專利名稱：30納米磁性薄膜的制造技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及鍍膜技術(shù)，30納米磁性薄膜的制造技術(shù)。
背景技術(shù)：
隨著電子水表、電子煤氣表、熱量計走向市場，對微功耗磁傳感器的需求越來越迫切。然而，由于受各種條件的限制，在現(xiàn)有磁敏傳感器中，工作電流在10μA以下(5V下測得)的微功耗磁傳感器未見廠家生產(chǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種30納米磁性薄膜的制造技術(shù)，用于制作微功耗磁傳感器。
本發(fā)明的30納米磁性薄膜制造技術(shù)，利用真空蒸鍍的方法和無氧化結(jié)晶化處理工藝技術(shù)，其特征是選取高純度的Ni、Co，按1∶2.3的比例混合備用；用真空蒸鍍的方法進行薄膜蒸鍍當真空度達到1.0×10-6乇時，加熱承片臺，20分鐘達到450℃，恒溫5分鐘；待蒸發(fā)舟中的Ni、Co蒸發(fā)料溶化后，開始蒸發(fā)，蒸發(fā)速率控制到0.05納米/秒，厚度控制在30納米以下，然后，經(jīng)過無氧化結(jié)晶化處理，使之成為具有各向異性的磁性體薄膜。
本發(fā)明技術(shù)成功地制作出厚度在30納米以下的磁性體薄膜，膜層厚度僅為30納米，經(jīng)過處理后，具有較理想的磁特性，再用該薄膜制成微功耗磁傳感器。該傳感器經(jīng)用戶實際應(yīng)用，技術(shù)指標符合設(shè)計要求。該技術(shù)制作工藝簡單，成膜和無氧化處理一次完成，生產(chǎn)效率高。
圖1為本發(fā)明制作的30納米厚磁性體薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖圖2是鍍膜機的真空室示意圖；
具體實施例方式
本發(fā)明所要制作的30納米厚磁性體薄膜從結(jié)構(gòu)上分層，由下向上依次為基底1、絕緣膜2、敏感膜3和鈍化膜4，利用真空蒸鍍的方法和無氧化結(jié)晶化處理工藝技術(shù)制作，其特征是制造技術(shù)1、磁性原料把純度為99.9％以上的Co、Ni，用分辨率為0.001g的分析天枰，按1∶2.3的比例稱取0.5g，其中Co為0.15g；Ni為0.35g。此重量是根據(jù)制得的薄膜厚度，經(jīng)試驗確定，即，當厚度達到規(guī)定的30納米時，關(guān)閉蒸發(fā)電源，此時允許蒸發(fā)舟有剩余的料，但不允許因料不足而達不到30納米厚度。完成后，放入密閉的玻璃容器內(nèi)充分混合備用。
2、裝片、裝料將帶有絕緣膜2的清潔的Si片作為基底1，放到鍍膜機真空室a的承片臺b上，然后，將已經(jīng)混合好的Co、Ni混合物放入蒸發(fā)舟c的中央位置，見圖2；3、蒸發(fā)按鍍膜機操作規(guī)程抽真空，當真空度達到1.0×10-6乇時，對承片臺進行加熱，20分鐘后溫度達到450℃時，恒溫5分鐘。
打開蒸發(fā)測控裝置，調(diào)整蒸發(fā)源電流，同時觀察蒸發(fā)料的變化情況，待蒸發(fā)料溶化后打開擋板開始蒸鍍。根據(jù)儀器的精密測量，控制蒸發(fā)速率到0.05納米/秒，當磁性敏感薄膜3總厚度達到30納米時，關(guān)擋板和蒸發(fā)電源。蒸鍍完畢。
4、無氧化結(jié)晶化處理用15分鐘的時間，將基底溫度由400度上升到550度，恒溫時間50分鐘。此時鍍膜機內(nèi)的真空度不低于2.0×10-6乇。當時間到達后，按10℃/分的降溫速度進行降溫。溫度低于60℃后，處理完畢。此時，獲得具有良好磁性能的結(jié)晶體磁性薄膜4。
將用上述工藝制作的磁性體薄膜，經(jīng)過半導(dǎo)體平面工藝加工后，制成微功耗磁傳感器，其技術(shù)指標達到設(shè)計要求，滿足用戶試用要求。
權(quán)利要求
1.一種30納米磁性薄膜的制造技術(shù)，利用真空蒸鍍的方法和無氧化結(jié)晶化處理工藝技術(shù)，其特征是磁性原料選取高純度的Ni、Co，按1∶2.3的比例混合備用，然后，通過真空蒸鍍的方法進行薄膜蒸鍍，當真空度達到1.0×10-6乇時，加熱承片臺，20分鐘達到450℃，恒溫5分鐘；待蒸發(fā)料溶化后開始蒸鍍，蒸發(fā)速率控制到0.05納米/秒，厚度控制在30納米以下，在Si片基底(1)的絕緣膜(2)上形成敏感膜(3)，然后，經(jīng)過無氧化結(jié)晶鈍化處理，使之成為具有各向異性的磁性體薄膜(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的30納米磁性薄膜制造技術(shù)，其特征是該薄膜從結(jié)構(gòu)上分層，由下向上依次為Si片基底(1)、絕緣膜(2)、敏感膜(3)和鈍化膜(4)。
全文摘要
30納米磁性薄膜制造技術(shù)，利用真空蒸鍍的方法和無氧化結(jié)晶化處理工藝技術(shù)，其特征是選取高純度的Ni、Co，按12.3的比例混合備用；用真空蒸鍍的方法進行薄膜蒸鍍當真空度達到1.0×10
文檔編號H01F41/14GK1581386SQ03133649
公開日2005年2月16日 申請日期2003年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月7日
發(fā)明者孫仁濤, 王曉雯, 吳東閣, 李紹恒, 李洪儒 申請人:沈陽匯博思賓尼斯傳感技術(shù)有限公司