專利名稱：從晶片上取下ic的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種同時(shí)從晶片上取下多個(gè)IC的裝置，其中這些IC可拆下地固定在晶片的托載件上并從其上借助至少一個(gè)具有用于各IC的多個(gè)抓取件的抓取裝置取下。
現(xiàn)有技術(shù)這種類型的裝置例如由US6283693B公開(kāi)。它設(shè)置具有多個(gè)吸入通道的吸頭，它的分布距離根據(jù)晶片上的IC距離調(diào)節(jié)。在晶片下設(shè)置對(duì)準(zhǔn)的壓開(kāi)針，它們使得IC不斷地與其托載膜分開(kāi)。該裝置只適合于取下相同尺寸的IC。由于它們決定了晶片上的格間距，裝置必須適合對(duì)應(yīng)于各IC尺寸。
另外，通常針對(duì)不同的尺寸提供具有自由移動(dòng)抓取件的萬(wàn)能裝置，它借助其IC到IC的移動(dòng)裝置移動(dòng)。由于解除粘接相當(dāng)費(fèi)時(shí)，降低了收件量效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是通過(guò)一裝置可以取下不同尺寸的IC。
本發(fā)明目的是通過(guò)權(quán)利要求1實(shí)現(xiàn)的。通過(guò)將獨(dú)立的抓取件作為抓取件并通過(guò)調(diào)節(jié)可以使得抓取件的間距準(zhǔn)確地根據(jù)IC的格間距調(diào)節(jié)。可以理解，對(duì)于小的間距，抓取件必須是相應(yīng)針形細(xì)長(zhǎng)的。當(dāng)加工具有其它IC尺寸的晶片時(shí)，需要重新調(diào)節(jié)其裝置。在取下時(shí)不改變抓取件間距。通過(guò)承接多個(gè)IC，相應(yīng)提高分離時(shí)的收件效率。
通過(guò)本發(fā)明可以這樣提高收件效率，IC的取下根據(jù)繼續(xù)加大裝置的能力確定。例如在公知印制電路板裝配自動(dòng)機(jī)中使用可以同時(shí)承接多個(gè)元件的多頭裝配頭。通過(guò)本發(fā)明可以在短時(shí)間內(nèi)給裝配頭輸送成倍需要的IC。
本發(fā)明有意的進(jìn)一步結(jié)構(gòu)記載在權(quán)利要求2-16中通過(guò)權(quán)利要求2的裝置可以將靜止抓取件作為基準(zhǔn)抓取件，其位置確定了抓取裝置相對(duì)于晶片的相對(duì)位置。
權(quán)利要求3的擺動(dòng)支承減小了結(jié)構(gòu)費(fèi)用。
權(quán)利要求4的直線導(dǎo)軌可以不需要進(jìn)行角度調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)抓取件調(diào)節(jié)。
通過(guò)權(quán)利要求5的方案，可以相對(duì)于中間抓取件無(wú)誤差地調(diào)節(jié)抓取裝置。
權(quán)利要求6和7的抓取裝置可以使得抓取件的設(shè)置緊湊。通過(guò)星形設(shè)置抓取件和導(dǎo)軌，在調(diào)節(jié)時(shí)不改變縱橫比的間距，可以對(duì)不同的尺寸進(jìn)行不費(fèi)力地調(diào)節(jié)。
通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求8的單一驅(qū)動(dòng)裝置，可以使得抓取件位置適應(yīng)于IC的不同縱橫比。
通過(guò)權(quán)利要求9和10的方案，明顯降低了驅(qū)動(dòng)和相應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)的費(fèi)用。
通過(guò)權(quán)利要求11的滑板可以簡(jiǎn)化針對(duì)所有外側(cè)抓取件的驅(qū)動(dòng)運(yùn)動(dòng)的移位。
根據(jù)權(quán)利要求12的例如擺動(dòng)180°的抓取裝置可以使得倒裝晶片處于適合的位置例如轉(zhuǎn)送給裝配頭。倒裝晶片的絕緣背側(cè)保持在晶片上，向上接觸。抓取件吸住倒裝晶片的接觸側(cè)并呈180°吸住，使得它們由在背側(cè)的裝配頭抓住，通過(guò)其接觸側(cè)裝到基片上。
通過(guò)權(quán)利要求13的方案，同時(shí)從晶片上取下并可以事先取下且將向上轉(zhuǎn)動(dòng)的IC轉(zhuǎn)送給裝配頭，由此將循環(huán)時(shí)間分成兩半，明顯提高了取下效率。
通過(guò)權(quán)利要求13和14的方案可以通過(guò)共同的驅(qū)動(dòng)裝置調(diào)節(jié)相對(duì)于軸兩側(cè)分開(kāi)的抓取件。
通過(guò)權(quán)利要求15的方案可以對(duì)于針如抓取件的調(diào)節(jié)使用相同的調(diào)節(jié)件。還可以在機(jī)械壓開(kāi)裝置的位置進(jìn)行加熱，減小IC和托載膜之間的粘附。
通過(guò)權(quán)利要求16的時(shí)間分級(jí)，可以使得IC容易解除粘附。
下面參照附圖的描述的實(shí)施例進(jìn)一步描述本發(fā)明。


圖1示出了借助三個(gè)呈一列設(shè)置的抓取件從晶片上取下IC裝置的透視圖；圖2示出了針對(duì)小IC的圖1的裝置；圖3示出了針對(duì)大IC具有呈多列設(shè)置的抓取件的裝置透視圖；圖4示出了針對(duì)小IC圖3的裝置；圖5示出了在轉(zhuǎn)動(dòng)位置圖4裝置的一部分；圖6示出了另一IC取下裝置的變型抓取件；圖7示出了圖1裝置中的放大截面圖；圖8示出了圖3抓取件的調(diào)節(jié)裝置的俯視圖；圖9示出了在改變調(diào)節(jié)時(shí)的圖8的調(diào)節(jié)裝置；
圖10示出了圖3抓取件的另一調(diào)節(jié)裝置的俯視11示出了示出了在改變調(diào)節(jié)時(shí)圖10的調(diào)節(jié)裝置。
具體實(shí)施例方式
圖1示出了具有相對(duì)大IC2的晶片1。其晶片1保持在抓取裝置3和壓開(kāi)裝置4之間。其抓取裝置3具有三個(gè)針形抓取件5，它們對(duì)準(zhǔn)呈三列接續(xù)的IC2的中部。壓開(kāi)裝置4具有相對(duì)于抓取件5突出的且與其相對(duì)的壓開(kāi)件6，它們同樣呈針形。
吸抓取件5的吸口在朝向晶片的尖部形成。它們以很小的距離位于IC上側(cè)之上，其IC的下側(cè)附著在膜形托載件上。通過(guò)提升壓開(kāi)件6提升相應(yīng)的IC2并大部分與托載件7脫離。通過(guò)抓取件5的吸力作用，吸附住它們并完全與托載件7分離。其抓取裝置3可以繞與晶片1平行的軸8轉(zhuǎn)動(dòng)。由此，被吸附的IC2例如向上轉(zhuǎn)動(dòng)180°并在此通過(guò)其它的操作工具例如裝配頭承接，進(jìn)行印刷電路板的裝配。
抓取裝置3以及壓開(kāi)裝置4具有直線導(dǎo)軌9，它們?cè)贗C的列方向延伸。抓取件5借助驅(qū)動(dòng)裝置10在導(dǎo)軌中移動(dòng)，以精細(xì)分級(jí)地不同距離調(diào)節(jié)距離。
圖1示出了可能大的距離，而圖2示出了可能小的距離，如在需要取下小IC2’時(shí)。通過(guò)精細(xì)分級(jí)作用的驅(qū)動(dòng)裝置10，還可以調(diào)節(jié)抓取件5之間的任意其它間距，它們對(duì)應(yīng)于其它尺寸IC之間的間距。
圖3的裝置具有變型的抓取裝置3’和變型的壓開(kāi)裝置4’。它們分別具有9個(gè)呈三列設(shè)置的抓取件5或壓開(kāi)件6。其距離根據(jù)圖1晶片1的IC2調(diào)節(jié)。中部抓取件5靜止地設(shè)置在抓取裝置3’上，外抓取件5與晶片1平行地在呈星形地對(duì)著中部靜止抓取件5的導(dǎo)軌9上導(dǎo)向。壓開(kāi)針6以相同的方式在與抓取裝置3’的導(dǎo)軌9相同的壓開(kāi)裝置4’的導(dǎo)軌9上導(dǎo)向。運(yùn)動(dòng)的抓取件5或壓開(kāi)件6借助驅(qū)動(dòng)裝置10在導(dǎo)軌上無(wú)級(jí)地移動(dòng)并根據(jù)其它IC類型的間距被調(diào)節(jié)，類似于圖2，圖4的裝置處于針對(duì)可能小的IC2’的可能小的距離。
圖5示出了圖4的抓取裝置3’在吸附住IC2’后繞軸8轉(zhuǎn)動(dòng)了180°。由此，作為倒裝晶片的IC2’相對(duì)于晶片1’的位置處于倒裝位置，在該位置其在朝向抓取件5的下側(cè)連接。這些IC2’能依次由裝配頭的吸抓取件11取下并裝到基片上。
圖6的另一抓取件5’具有呈曲柄型的彎曲形狀，它借助擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)裝置13繞與晶片垂直的擺軸12被調(diào)節(jié)。這樣可以對(duì)向地改變抓取裝置的抓取件5’之間的距離，適用于不同芯片尺寸，其中需要進(jìn)行抓取裝置的相應(yīng)角度修正。
圖7示意地示出了借助不同提升驅(qū)動(dòng)裝置使得壓開(kāi)件6部分事先抵壓在托載件7上，由此，可以使得相應(yīng)的IC2更好地與晶片分開(kāi)。通過(guò)接續(xù)提升其它壓開(kāi)件6可以取下其余的IC2。
圖8和9示出了抓取裝置3’調(diào)節(jié)裝置14的示意俯視圖。抓取件5或壓開(kāi)裝置的壓開(kāi)件以相同方式借助從外作用的搭接的滑板15進(jìn)行調(diào)節(jié)，滑板通過(guò)驅(qū)動(dòng)裝置10以及滑桿型導(dǎo)向裝置16同時(shí)同步這樣調(diào)節(jié)，使得它們始終向中間靜止抓取件5集中，如圖9所示出的中部位置。
圖10和11示出了變型的調(diào)節(jié)裝置14’，其中兩個(gè)角滑板17在其自由端彼此呈剪刀型搭接并通過(guò)導(dǎo)槽和導(dǎo)向銷19彼此運(yùn)動(dòng)地這樣連接，它們通過(guò)對(duì)角作用的驅(qū)動(dòng)裝置10圍住外抓取件5的運(yùn)動(dòng)調(diào)節(jié)面，它們例如彈性地抵靠在角滑板17的內(nèi)側(cè)。
權(quán)利要求
1.一種同時(shí)從晶片(1，1’)上取下多個(gè)IC的裝置，其中這些IC(2，2’)可拆下地固定在晶片(1，1’)的托載件(7)上并從其上借助至少一個(gè)具有用于各IC(2，2’)的多個(gè)抓取件的抓取裝置(3，3’)取下，其特征在于其抓取件由獨(dú)立的抓取件(5)構(gòu)成，在其抓取裝置(3，3’)中抓取件(5)之間的距離借助調(diào)節(jié)裝置(14，14’)平行于晶片(1，1’)精細(xì)分級(jí)地被改變。
2.如權(quán)利要求1的裝置，其特征在于抓取裝置(3，3’)中的抓取件(5)中的一個(gè)靜止設(shè)置，而其它抓取件(5)可調(diào)節(jié)設(shè)置。
3.如權(quán)利要求1或2的裝置，其特征在于抓取裝置(3，3’)中的可調(diào)節(jié)抓取件(5)繞垂直于晶片(1，1’)的擺軸(12)擺動(dòng)支承。
4.如權(quán)利要求1或2的裝置，其特征在于其可調(diào)節(jié)抓取件(5)在抓取裝置(3，3’)的直線導(dǎo)軌(9)中導(dǎo)向。
5.如權(quán)利要求2、3或4的裝置，其特征在于其抓取裝置(3)具有呈奇數(shù)的優(yōu)選為三個(gè)呈列設(shè)置的抓取件(5)，中間的抓取件(5)靜止，而兩個(gè)外抓取件(5)可被調(diào)節(jié)。
6.如權(quán)利要求2、3或4的裝置，其特征在于抓取裝置(3’)的抓取件(5)呈多列矩陣設(shè)置。
7.如權(quán)利要求6的裝置，其特征在于其抓取裝置(3’)具有9個(gè)抓取件(5)，其中的8個(gè)外抓取件呈長(zhǎng)方形特別是呈正方形分布，靜止抓取件(5)設(shè)置在長(zhǎng)方形中部，外抓取件(5)在呈星形地朝向中部抓取件(5)的軸線導(dǎo)軌(9)中導(dǎo)向。
8.如上述權(quán)利要求之一的裝置，其特征在于其調(diào)節(jié)裝置具有用于各可調(diào)節(jié)抓取件(5)的單一驅(qū)動(dòng)裝置。
9.如權(quán)利要求8的裝置，其特征在于多個(gè)可調(diào)節(jié)的抓取件(5)通過(guò)共同的驅(qū)動(dòng)裝置(10)調(diào)節(jié)。
10.如權(quán)利要求9的裝置，其特征在于外抓取件(5)通過(guò)一個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置(10)調(diào)節(jié)，驅(qū)動(dòng)裝置(10)的調(diào)節(jié)運(yùn)動(dòng)通過(guò)運(yùn)動(dòng)的導(dǎo)向裝置(14，14’)傳遞到抓取件(5)上。
11.如權(quán)利要求10的裝置，其特征在于其導(dǎo)向裝置(14、14’)具有作用在彼此抓取件(5)遠(yuǎn)離側(cè)的且向靜止抓取件(5)集中的滑板(15)。
12.如上述權(quán)利要求之一的裝置，其特征在于其抓取制造(3，3’)繞與晶片面平行的軸(8)擺到用于作為倒裝晶片的IC的取下位置。
13.如權(quán)利要求12的裝置，其特征在于相對(duì)于其軸的兩側(cè)各設(shè)置一組對(duì)準(zhǔn)的抓取件(5)。
14.如權(quán)利要求13的裝置，其特征在于兩組抓取件通過(guò)共同的驅(qū)動(dòng)裝置調(diào)節(jié)。
15.如上述權(quán)利要求之一的裝置，其特征在于在抓取件(5)相對(duì)的晶片(1，1’)側(cè)設(shè)置輔助于抓取件(5)的特別由針構(gòu)成的壓開(kāi)裝置(4，4’)，它們借助適合的驅(qū)動(dòng)裝置(10)根據(jù)抓取位置被調(diào)節(jié)。
16.如權(quán)利要求15的裝置，其特征在于這些針按時(shí)間分級(jí)作用在柔性托載件(7)上。
全文摘要
一種同時(shí)從晶片(1，1’)上取下多個(gè)IC(2，2’)的裝置借助多個(gè)抓取件取下各IC(2，2’)，這些抓取件由獨(dú)立的抓取件(5)構(gòu)成，在其抓取裝置(3，3’)中抓取件(5)之間的距離借助調(diào)節(jié)裝置(14，14’)平行于晶片(1，1’)精細(xì)分級(jí)地被改變。由此，可以借助該裝置在高收件產(chǎn)量下取下不同尺寸的IC。
文檔編號(hào)H01L21/00GK1663024SQ03814766
公開(kāi)日2005年8月31日 申請(qǐng)日期2003年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月26日
發(fā)明者V·榮格 申請(qǐng)人:西門(mén)子公司