在于該半導(dǎo)體基材為一硅覆絕緣物基材。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體二極管串行結(jié)構(gòu)，其特征在于該半導(dǎo)體二極管還包括有一蝕刻屏蔽，該蝕刻屏蔽位于該半導(dǎo)體鰭狀體上方，該蝕刻屏蔽的材料為介電材料，選自于二氧化硅、氮化硅和氮化硅位于二氧化硅上方的堆棧層。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體二極管串行結(jié)構(gòu)，其特征在于該半導(dǎo)體二極管還包括有一金屬硅化物層，該金屬硅化物層位于該第一重?fù)诫s區(qū)域和該第二重?fù)诫s區(qū)域，該金屬硅化物層的材料選自于硅化鈦、硅化鈷、硅化鎳和硅化鉑之一。
全文摘要
一種鰭狀半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)，其包括一半導(dǎo)體基材、一垂直半導(dǎo)體鰭狀體、一第一導(dǎo)電件和一第二導(dǎo)電件。該半導(dǎo)體鰭狀體位于該半導(dǎo)體基材上方，該半導(dǎo)體鰭狀體具有摻雜有第一摻雜物的第一重?fù)诫s區(qū)域和摻雜有第二摻雜物的第二重?fù)诫s區(qū)域，第一重?fù)诫s區(qū)域和第二重?fù)诫s區(qū)域分別位于半導(dǎo)體鰭狀體的兩側(cè)，第一導(dǎo)電件接觸該第一重?fù)诫s區(qū)域，第二導(dǎo)電件接觸該第二重?fù)诫s區(qū)域。該第一重?fù)诫s區(qū)域和第二重?fù)诫s區(qū)域之間還可包括一輕摻雜區(qū)域。
文檔編號(hào)H01L29/88GK1532948SQ0313323
公開(kāi)日2004年9月29日 申請(qǐng)日期2003年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月25日
發(fā)明者楊育佳, 楊富量 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司