專(zhuān)利名稱(chēng)：雙溝道積累型變?nèi)莨芗捌渲圃旆椒?br> 技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，具體的說(shuō)是涉及一種雙溝道積累型MOS變?nèi)莨芗捌渲圃旆椒?，所述雙溝道積累型MOS變?nèi)莨芡ǔＴ谏漕l電路中作為可變電容使用。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)代無(wú)線(xiàn)通信的發(fā)展，射頻電路對(duì)其中的無(wú)源器件的性能要求越來(lái)越高?？勺冸娙菔巧漕l電路系統(tǒng)中最重要的無(wú)源器件之一。傳統(tǒng)的反偏PN結(jié)可變電容結(jié)構(gòu)變?nèi)莘秶^小、品質(zhì)因子較低，且工藝技術(shù)與廣泛應(yīng)用的MOS技術(shù)不兼容，因此人們提出了一些基于MOS技術(shù)的電容結(jié)構(gòu)。這些可變電容結(jié)構(gòu)比PN結(jié)電容的變?nèi)莘秶辛撕艽蟮奶岣?，但由于品質(zhì)因子和變?nèi)莘秶_(dá)到最優(yōu)的條件相互矛盾，為了達(dá)到擴(kuò)大變?nèi)莘秶哪康?，常常需要以降低品質(zhì)因子為代價(jià)，這在很大程度上限制了MOS變?nèi)萁Y(jié)構(gòu)的廣泛應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的主要目的是提出了一種雙溝道積累型MOS變?nèi)莨?以下文中簡(jiǎn)稱(chēng)雙溝變?nèi)莨?，所述雙溝變?nèi)莨鼙葌鹘y(tǒng)積累型MOS可變電容(以下簡(jiǎn)稱(chēng)單溝變?nèi)莨?變?nèi)莘秶泻艽筇岣撸夷鼙３趾蛦螠献內(nèi)莨芟喈?dāng)?shù)钠焚|(zhì)因子。
本發(fā)明又一目的是提出了一種雙溝道積累型MOS變?nèi)莨艿闹圃旆椒ā?br> 本發(fā)明的技術(shù)方案為一種雙溝道積累型變?nèi)莨埽ㄓ梢r底、下層溝道、柵氧一、多晶硅柵極、側(cè)墻、源極、漏極組成的單溝變?nèi)莨?，沿單溝變?nèi)莨艿脑礃O、側(cè)墻、柵極和漏極上部淀積或者氧化一層?xùn)叛醵?，在柵氧二的上部再淀積一層多晶硅，構(gòu)成上層溝道；金屬引出線(xiàn)分別從源極和漏極引出，并穿過(guò)柵氧二和上層的多晶硅，將源極、漏極和上下溝道連通起來(lái)，從而形成雙溝道結(jié)構(gòu)的可變電容，通過(guò)一個(gè)柵極同時(shí)控制兩個(gè)溝道的狀態(tài)。
一種雙溝道積累型變?nèi)莨艿闹圃旆椒?，包括按照制作單溝變?nèi)莨艿姆椒?，制作下層溝道、多晶硅柵極、側(cè)墻，注入源極、漏極，(對(duì)于短溝道情況，這里還可能進(jìn)行了自對(duì)準(zhǔn)硅化(即salicide)以減小源、漏、柵的接觸電阻)，源極、漏極注入后，沿單溝變?nèi)莨艿脑礃O、側(cè)墻、柵極和漏極上部淀積或者氧化一層?xùn)叛醵唤又跂叛醵显俚矸e一層原位摻雜的多晶硅，作為上層溝道；分別在兩側(cè)開(kāi)設(shè)源極、漏極引出孔，引出孔貫通柵氧二和上層多晶硅，金屬引出線(xiàn)從引出孔中穿出構(gòu)成源極、漏極，并將上層溝道和下層溝道連通起來(lái)，從而形成雙溝道結(jié)構(gòu)的可變電容。
所述電容結(jié)構(gòu)的一組特征結(jié)構(gòu)參數(shù)為橫向柵長(zhǎng)0.25-2.5um，柵寬不限(垂直紙面方向)，多晶硅柵厚0.05-0.5um，上層多晶硅溝道厚0.1-0.5um，柵氧一厚度3-20nm，柵氧二厚度3-20nm，SOI硅膜厚度0.05-0.23um，埋氧厚度0.08-0.45um，下層溝道摻雜濃度2e16-2e18cm-3，上層多晶硅溝道原位摻雜濃度2e16-2e18cm-3，源漏摻雜濃度1e19-1e21cm-3。所有這些參數(shù)都可以根據(jù)電路要求(如要求的電容大小)和工藝條件等進(jìn)行調(diào)節(jié)。
本發(fā)明在單溝變?nèi)莨芙Y(jié)構(gòu)的多晶硅柵上部又通過(guò)淀積一層?xùn)艠O氧化物和一層原位摻雜多晶硅，形成另一溝道，利用源極和漏極的引出端將兩個(gè)溝道連接，這樣通過(guò)改變柵壓可以同時(shí)改變兩個(gè)溝道內(nèi)的電荷分布狀態(tài)，起到擴(kuò)大變?nèi)莘秶哪康模诒３制淦焚|(zhì)因子與單溝變?nèi)莨芟喈?dāng)?shù)那疤嵯?，使變?nèi)莘秶龃鬄閭鹘y(tǒng)單溝變?nèi)莨艿膬杀?，因此具有廣闊的應(yīng)用前景。


圖1為本發(fā)明基于SOI襯底的N型雙溝變?nèi)莨芙Y(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本發(fā)明基于體硅襯底的N型雙溝變?nèi)莨芙Y(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為本發(fā)明基于SOI襯底的P型雙溝變?nèi)莨芙Y(jié)構(gòu)示意圖。
圖4為N型SOI襯底的雙溝變?nèi)莨?如圖1所示)和N型SOI襯底的單溝變?nèi)莨艿淖內(nèi)萏匦詫?duì)比圖。
圖5為N型SOI襯底的雙溝變?nèi)莨?如圖1所示)和N型SOI襯底的單溝變?nèi)莨艿钠焚|(zhì)因子隨柵電壓變化的特性對(duì)比圖。
圖6為N型體硅襯底的雙溝變?nèi)莨?如圖2所示)和N型體硅襯底的單溝變?nèi)莨艿淖內(nèi)萏匦詫?duì)比圖。
圖7為P型溝道、SOI襯底(如圖3所示)和P型體硅襯底的雙溝變?nèi)莨芎蚉型單溝道變?nèi)莨艿淖內(nèi)萏匦詫?duì)比圖。
圖8為P型SOI襯底雙溝變?nèi)莨?如圖3所示)和P型SOI襯底單溝道變?nèi)莨艿淖內(nèi)萏匦詫?duì)比圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的創(chuàng)新在于在單溝變?nèi)莨芙Y(jié)構(gòu)的多晶硅柵上部又通過(guò)淀積一層?xùn)叛鹾鸵粚釉粨诫s多晶硅，形成一個(gè)溝道，利用源、漏引出將兩個(gè)溝道連接，這樣通過(guò)改變柵壓，可同時(shí)改變兩個(gè)溝道內(nèi)的電荷分布狀態(tài)。對(duì)于N型的溝道，隨著柵壓由負(fù)到正增大，兩個(gè)溝道的狀態(tài)都是由耗盡變到積累，對(duì)應(yīng)的電容由小變大。而兩個(gè)溝道電容是并聯(lián)關(guān)系，因此整個(gè)結(jié)構(gòu)的總電容由小變大。因?yàn)槭莾蓚€(gè)溝道，所以變?nèi)莘秶葌鹘y(tǒng)的積累型MOS電容有很大的增加，這一優(yōu)勢(shì)，在體硅襯底、SOI襯底上都有體現(xiàn)；而且對(duì)于N型摻雜和P型摻雜的溝道也都適用。
以下結(jié)合附圖與計(jì)算機(jī)模擬結(jié)果的分析對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)闡述。
本發(fā)明所述的雙溝變?nèi)莨芙Y(jié)構(gòu)示意圖如圖1、圖2和圖3所示，分別為N型SOI襯底雙溝變?nèi)莨芙Y(jié)構(gòu)示意圖、N型體硅(bulk)襯底雙溝變?nèi)莨芙Y(jié)構(gòu)示意圖和P型SOI襯底雙溝變?nèi)莨苁疽鈭D。
對(duì)于圖1，結(jié)構(gòu)中含有傳統(tǒng)的N型單溝變?nèi)莨芙Y(jié)構(gòu)的基本單元襯底，溝道，與溝道同摻雜類(lèi)型的源極、漏極、多晶硅柵極。按照傳統(tǒng)的單溝變?nèi)莨艿闹谱鞣椒?，?duì)硅片進(jìn)行溝道注入，形成下層溝道；制作柵氧一11，多晶硅柵12；制作側(cè)墻13，然后進(jìn)行源極漏極注入，(對(duì)于短溝道情況，這里還可能進(jìn)行了自對(duì)準(zhǔn)硅化(即salicide)以減小源、漏、柵的接觸電阻)，同時(shí)也對(duì)多晶硅柵實(shí)現(xiàn)了摻雜。本發(fā)明的特點(diǎn)在于在傳統(tǒng)的單溝變?nèi)莨苤谱魍陚?cè)墻、源極漏極注入后，清洗注入保護(hù)層，然后淀積或者氧化得到柵氧二14，其厚度和柵氧一11的厚度相當(dāng)，若兩層?xùn)叛鹾穸确謩e為tox1、tox2，則雙溝變?nèi)莨芸傠娙莸淖畲笾悼捎蒀max＝A*ε0*εsio2/tox1+A*ε0*εsio2/tox2估算。理想工藝條件下，柵氧二的厚度可以和柵氧一相同，則總電容最大值Cmax＝2*Cox＝2A*ε0*εsio2/tox(公式中A為電容極板面積，ε0為真空介電常數(shù)，εsio2為SiO2的相對(duì)介電常數(shù))。
然后在柵氧二14之上再淀積一層原位摻雜(其摻雜類(lèi)型和原下層溝道的摻雜類(lèi)型相同)的多晶硅16，以此作為第二個(gè)溝道；源極漏極的引出孔貫通柵氧二14，上溝道通過(guò)金屬引線(xiàn)15和下層溝道連接起來(lái)，從而就形成了雙溝道結(jié)構(gòu)的可變電容。從制作工藝上來(lái)看，該結(jié)構(gòu)在傳統(tǒng)的CMOS工藝上只增加了兩步，而且無(wú)特殊的對(duì)準(zhǔn)需求，所以是與傳統(tǒng)CMOS工藝兼容的。
需要說(shuō)明的是不論在傳統(tǒng)單溝變?nèi)莨苤谱鞣椒ㄖ惺欠襁M(jìn)行了自對(duì)準(zhǔn)硅化即salicide，都可以在此基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)雙溝道結(jié)構(gòu)的可變電容。所述的源極、漏極、多晶硅柵極的摻雜類(lèi)型均為摻雜濃度很高的重?fù)诫s，濃度在1e19cm-3以上。
圖1的一組典型的結(jié)構(gòu)參數(shù)為橫向柵長(zhǎng)0.9um，柵寬3000um(垂直紙面方向)，多晶硅柵厚0.05um，上層多晶硅溝道厚0.3um，柵氧一厚度10.5nm，柵氧二厚度10.5nm，SOI硅膜厚度0.1um，埋氧厚度0.37um，襯底摻雜濃度2e17cm-3，上層多晶硅溝道原位摻雜濃度2e17cm-3，源漏摻雜濃度1e20cm-3。
圖2典型結(jié)構(gòu)參數(shù)為結(jié)深0.1um，(結(jié)深的取植范圍是0.05-0.5um)，其余同上。
圖3為P型摻雜SOI襯底的雙溝變?nèi)莨芙Y(jié)構(gòu)示意圖。它和N型結(jié)構(gòu)的區(qū)別僅在于各處的摻雜類(lèi)型都相反，都為P型摻雜。P型體硅襯底的雙溝變?nèi)莨芙Y(jié)構(gòu)也類(lèi)似，結(jié)構(gòu)參數(shù)同圖1結(jié)構(gòu)。
需要特別說(shuō)明所有這些結(jié)構(gòu)，柵電極都是在側(cè)面引出，不在主截面上，所以并未在圖1和圖3中反映出來(lái)，但這并不影響下面的分析和結(jié)論。
以圖1結(jié)構(gòu)為例說(shuō)明本發(fā)明可變電容結(jié)構(gòu)的工作方式和原理電容工作時(shí)，源極(S)，漏極(D)，襯底極(B)都接同一電位，并以它們?yōu)殡妷簠⒖键c(diǎn)。通過(guò)改變柵極(G)電壓來(lái)改變電容。當(dāng)柵極電位為較大正值時(shí)，柵極發(fā)出的電力線(xiàn)吸引電子，可變電容的兩個(gè)溝道表面都積累電子(即處于積累狀態(tài))，兩個(gè)溝道對(duì)應(yīng)的電容都為柵氧電容Cox，這兩個(gè)電容是并聯(lián)關(guān)系，因此總電容應(yīng)為2Cox(而傳統(tǒng)單溝道MOS電容，最大電容僅為Cox)。隨著柵極電位降低，吸引電子的能力降低，兩個(gè)溝道的表面都逐漸由積累變?yōu)楹谋M狀態(tài)，因此相當(dāng)于在各自的柵氧電容上串聯(lián)了一個(gè)耗盡層電容，所以其總電容降低。柵極電位越小，其耗盡層寬度越寬，電容越小。當(dāng)兩個(gè)溝道都達(dá)到全耗盡時(shí)，耗盡層寬度不再隨柵電壓變化，則電容保持最小不再變化。
本發(fā)明的特點(diǎn)在于形成了單柵控制的雙溝道，因此可以在相同的面積上，增大了可實(shí)現(xiàn)的最大電容Cmax(作為結(jié)果，其最小電容Cmin也增大)，從而增大可變電容的變?nèi)莘秶?Cmax-Cmin)。
用器件模擬器ISE8.0中的AC分析(交流分析)對(duì)該雙溝道結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)的單溝道結(jié)構(gòu)進(jìn)行了模擬，下面對(duì)這些模擬的提取結(jié)果進(jìn)行分析比較圖4為SOI襯底，N型摻雜雙溝變?nèi)莨?如圖1所示)和其對(duì)應(yīng)的單溝變?nèi)莨艿淖內(nèi)莘秶匦员容^，即柵電容隨柵電壓的變化的特性比較。其中符號(hào)sc(Single Channel)代表單溝道結(jié)構(gòu)，dc(Double Channel)代表雙溝道結(jié)構(gòu)(以下同)。該結(jié)果顯示，單溝變?nèi)莨芙Y(jié)構(gòu)在柵電壓最大時(shí)具有最大電容值，約為Cox(可根據(jù)Cox＝A*ε0*εsio2/tox估算)。而雙溝變?nèi)莨芙Y(jié)構(gòu)的最大電容則略大于2Cox，這因?yàn)槟M中側(cè)墻的厚度較薄，接近柵氧厚度，多晶硅柵通過(guò)側(cè)墻和兩側(cè)的淀積多晶硅構(gòu)成了寄生電容，使得電容增大。采用Cmax-Cmin定義的變?nèi)莘秶p溝道結(jié)構(gòu)比單溝道結(jié)構(gòu)的變?nèi)莘秶龃罅?08％。
從圖5的N型摻雜單溝道、雙溝道變?nèi)莨芷焚|(zhì)因子對(duì)比圖，看到在變?nèi)莘秶龃蟮耐瑫r(shí)，雙溝道結(jié)構(gòu)仍然保持了和單溝道結(jié)構(gòu)大致相當(dāng)?shù)钠焚|(zhì)因子特性。具體來(lái)說(shuō)，在電壓較小時(shí)，雙溝道品質(zhì)因子較高；當(dāng)電壓較大時(shí)，單溝道結(jié)構(gòu)品質(zhì)因子較高。如果取有效變?nèi)莘秶鷥?nèi)的平均值，則二者相近。
圖6為體硅襯底的雙溝變?nèi)莨?如圖2所示)和常規(guī)單溝變?nèi)莨芙Y(jié)構(gòu)的變?nèi)萏匦詫?duì)比圖?？梢?jiàn)其結(jié)果和SOI襯底的對(duì)比圖相似。雙溝道結(jié)構(gòu)的最大電容Cmax、Cmin都比單溝道結(jié)構(gòu)大，總變?nèi)莘秶龃罅?14％。
圖7為P型摻雜的SOI襯底、體硅襯底，單溝變?nèi)莨芎碗p溝變?nèi)莨茈娙萏匦詫?duì)比。P型摻雜雙溝變?nèi)莨艿墓ぷ髟砼cN型情況相同，不同的是，當(dāng)柵電壓較小時(shí)，兩個(gè)溝道表面處于積累狀態(tài)，電容較大，隨電壓增大，溝道耗盡，總電容變小，其電容隨電壓的變化趨勢(shì)與N型摻雜的相反。圖7顯示，雙溝道結(jié)構(gòu)比傳統(tǒng)單溝道結(jié)構(gòu)的變?nèi)莘秶?，都增大了一倍略多?br> 圖8為P型摻雜SOI襯底雙溝變?nèi)莨芎蛦螠献內(nèi)莨艿钠焚|(zhì)因子對(duì)比圖，和N型對(duì)比結(jié)果相同，兩者的品質(zhì)因子也是在同一水平?？紤]到實(shí)際工藝中側(cè)墻比模擬中側(cè)墻取值要厚得多，因此實(shí)際工藝中雙溝變?nèi)莨艿淖畲箅娙輰⒓s為2Cox，因此預(yù)期的變?nèi)莘秶鸀閭鹘y(tǒng)單溝變?nèi)莨艿膬杀丁?br> 綜上，本發(fā)明雙溝道積累型MOS可變電容，可以在與傳統(tǒng)單溝變?nèi)莨鼙３制焚|(zhì)因子相當(dāng)?shù)那闆r下，很大程度地提高變?nèi)莘秶?，而且具有很好的工藝兼容性。這些優(yōu)勢(shì)對(duì)于SOI襯底、體硅襯底，對(duì)于N型摻雜溝道和P型摻雜溝道都成立。各結(jié)構(gòu)參數(shù)也都可以根據(jù)實(shí)際需要和工藝水平調(diào)節(jié)，具有很大的靈活性。在應(yīng)用于射頻電路時(shí)，有取代反偏PN結(jié)二極管電容和傳統(tǒng)的單溝MOS電容的趨勢(shì)，具有非常廣闊的應(yīng)用前景。
最后所應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明而非限制本發(fā)明的技術(shù)方案，盡管參照上述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解依然可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明的精神和范圍的任何修改或局部替換，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1.一種雙溝道積累型變?nèi)莨?，包括由襯底、下層溝道、柵氧一、多晶硅柵極、側(cè)墻、源極、漏極組成的單溝變?nèi)莨埽涮卣髟谟?，沿單溝變?nèi)莨艿脑礃O、側(cè)墻、柵極和漏極上部淀積或者氧化一層?xùn)叛醵?，在柵氧二的上部再淀積一層多晶硅，構(gòu)成上層溝道；金屬引出線(xiàn)分別從源極和漏極引出，并穿過(guò)柵氧二和上層的多晶硅，將源極、漏極和上下溝道連通起來(lái)，從而形成雙溝道結(jié)構(gòu)的可變電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙溝道積累型變?nèi)莨埽涮卣髟谟谒龅纳蠈佣嗑Ч铻樵粨诫s的多晶硅，其摻雜類(lèi)型與原下層溝道的類(lèi)型相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的雙溝道積累型變?nèi)莨?，其特征在于上層溝道的摻雜濃度和原下層溝道的摻雜濃度相當(dāng)，摻雜濃度范圍為2e16-2e18cm-3。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的雙溝道積累型變?nèi)莨埽涮卣髟谟谒錾蠈訓(xùn)叛醵暮穸扰c原柵氧一的厚度相當(dāng)，厚度范圍為0.003-0.02um。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙溝道積累型變?nèi)莨?，其特征在于所述襯底，其類(lèi)型為SOI襯底，或體硅襯底。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙溝道積累型變?nèi)莨埽涮卣髟谟谒鰷系赖膿诫s類(lèi)型，包括源極、漏極、多晶硅柵極的摻雜類(lèi)型為N型或者P型。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙溝道積累型變?nèi)莨?，其特征在于所述的源極、漏極、多晶硅柵極的摻雜類(lèi)型均為重?fù)诫s，濃度在1e19cm-3以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙溝道積累型變?nèi)莨?，其特征在于所述基于SOI襯底的變?nèi)莨?，其一組典型的結(jié)構(gòu)參數(shù)為橫向柵長(zhǎng)0.25-2.5um，柵寬不限，多晶硅柵厚0.05-0.5um，上層多晶硅溝道厚0.1-0.5um，柵氧一厚度3-20nm，柵氧二厚度3-20nm，SOI硅膜厚度0.05-0.23um，埋氧厚度0.08-0.45um，下層溝道摻雜濃度2e16-2e18cm-3，上層多晶硅溝道原位摻雜濃度2e16-2e18cm-3，源漏摻雜濃度1e19-1e21cm-3。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙溝道積累型變?nèi)莨埽涮卣髟谟谒龅幕隗w硅襯底的變?nèi)莨?，其一組典型的結(jié)構(gòu)參數(shù)為橫向柵長(zhǎng)0.25-2.5um，柵寬不限，多晶硅柵厚0.05-0.5um，上層多晶硅溝道厚0.1-0.5um，柵氧一厚度3-20nm，柵氧二厚度3-20nm，下層溝道摻雜濃度2e17cm-3，上層多晶硅溝道原位摻雜濃度2e17cm-3，源漏摻雜濃度1e19-1e21cm-3，結(jié)深0.05-0.5um。
10.一種雙溝道積累型變?nèi)莨艿闹圃旆椒?，包括按照制作單溝變?nèi)莨艿姆椒?，制作下層溝道、柵氧一、多晶硅柵極、側(cè)墻，注入源極、漏極，其特征在于源極、漏極注入后，沿單溝變?nèi)莨艿脑礃O、側(cè)墻、柵極和漏極上部淀積或者氧化一層?xùn)叛醵唤又跂叛醵显俚矸e一層原位摻雜的多晶硅，作為上層溝道；分別在兩側(cè)開(kāi)設(shè)源極、漏極引出孔，引出孔貫通柵氧二和上層多晶硅，金屬引出線(xiàn)從引出孔中穿出構(gòu)成源極、漏極，并將上層溝道和下層溝道連通起來(lái)，從而形成雙溝道結(jié)構(gòu)的可變電容。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種雙溝道積累型變?nèi)莨芗捌渲圃旆椒?，所述的方法包括按照制作單溝變?nèi)莨艿姆椒?，制作下層溝道、柵氧一、柵極、側(cè)墻、源極、漏極，源漏注入后，沿單溝變?nèi)莨艿脑礃O、側(cè)墻、柵極和漏極上部淀積或者氧化一層?xùn)叛醵?；接著在柵氧二之上再淀積一層原位摻雜的多晶硅，作為上層溝道；分別在兩側(cè)開(kāi)設(shè)源極、漏極引出孔，引出孔貫通柵氧二和上層多晶硅，金屬引出線(xiàn)從引出孔中穿出，通過(guò)它將上層溝道和下層溝道連通起來(lái)，從而形成雙溝道結(jié)構(gòu)的可變電容。本發(fā)明通過(guò)單柵同時(shí)控制兩個(gè)溝道，在保持其品質(zhì)因子與單溝變?nèi)莨芟喈?dāng)?shù)那疤嵯?，使變?nèi)莘秶龃鬄閭鹘y(tǒng)單溝變?nèi)莨艿膬杀?，具有廣闊的應(yīng)用前景。
文檔編號(hào)H01L29/66GK1567596SQ0313743
公開(kāi)日2005年1月19日 申請(qǐng)日期2003年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月20日
發(fā)明者延濤, 張國(guó)艷, 黃如, 張興 申請(qǐng)人:北京大學(xué)