專利名稱：電光裝置以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電光裝置以及電子設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及在夾著液晶等的電光物質(zhì)構(gòu)成的一對(duì)基板中的一方上，具備薄膜晶體管(ThinFilm Transistor；以下稱為“TFT”)，可以進(jìn)行所謂的有源矩陣驅(qū)動(dòng)的電光裝置，以及，具備這樣的電光裝置構(gòu)成的電子設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
以往，已知由具備被排列成矩陣狀的像素電極以及與該電極的各自連接的TFT、與該TFT的各自連接的，被設(shè)置成分別與行和列方向平行的掃描線以及數(shù)據(jù)線等，通過掃描線向TFT提供掃描信號(hào)，在控制其動(dòng)作的同時(shí)，通過數(shù)據(jù)線向TFT以及像素電極提供圖像信號(hào)，可以驅(qū)動(dòng)所謂的有源矩陣的電光裝置。在這樣的電光裝置中，目前一般要求更小型，并且可以顯示更高品質(zhì)圖像的裝置。
為了適應(yīng)這種要求，必須克服各種問題，但其中特別要克服的問題是，對(duì)被設(shè)置在各像素上的TFT，尤其是對(duì)該半導(dǎo)體層中的溝道區(qū)域的光入射。這是因?yàn)?，如果光照射在溝道區(qū)域上，則由于光的激勵(lì)產(chǎn)生光泄露電流，TFT的特性變化，在圖像上產(chǎn)生閃光(フリツカ)等的緣故。特別是在把可以驅(qū)動(dòng)該有源矩陣的電光裝置作為液晶投影機(jī)的光閥使用的情況下，因?yàn)槿肷涞皆摴忾y中的光的強(qiáng)度高，所以進(jìn)行對(duì)TFT溝道區(qū)域和其周邊區(qū)域等的入射光的遮擋更加重要。
因而在以往采用這樣的構(gòu)成，即，對(duì)制作有上述TFT等的TFT陣列基板，在夾著液晶等的電光學(xué)物質(zhì)相對(duì)的相對(duì)基板上，設(shè)置規(guī)定各像素的開口區(qū)域的遮光膜，由此使得光不達(dá)到溝道區(qū)域和其周邊區(qū)域等?；蛘撸赥FT陣列基板上，也可以采取把通過TFT上的由Al(鋁)等的金屬膜構(gòu)成的數(shù)據(jù)線作為遮光膜利用的構(gòu)成等。通過采取這樣的構(gòu)成，可以預(yù)先防止光入射到該電光裝置的TFT乃至其溝道區(qū)域，即預(yù)先防止光泄露電流的發(fā)生。
但是，在上述遮光技術(shù)中，存在以下的問題。即，如果采用在相對(duì)基板上、TFT陣列基板(above)上等形成遮光膜的技術(shù)，則遮光膜和溝道區(qū)域之間，3維地看以例如液晶層、電極、層間絕緣膜等介于中間隔得很開，對(duì)在兩者之間斜向入射光的遮擋不充分。特別是在作為投影機(jī)的光閥使用的小型電光裝置中，入射光是用透鏡集中來自光源的光的光束，因?yàn)榘荒芎鲆暤某潭鹊男毕蛉肷涞某煞?例如，從垂直基板的方向傾斜10度至15度的成分包含10％左右)，所以對(duì)這樣的斜向入射光的遮光不充分在實(shí)際中成為問題。
特別是為了按照上述電光裝置的小型化這種一般的要求，在該裝置的高精細(xì)化或者像素間距的微細(xì)化進(jìn)展的同時(shí)，為了按照顯示圖像的高品質(zhì)化這種一般的要求顯示更明亮的圖像，而入射光的光強(qiáng)度有升高的趨勢(shì)，如果采用上述以往的遮光技術(shù)，則實(shí)施充分遮光將更加困難。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型就是鑒于上述問題而提出的，其目的在于提供一種通過預(yù)先防止對(duì)TFT的光入射，可以顯示高品質(zhì)圖像的電光裝置以及具備這種電光裝置構(gòu)成的電子設(shè)備。
本實(shí)用新型的第1的電光裝置，為了解決上述問題，在基板上具備，像素電極；通過開關(guān)動(dòng)作向該像素電極提供圖像信號(hào)的薄膜晶體管；向該薄膜晶體管提供上述圖像信號(hào)的第1配線；向上述薄膜晶體管提供用于控制上述開關(guān)動(dòng)作的掃描信號(hào)的第2配線；上述第2配線，包含作為與上述薄膜晶體管的溝道區(qū)域相對(duì)的柵極電極的窄幅部，和比該窄幅部寬度寬，并且不與上述溝道區(qū)域相對(duì)的寬幅部。
如果采用本實(shí)用新型的第1電光裝置，則通過第2配線向薄膜晶體管提供掃描信號(hào)，可以控制其ON·OFF，進(jìn)而，在把該薄膜晶體管設(shè)置為ON的情況下，因?yàn)榭梢酝ㄟ^第1配線向像素電極提供圖像信號(hào)，所以可以實(shí)現(xiàn)所謂的有源矩陣驅(qū)動(dòng)。
而后在本實(shí)用新型中，特別是上述第2配線，包含作為與薄膜晶體管的溝道區(qū)域相對(duì)的柵極電極的窄幅部，和比該窄幅部寬并且不與上述溝道區(qū)域相對(duì)的寬幅部。即，本實(shí)用新型的第2配線，在溝道區(qū)域的周圍采取所謂的傘狀擴(kuò)展的形態(tài)。
由此，要入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域中的光，由本實(shí)用新型的第2配線的寬幅部，遮擋其行進(jìn)。特別是，這樣的遮擋效果，對(duì)于對(duì)溝道區(qū)域斜向入射的光可以發(fā)揮效果。
因而，如果采用本實(shí)用新型，則可以大大抑制在薄膜晶體管中的光泄露電流的發(fā)生，而且可以顯示沒有閃爍等的高品質(zhì)的圖像。
進(jìn)而，在本實(shí)用新型中，所謂“寬幅”是指相對(duì)“窄幅部”具有的寬度寬的意思，所謂“窄幅”是指相對(duì)“寬幅部”具有的寬度窄的意思。簡(jiǎn)而言之，“寬幅部”以及“窄幅部”所說的具體的寬窄的程度，由兩者的相對(duì)關(guān)系確定。
另外，與之相關(guān)聯(lián)，寬幅部，或者窄幅部實(shí)際上應(yīng)具有的寬度值，在考慮了上述的遮光效果的強(qiáng)弱、像素開口率的維持、或者和基板上的其他構(gòu)成要素的布局(レイアウト)等的情況后，可以根據(jù)理論、經(jīng)驗(yàn)、實(shí)驗(yàn)，或者模擬等適當(dāng)確定。更具體地說，在夾著電光學(xué)物質(zhì)在上述基板上相對(duì)配置的相對(duì)板上，設(shè)置典型地形成的格子狀的遮光膜的情況下，寬幅部的寬度，只要形成不超過上述遮光膜的寬度即可。如果采用這種構(gòu)成，則因?yàn)閷挿勘魂P(guān)在非開口區(qū)域內(nèi)，所以不會(huì)對(duì)像素開口率有影響。
另外，作為在本實(shí)用新型中所說的“電光學(xué)物質(zhì)”，雖然如上所述，典型的是液晶，但此外，在適當(dāng)?shù)恼澈蟿﹥?nèi)分散的粉末EL(場(chǎng)致發(fā)光)，或者無機(jī)或有機(jī)EL等也適合。在這種情況下，通過對(duì)EL施加電場(chǎng)，其自身進(jìn)行發(fā)光，成為顯示圖像的機(jī)構(gòu)，但即使在這樣的“EL顯示裝置”中，如果考慮了具備上述TFT、第2配線以及第1配線等的情況，則即使在這樣的情況下，當(dāng)然也可以適用本實(shí)用新型。
本實(shí)用新型的第2電光裝置，在基板上具備像素電極；通過開關(guān)動(dòng)作向該像素電極提供圖像信號(hào)的薄膜晶體管；向該薄膜晶體管提供上述圖像信號(hào)的第1配線；向上述薄膜晶體管提供用于控制上述開關(guān)動(dòng)作的掃描信號(hào)的第2配線；在包含作為與上述薄膜晶體管的溝道區(qū)域相對(duì)的柵極電極的窄幅部以及比該窄幅部寬度寬并且不與上述溝道區(qū)域相對(duì)的寬幅部的同時(shí)，與上述第2配線電氣連接的電極部。
如果采用本實(shí)用新型的第2電光裝置，則和上述的本實(shí)用新型的第1電光裝置大致相同，可以進(jìn)行有源矩陣驅(qū)動(dòng)。但是，在本實(shí)用新型中，對(duì)薄膜晶體管的掃描信號(hào)的提供，除了第2配線，還經(jīng)由電極部進(jìn)行。
而后，在本實(shí)用新型中，特別是其形態(tài)為，在具備包含窄幅部以及寬幅部的電極部的同時(shí)，該電極部與第2配線電氣連接。由此，例如，由于可以把第2配線以及電極部制作在基板上的另一層上等，可以提高薄膜晶體管等的配置狀態(tài)的布局自由度，此外，例如對(duì)于第2配線在由導(dǎo)電性更優(yōu)異的材料構(gòu)成的同時(shí)，對(duì)于電極部也可以用遮光性優(yōu)異的材料構(gòu)成等。
無論哪種情況，如果采用本實(shí)用新型的第2電光裝置，則和上述本實(shí)用新型的第1電光裝置大致相同，因?yàn)榭梢詫?shí)現(xiàn)由寬幅部對(duì)溝道區(qū)域的遮光，所以不會(huì)改變抑制光泄露電流的發(fā)生，可以顯示更高品質(zhì)畫質(zhì)的圖像的優(yōu)點(diǎn)。
在本實(shí)用新型的第2電光裝置的一形態(tài)中，上述電極部和上述第2配線的電氣連接，經(jīng)由連接孔進(jìn)行。
如果采用此形態(tài)，則由于和第2配線以及電極部的電氣連接，經(jīng)由連接孔進(jìn)行，因而可以把兩要素，例如作為夾著一層以上的層間絕緣膜等的基板上的單獨(dú)層來形成，可以提高基板上的各種構(gòu)成要素的布局自由度。
在本實(shí)用新型的第1電光裝置的一形態(tài)以及本實(shí)用新型的第2電光裝置的另一形態(tài)中，上述寬幅部的至少一部分，在平面上看，具有和上述第1配線重合的區(qū)域。
如果采用該形態(tài)，則例如當(dāng)從下開始順序形成溝道區(qū)域、包含寬幅部的第2配線或者電極部、以及第1配線這種層積構(gòu)造的情況下，從第1配線的上方進(jìn)入的光，如首先在第1配線的上面被遮擋，脫離它的光，在寬幅部的上面被遮擋等那樣，發(fā)揮更高的光遮擋功能。另外，第1配線以及寬幅部平面地看重合這一點(diǎn)，因?yàn)橐馕吨翜系绤^(qū)域的光的進(jìn)入路徑被限定，所以由此實(shí)現(xiàn)更高的遮光功能的發(fā)揮。
在本實(shí)用新型的第1或者第2電光裝置的另一形態(tài)中，上述寬幅部，包含從上述窄幅部延伸設(shè)置構(gòu)成的部分。
如果采用該形態(tài)，則可以比較容易地形成具有寬幅部以及窄幅部的第2配線或者電極部。具體地說，例如作為前提形成寬幅部以及窄幅部是所謂的一體的圖案，通過使用公知的光刻以及蝕刻，可以容易地形成本形態(tài)的第2配線或者電極部。
在本實(shí)用新型的第1或者第2電光裝置的另一形態(tài)中，上述寬幅部，包含從上述窄幅部連接構(gòu)成的部分。
如果采用該形態(tài)，則例如寬幅部，包含通過對(duì)窄幅部連接另外準(zhǔn)備的導(dǎo)體部件等形成的部分。即使是這樣的情況，也可以比較容易地形成寬幅部。
另外，在該情況下，特別是還可以容易地用不同的材料構(gòu)成窄幅部和寬幅部，使得在期待作為柵極電極功能的窄幅部上適用一種材料，在期待高的遮光性能的寬幅部上適用另一種材料。
作為這種情況下具體地說，可以設(shè)置為，例如，對(duì)于窄幅部，用具有導(dǎo)電性的多晶硅構(gòu)成，另一方面，對(duì)于寬幅部，用后述的WSi(鎢硅化物)等的遮光性材料構(gòu)成等。如果采用這樣的構(gòu)成，則可以得到對(duì)于在一般擔(dān)負(fù)作為柵極電極功能不適宜的遮光性材料中，不使其負(fù)擔(dān)這種功能，而使多晶硅膜承擔(dān)該功能的這一優(yōu)點(diǎn)，與此同時(shí)，還可以實(shí)現(xiàn)發(fā)揮高遮光功能效果。
在本實(shí)用新型的第1或者第2電光裝置的另一形態(tài)中，上述寬幅部，由遮光性材料構(gòu)成。
如果采用該形態(tài)，則因?yàn)閷挿坑烧诠庑圆牧蠘?gòu)成，所以進(jìn)一步可靠地發(fā)揮該寬幅部的遮光功能。
進(jìn)而，在本形態(tài)中，只把寬幅部用遮光性材料構(gòu)成這樣的構(gòu)成沒有問題，其構(gòu)成也可以是包含寬幅部以及窄幅部用遮光性材料構(gòu)成。在前者的情況下，在上述的寬幅部包含從窄幅部連接構(gòu)成的部分的形態(tài)中，可以很好地實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)已經(jīng)說明了。
另外，作為本形態(tài)中作為“遮光性材料”的具體例子，可以列舉包含Ti(鈦)、Cr(鉻)、W(鎢)、Ta(鉭)、Mo(鉬)等高熔點(diǎn)金屬中的至少一種的金屬單體、合金、金屬硅化物、聚硅化物(ポリシリサイド)、層積它們的方式等。
在本實(shí)用新型的第1或者第2電光裝置的另一形態(tài)中，上述第2配線或者上述電極部，具有多層構(gòu)造。
如果采用此形態(tài)，則可以使第2配線或者電極部，例如具備由用于使其有效地作為柵極電極功能的層，和用于使其具有遮光性能的層構(gòu)成的二層構(gòu)造(進(jìn)而，作為前者可以列舉例如多晶硅等，作為后者如上所述可以列舉Ti、Cr、W、Ta、Mo等高熔點(diǎn)金屬等)等，在本實(shí)用新型中可以更好地發(fā)揮在該第2配線或者該電極部中所希望的性能。由此，在確保薄膜晶體管，或者電光裝置的最佳的工作的同時(shí)，可以發(fā)揮充分的遮光性能。
在本實(shí)用新型的第1或者第2電光裝置的另一形態(tài)中，上述寬幅部，從上述窄幅部的邊緣部看，在上述溝道區(qū)域延伸的方向的一方或者兩方上延伸。
如果采用該形態(tài)，則寬幅部，因?yàn)樵跍系绤^(qū)域延伸的一方或者兩方上延伸，所以很好地實(shí)施和薄膜晶體管以及第2配線或者電極的配置狀態(tài)的調(diào)整。在此，所謂寬幅部在“一方向上延伸”的情況，是在沿著溝道區(qū)域延伸的方向上的該溝道區(qū)域的一端部的直線上，寬幅部的一端部搭上，而另一端之間不搭在和上述直線平行的直線上，另一方面，所謂“在兩方上延伸”的情況，是在沿著上述溝道區(qū)域的一端部以及另一端部的各自的直線上，上述寬幅部的一端部以及另一端部的任意一方都不搭上的情況。
在本形態(tài)中，如上所述，對(duì)于窄幅部，因?yàn)榭梢宰杂傻卮_定應(yīng)該作為“寬幅”的部分，所以在可以很好地實(shí)施和薄膜晶體管以及第2配線以及電極部的配置狀態(tài)的調(diào)整的同時(shí)，還可以由此提高基板上的各種構(gòu)成要素的布局自由度。
進(jìn)而，在上述中，在寬幅部只在一方上延伸的情況，或者在兩方上延伸的情況的任意一個(gè)中，對(duì)于使該寬幅部具體地怎樣對(duì)窄幅部突出這一點(diǎn)，如上所述，可以考慮各種情況決定。
在本實(shí)用新型的第1或者第2電光裝置的另一形態(tài)中，上述像素電極被排列成矩陣形狀；上述溝道區(qū)域，被形成在平面地看穿過夾著上述第2配線而相鄰接的像素電極間進(jìn)行延伸的長(zhǎng)方形的第1間隙，和穿過夾著上述第1配線而相鄰接的像素電極間進(jìn)行延伸的長(zhǎng)方形的第2間隙相交的交點(diǎn)區(qū)域內(nèi)。
如果采用該形態(tài)，則由于薄膜晶體管的溝道區(qū)域，被形成在交點(diǎn)區(qū)域內(nèi)，因而顯現(xiàn)出最難以發(fā)生光的入射的構(gòu)造。因而，如果本實(shí)用新型的寬幅部的作用效果也相輔，采用本實(shí)用新型的電光裝置，則可以更可靠地抑制光泄露電流的發(fā)生，可以顯示更高品質(zhì)的圖像。
進(jìn)而，在本實(shí)用新型中所謂“排列成矩陣狀”，當(dāng)然是包含像素電極在縱橫方向分別被排列成直線的單純的形態(tài)，但還包含例如只在縱橫中至少一方向上排列成的蛇行狀或者鋸齒狀那樣的形態(tài)等。
在該狀態(tài)下，特別是上述溝道區(qū)域以及源極區(qū)域以及漏極區(qū)域，被形成為沿著上述第2間隙延伸，上述窄幅部的寬度，在與沿著上述溝道區(qū)域的第2間隙的長(zhǎng)度一致的同時(shí)，上述寬幅部的寬度，具有比上述長(zhǎng)度還大的值。
如果采用這樣的構(gòu)成，則如此形成薄膜晶體管，使得所謂“溝道長(zhǎng)度”(是上述的“沿著溝道區(qū)域的第2間隙的長(zhǎng)度”)的方向，和第2間隙的方向一致。而后，窄幅部的寬度，與上述溝道長(zhǎng)度一致，寬幅部的寬度，具有比該溝道長(zhǎng)度還大的寬度。
這種構(gòu)造，可以說顯現(xiàn)出薄膜晶體管至其溝道區(qū)域以及第2配線或者電極部的最適宜的配置狀態(tài)之一，以它為基本，可以更好地確定第1配線、像素電極等的配置狀態(tài)。
在本實(shí)用新型的第1或者第2電光裝置的另一形態(tài)中，在上述薄膜晶體管的下側(cè)，進(jìn)一步具備下側(cè)遮光膜。
如果采用該形態(tài)，則可以更可靠地實(shí)現(xiàn)防止對(duì)薄膜晶體管的光的入射。即，如果本實(shí)用新型的寬幅部被設(shè)置在薄膜晶體管的上側(cè)，則可以遮擋從上側(cè)以及下側(cè)對(duì)溝道區(qū)域入射的光，如果上述寬幅部被設(shè)置在薄膜晶體管的下側(cè)，則對(duì)于下側(cè)，可以雙重遮光。
具體地說，例如本形態(tài)的電光裝置，在作為可以彩色顯示的投影型顯示裝置中的光閥使用的情況下，在該投影型顯示裝置中，例如，與一組棱鏡相對(duì)地具備與紅、藍(lán)以及綠三色對(duì)應(yīng)的三組光閥(電光裝置)。在這種情況下，例如對(duì)于與紅對(duì)應(yīng)的電光裝置，有脫離和與它相對(duì)的藍(lán)色對(duì)應(yīng)的電光裝置的光入射的情況。而后，該光，作為所謂的返回光，成為從薄膜晶體管的下側(cè)入射的光。
在此，如果采用本形態(tài)的下側(cè)遮光膜，則因?yàn)榭梢哉趽鯊谋∧ぞw管的下側(cè)入射的光，所以可以進(jìn)一步降低在該薄膜晶體管中的發(fā)生光泄露電流的可能性。
本實(shí)用新型的電子設(shè)備，具備上述本實(shí)用新型的第1或者第2電光裝置(包含該各種形態(tài))。
如果采用本實(shí)用新型的電子設(shè)備，因?yàn)榫邆鋵?duì)薄膜晶體管的光遮擋性優(yōu)異的電光裝置，所以可以實(shí)現(xiàn)可以顯示沒有閃爍等的高品質(zhì)的圖像的，投影型顯示裝置(液晶投影機(jī))、液晶電視、便攜電話、電子筆記本、字處理器、取景器型或者監(jiān)視器直視型的錄像機(jī)、工作站、電視電話、POS終端、觸摸面板等各種電子設(shè)備。
本實(shí)用新型的這種作用以及其他優(yōu)點(diǎn)可以通過以下說明的實(shí)施方式變得明了。


圖1是展示構(gòu)成本實(shí)用新型實(shí)施方式1的電光裝置中的圖像顯示區(qū)域的被設(shè)置成矩陣形狀的多個(gè)像素的各種元件、配線等的等效電路的電路圖。
圖2是形成有本實(shí)用新型的實(shí)施方式1的電光裝置中的數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極等的TFT陣列基板的相鄰接的多個(gè)像素群的平面圖。
圖3是圖2的A-A’斷面圖。
圖4是展示包含寬幅部以及窄幅部的掃描線和溝道區(qū)域，以及和其周圍構(gòu)成的立體配置狀態(tài)的斜視圖。
圖5是展示以往的電光裝置中的掃描線、以及和其周圍構(gòu)成的立體配置狀態(tài)的斜視圖。
圖6是和圖2相同宗旨的圖，但是展示涉及本實(shí)用新型的實(shí)施方式2的，具備包含窄幅部以及寬幅部的電極部的方式的平面圖。
圖7是和圖4相同宗旨的圖，但是展示涉及本實(shí)用新型的實(shí)施方式2，具備包含窄幅部以及寬幅部的電極部的方式的平面圖。
圖8從相對(duì)基板一側(cè)看在本實(shí)用新型的實(shí)施方式的電光裝置中的TFT陣列基板和被形成在其上的各構(gòu)成要素的平面圖。
圖9是圖8的H-H’斷面圖。
圖10是展示作為本實(shí)用新型的電子設(shè)備的實(shí)施方式的投影型彩色顯示裝置的一例的彩色液晶投影機(jī)的斷面圖。
符號(hào)說明1a半導(dǎo)體層1a’溝道區(qū)域1b低濃度源極區(qū)域1c低濃度漏極區(qū)域1d高濃度源極區(qū)域1e高濃度漏極區(qū)域3a掃描線3aa窄幅部3ab寬幅部6a數(shù)據(jù)線
9a像素電極10TFT陣列基板11a下側(cè)遮光膜30TFT301電極部301a窄幅部301b寬幅部具體實(shí)施方式
以下，參照附圖說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式。以下的實(shí)施方式，把本實(shí)用新型的電光裝置適用于液晶裝置。
實(shí)施方式1首先，參照?qǐng)D1至圖3說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式1中的電光裝置的像素部中的構(gòu)成。在此，圖1是被形成為構(gòu)成電光裝置的圖像顯示區(qū)域的矩陣形狀的多個(gè)像素中的各種元件、配線等的等效電路。另外，圖2是形成有數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極等的TFT陣列基板的相鄰接的多個(gè)像素群的平面圖，圖3是圖2的A-A’斷面圖。進(jìn)而，在圖3中，因?yàn)榘迅鲗印じ鞑考O(shè)置成在圖面上可以識(shí)別的大小，所以對(duì)于各層·各部件的每一個(gè)壓縮尺寸不同。
在圖1中，在被形成為構(gòu)成實(shí)施方式1中的電光裝置的圖像顯示區(qū)域的矩陣形狀的多個(gè)像素上，分別形成有像素電極9a和用于開關(guān)控制該像素電極9a的TFT30，提供圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)線6a與該TFT30的源極電氣連接。被寫入數(shù)據(jù)線6a中的圖像信號(hào)S1、S2、…、Sn，可以以該順序按照線順序提供，也可以對(duì)相鄰接的多個(gè)數(shù)據(jù)線6a之間，向每一組提供。
另外，構(gòu)成為，在TFT30的柵極上電氣連接掃描線3a，以規(guī)定的定時(shí)，以該順序按照線順序向掃描線3a脈沖地施加掃描信號(hào)G1、G2、G3、…、Gm。像素電極9a，與TFT30的漏極電氣連接，通過只在一定期間使作為開關(guān)元件的TFT30關(guān)閉開關(guān)，以規(guī)定的定時(shí)寫入從數(shù)據(jù)線6a提供的圖像信號(hào)S1、S2、…、Sn。
經(jīng)由像素電極9a寫入作為電光學(xué)物質(zhì)的一例的液晶的規(guī)定電平的像素信號(hào)S1、S2、…、Sn，在和被形成在相對(duì)基板上的相對(duì)電極之間保持一定期間。液晶，根據(jù)被施加的電壓水平分子集合的排列方向和次序變化，對(duì)光進(jìn)行調(diào)制，可以進(jìn)行灰度顯示。如果是常白模式(ノ一マリ一ホワイトモ一ド)，則對(duì)應(yīng)于在各像素單位施加的電壓相對(duì)入射光的透過率減少，如果是常黑模式(ノ一マリ一ブラツクモ一ド)，則根據(jù)在各像素單位施加的電壓相對(duì)入射光的透過率增加，作為整體從電光裝置射出具有與圖像信號(hào)對(duì)應(yīng)的反差(對(duì)比度)的光。
在此為了防止保持的圖像信號(hào)泄露，在和被形成在像素電極9a和相對(duì)電極之間的液晶電容(容量)并列地附加存儲(chǔ)電容70。該存儲(chǔ)電容70，包含被固定在與掃描線3a并列設(shè)置的恒定電位上的電容線300。
以下，參照?qǐng)D2以及圖3說明采用上述數(shù)據(jù)線6a、掃描線3a、TFT30等的，實(shí)現(xiàn)上述那樣的電路動(dòng)作的電光裝置的更現(xiàn)實(shí)的構(gòu)成。
首先，第1實(shí)施方式的電光裝置，如圖2的A-A’線斷面圖的圖3所示，具備透明的TFT陣列基板10，和與其相對(duì)配置的透明的相對(duì)基板20。TFT陣列基板10，例如，由石英基板、玻璃基板、硅基板構(gòu)成，相對(duì)基板20，例如由玻璃基板、石英基板等構(gòu)成。
如圖3所示，在TFT陣列基板10上，設(shè)置有像素電極9a，在其上側(cè)，設(shè)置有實(shí)施了摩擦處理等的規(guī)定的定向處理的定向膜16。像素電極9a，例如由ITO(Indium Tin Oxide)膜等的透明導(dǎo)電性膜構(gòu)成。另一方面，在相對(duì)基板20上，跨越其整個(gè)面設(shè)置有相對(duì)電極21，在其下側(cè)，設(shè)置有實(shí)施了摩擦處理等的規(guī)定的定向處理的定向膜22。其中相對(duì)電極21也和上述的像素電極9a一樣，例如由ITO膜等的透明導(dǎo)電性膜構(gòu)成。進(jìn)而，上述的定向膜16以及22，例如由聚酰亞胺膜等的透明的有機(jī)膜構(gòu)成。
另一方面，在圖2中，上述像素電極9a，在TFT陣列基板10上，設(shè)置成多個(gè)矩陣形狀(由虛線部9a’表示輪廓)，分別沿著像素電極9a的縱橫的邊界設(shè)置有數(shù)據(jù)線6a以及掃描線3a。數(shù)據(jù)線6a，沿著與圖2中x方向相鄰接的像素電極9a之間的間隙，即在同一圖中y方向穿過延伸的間隙(相當(dāng)于本實(shí)用新型中的“第2間隙”。)形成，其材質(zhì)，例如由鋁膜等的金屬膜或者合金膜構(gòu)成。另一方面，掃描線3a，沿著圖2中y方向相鄰接的像素電極9a之間的間隙，即在同一圖中x方向穿過延伸的間隙(相當(dāng)于本實(shí)用新型的“第1間隙”)形成。其中掃描線3a，被配置成在半導(dǎo)體層1a中與在圖中右上的斜線區(qū)域示出的溝道區(qū)域1a’相對(duì)，掃描線3a的一部分作為柵極電極起作用。即，在掃描線3a和數(shù)據(jù)線6a交叉的位置上(相當(dāng)于本實(shí)用新型中的“交點(diǎn)區(qū)域”。)分別設(shè)置有在溝道區(qū)域1a’上掃描線3a的本線部被作為柵極電極相對(duì)配置的像素開關(guān)用的TFT30。
TFT30如圖3所示，具有LDD(Lightly Doped Drain)構(gòu)造，作為其構(gòu)成要素，具備如上所述作為柵極電極起作用的掃描線3a，例如由多晶膜構(gòu)成通過來自掃描線3a的電場(chǎng)形成溝道的半導(dǎo)體層1a的溝道區(qū)域1a’，包含將掃描線3a和半導(dǎo)體層1a絕緣的柵極絕緣膜的絕緣膜2，在半導(dǎo)體層1a中的低濃度源極區(qū)域1b以及低濃度漏極區(qū)域1c以及高濃度源極區(qū)域1d以及高濃度漏極區(qū)域1e。
而后，在實(shí)施方式1中，特別是掃描線3a，如圖2所示，包含與TFT30的溝道區(qū)域1a’相對(duì)的作為柵極電極的窄幅部3aa，和不相對(duì)的寬幅部3ab。這些窄幅部3aa和寬幅部3ab，成為相互延伸設(shè)置的關(guān)系。由此，包含窄幅部3aa以及寬幅部3ab的掃描線3a，通過使用光刻法等，可以一次一體地形成。
更具體地說，如圖2所示，窄幅部3aa的寬度Wa，被確定為與在由TFT30的漏極區(qū)域1c以及1e和源極區(qū)域1b以及1d夾著的方向上的溝道區(qū)域1a’的長(zhǎng)度一致，即與溝道長(zhǎng)一致，寬幅部3ab的寬度Wb，被形成為滿足Wb＞W(wǎng)a的關(guān)系，并且從窄幅部3aa的兩邊緣部看突出(即，在圖2中+y方向以及-y方向上都突出)。
另外，該掃描線3a，從圖2可知，被形成為，其寬幅部3ab，具有平面地看和數(shù)據(jù)線6a重合的區(qū)域，更具體地說，在掃描線3a中的窄幅部3aa以及寬幅部3ab之間的邊界區(qū)域，平面地看和數(shù)據(jù)線6a的邊緣部重合。在圖2中，該重合的區(qū)域，表示具有寬度Wp。
包含這樣的窄幅部3aa以及寬幅部3ab的掃描線3a，在實(shí)施方式1中由遮光性材料構(gòu)成。在此，作為遮光性材料，例如，可以列舉包含Ti、Cr、W、Ta、Mo等的高熔點(diǎn)金屬中的至少一種的金屬單體，合金、金屬硅化物、聚硅化物、層積它們的物質(zhì)等。
進(jìn)而，在上述中，雖然假設(shè)TFT30具有LDD構(gòu)造(參照?qǐng)D3)，但本實(shí)用新型并不限定于這種方式，例如，可以具有在低濃度源極區(qū)域1b以及低濃度漏極區(qū)域1c中不進(jìn)行雜質(zhì)摻入的補(bǔ)償(オフセツト)構(gòu)造，也可以是把由掃描線3a的一部分構(gòu)成的柵極電極(即，窄幅部3aa)作為掩膜以高濃度摻入雜質(zhì)，自調(diào)整地形成高濃度源極區(qū)域以及高濃度漏極區(qū)域的自調(diào)整型TFT。
另外，構(gòu)成TFT30的半導(dǎo)體層1a可以是非單結(jié)晶層也可以是單結(jié)晶層。在單結(jié)晶層的形成中，可以使用貼合法等公知的方法。
通過把半導(dǎo)體層1a設(shè)置成單結(jié)晶層，尤其可以實(shí)現(xiàn)外圍電路的高性能化。
另一方面，在圖3中，存儲(chǔ)電容70，可以通過隔著電介質(zhì)膜75相對(duì)配置與TFT30的高濃度漏極區(qū)域1e以及像素電極9a連接的作為像素電位一側(cè)電容電極的中繼層71、和作為固定電位一側(cè)電容電極的電容線300的一部分來形成。如果采用該存儲(chǔ)電容70，則可以顯著提高像素電極9a中的電位保持特性。
中繼層71，例如由導(dǎo)電性的多晶硅膜構(gòu)成具有作為像素電位一側(cè)電容電極的功能。但是，中繼層71，和后述的電容線300一樣，也可以由包含金屬或者合金的單一層膜或者多層膜構(gòu)成。中繼層71，除了作為像素電位側(cè)電容電極的功能外，還具有經(jīng)由連接孔83以及85，中繼連接像素電極9a和TFT30的高濃度漏極區(qū)域1e的功能。
電容線300，例如由包含金屬或者合金的導(dǎo)電膜構(gòu)成具有作為固定電位側(cè)電容電極的功能。該電容線300，如果平面地看，則如圖2所示，與掃描線3a的形成區(qū)域重疊地形成。更具體地說，電容線300，具備沿著掃描線3a延伸的本線部300a；圖中，從和數(shù)據(jù)線6a交叉的各位置沿著數(shù)據(jù)線6a向上方分別突出的突出部300b；僅僅與連接孔85對(duì)應(yīng)的位置中間細(xì)的中間細(xì)部300c。
其中突出部300b，利用掃描線3a上的區(qū)域以及數(shù)據(jù)線6a下的區(qū)域(參照?qǐng)D3)，對(duì)存儲(chǔ)電容70的形成區(qū)域的增大做貢獻(xiàn)。這樣的電容線300，優(yōu)選地，由包含高熔點(diǎn)金屬的導(dǎo)電性遮光膜構(gòu)成，除了作為存儲(chǔ)電容70的固定電位一側(cè)電容電極的功能外，具有在TFT30的上側(cè)遮擋TFT30避免入射光照射的遮光層的功能。另外，電容線300，優(yōu)選地，從配置有像素電極9a的像素顯示區(qū)域10a向其周圍延伸，和恒定電位源電氣連接，被設(shè)置成固定電位。作為這樣的恒定電位源，可以是向數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101提供的正電源、負(fù)電源等的恒定電位電源，也可以是向相對(duì)基板20的相對(duì)電極21提供的恒定電位。
電介質(zhì)膜75，如圖3所示，例如由膜厚度5～200nm左右的比較薄的HTO(High Temperature Oxide)膜、LTO(Low Temperature Oxide)膜等的氧化硅膜，或者氮化硅膜等構(gòu)成。從增大存儲(chǔ)電容70的觀點(diǎn)看，在盡可能充分地得到膜的可靠性中，電介質(zhì)膜75越薄越好。
在圖2以及圖3中，除了上述以外，在TFT30的下側(cè)，設(shè)置下側(cè)遮光膜11a。下側(cè)遮光膜11a，被格子狀地形成圖案，由此規(guī)定各像素的開口區(qū)域。進(jìn)而，開口區(qū)域的規(guī)定，也可以由圖2中的數(shù)據(jù)線6a，和與之交叉形成的電容線300確定。另外，即使對(duì)于下側(cè)遮光膜11a，也和上述的電容線300的情況一樣，為了避免該電位變動(dòng)對(duì)TFT30的不良影響，可以從圖像顯示區(qū)域向其周邊延伸設(shè)置與恒定電位源連接。
另外，在TFT30下，設(shè)置有基底絕緣膜12?；捉^緣膜12，除了從下側(cè)遮光膜11a層間絕緣TFT30的功能外，由于被形成在TFT陣列基板10的整個(gè)面上，因而，具有防止因在TFT陣列基板10的表面研磨時(shí)的粗糙、清洗后殘留的污物等，像素開關(guān)用TFT30的特性變化的功能。
此外，在掃描線3a上，形成有分別開有通向高濃度源極區(qū)域1d的連接孔81以及通向高濃度漏極區(qū)域1e的連接孔83的第1層間絕緣膜41。
在第1層間絕緣膜41上，形成有中繼層71以及電容線300，在它們之上形成有分別開有通向高濃度源極區(qū)域1d的連接孔81以及通向中繼層71的連接孔85的第2層間絕緣膜42。
進(jìn)而，在實(shí)施方式1中，通過對(duì)于第1層間絕緣膜41，進(jìn)行約1000℃的燒制，也可以實(shí)現(xiàn)注入到構(gòu)成半導(dǎo)體層1a和掃描線3a等的多晶硅膜中的離子的活性化。另一方面，通過對(duì)于第2層間絕緣膜42，不進(jìn)行這樣的燒制，可以實(shí)現(xiàn)緩和在電容線300的邊界附近產(chǎn)生的應(yīng)力。
在第2層間絕緣膜42上，形成有數(shù)據(jù)線6a，在它們上形成形成有通向中繼層71的連接孔85的第3層間絕緣膜43。
該第3層間絕緣膜43的表面，通過CMP(Chemical MechanicalPolishing)處理等被平坦化，降低由在其下方存在的各種配線、元件等的段差引起的液晶層50的定向不良。但是，代替這樣在第3層間絕緣膜43上實(shí)施平坦化處理，或者追加，通過在TFT陣列基板10、基底絕緣膜12、第1層間絕緣膜41以及第2層間絕緣膜42中的至少一個(gè)上挖溝，埋入數(shù)據(jù)線6a等的配線、TFT30等，也可以進(jìn)行平坦化處理。
在成為這種構(gòu)成的實(shí)施方式1的電光裝置中，由于存在包含上述的窄幅部3aa以及寬幅部3ab的掃描線3a，起到如下的作用效果。以下，參照?qǐng)D4以及圖5說明該作用效果。在此，圖4展示包含實(shí)施方式1的窄幅部3aa以及寬幅部3ab的掃描線3a，以及上述的半導(dǎo)體層1a、數(shù)據(jù)線6a、電容線300和中繼層71，以及連接孔81和85的立體配置狀態(tài)的斜視圖，圖5是與不包含這樣的掃描線3a的以往的電光裝置有關(guān)的同一宗旨的斜視圖。進(jìn)而，圖4以及圖5，不是圖示圖2以及圖3中所示的全部的構(gòu)成，例如，對(duì)于構(gòu)成存儲(chǔ)電容70的電介質(zhì)膜75等幾個(gè)要素，適宜地省略其圖示。
首先，如果看圖5的以往例子，則掃描線3a’，因?yàn)檠刂溲由旆较蚓哂邢嗤膶挾?，所以例如在斜射光L如圖所示進(jìn)入的情況下，該光L，可知比較容易地達(dá)到溝道區(qū)域1a’。這種情況下，在溝道區(qū)域1a’中，由于該光L的進(jìn)入引起的激勵(lì)，產(chǎn)生光泄露電流，由此盡管TFT30是OFF，但仍產(chǎn)生一定的電流(光泄露電流)流過的現(xiàn)象。因而，在圖像上產(chǎn)生閃爍等，顯示高品質(zhì)的圖像變得比較困難。
于是，如果采用實(shí)施方式1的掃描線3a，則如圖4所示，即使和圖5一樣的斜射的光L進(jìn)入，由寬幅部3ab遮擋其行進(jìn)，該光L達(dá)不到溝道區(qū)域1a’。因而，如果采用實(shí)施方式1，則可以降低引起上述的問題的可能性。
另外，在實(shí)施方式1中，如圖2以及圖4所示，寬幅部3ab和數(shù)據(jù)線6a，因?yàn)橛捎诰哂幸詫挾萕p相互重合的區(qū)域，光達(dá)到溝道區(qū)域1a’的進(jìn)入路徑進(jìn)一步受到限制，所以可以更可靠地起到光泄露電流發(fā)生抑制，高品質(zhì)圖像顯示的作用效果。具體地說，例如，在圖4中，從數(shù)據(jù)線6a的上面進(jìn)入的光中的一部分，由數(shù)據(jù)線6a的上面反射乃至被吸收，即使其殘余部分達(dá)到數(shù)據(jù)線6a的下面一側(cè)，也由寬幅部3ab遮擋其行進(jìn)。
進(jìn)而，如果采用實(shí)施方式1，則除了上述以外，因?yàn)榫邆湎聜?cè)遮光膜11a，所以對(duì)TFT30的光入射，在上側(cè)以及下側(cè)的兩方被遮擋，可以進(jìn)一步發(fā)揮可靠的光遮擋功能。
進(jìn)而，在上述實(shí)施方式1中，窄幅部3aa以及寬幅部3ab，雖然假設(shè)具有延伸設(shè)置的關(guān)系，但本實(shí)用新型，并不限定于這種方式。例如，在只把窄幅部3ab作為具有導(dǎo)電性的多晶硅膜形成后，也可以設(shè)置成如實(shí)現(xiàn)和該多晶硅膜電氣導(dǎo)通那樣，形成由遮光性材料構(gòu)成的寬幅部3ab這樣的方式，即窄幅部3aa以及寬幅部3ab之間電氣連接的方式。在這種情況下，因?yàn)榭梢杂煤桶雽?dǎo)體層1a相性好的材料形成作為柵極電極的窄幅部3aa，所以在可以提供工作穩(wěn)定的電光裝置的同時(shí)，因?yàn)榫邆溆烧诠庑圆牧蠘?gòu)成的寬幅部3ab，所以可以提供還一并具備高遮光性能的電光裝置。
與此相關(guān)聯(lián)，根據(jù)情況，也可以把掃描線3a，設(shè)置成其下層由多晶硅膜構(gòu)成，上層由遮光性材料構(gòu)成的，具有二層構(gòu)造的方式。如果采用這種形態(tài)，則要求隔著絕緣膜2與半導(dǎo)體層1a相對(duì)的，作為柵極電極的功能的部分，因?yàn)楹蜕鲜鐾瑯拥爻蔀橄嘈院玫亩嗑Ч枘?，所以可以得到和上述大致同樣的作用效果?br> 另外，在上述實(shí)施方式1中，寬幅部3ab，雖然從窄幅部3aa的邊緣部看，形成為在溝道區(qū)域1a’的延伸方向的兩方上延伸，但根據(jù)情況，也可以設(shè)置成從該邊緣部只向一方延伸那樣地形成寬幅部3ab那樣的方式。
實(shí)施方式2以下，參照?qǐng)D6以及圖7說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式2。在此，圖6以及圖7是分別和圖2以及圖4相同宗旨的圖，所謂同一圖是表示掃描線等的方式不同的平面圖以及斜視圖。進(jìn)而，本實(shí)施方式2的電光裝置的構(gòu)成，在以后的說明中沒有特別說明，因?yàn)楹蜕鲜龅膶?shí)施方式1全部相同，所以對(duì)于圖面上相同的符號(hào)表示的部分，省略了其說明。
在實(shí)施方式2中，和在實(shí)施方式1中具備包含窄幅部3aa以及寬幅部3ab的掃描線3a這一點(diǎn)不同，如圖6以及圖7所示，具備包含窄幅部301a以及寬幅部301b的電極部301。電極部301，如圖6所示，根據(jù)TFT30的形成區(qū)域，在TFT陣列基板10上形成為島形狀，其各自，包含與溝道區(qū)域1a’相對(duì)的窄幅部301a，和不與該溝道區(qū)域1a’相對(duì)的寬幅部301b。進(jìn)而，如果只著眼于這些窄幅部301a以及寬幅部301b，則其大致的構(gòu)造可知和上述實(shí)施方式1大致相同。即，窄幅部301a的寬度，被確定為與溝道長(zhǎng)一致，寬幅部301b，被形成為從窄幅部301a的兩邊緣部看突出(即，在圖6中在+y方向以及-y方向的任意方上都突出)等。另一方面，電極部301，隔著連接孔88和在TFT30下夾著層間絕緣膜形成的掃描線3電氣連接。
即使是這樣的方式，可知寬幅部301b的遮光效果，可以和上述的寬幅部3ab大致相同地實(shí)現(xiàn)。
另外，如果采用這樣的方式，則除了包含電極部301以及掃描線3，與之緊密關(guān)聯(lián)的TFT30等的配置狀態(tài)的布局自由度提高外，還可以分別用不同的材料構(gòu)成兩者等。
電光裝置的全體構(gòu)成以下，參照?qǐng)D8以及圖9說明在上述那樣構(gòu)成的各種實(shí)施方式中的電光裝置的整體構(gòu)成。進(jìn)而，圖8是從相對(duì)基板20一側(cè)看TFT陣列基板和被形成在其上的各構(gòu)成要素的平面圖，圖9是圖8的H-H’線斷面圖。
在圖8以及圖9中，在本實(shí)施方式的電光裝置中，TFT陣列基板10和相對(duì)基板20被相對(duì)配置。在TFT陣列基板10和相對(duì)基板20之間，封入液晶層50，TFT陣列基板10和相對(duì)基板20，通過被設(shè)置在位于圖像顯示區(qū)域10a的周圍的密封區(qū)域上的密封材料52相互粘接。
密封材料52，是為了貼合兩基板，例如由紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等構(gòu)成，通過紫外線、加熱等硬化的材料。另外，在該密封材料52中，如果把本實(shí)施方式中的電光裝置，適用在如投影機(jī)用途那樣以小型進(jìn)行放大顯示的液晶裝置中，則散布有用于把兩基板間的距離(基板間間隔)設(shè)置為規(guī)定值的玻璃纖維，或者玻璃小球等的間隔材料(撐擋，スペ一サ)。或者，如果把該電光裝置如液晶顯示器、液晶電視等那樣以大型進(jìn)行等倍顯示的液晶裝置中，則可以在液晶層50中包含這樣的間隔材料。
在密封材料52的外側(cè)區(qū)域，沿著TFT陣列基板10的一邊設(shè)置有通過以規(guī)定的定時(shí)向數(shù)據(jù)線6a提供圖像信號(hào)驅(qū)動(dòng)該數(shù)據(jù)線6a的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101以及外部電路連接端子102，沿著與該一邊相鄰的二邊設(shè)置有通過以規(guī)定的定時(shí)向掃描線3a提供掃描信號(hào)、驅(qū)動(dòng)掃描線3a的掃描線驅(qū)動(dòng)電路104。
進(jìn)而，如果向掃描線3a提供的掃描信號(hào)延遲不成為問題，則掃描線驅(qū)動(dòng)電路104只在一側(cè)即可。另外，把數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101沿著圖像顯示區(qū)域10a的邊排列在兩側(cè)也可以。
在TFT陣列基板10剩下的一邊上，設(shè)置有為了連接被設(shè)置在圖像顯示區(qū)域10a兩側(cè)的掃描線驅(qū)動(dòng)電路104之間的多條配線105。
另外，在相對(duì)基板20的角部的至少一個(gè)位置上，設(shè)置有在TFT陣列基板10和相對(duì)基板20之間取得電氣導(dǎo)通的導(dǎo)通材料106。
在圖9中，在TFT陣列基板10上，在形成像素開關(guān)用的TFT和掃描線、數(shù)據(jù)線等的配線后的像素電極9a上，形成有定向膜。另一方面，在相對(duì)基板20上，除了相對(duì)電極21外，在最上層部分上形成有定向膜。另外，液晶層50，例如由混合了一種或者多種的向列(ネマテツイク)液晶的液晶構(gòu)成，在這一對(duì)的定向膜間，采取規(guī)定的定向狀態(tài)。
進(jìn)而，在TFT陣列基板10上，除了這些數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101、掃描線驅(qū)動(dòng)電路104等外，還可以形成以規(guī)定的定時(shí)向多條數(shù)據(jù)線6a施加圖像信號(hào)的采樣電路，把規(guī)定電壓水平的預(yù)充電信號(hào)在圖像信號(hào)之前分別提供給多條數(shù)據(jù)線6a的預(yù)充電電路，用于檢查制造過程中、出廠時(shí)等的該電光裝置的品質(zhì)、缺陷等的檢查電路等。
另外，代替把數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101以及掃描驅(qū)動(dòng)電路104設(shè)置在TFT陣列基板10上，例如也可以在被安裝在TAB(Tape Automated Bonding)基板上的驅(qū)動(dòng)用LSI上，經(jīng)由被設(shè)置在TFT陣列基板10的周邊部上的各向異性導(dǎo)電薄膜電氣地和機(jī)械地連接。另外，在相對(duì)基板20的投射光入射一側(cè)以及TFT陣列基板10的出射光射出一側(cè)上，分別根據(jù)，例如TN(Twisted Nematic)模式、VA(Vertically Aligned)模式、PDLC(PolymerDispersed Liquid Crystal)模式等的工作模式，和常白模式、常黑模式的不同，以規(guī)定的方向配置偏振光薄膜、相位差薄膜、偏振光板等。
電子設(shè)備以下，對(duì)于把以上詳細(xì)說明的電光裝置作為光閥使用的電子設(shè)備一例的投影型彩色顯示裝置的實(shí)施方式，說明其全部構(gòu)成，特別是光學(xué)構(gòu)成。在此，圖10是投影型彩色顯示裝置的圖示的斷面圖。
在圖10中，本實(shí)施方式的投影型彩色顯示裝置的一例的液晶投影機(jī)1100，構(gòu)成為準(zhǔn)備3個(gè)包含將驅(qū)動(dòng)電路安裝在TFT基板上的液晶裝置的液晶模塊，分別作為RGB用的光閥100R、100G以及100B使用的投影機(jī)。在液晶投影機(jī)1100中，如果從金屬鹵化物燈等的白色光源等的燈單元1102發(fā)出投影光，則由3枚反射鏡1106以及2枚分色鏡1108，被分成與RGB三原色對(duì)應(yīng)的光成分R、G以及B，并分別被導(dǎo)入與各顏色對(duì)應(yīng)的光閥100R、100G以及100B。這時(shí)特別是B光，為了防止由于長(zhǎng)光路引起的光損失，通過由入射透鏡1122、中繼透鏡1123以及射出透鏡1124組成的中繼透鏡系統(tǒng)1121被導(dǎo)入。而后，與由光閥100R、100G以及100B分別調(diào)制的三原色對(duì)應(yīng)的光成分，在由分色棱鏡1112再次被合成后，經(jīng)由投影透鏡1114作為彩色圖像投影到屏幕1120。
本實(shí)用新型并不限于上述的實(shí)施方式，在根據(jù)權(quán)利要求范圍以及說明書整體讀出的實(shí)用新型主旨，或者與本想法不抵觸的范圍中可以適宜的改變，伴隨這種改變的電光裝置以及電子設(shè)備也包含在本實(shí)用新型的技術(shù)范圍中。
權(quán)利要求1.一種電光裝置，其特征在于，具備被設(shè)置在基板上的像素電極；通過開關(guān)動(dòng)作向該像素電極提供圖像信號(hào)的、具有溝道區(qū)域的薄膜晶體管；向該薄膜晶體管提供上述圖像信號(hào)的第1配線；以及向上述薄膜晶體管提供用于控制上述開關(guān)動(dòng)作的掃描信號(hào)的第2配線；其中，上述第2配線，包含與上述薄膜晶體管的上述溝道區(qū)域相對(duì)的作為柵極電極的窄幅部，和比該窄幅部寬度寬并且不與上述溝道區(qū)域相對(duì)的寬幅部。
2.權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，上述寬幅部的至少一部分，平面地看，具有和上述第1配線重合的區(qū)域。
3.權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，上述寬幅部，包含從上述窄幅部延伸設(shè)置構(gòu)成的部分。
4.權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，上述寬幅部，包含從上述窄幅部連接構(gòu)成的部分。
5.權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，上述寬幅部，由遮光性材料構(gòu)成。
6.權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，上述第2配線或者上述電極部，具有多層構(gòu)造。
7.權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，上述寬幅部，從上述窄幅部的邊緣部看，在上述溝道區(qū)域的延伸的方向的一方或者兩方上延伸。
8.權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，上述像素電極被排列成矩陣形狀；上述溝道區(qū)域，被形成在平面地看穿過夾著上述第2配線而相鄰接的像素電極間進(jìn)行延伸的長(zhǎng)方形的第1間隙，和穿過夾著上述第1配線而相鄰接的像素電極間進(jìn)行延伸的長(zhǎng)方形的第2間隙相交的交點(diǎn)區(qū)域內(nèi)。
9.權(quán)利要求8所述的電光裝置，其特征在于，上述溝道區(qū)域以及源極區(qū)域和漏極區(qū)域，沿著上述第2間隙延伸那樣地形成；上述窄幅部的寬度，與上述溝道區(qū)域的沿著第2間隙的長(zhǎng)度一致的同時(shí)，上述寬幅部的寬度，具有比上述長(zhǎng)度大的值。
10.權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，在上述薄膜晶體管的下側(cè)，進(jìn)一步具備下側(cè)遮光膜。
11.一種電子設(shè)備，其特征在于，具備具有，被設(shè)置在基板上的像素電極；通過開關(guān)動(dòng)作向該像素電極提供圖像信號(hào)的、具有溝道區(qū)域的薄膜晶體管；向該薄膜晶體管提供上述圖像信號(hào)的第1配線；向上述薄膜晶體管提供用于控制上述開關(guān)動(dòng)作的掃描信號(hào)的第2配線；其中，上述第2配線，包含與上述薄膜晶體管的上述溝道區(qū)域相對(duì)的作為柵極電極的窄幅部，和比該窄幅部寬度寬并且不與上述溝道區(qū)域相對(duì)的寬幅部的電光裝置。
12.一種電光裝置，其特征在于，具備被設(shè)置在基板上的像素電極；通過開關(guān)動(dòng)作向該像素電極提供圖像信號(hào)的薄膜晶體管；向該薄膜晶體管提供上述圖像信號(hào)的第1配線；向上述薄膜晶體管提供用于控制上述開關(guān)動(dòng)作的掃描信號(hào)的第2配線；包含與上述薄膜晶體管的溝道區(qū)域相對(duì)的作為柵極電極的窄幅部以及比該窄幅部寬度寬并且不與上述溝道區(qū)域相對(duì)的寬幅部的同時(shí)，與上述第2配線電氣連接的電極部。
13.權(quán)利要求12所述的電光裝置，其特征在于，上述電極部和上述第2配線的電氣連接，經(jīng)由連接孔進(jìn)行。
14.權(quán)利要求12所述的電光裝置，其特征在于，上述寬幅部的至少一部分，平面地看，具有和上述第1配線重合的區(qū)域。
15.權(quán)利要求12所述的電光裝置，其特征在于，上述寬幅部，包含從上述窄幅部延伸設(shè)置構(gòu)成的部分。
16.權(quán)利要求12所述的電光裝置，其特征在于，上述寬幅部，包含從上述窄幅部連接構(gòu)成的部分。
17.權(quán)利要求12所述的電光裝置，其特征在于，上述寬幅部，由遮光性材料構(gòu)成。
18.權(quán)利要求12所述的電光裝置，其特征在于，上述第2配線或者上述電極部，具有多層構(gòu)造。
19.權(quán)利要求12所述的電光裝置，其特征在于，上述寬幅部，從上述窄幅部的邊緣看，在上述溝道區(qū)域的延伸方向的一方或者兩方上延伸。
20.權(quán)利要求12所述的電光裝置，其特征在于，上述像素電極被排列成矩陣形狀；上述溝道區(qū)域，被形成在平面地看穿過夾著上述第2配線而相鄰接的像素電極間進(jìn)行延伸的長(zhǎng)方形的第1間隙，和穿過夾著上述第1配線而相鄰接的像素電極間進(jìn)行延伸的長(zhǎng)方形的第2間隙相交的交點(diǎn)區(qū)域內(nèi)。
21.權(quán)利要求20所述的電光裝置，其特征在于，上述溝道區(qū)域以及源極區(qū)域和漏極區(qū)域，沿著上述第2間隙延伸那樣地形成；上述窄幅部的寬度，和上述溝道區(qū)域的沿著第2間隙的長(zhǎng)度一致的同時(shí)，上述寬幅部的寬度，具有比上述長(zhǎng)度還大的值。
22.權(quán)利要求12所述的電光裝置，其特征在于，在上述薄膜晶體管的下側(cè)，進(jìn)一步具備下側(cè)遮光膜。
23.一種電子設(shè)備，其特征在于，具備包含，被設(shè)置在基板上的像素電極；通過開關(guān)動(dòng)作向該像素電極提供圖像信號(hào)的薄膜晶體管；向該薄膜晶體管提供上述圖像信號(hào)的第1配線；向上述薄膜晶體管提供用于控制上述開關(guān)動(dòng)作的掃描信號(hào)的第2配線；包含與上述薄膜晶體管的溝道區(qū)域相對(duì)的作為柵極電極的窄幅部以及比該窄幅部寬度寬并且不與上述溝道區(qū)域相對(duì)的寬幅部的同時(shí)，與上述第2配線電氣連接的電極部的電光裝置。
專利摘要在基板上具備像素電極、包含與它連接的半導(dǎo)體層的TFT、與該TFT連接的掃描線以及數(shù)據(jù)線。其中掃描線，包含與半導(dǎo)體層中的溝道區(qū)域相對(duì)的作為柵極電極的窄幅部以及不與上述溝道區(qū)域相對(duì)的寬幅部。由此，在電光裝置中，通過預(yù)先防止對(duì)TFT的光的入射，可以顯示高品質(zhì)的圖像。
文檔編號(hào)H01L29/786GK2625931SQ0325708
公開日2004年7月14日 申請(qǐng)日期2003年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月25日
發(fā)明者山崎康二 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社