專(zhuān)利名稱(chēng)：電流垂直于膜面結(jié)構(gòu)的磁阻元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用磁阻(MR)膜比如所謂的自旋閥(spinvalve)膜的磁阻(MR)元件。具體地，本發(fā)明涉及電流垂直于膜面(CPP)結(jié)構(gòu)的MR元件，允許檢測(cè)電流具有垂直于接納MR膜的基底表面的分量。
背景技術(shù)：
常規(guī)的CPP結(jié)構(gòu)的MR元件經(jīng)常包括所謂的自旋閥膜。自旋閥膜包括自由(free)磁性層和被固定(釘扎，pinned)磁性層。非磁性中間層介于自由和被固定(釘扎)磁性層之間。非磁性中間層用于將自由磁性層的磁化與被釘扎磁性層隔開(kāi)。響應(yīng)于作用在自由磁化層上的磁場(chǎng)的極性的變化，自由磁性層中的磁化強(qiáng)度可以旋轉(zhuǎn)。磁化強(qiáng)度的旋轉(zhuǎn)使自旋閥膜的電阻改變。這種變化被引入到流過(guò)自旋閥膜的檢測(cè)電流的電壓中。
一般來(lái)說(shuō)，自旋閥膜由導(dǎo)電材料制成。檢測(cè)電流可以在自旋閥膜的整個(gè)剖面上流動(dòng)。除非自旋閥膜進(jìn)一步變小，否則不可能減小用于檢測(cè)電流的路徑剖面。如果用于檢測(cè)電流的路徑變薄，那么可以在檢測(cè)電流中檢測(cè)出較大的電壓變化。從而可以增強(qiáng)CPP結(jié)構(gòu)的MR元件的輸出。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種CPP結(jié)構(gòu)的MR元件，能夠增強(qiáng)輸出而不過(guò)度減小。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種電流垂直于膜面(CPP)結(jié)構(gòu)的磁阻(MR)元件，包括自由磁性層；被釘扎磁性層；以及介于自由和被釘扎磁性層之間的導(dǎo)電非磁性中間層，其中自由和被釘扎磁性層中的至少一個(gè)由包括導(dǎo)電磁性材料和介電材料的顆粒結(jié)構(gòu)膜(granularfilm)制成。
當(dāng)CPP結(jié)構(gòu)的MR元件接收來(lái)自外部的磁場(chǎng)時(shí)，響應(yīng)于磁極性的反轉(zhuǎn)，自由磁性層的磁化可以旋轉(zhuǎn)。自由磁性層中磁化的旋轉(zhuǎn)引起自由和被釘扎磁性層中以及非磁性中間層中電阻的較大變化。當(dāng)電流在所謂的垂直方向流過(guò)自由和被釘扎磁性層以及非磁性中間層時(shí)，響應(yīng)于磁阻變化，在電流中出現(xiàn)如電壓等任何參數(shù)值的變化。特別地，介電材料用于使被釘扎磁性層中的電流路徑變薄。此外，電流的流動(dòng)集中在導(dǎo)電磁性材料。在檢測(cè)電流的電壓中可以得到較大的變化。由此可以增強(qiáng)CPP結(jié)構(gòu)的MR元件的輸出。
這里，導(dǎo)電磁性材料優(yōu)選含有由上界面或接合面滲透穿過(guò)顆粒膜到達(dá)下界面或接合面的晶粒。顆粒膜能夠使導(dǎo)電磁性材料可靠地接觸與上接合面和下接合面接觸的導(dǎo)電材料層。由此導(dǎo)電磁性材料可以可靠地流動(dòng)電流。CPP結(jié)構(gòu)的MR元件的輸出可以可靠地增強(qiáng)。
晶粒應(yīng)該包括鈷和鐵原子中的至少一種。晶?？梢跃哂杏泊判曰蜍洿判?。介電材料可以包括氧化物、氟化物、碳化物以及氮化物中的至少一種。


從下面結(jié)合附圖對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的說(shuō)明中，本發(fā)明的以上和其它目的、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)，其中圖1的俯視圖示意性地示出了硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)的結(jié)構(gòu)；圖2示意性地示出了根據(jù)一個(gè)具體實(shí)施例的浮動(dòng)磁頭浮動(dòng)塊結(jié)構(gòu)的放大立體示意圖；圖3的正視圖示意性地示出了在浮動(dòng)磁頭浮動(dòng)塊的空氣支承面觀察到的讀出/寫(xiě)入電磁換能器；圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例電流垂直于膜面(CPP)結(jié)構(gòu)的磁阻(MR)元件的結(jié)構(gòu)的放大前視圖；
圖5示出了顆粒膜結(jié)構(gòu)的自旋閥膜的部分放大剖面圖；以及圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例CPP結(jié)構(gòu)的MR元件的結(jié)構(gòu)的放大前視圖。
具體實(shí)施例方式
圖1示意性地示出了作為磁記錄裝置或存儲(chǔ)器系統(tǒng)的一個(gè)例子的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)11的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。HDD 11包括限定了例如扁平平行六面體的內(nèi)部空間的盒形主外殼12。至少一個(gè)磁記錄盤(pán)13裝在主外殼12的內(nèi)部空間內(nèi)。磁記錄盤(pán)13安裝在主軸電動(dòng)機(jī)14的驅(qū)動(dòng)軸上。主軸電動(dòng)機(jī)14能驅(qū)動(dòng)磁記錄盤(pán)13以例如7,200rpm或10,000rpm的較高旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)。未示出的蓋連接到主外殼12以限定出主外殼12和它自身之間的封閉內(nèi)部空間。
磁頭致動(dòng)器(head actuator)15也裝到主外殼12的內(nèi)部空間中。磁頭致動(dòng)器15包括支撐在用于旋轉(zhuǎn)的垂直支撐軸16的致動(dòng)器模塊17。剛性的致動(dòng)器臂限定在致動(dòng)器模塊17中。致動(dòng)器臂18設(shè)計(jì)為從垂直支撐軸16在水平方向上延伸。致動(dòng)器臂18分別與一個(gè)或多個(gè)磁記錄盤(pán)的正面和背面相關(guān)聯(lián)。致動(dòng)器模塊17可由鋁制成?？梢允褂媚Ｋ芄に囆纬芍聞?dòng)器模塊17。
彈性磁頭懸臂19固定到致動(dòng)器臂18的頂端。各磁頭懸臂19設(shè)計(jì)為從致動(dòng)器臂18的對(duì)應(yīng)頂端朝前延伸。現(xiàn)已公知，浮動(dòng)磁頭浮動(dòng)塊21支撐在各磁頭懸臂19的前端。浮動(dòng)磁頭浮動(dòng)塊21與一個(gè)或多個(gè)磁記錄盤(pán)13的表面相對(duì)。
磁頭懸臂19用于將浮動(dòng)磁頭浮動(dòng)塊21壓向磁記錄盤(pán)13的表面。當(dāng)磁記錄盤(pán)13旋轉(zhuǎn)時(shí)，浮動(dòng)磁頭浮動(dòng)塊21能接收沿旋轉(zhuǎn)的磁記錄盤(pán)13產(chǎn)生的空氣流?？諝饬饔糜谠诟?dòng)磁頭浮動(dòng)塊21上產(chǎn)生浮力。由此，在磁記錄盤(pán)13的旋轉(zhuǎn)期間，通過(guò)浮力和磁頭懸臂19偏壓力之間的平衡，浮動(dòng)磁頭浮動(dòng)塊21能高穩(wěn)定性地保持在磁記錄盤(pán)13的表面上方浮動(dòng)。
動(dòng)力源22如音圈電機(jī)(VCM)連接到致動(dòng)器模塊17的尾部。動(dòng)力源22驅(qū)動(dòng)致動(dòng)器模塊17繞支撐軸16旋轉(zhuǎn)。致動(dòng)器模塊17的旋轉(zhuǎn)引起致動(dòng)器臂18和磁頭懸臂19的擺動(dòng)。當(dāng)浮動(dòng)磁頭浮動(dòng)塊21浮動(dòng)期間驅(qū)動(dòng)致動(dòng)器臂18繞支撐軸16擺動(dòng)時(shí)，浮動(dòng)磁頭浮動(dòng)塊21能在磁記錄盤(pán)13的徑向中跨越限定在磁記錄盤(pán)13上的記錄道。這種徑向運(yùn)動(dòng)用于將浮動(dòng)磁頭浮動(dòng)塊21定位在磁記錄盤(pán)13的目標(biāo)記錄磁道的正上方?，F(xiàn)已公知，當(dāng)兩個(gè)或多個(gè)磁記錄盤(pán)13裝在主外殼12的內(nèi)部空間時(shí)，一對(duì)彈性磁頭懸臂19和致動(dòng)器臂18設(shè)置在相鄰的磁記錄盤(pán)13之間。
圖2示出了浮動(dòng)磁頭浮動(dòng)塊21的具體例子。浮動(dòng)磁頭浮動(dòng)塊21包括扁平平行六面體形的由Al2O3-TiC制成的浮動(dòng)塊本體23。由Al2O3(氧化鋁)制成的磁頭保護(hù)層24耦連到浮動(dòng)塊本體23的尾流端或尾端。讀取/寫(xiě)入電磁換能器25含在磁頭保護(hù)層24內(nèi)。與介質(zhì)相對(duì)的表面或底面26限定在浮動(dòng)塊本體23和磁頭保護(hù)層24上，以一定的距離面對(duì)磁記錄盤(pán)13。
前導(dǎo)軌(front rail)28和后導(dǎo)軌(rear rail)29形成在底面26上。前導(dǎo)軌28設(shè)計(jì)得沿浮動(dòng)塊本體23的迎流端或前端延伸。后導(dǎo)軌29位于浮動(dòng)塊本體23的尾流端或尾端附近?？諝庵С忻?ABS)31，32分別限定在前和后導(dǎo)軌28，29的頂面上。空氣支承面31，32的迎流端分別通過(guò)臺(tái)階(step)33，34連接到前和后導(dǎo)軌28，29的頂面。讀取/寫(xiě)入電磁換能器25在空氣支承面32露出頂端或前端。應(yīng)該注意讀取/寫(xiě)入電磁換能器25的前端可以用在空氣支承面32上延伸的由類(lèi)金剛石碳(DLC，diamond-like-carbon)制成的保護(hù)層覆蓋。
浮動(dòng)磁頭浮動(dòng)塊21的底面26設(shè)計(jì)為接收沿旋轉(zhuǎn)的磁記錄盤(pán)13產(chǎn)生的氣流35。臺(tái)階33，34用于在空氣支承面31，32產(chǎn)生較大的正氣壓或升力。此外，在前導(dǎo)軌28的后面產(chǎn)生較大的負(fù)氣壓。負(fù)壓用升力平衡，以穩(wěn)定地建立浮動(dòng)磁頭浮動(dòng)塊21的浮動(dòng)姿態(tài)。浮動(dòng)磁頭浮動(dòng)塊21可以采用除以上提到之外的任何形狀或形式。
圖3示出了在空氣支承面32露出的讀出/寫(xiě)入電磁換能器25的局部放大圖。讀出/寫(xiě)入電磁換能器25包括感應(yīng)寫(xiě)元件或薄膜磁頭36和電流垂直于膜面(CPP)結(jié)構(gòu)的電磁換能器元件或CPP結(jié)構(gòu)磁阻(MR)讀取元件37。薄膜磁頭36設(shè)計(jì)為利用例如在未示出的導(dǎo)電渦旋線(xiàn)圈圖形中產(chǎn)生的磁場(chǎng)將磁位數(shù)據(jù)寫(xiě)入到磁記錄盤(pán)13上。CPP結(jié)構(gòu)MR讀取元件37設(shè)計(jì)為利用響應(yīng)于磁記錄盤(pán)13作用的磁場(chǎng)中磁極性的反轉(zhuǎn)的電阻變化檢測(cè)磁位數(shù)據(jù)。薄膜磁頭36和CPP結(jié)構(gòu)MR讀取元件37介于作為磁頭保護(hù)層24或上覆蓋膜的上半層的Al2O3(氧化鋁)層38和作為磁頭保護(hù)層24或下覆蓋膜的下半層的Al2O3(氧化鋁)層39之間。
薄膜磁頭36包括在空氣支承面32露出前端的上磁極層41和類(lèi)似地在空氣支承面32露出前端的下磁極層42。上和下磁極層41，42可以由例如FeN、NiFe或類(lèi)似物制成。上和下磁極層41，42的組合形成了薄膜磁頭的磁芯。
非磁性間隙層43介于上和下磁極層41，42之間。非磁性間隙層43可以例如由Al2O3(氧化鋁)制成。當(dāng)在導(dǎo)電渦旋線(xiàn)圈圖形中產(chǎn)生磁場(chǎng)時(shí)，上和下磁極層41，42之間交換磁通量。非磁性間隙層43允許交換的磁通量從空氣支承面32泄漏。這樣泄漏的磁通量形成用于記錄的磁場(chǎng)，即，寫(xiě)間隙磁場(chǎng)。
CPP結(jié)構(gòu)MR讀取元件37包括在作為基礎(chǔ)絕緣層的氧化鋁層39的上表面上擴(kuò)展的下電極44。下電極44可以不僅具有電導(dǎo)體的性質(zhì)，而且具有軟磁性質(zhì)。如果下電極44由軟磁電導(dǎo)體如NiFe制成，那么下電極44也可用做CPP結(jié)構(gòu)MR讀取元件37的下屏蔽層。
在下電極44的上表面上形成平坦化表面45作為基底。磁阻(MR)膜或自旋閥膜46覆蓋在平坦化表面45上。將自旋閥膜46構(gòu)圖成預(yù)定的輪廓。自旋閥膜46沿平坦化表面45從在空氣支承面32露出的頂端或前端向后延伸。類(lèi)似地，一對(duì)磁磁疇控制膜47覆蓋在平坦化表面45上。磁疇控制膜47可沿空氣支承面32延伸。自旋閥膜46介于沿空氣支承面32的平坦化表面45上的磁疇控制膜47之間。磁疇控制膜47可以由金屬材料制成，例如CoPt、CoCrPt或類(lèi)似物制成。磁疇控制膜47用于平行于空氣支承面32橫越自旋閥膜46建立磁化。當(dāng)通過(guò)磁疇控制膜47根據(jù)磁化建立偏置磁場(chǎng)(biasingmagnetic field)時(shí)，自旋閥膜46的自由層可具有單疇(singledomain)特性。下面將詳細(xì)地介紹自旋閥膜46的結(jié)構(gòu)。
用覆蓋絕緣層48覆蓋平坦化表面45。覆蓋絕緣層48可以由絕緣材料制成，例如Al2O3、SiO2等。上電極49位于覆蓋絕緣層48上。上電極49可以不僅具有電導(dǎo)體性質(zhì)，還具有軟磁性。如果上電極49由軟磁電導(dǎo)體如NiFe制成，那么上電極49也能用做CPP結(jié)構(gòu)MR讀取元件37的上屏蔽層。以上提到的下電極44和上電極49之間的距離確定了沿磁記錄盤(pán)13上記錄道的記錄的線(xiàn)性分辨率。
圖4示出了CPP結(jié)構(gòu)MR讀取元件37的局部放大圖。從圖4中可以看出，覆蓋絕緣層48覆蓋在自旋閥膜46和磁疇控制膜47上。接觸孔51限定在覆蓋絕緣層48中。接觸孔51設(shè)計(jì)為穿過(guò)覆蓋絕緣層48達(dá)到自旋閥膜46的上表面。接觸孔51位于空氣支承面32附近。上電極49可以接觸接觸孔51內(nèi)自旋閥膜46的上表面。以此方式可以在上電極49和自旋閥膜46之間建立電連接。同時(shí)，上電極49與磁疇控制膜47電隔離。
從圖4中可以看出，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的自旋閥膜46包括基礎(chǔ)層52、被釘扎(固定)鐵磁層53、導(dǎo)電非磁性中間層54、自由鐵磁層55以及保護(hù)帽蓋層56，它們以此順序分布在平坦化表面45上。被釘扎鐵磁層53的磁化方向例如根據(jù)它自身的硬磁特性固定在特定的橫向方向中?；A(chǔ)層52可以包括例如覆蓋在平坦化表面45上的Ta層、覆蓋在Ta層上表面上的NiFe層。非磁性中間層54例如由Cu制成。自由鐵磁層55例如可以由CoFeB層制成。保護(hù)帽蓋層56可以由Cu層、Au層等制成。
被釘扎鐵磁層53由包括導(dǎo)電鐵磁原子和介質(zhì)原子的顆粒膜制成。如圖5所示，磁晶粒57形成在顆粒膜中。各磁晶粒57位于基礎(chǔ)層52的上表面上。相鄰的磁晶粒57之間的空間可由介電材料58填充。同時(shí)，磁晶粒57的頂端暴露在接觸非磁性中間層54的界面處。以此方式各磁晶粒57從上界面或接合面穿過(guò)顆粒膜達(dá)到下界面或接合面。磁晶粒57用于建立非磁性中間層54和基礎(chǔ)層52之間的電連接。
這里，磁晶粒57可以由硬磁材料如CoPt合金、FePt合金等制成。硬磁材料也可以包括含過(guò)渡元素的稀土元素合金。介電材料58可以由氧化物如Al2O3、SiO2、MgO、Bi2O3、氟化物如MgF2、CaF2、氮化物如AlN、碳化物以及其它類(lèi)型的絕緣材料制成。
當(dāng)CPP結(jié)構(gòu)MR讀取元件37與磁記錄盤(pán)13的表面相對(duì)以讀取磁信息數(shù)據(jù)時(shí)，響應(yīng)于由磁記錄盤(pán)13施加的磁極性的反轉(zhuǎn)，自由鐵磁層55中的磁化方向可在自旋閥膜46中旋轉(zhuǎn)。自由鐵磁層55中磁化方向的旋轉(zhuǎn)引起自旋閥膜46中的電阻變化。當(dāng)檢測(cè)電流通過(guò)上和下電極49，44施加到自旋閥膜46時(shí)，相應(yīng)于磁阻的變化，由上和下電極49，44輸出的檢測(cè)電流的任何參數(shù)如電壓等的大小都發(fā)生變化。這種變化可用于檢測(cè)記錄在磁記錄盤(pán)13上的磁位數(shù)據(jù)。
具體地，介電材料58用于使被釘扎鐵磁層53中的檢測(cè)電流路徑變薄。此外，檢測(cè)電流的流動(dòng)集中于磁晶粒57?？梢垣@得檢測(cè)電流電壓的較大變化。由此增強(qiáng)了CPP結(jié)構(gòu)MR讀取元件37的輸出。
接下來(lái)，簡(jiǎn)要介紹CPP結(jié)構(gòu)MR讀取元件37的制造方法。以常規(guī)的方式在晶片上形成下電極44。例如使用鍍敷形成下電極44。然后在下電極44的上表面上形成包括Ta和NiFe層的基礎(chǔ)層52。例如使用濺射形成基礎(chǔ)層52。
此后硬磁材料如CoPt合金或FePt合金層疊在基礎(chǔ)層的上表面上。例如使用濺射。在這種情況下，控制濺射裝置淀積約2.8nm預(yù)定厚度的硬磁材料。可以在基礎(chǔ)層52的上表面上得到硬磁材料的離散或孤立島。硬磁材料島對(duì)應(yīng)于分散在基礎(chǔ)層52表面上直徑約5.0nm的磁晶粒57。
然后在基礎(chǔ)層52的上表面上淀積絕緣材料如SiO2。例如使用濺射。此時(shí)，控制濺射裝置淀積約2.0nm預(yù)定厚度的絕緣材料。期望絕緣材料首先淀積在相鄰的磁晶粒57之間的空間上。以此方式，基礎(chǔ)層52的上表面在相鄰磁晶粒57之間由絕緣材料覆蓋。磁晶粒57可保持暴露在淀積的絕緣材料之外。以此方式形成了顆粒膜。
在顆粒膜的上表面上依次淀積導(dǎo)電非磁性材料如Cu、具有軟磁性的鐵磁材料如CoFe合金、導(dǎo)電材料如Cu或Au。從而形成層狀物質(zhì)。自旋閥膜46例如從層狀物質(zhì)上切出。例如使用離子銑削從所述層狀物質(zhì)中形成自旋閥膜46?？稍趯訝钗镔|(zhì)上形成光致抗蝕劑膜以對(duì)自旋閥膜46構(gòu)圖。
當(dāng)形成了自旋閥膜46時(shí)，在自旋閥膜46的周?chē)矸e硬磁材料如CoCrPt。然后覆蓋絕緣膜48形成在自旋閥膜46和淀積的硬磁材料的上表面上。接觸孔51形成在覆蓋絕緣膜48中。此后上電極49形成在覆蓋絕緣膜48上。以上面提到的方式形成了CPP結(jié)構(gòu)MR讀取元件37。
圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的CPP結(jié)構(gòu)的MR讀取元件的結(jié)構(gòu)。第二實(shí)施例的CPP結(jié)構(gòu)的MR讀取元件設(shè)計(jì)為使用軟磁性材料如CoFe合金用作被釘扎鐵磁層53中的磁晶粒57。一釘扎層(固定層，pinning layer)或反鐵磁性層61介于被釘扎鐵磁層53和基礎(chǔ)層52之間。在反鐵磁性層61的影響之下，被釘扎鐵磁層53的磁化方向固定在特定的橫向上。反鐵磁性層61可以由反鐵磁性材料如IrMn、PdPtMn等制成。與以上介紹的相同方式，第二實(shí)施例的自旋閥膜46a允許被釘扎鐵磁層53中的介電材料58使檢測(cè)電流的路徑變薄。因此，可以在檢測(cè)電流的電壓中得到較大的變化。類(lèi)似的附圖標(biāo)記表示等效于以上提到的CPP結(jié)構(gòu)MR讀取元件37的結(jié)構(gòu)或部件的那些結(jié)構(gòu)或部件。
具體地，傾斜表面62通常形成在自旋閥膜46a上。傾斜表面62相對(duì)于上電極或基底的上表面傾斜角度α。磁疇控制膜47分別接觸傾斜表面62處的自旋閥膜46a。傾斜表面62使自旋閥膜46a朝上電極49方向漸縮。這種漸縮的形狀實(shí)現(xiàn)了具有較高電阻的反鐵磁性層61中檢測(cè)電流的更大或更寬路徑。電阻可在反鐵磁性層61處充分地減小。
此外，以上提到的顆粒膜可用于自旋閥膜46，46a中的自由鐵磁層55。此時(shí)，例如，軟磁性材料如CoFe合金可用作結(jié)合到自由鐵磁層55中的磁晶粒57。顆粒膜可以應(yīng)用于自由和被釘扎鐵磁層55，53中的至少一個(gè)。此外，CPP結(jié)構(gòu)MR讀取元件37不僅可以使用其中自由鐵磁層55位于被釘扎鐵磁層53之上的自旋閥膜46，46a，而且可以使用其中自由鐵磁層55位于被釘扎鐵磁層53之下的自旋閥膜。在后一種情況中，自由鐵磁層、非磁性中間層、被釘扎鐵磁層、反鐵磁性層或保護(hù)帽蓋層以常規(guī)的方式依次層疊在基礎(chǔ)層52上。在任何一種情況中，以上提到的顆粒膜可以應(yīng)用于被釘扎和自由鐵磁層中的至少一個(gè)。
權(quán)利要求
1.一種電流垂直于膜面結(jié)構(gòu)的磁阻元件，包括自由磁性層；被釘扎磁性層；以及介于自由和被釘扎磁性層之間的導(dǎo)電非磁性中間層，其中自由和被釘扎磁性層中的至少一個(gè)由包括導(dǎo)電磁性材料和介電材料的顆粒膜制成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電流垂直于膜面結(jié)構(gòu)的磁阻元件，其中所述導(dǎo)電磁性材料含有從上接合面穿過(guò)顆粒膜達(dá)到下接合面的晶粒。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的電流垂直于膜面結(jié)構(gòu)的磁阻元件，其中所述晶粒包括鈷和鐵原子之中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的電流垂直于膜面結(jié)構(gòu)的磁阻元件，其中所述介電材料包括氧化物、氟化物、碳化物和氮化物中的至少一種。
全文摘要
電流垂直于膜面(CPP)結(jié)構(gòu)的磁阻(MR)元件，包括由顆粒膜制成的被釘扎磁性層。顆粒膜含有導(dǎo)電磁晶粒和介電材料。介電材料用于使被釘扎磁性層中的檢測(cè)電流路徑變薄。此外，檢測(cè)電流集中于磁晶粒?？梢缘玫綑z測(cè)電流的電壓的較大變化。由此可以增強(qiáng)CPP結(jié)構(gòu)的MR元件的輸出。
文檔編號(hào)H01L43/08GK1489135SQ0315913
公開(kāi)日2004年4月14日 申請(qǐng)日期2003年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月9日
發(fā)明者菅原貴彥, 菅原 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社