專利名稱：雙向可控硅的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種雙向可控硅。
背景技術：
雙向可控硅是一種常用的控制元件，以它的導通時刻來控制電器設備的運轉(zhuǎn)，通常情況下只有通過被控電器的工作狀態(tài)才能反映出雙向可控硅的導通情況，需要另外設置電路元件來反映雙向可控硅的導通情況，而雙向可控硅本身并沒有導通指示功能。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術中雙向可控硅不具備導通指示功能的問題，本實用新型提供一種雙向可控硅，該雙向可控硅的結構簡單、能在雙向可控硅導通時產(chǎn)生信號電流。
本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是包括上層的電極MT1、觸發(fā)極GATE和下層電極MT2，在電極MT1的P區(qū)旁刻有一深入到N區(qū)的窗口，在窗口中另外設置P區(qū)，P區(qū)和N區(qū)形成一個PN結。
上述的PN結和MT1的P區(qū)形成一只PNP三極管，同時和MT2的P區(qū)也組成一只PNP三極管。
本實用新型通過上述設計，使雙向可控硅上的PN結在導通時能對-48v電源提供5-20mA的電流作為信號，具有結構簡單、可靠性強、生產(chǎn)工藝簡單、相對成本較低的優(yōu)點。
以下結合附圖及實施例進一步闡明本實用新型的具體內(nèi)容。


圖1是本實用新型的結構示意圖；圖2是本實用新型在I(+)導通狀態(tài)下的指示信號原理圖；
圖3是本實用新型在III(-)導通狀態(tài)下的指示信號原理圖。
具體實施方式
如圖所示，本實用新型包括上層的電極MT1、觸發(fā)極GATE和下層電極MT2，在電極MT1的P區(qū)1旁刻有一深入到N區(qū)2的窗口4，在窗口4中另外設置P區(qū)5，P區(qū)5和N區(qū)2形成一個PN結，上述的PN結和MT1的P區(qū)1形成一只PNP三極管，同時和MT2的P區(qū)3也組成一只PNP三極管。在雙向可控硅I(+)導通狀態(tài)下，Ig電流觸發(fā)雙向可控硅，可控硅進入I(+)導通形成It，由于It的存在，在新增加的PNP三極管的基區(qū)中有了載流子，從而形成Ij電流。當雙向可控硅III(-)導通時，Ig電流觸發(fā)雙向可控硅，可控硅進入III(-)導通形成It，同樣由于It的存在，在另一新增加的PNP三極管的基區(qū)中有了載流子，從而形成Ij電流。
權利要求1.一種雙向可控硅，包括上層的電極MT1、觸發(fā)極GATE下層電極MT2，其特征是在電極MT1的P區(qū)旁刻有一深入到N區(qū)的窗口(4)，在窗口(4)中另外設置P區(qū)(5)，P區(qū)(5)和N區(qū)(2)形成一個PN結。
專利摘要本實用新型涉及一種雙向可控硅，包括上層的電極MT1、觸發(fā)極GATE和下層電極MT2，在電極MT1的P區(qū)旁刻有一深入到N區(qū)的窗口，在窗口中另外設置P區(qū)，P區(qū)和N區(qū)形成一個PN結。本實用新型克服了現(xiàn)有技術中雙向可控硅不具備導通指示功能的缺陷，通過上述設計，使雙向可控硅上的PN結在導通時能對－48V電源提供5－20mA的電流作為信號，具有結構簡單、可靠性強、生產(chǎn)工藝簡單、相對成本較低的優(yōu)點。
文檔編號H01L29/66GK2671130SQ0325920
公開日2005年1月12日 申請日期2003年6月26日 優(yōu)先權日2003年6月26日
發(fā)明者李永慎, 馮子源 申請人:浙江中雁電信設備有限公司