專(zhuān)利名稱(chēng)：具有溝槽放電單元的等離子顯示板及其制造方法
本申請(qǐng)對(duì)于申請(qǐng)于2002年1月14日，臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)?0/347292的題為“PlasmaDisplay Panel Having Three-Dimensional Electrode Structure”，申請(qǐng)于2002年5月29日，臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)?0/383604的題為“Trench Cells for Plasma DisplayPanel”，申請(qǐng)于2002年7月25日，臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)?0/398112的題為“Trench Cellsfor Plasma Display Panel”以及申請(qǐng)于2002年9月6日，臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)?0/409,277的題為“Capillary Discharge Plasma”的四個(gè)臨時(shí)申請(qǐng)主張優(yōu)先權(quán)利益，該四個(gè)申請(qǐng)均通過(guò)引用而結(jié)合在本文中。
背景技術(shù)：
發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種等離子顯示板，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種具有溝槽放電單元的等離子顯示板及其制造方法。雖然本發(fā)明適合于廣闊的應(yīng)用范圍，但本發(fā)明特別適合于改進(jìn)等離子顯示板的發(fā)光效率以及減小等離子顯示板的驅(qū)動(dòng)電壓。
相關(guān)技術(shù)的討論等離子顯示板(PDP)由產(chǎn)生紫外線(xiàn)的大量等離子單元構(gòu)成。然后紫外線(xiàn)由磷光層轉(zhuǎn)化為可見(jiàn)的顯示器發(fā)射光。顯示器的亮度和效率主要取決于等離子單元產(chǎn)生紫外線(xiàn)的強(qiáng)度和效率。


圖1顯示了AC型的等離子顯示板的常規(guī)結(jié)構(gòu)。常規(guī)的等離子顯示板由一個(gè)前基板和一個(gè)后基板組成。兩塊基板之間形成的空間中充滿(mǎn)惰性氣體。
前基板包括一個(gè)第一玻璃襯底11，一個(gè)淀積在其上的帶狀透明導(dǎo)電層12以及一個(gè)總體上由銀漿形成并補(bǔ)償一個(gè)透明介電層14的高電阻的總線(xiàn)電極13。透明介電層14限制電流的數(shù)量并發(fā)射來(lái)自磷光層的可見(jiàn)光。黑條紋層15由黑絕緣層形成，其改進(jìn)了對(duì)比比例。保護(hù)層(未顯示)由氧化鎂形成，其高度耐離子放電期間的沖擊并增強(qiáng)二次電子的放電。一對(duì)由透明導(dǎo)電層12和總線(xiàn)電極13形成的電極被形成為一個(gè)放電單元。
后基板包括一個(gè)有形成在其上的地址電極和用于該地址電極的保護(hù)層18的第二玻璃襯底16，一個(gè)肋狀柵欄19和淀積在其上的磷光層20。
現(xiàn)在敘述具有上述結(jié)構(gòu)的的等離子顯示板的運(yùn)行。強(qiáng)放電發(fā)生在后基板上的地址電極17和前基板上的電極對(duì)中的一個(gè)電極之間。然后，為了維持等離子放電，一個(gè)AC信號(hào)被發(fā)送到前基板上的電極對(duì)中的一個(gè)電極。作為放電的結(jié)果，帶有紫外區(qū)域波長(zhǎng)的光子被發(fā)射出來(lái)。紫外區(qū)域光子的發(fā)射激發(fā)了后基板上的磷光層20，磷光層20發(fā)射可見(jiàn)光，可見(jiàn)光被用來(lái)形成顯示器上的畫(huà)面或圖象。
在具有上述結(jié)構(gòu)的等離子顯示裝置中，發(fā)光和效率是確定該裝置的質(zhì)量的主要因素。常規(guī)的AC型表面放電PDP有下列缺點(diǎn)。
由于放電單元內(nèi)外放電路程的長(zhǎng)度的差異，電場(chǎng)不能均勻地產(chǎn)生。在單位放電單元的內(nèi)部放電較強(qiáng)，靠近單元的外部放電較弱，因此就不能得到均勻的放電以及來(lái)自均勻放電的高發(fā)光效率。還有，電極具有二維平面的結(jié)構(gòu)。這樣，根據(jù)高分辨率，電極的面積越小，發(fā)光的效率就越低，驅(qū)動(dòng)電壓就越高。
發(fā)明概述因此，本發(fā)明致力于一種具有溝槽放電單元的等離子顯示板及其制造方法，本發(fā)明的等離子顯示板及其制造方法基本消除了相關(guān)技術(shù)中的局限和缺點(diǎn)引起的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在下文的敘述中闡明，通過(guò)敘述，在某種程度上將變得明白無(wú)誤，或可以在本發(fā)明的實(shí)踐中得到理解。通過(guò)在說(shuō)明書(shū)，權(quán)利要求書(shū)以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)將實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目標(biāo)和其他優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)上述的和其他的優(yōu)點(diǎn)以及根據(jù)本發(fā)明的目標(biāo)，如已經(jīng)實(shí)施的和廣泛說(shuō)明的那樣，等離子顯示板具有眾多溝槽放電單元，一個(gè)和多個(gè)支撐電極以及一個(gè)或多個(gè)總線(xiàn)電極，包括一個(gè)透明的襯底，該襯底在放電單元有至少一個(gè)隔離的溝槽，其中該溝槽在垂直于支撐電極的方向有一個(gè)第一長(zhǎng)度，在平行于支撐電極的方向有一個(gè)第二長(zhǎng)度，第一長(zhǎng)度比第二長(zhǎng)度更長(zhǎng)。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，等離子顯示板具有眾多溝槽放電單元，包括一個(gè)透明的襯底，該襯底在放電單元有至少一個(gè)隔離的溝槽，每個(gè)溝槽有一個(gè)或多個(gè)支撐電極并延伸到溝槽的外面，在支撐電極上有一個(gè)或多個(gè)總線(xiàn)電極，在包括支撐電極，總線(xiàn)電極和溝槽的透明襯底的整個(gè)表面還有一個(gè)介電層，其中介電層在溝槽的底部有一個(gè)第一部分，在襯底的溝槽的外面有一個(gè)第二部分，在溝槽的側(cè)壁上有一個(gè)第三部分，并且其中溝槽在垂直于支撐電極的方向有一個(gè)第一長(zhǎng)度，在平行于支撐電極的方向有一個(gè)第二長(zhǎng)度，第一長(zhǎng)度比第二長(zhǎng)度更長(zhǎng)。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，制造等離子顯示板的方法包括在透明襯底的放電單元形成至少一個(gè)隔離溝槽，在溝槽中形成一個(gè)或多個(gè)支撐電極并延伸到溝槽外面，在支撐電極上形成一個(gè)或多個(gè)總線(xiàn)電極，在包括支撐電極，總線(xiàn)電極和溝槽的透明襯底的整個(gè)表面形成一個(gè)介電層，其中介電層在溝槽的底部有一個(gè)第一部分，一個(gè)延伸到溝槽的外面的第二部分和一個(gè)在溝槽的側(cè)壁上的第三部分，并且其中溝槽在垂直于支撐電極的方向有一個(gè)第一長(zhǎng)度，在平行于支撐電極的方向有一個(gè)第二長(zhǎng)度，第一長(zhǎng)度比第二長(zhǎng)度更長(zhǎng)。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，制造等離子顯示板的方法包括在透明襯底形成至少一個(gè)溝槽，在溝槽中形成一個(gè)或多個(gè)支撐電極并延伸到溝槽外面，僅在位于溝槽外面的支撐電極的延伸部分上形成一個(gè)或多個(gè)總線(xiàn)電極，在包括支撐電極，總線(xiàn)電極和溝槽的透明襯底的整個(gè)表面形成一個(gè)第一介電層，其中第一介電層在溝槽的底部有一個(gè)第一部分，一個(gè)溝槽的外面的第二部分和一個(gè)在溝槽的側(cè)壁上的第三部分，以及在溝槽中形成眾多分區(qū)以在透明襯底中形成至少一個(gè)隔離溝槽。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，制造等離子顯示板的方法包括在第一基板形成一個(gè)或多個(gè)溝槽，在溝槽中形成一個(gè)或多個(gè)支撐電極并延伸到溝槽外面，僅在位于溝槽外面的支撐電極的延伸部分上形成一個(gè)或多個(gè)總線(xiàn)電極，在包括支撐電極，總線(xiàn)電極和溝槽的透明襯底的整個(gè)表面形成一個(gè)第一介電層，其中第一介電層在溝槽的底部有一個(gè)第一部分，一個(gè)溝槽的外面的第二部分和一個(gè)在溝槽的側(cè)壁上的第三部分，在第二基板上形成一個(gè)地址電極，在包括第二基板的地址電極上形成第二介電層，以及在第二基板上形成眾多突起以在第一和第二基板之間形成至少一個(gè)隔離溝槽。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，等離子顯示板具有眾多溝槽放電單元，包括一個(gè)透明的襯底，該襯底在放電單元有至少一個(gè)隔離溝槽，每個(gè)溝槽有一個(gè)或多個(gè)支撐電極并延伸到溝槽的外面，在支撐電極上有一個(gè)或多個(gè)總線(xiàn)電極，在包括支撐電極，總線(xiàn)電極和溝槽的透明襯底的整個(gè)表面還有一個(gè)介電層，其中介電層在溝槽的底部有一個(gè)第一部分，在襯底的溝槽的外面有一個(gè)第二部分，在溝槽的側(cè)壁上有一個(gè)第三部分，其中溝槽在垂直于支撐電極的方向有一個(gè)第一長(zhǎng)度，在平行于支撐電極的方向有一個(gè)第二長(zhǎng)度，第一長(zhǎng)度基本比第二長(zhǎng)度更長(zhǎng)以在放電單元中產(chǎn)生一個(gè)陽(yáng)極區(qū)效應(yīng)。
在本發(fā)明的還有一個(gè)實(shí)施例中，等離子顯示板具有眾多溝槽放電單元，包括一個(gè)透明的襯底，該襯底在放電單元有至少一個(gè)隔離溝槽，每個(gè)溝槽有一個(gè)或多個(gè)支撐電極并延伸到溝槽的外面，在支撐電極上有一個(gè)或多個(gè)總線(xiàn)電極，在包括支撐電極，總線(xiàn)電極和溝槽的透明襯底的整個(gè)表面還有一個(gè)介電層，其中介電層在溝槽的底部有一個(gè)第一部分，在襯底的溝槽的外面有一個(gè)第二部分，在溝槽的側(cè)壁上有一個(gè)第三部分，其中第一部分有大于第一和第二部分的厚度。
可以理解的是，上文的總體闡述和下文的詳細(xì)描述都是舉例和說(shuō)明性的，其目的在于對(duì)本發(fā)明提供進(jìn)一步的說(shuō)明。
附圖簡(jiǎn)述所包括的附圖對(duì)本發(fā)明提供進(jìn)一步的說(shuō)明，被結(jié)合在本申請(qǐng)中并構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，附圖描繪了本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例并和說(shuō)明書(shū)一起用作對(duì)本發(fā)明的原理的解釋。
附圖中圖1是描繪常規(guī)的AC型等離子顯示板的展開(kāi)的透視圖；圖2A和2B描繪了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子顯示板的單位放電單元的示意平面圖和剖面圖；圖3A到3D描繪了圖2A和2B的溝槽的各種形狀的頂視圖；圖4A到4D描繪了圖2A到2D的溝槽的示意剖面圖；圖5A到5D是描繪制造等離子顯示板的放電單元的依次工序的剖面圖；圖6A到6G描繪了制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子顯示板的放電單元的另一個(gè)依次工序的透視圖；圖7A到7C描繪了形成如圖6F所示的介電分區(qū)的其他的方法；圖8A到8E描繪了制作根據(jù)本發(fā)明設(shè)計(jì)的等離子顯示板的總線(xiàn)電極的其他方法；圖9A到9F描繪了制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子顯示板的放電單元的另一個(gè)依次工序的透視圖；圖10A到10E描繪了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的等離子顯示板的單位放電單元的示意平面圖和剖面圖；圖11A到11D是圖10A和10B所示的溝槽的部分頂視圖；圖12A到12C描繪了帶有支撐電極之間的變化間隙的實(shí)施例；圖12D描繪了帶有支撐電極之間的間隙的溝槽結(jié)構(gòu)的三維視圖；圖12E描繪了圖12B敘述的結(jié)構(gòu)的三維視圖；圖12F到12H是溝槽底部的支撐電極的不同形狀的示意平面圖；圖12I是圖12F的透視圖；圖13A到13D描繪了如圖10A和10B所示的第二實(shí)施例的溝槽的示意剖面圖；圖14是根據(jù)本發(fā)明的襯底上的肋狀柵欄的其他設(shè)計(jì)；圖15A到15C描繪了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例具有傾斜溝槽壁的單元結(jié)構(gòu)；圖16A到16C描繪了根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例具有傾斜溝槽壁的單元結(jié)構(gòu)；圖17A到17C描繪了根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例具有傾斜溝槽壁的單元結(jié)構(gòu)；圖18A是描繪具有恒定半徑R的大致為圓的容積的一個(gè)側(cè)面的溝槽容積的示意圖；和圖18B是描繪具有長(zhǎng)短軸r1和r2的大致為橢圓的容積的一個(gè)側(cè)面的溝槽容積的示意圖。
圖示實(shí)施例的詳細(xì)描述下文將詳細(xì)參考所說(shuō)明的本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，用附圖對(duì)各個(gè)實(shí)例進(jìn)行說(shuō)明。在所有的附圖中，只要可能，同一個(gè)參考數(shù)字被用來(lái)表示同一個(gè)部件。
圖2A和2B描繪了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子顯示板的單位放電單元的示意平面圖和剖面圖；如圖2A和2B所示，多于一個(gè)的分段的溝槽22可形成在玻璃襯底21中總線(xiàn)電極24之間，因此在放電單元中每個(gè)溝槽都被隔離。用于支撐電極的諸如氧化銦錫(ITO)的透明導(dǎo)電層23被淀積在包括玻璃襯底21的溝槽22中。最好，總線(xiàn)電極24形成在玻璃襯底21的上部，如圖2B所示。但是總線(xiàn)電極也可以部分或全部形成在溝槽22中。這樣的實(shí)施例都在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。作為保護(hù)層的透明介電層25和氧化鎂層(未顯示)依次淀積在整個(gè)表面上。
圖3A到3D描繪了圖2A和2B的溝槽的各種形狀的頂視圖。
如圖3A到3D所示，溝槽可以有任何形狀，包括圓形(圖3C和3D)或方形(圖3A和3B)。另外，雖然在圖中未顯示，溝槽也可以形成其他各種幾何形狀，諸如橢圓或矩形。在本發(fā)明中也可以組合多于一種的形狀，形成各種尺寸。本技術(shù)領(lǐng)域熟練的人員將知道其他的形狀和組合，這些形狀和組合都在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
圖4A到4D描繪了圖2A到2D的各種溝槽的示意剖面圖。
第一實(shí)施例中的溝槽可以具有各種剖面形狀，如圖4A到4D所示。例如，它們可以是矩形平整溝槽形(圖4A)，傾斜溝槽形(圖4B)，多臺(tái)階溝槽形(圖4C)和圓溝槽形(圖4D)中的一種。這樣，剖面圖中底部的形狀可以是平整，臺(tái)階，V形和U形中的一種。本技術(shù)領(lǐng)域熟練的人員將知道其他的形狀和組合，這些形狀和組合都在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
圖5A到5D是描繪制造等離子顯示板的放電單元的依次工序的剖面圖。
新的單元由一個(gè)或多個(gè)被通過(guò)化學(xué)刻蝕，噴砂，激光燒灼(即準(zhǔn)分子或CO2)，紫外線(xiàn)鉆孔或其他手段刻進(jìn)第一玻璃襯底的溝槽構(gòu)成。襯底層的透明度和粗糙度直接影響亮度。刻槽以后，通過(guò)用CeO溶液的表面研磨，表面粗糙可以得到改進(jìn)。透明的支撐電極從頂部平整的襯底表面向下延伸到溝槽的兩個(gè)相對(duì)的壁，在某些實(shí)施例中還沿溝槽的地面延伸，并部分地在另一兩個(gè)壁上延伸。兩個(gè)銀總線(xiàn)電極位于襯底板的頂平面上，和溝槽的邊緣分離，但和支撐電極接觸。溝槽的長(zhǎng)度由總線(xiàn)電極之間的溝槽的尺寸限定并通常大于其寬度。然后在襯底的頂平面，電極，溝槽壁和地面的上面涂覆絕緣體的涂層。這可以通過(guò)僅作為實(shí)例的絲網(wǎng)印刷，浸漬，涂漿，膠帶貼等方法進(jìn)行。如圖5D所示，不計(jì)絕緣層的溝槽的深度在30到500微米之間，但最好在100到200微米之間。溝槽的長(zhǎng)度可以在100到1000微米之間，但最好在200到800微米之間。深度(D)可以在50到350微米之間，但將取決于每個(gè)單元是否用一個(gè)或多個(gè)溝槽。為了單元的優(yōu)化的性能，溝槽的L/D比可以大于1。
如圖5A-5D所示，通過(guò)應(yīng)用濕法刻蝕或干法刻蝕，玻璃襯底51經(jīng)加工后在其中形成一個(gè)或多個(gè)隔離的溝槽，如圖5A所示。例如，噴砂，諸如拋光的機(jī)械加工法或壓模法可以被用作干法刻蝕。化學(xué)刻蝕法可以被用作濕法刻蝕。
在圖5B中，透明導(dǎo)電層53，諸如ITO被淀積在溝槽52內(nèi)部，最好包括溝槽52外部顯示區(qū)域的玻璃襯底51。當(dāng)然，導(dǎo)電層53可以?xún)H在溝槽內(nèi)，這樣的結(jié)構(gòu)也在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。透明導(dǎo)電層53通過(guò)光刻形成圖形而構(gòu)成支撐電極。
然后，總線(xiàn)電極54形成在溝槽52外透明導(dǎo)電層53的邊緣上，如圖5C所示?？偩€(xiàn)電極54也可以部分形成在溝槽52內(nèi)或完全在溝槽52內(nèi)(未顯示)。
在圖5D中，形成總線(xiàn)電極54后，通過(guò)絲網(wǎng)印刷，浸漬涂覆或噴霧等方法在整個(gè)顯示區(qū)域上形成介電層55。然后例如氧化鉛(PbO)的介電材料層55被置于溝槽和電極結(jié)構(gòu)的上面。介電層的厚度取決于介電材料的介電常數(shù)。但是，當(dāng)用PbO時(shí)，介電層將有10到100微米的厚度，最好的厚度范圍為20到40微米。然后介電層55被涂覆一層金屬氧化物(未顯示)，例如氧化鎂(MgO)以提供二次電子源并保護(hù)介電層免受來(lái)自等離子離子轟擊濺射的沾染。
另外，一個(gè)諸如氧化鎂層(未顯示)的保護(hù)層可以被淀積在介電層55上并有約3000到7000微米的厚度。例如，該保護(hù)層可以通過(guò)電子束蒸發(fā)，濺射或離子注入等方法淀積。
由于該種結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，放電主要發(fā)生在玻璃襯底51中產(chǎn)生溝槽52引起的容積之內(nèi)。為了保持電力線(xiàn)垂直于電極，溝槽的壁基本垂直，但由于制造的局限也可以少許傾斜，這將導(dǎo)致有少許斜度的壁。
雖然在圖上未畫(huà)出，也可以通過(guò)用上述方法在整個(gè)襯底上淀積一個(gè)介電層并用噴砂法處理該介電層形成溝槽。這樣的實(shí)施例可以有利于控制溝槽有更精確的形狀。
本發(fā)明中溝槽的尺寸可以在水平尺寸(L)約20到20000微米，垂直尺寸(D)約5到10000微米的范圍內(nèi)。溝槽有垂直于支撐電極方向的第一長(zhǎng)度和平行于支撐電極方向的第二長(zhǎng)度。為了放電單元的有效運(yùn)行，本發(fā)明中第一長(zhǎng)度基本上大于第二長(zhǎng)度。
本發(fā)明允許在PDP中通過(guò)各種設(shè)計(jì)方法的陽(yáng)極區(qū)的產(chǎn)生。例如，在溝槽底部的支撐電極覆蓋充分厚度的介電層以幾乎全部在支撐電極的壁部之間產(chǎn)生穩(wěn)定的等離子放電。通過(guò)這樣的方法，在溝槽的底部上支撐電極幾乎沒(méi)有或完全沒(méi)有對(duì)電場(chǎng)發(fā)生貢獻(xiàn)。
達(dá)到這種電場(chǎng)構(gòu)型的另一種單元結(jié)構(gòu)在溝槽的地面取消或接近取消支撐電極，并將溝槽底部上的介電層的厚度減小到幾十微米。本發(fā)明中，這樣迫使放電主要在溝槽的垂直電極表面之間發(fā)生。
在這些單元結(jié)構(gòu)中可以建立被稱(chēng)為“正等離子柱”的運(yùn)行模式。
正等離子柱是非常穩(wěn)定和有效的等離子，其只消耗低電流而同時(shí)有等離子能量到UV光發(fā)射的高轉(zhuǎn)換效率。實(shí)際上，正等離子柱通常是產(chǎn)生等離子輻射的最有能量效率的模式。熒光燈是普遍應(yīng)用的這種等離子模式的最普通的實(shí)例。PDP研究者們?cè)谒麄兊娘@示單元中嘗試建立正等離子柱已有多年，但還沒(méi)有一種努力被證明是成功的。陽(yáng)極區(qū)等離子對(duì)于PDP高度理想，因?yàn)樵诎l(fā)光效率上實(shí)質(zhì)性的增加對(duì)于該技術(shù)的成功的擴(kuò)展市場(chǎng)的商業(yè)化是非常必須的。本發(fā)明在PDP單元中建立這樣的正等離子柱是第一次。
圖6A到6G描繪了制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子顯示板的放電單元的另一個(gè)依次工序的透視圖。
首先參考圖6A，一系列溝槽62用例如化學(xué)刻蝕，激光燒灼，噴砂或研磨的方法加工在玻璃襯底61上。
在圖6B中，透明電極層63形成在玻璃襯底61上，溝槽62形成在其中。透明導(dǎo)電層63可以由諸如氧化銦錫(ITO)，氧化錫(SnO2)，其他的透明導(dǎo)電氧化物以及經(jīng)得起后繼處理的導(dǎo)電聚合物的材料構(gòu)成。淀積透明導(dǎo)電層的方法包括化學(xué)氣相淀積(CVD)，浸漬涂覆，旋轉(zhuǎn)涂覆，蒸發(fā)(電子束或其他方法)或?yàn)R射中的一種。
透明導(dǎo)電層63被形成圖形以構(gòu)成如圖6C所示的分離的支撐電極63-1。形成透明電極層63的圖形可以通過(guò)激光燒灼，常規(guī)的光刻或銑加工等方法進(jìn)行。
在圖6D中，總線(xiàn)電極64形成在支撐電極63-1上?？偩€(xiàn)電極64的材料可以包括例如用于制造PDP的膠，鉻銅薄膜(Cr/Cu/Cr)，鉻鋁薄膜(Cr/Al)或通常在PDP工業(yè)中使用的其他金屬的組合。光敏膠也可以用于用光刻法形成總線(xiàn)電極。制作總線(xiàn)電極的方法可以包括印刷，薄膜工藝及光刻，或厚膜工藝及光刻。
介電層65淀積在覆蓋總線(xiàn)電極64和透明電極63-1的整個(gè)表面上，如圖6E所示。介電層65可以由PbO膠，PbO印刷電路基板材料以及介電灰漿中的一種組成。淀積介電層的方法可以是印刷，層疊或浸漬中的一種。
在圖6F中，溝槽62中形成多個(gè)分區(qū)66以形成充當(dāng)放電單元的隔離溝槽。分區(qū)66可以由類(lèi)似于在案常規(guī)的PDP生產(chǎn)中用以形成肋狀柵欄的陶瓷膠或光敏膠構(gòu)成。分區(qū)66可以用噴砂和厚膜工藝的組合或厚膜工藝和光刻的組合形成。
在圖6G中，氧化鎂(MgO)涂層被施加到整個(gè)表面上作為保護(hù)層。氧化鎂涂層可以用濺射工藝，蒸發(fā)工藝或任何其他淀積氧化物層的工藝施加。
圖7A到7C描繪了形成如圖6A-6F所示的介電分區(qū)的其他的方法。在這些過(guò)程中，介電分區(qū)被置于背面，含有地址電極和磷光層。這樣的方法具有很多重要的優(yōu)點(diǎn)。例如，可以由某些成本優(yōu)勢(shì)，因?yàn)樵撨^(guò)程不需要另一個(gè)緊跟機(jī)械加工步驟的介電層的涂覆步驟。
在圖7A中，背面用常規(guī)的方式在玻璃板700上制造地址電極710。該面然后涂覆一個(gè)介電層720。肋狀分區(qū)730通過(guò)印刷工藝或其他適當(dāng)?shù)姆椒ㄖ糜诮殡妼?20上。在這種結(jié)構(gòu)中，肋狀柵欄可以不必要，因?yàn)閺那懊娴奖趁娴奶庄B形成了隔離的單元柱。
在圖7B中，玻璃板刻上深溝以產(chǎn)生肋狀柵欄740。介電分區(qū)730用印刷或用帶一個(gè)附屬掩模的二次刻蝕工藝形成在肋狀分區(qū)上。然后電極710被置于玻璃板700上并涂覆介電層720。
圖7C描繪了肋狀柵欄結(jié)構(gòu)740，介電柵欄730被直接置于肋狀柵欄結(jié)構(gòu)之上。
圖8A到8E描繪了制作根據(jù)本發(fā)明設(shè)計(jì)的等離子顯示板的總線(xiàn)電極的其他方法；溝槽80被刻進(jìn)玻璃頂部溝槽的任何一個(gè)側(cè)面，如圖8A所示。在圖8B，然后玻璃被涂覆上ITO或其他透明的導(dǎo)電材料81。然后刻蝕透明導(dǎo)電體81以形成圖8C中的電極圖形。然后在圖8D中溝槽用印刷工藝或其他適當(dāng)?shù)姆椒ㄌ畛溷y或其他導(dǎo)電材料82。然后在圖8E中整個(gè)玻璃板用例如浸漬工藝，印刷工藝或?qū)盈B工藝涂覆介電材料83。
圖9A到9F描繪了制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子顯示板的放電單元的另一個(gè)依次工序的透視圖。
在圖9A中，用化學(xué)刻蝕，激光燒灼，噴砂或研磨在玻璃襯底91上加工眾多隔離溝槽92。在該過(guò)程中，和先前的方法相比加工步驟數(shù)可以減少。
如圖9B所示，用作支撐電極的透明導(dǎo)電層93形成在玻璃襯底91和隔離溝槽92上。透明導(dǎo)電層93可以用諸如氧化銦錫(ITO)，氧化錫(SnO2)，其他透明的導(dǎo)電氧化物或能經(jīng)受后續(xù)的工藝步驟的導(dǎo)電的聚合物構(gòu)成。淀積透明導(dǎo)電層93的方法可以包括化學(xué)氣相刻蝕(CVD)，浸漬涂覆，蒸發(fā)(電子束或其他方法)或?yàn)R射中的一種。
圖9C描繪了透明導(dǎo)電層93被形成圖形，構(gòu)成分離的支撐電極93-1。該透明電極結(jié)構(gòu)的形成圖形可以通過(guò)激光燒灼，常規(guī)的光刻或銑加工中的一種進(jìn)行。
在圖9D中，總線(xiàn)電極94形成在支撐電極93-1上。總線(xiàn)電極94位于溝槽92之外?？偩€(xiàn)電極94可以用例如用于制造PDP的膠，鉻銅薄膜(Cr/Cu/Cr)，鉻鋁薄膜(Cr/Al)或通常在PDP工業(yè)中使用的其他金屬的組合構(gòu)成。光敏膠也可以用于用光刻法形成總線(xiàn)電極94。制作總線(xiàn)電極的方法可以包括印刷，薄膜工藝及光刻，或厚膜工藝及光刻中的一種。
介電層95形成在覆蓋總線(xiàn)電極94和透明電極93-1的結(jié)構(gòu)上面，如圖9E所示。介電層95可以由PbO膠，PbO印刷電路基板材料以及介電灰漿中的一種組成。形成介電層的方法可以包括印刷，層疊或浸漬中的一種。
在圖9F中，氧化鎂(MgO)涂層96可以被施加到整個(gè)結(jié)構(gòu)上。MgO涂層可以用濺射工藝，蒸發(fā)工藝或任何淀積氧化物的工藝涂覆。
圖10A到10E描繪了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的等離子顯示板的單位放電單元的示意平面圖和剖面圖。
如圖10A和10B所示，玻璃襯底101上電極104之間可以形成多于一個(gè)的連續(xù)溝槽102。溝槽102中形成諸如ITO的透明電極103。透明電極103的一部分在襯底101上的溝槽外延伸。透明介電層105和氧化鎂(MgO)層(未顯示)相繼形成在該結(jié)構(gòu)上。
圖11A到11D是圖10和10B所示的溝槽的部分頂視圖。
如圖11A到11D所示，在單位單元中，連續(xù)的溝槽可以形成為一個(gè)或多個(gè)矩形。或者，溝槽可以有矩形外的其他形狀，諸如橢圓形。
圖10C到10E為描繪單位放電單元的溝槽的不同形狀的平面圖。
圖10C顯示溝槽形狀10a為橢圓。在圖10D中，溝槽形狀10b向溝槽的中心形成錐形。圖10E描繪形成為啞鈴形的溝槽形10c。雖然本發(fā)明中顯示了這些形狀，其他的形狀也是可能的及被考慮在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
為了優(yōu)化單元的性能，支撐電極沿溝槽的底部或地面從側(cè)壁延伸的距離可以變化。
圖12A到12C描繪了帶有支撐電極之間的變化間隙的實(shí)施例。
在圖12A中，支撐電極130和140被分區(qū)，因此兩個(gè)電極之間的間隙145大致造成了玻璃襯底110上溝槽120的一個(gè)第三長(zhǎng)度。
在圖12B中，支撐電極410和420只覆蓋玻璃襯底110上溝槽120的側(cè)壁，兩個(gè)電極之間的間隙145相等或接近相等于玻璃襯底110上溝槽120的整個(gè)長(zhǎng)度。
在圖12C中，通過(guò)對(duì)比，支撐電極440和450形成這樣的形式，兩個(gè)電極之間的間隔460非常小，電極440和450幾乎覆蓋在玻璃襯底110上產(chǎn)生的整個(gè)溝槽地面120。
圖12D描繪了帶有支撐電極140和130之間的間隙460的溝槽結(jié)構(gòu)180的三維視圖。在這種分區(qū)情況下，間隙460大致為100微米，但其可以更窄或更寬，只要它把驅(qū)動(dòng)電壓降至最小而把發(fā)光效率增至最大。
圖12E描繪了圖12B敘述的結(jié)構(gòu)的三維視圖。在該情況下，支撐電極410和420僅存在于溝槽180的一對(duì)相對(duì)的壁上。
上述用于建立一個(gè)正等離子柱的結(jié)構(gòu)之一是，和襯底板的壁和頂板上的絕緣層相比，增加溝槽地面上的絕緣層(例如PbO)的厚度。這將有效地將被置于地面上的電極區(qū)域和主放電屏蔽，限制電力線(xiàn)從一個(gè)壁電極垂直地延伸到另一個(gè)壁電極。
另一種方法是將支撐電極成形在溝槽的底部，如圖12F到12H所示。圖12F到12H是在溝槽底部的不同形狀的支撐電極的示意平面圖。圖12I是圖12F的透視圖。如圖中所示，溝槽底部的支撐電極的各個(gè)部分被除去，因此支撐電極分別有帶，錘子和釘子中的一種的形狀。
雖然圖中未顯示，本發(fā)明的該實(shí)施例的變化包括具有在溝槽的底部還有在溝槽的側(cè)壁上都被除去的部分的支撐電極。
圖13A到13D為描繪了如圖10A和10B所示的第二實(shí)施例的溝槽的示意剖面圖。
第二實(shí)施例的溝槽可以有各種截面形狀。例如，它們可以是平面溝槽形，傾斜溝槽形，多臺(tái)階溝槽形以及圓溝槽形中的一種。這樣，截面圖中的底部形狀可以是平面，臺(tái)階，V形和U形中的一種。
常規(guī)的PDP單元由形成為包含地址電極和磷光體的玻璃襯底的一部分的肋狀柵欄分開(kāi)。一種替代的設(shè)計(jì)是在含有支撐電極的襯底上產(chǎn)生肋狀柵欄。
圖14描繪了本發(fā)明的實(shí)施例，圖中肋狀柵欄610和620通過(guò)生長(zhǎng)，刻蝕，噴砂或其他方法置于或粘結(jié)到介電層630上。肋狀柵欄610和620也可以和介電層630一起淀積和成形。這可以提供PDP的頂和底襯底之間方便的對(duì)準(zhǔn)。這也可以提供磷光層的簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)。磷光板可以和帶有地址電極和磷光涂層的平整表面一樣簡(jiǎn)單。這種獨(dú)特的結(jié)構(gòu)可以通過(guò)利用兩步噴砂或用兩個(gè)掩模的刻蝕工藝生產(chǎn)，其中一個(gè)掩模用于形成肋狀柵欄，另一個(gè)掩模用于形成溝槽。
圖15A到15C描繪了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例具有傾斜溝槽壁的單元結(jié)構(gòu)。
圖15A中，和具有斜壁的溝槽805一起顯示了單元結(jié)構(gòu)的頂視圖。在圖15B中，取自線(xiàn)B-B的截面圖指出，在玻璃襯底110中切割的溝槽120的壁810和820離開(kāi)溝槽的中心傾斜一個(gè)預(yù)定的角度。這也使電極130和140，以及介電層170傾斜。壁的傾斜可以是任何角度，可以從水平方向大于45°。圖15C描繪一個(gè)取自線(xiàn)C-C的截面圖，圖中指出，橫越該溝槽的截面，溝槽的壁也是傾斜的。
圖16A到16C描繪了根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例具有傾斜溝槽壁的單元結(jié)構(gòu)。
在圖16A中，和具有傾斜壁的溝槽905一起顯示了單元結(jié)構(gòu)的頂視圖。在圖16B中，取自線(xiàn)B-B的截面圖指出，在玻璃襯底110中切割的溝槽120的壁910和920向溝槽的中心朝里傾斜一個(gè)預(yù)定的角度。這也使電極130和140，以及介電層170傾斜。壁的傾斜可以是任何角度，可以從水平方向大于45°。圖16C描繪一個(gè)取自線(xiàn)C-C的截面圖，圖中指出，橫越該溝槽的截面，溝槽的壁也是傾斜的。
圖17A到17C描繪了根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例具有傾斜溝槽壁的單元結(jié)構(gòu)。在圖17A中，和具有傾斜壁的溝槽1005一起顯示了單元結(jié)構(gòu)的頂視圖。在圖17B中，取自線(xiàn)B-B的截面圖指出，介電層170在靠近溝槽底部的區(qū)域1010中比靠近溝槽壁的區(qū)域厚得多。圖17C為單元的取自線(xiàn)C-C的截面圖，圖中指出，橫越該溝槽的截面，溝槽的壁也是傾斜的，并且介電層在溝槽的底部更厚。
圖18A是描繪具有恒定半徑R的大致為圓的容積的一個(gè)側(cè)面的溝槽容積的示意圖。圖18B是描繪具有長(zhǎng)短軸r1和r2的大致為橢圓的容積的一個(gè)側(cè)面的溝槽容積的示意圖。
在圖18A中，和一個(gè)恒定半徑R1820的大致為圓1810的容積的一個(gè)側(cè)面一起描繪了由溝槽產(chǎn)生的容積1800。如已經(jīng)在放電燈中報(bào)告過(guò)，當(dāng)燈半徑(R)和壓力(P)的乘積大致等于1torr cm時(shí)發(fā)生最高效率的運(yùn)轉(zhuǎn)。因此，本發(fā)明優(yōu)化了溝槽的尺寸，這樣，在等離子顯示板中，半徑(R)和壓力(P)的乘積大致等于1torr cm。例如，用于PDP中的典型壓力約450torr。這將要求溝槽具有相當(dāng)于約22微米的半徑R。對(duì)于為SVGA格式設(shè)計(jì)的42英寸對(duì)角線(xiàn)的等離子顯示板，各別的次像素約360微米寬。
在這種情況下，每個(gè)次像素可以有10個(gè)或更多個(gè)溝槽，取決于溝槽之間能制作多么薄的壁。該尺寸可以隨著顯示板的尺寸和顯示板的格式變化。因?yàn)閷?duì)于一個(gè)給出的顯示板，單元節(jié)距取決于顯示格式和顯示板的尺寸，在PDP中的單元節(jié)距的尺寸范圍為幾百微米。因此，可以選擇氣體壓力和溝槽寬度，使壓力和相當(dāng)?shù)陌霃降某朔e在0.1和10torr cm之間。
除了溝槽容積有更靠近大致的帶有長(zhǎng)短軸r1和r2的橢圓的截面外，圖18B相似于圖18A。對(duì)于長(zhǎng)短軸Pr1和Pr2，將PR乘積保持得接近于0.1和10torr cm之間的值，最好接近于1torr cm將是理想的。
對(duì)于在本技術(shù)領(lǐng)域熟練的人員顯而易見(jiàn)的是，在具有溝槽放電單元的本發(fā)明等離子顯示板中以及制造本發(fā)明的等離子顯示板的方法中可以作出各種修改和變化而不背離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，本發(fā)明的意圖是，如果對(duì)于本發(fā)明的各種修改和變化落在附后的權(quán)利要求及其等效物的范圍之中，則本發(fā)明將覆蓋這些修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種具有多個(gè)溝槽放電單元的等離子顯示板，包括在一個(gè)放電單元中具有至少一個(gè)隔離溝槽的透明襯底；一個(gè)或多個(gè)在每個(gè)溝槽中并延伸到溝槽外面的支撐電極；在支撐電極上的一個(gè)或多個(gè)總線(xiàn)電極；和在包括支撐電極，總線(xiàn)電極和溝槽的透明襯底的整個(gè)表面上的介電層，其中在溝槽的底部介電層有一個(gè)第一部分，在襯底的溝槽的外面有一個(gè)第二部分，以及在溝槽的側(cè)壁上有一個(gè)第三部分，并且其中溝槽有一個(gè)垂直于支撐電極方向的第一長(zhǎng)度和一個(gè)平行于支撐電極方向的第二長(zhǎng)度，該第一長(zhǎng)度大于該第二長(zhǎng)度。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中第一長(zhǎng)度基本大于第二長(zhǎng)度以在放電單元中產(chǎn)生陽(yáng)極區(qū)效應(yīng)。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽具有基本垂直于溝槽底的側(cè)壁。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽具有和溝槽的底成小于90°夾角的側(cè)壁。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽具有和溝槽的底成大于90°夾角的側(cè)壁。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中在平面視圖中溝槽具有圓，多邊形，橢圓，啞鈴形以及任何不規(guī)則的圖形中的一種形狀。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中在溝槽底部的一個(gè)或多個(gè)支撐電極通過(guò)狹窄到足以使驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)到最小的間隙互相分離。
8.如權(quán)利要求7所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極之間的間隙在約20到200微米之間的范圍。
9.如權(quán)利要求8所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被覆蓋具有約20到200微米范圍中的厚度的介電層。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極不形成在溝槽的底部。
11.如權(quán)利要求9所述的等離子顯示板，其特征在于，其中覆蓋支撐電極的介電層的第一和第二部分的厚度基本相同。
12.如權(quán)利要求11所述的等離子顯示板，其特征在于，其中每一個(gè)第一和第二部分都有基本大于第三部分的厚度。
13.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被形成為至少暴露溝槽底部的一個(gè)部分。
14.如權(quán)利要求13所述的等離子顯示板，其特征在于，其中在溝槽的底部支撐電極具有帶狀，錘子狀和釘子狀中的一種形狀。
15.如權(quán)利要求13所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被形成為暴露溝槽側(cè)壁的一個(gè)部分。
16.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中介電層的各個(gè)部分起到肋狀柵欄的作用。
17.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，在介電層上進(jìn)一步包括一對(duì)肋狀柵欄。
18.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽在截面圖上具有平整，臺(tái)階，V形和U形中的一種底部形狀。
19.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，在介電層上進(jìn)一步包括一個(gè)保護(hù)層。
20.如權(quán)利要求19所述的等離子顯示板，其特征在于，其中保護(hù)層由氧化鎂(MgO)形成。
21.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中總線(xiàn)電極形成在透明襯底的溝槽中。
22.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中顯示板工作時(shí)P×R的值約在0.1和10的范圍，其中P是工作壓力(Torr)，R是占據(jù)在溝槽中的一個(gè)最大尺寸的假想圓柱體的半徑(cm)。
23.一種制造等離子顯示板的方法，包括在透明襯底的放電單元中形成至少一個(gè)隔離溝槽；在溝槽中形成一個(gè)或多個(gè)支撐電極，并且支撐電極延伸到溝槽的外面；在支撐電極上形成一個(gè)或多個(gè)總線(xiàn)電極；和在包括支撐電極，總線(xiàn)電極和溝槽的襯底的全部表面上形成一個(gè)介電層，其中介電層在溝槽的底部有一個(gè)第一部分，第二部分延伸到溝槽的外面，在溝槽的側(cè)壁有一個(gè)第三部分，并且其中溝槽具有一個(gè)垂直于支撐電極方向的第一長(zhǎng)度和平行于支撐電極方向的第二長(zhǎng)度，第一長(zhǎng)度大于第二長(zhǎng)度。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，其中溝槽通過(guò)濕法刻蝕，干法刻蝕，激光燒灼，噴砂，模制和研磨中的一種方法而形成。
25.如權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，其中形成一個(gè)或多個(gè)支撐電極包括在包括溝槽的透明襯底的全部表面上形成一個(gè)透明的導(dǎo)電層；和形成透明導(dǎo)電層的圖形以形成支撐電極。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，其中透明導(dǎo)電層由氧化銦錫(ITO)和氧化錫(SnO2)中的一種形成。
27.如權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，其中透明導(dǎo)電層通過(guò)化學(xué)氣相淀積，浸漬，蒸發(fā)和濺射中的一種方法形成。
28.如權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，其中透明導(dǎo)電層通過(guò)激光燒蝕，濕法刻蝕和干法刻蝕中的一種方法形成圖形。
29.如權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，其中總線(xiàn)電極由導(dǎo)電膠以及Cr/Cu/Cr或Cr/Al的多層次中的一種形式形成。
30.如權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，其中總線(xiàn)電極通過(guò)印刷，厚膜工藝加光刻以及薄膜工藝加光刻中的一種方法形成。
31.如權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，其中介電層由PbO膠和PbO印刷電路基板材料中的一種形成。
32.如權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，其中介電層通過(guò)印刷，層疊和浸漬中的一種方法形成。
33.如權(quán)利要求23所述的方法，進(jìn)一步包括在介電層上形成一個(gè)保護(hù)層。
34.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，其中保護(hù)層由氧化鎂(MgO)形成。
35.如權(quán)利要求23所述的方法，進(jìn)一步包括在透明襯底中形成一個(gè)溝槽以形成總線(xiàn)電極。
36.一種制造等離子顯示板的方法，包括在透明襯底上形成至少一個(gè)溝槽；在該溝槽上形成一個(gè)或多個(gè)支撐電極并將其延伸到溝槽外面；在支撐電極上形成一個(gè)或多個(gè)總線(xiàn)電極；在包括支撐電極，總線(xiàn)電極和溝槽的襯底的全部表面上形成第一介電層，其中第一介電層在溝槽的底部有一個(gè)第一部分，在溝槽外面有一個(gè)第二部分，在溝槽的側(cè)壁有一個(gè)第三部分；和在溝槽中形成多個(gè)分區(qū)以在透明襯底上形成至少一個(gè)隔離的溝槽。
37.如權(quán)利要求36所述的方法，進(jìn)一步包括在包括分區(qū)的第一介電層上形成一個(gè)保護(hù)層。
38.如權(quán)利要求37所述的方法，其特征在于，其中保護(hù)層由氧化鎂(MgO)形成。
39.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，其中分區(qū)由介電材料形成。
40.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，其中在溝槽中形成多個(gè)分區(qū)包括在溝槽中形成一個(gè)第二介電層；和選擇性地去除第二介電層以形成多個(gè)分區(qū)。
41.如權(quán)利要求40所述的方法，其特征在于，其中第二介電層通過(guò)厚膜光刻選擇性地去除。
42.如權(quán)利要求36所述的方法，進(jìn)一步包括在透明襯底上形成一個(gè)溝槽以在其中形成總線(xiàn)電極。
43.一種形成等離子顯示板的方法，包括在第一襯底上形成一個(gè)或多個(gè)溝槽；在該溝槽上形成一個(gè)或多個(gè)支撐電極并將其延伸到溝槽外面；在支撐電極上形成一個(gè)或多個(gè)總線(xiàn)電極；在包括支撐電極，總線(xiàn)電極和溝槽的襯底的全部表面上形成第一介電層，其中第一介電層在溝槽的底部有一個(gè)第一部分，在溝槽外面有一個(gè)第二部分，在溝槽的側(cè)壁有一個(gè)第三部分，并且其中每個(gè)溝槽都有一個(gè)垂直于支撐電極方向的第一長(zhǎng)度和平行于支撐電極方向的第二長(zhǎng)度，其中第一長(zhǎng)度大于第二長(zhǎng)度；在第二襯底上形成一個(gè)地址電極；在包括第二襯底的地址電極上形成第二介電層；和在第二襯底上形成多個(gè)突出以在第一和第二襯底之間形成至少一個(gè)隔離的溝槽。
44.如權(quán)利要求43所述的方法，其特征在于，其中突出由介電材料形成。
45.如權(quán)利要求43所述的方法，進(jìn)一步包括部分去除第二襯底以在第二襯底上形成地址電極之前形成一對(duì)肋狀柵欄。
46.如權(quán)利要求45所述的方法，其特征在于，其中肋狀柵欄為在其上形成突出提供位置。
47.如權(quán)利要求43所述的方法，進(jìn)一步包括在第二介電層上形成一對(duì)肋狀柵欄。
48.如權(quán)利要求47所述的方法，其特征在于，其中肋狀柵欄為在其上形成突出提供位置。
49.如權(quán)利要求43所述的方法，進(jìn)一步包括在透明襯底上形成一個(gè)或多個(gè)溝槽以在其中形成總線(xiàn)電極。
50.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中第一部分有大于第二和第三部分的厚度。
51.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中第一部分有比第三部分厚度大1.1到4倍的厚度。
52.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中第一部分有比第三部分厚度大1.5到2.5倍的厚度。
53.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽有其長(zhǎng)度和寬度，長(zhǎng)寬之比大于1。
54.如權(quán)利要求7所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽基本上和放電單元有相同的尺寸。
55.如權(quán)利要求54所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極之間的間隙在約20到200微米的范圍。
56.如權(quán)利要求55所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被覆蓋具有約20到200微米的范圍的厚度的介電層。
57.如權(quán)利要求54所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極不形成在溝槽的底部。
58.如權(quán)利要求56所述的等離子顯示板，其特征在于，其中覆蓋支撐電極的介電層的第一和第二部分的厚度基本相等。
59.如權(quán)利要求58所述的等離子顯示板，其特征在于，其中每一個(gè)第一和第二部分都有基本大于第三部分的厚度。
60.一種具有多個(gè)溝槽放電單元的等離子顯示板，包括在放電單元中具有至少一個(gè)隔離的溝槽的透明襯底；在每個(gè)溝槽中的一個(gè)或多個(gè)支撐電極并被延伸到溝槽的外面；在支撐電極上的一個(gè)或多個(gè)總線(xiàn)電極；和在包括支撐電極，總線(xiàn)電極和溝槽的透明襯底的全部表面上的介電層，其中介電層在溝槽的底部有一個(gè)第一部分，在襯底的溝槽外面有一個(gè)第二部分，在溝槽的側(cè)壁有一個(gè)第三部分，其中溝槽有一個(gè)垂直于支撐電極方向的第一長(zhǎng)度和平行于支撐電極方向的第二長(zhǎng)度，第一長(zhǎng)度基本大于第二長(zhǎng)度以在放電單元中產(chǎn)生陽(yáng)極區(qū)效應(yīng)。
61.如權(quán)利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽有基本垂直于溝槽底部的側(cè)壁。
62.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽具有和溝槽的底成小于90°夾角的側(cè)壁。
63.如權(quán)利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽具有和溝槽的底成大于90°夾角的側(cè)壁。
64.如權(quán)利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中在平面視圖中溝槽具有圓，多邊形，橢圓，啞鈴形以及任何不規(guī)則的圖形中的一種形狀。
65.如權(quán)利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中在溝槽底部的一個(gè)或多個(gè)支撐電極通過(guò)狹窄到足以使驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)到最小的間隙互相分離。
66.如權(quán)利要求65所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極之間的間隙在約20到200微米之間的范圍。
67.如權(quán)利要求66所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被覆蓋具有約20到200微米范圍中的厚度的介電層。
68.如權(quán)利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極不形成在溝槽的底部。
69.如權(quán)利要求67所述的等離子顯示板，其特征在于，其中覆蓋支撐電極的介電層的第一和第二部分的厚度基本相同。
70.如權(quán)利要求69所述的等離子顯示板，其特征在于，其中每一個(gè)第一和第二部分都有基本大于第三部分的厚度。
71.如權(quán)利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被形成為至少暴露溝槽底部的一個(gè)部分。
72.如權(quán)利要求71所述的等離子顯示板，其特征在于，其中在溝槽的底部支撐電極具有帶狀，錘子狀和釘子狀中的一種形狀。
73.如權(quán)利要求71所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被形成為暴露溝槽側(cè)壁的一個(gè)部分。
74.如權(quán)利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中介電層的各個(gè)部分起到肋狀柵欄的作用。
75.如權(quán)利要求60所述的等離子顯示板，在介電層上進(jìn)一步包括一對(duì)肋狀柵欄。
76.如權(quán)利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽在截面圖上具有平整，臺(tái)階，V形和U形中的一種底部形狀。
77.如權(quán)利要求60所述的等離子顯示板，在介電層上進(jìn)一步包括一個(gè)保護(hù)層。
78.如權(quán)利要求77所述的等離子顯示板，其特征在于，其中保護(hù)層由氧化鎂(MgO)形成。
79.如權(quán)利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中總線(xiàn)電極形成在透明襯底的溝槽中。
80.如權(quán)利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中顯示板工作時(shí)P×R的值約在0.1和10的范圍，其中P是工作壓力(Torr)，R是占據(jù)在溝槽中的一個(gè)最大尺寸的假想圓柱體的半徑(cm)。
81.如權(quán)利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中第一部分有大于第二和第三部分的厚度。
82.如權(quán)利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中第一部分有比第三部分厚度大1.1到4倍的厚度。
83.如權(quán)利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中第一部分有比第三部分厚度大1.5到2.5倍的厚度。
84.如權(quán)利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽有其長(zhǎng)度和寬度，長(zhǎng)寬之比大于1。
85.如權(quán)利要求65所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽基本上和放電單元有相同的尺寸。
86.如權(quán)利要求85所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極之間的間隙在約20到200微米的范圍。
87.如權(quán)利要求86所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被覆蓋具有約20到200微米的范圍的厚度的介電層。
88.如權(quán)利要求85所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極不形成在溝槽的底部。
89.如權(quán)利要求87所述的等離子顯示板，其特征在于，其中覆蓋支撐電極的介電層的第一和第二部分的厚度基本相等。
90.如權(quán)利要求89所述的等離子顯示板，其特征在于，其中每一個(gè)第一和第二部分都有基本大于第三部分的厚度。
91.一種具有多個(gè)溝槽放電單元的等離子顯示板，包括在放電單元中具有至少一個(gè)隔離的溝槽的透明襯底；在每個(gè)溝槽中的一個(gè)或多個(gè)支撐電極并被延伸到溝槽的外面；在支撐電極上的一個(gè)或多個(gè)總線(xiàn)電極；和在包括支撐電極，總線(xiàn)電極和溝槽的透明襯底的全部表面上的介電層，其中介電層在溝槽的底部有一個(gè)第一部分，在襯底的溝槽外面有一個(gè)第二部分，在溝槽的側(cè)壁有一個(gè)第三部分，其中第一部分有大于第二和第三部分的厚度。
92.如權(quán)利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中其中溝槽有一個(gè)垂直于支撐電極方向的第一長(zhǎng)度和一個(gè)平行于支撐電極方向的第二長(zhǎng)度，其中該第一長(zhǎng)度大于該第二長(zhǎng)度。
93.如權(quán)利要求92所述的等離子顯示板，其特征在于，其中第一長(zhǎng)度基本大于第二長(zhǎng)度以在放電單元中產(chǎn)生陽(yáng)極區(qū)效應(yīng)。
94.如權(quán)利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽具有基本垂直于溝槽底的側(cè)壁。
95.如權(quán)利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽具有和溝槽的底成小于90°夾角的側(cè)壁。
96.如權(quán)利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽具有和溝槽的底成大于90°夾角的側(cè)壁。
97.如權(quán)利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中在平面視圖中溝槽具有圓，多邊形，橢圓，啞鈴形以及任何不規(guī)則的圖形中的一種形狀。
98.如權(quán)利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中在溝槽底部的一個(gè)或多個(gè)支撐電極通過(guò)狹窄到足以使驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)到最小的間隙互相分離。
99.如權(quán)利要求98所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極之間的間隙在約20到200微米之間的范圍。
100.如權(quán)利要求99所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被覆蓋具有約20到200微米范圍中的厚度的介電層。
101.如權(quán)利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極不形成在溝槽的底部。
102.如權(quán)利要求100所述的等離子顯示板，其特征在于，其中覆蓋支撐電極的介電層的第一和第二部分的厚度基本相同。
103.如權(quán)利要求102所述的等離子顯示板，其特征在于，其中每一個(gè)第一和第二部分都有基本大于第三部分的厚度。
104.如權(quán)利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被形成為至少暴露溝槽底部的一個(gè)部分。
105.如權(quán)利要求104所述的等離子顯示板，其特征在于，其中在溝槽的底部支撐電極具有帶狀，錘子狀和釘子狀中的一種形狀。
106.如權(quán)利要求104所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被形成為暴露溝槽側(cè)壁的一個(gè)部分。
107.如權(quán)利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中介電層的各個(gè)部分起到肋狀柵欄的作用。
108.如權(quán)利要求91所述的等離子顯示板，在介電層上進(jìn)一步包括一對(duì)肋狀柵欄。
109.如權(quán)利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽在截面圖上具有平整，臺(tái)階，V形和U形中的一種底部形狀。
110.如權(quán)利要求91所述的等離子顯示板，在介電層上進(jìn)一步包括一個(gè)保護(hù)層。
111.如權(quán)利要求109所述的等離子顯示板，其特征在于，其中保護(hù)層由氧化鎂(MgO)形成。
112.如權(quán)利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中總線(xiàn)電極形成在透明襯底的溝槽中。
113.如權(quán)利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中顯示板工作時(shí)P×R的值約在0.1和10的范圍，其中P是工作壓力(Torr)，R是占據(jù)在溝槽中的一個(gè)最大尺寸的假想圓柱體的半徑(cm)。
114.如權(quán)利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中第一部分有比第三部分厚度大1.1到4倍的厚度。
115.如權(quán)利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中第一部分有比第三部分厚度大1.5到2.5倍的厚度。
116.如權(quán)利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽有其長(zhǎng)度和寬度，長(zhǎng)寬之比大于1。
117.如權(quán)利要求97所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽基本上和放電單元有相同的尺寸。
118.如權(quán)利要求117所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極之間的間隙在約20到200微米的范圍。
119.如權(quán)利要求118所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被覆蓋具有約20到200微米的范圍的厚度的介電層。
120.如權(quán)利要求117所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極不形成在溝槽的底部。
121.如權(quán)利要求119所述的等離子顯示板，其特征在于，其中覆蓋支撐電極的介電層的第一和第二部分的厚度基本相等。
122.如權(quán)利要求121所述的等離子顯示板，其特征在于，其中每一個(gè)第一和第二部分都有基本大于第三部分的厚度。
123.一種具有多個(gè)溝槽放電單元，一個(gè)或多個(gè)支撐電極和一個(gè)或多個(gè)總線(xiàn)電極的等離子顯示板，包括在放電單元中具有至少一個(gè)隔離的溝槽的透明襯底，其中溝槽具有一個(gè)垂直于支撐電極方向的第一長(zhǎng)度和一個(gè)平行于支撐電極方向的第二長(zhǎng)度，該第一長(zhǎng)度大于該第二長(zhǎng)度。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種具有溝槽放電單元的等離子顯示板和制造該等離子顯示板的方法。具有多個(gè)溝槽放電單元的等離子顯示板包括一個(gè)在放電單元中具有至少一個(gè)隔離的溝槽(22)的透明襯底(21)，在每個(gè)溝槽(22)中并延伸到溝槽(22)外面的一個(gè)或多個(gè)支撐電極(23)，在支撐電極(23)上的一個(gè)或多個(gè)總線(xiàn)電極(24)，以及形成在包括支撐電極(23)，總線(xiàn)電極(24)和溝槽(22)的透明襯底(21)的全部表面上的介電層(25)，其中介電層(25)有在溝槽底部的第一部分，在襯底的溝槽的外面有一個(gè)第二部分，以及在溝槽的側(cè)壁上有一個(gè)第三部分，并且其中溝槽(22)有一個(gè)垂直于支撐電極(23)方向的第一長(zhǎng)度和一個(gè)平行于支撐電極(23)方向的第二長(zhǎng)度，該第一長(zhǎng)度大于該第二長(zhǎng)度。
文檔編號(hào)H01L21/4763GK1643562SQ03806061
公開(kāi)日2005年7月20日 申請(qǐng)日期2003年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月14日
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