專利名稱：電路裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有任意外周部形狀的薄型電路裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前，設(shè)置在電子設(shè)備上的電路裝置由于要用于移動(dòng)電話、手提電腦等上，故要求小型化、薄型化和輕量化。例如作為電路裝置以半導(dǎo)體裝置為例說明如下，通常的半導(dǎo)體裝置目前有用通常的傳遞模密封的封裝型半導(dǎo)體裝置。如圖31所示，該半導(dǎo)體裝置被安裝在印刷電路板PS上(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
該封裝型半導(dǎo)體裝置61用樹脂層63覆蓋半導(dǎo)體芯片62的周圍，自該樹脂層63的側(cè)部導(dǎo)出外部連接用引線端子64。但是，該封裝型半導(dǎo)體裝置61其引線端子64自樹脂層63露出外部，整體尺寸大，不能滿足小型化、薄型化及輕量化。因此，各公司為了實(shí)現(xiàn)小型化、薄型化及輕量化，競相開發(fā)各種結(jié)構(gòu)，最近開發(fā)了被稱作CSP(芯片尺寸封裝)的與芯片尺寸同等的晶片級(jí)CSP或稍大于芯片尺寸的大小的CSP。
圖32是支承襯底采用玻璃環(huán)氧樹脂襯底65的稍大于芯片尺寸的CSP66。這里，就晶體管芯片T安裝在玻璃環(huán)氧樹脂襯底65上的情況進(jìn)行說明。
在該玻璃環(huán)氧樹脂襯底65的表面上形成有第一電極67、第二電極68及小片焊盤69，背面形成有第一背面電極70和第二背面電極71。通過通孔TH所述第一電極67和第一背面電極70電連接，第二電極68和第二背面電極71電連接。小片焊盤69上固定有所述裸的晶體管芯片T，晶體管的發(fā)射極電極和第一電極67通過金屬配線72連結(jié)，晶體管的基極和第二電極68通過金屬配線72連結(jié)。另外，玻璃環(huán)氧樹脂襯底65上設(shè)有樹脂層73，覆蓋晶體管芯片T。
所述CSP66雖然采用玻璃環(huán)氧樹脂襯底65，但是與晶片級(jí)CSP不同，自芯片T至外部連接用背面電極70、71的延伸結(jié)構(gòu)簡單，具有可廉價(jià)制造的優(yōu)點(diǎn)。如圖3 1所示，所述CSP66安裝在印刷電路板PS上。印刷電路板PS設(shè)有構(gòu)成電氣電路的電極和配線，電連接并固定所述CSP66、所述封裝型半導(dǎo)體裝置61、片狀電阻CR或片狀電容器CC等。由該印刷電路板構(gòu)成的電路安裝在各種裝置中。
專利文獻(xiàn)1為特開2001-339151號(hào)公報(bào)(第一頁，圖1)。

發(fā)明內(nèi)容
但是，上述電路裝置及安裝該電路裝置的印刷電路板存在以下問題。
第一，CSP66以玻璃環(huán)氧樹脂襯底65作為支承襯底而形成整體，由于玻璃環(huán)氧樹脂襯底65自身是厚的材料，故CSP66的薄型化受到限制。
第二，由于印刷電路板PS具有機(jī)械支承安裝的CSP66等的作用，故為了保持機(jī)械強(qiáng)度，要形成得較厚。因此，這一點(diǎn)會(huì)阻礙內(nèi)裝印刷電路板PS的移動(dòng)電話等裝置的小型化。
第三，上述CSP66通過切割而一個(gè)個(gè)分離，故其平面形狀形成矩形。因此，當(dāng)將CSP66直接固定在具有矩形以外的形狀的裝置的箱體內(nèi)部時(shí)，難于有效地利用箱體內(nèi)部的空間。
第四，在以和CSP66同樣的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)樹脂密封多個(gè)無源元件及有源元件等電路元件類型的電路裝置時(shí)，由于單個(gè)電路元件的尺寸不同，故需要大量進(jìn)行密封的樹脂。
本發(fā)明就是鑒于上述問題而開發(fā)的，本發(fā)明的主要目的是提供一種可通過將外形形成任意形狀來直接安裝在裝置的箱體內(nèi)部等的電路裝置及其制造方法。
本發(fā)明第一方面提供一種電路裝置，其特征在于，包括電路元件、固定所述電路元件并形成配線的導(dǎo)電圖案和密封所述電路元件及所述導(dǎo)電圖案的絕緣樹脂，所述絕緣樹脂的側(cè)面部由激光切割。
本發(fā)明第二方面由所述絕緣樹脂構(gòu)成的外周部的一部分呈曲線。
本發(fā)明第三方面由所述絕緣樹脂構(gòu)成的外周部的角部形成銳角或鈍角。
本發(fā)明第四方面提供一種電路裝置的制造方法，其特征在于，包括下述工序?qū)?gòu)成同種或異種電路裝置的導(dǎo)電圖案形成于導(dǎo)電箔上；將電路元件固定在所述導(dǎo)電圖案上；用絕緣樹脂進(jìn)行模裝，覆蓋所述電路元件；用激光切除基于各電路裝置外周部的任意形狀的部位的所述絕緣樹脂，分離出所述各電路裝置。
本發(fā)明第五方面提供一種電路裝置的制造方法，其特征在于，包括下述工序在除去成為構(gòu)成同種或異種電路裝置的導(dǎo)電圖案的部位后的區(qū)域的導(dǎo)電箔上，形成比所述導(dǎo)電箔的厚度淺的分離槽；將電路元件固定在所述導(dǎo)電圖案上；用絕緣樹脂進(jìn)行模裝，覆蓋所述電路元件，并充填所述分離槽；除去所述導(dǎo)電箔的背面直至露出所述絕緣樹脂；用激光切除基于各電路裝置外周部的任意形狀的部位的所述絕緣樹脂，分離出所述各電路裝置。
本發(fā)明第六方面用所述激光僅除去所述絕緣樹脂。
本發(fā)明第七方面用二氧化碳?xì)饧す獬ニ鼋^緣樹脂。
本發(fā)明第八方面所述導(dǎo)電圖案構(gòu)成小片焊盤、焊盤及配線。
本發(fā)明第九方面由所述絕緣樹脂構(gòu)成的外周部的一部分形成曲線狀。
本發(fā)明第十方面由所述絕緣樹脂構(gòu)成的外周部的角部形成銳角或鈍角。
本發(fā)明第十一方面提供一種電路裝置的制造方法，其特征在于，包括下述工序?qū)?gòu)成至少一個(gè)電路裝置的導(dǎo)電圖案區(qū)域性形成于導(dǎo)電箔上；將電路元件固定在所述導(dǎo)電圖案上；用絕緣樹脂進(jìn)行模裝，覆蓋所述電路元件；在所述絕緣樹脂上形成通孔；分離為單個(gè)電路裝置。
本發(fā)明第十二方面提供一種電路裝置的制造方法，其特征在于，包括下述工序在除去成為構(gòu)成至少一個(gè)電路裝置的導(dǎo)電圖案的部位后的導(dǎo)電箔區(qū)域上，形成比所述導(dǎo)電箔的厚度淺的分離槽；將電路元件固定在所述導(dǎo)電圖案上；用絕緣樹脂進(jìn)行模裝，覆蓋所述電路元件，并充填所述分離槽；在所述絕緣樹脂上形成通孔，局部露出所述分離槽；除去形成所述分離槽的部位的剩余的所述導(dǎo)電箔的厚度部分，使充填于所述分離槽中的所述絕緣樹脂和所述通孔露出；分離為單個(gè)電路裝置。
本發(fā)明第十三方面用激光形成所述通孔。
本發(fā)明第十四方面通過用所述分離槽的表面反射所述激光，垂直形成所述通孔的側(cè)面。
本發(fā)明第十五方面提供一種電路裝置的制造方法，其背面形成由焊劑構(gòu)成的多個(gè)外部電極，其特征在于，通過向所述電路裝置的面方向照射激光，使所述外部電極的高度均一。


圖1是說明本發(fā)明電路裝置的(A)平面圖，(B)剖面圖，(C)剖面圖；圖2是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖3是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖4是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的(A)剖面圖，(B)平面圖；圖5是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的(A)剖面圖，(B)平面圖；圖6是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的(A)剖面圖，(B)平面圖；圖7是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖8是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖9是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖10是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的(A)剖面圖，(B)平面圖；圖11是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的(A)平面圖，(B)剖面圖，(C)剖面圖；圖12是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖13是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖14是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖15是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖16是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖17是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖18是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖19是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖20是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖21是說明本發(fā)明電路裝置的(A)平面圖，(B)剖面圖，(C)剖面圖；圖22是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖23是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖24是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖25是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖26是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖27是說明本發(fā)明電路裝置的(A)平面圖，(B)剖面圖，(C)剖面圖；圖28是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖29是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖30是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；
圖31是說明現(xiàn)有電路裝置的剖面圖；圖32是說明現(xiàn)有電路裝置的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
(說明電路裝置10的結(jié)構(gòu)的實(shí)施例1)參照?qǐng)D1說明本發(fā)明的電路裝置10的結(jié)構(gòu)等。圖1(A)是電路裝置10的平面圖，圖1(B)是圖1(A)的X-X’線的剖面圖，圖1(C)是圖1(A)的Y-Y’線的剖面圖。
參照?qǐng)D1(A)及圖1(B)，電路裝置10具有下述結(jié)構(gòu)。也就是說，主要包括電路元件半導(dǎo)體元件12A及片狀部件12B，安裝有半導(dǎo)體元件12A及片狀部件12B的導(dǎo)電圖案11，和絕緣樹脂13，該絕緣樹脂13使導(dǎo)電圖案11的背面自下面露出來覆蓋電路元件12及導(dǎo)電圖案11。絕緣樹脂13的自背面露出的絕緣樹脂13由保護(hù)層17覆蓋，在自保護(hù)層17的開口部露出的導(dǎo)電圖案11的背面形成有由焊劑等構(gòu)成的外部電極9。下面說明上述各構(gòu)成元件。
導(dǎo)電圖案11由銅箔等金屬構(gòu)成，露出背面埋入絕緣樹脂13中。這里，導(dǎo)電圖案11形成安裝半導(dǎo)體元件12A及片狀部件12B的小片焊盤和配線部，并形成焊接金屬配線14的焊盤。自絕緣樹脂13的背面露出的導(dǎo)電圖案11的背面由樹脂構(gòu)成的保護(hù)層17保護(hù)。在導(dǎo)電圖案11的背面所希望的部位形成有與外部進(jìn)行電氣輸入輸出的外部電極9。單個(gè)的導(dǎo)電圖案11相互間由絕緣樹脂13形成的分離槽16電分離。除去電路裝置10的外周部附近，形成導(dǎo)電圖案11。
在同圖(A)中，在導(dǎo)電圖案11上安裝有數(shù)個(gè)半導(dǎo)體元件12A或片狀部件12B，數(shù)個(gè)導(dǎo)電圖案11與半導(dǎo)體元件12A連接，但是，實(shí)際上也可以緊密地形成更多個(gè)導(dǎo)電圖案11。并且，在同圖(B)中，雖然圖示了單層導(dǎo)電圖案11，但也可以形成通過絕緣層層積的多層導(dǎo)電圖案11。
絕緣樹脂13使導(dǎo)電圖案11的背面露出而將整體密封。這里，絕緣樹脂13密封電路元件、金屬配線14及導(dǎo)電圖案11。作為絕緣樹脂13的材料可以采用由傳遞模形成的熱硬性樹脂或由注射模形成的熱塑性樹脂。由該圖可知，絕緣樹脂13平面形成裝置整體的外周部。而且，裝置整體的外周部局部形成曲線狀，且角部有形成鈍角或銳角的部分。本發(fā)明中，絕緣樹脂13的切除由激光進(jìn)行，故可使絕緣樹脂13構(gòu)成的角部形成直角以外的角度或曲線狀。形成絕緣樹脂13的方法除上述方法外，也可由罐封等形成絕緣樹脂13。
半導(dǎo)體元件12A及片狀部件12B是安裝在導(dǎo)電圖案11上的電路元件。這里，半導(dǎo)體元件12A通過倒裝(倒裝接合法)或面朝上接合法安裝，在用面朝上接合法安裝時(shí)，半導(dǎo)體元件12A的電極和導(dǎo)電圖案11由金屬配線14電連接。電路元件12除IC芯片等之外，還可采用晶體管芯片、二極管等有源元件或片狀電阻、片狀電容器等無源元件。另外，也可將多個(gè)上述有源元件及無源元件配置在導(dǎo)電圖案11上。在用倒裝法安裝半導(dǎo)體元件時(shí)，通過形成于半導(dǎo)體元件上的補(bǔ)片電連接。
參照?qǐng)D1(A)及圖1(C)說明通孔15。通孔15通過局部除去絕緣樹脂13而形成，從電路裝置10的表面貫通至背面。通孔15可由激光形成，其平面斷面形成圓形。這一點(diǎn)在說明電路裝置的制造方法后的說明中會(huì)詳細(xì)說明。通過在除去了導(dǎo)電圖案11的區(qū)域形成通孔15，可容易地由激光形成通孔15。這里，通孔15形成于電路裝置10的周邊部。該通孔15作為螺釘孔等使用，通過進(jìn)行螺釘固定，將電路裝置10固定在裝置的箱體內(nèi)部。嵌合于通孔15的尺寸的突起部設(shè)在裝置箱體內(nèi)部，通過使突起部和通孔15嵌合，可將電路裝置10固定在箱體內(nèi)部。
(說明電路裝置10的制造方法的實(shí)施例2)在本實(shí)施例中，電路裝置10由下述工序制造。這些工序包括將構(gòu)成同種或異種電路裝置10的導(dǎo)電圖案11形成于導(dǎo)電箔30上；將電路元件12固定在導(dǎo)電圖案11上；用絕緣樹脂13進(jìn)行模裝，覆蓋電路元件12；用激光切除基于各電路裝置10外周部的任意形狀的部位的所述絕緣樹脂13，分離出各電路裝置10。電路裝置10由上述工序制造。下面參照?qǐng)D2～圖10說明本發(fā)明的各工序。
第一工序參照?qǐng)D2～圖4本工序是將構(gòu)成同種或異種電路裝置10的導(dǎo)電圖案11形成于導(dǎo)電箔30上的工序。該導(dǎo)電圖案可通過在例如導(dǎo)電箔30上形成淺于其厚度的分離槽32而形成。
在本工序中，首先，如圖2所示，準(zhǔn)備片狀的導(dǎo)電箔30。該導(dǎo)電箔30根據(jù)焊劑的附著性、焊接性、鍍敷性選擇材料，采用以銅為主材料的導(dǎo)電箔、以鋁為主材料的的導(dǎo)電箔或由鐵鎳等合金構(gòu)成的導(dǎo)電箔等。
導(dǎo)電箔30的厚度考慮到后述的蝕刻最好為10μm～300μm左右，即使是300μm以上或10μm以下，基本上也可以。如后所述，只要可形成淺于導(dǎo)電箔30的厚度的分離槽32即可。
另外，片狀的導(dǎo)電箔30可以以規(guī)定寬度例如45mm卷成筒狀來準(zhǔn)備，將其搬運(yùn)到后述的各工序，也可以準(zhǔn)備切成規(guī)定大小的矩形狀導(dǎo)電箔30，搬運(yùn)到后述的各工序。然后，形成導(dǎo)電圖案。
首先，如圖3所示，在導(dǎo)電箔30之上，將光致抗蝕劑PR制圖，使除去形成導(dǎo)電圖案11的區(qū)域之外的導(dǎo)電箔30露出。
然后，參照?qǐng)D4(A)，通過選擇性蝕刻導(dǎo)電箔30形成具有規(guī)定深度的分離槽16。利用形成的分離槽16使導(dǎo)電圖案11相互間分離。
下面，參照?qǐng)D4(B)說明具體化的導(dǎo)電圖案11。這里，導(dǎo)電圖案11形成有作為小片焊盤、配線及焊盤的部分。在該圖中，用虛線31表示制造的電路裝置外周部的部位。在其后的工序中，用激光按虛線31所示的形狀分離電路裝置10，故在虛線31部位的區(qū)域未形成導(dǎo)電圖案11。也就是說，在虛線31所示的區(qū)域形成分離槽16。在該圖中，圖示了數(shù)十個(gè)導(dǎo)電圖案11，但是實(shí)際上也可形成更多個(gè)導(dǎo)電圖案11。
第二工序參照?qǐng)D5本工序是將電路元件12固定在導(dǎo)電圖案11上并電連接的工序。
參照?qǐng)D5，通過焊劑將電路元件12安裝在導(dǎo)電圖案11上。這里，焊劑使用焊錫或Ag膏等導(dǎo)電性膏劑。然后，進(jìn)行半導(dǎo)體元件12A的電極和所希望的導(dǎo)電圖案11的引線接合。具體地說，利用熱壓裝進(jìn)行的球形接合及超聲波進(jìn)行的楔形接合對(duì)安裝在導(dǎo)電圖案11上的電路元件12的電極和所希望的導(dǎo)電圖案11一并進(jìn)行引線接合。
在此，作為電路元件12是將一個(gè)IC芯片固定在導(dǎo)電圖案11A上，但是作為電路元件12也可采用IC芯片以外的元件。具體地說，電路元件12除IC芯片等之外，還可采用晶體管芯片、二極管等有源元件或片狀電阻、片狀電容器等無源元件。另外，也可將多個(gè)所述有源元件及無源元件配置在導(dǎo)電圖案11上。
第三工序參照?qǐng)D6本工序是用絕緣樹脂13進(jìn)行模裝，以覆蓋電路元件12并充填分離槽16。
在本工序中，如圖6(A)所示，絕緣樹脂13完全覆蓋電路元件12及多個(gè)導(dǎo)電圖案11，并在分離槽16中填充絕緣樹脂13，與分離槽32嵌合并牢固結(jié)合。利用絕緣樹脂13支承導(dǎo)電圖案11。另外，在本工序中，可利用傳遞模、注射?；蚬薹鈱?shí)現(xiàn)。作為樹脂材料環(huán)氧樹脂等熱硬性樹脂可由傳遞模實(shí)現(xiàn)，聚酰亞胺樹脂、聚亞苯基硫醚等熱塑性樹脂可由注射模實(shí)現(xiàn)。
本工序的特征在于，在覆蓋絕緣樹脂13之前，形成導(dǎo)電圖案11的導(dǎo)電箔30成為支承襯底。分離槽16形成得淺于導(dǎo)電箔的厚度，故導(dǎo)電箔30未被作為導(dǎo)電圖案11一個(gè)個(gè)分離。因此，作為片狀的導(dǎo)電箔30可一體處理，在模裝絕緣樹脂13時(shí)，向模型的搬運(yùn)、向模型的安裝非常容易，這是其特征。
參照?qǐng)D6(B)，在本工序中，自一體形成的絕緣樹脂13形成六個(gè)同種的電路裝置10。在此，制造的電路裝置10的個(gè)數(shù)可根據(jù)電路裝置10的大小變化。也可以形成多個(gè)外形及內(nèi)部構(gòu)成的電氣電路不同的異種電路裝置10。
第四工序參照?qǐng)D7本工序是通過局部除去絕緣樹脂13形成通孔15的工序。
本工序中，削去絕緣樹脂13的一部分形成通孔15。具體地說，通過用激光除去絕緣樹脂13的一部分而形成通孔20，使導(dǎo)電箔30的表面露出。這里，通孔15形成于分離槽的上方，分離槽16的表面自通孔15露出。這里使用的激光是二氧化碳?xì)饧す狻?br> 在該圖中，為除去絕緣樹脂13照射的激光由向下的箭頭表示。當(dāng)用激光慢慢切除絕緣樹脂30并且激光照射到達(dá)分離槽16的表面時(shí)，由分離槽16的表面反射激光。且反射的激光也具有切除絕緣樹脂13的作用，故通孔15的側(cè)面垂直形成。在該圖中，分離槽16的表面反射的激光分量由向上的箭頭表示。這樣，通過由導(dǎo)電箔30的表面反射激光垂直形成通孔15的側(cè)面，可提高作為螺釘孔等使用的通孔15的功能。另外，激光的強(qiáng)度形成為可切除絕緣樹脂13而不切除導(dǎo)電圖案11的程度。且激光形成的通孔20的平面形狀為圓形。
形成分離槽16的部位的導(dǎo)電箔30在由背面除去導(dǎo)電箔30的工序除去。因此，通孔15作為自電路裝置10的表面至背面貫通的孔形成。
在上述說明中，通孔15形成于形成分離槽16的部位的上方，也可以將通孔15設(shè)置在未形成分離槽16的部位。這種情況下，必須調(diào)節(jié)激光的強(qiáng)度，以除去導(dǎo)電箔30。
第六工序參照?qǐng)D8本工序是除去導(dǎo)電箔30的背面直至露出絕緣樹脂30的工序。
參照?qǐng)D8，本工序是化學(xué)及/或物理地除去導(dǎo)電箔30的背面，作為導(dǎo)電圖案11分離的工序。該工序由研磨、研削、蝕刻、激光的金屬蒸發(fā)等實(shí)施。在實(shí)驗(yàn)中，對(duì)導(dǎo)電箔30進(jìn)行整面濕式蝕刻，自分離槽16使絕緣樹脂13露出。其結(jié)果，使導(dǎo)電圖案11相互間分離，形成導(dǎo)電圖案11的背面露出于絕緣樹脂13的結(jié)構(gòu)。也就是說，形成充填于分離槽16的絕緣樹脂13的表面和導(dǎo)電圖案11的表面實(shí)質(zhì)上一致的結(jié)構(gòu)。
然后進(jìn)行絕緣樹脂13的背面處理。具體地說，為了保護(hù)自背面露出的導(dǎo)電圖案11，形成保護(hù)層17。然后在所希望的部位形成焊劑等構(gòu)成的外部電極9。
在本工序中，除去形成分離槽16的部位的導(dǎo)電箔30的剩余厚度部分。因此，通孔15下方的導(dǎo)電箔30也被除去，故通孔15形成自電路裝置10的表面至背面連續(xù)的孔。
第七工序，參照?qǐng)D9本工序是通過局部除去外部電極9使外部電極9的高度一致的工序。
參照?qǐng)D9，說明使用激光使外部電極9的高度一致的工序。利用網(wǎng)印等形成的單個(gè)的外部電極9的高度存在一定程度的誤差。因此，在本工序中，對(duì)電路裝置10的面方向平行地照射激光，局部除去外部電極9，使外部電極9的高度均一。由于激光的行進(jìn)方向?yàn)橹本€。故較低的外部電極9前端部被除去少許，而較大的外部電極9其前端部被大量除去。
這樣，通過使外部電極9的高度形成均一，可可靠地進(jìn)行由外部電極9進(jìn)行的電連接。
第八工序參照?qǐng)D10本工序是使用激光切除基于各電路裝置10外周部的任意形狀的部位的絕緣樹脂13，從而分離出各電路裝置10的工序。
參照?qǐng)D10(A)，在本工序中，用激光除去厚度方向僅由絕緣樹脂13形成的部位的絕緣樹脂13。也就是說，激光除去的僅是絕緣樹脂13，導(dǎo)電箔30的分離不在此進(jìn)行。因此，可減少用激光除去引起的發(fā)熱。因此，即使在將電路元件配置在電路裝置10外周部附近的情況下，本工序的發(fā)熱也很少，故可防止熱量對(duì)電路元件的損傷。
在此，作為分離絕緣樹脂13的激光可采用激態(tài)復(fù)合物激光或二氧化碳?xì)饧す?。例如，可使用二氧化碳?xì)饧す膺M(jìn)行絕緣樹脂13的分離，并通過用激態(tài)復(fù)合物激光除去此時(shí)形成的碳化物進(jìn)行電路裝置10的分離。
參照?qǐng)D10(B)，用激光除去基于各電路裝置外形形狀的部位的絕緣樹脂13。下面說明這樣用激光分離電路裝置10的優(yōu)點(diǎn)。激光進(jìn)行的絕緣樹脂13的分離可通過變更控制激光的掃描程序軟件來幾乎自由地變更其分離形狀。因此，可制造彎曲的形狀等任意形狀的電路裝置10。另外，根據(jù)上述說明，在本工序中用激光僅除去絕緣樹脂13，但是也可通過調(diào)節(jié)激光的強(qiáng)度將導(dǎo)電箔30也一并除去。
通過上述工序，可制造例如圖1所示的電路裝置10。
(說明另一形態(tài)的電路裝置的實(shí)施例3)參照?qǐng)D11～圖20說明另一形態(tài)的電路裝置10的結(jié)構(gòu)及其制造方法。
參照?qǐng)D11，另一形態(tài)的電路裝置10主要包括電路元件半導(dǎo)體元件12A及片狀部件12B，安裝半導(dǎo)體元件12A及片狀部件12B的導(dǎo)電圖案11，自下面露出導(dǎo)電圖案11的背面而覆蓋電路元件12及導(dǎo)電圖案11的絕緣樹脂13。并且，導(dǎo)電圖案11在半導(dǎo)體元件12A的下方還形成配線部。自絕緣樹脂13的背面露出的絕緣樹脂13由保護(hù)層17覆蓋，自保護(hù)層17的開口部露出的導(dǎo)電圖案11的背面上形成有由焊劑等構(gòu)成的外部電極9。
本實(shí)施例的電路裝置10和實(shí)施例1說明的電路裝置10在導(dǎo)電圖案10的結(jié)構(gòu)上不同。也就是說，在本實(shí)施例的電路裝置10中，導(dǎo)電圖案在半導(dǎo)體元件12A的下方也形成配線部。因此，通過將半導(dǎo)體元件12A的下方作為配線部使用可提高裝置整體的安裝密度，故可縮小電路裝置。
下面說明本實(shí)施例的電路裝置10的制造方法。本實(shí)施例的電路裝置10可用兩種方法制造。第一方法是自兩張導(dǎo)電膜介由絕緣層層積的絕緣板形成導(dǎo)電圖案的方法，第二方法是通過與實(shí)施例2同樣地形成分離槽形成導(dǎo)電圖案的方法。下面說明所述形成導(dǎo)電圖案的兩種方法。形成導(dǎo)電圖案的工序以外的工序與上述實(shí)施例2同樣。也就是說形成通孔的工序、加工外部電極的工序、用激光分離各電路裝置的工序與實(shí)施例2同樣。
參照?qǐng)D12～圖16，說明包括上述第一方法即自絕緣板43形成導(dǎo)電圖案11的方法的電路裝置的制造方法。
首先，參照?qǐng)D12，準(zhǔn)備絕緣板43。該板是介由絕緣層18層積了第一導(dǎo)電膜41及第二絕緣膜42的板。第一絕緣膜41形成導(dǎo)電圖案11，為了形成微細(xì)圖案，形成得很薄。與此相對(duì)，第二導(dǎo)電膜42具有在進(jìn)行模裝之前支承整體的作用，故要求高的強(qiáng)度，形成得比第一導(dǎo)電膜41厚。
參照?qǐng)D13，形成導(dǎo)電圖案11，用絕緣層覆蓋導(dǎo)電圖案11。具體地說，首先通過選擇性蝕刻第一導(dǎo)電膜41形成導(dǎo)電圖案11。然后用絕緣層18覆蓋導(dǎo)電圖案11。然后，通過局部除去絕緣層18，使形成焊盤的部位的導(dǎo)電圖案11露出。該部分的絕緣層18的除去可使用激光進(jìn)行。然后，在露出的導(dǎo)電圖案11的表面上形成鍍膜19。
參照?qǐng)D14，進(jìn)行半導(dǎo)體元件12A的固定和電連接，并由絕緣樹脂13進(jìn)行覆蓋。具體地說，用絕緣性粘接劑等將半導(dǎo)體元件12A固定在絕緣層18上。然后，用金屬配線14將半導(dǎo)體元件12A的電極和導(dǎo)電圖案11的露出部分電連接。再由絕緣樹脂13密封半導(dǎo)體元件12A、金屬配線14。該密封可通過傳遞模、注射?；蚬薹獾冗M(jìn)行。
參照?qǐng)D15，除去第二導(dǎo)電膜42。具體地說，通過自背面進(jìn)行蝕刻，整面除去第二導(dǎo)電膜42。由此使絕緣層18在背面露出。
參照?qǐng)D16，在背面形成外部電極9。具體地說，首先，通過局部除去絕緣樹脂18，在絕緣層18上形成用于形成外部電極9的開口部。將焊錫等焊劑涂敷在設(shè)于絕緣層18的開口部形成外部電極9。
下面說明形成導(dǎo)電圖案11的第二方法。該方法中，與實(shí)施例2同樣地自一張導(dǎo)電箔45形成導(dǎo)電圖案11。
參照?qǐng)D17，在準(zhǔn)備好導(dǎo)電箔45后形成分離槽46，形成導(dǎo)電圖案11。分離槽46的形成通過選擇性地進(jìn)行蝕刻來進(jìn)行。
參照?qǐng)D18，介由絕緣性粘接劑將半導(dǎo)體元件12A固定在導(dǎo)電圖案11上部。這里，絕緣性粘接劑也充填在位于半導(dǎo)體元件12A下方的分離槽中。然后，用金屬配線電連接半導(dǎo)體元件12A的電極和所希望的導(dǎo)電圖案。
參照?qǐng)D19，用絕緣樹脂13密封半導(dǎo)體元件12A和金屬配線。在該工序中，分離槽46也填充絕緣樹脂13。
參照?qǐng)D20，通過自背面蝕刻導(dǎo)電箔45，自背面使填充在分離槽中的絕緣樹脂13露出。這樣，一個(gè)個(gè)導(dǎo)電圖案11被電分離。背面露出的導(dǎo)電圖案11由保護(hù)層17保護(hù)，在所希望的部位形成外部電極9。
(說明另一形態(tài)的電路裝置的實(shí)施例4)參照?qǐng)D21～圖26說明另一形態(tài)的電路裝置10的結(jié)構(gòu)及其制造方法。
參照?qǐng)D11，另一形態(tài)的電路裝置10主要包括電路元件半導(dǎo)體元件12A及片狀部件12B，安裝半導(dǎo)體元件12A及片狀部件12B的導(dǎo)電圖案11，自下面露出導(dǎo)電圖案11的背面而覆蓋電路元件12及導(dǎo)電圖案11的絕緣樹脂13。并且，導(dǎo)電圖案11具有多層配線結(jié)構(gòu)，由第一導(dǎo)電圖案11A和第二導(dǎo)電圖案11B構(gòu)成。第二導(dǎo)電圖案11B由保護(hù)層17覆蓋，自保護(hù)層17的開口部露出的第二導(dǎo)電圖案11B的背面上形成有由焊劑等構(gòu)成的外部電極9。
本實(shí)施例的電路裝置10和實(shí)施例1說明的電路裝置10在導(dǎo)電圖案10的結(jié)構(gòu)上不同。也就是說，在本實(shí)施例的電路裝置10中，導(dǎo)電圖案由介由絕緣層18絕緣的第一導(dǎo)電圖案11A和第二導(dǎo)電圖案11B構(gòu)成。因此，導(dǎo)電圖案構(gòu)成多層配線，可實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。下面說明本實(shí)施例的電路裝置10的制造方法。另外，形成導(dǎo)電圖案的工序以外的工序與上述實(shí)施例2同樣。也就是說形成通孔的工序、加工外部電極的工序、用激光分離各電路裝置的工序與實(shí)施例2同樣。下面說明本實(shí)施例的電路裝置10的具體制造方法。
首先，參照?qǐng)D22，準(zhǔn)備絕緣板43。該板是介由絕緣層層積了第一導(dǎo)電膜41及第二絕緣膜42的板。第一絕緣膜41形成第一導(dǎo)電圖案11A，為了形成微細(xì)圖案，形成得很薄。與此相對(duì)，第二導(dǎo)電膜42具有在進(jìn)行模裝之前支承整體的作用，故要求高的強(qiáng)度，形成得比第一導(dǎo)電膜41厚。
參照?qǐng)D23，形成導(dǎo)電圖案11，用絕緣層覆蓋導(dǎo)電圖案11。具體地說，首先通過選擇性蝕刻第一導(dǎo)電膜41形成第一導(dǎo)電圖案11A。然后用絕緣層18覆蓋第一導(dǎo)電圖案11A。然后，通過局部除去絕緣層18，使形成焊盤的部位的第一導(dǎo)電圖案11A露出。該部分的絕緣層18的除去可使用激光進(jìn)行。然后，在露出的導(dǎo)電圖案11的表面上形成鍍膜19。然后，在本工序中，在局部削除絕緣層18后，通過形成鍍膜，將第一導(dǎo)電圖案11A和第二導(dǎo)電圖案11B電連接。
參照?qǐng)D24，進(jìn)行半導(dǎo)體元件12A的固定和電連接，并由絕緣樹脂13進(jìn)行覆蓋。具體地說，用絕緣性粘接劑等將半導(dǎo)體元件12A固定在絕緣層18上。然后，用金屬配線14將半導(dǎo)體元件12A的電極和第一導(dǎo)電圖案11A的露出部分電連接。再由絕緣樹脂13密封半導(dǎo)體元件12A、金屬配線14。該密封可通過傳遞模、注射?；蚬薹獾冗M(jìn)行。
參照?qǐng)D25，自背面局部除去第二導(dǎo)電圖案，形成第二導(dǎo)電圖案11B。第二導(dǎo)電圖案12B形成用于形成配線部及外部電極的焊盤。最后，參照?qǐng)D26，在第二導(dǎo)電圖案11B的背面形成外部電極9。
(說明另一形態(tài)的電路裝置的實(shí)施例5)參照?qǐng)D27～圖30說明另一形態(tài)的電路裝置10的結(jié)構(gòu)及其制造方法。
參照?qǐng)D27，另一形態(tài)的電路裝置10主要包括電路元件半導(dǎo)體元件12A及片狀部件12B，安裝半導(dǎo)體元件12A及片狀部件12B的導(dǎo)電圖案11，表面上形成導(dǎo)電圖案11的撓性板48和覆蓋電路元件12及導(dǎo)電圖案11的絕緣樹脂13。并且，導(dǎo)電圖案11的背面上形成有由焊劑等構(gòu)成的外部電極9。
本實(shí)施例的電路裝置10中導(dǎo)電圖案11形成于撓性板48表面上，這一點(diǎn)和實(shí)施例1的電路裝置10不同。
下面說明本實(shí)施例的電路裝置10的制造方法。形成導(dǎo)電圖案的工序以外的工序與上述實(shí)施例2同樣。也就是說形成通孔的工序、加工外部電極的工序、用激光分離各電路裝置的工序與實(shí)施例2同樣。
參照?qǐng)D28，在撓性板48的表面上形成導(dǎo)電圖案11。然后，參照?qǐng)D29，在由導(dǎo)電圖案11構(gòu)成的小片焊盤上固定半導(dǎo)體元件12A，然后將半導(dǎo)體元件12A的電極和導(dǎo)電圖案11電連接。再由絕緣層18密封半導(dǎo)體元件12A、金屬配線14及導(dǎo)電圖案11。最后，參照?qǐng)D30，局部除去撓性板48的所希望部位，使導(dǎo)電圖案11的背面露出，然后，在該部位形成外部電極9。
本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)下述的效果。
第一，由于用激光分離電路裝置10，故可制造具有任意外形形狀的電路裝置。因此，可制造對(duì)應(yīng)移動(dòng)電話等裝置的箱體內(nèi)部等的電路裝置。另外，由于激光僅切除絕緣樹脂13，故可防止激光引起的發(fā)熱損傷電路元件的現(xiàn)象。
第二，目前，是將半導(dǎo)體元件12A等電路元件安裝在印刷電路板上，而本發(fā)明中，電路裝置10自身呈內(nèi)裝電路裝置的襯底，故可將電路裝置10安裝在裝置的箱體內(nèi)部。另外，由于不需要目前的印刷電路板，故可實(shí)現(xiàn)輕量化。
第三，由于可用激光形成側(cè)面垂直形成的通孔15，故可將該通孔15用作螺釘孔等。
第四，由于可使外部電極9的厚度方向的高度均一，故可可靠地進(jìn)行外部電極9與外部的電連接。
第五，由于可沿著由電路元件及導(dǎo)電圖案形成的電氣電路的形狀形成裝置的外形，故可減少用于密封的絕緣樹脂的量。
權(quán)利要求
1.一種電路裝置，其特征在于，包括電路元件、固定所述電路元件并形成配線的導(dǎo)電圖案和密封所述電路元件及所述導(dǎo)電圖案的絕緣樹脂，所述絕緣樹脂的側(cè)面部由激光切割。
2.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，由所述絕緣樹脂構(gòu)成的外周部的一部分呈曲線。
3.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，由所述絕緣樹脂構(gòu)成的外周部的角部形成銳角或鈍角。
4.一種電路裝置的制造方法，其特征在于，包括下述工序?qū)?gòu)成同種或異種電路裝置的導(dǎo)電圖案形成于導(dǎo)電箔上；將電路元件固定在所述導(dǎo)電圖案上；用絕緣樹脂進(jìn)行模裝，覆蓋所述電路元件；用激光切除基于各電路裝置外周部的任意形狀的部位的所述絕緣樹脂，分離出所述各電路裝置。
5.一種電路裝置的制造方法，其特征在于，包括下述工序在除去成為構(gòu)成同種或異種電路裝置的導(dǎo)電圖案的部位后的區(qū)域的導(dǎo)電箔上，形成比所述導(dǎo)電箔的厚度淺的分離槽；將電路元件固定在所述導(dǎo)電圖案上；用絕緣樹脂進(jìn)行模裝，覆蓋所述電路元件，并充填所述分離槽；除去所述導(dǎo)電箔的背面直至露出所述絕緣樹脂；用激光切除基于各電路裝置外周部的任意形狀的部位的所述絕緣樹脂，分離出所述各電路裝置。
6.如權(quán)利要求4或5所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，用所述激光僅除去所述絕緣樹脂。
7.如權(quán)利要求4或5所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，用二氧化碳?xì)饧す獬ニ鼋^緣樹脂。
8.如權(quán)利要求4或5所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，所述導(dǎo)電圖案構(gòu)成小片焊盤、焊盤及配線。
9.如權(quán)利要求4或5所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，由所述絕緣樹脂構(gòu)成的外周部的一部分形成曲線狀。
10.如權(quán)利要求4或5所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，由所述絕緣樹脂構(gòu)成的外周部的角部形成銳角或鈍角。
11.一種電路裝置的制造方法，其特征在于，包括下述工序?qū)?gòu)成至少一個(gè)電路裝置的導(dǎo)電圖案區(qū)域性形成于導(dǎo)電箔上；將電路元件固定在所述導(dǎo)電圖案上；用絕緣樹脂進(jìn)行模裝，覆蓋所述電路元件；在所述絕緣樹脂上形成通孔；分離為單個(gè)電路裝置。
12.一種電路裝置的制造方法，其特征在于，包括下述工序在除去成為構(gòu)成至少一個(gè)電路裝置的導(dǎo)電圖案的部位后的導(dǎo)電箔區(qū)域上，形成比所述導(dǎo)電箔的厚度淺的分離槽；將電路元件固定在所述導(dǎo)電圖案上；用絕緣樹脂進(jìn)行模裝，覆蓋所述電路元件，并充填所述分離槽；在所述絕緣樹脂上形成通孔，局部露出所述分離槽；除去形成所述分離槽的部位的剩余的所述導(dǎo)電箔的厚度部分，使充填于所述分離槽中的所述絕緣樹脂和所述通孔露出；分離為單個(gè)電路裝置。
13.如權(quán)利要求11或12所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，用激光形成所述通孔。
14.如權(quán)利要求11或12所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，通過用所述分離槽的表面反射所述激光，垂直形成所述通孔的側(cè)面。
15.一種電路裝置的制造方法，其背面形成由焊劑構(gòu)成的多個(gè)外部電極，其特征在于，通過向所述電路裝置的面方向照射激光，使所述外部電極的高度均一。
全文摘要
一種電路裝置及其制造方法，制造具有任意外形形狀的電路裝置(10)。該制造方法包括下述工序?qū)?gòu)成同種或異種電路裝置(10)的導(dǎo)電圖案(11)形成于導(dǎo)電箔(30)上；將電路元件(12)固定在導(dǎo)電圖案(11)上；用絕緣樹脂(13)進(jìn)行模裝，覆蓋電路元件(12)；用激光切除基于電路裝置(10)外周部的任意形狀的部位的絕緣樹脂(13)，分離出各電路裝置(10)。因此，可制造任意形狀的電路裝置(10)，可提供與裝置的箱體形狀對(duì)應(yīng)的電路裝置。
文檔編號(hào)H01L25/18GK1497712SQ0316033
公開日2004年5月19日 申請(qǐng)日期2003年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月27日
發(fā)明者酒井紀(jì)泰, 五十嵐優(yōu)助, 優(yōu)助 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社