專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體記憶裝置，而且更特別地涉及一種用于制造出具有改良的溝道特征(channel characteristics)的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體裝置的集成，溝道長度逐漸減少。雖然該裝置的尺寸大小變成減少，但是源極(source)與漏極(drain)的濃度還是非常的高以提高其速度。
隨著在源極和漏極之間的距離變短，短溝道長度可使臨界電壓(VT)快速地下降。該臨界電壓(VT)的下降會(huì)增加氣氛中的漏電流，而且也會(huì)產(chǎn)生該源極和漏極的擊穿，使該裝置的特性劣化。特別地，在p-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)裝置中，主要的載子(carriers)為空穴，PMOS的載子的遷移率與n-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)的載子，即電子的遷移率相比低三倍。所以，控制溝道摻雜物的位置和濃度以及溝道中與場(chǎng)氧化層的隔離變得非常重要。
圖1A是橫剖面圖，示出根據(jù)傳統(tǒng)方法的PMOS裝置。
參考圖1A，n-型阱(well)13在半導(dǎo)體襯底11中形成，在該半導(dǎo)體襯底11中形成有場(chǎng)氧化層(field oxidation layer)12作為裝置隔離層(isolation layer)。柵極氧化層(gate oxidation layer)14和柵電極(gate electrode)15皆在半導(dǎo)體襯底11上所選定的區(qū)域上形成。p-型溝道區(qū)域16在該半導(dǎo)體襯底11中的柵極氧化層14之下形成。而且p-型源極/漏極區(qū)(source/drain regions)皆靠近該p-型溝道區(qū)域16，以與該柵電極14的兩邊緣對(duì)齊而形成。
在如第1A圖所示的已有技術(shù)中，由離子植入或摻雜物的活化所產(chǎn)生的各固化缺陷通過在阱退火(well annealing)期間一次高溫退火而沒有用于額外的電活化(相對(duì)溝道區(qū)域)的退火工藝，或通過柵極氧化層的熱氧化工藝而實(shí)現(xiàn)。
而且在形成該p-型源極/漏極區(qū)17之后，在離子植入期間所必定會(huì)產(chǎn)生的晶體缺陷被去除，而且實(shí)施退火工藝以活化摻雜物。此刻，以低的上升溫度速度把溫度一次提高至最大工藝溫度來進(jìn)行退火。
然而，如第1B圖中所示，當(dāng)在長時(shí)間期間，在高溫下進(jìn)行該退火工藝時(shí)雖然可克服晶體缺陷，但是當(dāng)裝置的溝道尺寸大小變成減少時(shí)，p-型溝道區(qū)域16的摻雜物會(huì)移動(dòng)進(jìn)入該n-型阱13的底部分中，在源極/漏極區(qū)中的非活化摻雜物會(huì)與空位(vacancy)相結(jié)合以變成侵入型缺陷(x)(intrusion-typedefect)，而且該侵入型缺陷(x)會(huì)擴(kuò)散至該柵電極15的底部分的末端部分和本體形式的半導(dǎo)體襯底11中。因?yàn)樽鳛樵損-型溝道區(qū)域16的摻雜物的硼會(huì)與該侵入型缺陷(x)隔離，而且摻雜物的濃度不均勻性會(huì)在該p-型溝道區(qū)域16中產(chǎn)生，所以很難在淺溝道區(qū)域中獲得摻雜物的均勻分布。
同時(shí)，由于該裝置變小，所以臨界電壓變大，為了對(duì)此進(jìn)行控制，雖然該p-型溝道區(qū)域16的摻雜濃度增加，但是因?yàn)橛糜趐-型溝道區(qū)域16的局部退火工藝并沒有以傳統(tǒng)方法實(shí)施，所以會(huì)有局部濃度梯度的問題，即，臨界電壓響應(yīng)摻雜物的非均勻性的變化寬度會(huì)增加。
此外，在形成該p-型源極/漏極區(qū)之后，用于缺陷的退火狀態(tài)被去除，而且雜質(zhì)的電活化在具有淺接面和小尺寸的高密度集成裝置中具有非常高的熱平衡(thermal budget)，而且以最大工藝溫度維持大約從10秒至20秒范圍的維持時(shí)間。當(dāng)在接面的縱向方向和水平方向產(chǎn)生擴(kuò)散時(shí)，這些狀態(tài)造成在表面上遷移率的降低，結(jié)果，漏極飽和電流降低，而且由摻雜物擴(kuò)散所植入的摻雜物的劑量減少，從而降低了接觸電阻。
所以，在已植入的溝道區(qū)域中，摻雜物的擴(kuò)散通過降低熱平衡和通過避免與該場(chǎng)氧化層隔離(segregation)而降低溝道區(qū)域中摻雜物的均勻度而受到抑制，同時(shí)，還需要另一熱處理工藝以恢復(fù)在該離子植入期間所受損的晶體缺陷層，以形成源極/漏極區(qū)，而且也電活化摻雜物。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供解決傳統(tǒng)方法的上述問題，而且也提供用于形成p-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)裝置的方法，它適合通過防止由于植入到溝道區(qū)域中的摻雜物的外擴(kuò)散(out diffusion)和隔離所造成的摻雜物均勻度的劣化而用于降低臨界電壓的變化寬度。
本發(fā)明的另一目的是提供一種用于形成具有淺接面(shallow junction)和低接觸電阻的PMOS裝置的方法。
本發(fā)明的另一目的是提供一種用于形成PMOS裝置的方法，所述裝置適合于將溝道和源極/漏極區(qū)的擴(kuò)散最小化，而且也適用于抑制通過摻雜物的失活所注入的侵入型缺陷的移動(dòng)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種用于形成p-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)裝置的方法，該方法包括步驟在半導(dǎo)體襯底的表面下形成溝道區(qū)域；利用彼此不同的升溫速度通過進(jìn)行兩次的第一退火工藝使被植入該溝道區(qū)域中的摻雜物活化；隨后在該半導(dǎo)體襯底上形成柵極氧化層和柵電極；在半導(dǎo)體襯底中該柵電極的兩面上形成源極/漏極區(qū)；以及在與第一退火工藝相同的條件下進(jìn)行第二退火工藝，使被植入到源極/漏極區(qū)中的摻雜物活化。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種用于形成PMOS裝置的方法，其中第一退火和第二退火工藝分別包括通過第一升溫速度的用于第一退火的第一步驟，以達(dá)到第一工藝溫度，在該溫度下發(fā)生固相多晶生長(solid phasepolycrystalline growth))，而且包括通過從該第一工藝溫度至最大工藝溫度的第二工藝溫度的第二升溫速度的用于退火的第二步驟，其中第二升溫速度相對(duì)大于第一升溫速度。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種用于形成PMOS裝置的方法，其中在第一退火工藝期間的第一工藝溫度范圍是從500℃至650℃，而且該第一升溫速度范圍是從20℃/秒至50℃/秒。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種用于形成PMOS裝置的方法，其中在該第二退火工藝期間的該第二工藝溫度范圍是從650℃至900℃～1050℃，而且該第二升溫速度的范圍是從100℃/秒至200℃/秒。


根據(jù)下文結(jié)合附圖對(duì)優(yōu)選實(shí)施方案的描述，本發(fā)明的上述及其它目的和特征是顯而易見的，其中圖1A是橫剖面圖，示出根據(jù)傳統(tǒng)方法的p-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)裝置；圖1B表示根據(jù)傳統(tǒng)方法的硼的擴(kuò)散和隔離；圖2示出根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案的PMOS裝置的流程圖；和圖3A至3D是橫剖面圖，示出用于制造圖2所示的PMOS裝置的方法。
具體實(shí)施例方式
下文將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案。
在下述的優(yōu)選實(shí)施方案中，用于改良短溝道特征的方法通過避免硼與作為溝道和主體(bulk)區(qū)域的半導(dǎo)體襯底隔離，而且也通過實(shí)現(xiàn)在溝道區(qū)域中摻雜物的均勻度來實(shí)施。這通過抑制成份，例如侵入型缺陷進(jìn)入作為溝道和主體區(qū)域的半導(dǎo)體襯底而實(shí)現(xiàn)，即通過增加在具有短溝道尺寸的裝置，特別是在PMOS裝置中用作源極/漏極區(qū)的摻雜物的硼的電活化而降低失活量。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案的PMOS裝置的流程圖。
如圖2所示，用于制造出PMOS裝置的方法包括用于形成n-型阱的工藝(S1)；用于形成p-型溝道區(qū)域的工藝(S2)；用于第一退火的工藝(S3)；用于形成柵極氧化層和柵電極的工藝(S4)；用于形成p-型源極/漏極區(qū)的工藝(S5)；以及第二退火的工藝(S6)。
在此，進(jìn)行該第一退火工藝(S3)以使被植入溝道區(qū)域中的摻雜物活化。在形成柵極氧化之前進(jìn)行此工藝(S3)，而且在以溫度為500℃至650℃的范圍內(nèi)通過20～50℃/秒的低溫升速度來進(jìn)行第一退火之后，在溫度為650℃至900～1050℃的范圍通過100～200℃/秒的高溫升速度來進(jìn)行第二退火。在該第二退火期間的溫度維持時(shí)間是0～1秒，該溫升速度范圍是100至200℃/秒，在氮化物氣氛中來進(jìn)行第一退火以避免被植入p-型溝道區(qū)域中的硼從表面滑落(slipping away)，而且在氧相對(duì)氮化物的比率維持低于10％的同時(shí)向其中供應(yīng)氧。
并且，進(jìn)行該第二退火工藝(S6)以使植入源極/漏極區(qū)中的摻雜物活化。在溫度為500℃至650℃的范圍下通過20～50℃/秒的低溫升速度來進(jìn)行該工藝(S6)之后，以溫度范圍為650℃至900～1050℃通過100至200℃/秒的高溫升速度來進(jìn)行第二退火。此時(shí)，通過在該第一退火期間提供少量的氧，可避免被植入p-型源極/漏極區(qū)中的硼(B)擴(kuò)散至表面的外部。
如上所述，通過以非常高的溫升速度進(jìn)行該退火以使被植入溝道區(qū)域和源極/漏極區(qū)中的摻雜物活化，可降低摻雜物的擴(kuò)散。同時(shí)，因?yàn)槠毓鈺r(shí)間和維持時(shí)間很短，而且熱平衡非常低，所以被植入其中的摻雜物會(huì)保持它們的分布(profile)，結(jié)果，濃度變低，而且載子的遷移率增加，通過在Rp中把少量的摻雜物移動(dòng)至該表面和主體，以通過保持高濃度密度來增加擊穿電壓(punch voltage)，而且在該主體中的結(jié)部分(junction part)的濃度變低以降低寄生電容。
圖3A至3D為橫剖面圖，示出用于制造圖2所示的PMOS裝置的方法。
如圖3A所示，在通過公知的淺溝槽隔離(shallow trench isolation)(STI)方法或硅的局部氧化(LOCOS)方法，在作為裝置隔離層的場(chǎng)氧化層(fieldoxidation layer)22形成于半導(dǎo)體襯底21的預(yù)定區(qū)域上之后，將掩蔽(screen)氧化物層23形成于半導(dǎo)體襯底21上。此刻，該掩蔽氧化層23用來避免晶格由于隨后的離子植入工藝而受到損壞，而且可通過將該半導(dǎo)體襯底21的表面熱氧化而由熱氧化物形成掩蔽氧化層23。
在后續(xù)的步驟中，在形成用于曝光半導(dǎo)體襯底21的頂表面上的活性區(qū)域的掩膜24之后，可通過將n-型摻雜物如砷(As)離子植入到掩膜24所曝光的半導(dǎo)體襯底21的活性區(qū)域中而形成n-型阱區(qū)(well region)25。
在下列步驟中，通過保持掩膜24，植入離子例如純硼(11B)或二氟化硼(BF2)以形成硼植入的p-型溝道區(qū)域26。此刻，如果植入純硼(11B)，則以10keV～40keV的范圍來植入1×1012～1×1013離子/cm2的劑量，而如果植入BF2，則以25keV～50keV的范圍來植入1×1012～1×1013離子/cm2的劑量。
如圖3B所示，在去除掩膜24和掩蔽氧化層23之后，在用于形成p-型溝道區(qū)域26的離子植入之后，以該p-型溝道區(qū)域26具有反向分布(retrogradeprofile)的方式來實(shí)施具有小的擴(kuò)散和高的電活化的第一退火工藝。因此，在第一退火之后，p-型溝道區(qū)域26變成電活化的p-型溝道區(qū)域26a。
例如，在500℃至650℃的溫度范圍內(nèi)通過20～50℃/秒的低溫升速度來進(jìn)行第一退火之后，在650℃至900～1050℃的溫度范圍內(nèi)通過100～200℃/秒的高溫升速度來進(jìn)行第二退火。
首先，考慮第一退火，在第一退火期間，在500℃至650℃的溫度范圍內(nèi)通過20～50℃/秒的低溫升速度來進(jìn)行第一退火，在500℃至650℃的溫度范圍下來產(chǎn)生固相多晶生長，從而使通過離子植入所產(chǎn)生的無定形層(amorphous layer)朝著該表面而逐漸地結(jié)晶。
同時(shí)，在氮化物氣氛下進(jìn)行第一退火，以避免在第一退火期間植入至已電活化的p-型溝道區(qū)域26a中的硼滑落(slip away)至表面的外部，而且以氧與氮化物的比例關(guān)系維持低于10％供應(yīng)氧，以便降低硼朝著表面外部的外擴(kuò)散(out diffusion)。也就是說，通過供應(yīng)氧，窄氧化物層(未示出)在半導(dǎo)體襯底2l的表面上形成，這樣可通過避免在第一退火期間植入至已電活化的p-型溝道區(qū)域26a中的硼朝著該表面的外部滑落而增加剩余的硼的量。
在以下步驟中，考慮第二退火，以溫度為650℃至900～1050℃的范圍，通過100～200℃/秒的高溫升速度來進(jìn)行第二退火，其中溫度維持時(shí)間范圍是0至1秒。
之后，在第一退火和第二退火期間，為了在晶片(wafer)的整個(gè)表面上獲得均勻分布，注入氮?dú)庖詫⒃摼D(zhuǎn)。
這種快速的溫升速度能使硼(B)擴(kuò)散，特別是擴(kuò)散至側(cè)向(side direction)，而且通過同時(shí)把硼維持在固體溶解度(solubility)之上來增加p-型溝道區(qū)域26的電活化。也就是說，摻雜物的溶解度可以用溫度的函數(shù)來表示，雖然以高溫來進(jìn)行第二退火，由于短的曝光時(shí)間和短的維持時(shí)間而保持高溶解度。
與第二退火類似，如果溫度快速地上升至最大工藝溫度，則硼在p-型溝道區(qū)域26a中的遷移受到抑制，而且通過增加硼(B)的電活化來降低失活的程度。
由于如上所述的第一退火是高溫升退火，所以該第一退火具有足夠低的熱平衡(thermal burden)，結(jié)果，特別是至側(cè)向和場(chǎng)氧化層22的擴(kuò)散受到降低，而且實(shí)現(xiàn)了超陡反向(super steep retrograde，SSR)溝道的分布，這樣改善了短溝道效應(yīng)，其中該分布代表該SSR溝道在其表面附近變成低濃度，在區(qū)域的突出(projection of range，Rp)處變成最大濃度，以及在主體上變成低濃度。
如圖3C中所示，在柵極氧化層27之后，緊接著在半導(dǎo)體襯底21上形成柵電極28，該半導(dǎo)體襯底上形成有p-型溝道區(qū)域26a，通過將離子，例如純硼(11B)或二氟化硼(BF2)離子植入，通過把該柵電極28用作掩膜而形成p-型源極/漏極區(qū)29。同時(shí)，通過使用純硼(11B)或BF2來實(shí)施常規(guī)的離子植入，以形成該p-型源極/漏極區(qū)29。如果使用純硼(11B)，則以10keV～20keV的范圍來植入1×1015～4×1015離子/cm2的劑量，而且如果使用二氟化硼(BF2)，則以200eV～5keV的范圍來植入1×1015～4×1015離子/cm2的劑量。
如圖3D中所示，在形成p-型源極/漏極區(qū)29之后，為了恢復(fù)電活化和硼的受損硅晶格缺陷，進(jìn)行第二退火。此刻，第二退火與通過低的溫升速度將溫度升至最大工藝溫度的傳統(tǒng)方法的不同之處在于兩次升高工藝溫度，因此，在第二退火之后，p-型源極/漏極區(qū)29變成已電活化的p-型源極/漏極區(qū)29a。
在此，在以500℃至650℃的溫度范圍通過20～50℃/秒的低溫升速度來實(shí)施第二退火之后，它以650℃至900～1050℃的溫度范圍通過100～200℃/秒的高溫升速度來實(shí)施。
首先，考慮第一退火，在第一退火期間以500℃至650℃的溫度范圍通過20～50℃/秒的低溫升速度來實(shí)施第一退火，以在500℃至650℃的溫度范圍產(chǎn)生固相多晶(polycrystal)生長，這樣使通過離子植入而產(chǎn)生的無定形層朝著表面逐漸結(jié)晶。
而且，在氮化物氣氛下來進(jìn)行第一退火，以避免在該第一退火期間植入至該電活化的p-型源極/漏極區(qū)29a中的硼滑落至表面外部，而且以氧與氮化物的比例關(guān)系維持低于10％的同時(shí)來供應(yīng)氧，以便降低硼(B)朝著該表面的外部的外擴(kuò)散。也就是說，通過供應(yīng)氧，窄氧化層(未示出)在半導(dǎo)體襯底21的表面上形成，從而通過避免在第一退火期間植入至已電活化的p-型源極/漏極區(qū)29a中的硼(B)朝著該表面的外部滑落來增加剩余的硼(B)的量。
在下一步驟中，考慮第二退火，它以650℃至900～1050℃的溫度范圍通過100～200℃/秒的高溫升速度來實(shí)施，其中溫度維持時(shí)間范圍是0至1秒。
這種快速的溫升速度使硼擴(kuò)散，特別是可擴(kuò)散至側(cè)向，同時(shí)也能通過把硼維持在固體溶解度之上來增加p-型源極/漏極區(qū)29a的電活化。也就是說，摻雜物的溶解度可表示為溫度的函數(shù)，雖然以高溫來實(shí)施第二退火，由于短的曝光時(shí)間和短的維持時(shí)間可保持高溶解度。
與第二退火類似，如果溫度快速地上升至最大工藝溫度時(shí)，則硼在p一型源極/漏極區(qū)29a中的遷移受到抑制，而且通過增加硼的電活化可降低失活的程度。
也就是說，通過降低硼(B)的失活程度，可降低在硼與空位(vacancy)之間的結(jié)合程度，而且通過降低植入至p-型溝道區(qū)域26a的柵電極28的底部方向中的源極/漏極區(qū)29a中的侵入型缺陷的量而降低硼(B)在p-型溝道區(qū)域中的隔離。
因此，通過第二退火改善了p-型溝道區(qū)域26a中的硼(B)的均勻性，從而改善了短溝道特征，即根據(jù)溝道位置的臨界電壓差和落差、在環(huán)境下的漏電流以及在該源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間的擊穿電壓的下降。
另一方面，在第二退火期間，硼可朝著該表面的外部滑落，但是通過在第一退火期間供應(yīng)氧而在該半導(dǎo)體襯底21的頂表面上形成淺氧化物層(未顯示)，所以能防止硼滑落。
同時(shí)，在第一退火和第二退火期間，為了在晶片的整個(gè)表面上獲得均勻分布，通過注入氮?dú)鈦硎乖摼D(zhuǎn)。
如上所述的本發(fā)明可應(yīng)用至內(nèi)存裝置和用途特異性的集成電路(ASIC)裝置，而且本發(fā)明提出一種退火技術(shù)以提供適用于具有低溝道和結(jié)尺寸的高密度集成電路(high density integration circuit)的應(yīng)用技術(shù)。
同時(shí)，如上所述的本發(fā)明可在溝道區(qū)域中保持淺溝道的分布，而且也可通過控制住局部摻雜物的非均勻度，即，通過抑制摻雜物朝向側(cè)向和場(chǎng)氧化層的隔離而把臨界電壓的變化寬度降低。
此外，本發(fā)明能形成具有淺結(jié)(shallow junction)和低電阻的結(jié)，這是通過實(shí)施兩次退火工藝增加摻雜物的溶解度而抑制植入源極/漏極區(qū)中的摻雜物的擴(kuò)散而進(jìn)行的。
雖然已參照特定的實(shí)施方案對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員可在不背離所附權(quán)利要求中所定義的本發(fā)明的主旨和范圍的情況下可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改變和修改。
權(quán)利要求
1.一種用于形成p-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)裝置的方法，該方法包括步驟在半導(dǎo)體襯底的表面下形成溝道區(qū)域；利用彼此不同的升溫速度通過進(jìn)行兩次的第一退火工藝使被植入該溝道區(qū)域中的摻雜物活化；隨后在該半導(dǎo)體襯底上形成柵極氧化層和柵電極；在半導(dǎo)體襯底中該柵電極的兩面上形成源極/漏極區(qū)；以及在與第一退火工藝相同的條件下進(jìn)行第二退火工藝，使植入到源極/漏極區(qū)中的摻雜物活化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一退火和第二退火工藝分別包括通過第一升溫速度的用于第一退火的第一步驟，以達(dá)到第一工藝溫度，在該溫度下發(fā)生固相多晶生長，以及通過從該第一工藝溫度至最大工藝溫度的第二工藝溫度的第二升溫速度的用于退火的第二步驟，其中第二升溫速度相對(duì)大于第一升溫速度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中在第一退火工藝期間，第一工藝溫度范圍是500℃至650℃，而且第一升溫速度范圍是20℃/秒至50℃/秒。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中在第二退火工藝期間，第二工藝溫度范圍是650℃至900℃～1050℃，而且第二升溫速度范圍是100℃/秒至200℃/秒。
5.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中在氮化物氣氛下來實(shí)施第一退火工藝，而且將氧與氮化物的比例關(guān)系維持低于10％來供給氧。
6.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中在第二退火工藝期間，溫度維持時(shí)間范圍是0秒至1秒。
7.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中通過旋轉(zhuǎn)晶片分別實(shí)施第一退火工藝和第二退火工藝。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中通過旋轉(zhuǎn)晶片分別實(shí)施第一退火工藝和第二退火工藝。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中形成溝道區(qū)域的步驟是以1×1012～1×1013離子/cm2的劑量，以10keV～40keV的能量來植入純硼，或以1×1012～1×1013離子/cm2，以25keV～50keV的能量來植入二氟化硼。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中形成源極/漏極區(qū)的步驟是以1×1015～4×1015離子/cm2的劑量來植入純硼或二氟化硼，以10keV～20keV的能量來植入純硼，且以200eV～5keV的能量來植入二氟化硼。
全文摘要
一種用于形成p－溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)裝置的方法，它適合通過避免由于植入溝道區(qū)域中的摻雜物的外擴(kuò)散和隔離所造成的摻雜物均勻度的劣化而用于降低臨界電壓的變化寬度。該方法包括步驟在半導(dǎo)體襯底的表面下形成溝道區(qū)域；利用彼此不同的升溫速度通過進(jìn)行兩次的第一退火工藝使被植入該溝道區(qū)域中的摻雜物活化；隨后在該半導(dǎo)體襯底上形成柵極氧化層和柵電極；在半導(dǎo)體襯底中該柵電極的兩面上形成源極/漏極區(qū)；以及在與第一退火工藝相同的條件下進(jìn)行第二退火工藝，使植入到源極/漏極區(qū)中的摻雜物活化。
文檔編號(hào)H01L21/324GK1484287SQ0314234
公開日2004年3月24日 申請(qǐng)日期2003年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月17日
發(fā)明者柳昌雨 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司