專利名稱：用于制備可分離半導(dǎo)體組件的工藝、特別是制成電子器件、光電器件和光學(xué)器件用的襯底的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體襯底的制造，特別涉及用于電子、光電和光學(xué)工業(yè)的半導(dǎo)體襯底的制造。
由較厚支座上的膜或薄層構(gòu)成的襯底是已知的。
電子、光電或光學(xué)部件被制造在這種襯底的薄膜中，如果在其制造中的至少一些步驟之后必須施加于其它支座上，這個(gè)薄膜趨于與支座分離。
為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，近年來已經(jīng)發(fā)展了用于將有用的薄層與其支座分開的技術(shù)。因此，“外延移去(epitaxial lift off)”技術(shù)在III和V組分類的元件范疇內(nèi)是公知的，并且由在支座和薄膜之間插入另一薄層構(gòu)成，其中另一薄膜被稱為犧牲層，這個(gè)犧牲層是由外延技術(shù)制造的。
實(shí)際上，犧牲層是通過第一外延操作制造在支座上的，并且有用的薄層也是通過外延技術(shù)制造的。
制造犧牲層以便相對(duì)于支座和有用薄層選擇性地刻蝕它；例如，AlAs犧牲層形成在GaAs支座和AlGaAs有用層之間。
在這個(gè)公知技術(shù)中，通過異質(zhì)外延技術(shù)獲得的犧牲薄層是單晶的并且很薄。它的性能取決于進(jìn)行生長(zhǎng)的支座的材料。
在由M.Sickmiller等人在1998年、在International Symposium onMicroelectronics上發(fā)表的文章“Ultra-high efficiency light-emittingdiodes through epitaxial lift-offpackaging”中特別介紹了外延移去技術(shù)，它的可行性對(duì)于具有幾平方厘米數(shù)量級(jí)面積的支座表面和薄層已經(jīng)得到證實(shí)。
然而，補(bǔ)充測(cè)試對(duì)這項(xiàng)技術(shù)用于較大面積的可行性提出質(zhì)疑，例如，用在工業(yè)襯底中的幾百平方厘米數(shù)量的面積。
用于制造可分離鍵合的另一方案可由如下步驟構(gòu)成在支座和薄層之間進(jìn)行分子鍵合，然后在適當(dāng)?shù)臅r(shí)侯在鍵合界面處進(jìn)行分離。
在這種鍵合期間獲得的鍵合力根據(jù)不同參數(shù)(主要是表面粗糙度、表面的親水性、材料之間的化學(xué)親合力、它們的蠕變能力(creepability)、溫度等)而變化。在有些情況下，這種分離是值得考慮的。
然而，如果在這種鍵合之后施加于薄層的熱預(yù)算很大，這特別是在制造用于LED的襯底期間的情況，其中有些處理的溫度(特別是使用MOCVD技術(shù)的外延)可能達(dá)到或顯著超過1000-1100℃，這個(gè)預(yù)算對(duì)鍵合界面的影響必須明顯加強(qiáng)界面，如果可行的話，分離變得更困難。
特別是，當(dāng)制造LED用襯底時(shí)，必須在通過外延淀積氮化物或其它物質(zhì)之前，為制備表面，在氫化氣氛下在支座/薄膜組件上進(jìn)行需要這種高溫的熱處理，特別是熱氧化步驟或表面平滑步驟，這些步驟都是在高于1150℃的溫度下進(jìn)行的。
因此，例如，如果在例如添加在支座和由碳化硅SiC構(gòu)成的薄層上的兩個(gè)氧化物層之間進(jìn)行分子鍵合，這個(gè)溫度將顯著地增加鍵合力，使它們達(dá)到至少2焦耳/m2，因此不可能進(jìn)行分離。
本發(fā)明趨于提供一種可分離鍵合界面，特別用于制造LED用襯底，如藍(lán)、綠和紫外(UV)LED，其即使在高溫(1100-1150℃或甚至更高)下處理之后也能保持可分離。
這樣，根據(jù)第一方案的本發(fā)明提供一種制備用于電子、光電或光學(xué)領(lǐng)域的半導(dǎo)體基組件的工藝，該半導(dǎo)體基組件包括第一層如支座層和第二層如薄層，其特征在于包括以下步驟只在兩層之一上形成界面層，使其上形成界面層的層與另一暴露層彼此接觸，選擇界面層作為暴露層中的材料的函數(shù)，以便形成鍵合界面，在暴露于預(yù)定范圍內(nèi)的溫度之后施加的應(yīng)力作用下可分離該鍵合界面。
在另一有利實(shí)施例中，至少暴露層由碳化硅制成，在這種情況下，界面層由選自包含氧化硅和氮化硅的組的材料制成。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)應(yīng)用，一個(gè)層形成用于通過外延生長(zhǎng)形成襯底的核層，另一層形成用于核層的臨時(shí)支撐層。
分離應(yīng)力優(yōu)選是機(jī)械應(yīng)力。
根據(jù)第二方案，本發(fā)明提供一種用于制備應(yīng)用于電子、光電或光學(xué)領(lǐng)域的半導(dǎo)體基組件的工藝，其中半導(dǎo)體基組件包括支座和薄層，該組件被設(shè)計(jì)成可以在給定范圍內(nèi)進(jìn)行高溫處理，其特征在于，它包括如下步驟在支座和薄層之間通過進(jìn)行接觸形成可分離界面，并且在具有足夠小的彼此化學(xué)反應(yīng)能力的兩種界面材料之間形成分子鍵合，以便在兩種界面材料已經(jīng)接觸之后將組件暴露于所述高溫產(chǎn)生足夠弱的鍵合，由此在所述暴露于高溫之后通過施加應(yīng)力可分離它們。
優(yōu)選地，彼此化學(xué)反應(yīng)的界面材料的低潛力是所述界面材料的弱本征相互化學(xué)親合力和/或兩種界面材料的至少一個(gè)的低蠕變力的結(jié)果。
在第一實(shí)施例中，兩種界面材料是不同的并且分別由添加到支座上的界面層中的材料構(gòu)成和直接由薄層中的材料構(gòu)成。特別是，“在層上添加”指的是通過淀積或通過支座的表面厚度的化學(xué)改性如氧化等形成的層。
在第二實(shí)施例中，兩種界面材料是不同的并且分別由添加到薄層上的界面層構(gòu)成和直接由支座材料構(gòu)成。
對(duì)于材料可以考慮的幾個(gè)可能性如下-在其上添加界面層的材料選自半導(dǎo)電氧化物和半導(dǎo)電氮化物的組，而不同的材料是半導(dǎo)電碳化物，有利的是單晶，-兩種界面材料是半導(dǎo)電氮化物，如Si3N4，-兩種界面材料分別是半導(dǎo)電氮化物和半導(dǎo)體氧化物。
上述半導(dǎo)體通常是硅。
有利地，至少一種界面材料具有固有的粗糙表面，換言之，在沒有任何粗糙化處理的材料的商業(yè)形式中，表面粗糙度明顯大于1埃ms，并且通常大約為4到5埃rms。這可以是支座材料本身，或者可以是薄層本身的材料。這種固有粗糙材料的典型例子是碳化硅，是當(dāng)前在商業(yè)上可獲得的并具有罕有地小于4埃rms的粗糙度?；蛘?，固有粗糙表面可以通過在不太粗糙的表面上進(jìn)行淀積而獲得，這種類型的淀積將固有地導(dǎo)致具有高達(dá)4到5埃rms的粗糙度的不良表面條件。
在一個(gè)特殊實(shí)施例中，該組件包括碳化硅襯底，由單晶碳化硅制成的有用層，由選自氧化硅和氮化硅的材料制成的界面層，該界面層添加到面對(duì)有用層的襯底的一面上或者添加到面對(duì)襯底的有用層的一面上。
根據(jù)第三方案，本發(fā)明提供一種制備用于制造光電部件如發(fā)光二極管、特別是藍(lán)光LED的襯底的工藝，其特征在于它包括如下步驟制備根據(jù)前述權(quán)利要求之一的組件，通過外延法在組件的有用層的自由表面上制造至少一個(gè)襯底層，和將其上形成外延層的有用層在組件的界面處從襯底上分離開。
外延層則優(yōu)選用以半導(dǎo)電金屬氮化物為基礎(chǔ)的半導(dǎo)電材料制造。
根據(jù)第四方案，本發(fā)明介紹了一種制備用于電子、光電和光學(xué)應(yīng)用的半導(dǎo)體基組件的工藝，該組件包括支座和薄層，該組件被設(shè)計(jì)成能抵制給定范圍內(nèi)的高溫，其特征在于它包括如下步驟通過在兩個(gè)一般平表面之間進(jìn)行接觸和分子鍵合，在支座和薄層之間形成可分離的界面，至少一個(gè)表面是單晶材料的表面，對(duì)于該單晶材料主晶面具有相對(duì)于所述表面的平面的輕微傾斜度，所述表面由此具有粗糙度，從而在兩種界面材料已經(jīng)接觸之后將該組件暴露于所述高溫將產(chǎn)生十分弱的鍵合，這樣通過在所述暴露之后施加應(yīng)力可以將它們分離。
有利地，在現(xiàn)在可在商業(yè)上獲得的碳化硅的情況下，這個(gè)輕微的傾斜度在3度和8度之間。通常，對(duì)于這種材料，優(yōu)選沿著(11-20)方向或(1-100)方向進(jìn)行相對(duì)于晶體的(0001)軸的失定向，但是也可以沿著其它方向。
在閱讀參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的下列詳細(xì)說明之后將更清楚本發(fā)明的其它方案、目的和優(yōu)點(diǎn)，下面的優(yōu)選實(shí)施例是非限制性的例子，其中

圖1a-1e表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的工藝的步驟，和圖2a-2e表示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的工藝的步驟。
現(xiàn)在我們將介紹包括在可分離襯底上的外延步驟的本發(fā)明的實(shí)施例。這些例子適用于藍(lán)、綠或UVLED和激光二極管在薄層中的制造，目的是為了更好地提取發(fā)射光或?yàn)榱烁玫厣⑷ビ捎谙蛞r底上添加外延層產(chǎn)生的熱量，其中襯底由良好的導(dǎo)熱材料制成，如銅或金剛石。
在本例中，考慮的外延堆疊是以由GaN型化物和它們的衍生物如ALN、GaAlN、GaAlInN等、更一般為大間隙金屬氮化物形成的半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的。
第一實(shí)施例示于圖1a-1e中。首先參照?qǐng)D1a，第一步是制備固體支座10，它例如由多晶硅碳化物SiC或4H或6H單晶SiC或藍(lán)寶石制成。還制備包括由碳化硅SiC、優(yōu)選4H或6H單晶構(gòu)成的施主襯底20的組件，并具有在這種情況下由氧化硅SiO2制成的界面層26。
然后，在制造氧化物層220的步驟之前或之后，對(duì)襯底20進(jìn)行在給定平均深度的用于一種或幾種氣體物質(zhì)的注入步驟。這個(gè)注入產(chǎn)生脆裂平面24，界定與氧化物層相鄰的薄層22和襯底20的其余部分(如在文獻(xiàn)FR-A-2681472中特別介紹的Smart-Cut-注冊(cè)商標(biāo)。
圖1B示出了支座10和組件20、22、26之間的分子鍵合，以便支座10中的碳化硅與氧化物層26直接接觸。
順便，并且如上所述，應(yīng)該注意的是通過這種方式利用商業(yè)上可得到的SiC的4到5埃rms粗糙度制成的SiC/SiO2鍵合界面(在SiC一側(cè))產(chǎn)生固有粗糙表面，而與是否在4H或6H型SiC的Si表面或C表面上進(jìn)行鍵合無關(guān)。因此，不必進(jìn)行SiC的粗糙化處理。
此外，考慮到只是在通常低于1150℃的溫度下輕微氧化SiC，因此鍵合表面之一相對(duì)于另一個(gè)的反應(yīng)性仍然受限(對(duì)于與Si面接觸和對(duì)于與C面接觸，即使反應(yīng)性不與下面看到的相同)，并且在任何情況下都大大低于對(duì)于由SiO2制成的兩個(gè)鍵合襯底獲得的反應(yīng)性。
認(rèn)為在高溫下增強(qiáng)SiO2/SiO2鍵合界面通過產(chǎn)生Si-O-Si硅氧烷鍵和通過接觸表面的蠕變來解釋。在SiC/SiO2界面的情況下，SiC表面的化學(xué)穩(wěn)定性意味著這些鍵在考慮的溫度下沒有充分形成或根本沒有形成。
然而，在這方面，應(yīng)該增加的是根據(jù)4H或6H SiC晶體的C或Si面與氧化物是否接觸可以觀察到不同的行為，這是因?yàn)樯婕暗拿婧蚐iO2之間的化學(xué)反應(yīng)性造成的。因此，優(yōu)選使用對(duì)氧化反應(yīng)較C面不靈敏的Si面，并且因此與Si面的鍵合能將作為添加的熱能的函數(shù)而緩慢增加。
此外，SiC的性能是它與SiO2層接觸的表面不會(huì)蠕變(即使SiO2本身可能蠕變)，并且與SiO2的反應(yīng)性受到限制，這就對(duì)保持鍵合的脆性起作用，即使在將圖1b中的組件暴露于高于1150℃的溫度下。
根據(jù)一個(gè)改型實(shí)施例，可以切割施主襯底20，使得用于采樣層22的它的表面相對(duì)于該結(jié)構(gòu)的主晶面之一輕微傾斜。這個(gè)傾斜優(yōu)選在3度到8度之間。通過這種方式，將作為轉(zhuǎn)移層22的自由表面具有相對(duì)于這個(gè)表面上的晶體的連續(xù)偏移的階梯，這對(duì)有益于所需可分離性能的粗糙度的增加起作用。
接觸之后，如圖1b所示，利用由Smart-Cut和派生技術(shù)本身所知的方式，通過施加熱預(yù)算和/或適當(dāng)?shù)臋C(jī)械應(yīng)力消除襯底20的質(zhì)量，在氧化物層26上只留下SiC薄層22。顯然，薄層22可以通過任何其它合適削薄技術(shù)來制成。
后續(xù)步驟由以下步驟構(gòu)成例如利用制造LED常用的方式，通過一個(gè)或幾個(gè)外延淀積操作在形成核層的這個(gè)薄層22的頂部淀積材料的堆疊體30，如上述氮化物。
因而，首先特別通過拋光、退火、平滑退火(例如在氫氣下)、犧牲氧化(其中消除了形成的氧化物薄層)、刻蝕、平滑表面處理等制備核層22。
在可用于制造外延層的堆疊體的不同材料當(dāng)中，有些特別是用的材料是氮化鎵GaN、氮化鋁AlN、氮化鎵鋁AlGaN、氮化銦鎵GaInN等，核層22例如由單晶SiC、藍(lán)寶石Si(111)、單晶氮化鎵GaN、氧化鎵釹NdGaO2、或氧化鎵鋰，LiGaO2。
選擇的支座材料10可以例如是多晶或單晶SiC、藍(lán)寶石、或者多晶AlN或GaN。
對(duì)于厚度，支座層10可以例如是幾百微米厚(通常為300μm)，而核層22的厚度將是0.1-1μm數(shù)量級(jí)。
界面層26的厚度為1μm數(shù)量級(jí)。
用于制造有用層的外延技術(shù)可以使用本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的技術(shù)進(jìn)行，特別是可以使用MBE(分子束外延)技術(shù)或MOCVD(金屬-有機(jī)化學(xué)汽相淀積)。
在第一種情況下，外延生長(zhǎng)溫度很少超過600℃，而在第二種情況下可高達(dá)1050到1100℃。
這里重要的是應(yīng)該注意到如前所述，在后種情況下，由于在低于1100-1150℃的溫度下分子鍵合界面的強(qiáng)度不明顯增加，因此這個(gè)界面保持了有益于其后面分離的脆性，如將看到的。
這個(gè)堆疊體30示于圖1d中。
最后，參照?qǐng)D1e，在支座10和層26之間的SiC/SiO2界面處將由堆疊體30、薄層22和氧化物層26構(gòu)成的組件分開，這個(gè)界面包括如上所述的保持受限的鍵合力。
特別是，這個(gè)分開行為是例如使用刀片、利用手動(dòng)或自動(dòng)控制通過施加機(jī)械應(yīng)力和/或剪切力和/或彎曲應(yīng)力來實(shí)現(xiàn)的。
在這個(gè)工藝結(jié)束時(shí)和適當(dāng)?shù)谋砻嫣幚碇?，支?0可以被再用，并且施主襯底20也可以再用，并將進(jìn)行淀積SiO2層的步驟和用于注入如上所述的氣體物質(zhì)的步驟。
圖2a-2e是表示與圖1a-1e中的工藝類似的工藝，主要差別在于參與可分離界面中的氧化物層SiO2被制造在支座10上而不是制造在源襯底20上；在這種情況下，這個(gè)氧化物層用參考標(biāo)記12表示。因此，如果源襯底20由SiC制成，氧化物層12和源襯底20之間的分子鍵合(圖2b)具有與在圖1a-1e中的情況下在氧化物層26和支座10之間獲得的可分離性能相同的可分離性能。
圖2c和2d示出了的削薄步驟和通過類似于圖1c和1d中的外延技術(shù)制造堆疊體的步驟。
在這個(gè)第二例子中，可以在層12和20之間進(jìn)行分離，并且得到的產(chǎn)品示于圖2e中。
可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行很多改型。特別是，可以通過在分別在支座10上和在源襯底20上淀積的兩層氮化硅Si3N4之間形成這個(gè)鍵而獲得在可分離的鍵合界面處的消弱的分子鍵。特別是，通過必須使用淀積技術(shù)(與通常通過表面熱氧化制造的氧化物層不一樣)制成的這些層，這種類型的淀積必須產(chǎn)生對(duì)于最后自由表面層所固有的特殊粗糙度。此外，Si3N4在比SiO2高的溫度下蠕變。顯然，在這種情況下，不必進(jìn)行可能過量減消粗糙度的拋光處理。
根據(jù)另一改型，可以在淀積在支座10或源襯底20上的SiO2層和淀積在源襯底20上或支座10上的Si3N4層之間進(jìn)行鍵合。
而且，甚至在高溫下也能在這兩層之間形成很少的強(qiáng)硅氧烷類型或其它類型的鍵，并且該鍵合在處理之后保持可分離。
根據(jù)另一改型，將在支座10或源襯底20上提供SiO2層，并在另一側(cè)上可提供具有合適固有粗糙度的層，以便SiO2層和該粗糙層之間的鍵合力將只在所需溫度下適當(dāng)?shù)禺a(chǎn)生，而不用特別的粗糙化處理，因此這種鍵合保持可分離。
例如，這個(gè)固有粗糙層可通過淀積非晶或單晶硅來形成。
關(guān)于這一點(diǎn)，對(duì)于形成鍵合的材料不必是彼此不同的。
例如，利用鍵兩側(cè)的SiC的固有粗糙度、它的低蠕變性和它與本身的低化學(xué)反應(yīng)能力，可以進(jìn)行SiC上SiC的直接鍵合。作為改型，如果需要的話，SiC層可淀積在薄層或支座層上，以便增加固有粗糙度。
根據(jù)另一例子，可以以幾種可能性進(jìn)行直接Si上Si鍵合-使用多晶硅(特別是用于支座)，以得益于涉及晶粒間界的存在的其固有粗糙度；-附加地，或者作為改型，可以在支座層或在薄層上或在這兩者上淀積界面層Si，如上所述，產(chǎn)生增加的固有粗糙度。
根據(jù)另一例子，SiC薄層可直接淀積在藍(lán)寶石支座上。
本領(lǐng)域技術(shù)人員在前述說明的基礎(chǔ)上很容易想到其它例子。
除了前述這些部件以外，本發(fā)明還可適用于制造各種類型的半導(dǎo)體基組件，特別是砷化鎵AsGa。
權(quán)利要求
1.一種制備用于電子、光電或光學(xué)應(yīng)用的半導(dǎo)體基組件的工藝，該組件包括第一層如支座層和第二層如薄層，其特征在于包括如下步驟只在所述兩層之一上形成界面層，使其上形成界面層的層與另一暴露層彼此接觸，選擇所述界面層作為所述暴露層中的材料的函數(shù)，以便形成鍵合界面，所述鍵合界面在暴露于預(yù)定范圍內(nèi)的溫度之后，在施加的應(yīng)力作用下可分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的工藝，其特征在于至少所述暴露層由碳化硅制成，并優(yōu)選由單晶碳化硅制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的工藝，其特征在于所述界面層由選自包含氧化硅和氮化硅的組的材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中之一的工藝，其特征在于所述層中的一個(gè)形成用于通過外延生長(zhǎng)形成襯底的核層，所述另一層形成用于核層的臨時(shí)支座層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中之一的工藝，其特征在于所述應(yīng)力是機(jī)械應(yīng)力。
6.一種制備應(yīng)用于電子、光電或光學(xué)領(lǐng)域的半導(dǎo)體基組件的工藝，其中半導(dǎo)體基組件包括支座和薄層，該組件被設(shè)計(jì)成可以在給定范圍內(nèi)進(jìn)行高溫處理，其特征在于，它包括如下步驟通過在具有足夠小的彼此化學(xué)反應(yīng)能力的兩種界面材料之間進(jìn)行接觸和形成分子鍵合，在所述支座和所述薄層之間形成可分離界面，以便在兩種界面材料已經(jīng)接觸之后將所述組件暴露于所述高溫產(chǎn)生足夠弱的鍵合，由此在所述暴露后通過施加應(yīng)力可分離它們。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的工藝，其特征在于彼此化學(xué)反應(yīng)的界面材料的低潛力是所述界面材料的弱本征相互化學(xué)親合力的結(jié)果。
8.根據(jù)權(quán)利要求6和7之一的工藝，其特征在于彼此化學(xué)反應(yīng)的界面材料的低潛力是所述兩種界面材料的至少之一的低蠕變性的結(jié)果。
9.根據(jù)權(quán)利要求6-8之一的工藝，其特征在于兩種界面材料是不同的。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的工藝，其特征在于所述兩種不同界面材料分別由添加到支座上的界面層中的材料構(gòu)成和直接由薄層中的材料構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的工藝，其特征在于兩種不同的界面材料由添加到所述薄層上的界面層的材料和直接由所述支座材料構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求10和11之一的工藝，其特征在于在其上添加界面層的材料選自包含半導(dǎo)電氧化物和半導(dǎo)電氮化物的組，而不同的材料是半導(dǎo)電碳化物。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的工藝，其特征在于所述半導(dǎo)電氮化物是單晶。
14.根據(jù)權(quán)利要求6-8之一的工藝，其特征在于所述兩種界面材料是半導(dǎo)電氮化物。
15.根據(jù)權(quán)利要求6-8之一的工藝，其特征在于所述兩種界面材料之一是半導(dǎo)電氮化物，另一個(gè)是半導(dǎo)電氧化物。
16.根據(jù)權(quán)利要求12-15之一的工藝，其特征在于所述半導(dǎo)體由硅制成。
17.根據(jù)權(quán)利要求6-16之一的工藝，其特征在于至少一個(gè)界面材料具有固有粗糙表面。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的工藝，其特征在于固有粗糙界面材料由支座材料本身形成。
19.根據(jù)權(quán)利要求17的工藝，其特征在于固有粗糙界面材料由所述薄層本身的材料形成。
20.根據(jù)權(quán)利要求17的工藝，其特征在于所述固有粗糙界面材料由在不太粗糙的表面上淀積界面材料形成的。
21.根據(jù)權(quán)利要求6的工藝，其特征在于該組件包括碳化硅襯底，由碳化硅制成的有用層，由選自包含氧化硅和氮化硅的組的材料制成的界面層，該界面層添加到面對(duì)所述薄層的襯底的一面上或者添加到面對(duì)所述襯底的所述薄層的一面上。
22.一種制備用于制造光電部件如發(fā)光二極管(LED)、特別是藍(lán)光LED的襯底的工藝，其特征在于它包括如下步驟執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求6-21之一所述的工藝以獲得包括在支座上的薄層的組件，通過外延法在該組件的薄層的自由表面上制造至少一個(gè)襯底層，和將其上形成外延層的薄層在所述組件的所述界面處從所述支座分離開。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的工藝，其特征在于所述外延層用以半導(dǎo)電金屬氮化物為基礎(chǔ)的半導(dǎo)電材料制造。
24.一種制備用于電子、光電和光學(xué)應(yīng)用的半導(dǎo)體基組件的工藝，該組件包括支座和薄層，該組件被設(shè)計(jì)成能抵御給定范圍內(nèi)的高溫，其特征在于它包括如下步驟通過在兩個(gè)一般平表面之間進(jìn)行接觸和分子鍵合，在支座和薄層之間形成可分離的界面，至少一個(gè)表面是單晶材料的表面，對(duì)于該單晶材料主晶面具有相對(duì)于所述表面的平面的輕微傾斜度，所述表面由此具有粗糙度，因而在兩種界面材料已經(jīng)接觸之后將該組件暴露于所述高溫將產(chǎn)生充分弱的鍵合，這樣通過在所述暴露之后施加應(yīng)力可以將它們分離。
25.根據(jù)權(quán)利要求24的工藝，其特征在于所述輕微傾斜度在3度和8度之間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制備以包括第一層如薄層(22)的半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的組件(10、12、22、30)的工藝。該工藝包括以下步驟只在兩層之一(22)上形成界面層(26)，使其上形成界面層的層與另一暴露層彼此接觸，選擇所述界面層(26)作為暴露層中的材料的函數(shù)，以便形成鍵合界面，可以在暴露于預(yù)定范圍內(nèi)的溫度之后在應(yīng)力作用下分離該鍵合界面。本發(fā)明還可以應(yīng)用于電子、光電或光學(xué)領(lǐng)域的可與支座分離的襯底的制造。
文檔編號(hào)H01L21/20GK1771583SQ03805027
公開日2006年5月10日 申請(qǐng)日期2003年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月22日
發(fā)明者F·勒泰特, B·吉斯倫, O·雷薩克 申請(qǐng)人:S.O.I.Tec絕緣體上硅技術(shù)公司