專利名稱：薄層基板制造方法、薄層基板移載裝置以及薄層基板移載用吸附墊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及玻璃基板等薄層基板的薄層基板制造方法，薄層基板移載裝置以及用于薄層基板移載的吸附墊。
背景技術(shù)：
一直以來，利用玻璃基板制造液晶模塊的技術(shù)為大家所熟悉，液晶模塊是通過在玻璃基板上形成構(gòu)成畫面的多個(gè)象素，和形成用于顯示動(dòng)作的薄膜晶體管等而制造出來的。例如，在薄膜晶體管的制造工序中，不斷地重復(fù)進(jìn)行對(duì)玻璃基板涂敷導(dǎo)電材料的涂敷工序、對(duì)其上面涂敷作為感光材料的抗蝕劑的涂敷工序、用光掩模形成各層的電路圖形的曝光工序的、顯影工序、以及蝕刻工序，直至形成所需要的層數(shù)布置為止。而且，在這些各工序間根據(jù)需要設(shè)置了以高溫實(shí)施烘烤處理的處理室。在處理室之間設(shè)置有用于將處理后的基板移送到下一工序處理室的基板移載裝置。在基板移載裝置的能夠轉(zhuǎn)動(dòng)及伸縮的機(jī)械臂前端上設(shè)置有載置玻璃基板的機(jī)械手。在這個(gè)機(jī)械手部上配備了所需數(shù)量的吸附墊，這些吸附墊具有吸附玻璃基板的環(huán)形的側(cè)壁。
另外，玻璃基板載置、吸附在吸附墊上被傳送至下一道工序，但是當(dāng)前一工序?yàn)楹婵咎幚頃r(shí)，若常溫的吸附墊接觸到被加熱至例如200攝氏度以上的基板下面，則吸附墊的冷熱(相對(duì)而言溫度較低)將會(huì)傳遞給玻璃基板使其發(fā)生局部降溫。若這種局部降溫對(duì)玻璃基板的正面?zhèn)犬a(chǎn)生影響，就會(huì)導(dǎo)致局部(接觸部分)性的粘接性能降低，有時(shí)還會(huì)在顯影工序后的蝕刻工序中造成其交界部分的層布置的各層之間的粘接不良，也就是說，會(huì)產(chǎn)生被稱作熱成象的卷起。特別是在需要玻璃基板薄層化的今天，已經(jīng)出現(xiàn)了不足毫米厚的基板，由于這種薄層化使冷熱更易傳遞到正面一側(cè)，而使熱成象問題更加突出，從而有可能導(dǎo)致成品率的進(jìn)一步下降。
另外，載置、吸附在吸附墊的環(huán)形側(cè)壁上端部的玻璃基板，會(huì)因側(cè)壁內(nèi)空間的負(fù)壓而產(chǎn)生凹陷，從而產(chǎn)生沿著側(cè)壁的環(huán)形屈曲部，而因該屈曲部的機(jī)械變形及熱脹冷縮的作用，也有可能更容易產(chǎn)生所述的熱成象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是鑒于上述問題而提出的，其目的在于提供一種通過盡量減小薄層基板吸附移送時(shí)的接觸面積，來抑制熱成象發(fā)生的薄層基板制造方法、薄層基板移載裝置以及用于薄層基板移送用的吸附墊。
本發(fā)明之一的薄層基板移載用吸附墊，用于吸附薄層基板，其特征在于由具有環(huán)形側(cè)壁的有底桶狀體構(gòu)成，該桶狀體在底部的局部形成有吸引孔，所述側(cè)壁部的前端形成為前方收窄的錐狀。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于側(cè)壁的前端形成為前方收窄的錐狀，所以薄層基板和桶狀體的接觸面積變小，使從側(cè)壁部一側(cè)經(jīng)由該接觸面?zhèn)飨虮踊宓臒崃渴艿阶畲笠种?。此外，在這里，薄層基板與吸附墊之間溫差的正負(fù)并不特別重要，只要是從薄層基板的角度出發(fā)薄層基板經(jīng)接觸面得到了相對(duì)的冷熱或者高溫而使局部產(chǎn)生了溫度變化，就認(rèn)為產(chǎn)生了熱的傳遞。因此，既有經(jīng)烘烤的薄層基板的高溫傳遞到低溫的吸附墊上的情況，也有根據(jù)與上述相反的溫度關(guān)系從薄層基板獲取局部熱量的情況。
本發(fā)明之二是本發(fā)明之一的發(fā)明，其特征在于側(cè)壁部的外周面一側(cè)形成為錐狀。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，可以防止吸附時(shí)側(cè)壁部的內(nèi)面?zhèn)扰c薄層基板間接觸而使接觸面積不必要地增大。
本發(fā)明之三是本發(fā)明之一或之二的發(fā)明，其特征在于側(cè)壁部的前端端面的徑向尺寸為0.1mm～0.5mm。另外，本發(fā)明之四是本發(fā)明之三的發(fā)明，其特征在于側(cè)壁部的前端端面的徑向尺寸為0.2mm。根據(jù)這些結(jié)構(gòu)，由于盡可能地減小了側(cè)壁前端面、也就是與薄層基板的接觸面的徑向尺寸，所以可以減小接觸面積，使傳遞的熱量受到抑制。
本發(fā)明之五是本發(fā)明之一至之四中的任一項(xiàng)發(fā)明，其特征在于側(cè)壁部由吸引孔側(cè)的小直徑的基部側(cè)壁、前端側(cè)的大直徑的前端側(cè)壁、以及連接基部側(cè)壁和前端側(cè)壁的連結(jié)部而構(gòu)成，所述前端側(cè)壁與所述連結(jié)部連接的附近部分的壁厚為0.5mm～1.0mm。本發(fā)明之六是本發(fā)明之五的發(fā)明，其特征在于連結(jié)部的壁厚為0.5mm～1.0mm。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，相應(yīng)與薄層基板的接觸面相連的前端側(cè)壁的體積變小，熱容量能減少，因而傳向薄層基板的熱量也會(huì)減少。
本發(fā)明之七是本發(fā)明之一至之六中的任一項(xiàng)發(fā)明，其特征在于側(cè)壁部為圓形。由此吸著性能更加穩(wěn)定。
本發(fā)明之八是本發(fā)明之一至之七中的任一項(xiàng)發(fā)明，其特征在于在側(cè)壁部的內(nèi)徑側(cè)等直徑且圓周方向等間隔地形成有多個(gè)突起。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，當(dāng)以載置在側(cè)壁部上的狀態(tài)受到吸引時(shí)，雖然薄層基板中的側(cè)壁部的內(nèi)周側(cè)受到了向吸引孔一側(cè)的撓曲(凹曲)力，但因突起的存在而限制了彎曲。其結(jié)果，可以抑制因在與側(cè)壁部的接觸部的變形、以及因這種變形和熱傳遞起因的熱脹冷縮而造成的熱成象。
本發(fā)明之九是本發(fā)明之八的發(fā)明，其特征在于突起的前端與側(cè)壁部的前端處于同一高度或較低。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，若突起與側(cè)壁部前端高度相同，彎曲實(shí)質(zhì)上不會(huì)發(fā)生，另外即使略微低一點(diǎn)，只要將突起的高度設(shè)定為使其接觸到彎曲的薄層基板，彎曲就會(huì)受到相應(yīng)的限制。
本發(fā)明之十是本發(fā)明之一至之九中的任一項(xiàng)發(fā)明，其特征在于桶狀體是由具有耐熱性的樹脂制成的。根據(jù)這種構(gòu)成，由于吸附墊具有耐熱性所以就不會(huì)發(fā)生高溫的薄層基板黏附在接觸部上的問題，另外，由于是樹脂所制所以也不會(huì)使薄層基板的背面受到損傷。特別是被用于液晶方面時(shí)，從透光性的角度出發(fā)，即使是背面，防止損傷也是很重要的。
本發(fā)明之十一的發(fā)明，是一種薄層基板移載裝置，其特征在于包括載置薄層基板的機(jī)械手部、露出設(shè)置在該機(jī)械手部上面的本發(fā)明之一至之十中的任一項(xiàng)發(fā)明所述的薄層基板用吸附墊、以及可使機(jī)械手部變換位置的驅(qū)動(dòng)部。根據(jù)這種構(gòu)成，可以使例如經(jīng)熱處理的薄層基板不發(fā)生熱成象地，進(jìn)行向下一工序(也包括用于將基板疊放成可傳送狀態(tài)的向產(chǎn)品架的收放動(dòng)作、以及用于向下一工序傳送的向輸送裝置的移置動(dòng)作)的移置(傳送)。
本發(fā)明之十二是本發(fā)明之十一的發(fā)明，其特征在于在機(jī)械手部上分散配置有多個(gè)薄層基板移載用吸附墊。根據(jù)這種構(gòu)成，可以更均勻地支承薄層基板，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的移置姿態(tài)。
本發(fā)明之十三的發(fā)明，是一種薄層基板制造方法，其特征在于在以將多張薄層基板相互分隔層疊的狀態(tài)下實(shí)施第1處理的第1處理部與以將多張薄層基板相互分隔層疊的狀態(tài)下實(shí)施第2處理的第2處理部之間，配置權(quán)利要求11或12所述的薄層基板移載裝置，通過將經(jīng)第1處理部處理后的薄層基板一張一張載置傳遞至第2處理部，使第1處理和第2處理連續(xù)進(jìn)行。根據(jù)這種構(gòu)成，即使從第1處理部取出的薄層基板的溫度與常溫相差很大，也能抑制熱成象的發(fā)生地進(jìn)行向作為下一工序的第2工序的移送。
本發(fā)明之十四是本發(fā)明之十三的發(fā)明，其特征在于薄層基板是玻璃基板。根據(jù)這種構(gòu)成，尤其是對(duì)熱成象成為問題的玻璃基板效果較大。
本發(fā)明之十五是本發(fā)明之十四的發(fā)明，其特征在于第1處理部是熱處理。根據(jù)這種構(gòu)成，即使對(duì)薄層基板進(jìn)行烘烤等的熱處理，使其達(dá)到高溫、例如200～250℃而與常溫產(chǎn)生很大的溫差，也可最大限度地抑制熱成象的發(fā)生。
本相發(fā)明的其他目的和特點(diǎn)，將通過參照附圖所進(jìn)行的說明可以更加明確。


通過參照附圖的以下說明將會(huì)更易理解本發(fā)明。
圖1示出了制造一種在作為薄層基板的玻璃基板面上，形成有薄膜晶體管等用于液晶顯示的電驅(qū)動(dòng)電路的液晶模塊的通常的層布置制造工序的一部分的流程圖。
圖2示出了應(yīng)用本發(fā)明的薄層基板移載用吸附墊的薄層基板制造裝置的局部的外觀圖。
圖3是機(jī)械手部的結(jié)構(gòu)圖，其中，(a)是俯視圖，(b)是側(cè)視圖。
圖4是吸附墊的結(jié)構(gòu)圖，其中，(a)是側(cè)剖視圖，(b)是俯視圖，(c)是局部放大圖，(d)是整體立體圖。
圖5是吸附墊的變形例的結(jié)構(gòu)圖，其中，(a)是側(cè)剖視圖，(b)是視圖，(c)是整體立體圖。
圖6示出了通過重復(fù)所需次數(shù)的工序P1～P7而在玻璃基板上的一部分所形成的薄膜晶體管的構(gòu)成圖的一例，其中，(a)是剖視圖，(b)是發(fā)生了熱成象的局部放大圖。
具體實(shí)施例方式
圖1示出了制造一種在作為薄層基板的玻璃基板面上，形成有薄膜晶體管等用于液晶顯示的電驅(qū)動(dòng)電路的液晶模塊的通常的層布置制造工序的一部分的流程圖。
薄膜形成前洗凈工序P1是在進(jìn)入制造工序前，從玻璃基板表面去除無機(jī)物或有機(jī)物的異物以及污染物，分別是在各自的洗凈室進(jìn)行電刷清洗、超聲波清洗、紫外線清洗以及純水清洗，并在處理后實(shí)施加熱干燥處理。薄膜形成工序P2是形成薄膜晶體管等的電極(柵極、源極、漏極、布線等，參照?qǐng)D6)的處理，是通過利用了濺射、等離子化學(xué)氣體相成長(zhǎng)或真空蒸鍍法的薄膜裝置而形成的。
抗蝕劑涂敷工序P3是在薄膜形成后的玻璃基板表面上形成由所需厚度的感光材料組成的絕緣層的處理，是通過使玻璃基板不停旋轉(zhuǎn)的同時(shí)在其中央滴下所需涂敷液的旋轉(zhuǎn)涂敷，和使在表面涂有涂敷材料的滾軸在玻璃基板上旋轉(zhuǎn)的滾軸式涂敷中的一種裝置而進(jìn)行的。另外，涂敷有抗蝕劑的玻璃基板要經(jīng)過用于使涂敷材料干燥的加熱干燥處理。加熱干燥是在例如預(yù)烘干處理(80o～150o)及后烘干處理(200o～250o)中進(jìn)行的處理。從抗蝕劑涂敷室轉(zhuǎn)入下一工序的烘烤處理室的玻璃基板的傳遞是利用移載機(jī)器人(參照?qǐng)D2)進(jìn)行的。
曝光工序P4是通過透鏡投影(逐次移動(dòng)式曝光裝置)、反射鏡投影或接近(proximity)法，用代表電路圖形的掩模Ma對(duì)玻璃基板進(jìn)行遮掩，并通過從上方照射光源光而對(duì)板面進(jìn)行曝光的處理。它是在配備有曝光裝置的處理室進(jìn)行的。此外在將要敘述的圖2中示出了，從該抗蝕劑涂敷工序P3的烘烤室將玻璃基板移送至曝光裝置的部分。通過曝光處理，玻璃基板6的表面除電路圖形以外的部分被感光。顯影工序P5是進(jìn)行使玻璃基板不停旋轉(zhuǎn)并滴下顯影液的旋轉(zhuǎn)顯影或從玻璃基板上方灑下顯影液的淋浴式顯影的處理。在這里也要進(jìn)行烘烤處理。
其次，蝕刻工序P6是去除曝光工序P4中的曝光部分的抗蝕劑的前處理。它是通過干式蝕刻或濕式蝕刻法進(jìn)行的?？刮g劑剝離工序P7是去除在曝光工程P4中的曝光部分的抗蝕劑的處理。它是通過等離子(干式)碳化或濕式剝離法進(jìn)行的。工序P2～P7是不斷反復(fù)進(jìn)行直至形成所需層數(shù)的層布置的工序。然后，當(dāng)對(duì)所需層數(shù)的處理結(jié)束后，經(jīng)過檢驗(yàn)工序再轉(zhuǎn)入液晶單元的液晶屏制造工序及模塊組裝工序。
這樣，玻璃基板在多道工序中經(jīng)過烘烤(用于干燥的、用于燒結(jié)的)處理后，被送至下一工序的處理室。
另外，圖6示出了通過重復(fù)所需次數(shù)的工序P1～P7而在玻璃基板上的一部分所形成的薄膜晶體管的構(gòu)成圖的一例，其中，(a)是剖視圖，(b)是發(fā)生了熱成象的局部放大圖。在圖6中，在玻璃基板6上依次形成了柵極電極101、柵極絕緣膜102、非晶硅層103、n+非晶硅層104、保護(hù)膜105、源極(或漏極)電極106以及透明象素電極107。如圖6(b)的放大圖所示，在作為柵極絕緣膜102的上層部件的源極(或漏極)電極106的左端、也就是被蝕刻處理的區(qū)域和不被蝕刻處理的區(qū)域交界處，由于熱成象該部分產(chǎn)生了粘接性下降，其結(jié)果造成在與柵極絕緣膜102接觸部的卷起110。本發(fā)明就是抑制這種因熱成象而引起的在與蝕刻區(qū)域的交界處的卷起等的發(fā)生的。
圖2示出了應(yīng)用本發(fā)明的薄層基板移載用吸附墊的薄層基板制造裝置的局部的外觀圖。圖2中配設(shè)有經(jīng)傳送系統(tǒng)聯(lián)系的多個(gè)處理室。在本實(shí)施例中，示出了作為第1處理部的烘烤室1、和作為第2處理部的例如曝光室2(詳圖省略)。在它們中間配設(shè)了基板移載裝置3、和輸送裝置4。此外，雖然圖中沒有示出，但在烘烤室1的前面配設(shè)有例如抗蝕劑涂敷室等。
烘烤室1的內(nèi)部具有高溫發(fā)熱體(加熱器)，并收放有產(chǎn)品架5。產(chǎn)品架5具有多層的疊層結(jié)構(gòu)，作為所需數(shù)量的薄層基板的玻璃基板6按所需距離分隔地放置。向產(chǎn)品架5的烘烤室1的搬入，也可以用圖中省略的(與基板移載裝置3相同結(jié)構(gòu)的)移載裝置進(jìn)行。曝光室2雖然沒有詳細(xì)圖示，但例如具備對(duì)所搬入的玻璃基板進(jìn)行定位的機(jī)構(gòu)、和在覆蓋了經(jīng)定位的掩模圖形的狀態(tài)下進(jìn)行曝光的機(jī)構(gòu)。
基板移載裝置3里面配備了移載機(jī)器人30。移載機(jī)器人30包括底部31、從底部到頂部附近直立的引導(dǎo)用柱體32、相對(duì)于引導(dǎo)用柱體32具有可升降結(jié)構(gòu)的升降部33、在升降部33上面繞垂直軸轉(zhuǎn)動(dòng)的第1機(jī)械臂34、與第1機(jī)械臂34的前端相連并繞垂直軸轉(zhuǎn)動(dòng)的第2機(jī)械臂35、以及垂直設(shè)置在第2機(jī)械臂35的前端并具有固定在馬達(dá)等驅(qū)動(dòng)源36上的水平面的機(jī)械手部37。另外，移載機(jī)器人具有驅(qū)動(dòng)源310，通過眾所周知的內(nèi)部機(jī)構(gòu)(未圖示)實(shí)現(xiàn)第2機(jī)械臂35的升降、前后移動(dòng)及左右轉(zhuǎn)動(dòng)，同時(shí)還配備了連接機(jī)械手部37與圖中省略了的吸引源的吸引管路(在圖3中示出了其中一部分)。機(jī)械手37的詳細(xì)構(gòu)造在圖3之后說明。
具備了基板移載裝置3相關(guān)構(gòu)成后，機(jī)械手部37就可以自由地升降、轉(zhuǎn)動(dòng)、進(jìn)退。例如，保持朝向同一方向(烘烤室1一側(cè))的姿態(tài)穿過窗口1a進(jìn)入烘烤室1內(nèi)直到玻璃基板6的下部，在此位置上升而托起玻璃基板6，并且吸附著它原路返回，就可退出。退出后，方向反轉(zhuǎn)180o并改變高度，(如圖中虛線所示)從窗口4a進(jìn)入輸送裝置4內(nèi)，就可以移置到輸送帶41上了。另外，輸送裝置4上配備了根據(jù)所需間距平行配置的多根旋轉(zhuǎn)軸411、和在各個(gè)旋轉(zhuǎn)軸411的長(zhǎng)邊方向上按所需間隔設(shè)置的可以共同旋轉(zhuǎn)的多個(gè)滾輪412，用于將載置到輸送帶41上的玻璃基板6依次地移向第2處理室2。
圖3是機(jī)械手部的結(jié)構(gòu)圖，其中，(a)是俯視圖，(b)是側(cè)視圖。機(jī)械手部37上，按規(guī)定間隔平行安裝有從固定在驅(qū)動(dòng)源36軸部的底部370伸出的一對(duì)具有所需長(zhǎng)度的機(jī)械指371、372。機(jī)械指371、372具有相同形狀，是由固體樹脂材料制成的長(zhǎng)形的板狀體。由于要支承高溫的玻璃基板6，所以樹脂應(yīng)具有耐高溫性能，另外，從抑制傳熱的角度出發(fā)最好采用熱容積小且導(dǎo)熱性差的材料。在本實(shí)施例中使用了PEEK(聚醚酮醚)。在圖3中，在機(jī)械指371、372上裝載了長(zhǎng)方形的玻璃基板6。
在機(jī)械指371的前端適當(dāng)位置和略為中間的位置各裝有用于吸附墊71、72，在機(jī)械指372上的與機(jī)械指371相同的位置裝有吸附墊73、74。在本實(shí)施例中，吸附墊71～74是裝在機(jī)械指371、372的外側(cè)，從而在更大的位置支承玻璃基板6。另外，吸附墊71、72和73、74是左右對(duì)稱地設(shè)置著，以確保在左右方向保持平衡的移載狀態(tài)。而且吸附墊71～74具有相同構(gòu)造，詳細(xì)內(nèi)容如圖4所示。
在從底部370直到吸附墊71、72的機(jī)械指371上面形成了溝3710，這個(gè)溝3710里埋設(shè)了吸入管路3711、3712。同樣，在從底部370直到吸附墊73、74的機(jī)械指372上面形成有溝3720，該溝3720中埋設(shè)了吸入管路3721、3722。
另外，機(jī)械指371上的傳感器91以及機(jī)械指372上的傳感器92是檢測(cè)有無搭載玻璃基板6的裝置，是由光學(xué)傳感器等靠近傳感器或機(jī)械開關(guān)組成。
圖4是吸附墊的結(jié)構(gòu)圖，其中，(a)是側(cè)剖視圖，(b)是俯視圖，(c)是局部放大圖，(d)是整體立體圖。因?yàn)槲綁|71～74是同一形狀，所以在這里以吸附墊為代表而進(jìn)行說明。吸附墊71是由圓形有底的桶狀體作為基本形狀，由側(cè)壁部711和底部712構(gòu)成。在底部712的中央形成有所需直徑的吸引孔713并與吸引管路3711相連結(jié)。
側(cè)壁部71 1是由底部712的小直徑的基部側(cè)壁714、前端的大直徑的前端側(cè)壁715及連接基部側(cè)壁714和前端側(cè)壁715的連結(jié)部716構(gòu)成。在本實(shí)施例中，底部712的外直徑是25mm，吸引孔713的直徑是10mm，基部側(cè)壁714的高度是4mm，前端側(cè)壁715的外周直徑是30mm，高3.5mm，底部壁厚0.8mm，連接部716的壁厚0.8mm。另外，前端側(cè)壁715的前面呈開放形的大直徑，并且前端稍稍前方收窄。前端側(cè)壁715的前端部分具有外壁側(cè)前方收窄的錐狀，其前端715a的徑向尺寸設(shè)定為0.2mm。另外，連結(jié)部716從中間開始外側(cè)向前端側(cè)壁715彎曲，底部712、基部側(cè)壁714、及連結(jié)部716作為整體，遠(yuǎn)離所載置的玻璃基板6的背面，從而盡可能地抑制了因放熱的熱傳遞。
另外，最好使前端側(cè)壁715的前端端面715a、也就是與玻璃基板6的接觸面的徑向尺寸為0.1mm～0.5mm。這取決于小尺寸的所能承受強(qiáng)度的界限、和抑制因接觸面擴(kuò)大而導(dǎo)致熱傳遞的界限。也就是說，與玻璃基板6的接觸面積越小吸附墊71的冷熱就越不能傳遞給被烘烤后的高溫玻璃基板6上，就可以有效地抑制甚至是防止熱成象的發(fā)生。另外，當(dāng)前端端面715a徑向尺寸為0.2mm時(shí)，從強(qiáng)度和導(dǎo)熱性兩方面看均合適。
另外，最好使前端側(cè)壁715的基部、也就是與連結(jié)部716相連的附近部分的厚度為0.5mm～1.0mm。這是因?yàn)?，若是太薄則強(qiáng)度就不夠，若厚度達(dá)到1.0mm時(shí)，這部分積蓄的熱量增多就會(huì)傳遞給玻璃基板6。
另外，最好使連結(jié)部716的壁厚為0.5mm～1.0mm，這也是根據(jù)強(qiáng)度限制和傳熱制約而來的。
圖5是吸附墊的變形例的結(jié)構(gòu)圖，其中，(a)是側(cè)剖視圖，(b)是俯視圖，(c)是整體立體圖。該吸附墊71’與圖4所示的吸附墊71的基本構(gòu)造相同，最大的不同點(diǎn)是在前端側(cè)壁715’的內(nèi)側(cè)突出設(shè)置在連結(jié)部716’上的多個(gè)突起717’。下面就突起717’的構(gòu)造進(jìn)行說明。
突起717’以等直徑且周向等間隔形成在前端側(cè)壁715’的內(nèi)徑一側(cè)，在本例中間隔90°共形成4個(gè)。突起717’的形狀是四楞錐狀，不但可以盡可能地縮小前端和玻璃基板6的接觸面積從而抑制傳遞熱量，還能確保支撐性。該突起717’的前端與前端側(cè)壁715的前端高度相同或是稍微低一點(diǎn)，例如在本例中僅低了0.05mm。如果不設(shè)置突起717’，例如在圖4的實(shí)施例中，當(dāng)在前端側(cè)壁715上裝上并吸附玻璃基板6時(shí)，圓形的前端端面715a內(nèi)側(cè)的玻璃基板6由于負(fù)壓，會(huì)如圖4(a)中假想線所示那樣，雖然僅會(huì)在吸附墊71一側(cè)形成略微撓曲(凹曲)，但因這種撓曲，玻璃基板6會(huì)在前端端面715a處發(fā)生環(huán)狀彎曲、即變形，而當(dāng)在這種撓曲狀態(tài)下產(chǎn)生因傳熱而導(dǎo)致的溫度變化時(shí)，因?yàn)榇藭r(shí)的熱脹冷縮會(huì)在這之前形成的層布置上產(chǎn)生卷起、龜裂，從而易使這部分粘著性下降產(chǎn)生所謂的熱成象，而使成品率的提高受到限制。于是，通過設(shè)置如圖5所示的支承及限制彎曲的突起717’，抵抗因負(fù)壓而產(chǎn)生的要撓曲的力來支撐基板6，其結(jié)果是撓曲受到抑制，成品率可進(jìn)一步提高。特別是在玻璃基板6更加薄層化的情況下對(duì)于成品率提高的效果更大。另外，突起717’的個(gè)數(shù)并不限于4個(gè)，只要是均勻配置，也可以2個(gè)、3個(gè)或是更多。并且，前端形狀只要是能夠抑制熱傳遞的形狀就可以，除了點(diǎn)狀還可以是線狀。這種吸附墊71、71’可以通過注射成形加工進(jìn)行制造。
另外，本發(fā)明是以用于液晶模塊的玻璃基板為例進(jìn)行說明的，但本發(fā)明不光限定于此，在硅晶圓等其他薄層基板中，使用用于移載的吸附墊裝載的時(shí)候也適用于溫差帶來的負(fù)面影響的技術(shù)中。另外不僅限定于吸附墊，同樣也可以提供僅為載置薄層基板的托墊。
根據(jù)本發(fā)明之一，由于可以減小桶狀體的側(cè)壁部與薄層基板的背面之間的接觸面積，所以可以盡量減少經(jīng)該接觸面而從側(cè)壁部一側(cè)向薄層基板一側(cè)的熱量傳遞，因而可以抑制熱成象的發(fā)生。
根據(jù)本發(fā)明之二，可以防止吸附時(shí)側(cè)壁部的內(nèi)面?zhèn)扰c薄層基板間接觸而使接觸面積不必要地增大。
根據(jù)本發(fā)明之三、四，由于盡可能地減小了側(cè)壁前端面、也就是與薄層基板的接觸面的徑向尺寸，所以可以減小向薄層基板的熱量傳遞根據(jù)本發(fā)明之五、六，由于相應(yīng)與薄層基板的接觸面相連的前端側(cè)壁的體積變小，熱容量能減少，因而傳向薄層基板的熱量也會(huì)減少。
根據(jù)本發(fā)明之七，可使吸附性能更加穩(wěn)定。
根據(jù)本發(fā)明之八，可以限制薄層基板的彎曲。其結(jié)果，可以抑制因在與側(cè)壁部的接觸部的變形、以及因這種變形和熱傳遞起因的熱脹冷縮而造成的熱成象。
根據(jù)本發(fā)明之九，可以限制薄層基板的彎曲。
根據(jù)本發(fā)明之十，由于吸附墊具有耐熱性所以就不會(huì)發(fā)生高溫的薄層基板黏附在接觸部上的問題，另外，由于是樹脂所制所以也不會(huì)使薄層基板的背面受到損傷。特別是對(duì)液晶屏更有效。
根據(jù)本發(fā)明之十一，可以使例如經(jīng)熱處理的薄層基板不發(fā)生熱成象地，進(jìn)行向下一工序(也包括用于將基板疊放成可傳送狀態(tài)的向產(chǎn)品架的收放動(dòng)作、以及用于向下一工序傳送的向輸送裝置的移置動(dòng)作)的移置(傳送)。
根據(jù)本發(fā)明之十二，可以更均勻地支承薄層基板，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的移置姿態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明之十三，即使從第1處理部取出的薄層基板的溫度與常溫相差很大，也能抑制熱成象的發(fā)生地進(jìn)行向作為下一工序的第2工序的移送。
根據(jù)本發(fā)明之十四，尤其是對(duì)熱成象成為問題的玻璃基板可以得到很大效果。
根據(jù)本發(fā)明之十五，即使對(duì)薄層基板進(jìn)行烘烤等的熱處理，使其達(dá)到高溫、例如200～250℃而與常溫產(chǎn)生很大的溫差，也可最大限度地抑制熱成象的發(fā)生。
在這里所使用的術(shù)語及說明是為了說明與本發(fā)明相關(guān)的實(shí)施例的一種而使用的，本發(fā)明并不僅限定于此。本發(fā)明在權(quán)利要求的范圍內(nèi)，只要沒有脫離其思想，也允許有各種設(shè)計(jì)變更。
權(quán)利要求
1.一種薄層基板移載用吸附墊，用于吸附薄層基板，其特征在于由具有環(huán)形側(cè)壁的有底桶狀體構(gòu)成，該桶狀體在底部的局部形成有吸引孔，所述側(cè)壁部的前端形成為前方收窄的錐狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄層基板移載用吸附墊，其特征在于側(cè)壁部的外周面一側(cè)形成為錐狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄層基板移載用吸附墊，其特征在于側(cè)壁部的前端端面的徑向尺寸為0.1mm～0.5mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄層基板移載用吸附墊，其特征在于側(cè)壁部的前端端面的徑向尺寸為0.2mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的薄層基板移載用吸附墊，其特征在于側(cè)壁部由吸引孔側(cè)的小直徑的基部側(cè)壁、前端側(cè)的大直徑的前端側(cè)壁、以及連接基部側(cè)壁和前端側(cè)壁的連結(jié)部而構(gòu)成，所述前端側(cè)壁與所述連結(jié)部連接的附近部分的壁厚為0.5mm～1.0mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄層基板移載用吸附墊，其特征在于連結(jié)部的壁厚為0.5mm～1.0mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的薄層基板移載用吸附墊，其特征在于側(cè)壁部為圓形。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的薄層基板移載用吸附墊，其特征在于在側(cè)壁部的內(nèi)徑側(cè)等直徑且圓周方向等間隔地形成有多個(gè)突起。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄層基板移載用吸附墊，其特征在于突起的前端與側(cè)壁部的前端處于同一高度或較低。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的薄層基板移載用吸附墊，其特征在于桶狀體是由具有耐熱性的樹脂制成的。
11. 一種薄層基板移載裝置，其特征在于包括載置薄層基板的機(jī)械手部、露出設(shè)置在該機(jī)械手部上面的權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的薄層基板用吸附墊、以及可使機(jī)械手部變換位置的驅(qū)動(dòng)部。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄層基板移載裝置，其特征在于在機(jī)械手部上分散配置有多個(gè)薄層基板移載用吸附墊。
13.一種薄層基板制造方法，其特征在于在以將多張薄層基板相互分隔層疊的狀態(tài)下實(shí)施第1處理的第1處理部與以將多張薄層基板相互分隔層疊的狀態(tài)下實(shí)施第2處理的第2處理部之間，配置權(quán)利要求11或12所述的薄層基板移載裝置，通過將經(jīng)第1處理部處理后的薄層基板一張一張載置傳遞至第2處理部，使第1處理和第2處理連續(xù)進(jìn)行。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄層基板制造方法，其特征在于薄層基板是玻璃基板。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄層基板制造方法，其特征在于第1處理部是熱處理。
全文摘要
一種薄層基板移載用吸附墊，是用于吸附玻璃基板的吸附墊(71)，由具有圓環(huán)狀的側(cè)壁部(711)的有底桶狀體構(gòu)成，在底部(712)的中央形成有吸引孔(713)，側(cè)壁部(711)的前端形成為前方收窄的錐狀。側(cè)壁部(711)由吸引孔側(cè)的小直徑的基部側(cè)壁(714)、前端側(cè)的大直徑的前端側(cè)壁(715)、以及連接基部側(cè)壁和前端側(cè)壁的連結(jié)部(716)而構(gòu)成。前端側(cè)壁(715)的前端端面(715a)的徑向尺寸為0.2mm。由此可以抑制托墊的冷熱(相對(duì)而言溫度較低)傳遞到玻璃基板的熱量。
文檔編號(hào)H01L21/68GK1495887SQ0313780
公開日2004年5月12日 申請(qǐng)日期2003年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月29日
發(fā)明者田中秀樹, 安賓楨, 蕭厚彥 申請(qǐng)人:愛斯佩克株式會(huì)社, 中華映管股份有限公司