專利名稱：用于顯示器及光發(fā)射器的聚合物襯底的制作方法
背景技術：
本發(fā)明通常涉及聚合物襯底。更具體地說，本發(fā)明涉及用于平面顯示器和二次發(fā)光應用的聚合物襯底。
光學顯示器例如活性基質液晶顯示器(LCDs)和光發(fā)射器例如有機場致發(fā)光器(OELDs)已廣泛用于不同用途。LCDs廣泛用作例如高端膝上型計算機(high-end laptop computer)。OELDs在通常的發(fā)光應用例如圖像顯示及影像技術中有著巨大潛力。可是，很多液晶材料和有機場致發(fā)光材料與氧氣和水份會發(fā)生有害反應。為了能長期發(fā)揮功能，通常將LCD器和OELD制作在玻璃襯底上，因為玻璃對氧氣和水蒸汽的滲透性低。但是，玻璃襯底不適合于要求柔性的一些應用場合。平面和曲面顯示器提供了引人注目的設計機遇以及它們的低制造成本潛力已導致人們對聚合物材料的顯示器極為關注。
在LCD和OELD上通常沉積有多個層。通常這多個層的沉積方法由沉積的材料、該沉積材料的密度、及沉積溫度決定。例如，有一種沉積方法是高溫濺射。該方法需要一種具有高玻璃化轉變溫度的塑料襯底，以便在高溫沉積過程中維持其完整性。
因此，本領域需要一種高玻璃化轉變溫度聚合物的透明柔軟材料作為基料用于顯示器及發(fā)光器。
發(fā)明概述本發(fā)明提供了一種聚合物襯底，含有有通式(I)化合物
式(I)中的三個光學活性位點可以是R異構體、S異構體、或它們的組合；R7和R8獨立地選自C1-C6烷基和氫；m是整數，其范圍在約1至約4之間；q是一個整數，其范圍在約1至約4之間；以及其中聚合物襯底被用于光顯示器或光發(fā)射器。
在另一實施方案中，本發(fā)明還提供使用此聚合物襯底的方法，該方法包括把該聚合物襯底沉積在光顯示器或光發(fā)射器之上，其中此聚合物襯底含有通式(I)化合物。
在又一實施方案中，本發(fā)明還提供一種液晶顯示器，它包括a)兩個聚合物襯底，該兩個聚合物襯底基本上彼此平行，其中每個聚合物襯底含有通式(I)化合物；b)沉積在每一個聚合物襯底表面上的透明導電層；及c)液晶材料，該液晶材料沉積在這兩個聚合物襯底之間，使得該液晶材料在這兩個襯底的每一個上接觸透明導電層。
在又一實施方案中，本發(fā)明提供了一種有機場致發(fā)光器，它包括(a)聚合物襯底，其中該聚合物襯底含有通式(I)化合物；及(b)沉積在聚合物襯底上的有機場致發(fā)光層，其中該有機場致發(fā)光層包含了沉積在兩個電極之間的有機場致發(fā)光材料。
附圖簡述

圖1是BHPM-PC的％透射率對波長作圖。
發(fā)明詳述在本說明書和權利要求中提到的許多詞應當具有如下的含義。
單數的“一個”和“該”包括所提到的復數事物，除非文中已另有明確指示不是這樣。
“任選的”或“任選地”指隨后描述的事情或情形可能發(fā)生或可能不發(fā)生，而且這種描述包括所述事情或情形發(fā)生的情況，也包括所述事情或情形不發(fā)生的情況。
在光顯示器和光發(fā)射器中，襯底是一種基料，隨后各層位于該基料上。在本發(fā)明中，人們出乎意料地發(fā)現，這里公開的沉淀了聚碳酸酯的各向同性聚合物襯底具有高的玻璃化轉變溫度，良好的霧度和均勻的厚度，這使得聚碳酸酯很適合用作光顯示器及光發(fā)射器。特別是聚碳酸酯對高溫顯示及發(fā)光應用例如用于液晶顯示器(LCDs)和有機場致發(fā)光器(OELDs)是很理想的。這里所述的“良好的霧度”是指平均霧度百分數小于約4％。這里所述的“均勻的厚度”是指厚度的差異不大于±3％。
本發(fā)明的各向同性聚合物襯底具有通式(I) 式(I)中的三個光活性位點可以是R異構體、S異構體、或它們的組合；R7和R8獨立地選自C1-C6烷基和氫；m是一個整數，其范圍在約1至約4之間；和q是一個整數，其范圍在約1至約4之間。本發(fā)明的聚合物的分子量通常在約30,000至約100,000的范圍，在光顯示器應用及光發(fā)射器中，此襯底的厚度典型地為小于約0.5毫米(mm)，更典型為小于約0.2mm，最典型為小于約0.1mm。
通式(I)的聚合物襯底具有足夠的光透明度，光程差約為±100nm或更小。通式(I)的聚合物襯底基本上也是透明的。這里所用的“基本上透明”指的是在光譜的可見光段其透明度至少為80％。此外，此塑料能經受隨后的加工參數(例如涂上隨后的幾層)如從約室溫(約25℃或更低)至200℃的濺射溫度，以及隨后的貯存條件(例如在溫度高達約70℃熱的汽車中)。也就是說，此塑料具有足夠的穩(wěn)定性使其在層沉積的多個工序中以及最終用戶在貯存過程中能防止變形。通常，在顯示器應用中和光發(fā)射器中應使用玻璃化轉變溫度大于約200℃的材料。通式(I)的聚合物襯底的玻璃化轉變溫度大于約235℃。
通常，液晶顯示器包括中心液晶層、第一導電層和第二導電層、第一和第二隔離涂層，第一和第二聚合物襯底。當存在隔離層時，它可以存在于聚合物襯底的至少一個表面上，或存在于聚合物襯底的兩個表面上。在液晶顯示器的一個實例中，第一聚合物襯底、第一隔離層和第一導電層合在一起形成第一塊板，而第二聚合物襯底、第二隔離層和第二導電層合在一起形成第二塊板。第一塊板和第二塊板彼此基本上平行放置，而液晶層則夾在它們之間。因此，第一和第二聚合物襯底通常是最外層。典型的情況是，每個聚合物襯底的厚度是小于約0.5毫米(mm)，更典型是小于約0.2mm，最典型是小于約0.1mm。
液晶層通常含有向列型液晶(NLCs)、熱致變色液晶(TLCs)、Liotropic液晶(LLCs)、鐵電液晶(FLCs)、扭轉向列型液晶(TNLCs)、超級扭轉向列型液晶(STNLCs)、聚合物分散液晶(PDLCs)、膽甾型液晶(CTLCs)等等。
導電層必須由基本上透明的導電材料組成，典型地是II類或III類氧化物組成。優(yōu)選的是導電層含有銦錫氧化物(ITO)。另一方面，導電層可含有氧化錫、氧化銦、氧化鎂、氧化鎵、氧化鋅、氧化鍺以及它們的混合物中至少一種氧化物?？捎糜趯щ妼拥难趸锇ǖ幌抻?GaIn)2O3；CdSn2O4；CdGa2O4；CdInO4；CdSb2O6；CdGeO4；In2O3；MgIn2O3；MgIn2O4；ZnO；ZnSnO3；Zn2SnO4；Zn2InO5；及ZnIn2O6。這些氧化物可含有少量的至少一種摻雜劑。例如，(GaIn)2O3可以用Sn或Ge摻雜，In2O3可以用Ga摻雜，而ZnO可以用鋁或鎵摻雜。另一方面，導電層可以含有Al、Cu、Pt、Pd或它們的合金中的至少一種。
在一種實施方案中，導電層的厚度為約10nm-200nm。導電層的沉積通常采用例如濺射法、蒸發(fā)法、離子束輔助淀積法(IBAD)、等離子體增強的化學蒸氣淀積法(PECVD)、熱膨脹等離子體CVD法(ETPCVD)、采用感應偶合等離子體法(ICP)或電子回旋加速器共振法(ECR)的高強度等離子體化學蒸氣淀積法(HIPCVD)、它們的結合等的方法。透明導電層淀積方法的選擇取決于被淀積的材料、淀積材料的密度以及淀積溫度。
當隔離層是單層時，它由基本上透明的有機材料或基本上透明的無機材料構成。當隔離層是多層時，隔離層由至少一層基本上透明的有機材料和至少一層基本上透明的無機材料構成，而這些材料對氧氣、水蒸汽和存在于環(huán)境中的其他活性物質具有低透過性?！暗屯高^性”是指氧氣或其他活性氣體的透過性小于約1cm3(在標準溫度和壓力下)/m2/日/大氣壓，而水蒸汽的透過性小于約1g/m2/日。濕氣、氧氣、及其他活性物質的透過速度隨著交替層數的增大而降低。有機層通過減少直接透過通道的數目而降低氣體透過隔離層的速度，這些通道由于在無機層中的缺陷而形成，而在該無機層之上或之下形成該有機層。當隔離層包括多于一個有機層和多于一個無機層時，各個不同的層最好使用不同的有機和無機材料。每一無機層的厚度典型地在約1～500nm、優(yōu)選在約10nm～100nm的范圍內，而有機層的厚度典型地在約1～10000nm、優(yōu)選在約10nm～5000nm的范圍內。有機層可通過單體的物理蒸氣淀積、化學蒸氣淀積(CVD)、快速蒸發(fā)材料的淀積、蘸涂或噴涂然后聚合等等方法而形成。物理或化學氣相淀積要在例如亞大氣壓下進行以減少正在生長著的層中引入不需要的分子。無機層可以用例如物理蒸氣沉積法或化學蒸氣淀積法、離子束輔助沉積法(IBAD)、濺射法、蒸發(fā)法、等離子體增強的化學蒸氣淀積法(PECVD)、熱膨脹等離子體CVD法(ETPCVD)、采用感應偶合等離子體(ICP)或電子回旋加速器共振(ECR)的高強度等離子體化學蒸氣技術法(HIPCVD)、它們的結合等等。此外，金屬層可以用電鍍法淀積。隔離層淀積技術的選擇取決于被淀積的材料、淀積材料的密度及淀積溫度。
適用于形成聚合物層的材料的例子是聚丙烯酸酯例如丙烯酸、甲基丙烯酸，這些酸的酯類或丙烯腈的聚合物或共聚物；聚氟乙烯；聚偏氯乙烯；聚乙烯醇；乙烯醇與乙二醛的共聚物；PET，聚對亞苯基二甲基及來自環(huán)烯烴及其衍生物例如美國專利4,540,763及5,185,391中公開的聚(芳基環(huán)丁烯)。優(yōu)選的是，此聚合物材料是聚丙烯酸酯中的一種。
適用于形成無機層的材料的例子是金屬(這些金屬膜的厚度應足夠薄，以便使此膜是基本上透明的)、金屬碳化物、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳氧化物、金屬氮氧化物、和碳氮化物。金屬的例子是鋁、銀、銅、金、鉑、鈀及它們的合金。優(yōu)選的金屬是鋁和銀。金屬氧化物的例子是ITO、氧化錫、氧化硅類、氧化銦、氧化鋅、氧化鋁、氧化鎂、它們的復合物，以及它們的溶液。優(yōu)選的金屬氧化物是ITO、氧化錫及二氧化硅。金屬氮化物的例子是周期表IVA、VA、VIA、IIIB和IVB族的氮化物。優(yōu)選的金屬化合物是氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、氮化鋁及氮氧化鋁。
本發(fā)明的OELD模式可以包括任何類型的有機光發(fā)射器，術語“光”包括可見光以及UV和IR輻射。OELD模式包括淀積在通式(I)聚合物襯底上的有機場致發(fā)光(EL)層。術語OELD模式通常指一種復合體，它包括有機場致發(fā)光材料、陰極、陽極、以及器件襯底，并且它還可包括其他成分例如至少一個隔離層、至少一個基本上透明的導電層、該器件電接觸件以及光致發(fā)光層。
有機場致發(fā)光層包括夾在兩電極例如陰極和陽極之間的有機場致發(fā)光材料。該有機場致發(fā)光層當從電源通過陽極和陰極施加電壓時會發(fā)光。陽極和陰極將電荷載子即空穴(正電荷)和電子(負電荷)注入有機發(fā)光層，在那里它們結合，形成受激分子或激子，當分子或激子衰退時它們發(fā)光。分子發(fā)出的光的顏色取決于分子或激子的激發(fā)態(tài)與基態(tài)之間的能量差。典型的是，施加的電壓是約3～10伏特，但可以高達30伏特或更高，而外部量子效率(光子發(fā)射/電子進入)在0.01％至5％之間，但可以高達10％、20％、30％或更大。有機場致發(fā)光層的厚度在約50納米與約500納米之間，而陽極和陰極的厚度典型地在約10納米與1000納米之間。
在一種有機場致發(fā)光器中，首先提供本發(fā)明的聚合物襯底。在襯底的至少一個表面上可以任選存在一個隔離層。將第一電導材料淀積在襯底的一個表面上以形成第一電極。第一電極可以是陽極或陰極。將第一電極材料優(yōu)選淀積在襯底上。此外，可以用例如腐蝕法將第一電極成型為所需形狀。將至少一種有機場致發(fā)光材料用物理或化學氣相淀積法、旋轉涂布法、蘸涂法、噴涂法、噴墨印刷法或流延法后再聚合(如果必要或者將此材料固化)而淀積在第一電極上?？梢詫⒂袡C場致發(fā)光材料在溶劑中稀釋以調節(jié)其粘度或將它與作為成膜載體的另一聚合物材料混合。將第二電導材料淀積在至少一種有機場致發(fā)光材料上形成與第一電極相反的第二電極。第二電極可以淀積在有機場致發(fā)光材料的全部面積上，或可以成型為所需形狀或結構。至少有一個電極是基本上透明的?；旧贤该鞯膶щ妼涌扇芜x地存在，而且典型地淀積在聚合物襯底與有機電磁層之間。
陰極通常包含具有低功能值的材料，這使得能用較低的電壓從陰極發(fā)射電子。該陰極可含有例如鉀、鋰、鈉、鎂、鑭、鈰、鈣、鍶、鋇、鋁、銀、銦、錫、鋅、鋯、釤、銪、它們的合金、或它們的混合物。用于制造陰極層的優(yōu)選材料是Ag-Mg、Al-Li、In-Mg及Al-Ca合金。分層的非合金結構也是可能的，例如，金屬如鈣的薄層(厚度為約1～10nm)，或非金屬如LiF的薄層，它們被一層較厚的其他金屬如鋁或銀覆蓋?；蛘?，該陰極能制成兩層，以便提高電子注入。其例子包括氟化鋰(LiF)的薄內層隨后是鋁或銀的較厚外層，或者是鈣的薄內層隨后是鋁或銀的較厚外層。
陽極典型地包含具有高功能值的材料。該陽極優(yōu)選是透明的，因而有機發(fā)光層中產生的光能傳播出OELD模式之外。此陽極能含有例如氧化銦錫(ITO)、氧化錫、氧化銦、氧化鋅、氧化銦鋅、氧化鎘錫、鎳、金或它們的復合物。這些電極可以用通常的氣相淀積技術來形成，例如蒸發(fā)或濺射。
有機場致發(fā)光層用作空穴和電子的傳送介質。在這一層中，這些已激活物種相結合并降至較低的能級，同時發(fā)出可見范圍的EM輻射。選擇有機場致發(fā)光材料使其在所希望的波長范圍發(fā)光。有機EL材料可以是聚合物、共聚物、聚合物的混合物、或具有雙鍵的低分子量有機分子。這些材料具有非定域π-電子體系，使得聚合物鏈或有機分子具有能支持具有高移動性的正電荷和負電荷載體的能力。適用的場致發(fā)光聚合物是聚(n-乙烯基咔唑)(PVK，發(fā)射波約為380～500nm的從紫到藍的光)；聚(烷基芴)如聚(9，9-二己基芴)(410-550nm)，聚(二辛基芴)(峰值EL發(fā)射的波長為436nm)或聚{9，9-雙(3，6-二氧雜庚基)-芴-2，7-二基}(400-550nm)；聚(對亞苯基)衍生物如聚(2-癸氧基-1，4-亞苯基)(400-550nm)。這些聚合物或基于這些聚合物中的一種或多種和別的聚合物的共聚物的混合物，均可用于調整發(fā)射光的顏色。
適用EL聚合物的另一類是聚硅烷。聚硅烷是用多種烷基和/或芳基側基取代的線型硅骨架聚合物。它們是準一維材料，沿著聚合物骨架鏈有非定域σ-共軛電子。聚硅烷的例子是聚(二-正丁基硅烷)、聚(二-正戊基硅烷)、聚(二-正己基硅烷)、聚(甲基苯基硅烷)、及聚{雙(對-丁基苯基)硅烷}，它們公開在H.Suzuki等人，“Near-Ultraviolet Electroluminescence FromPolysilanes，”331 Thin Solid Films 64-70(1998)。這些聚硅烷發(fā)射波長在約300nm-420nm的光。
分子量小于約5000的由大量芳族單元制成的有機材料也是可應用的。這些材料的例子是1，3，5-三{正-(4-二苯氨基苯基)苯氨基}苯，它發(fā)射波長范圍為380～500nm的光。有機EL層也可以從低分子量有機分子例如苯基蒽、四芳基乙烯、香豆素、紅熒烯、四苯基丁二烯、蒽、苝、暈苯或它們的衍生物制得。這些材料通常發(fā)射最大波長約為520nm的光。還有另一類適用材料是低分子量金屬有機絡合物如乙酰丙酮鋁、乙酰丙酮鎵和乙酰丙酮銦，它們發(fā)射波長范圍是415-457nm的光；(吡啶甲基甲基甲酮)雙{2，6-二(叔丁基)苯氧基}鋁或(4-甲氧基-吡啶甲基甲基甲酮)雙(乙酰丙酮)鈧，發(fā)射420-433nm范圍的光。對白光應用來說，優(yōu)選的有機EL材料是發(fā)射藍綠色波長的那些光。
多于一種的有機場致發(fā)光材料可以連續(xù)淀積在彼此的頂部，每一層含有發(fā)射不同波長范圍光的不同有機場致發(fā)光材料。這種結構能有利于調整所有光發(fā)射器發(fā)出光的顏色。
此外，可以包含另外的一個層或多個層，以提高整個器件的效率。例如，這些另外的層能用來改進電荷注入(電子或空穴注入增強層)或遷移(電子或空穴遷移層)到有機場致發(fā)光層中。這些層的每層厚度保持小于500nm，優(yōu)選小于10nm。這些另外的層的材料典型地是低至中分子量(小于約2000)的有機分子。在制造器件過程中可以用通常的方法如噴涂、蘸涂或者物理或化學蒸氣淀積法進行涂布。在本發(fā)明的一實施方案中，在陽極層與有機場致發(fā)光材料之間形成空穴注入增強層，以便在給出的前置偏壓處產生更高的注入電流和/或在器件失效之前產生更大的最大電流。因此，空穴注入增強層加速來自陽極的空穴的注入。適用的用于空穴注入增強層的材料是公開在美國專利5,998,803中的基于亞芳基的化合物，例如3，4，9，10-二萘嵌苯四羧酸二酐或雙(1，2，5-噻二唑)-對-喹啉并雙(1，3-二硫醇)。
在本發(fā)明的另一實施方案中，空穴遷移層可以沉積在空穴注入增強層與有機場致發(fā)光材料之間?？昭ㄟw移層具有將空穴遷移和將電子遷移鎖定的作用，因此空穴和電子在有機場致發(fā)光材料中被優(yōu)化結合。適用作空穴遷移層的材料是如公開在美國專利6,023,371中三芳基二胺、四苯基二胺、芳族叔胺、腙衍生物、咔唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、帶氨基的噁二唑衍生物，以及多噻吩。
在本發(fā)明的再一個實施方案中，可以在陰極層與有機場致發(fā)光材料之間沉積另一層。這另一層具有把注入電子和遷移電子結合到有機場致發(fā)光材料中的功能。適用作電子注入層和電子遷移層的材料是如在美國專利6,023,371中公開的金屬有機絡合物如三(8-羥基喹啉合)鋁、噁二唑衍生物、二萘嵌苯衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、喹啉衍生物、喹喔啉衍生物、二苯基醌衍生物、及硝基取代的芴衍生物。
有機發(fā)光層的上述例子可用于設計能發(fā)射一種或多種所希望顏色的有機光發(fā)射器。例如，OELD模式能發(fā)射紫外、藍、綠或紅光。
有機場致發(fā)光器中任選包含的隔離層可以是單層的或多層的。隔離層起著防止或基本上減少氧氣或水蒸氣通過聚合物襯底擴散的作用。隔離涂層可沉積在聚合物襯底兩個表面的一個上，或者它可以完全包圍聚合物襯底。優(yōu)選的是，隔離涂層沉積在相鄰于有機場致發(fā)光件的聚合物襯底的表面上。當隔離涂層沉積在位于有機場致發(fā)光件對面的聚合物襯底的表面上時，可以有利于形成這一隔離涂層從而基本上覆蓋聚合物襯底的全部邊沿?；蛘撸辽僖粋€隔離涂層能夠沉積在有機場致發(fā)光層的兩個表面的一個上。適用作有機場致發(fā)光器這種隔離層的材料，在上面已作描述。
上面描述了有機場致發(fā)光器用的基本上透明的導電層和可任選的另外這些層。
為了讓本領域技術熟練人員能更好實現本發(fā)明，給出下面的實施例，以便解釋而不是限制本發(fā)明。
實施例1將具有下列通式(I)1，3-雙(4-羥苯基)薄荷烷的單體重復單元的聚碳酸酯制成膜狀樹脂材料。單體的脂族本質和各向同性本質導致一種具有比BPA-聚碳酸酯更低各向異性的材料。其結果可見于表1。
表1
此外，BHPM-PC是基本上透明的，如圖1中可見的％透射率圖形所示。
盡管典型實施方案已為了解釋目的而在前面描述了，但是前面的描述不應理解為對本發(fā)明范圍的限制。因此，本領域技術人員可作出不背離本發(fā)明的構思和范圍的各種改進、修正和替代。
權利要求
1.一種含有通式(I)的聚合物襯底 式(I)中的三個光活性位點可以是R異構體、S異構體、或它們的組合；R7和R8獨立地選自C1-C6烷基和氫；m是一個整數，其范圍在約1至約4之間；q是一個整數，其范圍在約1至約4之間；以及其中該聚合物襯底用于光顯示器或光發(fā)射器。
2.根據權利要求1的聚合物襯底，其中R7和R8是氫，m是4而q是4。
3.根據權利要求1的聚合物襯底，其玻璃化轉變溫度大于約235℃。
4.根據權利要求1的聚合物襯底，其霧度小于約4％。
5.根據權利要求1的聚合物襯底，其中聚合物襯底具有變化小于3％的均勻厚度。
6.根據權利要求1的聚合物襯底，其中光顯示器是液晶顯示器。
7.根據權利要求1的聚合物襯底，其中光發(fā)射器是有機場致發(fā)光器。
8.根據權利要求1的聚合物襯底，其中聚合物襯底含有至少一個隔離層。
9.根據權利要求1的聚合物襯底，其中隔離層含有無機材料、有機材料、或它們的組合。
10.根據權利要求1的聚合物襯底，其中聚合物襯底含有至少一個基本上透明的導電層。
11.根據權利要求10的聚合物襯底，其中所述的基本上透明的導電層含有至少一種金屬的氧化物，該金屬選自錫、鎘、銦、鋅、鎂、鎵、和它們的組合。
12.根據權利要求11的聚合物襯底，其中所述的基本上透明的導電層還含有至少一種摻雜劑，該摻雜劑選自鎵、鋁、鍺和錫。
13.根據權利要求12的聚合物襯底，其中所述的氧化物是氧化銦錫。
14.一種具有通式(I)的聚合物襯底 式(I)中的三個光活性位點可以是R異構體、S異構體、或它們的組合；R7和R8是氫；m是4；以及q是4；其中該聚合物襯底用于光顯示器，其中該聚合物襯底還包含至少一層隔離層和至少一層基本上透明的導電層。
15.一種使用聚合物襯底的方法，它包括把該聚合物襯底沉積在光顯示器或光發(fā)射器中，其中所述的聚合物襯底具有通式(I) 式(I)中的三個光活性位點可以是R異構體、S異構體、或它們的組合；R7和R8獨立地選自C1-C6烷基和氫；m是一個整數，其范圍在約1至約4之間；q是一個整數，其范圍在約1至約4之間。
16.根據權利要求15的方法，其中R7和R8是氫，m是4，而q是4。
17.根據權利要求15的方法，其中該聚合物襯底的玻璃化轉變溫度大于約235℃。
18.根據權利要求15的方法，其中該聚合物襯底的霧度小于約4％。
19.根據權利要求15的方法，其中該聚合物襯底具有變化小于約3％的均勻厚度。
20.根據權利要求15的方法，其中該光顯示器是液晶顯示器。
21.根據權利要求15的方法，其中該光發(fā)射器是有機場致發(fā)光器。
22.根據權利要求15的方法，其中該聚合物襯底還含有至少一個隔離層。
23.根據權利要求22的方法，其中該隔離層含有無機材料、有機材料、或它們的組合。
24.根據權利要求15的方法，其中該聚合物襯底還含有至少一個基本上透明的導電層。
25.根據權利要求24的方法，其中所述的基本上透明的導電層含有至少一種金屬的氧化物，該金屬選自錫、鎘、銦、鋅、鎂、鎵、和它們的組合。
26.根據權利要求25的方法，其中所述的基本上透明的導電層還含有至少一種摻雜劑，該摻雜劑選自鎵、鋁、鍺和錫。
27.根據權利要求26的方法，其中所述的氧化物是氧化銦錫。
28.一種液晶顯示器，它包括a)兩個聚合物襯底，該兩個聚合物襯底基本上彼此平行，其中每個聚合物襯底具有通式(I) 式(I)中的三個光活性位點可以是R異構體、S異構體、或它們的組合；R7和R8獨立地選自C1-C6烷基和氫；m是一個整數，其范圍在約1至約4之間；q是一個整數，其范圍在約1至約4之間；b)沉積在每一個聚合物襯底表面上的透明導電層；及c)液晶材料，所述的液晶材料沉積在這兩個聚合物襯底之間，使得液晶材料與在這兩個襯底的每一個上的透明導電層相接觸。
29.根據權利要求28的液晶顯示器，其中R7和R8是氫，m是4而q是4。
30.根據權利要求28的液晶顯示器，其中該聚合物襯底的玻璃化轉變溫度大于約235℃。
31.根據權利要求28的液晶顯示器，其中該聚合物襯底的霧度小于約4％。
32.根據權利要求28的液晶顯示器，其中所述的液晶材料是選自向列型液晶、熱致變色液晶、Liotropic液晶、鐵電液晶、扭轉向列型液晶、超級扭轉向列型液晶、及分散的聚合物液晶。
33.根據權利要求28的液晶顯示器，其中該聚合物襯底具有變化小于約3％的均勻厚度。
34.根據權利要求28的液晶顯示器，其中所述的基本上透明的導電層含有至少一種金屬的氧化物，該金屬選自錫、鎘、銦、鋅、鎂、鎵、和它們的組合。
35.根據權利要求34的液晶顯示器，其中所述的透明導電層還含有至少一種摻雜劑，而此摻雜劑選自鎵、鋁、鍺、和錫。
36.根據權利要求35的液晶顯示器，其中所述的氧化物是氧化銦錫。
37.根據權利要求28的液晶顯示器，其中至少一個隔離層被沉積在聚合物襯底的至少一個表面上。
38.根據權利要求37的液晶顯示器，其中該至少一個隔離層含有無機材料、有機材料、或它們的組合。
39.一種有機場致發(fā)光材料，它包括(a)聚合物襯底，其中所述的聚合物襯底含有通式(I)化合物 式(I)中的三個光活性位點可以是R異構體、S異構體、或它們的組合；R7和R8獨立地選自C1-C6烷基和氫；m是一個整數，其范圍在約1至約4之間；和q是一個整數，其范圍在約1至約4之間；(b)沉積在聚合物襯底上的有機場致發(fā)光層，其中有機場致發(fā)光層包括沉積在兩個電極之間的有機場致發(fā)光材料。
40.根據權利要求39的有機場致發(fā)光器，其中R7和R8是氫，m是4，而q是4。
41.根據權利要求39的有機場致發(fā)光器，其中該聚合物襯底的玻璃化轉變溫度大于約235℃。
42.根據權利要求39的有機場致發(fā)光器，其中該聚合物襯底的霧度小于約4％。
43.根據權利要求39的聚合物襯底，其中該聚合物襯底具有變化小于約3％的均勻厚度。
44.根據權利要求39的有機場致發(fā)光器，其中至少一個隔離層被沉積在聚合物襯底的至少一個表面上。
45.根據權利要求44的有機場致發(fā)光器，其中該至少一個隔離層含有無機材料、有機材料、或它們的組合。
46.根據權利要求39的有機場致發(fā)光器，其中至少一個透明導電層被沉積在有機場致發(fā)光層與聚合物襯底層之間。
47.根據權利要求46的有機場致發(fā)光器，其中所述的透明導電層含有至少一種金屬的氧化物，該金屬選自錫、鎘、銦、鋅、鎂、鎵、和它們的組合。
48.根據權利要求47的有機場致發(fā)光器，其中所述的透明的導電層還含有至少一種摻雜劑，該摻雜劑選自鎵、鋁、鍺、和錫。
49.根據權利要求48的聚合物襯底，其中所述的氧化物是氧化銦錫。
50.根據權利要求39的有機場致發(fā)光器，其中所述的有機場致發(fā)光材料選自聚(正乙烯基咔唑)、聚(烷基芴)、聚(對亞苯基)、聚硅氧烷、它們的衍生物、它們的混合物、及它們的共聚物。
51.根據權利要求39的有機場致發(fā)光器，其中所述的有機場致發(fā)光材料選自1，3，5-三{正-(4-二苯氨基苯基)苯氨基}苯、苯基蒽、四芳基乙烯、香豆素、紅熒烯、四苯基丁二烯、蒽、苝、暈苯、(吡啶甲基甲基甲酮)雙{2，6-二(叔丁基)苯氧基}鋁、(4-甲氧基-吡啶甲基甲基甲酮)雙(乙酰丙酮)鈧，乙酰丙酮鋁、乙酰丙酮鎵、和乙酰丙酮銦。
52.根據權利要求39的有機場致發(fā)光器，其中所述的兩個電極中的一個是陰極，它被沉積在所述的襯底上，并且所述的陽極含有一種選自氧化銦錫(“ITO”)、氧化錫、氧化銦、氧化鋅、氧化銦鋅、氧化鎘錫、它們的混合物的材料，而這些氧化物已用鋁或氟摻雜。
53.根據權利要求39的有機場致發(fā)光器，其中這兩個電極中的一個是陰極，并含有一種材料，選自K、Li、Na、Mg、La、Ce、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Zn、Zr、Sm、Eu、它們的合金、和它們的混合物。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種含有高玻璃化轉變溫度的聚碳酸酯的用于光顯示器和光發(fā)射器的聚合物襯底。本發(fā)明也提供了一種包含上述聚合物襯底的液晶顯示器、有機場致發(fā)光器、以及其使用方法。
文檔編號H01L51/05GK1666140SQ03815463
公開日2005年9月7日 申請日期2003年3月31日 優(yōu)先權日2002年4月29日
發(fā)明者格蘭特·海, 馬克·謝普肯斯, 蘇朝輝, 帕菲特·J·M·利基比, 尼古拉斯·D·阿巴蒂洛, 詹姆斯·A·馬胡德 申請人:通用電氣公司