專利名稱：光互聯(lián)集成電路、光互聯(lián)集成電路的制造方法、光電裝置以及電子儀器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光互聯(lián)集成電路、光互聯(lián)集成電路的制造方法、光電裝置以及電子儀器。
作為這種具有不同材質(zhì)的半導(dǎo)體集成電路，可以舉例的有光電集成電路(OEIC)。光電集成電路是具有光輸入輸出裝置的集成電路。雖然采用電信號(hào)進(jìn)行集成電路內(nèi)的信號(hào)處理，但是與集成電路外部的輸入輸出采用光信號(hào)進(jìn)行。
然而，由于硅是間接躍遷型半導(dǎo)體而不能發(fā)光。這樣，有必要將硅同其它的半導(dǎo)體發(fā)光元件進(jìn)行組合來構(gòu)成集成電路。
在這里，有希望成為半導(dǎo)體發(fā)光元件的有砷化鎵(GaAs)等由化合物半導(dǎo)體形成的表面發(fā)射激光器(VCSEL)。但是，由于表面發(fā)射激光器與硅晶格不匹配，因此，很難利用晶體取向附生等的半導(dǎo)體制造工藝，直接在硅集成電路上形成。
通常，表面發(fā)射激光器可以在砷化鎵襯底上形成。因此，可以考慮使用一種融合電信號(hào)傳輸電路和光信號(hào)傳輸電路的方法，將砷化鎵襯底上的表面發(fā)射激光器制作成芯片，然后把該芯片機(jī)械性地安裝在硅集成電路襯底上。
此外，為了不浪費(fèi)形成集成電路的半導(dǎo)體襯底的面積，或者為了便于融合后的處理，最好，集成電路上的表面發(fā)射激光器元件的芯片尺寸盡可能小。如果可能，其尺寸最好與單片形成的集成電路大致相同，即尺寸＝(厚度數(shù)μm×面積數(shù)十μm2)。但是，現(xiàn)有的半導(dǎo)體安裝技術(shù)中，可裝卸的芯片尺寸大于等于(厚度數(shù)十μm×面積數(shù)百μm2)的尺寸。
針對(duì)這些問題，第一參考文獻(xiàn)(雜志《電子學(xué)》，2000年10月號(hào)，37～40頁)以及第二參考文獻(xiàn)(雜志《電子情報(bào)通信學(xué)會(huì)論文志》，2001/9，Vol.J84-C.No9)中有相關(guān)技術(shù)記載。這些參考文獻(xiàn)闡述的技術(shù)是，首先，通過研磨清除襯底，只將形成半導(dǎo)體元件的最外層的功能層(數(shù)μm)復(fù)制到其它支撐襯底上，通過裝卸以及光蝕刻技術(shù)整形出所希望的大小尺寸，粘結(jié)到最終襯底上，這樣，在最終襯底的需要的位置上形成最后的半導(dǎo)體元件的厚度為數(shù)μm的半導(dǎo)體層(功能層)。通過通常的半導(dǎo)體工藝進(jìn)行加工、安裝電極等后完成這些半導(dǎo)體層。
這些第一和第二參考文獻(xiàn)的技術(shù)上的問題在于由于是通過研磨清除半導(dǎo)體襯底，因此需要?jiǎng)傮w的支撐襯底。而且，需要全面一次性地進(jìn)行與最終襯底的接合。即在進(jìn)行接合前，必須全部清除最終需要保留部分以外的半導(dǎo)體膜，因而浪費(fèi)極大。另外，由于被接合部分只是功能層，所以，接合后需要進(jìn)行半導(dǎo)體處理。因此，若所需的半導(dǎo)體元件的配置密度不太大時(shí)，會(huì)因?yàn)橹饌€(gè)進(jìn)行最終襯底的處理而造成很大的浪費(fèi)。
鑒于以上的不足，本發(fā)明的目的是提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)集成電路間的信號(hào)傳輸速度高速化的光互聯(lián)集成電路、光互聯(lián)集成電路的制造方法、光電裝置以及電子儀器。
另外，本發(fā)明還提供能夠簡易、小型、低成本制造具有高速的信號(hào)傳輸速度的集成電路的光互聯(lián)集成電路、光互聯(lián)集成電路的制造方法、光電裝置以及電子儀器。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明涉及的光互聯(lián)集成電路，其特征在于包括至少兩個(gè)集成電路芯片；至少一個(gè)微瓦片狀元件，粘結(jié)在每一個(gè)所述集成電路芯片上；在至少一個(gè)所述微瓦片狀元件上設(shè)置的發(fā)光元件；以及在至少一個(gè)所述微瓦片狀元件上設(shè)置的光接收元件，用于檢測所述發(fā)光元件發(fā)射的光。
根據(jù)本發(fā)明，安裝在某一集成電路芯片上的發(fā)光元件發(fā)射的光信號(hào)，由安裝在其它的集成電路上的光接收元件進(jìn)行檢測，發(fā)光元件受通信信號(hào)驅(qū)動(dòng)，可以收發(fā)集成電路芯片之間的光通信信號(hào)，可以使集成電路芯片間的信號(hào)傳輸速度高速化。
另外，由于在微瓦片狀元件上設(shè)置了作為收發(fā)裝置的發(fā)光元件和光接收元件，故收發(fā)裝置可以小型化，從而可以制造出結(jié)構(gòu)簡單、小型、且低成本的在集成電路芯片間高速進(jìn)行信號(hào)收發(fā)的光互聯(lián)集成電路。
本發(fā)明的光互聯(lián)集成電路的該微瓦片狀元件優(yōu)選粘結(jié)在該集成電路芯片的指定位置上。
根據(jù)本發(fā)明，微瓦片狀元件的尺寸很小，由于其微瓦片狀元件是通過粘結(jié)設(shè)置在集成電路芯片上的，因此微瓦片狀元件不僅限于集成電路芯片的周邊部分，也可以設(shè)置在集成電路中的任意位置。
另外，本發(fā)明的光互聯(lián)集成電路的該發(fā)光元件，用于發(fā)射光信號(hào)，所述光接收元件用于接收發(fā)光元件發(fā)射的光信號(hào)。
根據(jù)本發(fā)明，由于從安裝在某一集成電路芯片上的發(fā)光元件發(fā)射的光，由安裝在其它的集成電路上的光接收元件進(jìn)行檢測，所以在集成電路芯片之間可以收發(fā)光信號(hào)，可以使集成電路芯片間的信號(hào)傳輸速度高速化。
另外，本發(fā)明的光互聯(lián)集成電路，優(yōu)選所述發(fā)光元件設(shè)置在該集成電路芯片之一的第一集成電路芯片上所粘結(jié)的微瓦片狀元件上；該光接收元件設(shè)置在該集成電路芯片之一的第二集成電路芯片上所粘結(jié)的微瓦片狀元件上。
根據(jù)本發(fā)明，由于第二集成電路芯片上所粘結(jié)的微瓦片狀元件的光接收元件檢測第一集成電路芯片上所粘結(jié)的微瓦片狀元件的發(fā)光元件發(fā)射的光，故在集成電路芯片之間可以收發(fā)光信號(hào)，可以使集成電路芯片間的信號(hào)傳輸速度高速化。
本發(fā)明的光互聯(lián)集成電路中，優(yōu)選該第一集成電路芯片具有至少兩個(gè)該發(fā)光元件或光接收元件；該第二集成電路芯片具有至少該兩個(gè)發(fā)光元件或是光接收元件；該第一集成電路芯片與第二集成電路芯片具有至少兩組由該發(fā)光元件和光接收元件組成的信號(hào)收發(fā)裝置。
根據(jù)本發(fā)明，可通過第一集成電路芯片上設(shè)置的多個(gè)發(fā)光元件或光接收元件和第二集成電路芯片上設(shè)置的多個(gè)發(fā)光元件或是光接收元件形成多組信號(hào)收發(fā)裝置，利用該多組信號(hào)收發(fā)裝置，可以形成能夠同時(shí)(并行)收發(fā)信號(hào)的光總線。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以使集成電路芯片間的信號(hào)傳輸速度進(jìn)一步提高。
另外，根據(jù)本發(fā)明，可以構(gòu)成更加緊湊、高速的光互聯(lián)集成電路，因?yàn)闃?gòu)成光總線的多個(gè)發(fā)光元件以及光接收元件是微瓦片狀元件，因此，在一個(gè)集成電路芯片上設(shè)置的多個(gè)發(fā)光元件以及光接收元件之間的間隔可以非常狹小。
另外，本發(fā)明的光互聯(lián)集成電路，該兩組信號(hào)收發(fā)裝置具有該第一集成電路芯片和第二集成電路芯片間作為雙向通信裝置的功能。
根據(jù)本發(fā)明，可以構(gòu)成在集成電路芯片間進(jìn)行雙向通信的高速、緊湊的光互聯(lián)集成電路。
本發(fā)明的光互聯(lián)集成電路，優(yōu)選該至少兩組的信號(hào)收發(fā)裝置在該第一集成電路芯片和第二集成電路芯片之間作為并行傳輸多個(gè)光信號(hào)的光總線。
根據(jù)本發(fā)明，可以構(gòu)成在集成電路芯片間包含高速、緊湊的信號(hào)傳輸裝置的光總線的光互聯(lián)集成電路。
本發(fā)明的光互聯(lián)集成電路中，優(yōu)選將上述發(fā)光元件和光接收元件設(shè)置在該第一集成電路芯片的發(fā)光元件的發(fā)光中心軸與該第二集成電路芯片的光接收元件的受光中心軸處于基本同一條直線的位置上。
根據(jù)本發(fā)明，由于第一集成電路芯片的發(fā)光元件發(fā)射的光入射到第二集成電路芯片的光接收元件中，所以能夠很好地收發(fā)集成電路芯片間的光信號(hào)，可以實(shí)現(xiàn)集成電路芯片間的信號(hào)傳輸速度高速化。
本發(fā)明的光互聯(lián)集成電路的該光總線中的多個(gè)光信號(hào)最好分別由不同波長的光組成。
根據(jù)本發(fā)明，由于光總線內(nèi)多個(gè)光信號(hào)分別采用了不同的波長，所以即使由發(fā)光元件和光接收元件為一組的多組光信號(hào)收發(fā)裝置相互間配置的很近，也能夠防止由于散射光造成的信號(hào)干擾，可以使光互聯(lián)集成電路進(jìn)一步小型化。
本發(fā)明的光互聯(lián)集成電路中，上述發(fā)光元件優(yōu)選為表面發(fā)射激光器。
根據(jù)本發(fā)明，通過表面發(fā)射激光器，可以進(jìn)一步提高通信速度，同時(shí)也容易形成能穿透疊壓的多層結(jié)構(gòu)的多個(gè)集成電路芯片的激光發(fā)射裝置(信號(hào)發(fā)送裝置)。
本發(fā)明的光互聯(lián)集成電路中，最好該光接收元件具有波長選擇性。
根據(jù)本發(fā)明，由于使用了具有波長選擇性的光接收元件(光檢測器)，可以更好地防止由于散射光造成的信號(hào)干擾，使光互聯(lián)集成電路更加小型化。
本發(fā)明的光互聯(lián)集成電路中的該發(fā)光元件優(yōu)選發(fā)射波長大于等于1.1微米的光。
根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)用硅半導(dǎo)體形成集成電路芯片時(shí)，由于發(fā)光元件發(fā)射的光可以透過此硅半導(dǎo)體，所以，以多層結(jié)構(gòu)重疊多個(gè)集成電路芯片，使用穿透集成電路芯片的光信號(hào)，則可以在各集成電路芯片間進(jìn)行良好的信號(hào)傳輸。
還有，本發(fā)明的光互聯(lián)集成電路，優(yōu)選該發(fā)光元件發(fā)射的光透過至少一個(gè)該集成電路芯片后，入射到該光接收元件。
根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)多個(gè)集成電路芯片重疊形成多層結(jié)構(gòu)時(shí)，可通過穿透集成電路芯片的光在各集成電路間進(jìn)行通信，從而可以簡單地構(gòu)成小型、高速的光互聯(lián)集成電路。
本發(fā)明的光互聯(lián)集成電路中，至少兩個(gè)集成電路芯片重疊粘合，使一個(gè)集成電路芯片的上述發(fā)光元件發(fā)射的光能夠在另外的至少一個(gè)集成電路芯片的至少一個(gè)該光接收元件上檢測到。
根據(jù)本發(fā)明，由于能通過光信號(hào)進(jìn)行各集成電路間的通信，所以能夠容易地構(gòu)成小型、高速的光互聯(lián)集成電路。
本發(fā)明的光互聯(lián)集成電路中，最好至少兩個(gè)集成電路芯片通過透明粘合劑重疊粘合在一起。
根據(jù)本發(fā)明，可借助具有透明性質(zhì)的粘合劑傳輸各集成電路間通信用的光信號(hào)，與通過空氣傳輸?shù)姆椒ㄏ啾龋锌赡苁箓鬏斅窂降慕橘|(zhì)的折射率和集成電路芯片的折射率一致，可以很好地進(jìn)行光信號(hào)的傳輸。
本發(fā)明的光互聯(lián)集成電路中，該發(fā)光元件的一個(gè)面或是該光接收元件的一個(gè)面最好由非透明材料覆蓋。
根據(jù)本發(fā)明，由于光通信中的散射光可以被非透明材料吸收，故可以進(jìn)行優(yōu)質(zhì)的光通信。
另外，根據(jù)本發(fā)明的光互聯(lián)集成電路制造方法，其特征在于包括以下步驟在至少兩個(gè)集成電路芯片中的每一個(gè)的指定位置上，用透明粘合劑粘合至少一個(gè)構(gòu)成發(fā)光元件或光接收元件的微瓦片狀元件；用透明粘合劑重疊粘合所述至少兩個(gè)集成電路芯片，使一個(gè)所述集成電路芯片所粘結(jié)的微瓦片狀元件的發(fā)光元件發(fā)射的光，能夠被其它至少一個(gè)集成電路芯片所粘結(jié)的微瓦片狀元件的光接收元件檢測到。
根據(jù)本發(fā)明，不僅是在集成電路芯片的周邊部分，在集成電路之中的任意位置都可以設(shè)置微瓦片狀元件，可以在重疊粘合成多層結(jié)構(gòu)的各集成電路芯片之間進(jìn)行光通信，因此，可以構(gòu)成小型的、能夠?qū)崿F(xiàn)集成電路芯片間的信號(hào)傳輸速度高速化的光互聯(lián)集成電路。
本發(fā)明的光互聯(lián)集成電路制造方法中，在半導(dǎo)體襯底上形成作為該發(fā)光元件或光接收元件的半導(dǎo)體元件，在該半導(dǎo)體襯底形成半導(dǎo)體元件的面上粘貼薄膜，并將該半導(dǎo)體襯底中包含半導(dǎo)體元件的功能層從該半導(dǎo)體襯底上切割分離而形成微瓦片狀元件。
根據(jù)本發(fā)明，可以將切割分離成微瓦片狀的半導(dǎo)體元件(微瓦片狀元件)與任意的材料體接合，形成集成電路。這里，半導(dǎo)體元件可以是化合物半導(dǎo)體或硅半導(dǎo)體，與半導(dǎo)體元件接合的物體可以是硅半導(dǎo)體襯底，也可以是化合物半導(dǎo)體或是其它物質(zhì)。這里，根據(jù)本發(fā)明，可以將半導(dǎo)體元件形成于與該半導(dǎo)體元件材質(zhì)不同的襯底(集成電路芯片)上，就象在硅半導(dǎo)體襯底(集成電路芯片)上，形成砷化鎵的表面發(fā)射激光器或是光電二極管等一樣。另外，在半導(dǎo)體襯底上完成半導(dǎo)體元件后，要將其切割分離成微瓦片狀，所以，在加工完成集成電路之前，可以預(yù)先對(duì)半導(dǎo)體元件進(jìn)行測試篩選。
此外，根據(jù)本發(fā)明，可以只把含有半導(dǎo)體元件的功能層作為微瓦片狀元件，從半導(dǎo)體襯底上切下來，固定到薄膜上，進(jìn)行處理，所以，可以一個(gè)一個(gè)選擇半導(dǎo)體元件(微瓦片狀元件)，粘貼固定到最后的襯底(集成電路芯片)上，同時(shí)，還能夠使得可處理的微瓦片狀元件的尺寸較從前的封裝技術(shù)的尺寸還小。因此可以達(dá)到高精度配置。
本發(fā)明的光互聯(lián)集成電路的制造方法中，在將微瓦片狀元件粘結(jié)到該集成電路芯片的步驟中，該透明粘合劑優(yōu)選使用液滴噴出的方法涂敷。
根據(jù)本發(fā)明，可以減少形成透明粘合劑的材料的用量，可以容易地應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)變化，降低制造成本。
本發(fā)明的光互聯(lián)集成電路的制造方法中，在粘結(jié)該至少兩個(gè)集成電路芯片的步驟中，該透明粘合劑優(yōu)選使用液滴噴出的方法涂敷。
根據(jù)本發(fā)明，可以減少形成透明粘合劑的材料的用量，可以容易地應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)變化，降低制造成本。
根據(jù)本發(fā)明的一種光電裝置，其特征在于包括上述光互聯(lián)集成電路。
根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種具有高速信號(hào)傳輸裝置、使顯示狀態(tài)高速轉(zhuǎn)換的小型光電裝置。
根據(jù)本發(fā)明的一種電子儀器，其特征在于，包括上述光互聯(lián)集成電路。
根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種具有高速信號(hào)傳輸裝置、可進(jìn)行高速信號(hào)處理的小型光電裝置。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的光互聯(lián)集成電路的剖面示意圖；圖2是說明光互聯(lián)集成電路動(dòng)作的簡要剖面示意圖；圖3是微瓦片狀元件的制造方法的第一步驟的剖面示意圖；圖4是微瓦片狀元件的制造方法的第二步驟的剖面示意圖；圖5是微瓦片狀元件的制造方法的第三步驟的剖面示意圖；圖6是微瓦片狀元件的制造方法的第四步驟的剖面示意圖；圖7是微瓦片狀元件的制造方法的第五步驟的剖面示意圖；圖8是微瓦片狀元件的制造方法的第六步驟的剖面示意圖；圖9是微瓦片狀元件的制造方法的第七步驟的剖面示意圖；圖10是微瓦片狀元件的制造方法的第八步驟的剖面示意圖；圖11是微瓦片狀元件的制造方法的第九步驟的剖面示意圖；圖12是微瓦片狀元件的制造方法的第十一步驟的剖面示意圖；圖13示出了包含根據(jù)本實(shí)施方式的光電裝置的電子儀器的一個(gè)示例；圖14示出了包含根據(jù)本實(shí)施方式的光電裝置的電子儀器的一個(gè)示例；以及圖15示出了包含根據(jù)本實(shí)施方式的光電裝置的電子儀器的一個(gè)示例。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的光互聯(lián)集成電路的剖面示意圖。該光互聯(lián)集成電路的結(jié)構(gòu)是三個(gè)集成電路芯片(硅半導(dǎo)體襯底)1、2、3，通過插入其間的樹脂等透明粘合劑(無圖示)重疊粘結(jié)形成多層結(jié)構(gòu)。集成電路芯片1、2、3是在半導(dǎo)體襯底上形成集成電路(LSI等)的。此外，集成電路芯片1、2、3也可以在玻璃襯底上形成薄膜晶體管(TFT)等。
在集成電路芯片1的特定位置上，粘貼固定有兩個(gè)表面發(fā)射激光器VC1、VC2和兩個(gè)光檢測器PD3、PD4。即不但集成電路芯片1上的周邊部分，在集成電路中的任意位置均可配置表面發(fā)射激光器VC1、VC2以及光檢測器PD3、PD4。
這里，表面發(fā)射激光器VC1、VC2以及光檢測器PD3、PD4分別是微瓦片狀元件。微瓦片狀元件是微小的瓦片形狀(板形狀)的半導(dǎo)體器件，例如，厚度1μm到20μm，長寬尺寸是數(shù)十μm到數(shù)百μm的板狀材料。有關(guān)微瓦片狀元件的制造方法將在其后詳細(xì)說明。
表面發(fā)射激光器VC1、VC2以及光檢測器PD3、PD4的各自的間隔可以很小，例如其間隔可以是數(shù)μm。
此外，各個(gè)微瓦片狀元件，通過具有透明性的粘合材料30粘貼固定在集成電路芯片1上。粘合劑30可以使用例如樹脂材料。
在集成電路芯片2的上面，粘結(jié)有一個(gè)表面發(fā)射激光器VC3和3個(gè)光檢測器PD1、PD2、以及PD4’。這里，表面發(fā)射激光器VC3和光檢測器PD1、PD2、PD4’分別是微瓦片狀元件。這些微瓦片狀元件通過具有透明性的粘合材料30粘貼固定在集成電路芯片2上。
在集成電路芯片3的上面，粘結(jié)有一個(gè)表面發(fā)射激光器VC4和3個(gè)光檢測器PD1’、PD2’、PD3’。這里，表面發(fā)射激光器VC4以及光檢測器PD1’、PD2’、PD3’分別是微瓦片狀元件。這些微瓦片狀元件通過具有透明性的粘合材料30粘貼固定在集成電路芯片3上面。
粘合劑30是通過噴嘴(無圖示)噴出含有粘合劑30的液滴，涂敷在集成電路芯片1、2、3上。這樣做可以減少粘合劑30的用量，容易應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)上的變化，降低制造成本。
另外，用粘合劑對(duì)集成電路芯片1、2、3進(jìn)行重疊粘貼固定時(shí)也可以使用這樣的粘合劑液滴噴出的涂敷方法。這樣做可以減少粘合劑的用量，容易應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)上的變化，降低制造成本。
另外，面對(duì)表面發(fā)射激光器VC1的發(fā)光中心軸設(shè)置有兩個(gè)光檢測器PD1、PD1’；面向表面發(fā)射激光器VC2的發(fā)光中心軸設(shè)置有兩個(gè)光檢測器PD2、PD2’；面向表面發(fā)射激光器VC3的發(fā)光中心軸設(shè)置有兩個(gè)光檢測器PD3、PD3’；以及面向表面發(fā)射激光器VC4的發(fā)光中心軸設(shè)置有兩個(gè)光檢測器PD4、PD4’。
表面發(fā)射激光器VC和光檢測器PD、PD’的配置，最好使各個(gè)表面發(fā)射激光器VC的發(fā)光中心軸與面向各個(gè)表面發(fā)射激光器設(shè)置的兩個(gè)光檢測器PD、PD’的光接收中心軸重合。
表面發(fā)射激光器VC1發(fā)射第一波長的激光束，表面發(fā)射激光器VC2發(fā)射第二波長的激光束，表面發(fā)射激光器VC3發(fā)射第三波長的激光束，表面發(fā)射激光器VC4發(fā)射第四波長的激光束。這里的第一至第四波長，例如在硅半導(dǎo)體襯底上形成集成電路芯片1、2、3的情況下，波長大于等于1.1μm。據(jù)此，從表面發(fā)射激光器VC1、VC2、VC3、VC4發(fā)射的激光束可以穿透集成電路芯片1、2、3。例如第一波長為1.20μm，第二波長為1.22μm，第三波長為1.24μm，第四波長為1.26μm。
即使是波長1.10μm以下的光也能夠穿透玻璃襯底。因此，采用玻璃襯底形成集成電路芯片1、2、3時(shí)，第一至第四波長也可以設(shè)定在1.10μm以下。例如第一波長為0.79μm，第二波長為0.81μm，第三波長為0.83μm，第四波長為0.85μm。
理想的是，各光檢測器PD1、PD1’、PD2、PD2’、PD3、PD3’、PD4、PD4’均具有波長選擇性。例如，光檢測器PD1、PD1’只檢測第一波長的光，光檢測器PD2、PD2’只檢測第二波長的光，光檢測器PD3、PD3’只檢測第三波長的光，光檢測器PD4、PD4’只檢測第四波長的光。另外，也可以在各光檢測器PD1、PD1’、PD2、PD2’、PD3、PD3’、PD4、PD4’的上面和下面，設(shè)置具有波長選擇性的薄膜等而形成具有波長選擇功能的光接收元件。作為光檢測器PD1、PD1’、PD2、PD2’、PD3、PD3’、PD4、PD4’，可以使用例如光電二極管等。
另外，優(yōu)選在表面發(fā)射激光器VC1、VC2以及光檢測器PD3、PD4的上面覆蓋非透明材料。在光檢測器PD1’、PD2’、PD3’以及表面發(fā)射激光器VC4的下面，也覆蓋有非透明材料。
這樣做可以抑制因散射光產(chǎn)生的噪聲。
通過上述組合，從表面發(fā)射激光器VC1向下方發(fā)射的第一波長的激光束穿透表面發(fā)射激光器VC1與集成電路芯片1之間的粘合劑30、集成電路芯片1、以及集成電路芯片1與集成電路芯片2之間的粘合劑后，入射到光檢測器PD1，接著，穿透光檢測器PD1、光檢測器PD1與集成電路芯片2之間的粘合劑30、集成電路芯片2、以及集成電路芯片2與集成電路芯片3之間的粘合劑后，入射到光檢測器PD1’。
從表面發(fā)射激光器VC2向下方發(fā)射的第二波長的激光束穿透表面發(fā)射激光器VC2與集成電路芯片1之間的粘合劑30、集成電路芯片1、以及集成電路芯片1與集成電路芯片2之間的粘合劑，入射到光檢測器PD2，接著，穿透光檢測器PD2、光檢測器PD2與集成電路芯片2之間的粘合劑30、集成電路芯片2、以及集成電路芯片2與集成電路芯片3之間的粘合劑，入射到光檢測器PD2’。
從表面發(fā)射激光器VC3向上方發(fā)射的第三波長的激光束穿透集成電路芯片2與集成電路芯片1之間的粘合劑、集成電路芯片1、以及集成電路芯片1與光檢測器PD3之間的粘合劑30，入射到光檢測器PD3。從表面發(fā)射激光器VC3向下方發(fā)射的第三波長的激光束穿透表面發(fā)射激光器VC3與集成電路芯片2之間的粘合劑30、集成電路芯片2、以及集成電路芯片2與集成電路芯片3之間的粘合劑，入射到光檢測器PD3’。
另外，從表面發(fā)射激光器VC4向上方發(fā)射的第四波長的激光束穿透集成電路芯片3與集成電路芯片2之間的粘合劑、集成電路芯片2、以及集成電路芯片2與光檢測器PD4’之間的粘合劑30，入射到光檢測器PD4’，接著，穿透光檢測器PD4’、集成電路芯片2與集成電路芯片1之間的粘合劑，集成電路芯片1、以及集成電路芯片1與光檢測器PD4之間的粘合劑30，入射到光檢測器PD4。
因此，作為表面發(fā)射激光器VC1輸出的第一波長激光束的光信號(hào)幾乎同時(shí)被光檢測器PD1、PD1’接收。而且，作為表面發(fā)射激光器VC2輸出的第二波長激光束的光信號(hào)幾乎同時(shí)被光檢測器PD2、PD2’接收。從表面發(fā)射激光器VC3輸出的第三波長激光束的光信號(hào)幾乎同時(shí)被光檢測器PD3、PD3’接收。從表面發(fā)射激光器VC4輸出的作為第四波長激光束的光信號(hào)幾乎同時(shí)被光檢測器PD4、PD4’接收。
這樣，在集成電路芯片1、集成電路芯片2、以及集成電路芯片3的相互之間，第一波長至第四波長的四個(gè)光信號(hào)可以同時(shí)、并行收發(fā)信號(hào)，進(jìn)行雙向通信。換言之，該表面發(fā)射激光器VC1、VC2、VC3、VC4以及光檢測器PD1、PD2、PD3、PD4、PD1’、PD2’、PD3’、PD4’成為光總線的信號(hào)收發(fā)裝置，第一至第四波長的四個(gè)光信號(hào)為光總線的傳輸信號(hào)。
因此，本實(shí)施方式的光互聯(lián)集成電路由于具有在三個(gè)集成電路芯片1、2、3的相互間并列收發(fā)多個(gè)光信號(hào)的光總線，因而可以使集成電路芯片間的信號(hào)傳輸速度高速化，可以解決在使用金屬配線收發(fā)電氣信號(hào)時(shí)產(chǎn)生的以下問題。
1)配線間信號(hào)傳輸時(shí)間的偏差(歪斜失真)2)傳輸高頻信號(hào)時(shí)需要的較大功率3)配線設(shè)置時(shí)自由度受到限制，設(shè)計(jì)困難4)需要阻抗匹配5)需要解決接地噪聲和電磁感應(yīng)噪聲的措施本實(shí)施方式的光互聯(lián)集成電路，由于使用微瓦片狀元件作為發(fā)光元件和光接收元件，可以使多個(gè)發(fā)光元件和光接收元件相互間的配置間隔極小，從而可實(shí)現(xiàn)裝置的小型化。
本實(shí)施方式的光互聯(lián)集成電路中，由于做為光總線通信信號(hào)的多個(gè)激光束分別具有不同的波長，因此，即使發(fā)光元件和光接收元件組成一組的多組光信號(hào)收發(fā)裝置相互間的配置間隔很小，也可以防止由于散射光等造成的信號(hào)干擾，從而可進(jìn)一步使裝置小型化。
另外，本實(shí)施方式的光互聯(lián)集成電路使用表面發(fā)射激光器作為發(fā)光元件，所以，在使通信速度進(jìn)一步提高的同時(shí)，也容易形成穿透多層結(jié)構(gòu)的多個(gè)集成電路芯片的激光束的發(fā)射裝置(信號(hào)發(fā)送裝置)。
還有，本實(shí)施方式的光互聯(lián)集成電路中，由于使用具有波長選擇性的光接收元件(光檢測器)，可以進(jìn)一步防止由于散射光等造成的信號(hào)干擾，從而使裝置更加小型化。
接下來，就光互聯(lián)集成電路的一般動(dòng)作參照?qǐng)D2進(jìn)行說明。圖2是相當(dāng)于圖1所示光互聯(lián)集成電路的一部分的光互聯(lián)集成電路的剖面示意圖。該光互聯(lián)集成電路具有多層結(jié)構(gòu)，是使用樹脂等透明粘合劑(無圖示)重疊粘合的兩個(gè)(多個(gè))集成電路芯片(硅半導(dǎo)體襯底)10、20而形成的。集成電路芯片10包含集成電路區(qū)11，在集成電路芯片10的上面，光檢測器PD10與表面發(fā)射激光器VC10通過透明粘合劑30粘合在一起。另外，集成電路芯片20包含集成電路區(qū)21，在集成電路芯片20的上面，表面發(fā)射激光器VC20與光檢測器PD20通過透明粘合劑30粘接在一起。在集成電路區(qū)11、21上，形成構(gòu)成CPU、存儲(chǔ)器或是ASIC的各種集成電路。
在這種結(jié)構(gòu)中，將在集成電路芯片10的集成電路區(qū)11內(nèi)處理的電信號(hào)，通過表面發(fā)射激光器VC10轉(zhuǎn)換為激光脈沖信號(hào)，然后發(fā)送至集成電路芯片20的光檢測器PD20。光檢測器PD20將接收到的激光脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)發(fā)送至集成電路區(qū)21。接著，在集成電路芯片20的集成電路區(qū)21內(nèi)處理的電信號(hào)，通過表面發(fā)射激光器VC20轉(zhuǎn)換為激光脈沖信號(hào)，然后發(fā)送至集成電路芯片10的光檢測器PD10。光檢測器PD10將接收到的激光脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)換為電氣信號(hào)發(fā)送至集成電路區(qū)11。
這樣，集成電路芯片10與集成電路芯片20，可通過激光脈沖進(jìn)行雙向信號(hào)傳輸。(微瓦片狀元件的制造方法)以下就微瓦片狀元件的制造方法參照?qǐng)D3至圖12進(jìn)行說明。本制造方法中，將要說明的是把微瓦片狀元件的化合物半導(dǎo)體器件(化合物半導(dǎo)體元件)粘接到成為襯底的硅LSI芯片上的情況，但是，本發(fā)明也適用于與半導(dǎo)體器件的種類和LSI芯片種類無關(guān)的情況。此外，本實(shí)施例中的“半導(dǎo)體襯底”雖然是指由半導(dǎo)體物質(zhì)形成的材料體，但并不限于平板狀的襯底，無論形狀如何，只要是半導(dǎo)體材料，都包含在“半導(dǎo)體襯底”內(nèi)。<第一步驟>
圖3是微瓦片狀元件的制造方法的第一步驟的剖面示意圖。圖3中的襯底110為半導(dǎo)體襯底，例如，假設(shè)采用砷化鎵化合物半導(dǎo)體襯底，襯底110上的最底層設(shè)置有犧牲層111。犧牲層111由砷化鋁(AlAs)構(gòu)成，厚度為例如數(shù)百nm。
例如，在犧牲層111的上層設(shè)置有功能層112。功能層112的厚度為例如從1μm到10(20)μm左右。而且，在功能層112上形成半導(dǎo)體器件(半導(dǎo)體元件)113。半導(dǎo)體器件113可以是例如發(fā)光二極管(LED)、表面發(fā)射激光器(VCSEL)、光電二極管(PD)、高電子遷移率晶體管(HEMT)、異質(zhì)雙極型晶體管(HBT)等。這些半導(dǎo)體器件113都是在襯底110上重疊多層外延層后形成的元件。另外，在各半導(dǎo)體器件113內(nèi)還形成電極，進(jìn)行動(dòng)作測試。<第二步驟>
圖4是表示微瓦片狀元件的制造方法的第二步驟的剖面示意圖。在本步驟中，將各個(gè)半導(dǎo)體器件113分割開形成分離槽121。分離槽121至少需到達(dá)犧牲層111的深度。例如，分離槽的寬度和深度都在10μm到數(shù)百μm。另外，為使后述的選擇蝕刻液在該分離槽121內(nèi)流動(dòng)，分離槽121成為不設(shè)隔檔的相連的溝槽。進(jìn)而，分離槽121形成圍棋盤狀的格子。
另外，由于分離槽121相互間的間隔在數(shù)十μm到數(shù)百μm，因此被分離槽121分割形成的各半導(dǎo)體器件113的面積成為邊長從數(shù)十μm到數(shù)百μm的四方塊。分離槽121的形成方法可以有光刻和濕式蝕刻方法，以及干式蝕刻方法。另外，只要在襯底上不產(chǎn)生裂縫的范圍內(nèi)，也可以用切割U型槽的方式形成分離槽121。<第三步驟>
圖5是微瓦片狀元件的制造方法的第三步驟的剖面示意圖。在本步驟中，中間復(fù)制薄膜131粘貼在襯底110的表面(半導(dǎo)體器件113一側(cè))。中間復(fù)制薄膜131是表面上涂抹了粘合劑的柔性帶狀薄膜。<第四步驟>
圖6是微瓦片狀元件的制造方法的第四步驟的剖面示意圖。在本步驟中，在分離槽121內(nèi)注入選擇蝕刻液141。本步驟里因?yàn)橹粚?duì)犧牲層111實(shí)施有選擇的蝕刻，因此使用對(duì)砷化鋁選擇性高的低濃度的鹽酸作為選擇蝕刻液141。<第五步驟>
圖7是微瓦片狀元件的制造方法的第五步驟的剖面示意圖。在第四步驟，向分離槽121內(nèi)注入選擇蝕刻液141后，經(jīng)過規(guī)定的時(shí)間，犧牲層111的全部被選擇地蝕刻并從襯底110上去除。<第六步驟>
圖8是微瓦片狀元件的制造方法的第六步驟的剖面示意圖。在第五步驟里，如果對(duì)犧牲層111進(jìn)行全面蝕刻，就可以從襯底110中切割分離功能層112。
然后，在該步驟，通過從襯底110剝離中間復(fù)制薄膜131，便可以從襯底110上拉開粘在中間復(fù)制薄膜131上的功能層112。據(jù)此，形成半導(dǎo)體器件113的功能層112，由于分離槽121的形成以及犧牲層111的蝕刻而被分割，變?yōu)樘囟ㄐ螤畹?例如瓦片狀)的半導(dǎo)體元件(上述實(shí)施例中的“微瓦片狀元件”)，粘貼保留在中間復(fù)制薄膜131上。這里，最好，功能層的厚度例如從1μm到20μm，大小(長寬)例如是從數(shù)十μm到數(shù)百μm。<第七步驟>
圖9是微瓦片狀元件的制造方法的第七步驟的剖面示意圖。在本步驟中，通過移動(dòng)中間復(fù)制薄膜131(微瓦片狀元件161粘貼其上)，在最終襯底171(集成電路芯片1、2、3)的特定位置上，定位微瓦片狀元件161。這里，最終襯底171使用例如硅半導(dǎo)體，形成LSI區(qū)172。另外，在最終襯底171的特定位置，涂敷上粘貼固定微瓦片狀元件161的粘合劑173。粘合劑也可以涂抹在微瓦片狀元件161上。<第八步驟>
圖10是表示本制造方法的第八步驟的剖面示意圖。在該步驟，使用壓緊器181，將定位在最終襯底171特定位置上的微瓦狀元件161，越過中間復(fù)制膠片131，壓緊接合到最終襯底171上。這里，因?yàn)樵谠撎囟ㄎ恢猛糠罅苏澈蟿?73，所以，微瓦狀元件161，被粘貼固定到該最終襯底171的特定位置上。<第九步驟>
圖11是表示本半導(dǎo)體集成電路制造方法第九步驟的剖面示意圖。在本步驟中，使中間復(fù)制薄膜131失去粘力，從微瓦片狀元件161上揭下中間復(fù)制薄膜131。
中間復(fù)制薄膜131的粘合劑，設(shè)定為UV硬化性或者熱硬化性的粘合劑。當(dāng)為UV硬化性的粘合劑時(shí)，將壓緊器181定為透明材料，從壓緊器181的前端開始照射紫外線(UV)，使中間復(fù)制薄膜131失去其粘力。當(dāng)采用熱硬化性的粘合劑時(shí)，加熱壓緊器181即可?；蛘撸部梢栽诘诹襟E以后，對(duì)中間復(fù)制薄膜131進(jìn)行全面紫外線照射等，使粘力全面消失。雖說叫粘力消失，但實(shí)際上，還殘留有少量的粘性，微瓦片狀元件161非常薄，也非常輕，所以，被保持在中間復(fù)制薄膜131上。<第十步驟>
本步驟無圖示。在本步驟中，施行加熱處理等，將微瓦片狀元件161大體固定到最終襯底171上。<第十一步驟>
圖12是表示本半導(dǎo)體集成電路制造方法的第十一步驟的剖面示意圖。在本步驟中，通過配線191，將微瓦片狀元件161的電極與最終襯底171上的電路進(jìn)行電連接，使得完成一個(gè)LSI芯片等(用于光互聯(lián)集成電路的集成電路芯片)。作為最終襯底171，不僅可以用硅半導(dǎo)體，還可以使用玻璃襯底、石英襯底或者塑料薄膜。(應(yīng)用實(shí)例)以下就本發(fā)明涉及的光互聯(lián)集成電路的應(yīng)用實(shí)例進(jìn)行說明。
第一應(yīng)用實(shí)例使用的是上述實(shí)施例的光電集成電路信號(hào)傳輸裝置的光互聯(lián)集成電路。計(jì)算機(jī)可作為光電集成電路的例子。形成CPU的集成電路內(nèi)的信號(hào)處理使用了電信號(hào)，而在CPU與存儲(chǔ)裝置等之間進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)目偩€上使用的是該實(shí)施例的光互聯(lián)集成電路。
因此，根據(jù)本應(yīng)用實(shí)例，可以比現(xiàn)有技術(shù)大幅度提高成為計(jì)算機(jī)處理速度瓶頸的總線信號(hào)傳輸速度。
另外，根據(jù)本應(yīng)用實(shí)例，也可以使計(jì)算機(jī)等更大幅度地實(shí)現(xiàn)小型化。
作為第二應(yīng)用實(shí)例，在光電裝置的液晶顯示器、等離子顯示器或是有機(jī)EL(電致發(fā)光)顯示器上使用了該實(shí)施例的光互聯(lián)集成電路。
據(jù)此，根據(jù)本應(yīng)用實(shí)例，因?yàn)榭梢愿咚偈瞻l(fā)顯示信號(hào)，故可以提供高速轉(zhuǎn)換顯示狀態(tài)的光電裝置。(電子儀器)以下對(duì)配備有上述實(shí)施方式的光互聯(lián)集成電路的電子儀器的例子進(jìn)行說明。
圖13是移動(dòng)電話例子的立體透視圖。在圖13中，符號(hào)1000表示使用了該光互聯(lián)集成電路的移動(dòng)電話主體，符號(hào)1001表示使用了該光電裝置的顯示部分。
圖14是電子手表例子的立體透視圖。在圖14中，符號(hào)1100表示使用了該光互聯(lián)集成電路的手表主體，符號(hào)1101表示使用了該光電裝置的顯示部分。
圖15是文字處理機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)等便攜型信息處理裝置例子的立體透視圖。在圖15中，符號(hào)1200是信息處理裝置，符號(hào)1202是鍵盤等輸入部分，符號(hào)1204是使用了該光互聯(lián)集成電路的信息處理裝置主體，符號(hào)1206是使用了該光電裝置的顯示部分。
圖13至圖15表示的電子儀器由于設(shè)置了該實(shí)施方式的光互聯(lián)集成電路或是光電裝置，所以可以實(shí)現(xiàn)顯示水平優(yōu)異，特別是包含了高速響應(yīng)和明亮的畫面顯示部分的電子儀器。另外，通過使用該實(shí)施方式的光互聯(lián)集成電路，可比現(xiàn)有的電子儀器更加小型，同時(shí)，由于使用了該實(shí)施方式的光互聯(lián)集成電路，而使制造成本比現(xiàn)有儀器更加低廉。
本發(fā)明的技術(shù)范圍并不僅限于該實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的主題范圍之內(nèi)可以有各種變形，實(shí)施方式中所列舉的具體的材料或是層的構(gòu)成只是其中一種例子，可以進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖兓?br> 例如，在上述實(shí)施例中使用了表面發(fā)射激光器作為發(fā)光元件，但也可以使用端面發(fā)射激光器或是光電二極管作為發(fā)光元件。
在該實(shí)施方式中列舉了3個(gè)集成電路芯片重疊組合的例子，但本發(fā)明不限于此，也可以把2個(gè)或者4個(gè)集成電路芯片重疊組合。
綜上所述，可以明確，如果采用本發(fā)明，可以在各集成電路芯片上設(shè)置了微瓦片狀元件的發(fā)光元件或是光接收元件，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)集成電路芯片間的信號(hào)傳輸速度的高速化。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
附圖標(biāo)記說明1、2、3、10、20 集成電路芯片11、21 集成電路區(qū)30 粘合劑PD1、PD1’、PD2、PD2’ 光檢測器PD3、PD3’、PD4、PD4’ 光檢測器PD10、PD20 光檢測器VC1、VC2、VC3、VC4 表面發(fā)射激光器VC10、VC20 表面發(fā)射激光器
權(quán)利要求
1.一種光互聯(lián)集成電路，其特征在于包括至少兩個(gè)集成電路芯片；至少一個(gè)微瓦片狀元件，粘結(jié)在每一個(gè)所述集成電路芯片上；在至少一個(gè)所述微瓦片狀元件上設(shè)置的發(fā)光元件；以及在至少一個(gè)所述微瓦片狀元件上設(shè)置的光接收元件，用于檢測所述發(fā)光元件發(fā)射的光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光互聯(lián)集成電路，其特征在于所述微瓦片狀元件被粘結(jié)在所述集成電路芯片的指定位置上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光互聯(lián)集成電路，其特征在于所述發(fā)光元件發(fā)射光信號(hào)，所述光接收元件接收所述發(fā)光元件發(fā)射的光信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光互聯(lián)集成電路，其特征在于所述發(fā)光元件被設(shè)置在所述集成電路芯片之一的第一集成電路芯片所粘結(jié)的微瓦片狀元件上；所述光接收元件被設(shè)置在所述集成電路芯片之一的第二集成電路芯片所粘結(jié)的微瓦片狀元件上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光互聯(lián)集成電路，其特征在于所述第一集成電路芯片具有至少兩個(gè)所述發(fā)光元件或光接收元件；所述第二集成電路芯片具有至少兩個(gè)所述發(fā)光元件或光接收元件；所述第一集成電路芯片和第二集成電路芯片具有至少兩組由所述發(fā)光元件和光接收元件組成的信號(hào)收發(fā)裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光互聯(lián)集成電路，其特征在于所述至少兩組信號(hào)收發(fā)裝置具有在所述第一集成電路芯片和第二集成電路芯片間作為雙向通信裝置的功能。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光互聯(lián)集成電路，其特征在于所述至少兩組信號(hào)收發(fā)裝置在所述第一集成電路芯片和第二集成電路芯片之間，構(gòu)成并行傳輸多個(gè)光信號(hào)的光總線。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光互聯(lián)集成電路，其特征在于設(shè)置所述發(fā)光元件和光接收元件，使所述第一集成電路芯片的發(fā)光元件的發(fā)光中心軸與所述第二集成電路芯片的光接收元件的光接收中心軸處于基本相同的直線上。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光互聯(lián)集成電路，其特征在于所述光總線中的多個(gè)光信號(hào)分別由不同波長的光組成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一所述的光互聯(lián)集成電路，其特征在于所述發(fā)光元件為表面發(fā)射激光器。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光互聯(lián)集成電路，其特征在于所述光接收元件具有波長選擇性。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光互聯(lián)集成電路，其特征在于所述發(fā)光元件發(fā)射波長大于等于1.1微米的光。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光互聯(lián)集成電路，其特征在于所述發(fā)光元件發(fā)射的光至少透過一個(gè)所述集成電路芯片，入射到所述光接收元件上。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光互聯(lián)集成電路，其特征在于所述至少兩個(gè)集成電路芯片重疊粘合，使所述集成電路芯片中的一個(gè)的發(fā)光元件發(fā)射的光能夠被其它至少一個(gè)集成電路芯片的至少一個(gè)所述光接收元件檢測到。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光互聯(lián)集成電路，其特征在于所述至少兩個(gè)集成電路芯片通過透明的粘合劑重疊粘合在一起。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光互聯(lián)集成電路，其特征在于所述發(fā)光元件的一個(gè)面或所述光接收元件的一個(gè)面由非透明材料覆蓋。
17.一種光互聯(lián)集成電路的制造方法，其特征在于包括以下步驟在至少兩個(gè)集成電路芯片中的每一個(gè)的指定位置上，用透明粘合劑粘結(jié)至少一個(gè)構(gòu)成發(fā)光元件或光接收元件的微瓦片狀元件；用透明粘合劑重疊粘結(jié)所述至少兩個(gè)集成電路芯片，使一個(gè)所述集成電路芯片所粘結(jié)的微瓦片狀元件的發(fā)光元件發(fā)射的光，能夠被其它至少一個(gè)所述集成電路芯片所粘結(jié)的微瓦片狀元件的光接收元件檢測到。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光互聯(lián)集成電路的制造方法，其特征在于在半導(dǎo)體襯底上形成作為所述發(fā)光元件或光接收元件的半導(dǎo)體元件，在所述半導(dǎo)體襯底形成半導(dǎo)體元件的面上粘貼薄膜，并將所述半導(dǎo)體襯底中包含半導(dǎo)體元件的功能層從所述半導(dǎo)體襯底上切割分離而形成微瓦片狀元件。
19.根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的光互聯(lián)集成電路的制造方法，其特征在于在將微瓦片狀元件粘結(jié)到所述集成電路芯片的步驟中，所述透明粘合劑是以液滴噴出的方法涂敷的。
20.根據(jù)權(quán)利要求17至19中任一所述的光互聯(lián)集成電路的制造方法，其特征在于在粘結(jié)所述至少兩個(gè)集成電路芯片的步驟中，所述透明粘合劑是以液滴噴出的方法涂敷的。
21.一種光電裝置，其特征在于包括權(quán)利要求1所述的光互聯(lián)集成電路。
22.一種電子儀器，其特征在于包括權(quán)利要求1所述的光互聯(lián)集成電路。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種能夠?qū)崿F(xiàn)集成電路間的信號(hào)傳輸速度高速化的光互聯(lián)集成電路、光互聯(lián)集成電路的制造方法、光電裝置以及電子儀器。根據(jù)本發(fā)明的光互聯(lián)集成電路其特征在于包括多個(gè)集成電路芯片(1)、(2)、(3)；發(fā)光元件(VC1)、(VC2)、(VC3)、(VC4)，其為微瓦片狀元件，被分別粘結(jié)在集成電路芯片(1)、(2)、(3)上；以及光檢測器(PD1)、(PD1’)、(PD2)、(PD2’)、(PD3)、(PD3’)、(PD4)、(PD4’)，其為微瓦片狀元件，被分別粘結(jié)在集成電路芯片(1)、(2)、(3)上，是用于檢測所述發(fā)光元件出射光的光接收元件。
文檔編號(hào)H01L25/16GK1469472SQ03149118
公開日2004年1月21日 申請(qǐng)日期2003年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月18日
發(fā)明者近藤貴幸 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社