專利名稱：在芯片上植設(shè)導(dǎo)電凸塊的半導(dǎo)體封裝件及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制法，特別是關(guān)于一種不需要芯片承載件的半導(dǎo)體封裝件，以及制造該半導(dǎo)體封裝件的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體封裝件是一種承載至少一集成電路組件例如半導(dǎo)體芯片、且通常利用封裝樹(shù)脂包覆并保護(hù)芯片的結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體封裝件的尺寸往往較為輕薄短小，因而開(kāi)發(fā)出一種芯片級(jí)封裝件(chip scale package，CSP)，其特征在于這種CSP結(jié)構(gòu)僅具有與芯片尺寸相等或略大的尺寸。
美國(guó)專利第5,892,179、6,103,552、6,287,893、6,350,668及6,433,427號(hào)案即是一種傳統(tǒng)的CSP結(jié)構(gòu)，是直接在芯片上形成增層(build-uplayers)，無(wú)需使用芯片承載件例如基板或?qū)Ь€架等，且利用重布線(RDL，redistribution layer)技術(shù)將芯片上的焊墊重新配至需要的位置。如圖5所示，這種CSP結(jié)構(gòu)具有多個(gè)形成于芯片10的作用表面(activesurface)100上的增層，包括一介電層(dielectric layer)11，敷設(shè)于芯片10的作用表面100上并開(kāi)設(shè)有多條貫孔110，使芯片10上的焊墊101借該貫孔110外露；以及多條導(dǎo)電跡線12，形成于該介電層11上并電性連接至芯片10上外露的焊墊101。該導(dǎo)電跡線12上可敷設(shè)一拒焊劑層(solder mask layer)13，并借多個(gè)貫穿該拒焊劑層13的開(kāi)孔130，使導(dǎo)電跡線12的預(yù)定部分外露與焊球14焊連，該焊球14是作為與外界裝置(圖未標(biāo))電性連接的輸入/輸出(input/output，I/O)端。因此，利用導(dǎo)電跡線12使與之連接的焊墊101重新配至與焊球14相接的位置，使焊墊101借導(dǎo)電跡線12與焊球14成電性連接關(guān)系。換言之，當(dāng)芯片上的焊墊布設(shè)于周邊(peripheral)部位或呈不等距(uneven pitch)排列時(shí)，能夠利用重布線技術(shù)使該周邊或不等距排列的焊墊，借導(dǎo)電跡線重新配至預(yù)定用以接置焊球且呈數(shù)組式(array)排列的位置，使后續(xù)形成于該預(yù)定位置上的呈數(shù)組排列的焊球(即所謂″球柵陣列″)借導(dǎo)電跡線與焊墊電性連接。
然而上述CSP結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)在于，重布線技術(shù)的施用或布設(shè)于芯片上的導(dǎo)電跡線，往往受限于芯片的尺寸或其作用表面的面積大小，尤其當(dāng)芯片的集成度提升且芯片尺寸日趨縮小的情況下，芯片甚至無(wú)法提供足夠或更多的表面區(qū)域，以安置較多或更多數(shù)量的焊球，供有效地與外界電性連接之用。
有鑒于此，美國(guó)專利第6,271,469號(hào)案的另一種在芯片上形成增層的封裝結(jié)構(gòu)，能夠提供較為充足或較多的表面區(qū)域以承載較多或更多的輸入/輸出端或焊球。如圖6所示，這種封裝結(jié)構(gòu)利用一封裝膠體15遮覆住芯片10的非作用表面102及側(cè)面103，使芯片10的作用表面100外露且與封裝膠體15的表面150齊平。然后，敷設(shè)一第一介電層16于芯片10的作用表面100及封裝膠體15的表面150上，并利用激光鉆孔(laser drilling)技術(shù)開(kāi)設(shè)多個(gè)貫穿該第一介電層16的貫孔160，借以露出芯片10上的焊墊101。接著，形成多條導(dǎo)電跡線12(下稱″第一導(dǎo)電跡線″)于該第一介電層16，并使第一導(dǎo)電跡線12與外露的焊墊101電性連接。而后，于該第一導(dǎo)電跡線12上敷設(shè)一第二介電層17，并開(kāi)設(shè)多個(gè)貫穿第二介電層17的貫孔170，以借該貫孔露出第一導(dǎo)電跡線12的預(yù)定部分，再于該第二介電層17上形成多條第二導(dǎo)電跡線18，使第二導(dǎo)電跡線18與第一導(dǎo)電跡線12的外露部分電性連接。最后，在第二導(dǎo)電跡線18上敷設(shè)拒焊劑層13，使第二導(dǎo)電跡線18的預(yù)定部分借拒焊劑層13的開(kāi)孔130外露而與焊球14焊連。因此，用以包覆芯片10的封裝膠體15的表面150，能夠提供比芯片10作用表面100大的表面區(qū)域，因而能安置較多焊球14以有效與外界電性連接。
然而，上述封裝結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)在于，當(dāng)使用激光鉆孔技術(shù)開(kāi)設(shè)貫穿第一介電層的貫孔，露出芯片上的焊墊時(shí)，芯片上的焊墊被第一介電層遮覆，使激光通常難以準(zhǔn)確地辨認(rèn)出焊墊的位置，因而無(wú)法使開(kāi)設(shè)的貫孔精確地對(duì)應(yīng)至焊墊的位置；由于芯片上的焊墊無(wú)法完全露出，故難以確保導(dǎo)電跡線與焊墊間的電性連接品質(zhì)，使制成品的優(yōu)良率及可靠性受損。同時(shí)，在芯片及封裝膠體上敷設(shè)第一介電層并利用激光鉆孔技術(shù)開(kāi)設(shè)貫孔會(huì)增加成本及工序的復(fù)雜性，且該第一介電層與芯片及封裝膠體具有不同的熱膨脹系數(shù)(CTE，coefficient of thermalexpansion)，故在高溫環(huán)境或熱循環(huán)(thermal cycle)下，第一介電層與芯片及封裝膠體會(huì)產(chǎn)生不同的熱應(yīng)力(thermal stress)，使其間的界面(interface)發(fā)生分層(delamination)，從而降低制成品的品質(zhì)及可靠性。
因此，如何提供一種半導(dǎo)體封裝件，能確保導(dǎo)電跡線與焊墊間的電性連接品質(zhì)并提升制成品的優(yōu)良率及可靠性，實(shí)為一重要課題。

發(fā)明內(nèi)容
為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種在芯片上植設(shè)導(dǎo)電凸塊的半導(dǎo)體封裝件及其制法，該制法是在芯片的焊墊上形成多個(gè)導(dǎo)電凸塊(conductive bump)以突顯出焊墊的位置，從而能確保導(dǎo)電跡線與焊墊間的電性連接品質(zhì)，改善制成品的優(yōu)良率及可靠性(reliability)。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種在芯片上植設(shè)有導(dǎo)電凸塊的半導(dǎo)體封裝件及其制法，它無(wú)需在芯片上敷設(shè)介電層及利用激光技術(shù)開(kāi)設(shè)貫穿介電層的貫孔，以借該貫孔露出芯片上的焊墊，故能降低成本及簡(jiǎn)化工序。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種在芯片上植設(shè)導(dǎo)電凸塊的半導(dǎo)體封裝件及其制法，它無(wú)需在芯片上及用以包覆芯片的封裝膠體上敷設(shè)介電層，故能夠避免介電層與芯片及封裝膠體之間因熱膨脹系數(shù)(CTE，coefficient of thermal expansion)不同而產(chǎn)生分層(delamination)。
為達(dá)成上述及其它目的，本發(fā)明的一種在芯片上植設(shè)導(dǎo)電凸塊的半導(dǎo)體封裝件包括至少一芯片，具有一作用表面及一相對(duì)的非作用表面，并在該作用表面上形成有多個(gè)焊墊，且該非作用表面外露出該封裝膠體；多個(gè)導(dǎo)電凸塊，分別形成于該芯片的焊墊上，且該導(dǎo)電凸塊選自焊錫凸塊、高鉛含量焊錫凸塊、金質(zhì)焊塊、及金質(zhì)栓塊所組成的組群；一封裝膠體，用以包覆該芯片及導(dǎo)電凸塊，并使該導(dǎo)電凸塊的端部外露出該封裝膠體且與該封裝膠體的一表面齊平；多條第一導(dǎo)電跡線，形成于該封裝膠體的表面上并電性連接至該導(dǎo)電凸塊的外露端部；一拒焊劑層，敷設(shè)于該第一導(dǎo)電跡線上并開(kāi)設(shè)有多個(gè)開(kāi)孔，使該第一導(dǎo)電跡線的預(yù)定部分借該開(kāi)孔外露；以及多個(gè)焊球，分別形成于該第一導(dǎo)電跡線的外露部分上。
上述半導(dǎo)體封裝件還包括至少一介電層及多條形成于該介電層上的第二導(dǎo)電跡線，該介電層及第二導(dǎo)電跡線夾設(shè)在該第一導(dǎo)電跡線與拒焊劑層之間，使該介電層敷設(shè)于該第一導(dǎo)電跡線上并開(kāi)設(shè)有多條貫孔，使該第一導(dǎo)電跡線的預(yù)定部分借該貫孔外露，從而與該第二導(dǎo)電跡線電性連接，并使該拒焊劑層敷設(shè)于該第二導(dǎo)電跡線上，并借其開(kāi)孔外露出該第二導(dǎo)電跡線的預(yù)定部分，使該多個(gè)焊球分別形成于該第二導(dǎo)電跡線的外露部分上。
上述半導(dǎo)體封裝件的制法包括下列步驟制備一晶圓，由多個(gè)芯片構(gòu)成，各該芯片具有一作用表面及一相對(duì)的非作用表面，并于該作用表面上形成有多個(gè)焊墊；分別形成多個(gè)導(dǎo)電凸塊于各該芯片的焊墊上；切割該晶圓以形成多個(gè)單離的芯片，各該芯片具有多個(gè)導(dǎo)電凸塊，其中，該導(dǎo)電凸塊是選自焊錫凸塊、高鉛含量焊錫凸塊、金質(zhì)焊塊、及金質(zhì)栓塊所組成的組群；提供一載具，用以承載該多個(gè)芯片，并使各該芯片借其導(dǎo)電凸塊接置于該載具的一表面上，其中，該載具是一膠片；形成一封裝膠體于該載具的表面上，用以包覆該多個(gè)芯片與導(dǎo)電凸塊；進(jìn)行一研磨步驟以研磨該封裝膠體與導(dǎo)電凸塊端部齊平的表面，并磨除遮覆住該芯片的非作用表面的封裝膠體部分，外露出該芯片的非作用表面。移除該載具，使該導(dǎo)電凸塊的端部外露出該封裝膠體且與該封裝膠體的一表面齊平；形成多條導(dǎo)電跡線于該封裝膠體的表面上，并使該導(dǎo)電跡線電性連接至該導(dǎo)電凸塊的外露端部；敷設(shè)一拒焊劑層于該導(dǎo)電跡線上，并開(kāi)設(shè)多個(gè)貫穿該拒焊劑層的開(kāi)孔，使該導(dǎo)電跡線的預(yù)定部分借該開(kāi)孔外露；分別形成多個(gè)焊球于該導(dǎo)電跡線的外露部分上；以及切割該封裝膠體，形成多個(gè)具有單離的芯片的半導(dǎo)體封裝件。
本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法還可通過(guò)下列步驟完成制備一晶圓，由多個(gè)芯片構(gòu)成，各該芯片具有一作用表面及一相對(duì)的非作用表面，并于該作用表面上形成有多個(gè)焊墊；分別形成多個(gè)導(dǎo)電凸塊于各該芯片的焊墊上；切割該晶圓以形成多個(gè)單離的芯片，各該芯片具有多個(gè)導(dǎo)電凸塊，其中該導(dǎo)電凸塊是選自焊錫凸塊、高鉛含量焊錫凸塊、金質(zhì)焊塊、及金質(zhì)栓塊所組成的組群；提供一載具，用以承載該多個(gè)芯片，并使各該芯片借其導(dǎo)電凸塊接置于該載具的一表面上，其中，該載具是一膠片；形成一封裝膠體于該載具的表面上，用以包覆該多個(gè)芯片與導(dǎo)電凸塊；進(jìn)行一研磨步驟以研磨該封裝膠體與導(dǎo)電凸塊端部齊平的表面；移除該載具，使該導(dǎo)電凸塊的端部外露出該封裝膠體且與該封裝膠體的一表面齊平；形成多條第一導(dǎo)電跡線于該封裝膠體的表面上，并使該第一導(dǎo)電跡線電性連接至該導(dǎo)電凸塊的外露端部；敷設(shè)至少一介電層于該第一導(dǎo)電跡線上，并開(kāi)設(shè)多個(gè)貫穿該介電層的貫孔，使該第一導(dǎo)電跡線的預(yù)定部分借該貫孔外露；形成多條第二導(dǎo)電跡線于該介電層上，并使該第二導(dǎo)電跡線電性連接至該第一導(dǎo)電跡線的外露部分；敷設(shè)一拒焊劑層于該第二導(dǎo)電跡線上，并開(kāi)設(shè)多個(gè)貫穿該拒焊劑層的開(kāi)孔，使該第二導(dǎo)電跡線的預(yù)定部分借該開(kāi)孔外露；分別形成多個(gè)焊球于該第二導(dǎo)電跡線的外露部分上；以及切割該封裝膠體，以形成多條具有單離的芯片的半導(dǎo)體封裝件。
上述半導(dǎo)體封裝件是先于芯片的焊墊上植設(shè)多個(gè)導(dǎo)電凸塊，然后借一封裝膠體包覆芯片并使導(dǎo)電凸塊的端部外露出該封裝膠體，使后續(xù)增層能夠形成于該外露的端部上。
綜上所述，這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于，導(dǎo)電凸塊的外露端部能夠突顯出芯片上焊墊的位置，使其易于識(shí)別，使后續(xù)形成于封裝膠體上的導(dǎo)電跡線能夠借導(dǎo)電凸塊良好地電性連接至焊墊，從而改善制成品的優(yōu)良率及可靠性?，F(xiàn)有技術(shù)是需要先在芯片及封裝膠體上形成一介電層，再利用激光鉆孔技術(shù)開(kāi)設(shè)多個(gè)貫穿該介電層的貫孔，以借該貫孔露出芯片上的焊墊，因此，與現(xiàn)有技術(shù)比較，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件則無(wú)需使用介電層及激光鉆孔技術(shù)，故能降低成本并簡(jiǎn)化工序，且芯片上的焊墊不會(huì)被介電層所遮覆，能避免因激光難以準(zhǔn)確地識(shí)別出焊墊位置而無(wú)法使焊墊精確或完整地外露，從而影響焊墊與導(dǎo)電跡線間電性連接品質(zhì)等問(wèn)題，且無(wú)需在芯片及封裝膠體上敷設(shè)介電層，還能克服現(xiàn)有技術(shù)中因介電層與芯片及封裝膠體的熱膨脹系數(shù)及產(chǎn)生的熱應(yīng)力不同，而易在其間的界面造成分層等缺點(diǎn)。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施例1半導(dǎo)體封裝件的剖視圖；圖2A至圖2H是圖1的半導(dǎo)體封裝件的制造過(guò)程步驟示意圖；圖3是本發(fā)明的實(shí)施例2半導(dǎo)體封裝件的剖視圖；圖4是本發(fā)明的實(shí)施例3半導(dǎo)體封裝件的剖視圖；圖5是一現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件的剖視圖；以及圖6是另一現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
以下即配合圖1、圖2A至圖2H、圖3及圖4詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及其制法的實(shí)施例。
實(shí)施例1如圖1所示，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件包括至少一芯片20，具有一作用表面200及一相對(duì)的非作用表面201，并于該作用表面200上形成有多個(gè)焊墊202；多個(gè)導(dǎo)電凸塊21，分別形成于芯片20的焊墊202上；一封裝膠體22，用以包覆芯片20及導(dǎo)電凸塊21，并使導(dǎo)電凸塊21的端部210外露出封裝膠體22；多條導(dǎo)電跡線23，形成于封裝膠體22上并電性連接至導(dǎo)電凸塊21的外露端部210；一拒焊劑層24，敷設(shè)于導(dǎo)電跡線23上并開(kāi)設(shè)有多個(gè)開(kāi)孔240，使導(dǎo)電跡線23的預(yù)定部分借該開(kāi)孔240外露；以及多個(gè)焊球25，分別形成于導(dǎo)電跡線23的外露部分上。
上述半導(dǎo)體封裝件可以按照?qǐng)D2A-2H所示的工序步驟制得。
首先，如圖2A所示，制備一晶圓2，其由多個(gè)芯片20構(gòu)成，各芯片20具有一作用表面200及一相對(duì)的非作用表面201，并在各芯片20的作用表面200上形成有多個(gè)焊墊202。接著，進(jìn)行一焊塊或栓塊形成(bumping or stud bumping)步驟，以在芯片20的各焊墊202上形成一導(dǎo)電凸塊21，該導(dǎo)電凸塊21可以是焊錫凸塊(solder bump)、高鉛含量焊錫凸塊(high lead solder bump)、金質(zhì)焊塊(gold bump)、或金質(zhì)栓塊(gold stud bump)等。
接著，如圖2B所示，進(jìn)行一切單(singulation)作業(yè)，切割晶圓2以形成多個(gè)單離的芯片20，各芯片20具有多個(gè)導(dǎo)電凸塊21。
如圖2C所示，提供一載具26，例如一膠片(tape)，用以承載該多個(gè)芯片20，該載具26的一表面260上可定義出多個(gè)封裝單元261，以使至少一芯片20借其導(dǎo)電凸塊21接置于各封裝單元261上。
然后，進(jìn)行一模壓(molding)工序，利用一現(xiàn)有樹(shù)脂材料(例如環(huán)氧樹(shù)脂等)形成一封裝膠體22于載具26的表面260上，以包覆所有載接在載具26上的芯片20與導(dǎo)電凸塊21。
如圖2D所示，將載具26自封裝膠體22上移除或剝離，從而使觸接載具26的導(dǎo)電凸塊21的端部210外露出封裝膠體22，且大致與該封裝膠體22的一表面220齊平。
同時(shí)，如圖2E所示，可選擇性地進(jìn)行一研磨(grinding，例如機(jī)械研磨)步驟，以研磨該封裝膠體22大致與導(dǎo)電凸塊21端部210齊平的表面220，能確實(shí)露出導(dǎo)電凸塊21的端部210，并確保該端部210確與封裝膠體22的表面220齊平及該表面220的平面度(planarity)，以便進(jìn)行后續(xù)工序，以在外露的導(dǎo)電凸塊21端部210上形成增層(build-uplayer)，封裝膠體22的表面220也提供較多的表面區(qū)域(與芯片20的作用表面200相比)，以供后續(xù)形成增層及更多數(shù)量的輸入/輸出(input/output，I/O)端(圖未標(biāo))之用。
接著，如圖2F所示，利用現(xiàn)有例如光微影(photolithography)技術(shù)，在封裝膠體22的表面220上形成多條導(dǎo)電跡線23，且使各導(dǎo)電跡線23與至少一導(dǎo)電凸塊21的外露端部210電性連接，因此，芯片20上的焊墊202能夠利用導(dǎo)電凸塊21及導(dǎo)電跡線23重新配(redistribution)至所欲位置，例如與后續(xù)輸入/輸出端(圖未標(biāo))電性導(dǎo)接的位置；該導(dǎo)電跡線23是用一例如銅、鋁、或其合金等的導(dǎo)電材料制成。
如圖2G所示，形成導(dǎo)電跡線23于封裝膠體22上后，再敷設(shè)一拒焊劑層24于該導(dǎo)電跡線23上，并開(kāi)設(shè)多個(gè)貫穿拒焊劑層24的開(kāi)孔240，使導(dǎo)電跡線23的預(yù)定部分借該開(kāi)孔240外露，該導(dǎo)電跡線23的外露部分可為終端部位(terminal)。
然后，進(jìn)行一現(xiàn)有的絲網(wǎng)印刷(screen printing)作業(yè)，在各導(dǎo)電跡線23的外露部分(終端)上形成一焊球25，該焊球25作為半導(dǎo)體封裝件的輸入/輸出端，使芯片20借之與外界裝置(圖未標(biāo)，如印刷電路板等)成電性連接關(guān)系。
最后，如圖2H所示，進(jìn)行一切單作業(yè)，切割封裝膠體22，以形成多個(gè)具有單離芯片20的半導(dǎo)體封裝件。
上述半導(dǎo)體封裝件是先于芯片的焊墊上植設(shè)多個(gè)導(dǎo)電凸塊，然后利用一封裝膠體包覆芯片，并使導(dǎo)電凸塊的端部外露出該封裝膠體，以使后續(xù)增層能夠形成于該外露的端部上。這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于，導(dǎo)電凸塊的外露端部能夠突顯出芯片上焊墊的位置使其易于識(shí)別，使后續(xù)形成于封裝膠體上的導(dǎo)電跡線，能夠利用導(dǎo)電凸塊良好地電性連接至焊墊，從而改善制成品的優(yōu)良率及可靠性?，F(xiàn)有技術(shù)是需先在芯片及封裝膠體上形成一介電層，再利用激光鉆孔技術(shù)開(kāi)設(shè)多個(gè)貫穿該介電層的貫孔，以借貫孔露出芯片上的焊墊，因此，與現(xiàn)有技術(shù)比較，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件則無(wú)需使用介電層及激光鉆孔技術(shù)，故能降低成本并簡(jiǎn)化工序，且芯片上的焊墊不會(huì)被介電層遮覆，因而能避免因激光難以準(zhǔn)確地識(shí)別出焊墊位置而無(wú)法使焊墊精確或完整地外露，從而影響焊墊與導(dǎo)電跡線間電性連接品質(zhì)等問(wèn)題，且無(wú)需在芯片及封裝膠體上敷設(shè)介電層，還能克服現(xiàn)有技術(shù)中因介電層與芯片及封裝膠體的熱膨脹系數(shù)(CTE，coefficient of thermal expansion)及產(chǎn)生的熱應(yīng)力不同而易在其間的界面造成分層(delamination)等缺點(diǎn)。
實(shí)施例2圖3顯示本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體封裝件。如圖所示，該半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)大致與上述實(shí)施例1所述的半導(dǎo)體封裝件相同，其不同處在于，進(jìn)行如圖2E所示的研磨步驟時(shí)，可同時(shí)研磨去除該封裝膠體22遮覆住芯片20的非作用表面201的部分，使芯片20的非作用表面201外露。除上述實(shí)施例1的半導(dǎo)體封裝件所達(dá)成的功效外，該外露的非作用表面201有助于將芯片20運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的熱量散逸至外界或大氣中，因而能增進(jìn)封裝件的散熱效率。
實(shí)施例3圖4顯示本發(fā)明的實(shí)施例3的半導(dǎo)體封裝件。如圖所示，該半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)大致與上述實(shí)施例1所述的半導(dǎo)體封裝件相同，其不同處在于形成導(dǎo)電跡線23(下稱″第一導(dǎo)電跡線″)于封裝膠體22上后，先敷設(shè)至少一介電層27于該第一導(dǎo)電跡線23上，并開(kāi)設(shè)多個(gè)貫穿介電層27的貫孔(via)270，使第一導(dǎo)電跡線23的預(yù)定部分借該貫孔270外露。接著，在該介電層27上形成多條第二導(dǎo)電跡線28，該介電層及第二導(dǎo)電跡線夾設(shè)在該第一導(dǎo)電跡線與拒焊劑層之間，并使各第二導(dǎo)電跡線28與至少一第一導(dǎo)電跡線23的外露部分電性連接。
然后，再于第二導(dǎo)電跡線28上敷設(shè)一拒焊劑層24，并開(kāi)設(shè)多個(gè)貫穿拒焊劑層24的開(kāi)孔240，使第二導(dǎo)電跡線28的預(yù)定部分借該開(kāi)孔240外露，該第二導(dǎo)電跡線28的外露部分可為終端部位(terminal)。接著，進(jìn)行現(xiàn)有的絲網(wǎng)印刷作業(yè)，以便在各第二導(dǎo)電跡線28的外露部分(終端)上形成一焊球25，該焊球25是作為半導(dǎo)體封裝件的輸入/輸出端與外界裝置(圖未標(biāo))成電性連接關(guān)系。
除上述實(shí)施例1的半導(dǎo)體封裝件所達(dá)成的功效外，介電層27及第二導(dǎo)電跡線28的設(shè)置能夠增加芯片20上的增層數(shù)目，因而能提升封裝件中導(dǎo)電跡線布設(shè)的彈性，使芯片20能更有效地電性連接至焊球25及外界裝置進(jìn)行運(yùn)行。
權(quán)利要求
1.一種在芯片上植設(shè)導(dǎo)電凸塊的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該半導(dǎo)體封裝件包括至少一芯片，具有一作用表面及一相對(duì)的非作用表面，并在該作用表面上形成多個(gè)焊墊；多個(gè)導(dǎo)電凸塊，分別形成于該芯片的焊墊上；一封裝膠體，用以包覆該芯片及導(dǎo)電凸塊，并使該導(dǎo)電凸塊的端部外露出該封裝膠體且與該封裝膠體的一表面齊平；多條第一導(dǎo)電跡線，形成于該封裝膠體的表面，并電性連接至該導(dǎo)電凸塊的外露端部；一拒焊劑層，敷設(shè)于該第一導(dǎo)電跡線上并開(kāi)設(shè)有多個(gè)開(kāi)孔，使該第一導(dǎo)電跡線的預(yù)定部分借該開(kāi)孔外露；以及多個(gè)焊球，分別形成于該第一導(dǎo)電跡線的外露部分上。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該半導(dǎo)體封裝件還包括至少一介電層及多條形成于該介電層上的第二導(dǎo)電跡線，該介電層及第二導(dǎo)電跡線夾設(shè)在該第一導(dǎo)電跡線與拒焊劑層之間，使該介電層敷設(shè)于該第一導(dǎo)電跡線上并開(kāi)設(shè)多條貫孔，使該第一導(dǎo)電跡線的預(yù)定部分借該貫孔外露，從而與該第二導(dǎo)電跡線電性連接，并使該拒焊劑層敷設(shè)于該第二導(dǎo)電跡線上，并借其開(kāi)孔外露出該第二導(dǎo)電跡線的預(yù)定部分，使該多個(gè)焊球分別形成于該第二導(dǎo)電跡線的外露部分上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該芯片的非作用表面外露出該封裝膠體。
4.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該導(dǎo)電凸塊選自焊錫凸塊、高鉛含量焊錫凸塊、金質(zhì)焊塊、及金質(zhì)栓塊所組成的組群。
5.一種在芯片上植設(shè)導(dǎo)電凸塊的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法包括下列步驟制備一晶圓，由多個(gè)芯片構(gòu)成，各該芯片具有一作用表面及一相對(duì)的非作用表面，并在該作用表面上形成有多個(gè)焊墊；分別形成多個(gè)導(dǎo)電凸塊于各該芯片的焊墊上；切割該晶圓以形成多個(gè)單離的芯片，各該芯片具有多個(gè)導(dǎo)電凸塊；提供一載具，用以承載該多個(gè)芯片，并使各該芯片借其導(dǎo)電凸塊接置在該載具的一表面上；形成一封裝膠體于該載具的表面上，用以包覆該多個(gè)芯片與導(dǎo)電凸塊；移除該載具，使該導(dǎo)電凸塊的端部外露出該封裝膠體且與該封裝膠體的一表面齊平；形成多條導(dǎo)電跡線于該封裝膠體的表面上，并使該導(dǎo)電跡線電性連接至該導(dǎo)電凸塊的外露端部；敷設(shè)一拒焊劑層于該導(dǎo)電跡線上，并開(kāi)設(shè)多個(gè)貫穿該拒焊劑層的開(kāi)孔，使該導(dǎo)電跡線的預(yù)定部分借該開(kāi)孔外露；分別形成多個(gè)焊球于該導(dǎo)電跡線的外露部分上；以及切割該封裝膠體，以形成多條具有單離的芯片的半導(dǎo)體封裝件。
6.一種在芯片上植設(shè)導(dǎo)電凸塊的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法包括下列步驟制備一晶圓，由多個(gè)芯片構(gòu)成，各該芯片具有一作用表面及一相對(duì)的非作用表面，并在該作用表面上形成有多個(gè)焊墊；分別形成多個(gè)導(dǎo)電凸塊于各該芯片的焊墊上；切割該晶圓以形成多個(gè)單離的芯片，各該芯片具有多個(gè)導(dǎo)電凸塊；提供一載具，用以承載該多個(gè)芯片，并使各該芯片借其導(dǎo)電凸塊接置在該載具的一表面上；形成一封裝膠體于該載具的表面上，用以包覆該多個(gè)芯片與導(dǎo)電凸塊；移除該載具，使該導(dǎo)電凸塊的端部外露出該封裝膠體且與該封裝膠體的一表面齊平；形成多條第一導(dǎo)電跡線于該封裝膠體的表面上，并使該第一導(dǎo)電跡線電性連接至該導(dǎo)電凸塊的外露端部；敷設(shè)至少一介電層于該第一導(dǎo)電跡線上，并開(kāi)設(shè)多個(gè)貫穿該介電層的貫孔，使該第一導(dǎo)電跡線的預(yù)定部分借該貫孔外露；形成多條第二導(dǎo)電跡線于該介電層上，并使該第二導(dǎo)電跡線電性連接至該第一導(dǎo)電跡線的外露部分；敷設(shè)一拒焊劑層于該第二導(dǎo)電跡線上，并開(kāi)設(shè)多個(gè)貫穿該拒焊劑層的開(kāi)孔，使該第二導(dǎo)電跡線的預(yù)定部分借該開(kāi)孔外露；分別形成多個(gè)焊球于該第二導(dǎo)電跡線的外露部分上；以及切割該封裝膠體，形成多條具有單離的芯片的半導(dǎo)體封裝件。
7.如權(quán)利要求5或6所述的制法，其特征在于，該制法還包括進(jìn)行一研磨步驟以研磨該封裝膠體與導(dǎo)電凸塊端部齊平的表面。
8.如權(quán)利要求5或6所述的制法，其特征在于，該制法還包括進(jìn)行一研磨步驟以研磨該封裝膠體與導(dǎo)電凸塊端部齊平的表面，并磨除遮覆住該芯片的非作用表面的封裝膠體部分，以外露出該芯片的非作用表面。
9.如權(quán)利要求5或6所述的制法，其特征在于，在形成該第一導(dǎo)電跡線前，該導(dǎo)電凸塊是選自焊錫凸塊、高鉛含量焊錫凸塊、金質(zhì)焊塊、及金質(zhì)栓塊所組成的組群。
10.如權(quán)利要求5或6所述的制法，其特征在于，該載具是一膠片。
全文摘要
一種在芯片上植設(shè)導(dǎo)電凸塊的半導(dǎo)體封裝件及其制法，是在芯片作用表面的焊墊上形成多個(gè)導(dǎo)電凸塊，并借一封裝膠體包覆該芯片及導(dǎo)電凸塊，且使導(dǎo)電凸塊的端部外露出封裝膠體。然后，在封裝膠體上形成多條導(dǎo)電跡線，并使導(dǎo)電跡線電性連接至導(dǎo)電凸塊的外露端部。再于導(dǎo)電跡線上敷設(shè)一拒焊劑層，該拒焊劑層開(kāi)設(shè)有多個(gè)開(kāi)孔，使導(dǎo)電跡線的預(yù)定部分借該開(kāi)孔外露，從而與多個(gè)焊球焊連。這種半導(dǎo)體封裝件利用導(dǎo)電凸塊突顯出芯片上焊墊的位置，使導(dǎo)電跡線利用導(dǎo)電凸塊良好地電性連接至焊墊，能確保制成品的優(yōu)良率及可靠性。
文檔編號(hào)H01L23/485GK1567584SQ0313744
公開(kāi)日2005年1月19日 申請(qǐng)日期2003年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月20日
發(fā)明者黃建屏, 蕭承旭 申請(qǐng)人:矽品精密工業(yè)股份有限公司