專利名稱：防止凝結液污染基板的方法與裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是關于一種防止凝結液污染基板的方法，尤指一種適用于去光阻制程的防止去光阻凝結液污染基板的方法。
背景技術：
微影制程可說是半導體或平面顯示面板制造過程中最重要的步驟之一，凡是與元件結構相關的圖案或雜質(zhì)區(qū)，皆由微影步驟來決定。微影制程的技術很復雜，主要是先在晶片表面覆蓋一層光阻，再藉由平行光依光罩上的圖案使光阻進行選擇性曝光，然后再經(jīng)由顯影使光阻上呈現(xiàn)與光罩相同的圖案，之后便可執(zhí)行后續(xù)的制程，例如蝕刻、離子植入等。當這些制程執(zhí)行完畢后，光阻的利用便已結束，因此必須將其從晶片表面剝除(strip)，一般稱為去光阻。
目前去光阻程序如圖1所示，基板10先在去光阻室20(STRIPPERChamber)進行去光阻，之后進入清洗室30(Rising Chamber)將去光阻液清洗乾浮。由生產(chǎn)線上發(fā)現(xiàn)，當基板10經(jīng)過去光阻室20與清洗室30之間的隔板40時，其表面會有水痕產(chǎn)生。推究其因為，當基板欲進入清洗室30時，隔板40會自動開啟，此時在清洗室30的冷氣體便會進入溫度較高的去光阻室20(約65～70℃)，使附近的去光阻液蒸氣與水蒸氣遇冷凝結于隔板40上，尤其當清洗室30內(nèi)的風刀50出口調(diào)向隔板40的方向時，此冷凝現(xiàn)象更為明顯。隔板40內(nèi)壁的去離子水與去光阻液混合凝結液便滴落至基板10上，基板10再經(jīng)過清洗室30內(nèi)的風刀50刮過而留下一道道的水痕，造成產(chǎn)品良率損失及可靠度降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是在提供一種防止凝結液污染基板的裝置，，以便能避免基板表面產(chǎn)生水痕，提高面板良率及元件可靠度。
本發(fā)明的另一目的是在提供一種防止凝結液污染基板的方法，以便能避免基板表面產(chǎn)生水痕，提高面板良率及元件可靠度。
為達成上述目的，本發(fā)明一種防止凝結液污染基板的裝置，是配合一基板，主要包括一反應室，用以容置該基板及一制程流體，以進行一制程步驟，該反應室之一側邊具有至少一出入口，以供該基板進出該反應室；一傳送單元，用以自該出入口將該基板傳入或傳出該反應室；一第一噴氣元件，位于該反應室外該傳送單元的行進路徑上，用以對該傳送單元上的該基板噴氣；以及一第二噴氣元件，位于該反應室外該出入口之一側，用以對該出入口噴氣。
為達成上述目的，本發(fā)明一種防止凝結液污染基板的方法，是配合一基板，主要包括以下步驟首先提供一反應室，用以容置該基板及一制程流體進行一制程步驟，其中該反應室之一側邊具有一出入口，以供該基板進出該反應室；一可自該出入口將該基板傳入或傳出該反應室的傳送單元；一位于該反應室外該傳送單元行進路徑上的第一噴氣元件；及一位于該反應室外該出入口之一側的第二噴氣元件；以及使該第二噴氣元件對該出入口噴氣。
本發(fā)明防止凝結液污染基板的裝置與方法中，配合使用的基板無限制，較佳為玻璃基板或矽晶圓。本發(fā)明防止凝結液污染基板的裝置與方法中的傳送單元無限制，可為任何現(xiàn)有的基板傳送元件，較佳為滾輪或輸送帶。本發(fā)明防止凝結液污染基板的裝置與方法應用的制程步驟較佳為去光阻或蝕刻，更佳為濕式去光阻或濕式蝕刻。本發(fā)明防止凝結液污染基板的裝置與方法使用的制程流體無限制，可為任何配合該制程步驟所需使用的流體，較佳為光阻液或酸溶液。本發(fā)明防止凝結液污染基板的裝置與方法中的第一或第二噴氣元件較佳為噴嘴、氣刀、或風刀。本發(fā)明防止凝結液污染基板的裝置與方法中的出入口較佳為一閘門。本發(fā)明防止凝結液污染基板的方法中，當?shù)诙姎庠υ摮鋈肟趪姎鈺r，該出入口的狀態(tài)無限制，可為開啟或關閉；該第一噴氣元件可于該第二噴氣元件對該出入口噴氣之前、同時、或之后，對該傳送單元上的該基板噴氣。


圖1是現(xiàn)有去光阻機臺的剖視圖；圖2是本發(fā)明一較佳實施例的去光阻機臺剖視圖。
具體實施例方式
為能更了解本發(fā)明的技術內(nèi)容，特舉下述較佳具體實施例說明如下。
請參見圖2，圖2為本發(fā)明較佳具體實施例的去光阻機臺剖視圖。本較佳具體實例的去光阻機臺100為SHIBAURA的STRIPPER機臺，其反應室為去光阻室110。去光阻室110內(nèi)部有去光阻液111，例如三?；さ腡OK液，其溫度約為65℃，以去除基板130表面的光阻層131。清洗室120內(nèi)有室溫的去離子水121，可于基板130完成去光阻后，立即清洗基板130，以將其上殘留的去光阻液111洗凈?；?30先前已進行覆蓋光阻、曝光、及顯影等步驟，或者亦經(jīng)過蝕刻或離子植入等制程步驟，而需進行表面光阻剝除(strip)的基板，一般稱為去光阻。去光阻室110與清洗室120之間設有一氣動閘門143，并以氣體源144的氣體輸出與否來控制氣動閘門143的開或關?；?30在去光阻機臺100內(nèi)進行制程時，乃由輸送帶140先將基板130送進去光阻室110進行去光阻，之后再將基板130送出去光阻室110而進入清洗室120進行清洗，清洗完畢后再將基板130送出清洗室120，而完成此部分的工作。由氣動閘門143的開或關，可控制基板130進入清洗室120的時間點。
由于基板130進入清洗室120時，會帶有部分的去光阻液111，為避免去光阻液111殘余在基板130上，并減少去光阻液111進入清洗室120的量，于清洗室120內(nèi)接近氣動閘門143之處裝設一組風刀122，可于基板130進入清洗室120時，將其上的去光阻液111吹回去光阻室110。因去光阻液111的溫度高于去離子水121的溫度，使得去光阻室110的室溫高于清洗室120的室溫，當氣動閘門143打開時，去光阻液111的蒸汽或去離子水121蒸汽于接近清洗室120處會遇冷凝結，尤其最常凝結殘留于氣動閘門143上方141。因此，增設氣刀123于風刀122側邊，并使氣刀123的吹氣口對準氣動閘門143上方141，而氣刀123所需氣體亦由氣體源144提供。如圖2所示，氣刀123與氣體源144之間有一導氣管相連接。當氣體源144提供氣體給氣動閘門143，以關閉氣動閘門143時，氣體源144的氣體同時會經(jīng)由導氣管進入氣刀123。氣刀123以吹氣方式吹掉凝結于氣動閘門143上方141的液體，直至氣動閘門143再次被打開之前。于氣刀123吹氣過程中，前一塊基板130已離開氣動閘門143，而后一塊基板130尚未到達氣動閘門143，并與氣動閘門143保持一段距離。因此，被氣刀123吹落的液體并不會滴落至基板130。因此，待基板130行經(jīng)氣動閘門143下方時，因上方141上的凝結液已去除或減量，故不會再掉落至基板130而使其產(chǎn)生水痕。
于本發(fā)明之一變通實施例中，氣刀123的吹氣，并不限于氣動閘門143關閉期間始可執(zhí)行。經(jīng)由調(diào)整氣刀123的吹氣角度以及氣刀123吹氣過程中基板130與氣動閘門143間的距離，氣刀123的吹氣亦可以于氣動閘門143開啟期間執(zhí)行吹氣動作。
本發(fā)明使用因為對有額外針對反應室出入口的室壁或閘門中容易凝結的部位噴氣，所以可以大幅減少溶液于反應室出入口的室壁或閘門上凝結的機率，因而可以減少基板上因為溶液凝結導致的水痕污染，而因氣刀的氣體源可以直接采用氣體閘門的氣體源，故本發(fā)明于反應室內(nèi)或其外壁加裝噴氣元件來去除制程流體或凝結液的方法所需的成本很低，但卻可大大地改善基板表面殘留水痕的問題，使產(chǎn)品良率與元件可靠度大為提高。
上述實施例僅是為了方便說明而舉例而已，而非僅限于上述實施例。
權利要求
1.一種防止凝結液污染基板的裝置，其特征在于，是配合一基板，主要包括一反應室，用以容置該基板及一制程流體，以進行一制程步驟，該反應室的一側邊具有至少一出入口，以供該基板進出該反應室；一傳送單元，用以自該出入口將該基板傳入或傳出該反應室；一第一噴氣元件，位于該反應室外該傳送單元的行進路徑上，用以對該傳送單元上的該基板噴氣；以及一第二噴氣元件，位于該反應室外該出入口之一側，用以對該出入口噴氣。
2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，其中該基板為玻璃基板或矽晶圓。
3.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，其中該傳送單元為滾輪或輸送帶。
4.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，其中該制程步驟為去光阻或蝕刻。
5.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，其中該出入口為一氣動閘門。
6.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，其中該制程流體為去光阻液或酸溶液。
7.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，其中該第一或第二噴氣元件為噴嘴、氣刀、或風刀。
8.一種防止凝結液污染基板的方法，其特征在于，是配合一基板，主要包括以下步驟提供一反應室，用以容置該基板及一制程流體進行一制程步驟，其中該反應室一側邊具有一出入口，以供該基板進出該反應室；一可自該出入口將該基板傳入或傳出該反應室的傳送單元；一位于該反應室外該傳送單元行進路徑上的第一噴氣元件；及一位于該反應室外該出入口一側的第二噴氣元件；以及使該第二噴氣元件對該出入口噴氣。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述該第二噴氣元件對該出入口噴氣之前、同時、或之后，更包含一步驟使該第一噴氣元件對該傳送單元上的該基板噴氣。
10.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述該基板為玻璃基板或矽晶圓。
11.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述該出入口為一氣動閘門。
12.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述該傳送單元為滾輪或輸送帶。
13.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述該制程步驟為去光阻或蝕刻。
14.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述該制程流體為去光阻液或酸溶液。
15.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述該第一或第二噴氣元件為噴嘴、氣刀、或風刀。
16.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述該第二噴氣元件對該出入口噴氣時，該出入口為開啟。
17.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述該第二噴氣元件對該出入口噴氣時，該出入口為關閉。
全文摘要
本發(fā)明是有關于一種防止凝結液污染基板的裝置，是配合一基板，主要包括一反應室，用以容置該基板及一制程流體，以進行一制程步驟，該反應室之一側邊具有一出入口，以供該基板進出該反應室；一傳送單元，用以自該出入口將該基板傳入或傳出該反應室；一第一噴氣元件，位于該反應室外該傳送單元的行進路徑上，用以對該傳送單元上的該基板噴氣；以及一第二噴氣元件，位于該反應室外該出入口之一側，用以對該出入口噴氣。本發(fā)明一種防止凝結液污染基板的方法亦一并提供。
文檔編號H01L21/3105GK1567543SQ03141109
公開日2005年1月19日 申請日期2003年6月9日 優(yōu)先權日2003年6月9日
發(fā)明者洪健雄, 蔣明堂, 黃明夷, 蔡銘原, 彭順煌 申請人:友達光電股份有限公司