專利名稱：磁電變換元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁電變換元件及其制造方法，更詳細(xì)地說(shuō)，涉及極薄的安裝面積小的小型磁電變換元件、極薄的能安裝成縱型的小型磁電變換元件、及它們的制造方法。
背景技術(shù)：
作為磁電變換元件的霍爾效應(yīng)元件或霍爾IC、磁阻效應(yīng)元件或強(qiáng)磁性體磁阻元件或磁阻效應(yīng)IC被用于VTR、軟盤(注冊(cè)商標(biāo))磁盤、CD-ROM或DVD、CPU風(fēng)扇等的驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)用的旋轉(zhuǎn)位置傳感器中、或者通過(guò)與永久磁鐵組合而被廣泛地用于開關(guān)或編碼器等用途中。伴隨這些電子部件的小型化，磁電變換元件也越發(fā)強(qiáng)烈地要求進(jìn)一步薄型化、以及縮小安裝面積。
另外，由于有磁通檢測(cè)位置的自由度增加的優(yōu)點(diǎn)，所以不僅在檢測(cè)相對(duì)于磁電變換元件的安裝面垂直方向的磁通密度、而且在檢測(cè)水平方向的磁通密度的電動(dòng)機(jī)的用途中，也強(qiáng)烈地要求小型化和薄型化。
目前作為一般的磁電變換元件之一的霍爾元件能這樣制造將有內(nèi)部電極的進(jìn)行磁感應(yīng)的由半導(dǎo)體薄膜構(gòu)成的磁電變換元件固定在引線框架的稱為島狀部的部分上，用金屬線連接引線框架和內(nèi)部電極，其次，用樹脂對(duì)磁電變換元件和包括引線框架的一部分的部分進(jìn)行模制，再經(jīng)過(guò)打毛邊、成形加工、電磁檢測(cè)等工序制造。
圖44A、圖44B是表示這樣制造的作為現(xiàn)有的霍爾元件的比較小的元件的一例的外形圖，圖44A是側(cè)視圖，圖44B是平面圖。高度h為0.8mm，寬度w為1.25mm，包括引線框架的長(zhǎng)度L及寬度W分別為2.1mm。用現(xiàn)在市售的引線框架形成的最小型的霍爾元件的外形尺寸包括安裝時(shí)作為外部電極的引線框架，其投影尺寸為2.5×1.5mm，高度為0.55mm。這些霍爾元件的特征在于高度低。
另外，在還檢測(cè)水平磁通密度分量的霍爾元件中，現(xiàn)在市售的霍爾元件的外觀尺寸包括安裝時(shí)作為外部電極的引線框架，其投影尺寸為2.7×2.1mm，高度為1.45mm。其特征在于固定磁電變換元件的引線框架的島狀部分相對(duì)于安裝面傾斜45°(例如，參照實(shí)公平2-33585號(hào)公報(bào))。
可是，只要采用上述的方法，特別是投影面積上的小型化和薄型化有極限。磁電變換元件雖然進(jìn)行模制，但模型尺寸本身即使能達(dá)到1.5×1.5mm左右，但為了安裝從其伸出的引線框架，有必要進(jìn)行成形，該伸出部分成為小型化的枷鎖。另外，金屬線的彎曲高度也成為薄型化的枷鎖。另外，出于檢測(cè)水平方向磁通密度的目的，雖然也有使引線框架的島狀部分豎立的方法，但結(jié)果成為使引線框架從模型的上方部分伸出后折彎的結(jié)構(gòu)，所以引線框架的島狀部的長(zhǎng)度和模型部上方的引線框架部分成為薄型化的枷鎖。
本發(fā)明不使用金屬線，使磁電變換元件總體的尺寸還包括安裝用電池為模型尺寸的大小，從這方向下工夫。
本發(fā)明就是鑒于這樣的情況而完成的，其目的在于提供一種極薄的、能縮小安裝面積的小型的磁電變換元件、以及能檢測(cè)達(dá)90°不同的磁通密度方向的縱型安裝式極薄的小型磁電變換元件有關(guān)的磁電變換元件及其制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的磁電變換元件備有設(shè)置了磁感應(yīng)部及內(nèi)部電極的基板；搭載于該內(nèi)部電極上，至少有第一厚度區(qū)域和第二厚度區(qū)域，且上述第一厚度比上述第二厚度厚的引線；將在上述基板的表面上形成的磁感應(yīng)部、上述內(nèi)部電極和上述引線的一部分封裝起來(lái)的樹脂；以及設(shè)置在上述引線的上述第一厚度區(qū)域的露出面上的外部連接用端子。
導(dǎo)電性地連接上述內(nèi)部電極和上述引線的部分的側(cè)部最好用樹脂封裝。
引線的斷面在從上述引線的最小厚度至最大厚度之間呈任意的厚度，在側(cè)面露出引線。另外，連接上述內(nèi)部電極和上述引線的一側(cè)的該引線的面與安裝時(shí)同外部進(jìn)行導(dǎo)電性連接的該引線的露出面的垂直斷面的厚度成為該引線的第一厚度。這里，上述引線不從上述側(cè)面突出，上述引線的側(cè)面是切斷面。
露出的引線的表面最好形成金屬覆蓋膜。
另外，內(nèi)部電極和引線利用導(dǎo)電性樹脂或金屬導(dǎo)電性地連接。
上述基板由高磁導(dǎo)率的磁性體構(gòu)成，在該高磁導(dǎo)率磁性體的表面上形成進(jìn)行磁感應(yīng)的薄膜，另外高磁導(dǎo)率磁性體芯片被載置于上述薄膜上，上述薄膜最好被上述高磁導(dǎo)率磁性體的基板和上述高磁導(dǎo)率磁性體芯片夾在中間。載置于上述薄膜上的高磁導(dǎo)率磁性體芯片的厚度在上述引線的第一厚度以內(nèi)，以被插入該引線的面內(nèi)的空隙的形式配置。
另外，上述基板是無(wú)機(jī)基板、或玻璃基板、或半導(dǎo)體基板等的非磁性基板，能形成進(jìn)行磁感應(yīng)的薄膜。另外，基板也可以是形成半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體基板，在上述半導(dǎo)體基板上形成進(jìn)行磁感應(yīng)的薄膜。另外，進(jìn)行磁感應(yīng)的薄膜也可以通過(guò)摻雜形成。另外，也可以使用在上述基板內(nèi)部形成半導(dǎo)體元件和通過(guò)摻雜進(jìn)行磁感應(yīng)的部分的半導(dǎo)體基板。
另外，在磁感應(yīng)部上形成形變緩沖層，也可以在它上面再形成樹脂。
本發(fā)明的磁電變換元件大致呈長(zhǎng)方體形狀，成為與外部導(dǎo)電性連接用端子的第一厚度區(qū)域的引線面配置得與長(zhǎng)方體的一個(gè)面的一邊接觸并且露出，能將接在該一邊上的另一個(gè)面作為安裝面。另外，大致呈長(zhǎng)方體形狀，成為與外部導(dǎo)電性連接用端子的第一厚度區(qū)域的引線面配置得與長(zhǎng)方體的一個(gè)面的一邊接觸并且露出，該面的一邊的引線的露出部分能被削去。
以上的磁電變換元件能用以下的方法制造。
首先，在基板的表面上形成進(jìn)行磁感應(yīng)的薄膜，在該薄膜上形成多個(gè)磁感應(yīng)部的圖形、以及由金屬構(gòu)成的內(nèi)部電極，一并形成多個(gè)磁電變換元件。
其次，在上述多個(gè)磁電變換元件的內(nèi)部電極部上，通過(guò)導(dǎo)電性樹脂或金屬連接至少有第一厚度區(qū)域和第二厚度區(qū)域，且上述第一厚度比上述第二厚度厚的引線框架。
另外，將在上述基板的表面上形成的磁感應(yīng)部、上述內(nèi)部電極和上述引線框架的一部分封裝起來(lái)。
然后，按照形成上述磁電變換元件的間距進(jìn)行切片，使上述多個(gè)磁電變換元件單個(gè)化。
在一并形成上述多個(gè)磁電變換元件的工序和配置上述引線框架的工序之間，能有通過(guò)粘接層將大致呈長(zhǎng)方體的高磁導(dǎo)率磁性體一并配置在上述多個(gè)磁感應(yīng)部上的工序。
另外，在將在上述基板的表面上形成的磁感應(yīng)部、上述內(nèi)部電極和上述引線框架的一部分封裝起來(lái)的工序之后，能有使上述引線框架的第一厚度區(qū)域露出的工序。
也可以將適合焊接的金屬覆蓋在上述露出的引線框架的第一厚度區(qū)域、以及在側(cè)面露出的引線框架的斷面上。
本發(fā)明的另一制造方法，包括下列工序在基板的表面上形成進(jìn)行磁感應(yīng)的薄膜，在該薄膜上形成多個(gè)磁感應(yīng)部的圖形及由金屬構(gòu)成的內(nèi)部電極，一并形成多個(gè)磁電變換元件的工序；通過(guò)樹脂將大致呈長(zhǎng)方體的高磁導(dǎo)率磁性體芯片配置在上述多個(gè)磁感應(yīng)部上的工序；將帶粘貼在上述基板上，按照形成磁電變換元件的間距進(jìn)行切片，使多個(gè)磁電變換元件單個(gè)化的第一單個(gè)化工序；通過(guò)導(dǎo)電性樹脂或金屬，將至少有兩種厚度的引線框架連接在上述多個(gè)磁電變換元件的內(nèi)部電極上的工序；然后，將上述單個(gè)化工序中使用的帶除去的工序；將耐熱帶粘貼在上述引線框架的面上的工序；從上述基板的背面或側(cè)面注入樹脂一并封裝的工序；去除上述耐熱帶的工序；以及再次按照形成上述磁電變換元件的間距進(jìn)行切片，使多個(gè)磁電變換元件單個(gè)化的第二單個(gè)化工序。
在上述第一單個(gè)化工序和連接上述引線框架的工序之間，有利用裝載結(jié)構(gòu)使方向一致地將上述單個(gè)化了的磁電變換元件定向地放置于在托架上形成的多個(gè)槽內(nèi)的工序，最好還有從上述基板的背面或側(cè)面注入樹脂一并封裝的工序。
能有將適合焊接的金屬覆蓋在露出的引線框架的第一厚度區(qū)域或在側(cè)面露出的引線框架的斷面上的工序。
本發(fā)明的磁電變換元件能通過(guò)采用上述的結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)例如投影尺寸為0.7×0.9mm、高度為0.35mm的極小型而且薄型的磁電變換元件，另外，采用簡(jiǎn)便的方法能實(shí)現(xiàn)投影尺寸為2.3×0.7mm、高度為0.6mm的極薄型的縱型磁電變換元件。
在作為本發(fā)明的磁電變換元件的一例的霍爾元件的情況下，構(gòu)成磁電變換元件的進(jìn)行磁感應(yīng)的薄膜能從銻化銦、砷化鎵、砷化銦等化合物半導(dǎo)體或(銦、鎵)-(銻、砷)這樣的3元或4元化合物半導(dǎo)體薄膜中選擇。也能使用所謂的量子效應(yīng)元件。雖然能在各種基板上形成這些化合物半導(dǎo)體薄膜，但作為該基板，能使用氧化鋁、藍(lán)寶石等無(wú)機(jī)基板、石英等玻璃基板、硅、砷化鎵等半導(dǎo)體基板。
另外，還有通過(guò)蒸鍍等，在云母之類的結(jié)晶性良好的基板上暫時(shí)形成薄膜，通過(guò)樹脂將該薄膜復(fù)制到上述的基板上的方法。本發(fā)明者等雖然提出了各種銻化銦系列的高移動(dòng)度化、即高靈敏度化用的蒸鍍方法，但能將按照這些方法制作的薄膜很好地用于本發(fā)明(例如，參照特公平1-13211號(hào)公報(bào)、特公平1-15135號(hào)公報(bào)、特公平2-47849號(hào)公報(bào)、特公平3-59571號(hào)公報(bào))。
靈敏度更高的霍爾元件這樣構(gòu)成在高磁導(dǎo)率磁性體基板上形成了半導(dǎo)體薄膜后，使磁感應(yīng)部和內(nèi)部電極部形成圖形，再在它上面作成由所放置的大致呈長(zhǎng)方體的高磁導(dǎo)率磁性體芯片構(gòu)成的裝載結(jié)構(gòu)。例如，在特公昭51-45234號(hào)公報(bào)中給出了在該結(jié)構(gòu)體裝置中作成移動(dòng)度高的半導(dǎo)體薄膜用的方法。
即，該方法是在云母等結(jié)晶性基板上形成化合物半導(dǎo)體薄膜，用環(huán)氧樹脂等粘合劑，將該半導(dǎo)體薄膜粘接在高磁導(dǎo)率磁性體上，然后，將結(jié)晶性基板除去，其次，形成了所希望的圖形后，通過(guò)將高磁導(dǎo)率磁性體置于半導(dǎo)體薄膜的磁感應(yīng)部上，形成上述的呈層疊結(jié)構(gòu)的霍爾元件。
這樣構(gòu)成的霍爾元件適合于制造本發(fā)明的小型、靈敏度高的磁電變換元件。作為高磁導(dǎo)率強(qiáng)磁性體基板及高磁導(dǎo)率強(qiáng)磁性體芯片的材料，能使用NiZn鐵氧體、MnZn鐵氧體、坡莫合金、鐵硅合金等高磁導(dǎo)率材料。其中，從容易切斷、價(jià)格便宜等理由來(lái)說(shuō)，作為適合的材料能使用高磁導(dǎo)率鐵氧體。
另外，還能采用這樣的方法在將表面研磨成鏡面的高磁導(dǎo)率磁性體基板上暫時(shí)設(shè)置氧化硅、氮化硅、玻璃、氧化鋁等層，通過(guò)蒸鍍等在它上面形成半導(dǎo)體薄膜，其次形成了所希望的磁感應(yīng)部和內(nèi)部電極的圖形后，將高磁導(dǎo)率磁性體芯片置于磁感應(yīng)部上。
另外，作為靈敏度低但輸出溫度特性好的霍爾元件，能適合采用這樣的方法通過(guò)摻雜，在硅基板或砷化鎵化合物半導(dǎo)體等這樣的半導(dǎo)體基板上形成有霍爾效應(yīng)的進(jìn)行磁感應(yīng)的部分。
另外，還適合采用在硅基板等半導(dǎo)體基板上形成半導(dǎo)體元件部、以及通過(guò)摻雜形成進(jìn)行磁感應(yīng)部分的方法。
作為霍爾元件以外的磁電變換元件，例如能舉出強(qiáng)磁性體磁阻元件、GMR、半導(dǎo)體磁阻元件等。作為GMR、強(qiáng)磁性體磁阻元件情況下的膜，能使用Ni-Fe、Ni-Co等強(qiáng)磁性材料。另外，在半導(dǎo)體磁性材料的情況下，能使用上述的化合物半導(dǎo)體薄膜。
另外，還適合采用在硅基板等半導(dǎo)體基板上形成半導(dǎo)體元件部，形成了絕緣層后，形成上述的半導(dǎo)體薄膜和強(qiáng)磁性體材料的薄膜等，在半導(dǎo)體元件部和基板上進(jìn)行電耦合的方法。
另外，一般說(shuō)來(lái)經(jīng)過(guò)多級(jí)工序，能在晶片上同時(shí)形成多個(gè)磁電變換元件。在作為本發(fā)明的磁電變換元件之一例的霍爾元件的情況下，對(duì)一個(gè)元件來(lái)說(shuō)，一般能一并形成4個(gè)內(nèi)部電極。本發(fā)明的一個(gè)方面，是不通過(guò)金等金屬細(xì)線，就能將該內(nèi)部電極直接連接在外部電極上。
首先，用上述的方法在非磁性體基板上形成半導(dǎo)體薄膜，制作晶片，用光刻法或刻蝕法等，對(duì)多個(gè)磁電變換元件形成多個(gè)內(nèi)部電極。作為內(nèi)部電極的材料，適合使用Au、Ag、Al、Cu、Pd、Cr、Ti等金屬。內(nèi)部電極可以是該金屬的單層，也可以使該金屬或合金形成兩層以上。作為內(nèi)部電極層的形成方法，能采用電鍍或蒸鍍等。其中，從導(dǎo)電性方面或能廉價(jià)形成方面來(lái)看，最好使用電鍍銅。
其次，最好至少在磁感應(yīng)部上形成形變緩沖層。這時(shí)，使用感光性樹脂是很方便的。例如，如果使用抗焊劑或感光性聚酰亞胺，則通過(guò)使用普通掩模的曝光顯影工序，就能形成精度良好的形變緩沖層。為了形成1～6微米、最好是30微米左右的厚度，重要的是形成形變緩沖層。例如，最好能使用旋轉(zhuǎn)涂敷法。另外，在該階段或其前一階段，至少在磁感應(yīng)部上層疊金屬氧化物或玻璃或氧化鋁之類的絕緣物，能設(shè)置謀求進(jìn)一步提高可靠性的所謂的鈍化層。
為了制造靈敏度更高的磁電變換元件，采用上述方法，用高磁導(dǎo)率磁性體在基板上形成了磁感應(yīng)部和內(nèi)部電極的情況下，將大致呈長(zhǎng)方體的高磁導(dǎo)率磁性體芯片置于磁感應(yīng)部上。為了放置這樣的大致呈長(zhǎng)方體的芯片，雖然能使用裝片機(jī)，但利用特公平7-13987號(hào)公報(bào)中記載的方法，能更好地利用一并置于全部晶片上的方法。
其次，將引線框架置于內(nèi)部電極上。這時(shí)，采用夾著能成為粘合劑的導(dǎo)電性樹脂的方法。作為這些材料，能從下列物質(zhì)中選擇Cu、Ag、Pd或它們的混合金屬粉末、或在Cu粉上電鍍了Ag的粉末被分散在環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、苯酚樹脂、酰亞胺改性環(huán)氧樹脂等熱硬化性樹脂、或苯氧基樹脂、聚酰胺樹脂、聚苯乙烯、聚砜、聚氨基甲酸乙酯樹脂、聚醋酸乙烯酯等熱塑性樹脂中的多種導(dǎo)電性樹脂。
形成該導(dǎo)電性物質(zhì)層時(shí)，能適合使用澆注法、沖壓法、絲網(wǎng)印刷法等。另外也能使用通常使用的焊膏。在用絲網(wǎng)印刷法形成導(dǎo)電性樹脂或焊膏的情況下，最好在放置了引線框架后，再放置大致呈長(zhǎng)方體狀的高磁導(dǎo)率磁性體芯片。
另外，在使用焊膏的情況下，能采取下述形態(tài)采用使用金屬掩模的絲網(wǎng)印刷法，將焊膏涂敷在所希望的位置后，將引線框架定位放置后，通過(guò)重流爐進(jìn)行連接。
另外，在先將大致呈長(zhǎng)方體狀的高磁導(dǎo)率磁性體芯片置于磁感應(yīng)部上，然后將引線框架置于內(nèi)部電極上的情況下，適合采用通過(guò)沖壓涂敷了導(dǎo)電性樹脂后，將引線框架定位放置的方法。
作為放置在內(nèi)部電極上的引線框架，最好是以Cu為基底的合金。引線框架的形狀是至少有兩個(gè)以上厚度的引線框架，有第一厚度區(qū)域和第二厚度區(qū)域，第一厚度比第二厚度厚，對(duì)應(yīng)于在晶片上形成的各個(gè)磁電變換元件，形成構(gòu)成配置了圖形的多個(gè)外部連接用背面電極的部分，以便至少第一厚度區(qū)域的背面成為磁電變換元件的外部連接用背面電極，多個(gè)外部連接用電極至少用第二厚度分別連接成柵格狀。在最后切片時(shí)，使用柵格寬度以上的厚度的刀片，沿柵格的中央部切斷。
這時(shí)，在磁電變換元件的側(cè)面上至少?gòu)牡诙穸戎恋谝缓穸戎g的任意厚度的引線框架的斷面露出，這是本發(fā)明的磁電變換元件的特征之一。引線框架的第一厚度能適合采用0.03微米至0.5微米。另外，還能使用在引線框架的規(guī)定位置預(yù)先形成了適合于焊接的金屬覆蓋膜的引線框架。
其次，使引線框架的面朝上，以第一厚度以下為目標(biāo)形成保護(hù)層。用保護(hù)層至少將磁感應(yīng)部上的形變緩沖層、高磁導(dǎo)率磁性體芯片、引線框架的側(cè)面、以及第二厚度的引線框架埋起來(lái)。保護(hù)層能從下列物質(zhì)中選擇環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、酰亞胺改性環(huán)氧樹脂等熱硬化性樹脂、或苯氧基樹脂、聚酰胺樹脂、聚苯乙烯、聚砜、聚氨基甲酸乙酯樹脂、聚乙酸乙烯酯等熱塑性樹脂。
保護(hù)層的形成方法雖然有澆注、絲網(wǎng)印刷、轉(zhuǎn)印模等，但也能適合使用將成為外部連接用背面電極的第一厚度部分作為掩模，能將樹脂注入其他部分的使用金屬掩?；蚪z掩模的絲網(wǎng)印刷法。另外，還能適合采用將帶加在引線框架的第一厚度部分上，實(shí)施轉(zhuǎn)印模的方法。另外，雖然在引線框架的第一厚度部分上未進(jìn)行掩蔽的全部表面上用絲網(wǎng)印刷法形成保護(hù)層樹脂，在第一厚度部分上形成薄保護(hù)層樹脂，但也能適合采用利用研磨機(jī)將該薄薄地形成的保護(hù)層樹脂除去的方法。
在將非磁性體用于基板的情況下，如果不形成形變緩沖層，則由于作為保護(hù)層的樹脂的硬化收縮，會(huì)使磁感應(yīng)部變形，在該工序前后，對(duì)作為霍爾元件的電磁特性的輸入輸出電阻或不平衡電壓或電磁場(chǎng)中的輸出電壓產(chǎn)生很大的變化，收獲率急劇減少到30％以下。為了使該樹脂的硬化收縮所引起的變形不致影響磁感應(yīng)部，形變緩沖層是必要的，利用該形變緩沖層能獲得較高的收獲率。在磁感應(yīng)部上設(shè)置了上述的牢固的鈍化層的情況下、或者在以更高的靈敏度為目標(biāo)放置了高磁導(dǎo)率磁性體芯片的情況下，該形變緩沖層也可以沒有。
其次，通過(guò)切片等，使用以上述引線框架的至少第二厚度上形成的柵格寬度以上厚度的刀片，沿柵格的中央部切斷。這時(shí)，晶片上的磁電變換元件被分離成單個(gè)的片，同時(shí)與一面有關(guān)的引線框架也被分離成一個(gè)元件4個(gè)電極。另外，在從第二厚度到第一厚度之間的任意厚度上，在磁電變換元件的側(cè)面上露出引線框架的斷面。
這時(shí)，例如設(shè)計(jì)得使引線框架的第一厚度部分跨越相鄰的元件的電極部，則通過(guò)切片，將該部分的中央切斷，如圖7、圖8所示，能形成背面和側(cè)面連接的外部連接用電極。
最后，通過(guò)滾鍍，在磁電變換元件的背面的引線框架被切斷而出現(xiàn)的引線框架的斷面部上，進(jìn)行覆蓋適合于焊接的金屬用的電鍍，完成磁電變換元件。作為該覆蓋的方法，能采用電解電鍍或無(wú)電解電鍍等任何方法。另外，也能采用通過(guò)切片，預(yù)先對(duì)引線框架進(jìn)行半切斷，對(duì)每個(gè)晶片進(jìn)行電鍍的方法。
如果采用該方法，則由于引線框架呈連接狀態(tài)，所以適合對(duì)晶片單體一并進(jìn)行電鍍。此后，用比在上述的位置半切斷時(shí)使用的刀片的厚度薄的刀片在上述的位置切斷，完成磁電變換元件。另外，這時(shí)在只形成了背面的引線框架的金屬覆蓋膜的情況下，能采用形成了保護(hù)層樹脂后，用研磨機(jī)將保護(hù)層樹脂表面削去，使引線框架的第一厚度部分露出后，對(duì)每個(gè)晶片進(jìn)行電鍍的方法。
另外，在本發(fā)明的磁電變換元件的制造方法中，切斷基板后通過(guò)樹脂模制，使半導(dǎo)體薄膜和內(nèi)部電極的側(cè)面不露出，能成為耐濕性強(qiáng)的磁電變換元件。
即，首先，在作為高磁導(dǎo)率磁性體基板的鐵氧體基板上形成多個(gè)磁電變換元件的圖形，將高磁導(dǎo)率磁性體芯片置于該磁感應(yīng)部上。在高磁導(dǎo)率磁性體基板上形成多個(gè)作為磁電變換元件的構(gòu)成部的磁感應(yīng)部、內(nèi)部電極、以及高磁導(dǎo)率磁性體芯片。
其次，將基板粘貼在帶上，按照形成磁電變換元件的間距進(jìn)行切片，使多個(gè)磁電變換元件單個(gè)化。這時(shí)，由于使用最后進(jìn)行切片時(shí)使用的刀片寬度以上的寬度，所以能在磁電變換元件的側(cè)面形成樹脂。
其次，不用剝離切片時(shí)使用的帶，將引線框架置于內(nèi)部電極上。這時(shí)，如上所述能采取通過(guò)能成為粘合劑的導(dǎo)電性樹脂的方法。
另外，也可以采取這樣的方法預(yù)先將尺寸大小最適合于內(nèi)部電極尺寸的焊球置于內(nèi)部電極上，或者使用金屬掩模通過(guò)印刷，將適量的焊膏涂敷在內(nèi)部電極上后，將引線框架定位放置后，通過(guò)重流等進(jìn)行加熱處理，使焊錫熔融，進(jìn)行導(dǎo)電性連接。最后切片時(shí)使用柵格寬度以上厚度的刀片，沿柵格的中央切斷。這時(shí)，在磁電變換元件的側(cè)面上至少?gòu)牡诙穸戎恋谝缓穸戎g任意厚度的引線框架的斷面被露出，這是本發(fā)明的磁電變換元件的特征之一。引線框架的第一厚度適合使用0.05mm至0.4mm，最好為0.1mm至0.2mm。另外，也能使用在引線框架的規(guī)定位置預(yù)先形成了適合于焊接的金屬覆蓋膜的引線框架。
其次，內(nèi)部電極和引線框架進(jìn)行了導(dǎo)電性連接后，將切片時(shí)使用的帶除去。這樣在切斷了的磁電變換元件與引線框架進(jìn)行導(dǎo)電性連接之前，帶具有保持排列的效果。
除了利用切片帶維持磁電變換元件的配置的方法以外，還有如下的方法。為了制造靈敏度高的磁電變換元件，將大致呈長(zhǎng)方體的高磁導(dǎo)率磁性體芯片放置在磁感應(yīng)部上，形成裝載結(jié)構(gòu)，按照形成將基板粘貼在帶上的磁電變換元件的間距進(jìn)行切片，使多個(gè)磁電變換元件單個(gè)化，將磁電變換元件從帶上取下后，使單個(gè)化了的磁電變換元件振動(dòng)或搖動(dòng)，在用不銹鋼或碳等材料制成的托板上，用刻蝕或切削方法在形成了多個(gè)槽內(nèi)生成裝載結(jié)構(gòu)的特征，最后使磁感應(yīng)部上的呈長(zhǎng)方體的高磁導(dǎo)率磁性體芯片朝上排列配置，從槽底部上的孔進(jìn)行吸引，將磁電變換元件固定，保持磁電變換元件的排列。
此后，用上述的方法放置了引線框架后，解除吸引，一并連接引線框架的所希望的位置和磁電變換元件的內(nèi)部電極。這樣使用帶或托板，將磁電變換元件排列起來(lái)，一并配置在引線框架上，實(shí)現(xiàn)磁電變換元件的內(nèi)部電極和引線框架的連接是該方法的特征。
其次，將耐熱帶粘貼在引線框架的面上。耐熱帶適合使用在聚酰亞胺基板上施以硅系列粘合劑的帶。另外，也能采取將耐熱帶預(yù)先粘貼在引線框架的面上后，將內(nèi)部電極和引線框架導(dǎo)電性地連接起來(lái)的方法。
使位于與引線框架相反位置的基板面朝上，形成保護(hù)層。通過(guò)從基板面或基板側(cè)面注入保護(hù)層用樹脂，通過(guò)由切片刀片厚度形成的槽或由托板的槽間隔形成的磁電變換元件各自的基板和基板之間，用保護(hù)層用樹脂至少埋沒導(dǎo)電性地連接了內(nèi)部電極和引線框架的導(dǎo)電性樹脂或金屬的側(cè)面部、在基板的表面上形成的磁感應(yīng)部、以及內(nèi)部電極和引線框架。
作為保護(hù)層能使用上述的保護(hù)層，形成方法雖然有澆注、絲網(wǎng)印刷、轉(zhuǎn)印模等，但最好能使用轉(zhuǎn)印模法或使用金屬掩模的真空中的絲網(wǎng)印刷法。這樣形成了保護(hù)層后，將耐熱帶除去。
其次，通過(guò)切片等，使用引線框架的至少在第二厚度上形成的柵格寬度以上厚度的刀片，沿柵格的中央部切斷。這時(shí)，晶片上的磁電變換元件被分離成單個(gè)的片，同時(shí)與一面有關(guān)的引線框架也被分離成每一個(gè)元件4個(gè)電極。另外，這時(shí)在從第二厚度到第一厚度之間的任意厚度上，在磁電變換元件的側(cè)面上露出引線框架的斷面。另外，這時(shí)，如果設(shè)計(jì)引線框架，使引線框架的第一厚度部分跨越相鄰的元件的電極部，則通過(guò)切片，將該部分的中央切斷，如圖15、圖20所示，能形成背面和側(cè)面連接的外部連接用電極。
最后，通過(guò)滾鍍，在磁電變換元件的背面的引線框架被切斷而出現(xiàn)的引線框架的斷面部上，進(jìn)行覆蓋適合于焊接的金屬用的電鍍，完成磁電變換元件。作為該覆蓋的方法，能采用電解電鍍或無(wú)電解電鍍等任何方法。
另外，也能采用通過(guò)切片，預(yù)先對(duì)引線框架進(jìn)行半切斷，對(duì)每個(gè)晶片進(jìn)行電鍍的方法。此后，用比在上述的位置半切斷時(shí)使用的刀片的厚度薄的刀片在上述的位置切斷，完成圖17、圖22所示的有外部連接用電極的磁電變換元件。
另外，這時(shí)，如圖16、圖21所示，在只是引線框架的背面實(shí)施了金屬覆蓋膜的形態(tài)的情況下，也能采用對(duì)引線框架預(yù)先進(jìn)行電鍍，粘貼耐熱帶，形成保護(hù)層，或者將耐熱帶除去后，對(duì)每個(gè)晶片進(jìn)行電鍍的方法。
另外，也有如下的形態(tài)。即，改變引線框架的圖形配置，如圖30所示，將第一厚度上最后成為與外部進(jìn)行導(dǎo)電性連接用端子的部分配置成一列的結(jié)構(gòu)，將成為這樣配置的結(jié)構(gòu)的引線框架與圖29所示的內(nèi)部電極連接，用上述的方法形成了保護(hù)層后，同樣使用由第二厚度以上的厚度形成的柵格的寬度以上的厚度的刀片，沿柵格的中央部切斷。
這時(shí)，晶片上的磁電變換元件被分離成單個(gè)的片，同時(shí)與一面有關(guān)的引線框架也被分離成每一個(gè)元件4個(gè)電極。4個(gè)電極沿大致呈長(zhǎng)方體的磁電變換元件的一邊排列配置，在作為與該一邊銜接的一個(gè)面的切斷面上，在從引線框架的第二厚度到第一厚度之間的任意厚度上，使引線框架的斷面露出。
在使該切斷面成為安裝面的情況下，由于切斷而露出的引線框架的斷面成為在安裝基板上進(jìn)行連接的外部連接用端子，沿粘貼了耐熱帶的面的一邊排列露出的第一厚度的外部連接用的引線框架的部分成為安裝時(shí)形成焊錫填角的側(cè)面電極。最后進(jìn)行了滾鍍后，完成圖18、圖23所示的有外部連接用電極的縱型磁電變換元件。
另外，在用刀片切斷成單個(gè)片之前，如果用比上述刀片厚的刀片，只沿排列方向預(yù)先對(duì)沿一邊排列的成為外部連接用端子的第一厚度的引線框架部分進(jìn)行半切斷處理，則排列的外部連接用端子的一邊能呈被削去的形狀。然后，如果最后進(jìn)行滾鍍，則完成圖19、圖24所示的有外部連接用電極的縱型磁電變換元件。
因此，本發(fā)明的特征在于對(duì)全部晶片一并進(jìn)行處理，極其簡(jiǎn)便地進(jìn)行元件化。
這樣，本發(fā)明的磁電變換元件至少背面的引線框架和側(cè)面的引線框架的斷面部被用于與外部電極的連接，所以在將元件安裝在基板等上時(shí)是否良好的判斷，能采用顯微鏡等光學(xué)手段進(jìn)行觀察，例如通過(guò)對(duì)橫側(cè)面的焊接等的熔析面的觀察，能不破壞元件。
另外，將與外部進(jìn)行導(dǎo)電性連接用的端子并列配置在大致呈長(zhǎng)方體形狀的一邊上，并通過(guò)將切斷面作為安裝面，能提供一種能檢測(cè)相對(duì)于安裝面呈90°不同方向的磁通密度的磁電變換元件。


圖1～圖3是說(shuō)明本發(fā)明的霍爾元件的第一實(shí)施形態(tài)用的示意剖面圖。
圖4～圖6是說(shuō)明本發(fā)明的霍爾元件的第一實(shí)施形態(tài)用的變形例的示意剖面圖。
圖7～圖14是圖1～圖6所示的第一實(shí)施形態(tài)的制造方法的工序圖。
圖15～圖24是說(shuō)明本發(fā)明的霍爾元件的第二實(shí)施形態(tài)用的示意剖面圖。
圖25～圖28是圖15～圖24所示的第二實(shí)施形態(tài)的制造方法用的圖。
圖29、圖30是說(shuō)明圖18、圖19、圖23、圖24所示的第二實(shí)施形態(tài)的制造方法用的圖。
圖31～圖43是說(shuō)明圖15～圖24所示的第二實(shí)施形態(tài)的制造方法用的工序圖。
圖44A、圖44B是表示現(xiàn)有的霍爾元件的形狀的圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照

本發(fā)明的第一實(shí)施形態(tài)。
圖1～圖3是說(shuō)明作為本發(fā)明的磁電變換元件之一的霍爾元件的第一實(shí)施形態(tài)的示意剖面圖，圖1是表示基板是非磁性體基板，形成了由于引線與第一厚度的背面連接用電極被切斷而出現(xiàn)的第一厚度的側(cè)面電極的情形的圖，圖2是表示基板是非磁性體基板，側(cè)面出現(xiàn)的引線的斷面至少在從第一厚度至第二厚度之間成為任意厚度的情形的圖，圖3是表示基板是非磁性體基板，側(cè)面出現(xiàn)的引線的斷面在第一厚度中有臺(tái)階的情形的圖。
圖中標(biāo)記1表示磁感應(yīng)部，2表示樹脂層或無(wú)機(jī)物層，3表示基板(非磁性體)，5表示覆蓋磁感應(yīng)部1的形變緩沖層，8表示由金屬構(gòu)成的內(nèi)部電極，9表示將內(nèi)部電極8和引線10導(dǎo)電性地接合起來(lái)用的內(nèi)部電極8上形成的導(dǎo)電性物質(zhì)(導(dǎo)電性樹脂層或金屬層)，12表示保護(hù)樹脂層，13表示引線10的相當(dāng)于外部電極的部分上形成的金屬覆蓋膜部。
本發(fā)明的磁電變換元件備有設(shè)置了磁感應(yīng)部1及內(nèi)部電極8的基板3；放置在內(nèi)部電極8上，至少有第一厚度a的區(qū)域10a和第二厚度b的區(qū)域10b，第一厚度比第二厚度厚的引線10；封裝基板3的表面上形成的磁感應(yīng)部1、內(nèi)部電極8和引線10的一部分的樹脂12；以及設(shè)置在引線10的第一厚度區(qū)域10a的露出面上的外部連接用端子13。
另外，在圖1中，引線10的第一厚度的背面連接用電極部仍為第一厚度，與相鄰的磁電變換元件的內(nèi)部電極8橫跨，用同樣的第一厚度形成，通過(guò)切斷其中央，形成第一厚度的側(cè)面電極13。
另外，在圖2中，在相鄰的磁電變換元件的內(nèi)部電極8之間作成了比第一厚度薄的第二厚度的引線10的情況下，形成了環(huán)氧樹脂后，通過(guò)將其中央切斷，形成比第一厚度薄的引線10的側(cè)面。
另外，在圖3中，在圖1的狀態(tài)下形成環(huán)氧樹脂后，暫時(shí)進(jìn)行半切割，此后，通過(guò)使用比半切割更細(xì)的刀片將中央部切斷，形成引線10的側(cè)面。
圖4～圖6是表示本發(fā)明的磁電變換元件之一的霍爾元件的第一實(shí)施形態(tài)的變更例的示意剖面圖，圖4是表示在靈敏度更高的霍爾元件的情況下，基板為高磁導(dǎo)率磁性體基板，形成了由于引線與第一厚度的背面連接用電極被切斷而出現(xiàn)的第一厚度的側(cè)面電極的情形的圖，圖5是表示基板是高磁導(dǎo)率磁性體基板，側(cè)面出現(xiàn)的引線的斷面至少在從第一厚度至第二厚度之間成為任意厚度的情形的圖，圖6是表示基板是高磁導(dǎo)率磁性體基板，側(cè)面出現(xiàn)的引線的斷面在第一厚度中有臺(tái)階的情形的圖。
圖中標(biāo)記4表示基板(高磁導(dǎo)率磁性體)，6表示將高磁導(dǎo)率磁性體芯片7接合在磁感應(yīng)部1上用的樹脂層，7表示大致呈長(zhǎng)方體狀的高磁導(dǎo)率磁性體芯片，其他具有與圖1～圖3中相同功能的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)以相同的標(biāo)記，圖4～圖6分別對(duì)應(yīng)于上述的圖1～圖3。
用圖7～圖14說(shuō)明制造圖1～圖6所示的霍爾元件用的工序。圖7表示在作為非磁性體基板的氧化鋁基板3上形成多個(gè)磁電變換元件的圖形的形態(tài)，圖8是表示各磁電變換元件8、磁感應(yīng)部1、形變緩沖層5、具有兩個(gè)厚度的引線的第一厚度、以及與內(nèi)部電極的圖形配置位置關(guān)系用的圖。圖9及圖10分別是圖7、圖8的局部放大圖。經(jīng)過(guò)如下的工序制作了圖7～圖8所示狀態(tài)的晶片。
首先，將劈開的云母作為蒸鍍基板，首先通過(guò)蒸鍍形成In過(guò)剩的InSb薄膜，其次，采用過(guò)剩地蒸鍍與InSb膜中的過(guò)剩的In形成化合物的Sb的方法，形成了厚度為0.7微米的電子移動(dòng)度為46000cm2/V/sec的InSb薄膜。
其次，準(zhǔn)備54mm見方、厚度為0.2mm的氧化鋁基板3，將聚酰亞胺樹脂滴在上述的InSb薄膜上，將氧化鋁基板3重疊在它上面，放置重物，在200℃的溫度下放置了12小時(shí)。其次，返回室溫，將云母剝?nèi)?，作成了表面上形成了InSb薄膜的晶片。
其次，用光刻法在晶片上形成霍爾元件圖形。實(shí)施內(nèi)部電極用的構(gòu)圖，進(jìn)行無(wú)電解電鍍銅，為了加厚再進(jìn)行電解電鍍銅，其次，形成刻蝕圖形，通過(guò)刻蝕，形成了磁感應(yīng)部1和內(nèi)部電極8。磁感應(yīng)部1的長(zhǎng)度為350微米，寬度為170微米。各霍爾元件用的一個(gè)片的大小為0.6mm×0.9mm的矩形。
其次，在形成磁感應(yīng)部1的表面上形成抗焊劑(形變緩沖層5)，可是采用旋轉(zhuǎn)涂敷法涂敷厚度為30微米的抗焊劑后，經(jīng)過(guò)光刻工序只形成了規(guī)定的部分。將該狀態(tài)示于圖11中。
其次，如圖12所示，橫跨與各磁電變換元件的內(nèi)部電極部分相鄰的磁電變換元件的內(nèi)部電極部分，通過(guò)絲網(wǎng)印刷涂敷厚度為20微米的將Ag作為填充物的導(dǎo)電性樹脂，然后，放置有兩個(gè)厚度的、第一厚度為0.1mm的引線框架20，使該引線框架20的圖形形狀和晶片上的霍爾元件的內(nèi)部電極形狀位置一致，對(duì)導(dǎo)電性樹脂進(jìn)行加熱硬化，進(jìn)行了內(nèi)部電極8和引線框架20的導(dǎo)電性接合。
其次，如圖13所示，在引線框架20上通過(guò)絲網(wǎng)印刷涂敷環(huán)氧樹脂，進(jìn)行了加熱硬化。這時(shí)，在磁感應(yīng)部上的形變緩沖層和引線框架上形成環(huán)氧樹脂，然后在第一厚度的引線框架上還薄薄地形成了環(huán)氧樹脂。
其次，如圖14所示，使用研磨機(jī)對(duì)表層的環(huán)氧樹脂面進(jìn)行研磨，使引線框架的第一厚度區(qū)域10a露出。
其次，沿圖14所示的切斷線14，使用寬度為0.2mm的刀片，沿XY方向切斷晶片，分離成了單個(gè)的霍爾元件。
最后，通過(guò)滾鍍，在引線框架的背面和通過(guò)切片鋸的切斷而出現(xiàn)的霍爾元件側(cè)面的引線框架的斷面及導(dǎo)電性樹脂斷面上，通過(guò)鍍Ni形成3微米的Ni，通過(guò)鍍錫形成2微米的錫焊，進(jìn)行了上述金屬的電鍍覆蓋。
這樣獲得的霍爾元件的斷面如圖1所示。本實(shí)施例的霍爾元件的尺寸為0.6×0.9的矩形，厚度為0.3mm。該霍爾元件的靈敏度在輸入電壓1V、0.05T磁通密度中的條件下平均約為110mV。
如下制作了載有半導(dǎo)體薄膜的氧化鋁基板。在對(duì)54mm見方、厚度為0.2mm的氧化鋁基板3的鏡面進(jìn)行了精加工的面上形成了3000埃的Al2O3。采用與實(shí)施例1相同的蒸鍍法，在它上面直接形成了電子移動(dòng)度為14000cm2/V/sec的InSb薄膜。
其次，用光刻法在晶片上形成霍爾元件圖形。構(gòu)成內(nèi)部電極和磁感應(yīng)部用的圖形后，通過(guò)刻蝕進(jìn)行圖形形成，采用分離蒸鍍法蒸鍍Ni和Cr，形成了內(nèi)部電極8。磁感應(yīng)部1的長(zhǎng)度為350微米，寬度為170微米。各霍爾元件用的一個(gè)片的大小為0.6mm×0.9mm的矩形。其次，采用掩模蒸鍍法在形成磁感應(yīng)部的表面上形成了3000埃的Al2O3。
然后，與實(shí)施例1同樣地形成抗焊劑(形變緩沖層5)，可是采用旋轉(zhuǎn)涂敷法涂敷厚度為30微米的抗焊劑后，經(jīng)過(guò)光刻工序只形成了規(guī)定的部分。以后，與實(shí)施例1相同，制作了磁電變換元件。
這樣獲得的霍爾元件是圖1所示的元件。本實(shí)施例的霍爾元件的尺寸為0.6×0.9的矩形，厚度為0.3mm。該霍爾元件的靈敏度在輸入電壓1V、0.05T磁通密度中的條件下平均約為32mV。
以靈敏度更高的霍爾元件為目的，經(jīng)過(guò)如下的工序制造了圖11所示的狀態(tài)的晶片。
首先，將劈開的云母作為蒸鍍基板，首先通過(guò)蒸鍍形成In過(guò)剩的InSb薄膜，其次，采用過(guò)剩地蒸鍍與InSb膜中的過(guò)剩的In形成化合物的Sb的方法，形成了厚度為0.7微米的電子移動(dòng)度為46000cm2/V/sec的InSb薄膜。其次，準(zhǔn)備54mm見方、厚度為0.25mm的NiZn鐵氧體基板4，將聚酰亞胺樹脂滴在上述的InSb薄膜上，將氧化鋁基板重疊在它上面，放置重物，在200℃的溫度下放置了12小時(shí)。
其次，返回室溫，將云母剝?nèi)?，作成了表面上形成了InSb薄膜的晶片。其次，用光刻法在晶片上形成了霍爾元件圖形。實(shí)施內(nèi)部電極用的構(gòu)圖，進(jìn)行無(wú)電解電鍍銅，為了加厚再進(jìn)行電解電鍍銅，其次，形成刻蝕圖形后，通過(guò)刻蝕，形成了磁感應(yīng)部1和內(nèi)部電極8。磁感應(yīng)部1的長(zhǎng)度為350微米，寬度為170微米。各霍爾元件用的一個(gè)片的大小為0.6mm×0.9mm的矩形。
其次，在形成磁感應(yīng)部1的表面上，采用特公平7-13987號(hào)公報(bào)中記載的方法，將硅樹脂作為粘合劑，將邊長(zhǎng)0.3mm、厚度為0.12mm的大致呈長(zhǎng)方體狀的MnZn鐵氧體芯片置于半導(dǎo)體裝置的磁感應(yīng)部1上。
其次，橫跨與各磁電變換元件的內(nèi)部電極部分相鄰的磁電變換元件的內(nèi)部電極部分，采用沖壓法涂敷厚度為20微米的將Ag作為填充物的導(dǎo)電性樹脂，然后，放置有兩個(gè)厚度的、第一厚度為0.15mm的引線框架，使該引線框架的圖形形狀和晶片上的霍爾元件的內(nèi)部電極形狀位置一致，對(duì)導(dǎo)電性樹脂進(jìn)行加熱硬化，進(jìn)行了內(nèi)部電極和引線框架的導(dǎo)電性接合。然后，與實(shí)施例1同樣地制作了霍爾元件。
這樣獲得的霍爾元件是圖4所示的元件。本實(shí)施例的霍爾元件的尺寸為0.6×0.9的矩形，厚度為0.4mm。該霍爾元件的靈敏度在輸入電壓1V、0.05T磁通密度中的條件下平均約為250mV。
如下制作了載有半導(dǎo)體薄膜的高磁導(dǎo)率磁性體基板。在對(duì)54mm見方、厚度為0.25mm的NiZn鐵氧體基板的鏡面進(jìn)行了精加工的面上形成了3000埃的SiO2。采用與實(shí)施例1相同的蒸鍍法，在它上面直接形成了電子移動(dòng)度為14000cm2/V/sec的InSb薄膜。
其次，用光刻法在晶片上形成霍爾元件圖形。進(jìn)行內(nèi)部電極和磁感應(yīng)部用的圖形構(gòu)圖，通過(guò)刻蝕進(jìn)行圖形形成，采用分離蒸鍍法蒸鍍Ni和Au，形成了內(nèi)部電極8。磁感應(yīng)部1的長(zhǎng)度為350微米，寬度為140微米。各霍爾元件用的一個(gè)片的大小為0.6mm×0.9mm的矩形。
其次，在形成磁感應(yīng)部1的表面上，采用特公平7-13987號(hào)公報(bào)中記載的方法，將硅樹脂作為粘合劑，將邊長(zhǎng)0.3mm、厚度為0.12mm的呈長(zhǎng)方體的MnZn鐵氧體芯片置于半導(dǎo)體裝置的磁感應(yīng)部1上。
其次，橫跨與各磁電變換元件的內(nèi)部電極部分相鄰的磁電變換元件的內(nèi)部電極部分，采用沖壓法涂敷厚度為20微米的將Ag作為填充物的導(dǎo)電性樹脂，然后，放置有兩個(gè)厚度的、第一厚度為0.15mm的引線框架，使該引線框架的圖形形狀和晶片上的磁電變換元件圖形形狀位置一致，對(duì)導(dǎo)電性樹脂進(jìn)行加熱硬化，進(jìn)行了內(nèi)部電極和引線框架的導(dǎo)電性接合。然后，與實(shí)施例1同樣地制作了霍爾元件。
這樣獲得的霍爾元件是圖4所示的元件。本實(shí)施例的霍爾元件的尺寸為0.6×0.9的矩形，厚度為0.4mm。該霍爾元件的靈敏度在輸入電壓1V、0.05T磁通密度中的條件下平均約為98mV。
在以上的實(shí)施例中，雖然以霍爾元件為例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明的概念及制造方法當(dāng)然也能適用于作為其他磁電變換元件的半導(dǎo)體MR和強(qiáng)磁性體MR、GMR。
圖15～圖24是表示本發(fā)明的磁電變換元件之一的霍爾元件的第二實(shí)施形態(tài)的示意剖面圖，圖15～圖19是表示作為基板，使用高磁導(dǎo)率磁性體基板、無(wú)機(jī)基板、玻璃基板、半導(dǎo)體基板、形成了半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體基板中的任意一種的情形的圖，圖20～圖24是表示在作為基板使用高磁導(dǎo)率磁性體基板的磁感應(yīng)部上設(shè)置了高磁導(dǎo)率磁性體芯片的情形的圖。
該第二實(shí)施形態(tài)的特征在于導(dǎo)電性地連接了磁感應(yīng)部1、內(nèi)部電極8和引線10的部分用樹脂12封裝起來(lái)。另外，以下參照

作為本發(fā)明的磁電變換元件的一例的霍爾元件的一例，但本發(fā)明不限定于這些實(shí)施例。
另外，具有與圖1～圖6相同的功能的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)以相同的標(biāo)記，圖15～圖19分別對(duì)應(yīng)于圖20～圖24。
在圖15、圖20所示的霍爾元件中，引線10至少有兩個(gè)以上厚度的第一厚度a的區(qū)域10a和第二厚度b的區(qū)域10b，第一厚度a比第二厚度b厚。
另外，引線10被置于至少在基板3的上表面上形成的內(nèi)部電極8上，至少將內(nèi)部電極8和引線10導(dǎo)電性地連接起來(lái)的部分9的側(cè)部、在基板3的表面上形成的磁感應(yīng)部1、內(nèi)部電極8、以及引線10用樹脂12封裝起來(lái)。
另外，第一厚度a的區(qū)域10a的引線10的面露出，成為與外部進(jìn)行導(dǎo)電性連接用端子13，從引線10的最小厚度到最大厚度之間的任意厚度的引線10的斷面在側(cè)面上露出。就是說(shuō)，在引線10上形成有該引線10的第一厚度a的背面連接用電極、以及通過(guò)切斷出現(xiàn)的有第一厚度a的側(cè)面電極。
這樣，在圖15、圖20中，例如橫跨與第一厚度a相鄰的磁電變換元件的內(nèi)部電極8，用相同的第一厚度a形成引線10的有第一厚度a的背面連接用電極部，通過(guò)將其中央切斷，形成第一厚度a的側(cè)面電極。
圖16、圖21表示，在側(cè)面上出現(xiàn)的引線10的斷面至少在從第一厚度a至第二厚度b之間為任意的厚度。
在圖16、圖21中，使橫跨相鄰的磁電變換元件的內(nèi)部電極8的引線10的厚度是比第一厚度a薄，不到第二厚度b之間的任意厚度，環(huán)氧樹脂形成后，通過(guò)將其中央切斷，形成比第一厚度a薄的引線10的側(cè)面。
圖17、圖22是在側(cè)面上出現(xiàn)的引線10上有臺(tái)階的情況，削去該臺(tái)階，在該削去后露出的部分上形成相當(dāng)于外部電極的金屬覆蓋膜13。就是說(shuō)，在側(cè)面上出現(xiàn)的引線10的斷面用第一厚度a設(shè)置臺(tái)階。
在圖17、圖22中，外部連接用電極的形態(tài)在圖15、圖20的狀態(tài)下形成環(huán)氧樹脂后，暫時(shí)進(jìn)行半切割，通過(guò)使用更細(xì)的刀片切斷中央部，形成引線10的側(cè)面。
圖18、圖23表示，引線10形成通過(guò)切斷成第一厚度a的外部連接用電極而出現(xiàn)的第一厚度a的引線10的斷面部，將該引線10的切斷面作為安裝面。
圖19、圖24表示，削去側(cè)面上出現(xiàn)的引線10，在該削去后的露出部分上形成相對(duì)于引線10的外部電極的金屬覆蓋膜13。就是說(shuō)，引線10用臺(tái)階形成通過(guò)切斷成第一厚度a的外部連接用電極而出現(xiàn)的第一厚度a的引線10的斷面，將引線10的切斷面作為安裝面。
圖25～圖28是說(shuō)明圖15～圖24所示的各實(shí)施例的制造方法用的圖，圖27、圖28分別是圖25、圖26的局部放大圖。
圖25是表示設(shè)置在高磁導(dǎo)率磁性體基板上的磁電變換元件的構(gòu)成部的圖，在作為高磁導(dǎo)率磁性體基板的鐵氧體基板4上形成多個(gè)磁電變換元件的圖形，再在磁感應(yīng)部1上放置高磁導(dǎo)率磁性體芯片7。就是說(shuō)，在高磁導(dǎo)率磁性體基板4上形成多個(gè)作為磁電變換元件的構(gòu)成部的磁感應(yīng)部1、內(nèi)部電極8、以及高磁導(dǎo)率磁性體芯片7。在作為圖25的局部放大圖的圖27中，示出了各磁電變換元件的內(nèi)部電極8、磁感應(yīng)部1、以及高磁導(dǎo)率磁性體芯片7的配置位置關(guān)系。
圖26是表示引線框架一并放置在各磁電變換元件的內(nèi)部電極圖形上的形態(tài)的圖。將圖25所示的基板粘貼在切斷用帶15上切斷成單個(gè)的片后，使具有兩個(gè)厚度的引線框架的第一厚度部分和內(nèi)部電極8位置一致地放置引線框架。就是說(shuō)，通過(guò)切片，將各磁電變換元件分割成單個(gè)片后，具有兩個(gè)厚度的引線框架一并放置在各磁電變換元件的內(nèi)部電極圖形上。在作為圖26的局部放大圖的圖28中，示出了各磁電變換元件的磁感應(yīng)部1、高磁導(dǎo)率磁性體芯片7、具有兩個(gè)厚度a、b的引線10的區(qū)域10a、10b的配置關(guān)系。
圖29、圖30是說(shuō)明圖18、圖19、圖23、圖24所示的各實(shí)施例的制造方法用的圖，圖29是磁電變換元件的局部放大圖，圖30是放置了具有兩個(gè)厚度的引線框架的磁電變換元件的局部放大圖。
圖29中示出了制作圖23所示的磁電變換元件時(shí)的鐵氧體基板4上形成的磁電變換元件的圖形，還示出了放置了高磁導(dǎo)率磁性體芯片7的狀態(tài)。另外，圖30中示出了在圖29的狀態(tài)下放置了引線框架的情況下，各磁電變換元件的內(nèi)部電極8、磁感應(yīng)部1、高磁導(dǎo)率磁性體芯片7、以及具有兩個(gè)厚度的引線10的配置關(guān)系。
用圖31～圖37說(shuō)明制作圖20所示的霍爾元件用的工序。
首先，將劈開的云母作為蒸鍍基板，先通過(guò)蒸鍍形成In過(guò)剩的InSb薄膜，其次，采用過(guò)剩地蒸鍍與InSb膜中的過(guò)剩的In形成化合物的Sb的方法，形成了厚度為0.7微米的電子移動(dòng)度為46000cm2/V/sec的InSb薄膜。其次，準(zhǔn)備54mm見方、厚度為0.25mm的鐵氧體基板4，將聚酰亞胺樹脂滴在上述的InSb薄膜上，將鐵氧體基板4重疊在它上面，放置重物，在200℃的溫度下放置了12小時(shí)。
其次，返回室溫，將云母剝?nèi)?，作成了表面上形成了InSb薄膜的晶片。其次，用光刻法在晶片上形成霍爾元件圖形。實(shí)施內(nèi)部電極用的構(gòu)圖，進(jìn)行無(wú)電解電鍍銅，為了加厚再進(jìn)行電解電鍍銅，其次，形成刻蝕圖形后，通過(guò)刻蝕，形成了磁感應(yīng)部1和內(nèi)部電極8。磁感應(yīng)部1的長(zhǎng)度為410微米，寬度為140微米。形成各霍爾元件的芯片沿X方向?yàn)?.95mm，沿Y方向?yàn)?.15mm。
其次，如圖31所示，在形成磁感應(yīng)部1的表面上，采用特公平7-13987號(hào)公報(bào)中記載的方法，將硅樹脂作為粘合劑，將邊長(zhǎng)0.27mm、厚度為0.15mm的呈長(zhǎng)方體的鐵氧體芯片置于半導(dǎo)體裝置的磁感應(yīng)部1上。
其次，如圖32所示，將切片時(shí)使用的切斷用帶15粘貼在鐵氧體基板的背面上，用0.35mm厚的切片刀片，按照上述的間距切斷。各霍爾元件用的一個(gè)片的大小為0.6mm×0.8mm的矩形，厚度為0.25mm。
其次，在各霍爾元件的片的各內(nèi)部電極部分上，采用沖壓法涂敷將Ag作為填充物的導(dǎo)電性樹脂，使各內(nèi)部電極圖形位置一致地放置有兩個(gè)厚度的、第一厚度為0.2mm的引線框架20，對(duì)導(dǎo)電性樹脂進(jìn)行加熱硬化，進(jìn)行了霍爾元件片的內(nèi)部電極8和引線框架20的導(dǎo)電性接合(圖33)。然后，將切斷用帶15除去。圖34是表示該狀態(tài)的剖面圖。
其次，如圖35所示，將耐熱帶16粘貼在引線框架20的第一厚度部分上，使切斷成單個(gè)片的鐵氧體基板4的底面朝上。
其次，用傳輸模方法，將圖35所示狀態(tài)的引線框架設(shè)置在槽的深度為0.2mm的下金屬模中，與槽的深度為0.35mm的上金屬模配合，在175℃的溫度下從切斷成了單個(gè)片的霍爾元件片的鐵氧體基板的背面或側(cè)面注入樹脂，從金屬模中取出后，進(jìn)行了硬化。圖36是表示其狀態(tài)的剖面圖。
其次，將耐熱帶除去后，粘貼切片時(shí)使用的切斷用帶，用0.25mm厚的切片刀片，再次沿著切斷線14進(jìn)行切斷，出現(xiàn)了引線10的第一厚度a和引線10的側(cè)面。另外，在鐵氧體基板4上形成1mm厚、還在各霍爾元件片側(cè)面上形成0.05mm厚的模制時(shí)使用的樹脂。
最后，通過(guò)滾鍍，在霍爾元件背面的引線、通過(guò)切斷出現(xiàn)的引線的斷面部上，進(jìn)行覆蓋適合于焊接的金屬用的電鍍，完成了霍爾元件。圖37是表示其狀態(tài)的剖面圖。
這樣獲得的霍爾元件的斷面如圖20所示。本實(shí)施例的霍爾元件的尺寸為0.7×0.9mm的矩形，厚度為0.55mm。該霍爾元件的靈敏度在輸入電壓1V、0.05T磁通密度中的條件下平均約為356mV。
如下制作了載有半導(dǎo)體薄膜的高磁導(dǎo)率磁性體基板。在對(duì)54mm見方、厚度為0.25mm的鐵氧體基板4的鏡面進(jìn)行了精加工的面上形成了3000埃的SiO2。采用與實(shí)施例5相同的蒸鍍法，在它上面直接形成了電子移動(dòng)度為24000cm2/V/sec的InSb薄膜。
其次，用光刻法在晶片上形成霍爾元件圖形。進(jìn)行內(nèi)部電極和磁感應(yīng)部用的圖形構(gòu)圖，通過(guò)刻蝕進(jìn)行圖形形成，采用分離蒸鍍法蒸鍍Ni和Au，形成了內(nèi)部電極。磁感應(yīng)部1的長(zhǎng)度為350微米，寬度為140微米。各霍爾元件片形成的間距沿X方向?yàn)?.95mm，沿Y方向?yàn)?.15mm。以下，與實(shí)施例5同樣地完成了霍爾元件。
這樣獲得的霍爾元件的斷面如圖20所示。本實(shí)施例的霍爾元件的尺寸為0.7×0.9的矩形，厚度為0.55mm。該霍爾元件的靈敏度在輸入電壓1V、0.05T磁通密度中的條件下平均約為190mV。
用圖38～圖43說(shuō)明制作圖20所示的霍爾元件用的另一工序。
將作為磁感應(yīng)部的半導(dǎo)體薄膜放置在作為高磁導(dǎo)率磁性體基板的厚度為0.25mm的鐵氧體基板4上，再形成了內(nèi)部電極后，與實(shí)施例5同樣地制作了在磁感應(yīng)部上形成放置了0.3mm×0.3mm的矩形、厚度為0.1mm的鐵氧體芯片的多個(gè)霍爾元件的基板。各霍爾元件片形成的間距沿X方向?yàn)?.88mm，沿Y方向?yàn)?.88mm。
其次，將切片時(shí)使用的切斷用帶15粘貼在鐵氧體基板的背面上，用0.88mm厚的切片刀片，按照上述的間距切斷。成為在各霍爾元件用的一個(gè)鐵氧體基板上放置了鐵氧體芯片的結(jié)構(gòu)的霍爾元件片的鐵氧體基板4的大小為0.8mm×0.8mm的矩形，厚度為0.25mm。此后，從切斷用帶15上剝離切斷了的霍爾元件的片。
其次，如圖38所示，將被振入到片接收孔中的必要量以上的霍爾元件片供給在吸引箱上按照沿X方向?yàn)?.45mm、沿Y方向?yàn)?.05mm的間距設(shè)置了所用數(shù)量的與霍爾元件片呈相似形的片接收孔的托板，霍爾元件片不再落下而覆蓋在托板17上后，使吸引箱總體振動(dòng)或搖動(dòng)或轉(zhuǎn)動(dòng)，用與吸引箱連通的孔吸附從各個(gè)接收孔以某種幾率進(jìn)入片接收孔的霍爾元件片，捕獲霍爾元件片，最后在全部片接收孔中使內(nèi)部電極朝上，將霍爾元件片排列在托板17上。
其次，如圖39所示，使有兩個(gè)厚度、第一厚度為0.15mm的引線框架20朝下，在引線框架20的所希望的位置上采用沖壓法涂敷將Ag作為填充物的導(dǎo)電性樹脂，使涂敷了導(dǎo)電性樹脂的位置和排列在托板上的各霍爾元件片的各自的內(nèi)部電極圖形位置一致后，解除吸引箱的吸引，從托板17將霍爾元件片放置在引線框架20上。
其次，如圖40所示，對(duì)導(dǎo)電性樹脂進(jìn)行加熱硬化，進(jìn)行了各霍爾元件片的內(nèi)部電極8和引線框架20的導(dǎo)電性連接。
其次，如圖41所示，將耐熱帶16粘貼在引線框架20的第一厚度a的部分10a上。
以下，用傳輸模方法，將圖41所示狀態(tài)的引線框架設(shè)置在槽的深度為0.15mm的下金屬模中，與槽的深度為0.35mm的上金屬模配合，在175℃的溫度下從切斷成了單個(gè)片的霍爾元件片的鐵氧體基板的背面或側(cè)面注入樹脂，從金屬模中取出后，進(jìn)行了硬化。圖42是表示其狀態(tài)的剖面圖。
其次，如圖43所示，將耐熱帶除去后，粘貼切片時(shí)使用的切斷用帶，用0.25mm厚的切片刀片，再次沿著作為形成霍爾元件片的間距的切斷線14進(jìn)行切斷，出現(xiàn)了引線10的第一厚度a和引線10的側(cè)面。另外，在鐵氧體基板4上形成0.1mm厚、還在各霍爾元件片的鐵氧體基板側(cè)面上形成0.2mm厚的模制時(shí)使用的樹脂。
最后，通過(guò)滾鍍，在霍爾元件背面的引線、通過(guò)切斷出現(xiàn)的引線的斷面部上，進(jìn)行覆蓋適合于焊接的金屬用的電鍍，完成了霍爾元件。
這樣獲得的霍爾元件的斷面如圖20所示。本實(shí)施例的霍爾元件的尺寸為1.2×1.8mm的矩形，厚度為0.50mm。該霍爾元件的靈敏度在輸入電壓1V、0.05T磁通密度中的條件下平均約為240mV。
為了制造圖15所示的霍爾元件，首先，將劈開的云母作為蒸鍍基板，首先通過(guò)蒸鍍形成In過(guò)剩的InSb薄膜，其次，采用過(guò)剩地蒸鍍與InSb膜中的過(guò)剩的In形成化合物的Sb的方法，形成了厚度為0.7微米的電子移動(dòng)度為46000cm2/V/sec的InSb薄膜。其次，準(zhǔn)備54mm見方、厚度為0.2mm的氧化鋁基板3，將聚酰亞胺樹脂滴在上述的InSb薄膜上，將氧化鋁基板3重疊在它上面，放置重物，在200℃的溫度下放置了12小時(shí)。其次，返回室溫，將云母剝?nèi)?，作成了表面上形成了InSb薄膜的晶片。
其次，用光刻法在晶片上形成霍爾元件圖形。實(shí)施內(nèi)部電極用的構(gòu)圖，進(jìn)行無(wú)電解電鍍銅，為了加厚再進(jìn)行電解電鍍銅，其次，形成刻蝕圖形，通過(guò)刻蝕，形成了磁感應(yīng)部1和內(nèi)部電極8。磁感應(yīng)部1的長(zhǎng)度為350微米，寬度為170微米。其次，在形成磁感應(yīng)部的表面上形成抗焊劑5，可是采用旋轉(zhuǎn)涂敷法涂敷厚度為30微米的抗焊劑后，經(jīng)過(guò)光刻工序至少覆蓋著形成了磁感應(yīng)部1。形成各霍爾元件的間距沿X方向?yàn)?.9mm，沿Y方向?yàn)?.1mm。
其次，將切片時(shí)使用的切斷用帶15粘貼在氧化鋁基板的背面上，用0.3mm厚的切片刀片，按照上述的間距切斷。各霍爾元件用的一個(gè)片的大小為0.6mm×0.8mm的矩形，厚度為0.15mm。
其次，在各霍爾元件片的各自的內(nèi)部電極部分上，采用沖壓法涂敷將Ag作為填充物的導(dǎo)電性樹脂，使各內(nèi)部電極圖形位置一致地放置有兩個(gè)厚度的、第一厚度為0.15mm的引線框架20，對(duì)導(dǎo)電性樹脂進(jìn)行加熱硬化，進(jìn)行了各霍爾元件片的內(nèi)部電極8和引線框架20的導(dǎo)電性接合。
以下，用真空中的絲網(wǎng)印刷法，使用開口部的厚度為0.2mm的金屬掩模，將呈圖35所示狀態(tài)的引線框架設(shè)置在印刷機(jī)的臺(tái)上，用金屬掩模壓在引線框架的周邊上，在真空狀態(tài)中進(jìn)行了環(huán)氧樹脂的印刷涂敷。對(duì)環(huán)氧樹脂進(jìn)行加熱硬化，將耐熱帶16除去后，使用厚度為0.2mm的刀片進(jìn)行了切片，此外與實(shí)施例5同樣地完成了霍爾元件。
這樣獲得的霍爾元件的斷面如圖15所示。本實(shí)施例的霍爾元件的尺寸為0.7×0.9mm的矩形，厚度為0.35mm。該霍爾元件的靈敏度在輸入電壓1V、0.05T磁通密度中的條件下平均約為110mV。
為了制造圖23所示的霍爾元件，用與實(shí)施例5同樣的方法，形成磁感應(yīng)部1和內(nèi)部電極8，通過(guò)粘合劑將邊長(zhǎng)為0.27mm、厚度為0.1mm的呈長(zhǎng)方體的鐵氧體芯片置于磁感應(yīng)部1上。磁感應(yīng)部1的長(zhǎng)度為350微米，寬度為140微米，形成了圖29中的晶片局部放大圖所示的圖形。形成各霍爾元件的間距沿X方向?yàn)?.5mm，沿Y方向?yàn)?.8mm。
其次，將切片時(shí)使用的切斷用帶15粘貼在鐵氧體基板的背面上，用0.3mm厚的切片刀片，按照上述的間距切斷。各霍爾元件用的一個(gè)片的大小為2.2mm×0.5mm的矩形，厚度為0.25mm。
其次，在各霍爾元件片的各自的內(nèi)部電極部分上，采用沖壓法涂敷將Ag作為填充物的導(dǎo)電性樹脂，使各內(nèi)部電極圖形位置一致地放置有兩個(gè)厚度的、第一厚度為0.15mm的引線框架20，對(duì)導(dǎo)電性樹脂進(jìn)行加熱硬化，進(jìn)行了各霍爾元件片的內(nèi)部電極8和引線框架20的導(dǎo)電性接合。以下，用真空中的絲網(wǎng)印刷法，將呈圖35所示狀態(tài)的引線框架設(shè)置在形成深度為0.15mm的槽的下金屬模中，上金屬模的槽的深度為0.55mm，使用厚度為0.2mm的刀片進(jìn)行了切片，此外與實(shí)施例5同樣地完成了霍爾元件。
這樣獲得的霍爾元件的斷面如圖23所示。本實(shí)施例的霍爾元件的尺寸為2.3×0.6mm的矩形，厚度為0.7mm。該霍爾元件的靈敏度在輸入電壓1V、0.05T磁通密度中的條件下平均約為194mV。如圖23所示，成為與外部導(dǎo)電性連接用端子的第一厚度區(qū)域10a的引線10的面與長(zhǎng)方體的一個(gè)面的一邊連接并且露出，成為側(cè)面電極，將與該一邊連接的另一個(gè)面的通過(guò)切片形成的切斷面作為安裝面，成為高度為0.6mm的檢測(cè)水平方向磁通密度的霍爾元件。
為了制造圖24所示的霍爾元件，用與實(shí)施例9同樣的方法，實(shí)施了直至圖36所示狀態(tài)的傳輸模為止的工序。
其次，將切片時(shí)使用的切斷用帶15粘貼在鐵氧體基板的背面上，用0.35mm厚的切片刀片，將圖30所示的切斷線14的線作為刀片的中心線，進(jìn)行調(diào)整，以便從第一厚度的引線的面開始的切入量的深度為0.1mm，按照0.8mm的間距只沿著一個(gè)方向進(jìn)行了半切割。
其次，使用厚度為0.2mm的切片刀片，再次將圖30所示的切斷線14作為刀片的中心線，按照Y方向?yàn)?.8mm的間距，然后按照X方向?yàn)?.5mm的間距進(jìn)行了切片。此外，與實(shí)施例5同樣地完成了霍爾元件。
這樣獲得的霍爾元件的斷面如圖24所示。與實(shí)施例9同樣，本實(shí)施例的霍爾元件的尺寸為2.3×0.6mm的矩形，厚度為0.7mm，另外成為外部連接用電極的一邊被削去的形態(tài)。如圖24所示，成為與外部導(dǎo)電性連接用端子的第一厚度區(qū)域的引線的面與長(zhǎng)方體的一個(gè)面的一邊相接并且露出，成為側(cè)面電極，成為該一邊被削去的狀態(tài)，將與該一邊相接的另一個(gè)面的通過(guò)切片而成的切斷面作為安裝面，成為高度為0.6mm的檢測(cè)水平方向磁通密度的霍爾元件。
工業(yè)上利用的可能性至少有兩個(gè)以上厚度的引線被放置在基板的上表面上形成的內(nèi)部電極上，至少在基板的上表面上形成的磁感應(yīng)部、內(nèi)部電極和引線用樹脂封裝起來(lái)，第一厚度區(qū)域的引線的面露出，成為與外部導(dǎo)電性連接用端子，從引線的最小厚度到最大厚度之間任意厚度的引線的斷面在側(cè)面上露出，能提供極小型、薄型且不破壞元件就能進(jìn)行安裝時(shí)的良好與否的判斷、且磁電變換元件的電極部的形成簡(jiǎn)便的磁電變換元件。
權(quán)利要求
1.一種磁電變換元件，其特征在于備有設(shè)置了磁感應(yīng)部及內(nèi)部電極的基板；搭載于該內(nèi)部電極上，至少有第一厚度區(qū)域和第二厚度區(qū)域，且上述第一厚度比上述第二厚度厚的引線；將在上述基板的表面上形成的磁感應(yīng)部、上述內(nèi)部電極和上述引線的一部分封裝起來(lái)的樹脂；以及設(shè)置在上述引線的上述第一厚度區(qū)域的露出面上的外部連接用端子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁電變換元件，其特征在于導(dǎo)電性地連接上述內(nèi)部電極和上述引線的部分的側(cè)部用樹脂封裝。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁電變換元件，其特征在于在從上述引線的最小厚度至最大厚度之間的任意厚度的上述引線的斷面在側(cè)面上露出。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁電變換元件，其特征在于連接上述內(nèi)部電極和上述引線的一側(cè)的該引線的面、以及在安裝時(shí)同外部進(jìn)行導(dǎo)電性連接的該引線的露出面的垂直斷面的厚度是該引線的第一厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁電變換元件，其特征在于上述引線不從上述側(cè)面突出，上述引線的側(cè)面是切斷面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁電變換元件，其特征在于至少在上述露出的引線的表面上形成金屬覆蓋膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁電變換元件，其特征在于上述內(nèi)部電極和上述引線利用導(dǎo)電性樹脂或金屬導(dǎo)電性地連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁電變換元件，其特征在于上述基板由高磁導(dǎo)率磁性體構(gòu)成，在該高磁導(dǎo)率磁性體的表面上形成進(jìn)行磁感應(yīng)的薄膜，且在上述薄膜上載置高磁導(dǎo)率磁性體芯片，上述薄膜被上述高磁導(dǎo)率磁性體的基板和上述高磁導(dǎo)率磁性體芯片夾在中間。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁電變換元件，其特征在于載置于上述薄膜上的高磁導(dǎo)率磁性體芯片的厚度在上述引線的第一厚度以內(nèi)，以被插入到該引線的面內(nèi)的空隙中的形式配置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁電變換元件，其特征在于上述基板是無(wú)機(jī)基板、或玻璃基板、或半導(dǎo)體基板等的非磁性基板，且形成進(jìn)行磁感應(yīng)的薄膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁電變換元件，其特征在于上述基板是形成半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體基板，在上述半導(dǎo)體基板上形成進(jìn)行磁感應(yīng)的薄膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁電變換元件，其特征在于上述進(jìn)行磁感應(yīng)的薄膜通過(guò)摻雜形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁電變換元件，其特征在于是在上述基板的內(nèi)部形成半導(dǎo)體元件和通過(guò)摻雜進(jìn)行磁感應(yīng)的部分的半導(dǎo)體基板。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁電變換元件，其特征在于在磁感應(yīng)部上形成形變緩沖層，再在它上面形成樹脂。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁電變換元件，其特征在于大致呈長(zhǎng)方體形狀，成為與外部導(dǎo)電性連接用端子的第一厚度區(qū)域的引線面配置得與長(zhǎng)方體的一個(gè)面的一邊接觸并且露出，將接在該一邊上的另一個(gè)面作為安裝面。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的磁電變換元件，其特征在于大致呈長(zhǎng)方體形狀，成為與外部導(dǎo)電性連接用端子的第一厚度區(qū)域的引線面配置得與長(zhǎng)方體的一個(gè)面的一邊接觸并且露出，該面的一邊的引線的露出部分被削去。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的磁電變換元件，其特征在于在上述引線的被削去的露出部分上形成金屬覆蓋膜。
18.一種磁電變換元件的制造方法，其特征在于包括下列工序在基板的表面上形成進(jìn)行磁感應(yīng)的薄膜，在該薄膜上形成多個(gè)磁感應(yīng)部的圖形以及由金屬構(gòu)成的內(nèi)部電極，一并形成多個(gè)磁電變換元件的工序；在上述多個(gè)磁電變換元件的內(nèi)部電極部上，通過(guò)導(dǎo)電性樹脂或金屬連接至少有第一厚度區(qū)域和第二厚度區(qū)域，且上述第一厚度比上述第二厚度厚的引線框架的工序；將在上述基板的表面上形成的磁感應(yīng)部、上述內(nèi)部電極和上述引線框架的一部分封裝起來(lái)的工序；以及以形成上述磁電變換元件的間距進(jìn)行切片，使上述多個(gè)磁電變換元件單個(gè)化的工序。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的磁電變換元件的制造方法，其特征在于上述基板是高磁導(dǎo)率磁性體基板。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的磁電變換元件的制造方法，其特征在于上述基板是無(wú)機(jī)基板、或玻璃基板、或半導(dǎo)體基板等的非磁性基板。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的磁電變換元件的制造方法，其特征在于在一并形成上述多個(gè)磁電變換元件的工序和配置上述引線框架的工序之間，包括通過(guò)粘接層將大致呈長(zhǎng)方體的高磁導(dǎo)率磁性體一并配置在上述多個(gè)磁感應(yīng)部上的工序，
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的磁電變換元件的制造方法，其特征在于在將在上述基板的表面上形成的磁感應(yīng)部、上述內(nèi)部電極和上述引線框架的一部分封裝起來(lái)的工序之后，包括使上述引線框架的第一厚度區(qū)域露出的工序。
23.根據(jù)權(quán)利要求18或22所述的磁電變換元件的制造方法，其特征在于包括將適合焊接的金屬覆蓋在上述露出的引線框架的第一厚度區(qū)域、以及在側(cè)面露出的引線框架的斷面上的工序。
24.一種磁電變換元件的制造方法，其特征在于包括下列工序在基板的表面上形成進(jìn)行磁感應(yīng)的薄膜，在該薄膜上形成多個(gè)磁感應(yīng)部的圖形及由金屬構(gòu)成的內(nèi)部電極，一并形成多個(gè)磁電變換元件的工序；通過(guò)樹脂將大致呈長(zhǎng)方體的高磁導(dǎo)率磁性體芯片配置在上述多個(gè)磁感應(yīng)部上的工序；將帶粘貼在上述基板上，以形成磁電變換元件的間距進(jìn)行切片，使多個(gè)磁電變換元件單個(gè)化的第一單個(gè)化工序；通過(guò)導(dǎo)電性樹脂或金屬，將至少有兩種厚度的引線框架連接在上述多個(gè)磁電變換元件的內(nèi)部電極上的工序；然后，將上述單個(gè)化工序中使用的帶除去的工序；將耐熱帶粘貼在上述引線框架的面上的工序；從上述基板的背面或側(cè)面注入樹脂一并封裝的工序；去除上述耐熱帶的工序；以及再次以形成上述磁電變換元件的間距進(jìn)行切片，使多個(gè)磁電變換元件單個(gè)化的第二單個(gè)化工序。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的磁電變換元件的制造方法，其特征在于上述基板是高磁導(dǎo)率磁性體基板。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的磁電變換元件的制造方法，其特征在于上述基板是無(wú)機(jī)基板、玻璃基板、半導(dǎo)體基板、或形成了半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體基板。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的磁電變換元件的制造方法，其特征在于在上述第一單個(gè)化工序和連接上述引線框架的工序之間，具有利用裝載結(jié)構(gòu)使方向一致地將上述單個(gè)化了的多個(gè)磁電變換元件定向地放置于在托架上形成的多個(gè)槽內(nèi)的工序，且從上述基板的背面或側(cè)面注入樹脂一并封裝。
28.根據(jù)權(quán)利要求24、25、26或27所述的磁電變換元件的制造方法，其特征在于包括將適合焊接的金屬覆蓋在露出的引線框架的第一厚度區(qū)域或在側(cè)面露出的引線框架的斷面上的工序。
全文摘要
提供一種磁電變換元件及其制造方法，該磁電變換元件極其薄型而且不破壞元件就能進(jìn)行安裝時(shí)的良好與否的判斷、還能使安裝面積小?；?3)是非磁性基板，引線(10)形成了第一厚度的背面連接用電極和通過(guò)切斷出現(xiàn)的第一厚度的側(cè)面電極。另外，在靈敏度更高的霍爾元件的情況下，基板(4)是高磁導(dǎo)率磁性體基板，引線(10)形成了第一厚度的背面連接用電極和通過(guò)切斷出現(xiàn)的第一厚度的側(cè)面電極。引線(10)的第一厚度的背面連接用電極部橫跨與第一厚度相鄰的磁電變換元件的內(nèi)部電極(8)，用相同的第一厚度形成，通過(guò)切斷其中央，形成第一厚度的側(cè)面電極。
文檔編號(hào)H01L43/14GK1545740SQ03800860
公開日2004年11月10日 申請(qǐng)日期2003年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月19日
發(fā)明者福中敏昭, 山本淳 申請(qǐng)人:旭化成電子株式會(huì)社