專利名稱：有機電致發(fā)光顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機EL顯示器件，該有機EL顯示器件具有多個發(fā)光部規(guī)則配置的顯示陣列，該發(fā)光部由有機EL元件構(gòu)成，該有機EL元件包括利用電子和空穴的注入以發(fā)光的有機化合物材料的電致發(fā)光(以下，稱為EL)的有機EL材料的薄膜構(gòu)成的發(fā)光層。
背景技術(shù)：
人們正在關(guān)注以矩陣狀排列多個有機EL元件而構(gòu)成的有機EL顯示器件的可降低功耗、高顯示品質(zhì)和薄型化的顯示器件。
眾所周知，有機EL元件作為自發(fā)光元件，例如，在形成由銦錫氧化物的所謂ITO構(gòu)成的透明電極的玻璃板等的透明基板上，層疊有機電子輸運層、有機發(fā)光層、有機空穴輸運層等中至少一層有機材料層和金屬電極。通過在透明電極的陽極施加正電壓、在金屬電極的陰極施加負電壓，存儲電荷，并且持續(xù)地超過元件固有的勢壘電壓或發(fā)光閾值電壓時，電流開始流動，利用與此直流幾乎成正比的強度進行發(fā)光。
作為使用有機EL元件的顯示面板是一種有源矩陣型顯示面板，其以單矩陣狀配置有機EL元素的簡單陣列型顯示面板附加上由以矩陣狀配置的有機EL元件的各晶體管構(gòu)成的驅(qū)動元件。有源矩陣型顯示面板與簡單的矩陣型顯示面板相比，具有低消耗電能，及像素間的交調(diào)失真少等優(yōu)點，特別適用于大的圖像顯示和高精細度顯示。
有源矩陣驅(qū)動方式的顯示器件是一種在每個發(fā)光部通過使用例如由多晶硅構(gòu)成的薄膜晶體管(TFT)的開關(guān)向每個像素供給電流、從而使有機EL元件發(fā)光的器件。TFT中，使用MOS-FET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。
MOS-TFT中，例如，在玻璃基板上形成由多晶硅構(gòu)成的兩個反向傳導區(qū)域，在該反向傳導區(qū)域間的基板表面上順序設置氧化物SiO2薄膜、金屬柵電極，通過由金屬柵電極施加的電場，控制傳導性。因此，由于在顯示基板上需要必須高溫處理的多晶硅基板等，在其上需要形成Si等無機材料膜，因此在其制造中需要采用高溫處理。
作為顯示器件，需要更多的大型顯示面板，正在開發(fā)低溫多晶硅基板。但是，在低溫制造該基板時，仍必須進行500℃左右的加熱處理。即使這樣，在有源矩陣驅(qū)動方式的有機EL顯示器件的大型顯示面板中使用無機材料TFT時，也不能避免顯示器件的高價格化。
因此，已經(jīng)提出了一種具有在對置的一對電極間成膜的由有機材料構(gòu)成的有機半導體膜的有機TFT。認為使用此有機TFT，就能夠驅(qū)動有機EL元件。
但是，沒有提出具體的有機TFT結(jié)構(gòu)。此外，由有機TFT驅(qū)動的有機EL元件中，同時在結(jié)構(gòu)上無缺陷的有機半導體材料、有機材料層15b的耐熱性、耐溶劑性、耐濕性等都非常差，因此很難實現(xiàn)實用的有機EL顯示面板。

發(fā)明內(nèi)容
因此，在本發(fā)明要解決的課題中，作為一個實例，列舉出提供一種在公用的基板上形成用比較低的溫度就能制造的有機薄膜晶體管和有機EL元件的有機EL顯示器件。
本發(fā)明的有機EL顯示器件包括基板和在上述基板上形成的多個發(fā)光部，每個發(fā)光部含有有機EL元件和連接上述有機EL元件的有機薄膜晶體管，其特征在于，上述有機EL元件具有對置的一對電極、含有在上述一對電極間層疊的有機發(fā)光層的有機材料層，
上述有機薄膜晶體管具有對置的源電極和漏電極、為了在上述源電極和漏電極間形成溝道的而層疊的有機半導體膜以及用于將電場施加到上述源電極和漏電極間的上述有機半導體膜的柵電極，并且，在上述發(fā)光部內(nèi)，配備防止上述源電極和漏電極間短路的源漏絕緣膜、保護上述有機半導體膜的保護絕緣膜以及覆蓋上述有機EL元件的一個電極的邊緣部分的像素絕緣膜，上述源漏絕緣膜、上述保護絕緣膜和上述像素絕緣膜中至少兩種由同一電介質(zhì)材料構(gòu)成。
本發(fā)明的有機EL顯示器件的制造方法，其中該有機EL顯示器件包括基板和在上述基板上形成的多個發(fā)光部，每個發(fā)光部含有有機EL元件和連接上述有機EL元件的有機薄膜晶體管作為含有基板，其特征在于，該方法包括形成有機薄膜晶體管的工序，該有機薄膜晶體管具有對置的源電極和漏電極、為了在上述源電極和漏電極間形成溝道而層疊的有機半導體膜以及用于將電場施加到上述源電極和漏電極間的上述有機半導體膜的柵電極，形成具有對置的一對電極、含有在上述一對電極間層疊的有機發(fā)光層的有機材料層的上述有機EL元件的工序，絕緣膜形成工序，在上述發(fā)光部內(nèi)，形成防止上述源電極和漏電極間短路的源漏絕緣膜，形成保護上述有機半導體膜的保護絕緣膜以及形成覆蓋上述有機EL元件的一個電極的邊緣部分的像素絕緣膜，上述源漏絕緣膜、上述保護絕緣膜和上述像素絕緣膜中至少兩種由同一電介質(zhì)材料構(gòu)成，利用相同工序形成上述兩種絕緣膜。
附圖的簡要說明

圖1為表示根據(jù)本發(fā)明的實施形態(tài)的有機EL顯示器件的顯示面板結(jié)構(gòu)的方框圖。
圖2為表示根據(jù)本發(fā)明的實施形態(tài)的有機EL顯示器件的發(fā)光部的電路圖。
圖3為表示從根據(jù)本發(fā)明的實施形態(tài)的有機EL器件的發(fā)光部顯示一側(cè)看到的平面圖。
圖4為沿圖3的線AB的截面圖。
圖5為根據(jù)本發(fā)明的實施形態(tài)的有機EL顯示器件的發(fā)光部的有機薄膜晶體管的截面圖。
圖6為表示根據(jù)本發(fā)明的另一實施形態(tài)的有機EL顯示器件的顯示面板的發(fā)光部的截面圖。
圖7～14為表示根據(jù)本發(fā)明的實施形態(tài)的有機EL顯示器件的顯示面板的制造工序的基板的概括部分的放大平面圖。
圖15為表示根據(jù)本發(fā)明的另一實施形態(tài)的有機EL顯示器件的顯示面板的發(fā)光部的截面圖。
用于實施本發(fā)明的實施形態(tài)下面，參照附圖來說明本發(fā)明的實施形態(tài)。
圖1表示利用有源矩陣驅(qū)動方式的實施形態(tài)的有機EL顯示器件。顯示器件具有顯示面板101、地址驅(qū)動器110、數(shù)據(jù)驅(qū)動器120和控制器130。
如圖1所示，顯示面板101包括分別以規(guī)定間隔平行形成的n條掃描線SL1～SLn和分別以規(guī)定間隔平行形成的m條數(shù)據(jù)線DL1～DLm，掃描線和數(shù)據(jù)線隔開規(guī)定間隔，以相互成直角的方式被形成。并且，顯示面板101包括分別在對應于掃描線和數(shù)據(jù)線各交點的部分形成的n×m個發(fā)光部102。各掃描線的一端連接地址驅(qū)動器110，各數(shù)據(jù)線連接數(shù)據(jù)驅(qū)動器120。
地址驅(qū)動器110向每條掃描線SL1～SLn順序施加電壓。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器120向數(shù)據(jù)線DL1～DLm施加用于使發(fā)光部102發(fā)光的數(shù)據(jù)電壓。
控制器130連接地址驅(qū)動器110和數(shù)據(jù)驅(qū)動線120，根據(jù)預備供給的圖像，控制地址驅(qū)動器110和數(shù)據(jù)驅(qū)動器120的工作。
如圖2所示，發(fā)光部102由選擇用晶體管的地址有機TFT11和驅(qū)動用晶體管的驅(qū)動有機TFT12、電容器13、有機EL元件15構(gòu)成。
在圖2中，地址有機TFT11的柵電極G連接供給地址信號的掃描線SL，地址有機TFT11的漏電極D連接供給數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線DL。地址有機TFT11的源電極S連接驅(qū)動有機TFT12的柵電極G，還連接電容器13的一個端子。驅(qū)動有機TFT12的源電極S連接電容器13的另一個端子的同時還連接電源線VccL。驅(qū)動有機TFT12的漏電極D連接有機EL元件15的陽極，有機EL元件15的陰極連接公用電極17。
連接圖2表示的電源線VccL和各有機EL元件15的陰極的公用電極17不與向這些電極供給電能的電壓源連接(未圖示)。
敘述有關(guān)此電路的發(fā)光控制工作，首先，在圖2中，向地址有機TFT11的柵電極G供給導通電壓，地址有機TFT11使對應于向源電極S供給的數(shù)據(jù)的電壓的電流從源電極S流向漏電極D。地址有機TFT11的柵電極G為截止電壓時，地址有機TFT11變?yōu)樗^的截止，地址有機TFT11的漏電極D處于開路狀態(tài)。因此，地址有機TFT11的柵電極G為導通電壓期間，電容器13充電，并向驅(qū)動有機TFT12的柵電極G供給其電壓，在驅(qū)動有機TFT12中，根據(jù)其柵電壓和源電壓，電流從源電極S流向漏電極S，使有機EL元件15發(fā)光。此外，地址有機TFT11的柵電極G為導通電壓時，地址有機TFT11處于開路狀態(tài)，驅(qū)動有機TFT12通過存儲在電容器13的電荷保持柵電極G的電壓、維持到下一掃描為止的驅(qū)動電流，并且仍維持有機EL元件15的發(fā)光。
圖3和圖4示出了利用本發(fā)明的有機TFT驅(qū)動的有機EL元件構(gòu)成的有機EL顯示面板的結(jié)構(gòu)。如圖3的平面圖所示，有機EL顯示面板包括在每個發(fā)光部中的有機EL元件15，用于驅(qū)動它們所需的多個有機TFT例如地址有機TFT11和驅(qū)動有機TFT12，以及維持數(shù)據(jù)電壓所必需的電容器13。通過在掃描線SL、數(shù)據(jù)線DL和電源線VccL的各交點附近配置此結(jié)構(gòu)，能夠完成像素的發(fā)光部。圖4示出了圖3所示的線AB的截面。
圖5示出了地址有機TFT11和驅(qū)動有機TFT12的結(jié)構(gòu)。如圖5所示，有機TFT含有對置的源電極S和漏電極D、為了在源電極和漏電極間形成溝道而層疊的有機半導體構(gòu)成的有機半導體膜OSF、將電場施加到源電極S和漏電極D間的有機半導體膜SOF的柵電極G，并且還具有使柵電極G與源電極S和漏電極D絕緣的柵絕緣膜GIF。
如圖4所示，通過覆蓋至少一個柵電極和晶體管部，形成柵絕緣膜GIF。在柵絕緣膜GIF中，為了對各個晶體管進行布線，設有必要的貫通孔TH?；趯沤^緣膜GIT的工作且基于對電容器13電介質(zhì)的工作，就可以同時對同一電介質(zhì)材料進行成膜。因此，如圖4所示，連續(xù)地形成柵絕緣膜GIF和電容器13的電介質(zhì)。
如圖4所示，在源電極S和漏電極D的整個表面上，形成源漏絕緣膜SDI。用于防止有機EL元件的公用電極17間的短路。源漏絕緣膜SDI同樣也覆蓋有機半導體OSF，具有有機半導體膜的有機半導體保護絕緣膜OSP的功能。并且，源漏絕緣膜SDI覆蓋有機EL元件15的像素電極15a的邊緣部分，具有像素絕緣膜PIF功能。
驅(qū)動有機TFT12與像素電極15a連接。由于有機EL元件的有機材料層15b的膜厚通常為0.1μm左右(order)、非常薄，因此像素電極15a的邊緣部分容易與公用電極17發(fā)生短路。為了防止這種情況，優(yōu)選設置覆蓋像素電極15a的邊緣部分的像素絕緣膜。
有機EL元件15由像素電極15a、有機材料層15b和公用電極17形成。雖然通常用空穴注入層、空穴輸運層、發(fā)光層、電子輸運層、電子注入層等多層來構(gòu)成有機材料層15b，但也可至少含有發(fā)光層。有機材料層15b根據(jù)其發(fā)光顏色來涂敷劃分出每一像素。發(fā)光層以外的層存在各色公用層時，不僅每個像素，而且也可與公用電極17一樣整體地形成該層。
像素電極15a、公用電極17中至少一個電極，必須具有用于從外部獲取EL發(fā)光的光的透過性。
根據(jù)本發(fā)明，能同時形成有機EL顯示器件中使用的三個絕緣膜，即源漏絕緣膜SDI、像素絕緣膜PIF、有機半導體保護絕緣膜OSPF中任意兩個以上的膜。圖4的結(jié)構(gòu)中，同時形成三個源漏絕緣膜SDI、像素絕緣膜PIF、有機半導體保護絕緣膜OSPF。能夠同時形成這兩個絕緣膜，就能夠同時形成源漏絕緣膜SDI和像素絕緣膜PDI的情況下的如圖6所示的結(jié)構(gòu)。在形成有機半導體膜OSF膜前，同時形成源漏絕緣膜SDI和像素絕緣膜PIF，并且在形成有機半導體膜OSF成膜后，形成有機材料保護膜OSPF。
在上述實例中，展示了用于驅(qū)動有機EL元件最簡單結(jié)構(gòu)的兩個晶體管的情況，本發(fā)明能夠適用于使用三個以上晶體管的元件。
下面，說明本發(fā)明的有機EL顯示器件的制造方法。
-柵電極的形成-如圖7所示，首先，在玻璃、塑料等的基板1上，形成含有掃描線SL、柵電極G的下部布線圖形。形成一個區(qū)域，該區(qū)域由與掃描線SL連接的相應的地址有機TFT和與電源線連接的相應的驅(qū)動有機TFT的柵電極G及電容器的一個電極13a所形成。電容器的電極13a的位置，在后面配置連接相應電源線正下面的位置。通過在電源線的正下方設置電容器，就能夠更加確保像素面積。
作為掃描線SL和柵電極的材料優(yōu)選電阻率低的材料，一般使用純金屬或合金。例如，可以使用Al、Ag、Cu、Au、Cr等和含這些金屬的合金。膜的形成方法不介意使用任何方法，例如，可以采用例如濺射法、EB蒸發(fā)法、電阻加熱蒸發(fā)法、CVD法、印刷法等。圖形形成方法不介意使用任意的方法，例如，可以采用光蝕刻法、印刷法、等離子蒸發(fā)法等。
此外，在電阻率這一點中，柵電極能夠使用比金屬差的導電性高分子。此時，圖形形成就能夠使用印刷法等低成本的方法。
-柵絕緣膜的形成-如圖8所示，在下部布線圖形上，以規(guī)定的圖形形成柵絕緣膜GIF。在此，利用與柵絕緣膜GIF相同的電介質(zhì)材料在其電極13a上同時對電容器的電介質(zhì)層13b進行成膜。此外，在柵絕緣膜GIF中，設置用于與地址有機TFT和驅(qū)動有機TFT的柵電極相連接的貫通孔TH。在此，為了分別達到柵絕緣膜GIF和電容器的電介質(zhì)層13b的功能，使其變薄，并且為了確保相交的電源線和掃描線的絕緣，使其變厚，因此就可以在每個多次劃分的部分形成膜厚不同的柵絕緣膜的規(guī)定圖形。
作為柵絕緣膜GIF的材料，可以使用金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氟化物等金屬化合物，例如Al2O3、SiO2、SiN、SiON等，或絕緣性的聚合物，例如聚酰亞胺等。膜的形成方法不介意使用任何方法，例如，可以采用例如濺射法、EB蒸發(fā)法、電阻加熱蒸發(fā)法、CVD法、印刷法、旋轉(zhuǎn)涂層法等。圖形形成方法不介意使用任意的方法，例如，可以采用光蝕刻法、印刷法、等離子蒸發(fā)法等。
-像素電極的形成-如圖9所示，在柵絕緣膜GIF上以規(guī)定圖形形成作為有機EL元件的陽極的近似矩形的像素電極15a。
在像素電極15a要求透光性的情況下，作為電極材料，一般可使用純金屬和合金的非常薄的半透明膜、金屬氧化物等的透明電極。例如，可使用Au、Pd等半透明膜、ITO等的透明電極。對于不要求透光性的情況，作為材料，一般可使用純金屬或合金。例如，可以使用Al、Ag、Cu、Au、Cr等，及含有它們的合金。
膜的形成方法不介意使用任何方法，例如，可以采用例如濺射法、EB蒸發(fā)法、電阻加熱蒸發(fā)法、CVD法、印刷法等。圖形形成方法不介意使用任意的方法，例如，可以采用光蝕刻法、印刷法、等離子蒸發(fā)法等。
-源電極和漏電極的形成-如圖10所示，在像素電極15a或柵絕緣膜GIF上，以規(guī)定的布線圖形形成地址有機TFT和驅(qū)動有機TFT的源電極及漏電極D，同時形成數(shù)據(jù)線DL和電源線VccL。在柵絕緣膜GIF上，形成通過夾持像素電極15a與掃描線SL相垂直并相互平行的數(shù)據(jù)線DL和電源線VccL。
在此，電源線VccL的一部分作為夾持電容器的電極13a的電介質(zhì)層13b的電容器的另一電極13c，同時被形成薄膜。由于形成的電容器13采用比用于將電能供給電源線VccL的另一條線還要寬的幅度來進行成膜，由于能配置在其電源線的正下方，所以不會壓迫擠占像素電極，能夠充分確保電容器13的容量。此外，由于相對于驅(qū)動有機TFT12在與地址有機TFT11相反一側(cè)配置電容器13，驅(qū)動有機TFT12和地址有機TFT11的布線距離就比在驅(qū)動有機TFT12和地址有機TFT11間配置電容器13時的布線距離縮短了。因此，能夠確保像素電極的面積并且還能夠期望地提高電荷的移動速度。
通過穿過對應的柵電極形成與電源線VccL連接的驅(qū)動有機TFT的源電極S和漏電極D，通過連接像素電極15a來形成漏電極D。通過穿過對應的柵電極形成與數(shù)據(jù)線DL連接的地址有機TFT的漏電極D和源電極S，通過貫通孔TH，形成與驅(qū)動有機TFT的柵電極連接的源電極S。
作為源電極和漏電極的材料，優(yōu)選對應于所使用的有機半導體能高效率地注入載流子，且低電阻率的材料。例如，能夠使用Au、Pd等。作為數(shù)據(jù)線DL和電源線VccL的材料，可使用與掃描線SL相同的材料。
膜的形成方法不介意使用任何方法，例如，可以采用例如濺射法、EB蒸發(fā)法、電阻加熱蒸發(fā)法、CVD法、印刷法等。圖形形成方法不介意使用任意的方法，例如，可以采用光蝕刻法、印刷法、等離子蒸發(fā)法等。
此外，源電極和漏電極的材料可與像素電極15a的材料相同，此時，能夠在一個工序中形成像素電極15a和源電極及漏電極。并且，對應于材料，能夠分別分多次形成上述規(guī)定的布線圖形。
再有，在本實施形態(tài)中，預先進行像素電解15a的形成工序而不是進行源電極及漏電極的形成工序，也可按相反的順序進行。
-有機半導體膜的形成-如圖11所示，通過與連接電源線VccL的驅(qū)動有機TFT和連接數(shù)據(jù)線的地址有機TFT的柵電極的正上方的源電極S、漏電極D及柵絕緣膜GIF相連接，以規(guī)定圖形形成各有機半導體膜OSF。
作為有機半導體膜OSF的材料，優(yōu)選載流子的移動能力高的材料，可以使用低分子的有機半導體材料、有機半導體聚合物。
膜的形成方法不介意使用任何方法，例如，可以采用例如濺射法、EB蒸發(fā)法、電阻加熱蒸發(fā)法、CVD法、印刷法、旋轉(zhuǎn)涂層法等。
圖形形成方法不介意使用任意的方法，例如，可以采用光蝕刻法、印刷法、等離子蒸發(fā)法等。
-公用絕緣膜(源漏絕緣膜、像素絕緣膜、有機半導體保護絕緣膜)的形成-如圖12所示，以規(guī)定的圖形，即以覆蓋到有機EL元件15的像素電極15a的邊緣部分為止，以便暴露像素電極15a的圖形來形成具有源漏絕緣膜SDI、像素絕緣膜PIF及有機半導體保護絕緣膜OSPF功能的公用絕緣膜。
作為公用絕緣膜材料，可以使用金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氟化物等金屬化合物，例如Al2O3、SiO2、SiN、SiON等，或絕緣性的聚合物，例如聚酰亞胺等。
膜的形成方法不介意使用任何方法，例如，可以采用例如濺射法、EB蒸發(fā)法、電阻加熱蒸發(fā)法、CVD法、印刷法、旋轉(zhuǎn)涂層法等。圖形形成方法不介意使用任意的方法，例如，可以采用光蝕刻法、印刷法、等離子蒸發(fā)法等。
但是，由于中間層的有機半導體膜OSF的材料一般耐熱性、耐溶劑性、耐濕性差，因此必須具有在有機半導體膜上形成的公用絕緣膜的形成過程中不能損傷半導體膜的特性。
-有機材料層的形成-如圖13所示，通過公用絕緣膜的開口，在像素電極15a上形成至少含有發(fā)光層的有機材料層15b。有機材料層15b除含發(fā)光層外，也可含有空穴注入層、空穴輸運層、電子輸運層、電子注入層等。
膜的形成方法不介意使用任何方法，例如，可以采用例如濺射法、EB蒸發(fā)法、電阻加熱蒸發(fā)法、CVD法、印刷法、旋轉(zhuǎn)涂層法等。
圖形形成方法不介意使用任意的方法，例如，可以采用光蝕刻法、印刷法、等離子蒸發(fā)法等。
-公用電極的形成-如圖14所示，在有機材料層15b上以規(guī)定圖形形成作為有機EL元件15的陰極的公用電極17。
作為公用電極17的材料，可以使用純金屬或合金，例如，可以使用Al、Ag、Cu、Au、Cr等，及含有它們的合金。
膜的形成方法不介意使用任何方法，像使在上述有機材料層的形成工序中成膜的任何有機材料層不劣化，例如，在各有機材料層的玻璃轉(zhuǎn)移點以下的溫度，可以采用例如濺射法、EB蒸發(fā)法、電阻加熱蒸發(fā)法、CVD法、印刷法等。
圖形形成方法不介意使用任意的方法，例如，可以采用光蝕刻法、印刷法、等離子蒸發(fā)法等。
-其他實施形態(tài)-如圖15所示，能夠?qū)⒂袡CEL元件與有機TFT11和12重疊進行配置。對于圖15與圖6中相同符號表示的構(gòu)件因相同而省略其說明。此時，優(yōu)選采用透射性材料來形成公用電極17。在此結(jié)構(gòu)中，由于增大了有機EL元件15的面積，因此具有開口率高的優(yōu)點。
形成地址有機TFT11和驅(qū)動有機TFT12后，去除和像素電極15a的連接部19，形成兼為有機半導體保護絕緣膜OSPF和源漏絕緣膜SDI的平整化層20。由于有機TFT存在凹凸，為了使有機EL元件的像素電極15a與公用電極17不容易短路，平整化層20就必須平滑地覆蓋此凹凸。此外，由于中間層的有機半導體材料一般耐熱性、耐溶劑性、耐濕性差，因此必須具有在平整化層20的形成過程中不能損傷半導體膜的特性。
形成平整化層20后，形成與驅(qū)動有機TFT12連接的像素電極15a，進一步形成有機材料層15b、公用電極17，完成本發(fā)明的有機EL顯示器件的顯示面板。
根據(jù)上述實施形態(tài)，采用現(xiàn)實的結(jié)構(gòu)就可以實現(xiàn)有機TFT驅(qū)動的有機EL顯示面板。并且，在制造方法上，由于在有機物的蒸發(fā)前已預先形成了布線和絕緣膜等照相平版印刷工序等所必需的耐熱性、耐溶劑性、耐濕性構(gòu)件，因此就不會損傷由照相平版印刷工序等耐熱性、耐溶劑性、耐濕性弱的有機物形成的構(gòu)件。此外，由于能同時形成至少兩個所必需的絕緣膜，所以可簡化工序。
再有，在上述實施形態(tài)中，作為發(fā)光部內(nèi)的有機TFT，使用所謂的MIS(金屬絕緣半導體)型的有機薄膜晶體管，也可使用SIT(靜態(tài)感應晶體管)型有機薄膜晶體管來替代MIS型有機薄膜晶體管。
權(quán)利要求
1.一種有機電致發(fā)光顯示器件，包括基板，在基板上形成的多個發(fā)光部，每個發(fā)光部含有有機電致發(fā)光元件和與有機電致發(fā)光元件連接的薄膜晶體管，其特征在于，上述有機電致發(fā)光元件具有對置的一對電極、含有在一對電極間層疊的有機發(fā)光層的有機材料層，上述有機薄膜晶體管具有對置的源電極和漏電極、為了在上述源電極和漏電極間形成溝道而層疊的有機半導體膜以及用于將電場施加到上述源電極和漏電極間的上述有機半導體膜的柵電極，并且，在上述發(fā)光部內(nèi)，還配備防止上述源電極和漏電極間短路的源漏絕緣膜，保護上述有機半導體膜的保護絕緣膜、以及覆蓋上述有機電致發(fā)光元件的一個電極的邊緣部分的像素絕緣膜，上述源漏絕緣膜、上述保護絕緣膜和上述像素絕緣膜中至少兩種由同一電介質(zhì)材料構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中記載的有機電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，包括與上述有機薄膜晶體管連接的電容器，上述有機薄膜晶體管具有使上述柵電極與上述源電極和漏電極絕緣的柵絕緣膜，上述柵絕緣膜由與上述電容器的電介質(zhì)相同的材料構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2中記載的有機電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，在上述基板上設置多條電源線、掃描線和數(shù)據(jù)線，在它們的交點附近以矩陣狀配置上述發(fā)光部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項中的有機電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，在上述每個發(fā)光部上，設置與上述掃描線和數(shù)據(jù)線連接的第1有機薄膜晶體管、與上述電源線和上述有機電致發(fā)光元件連接的第2有機薄膜晶體管，上述第1有機薄膜晶體管通過在由與上述柵絕緣膜相同的材料構(gòu)成的絕緣膜上設置的貫通孔與上述第2有機薄膜晶體管的柵電極進行連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4中記載的有機電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，相對于上述第2有機薄膜晶體管，在上述第1有機薄膜晶體管的相反一側(cè)配置上述電容器。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5中記載有機電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，在上述電源線的正下方配置上述電容器。
7.一種有機電致發(fā)光顯示器件的制造方法，該有機電致發(fā)光顯示器件包括基板，在基板上形成的多個發(fā)光部，每個發(fā)光部含有有機電致發(fā)光元件和與有機電致發(fā)光元件連接的薄膜晶體管，其特征在于，該制造方法包括；形成有機薄膜晶體管的工序，該有機薄膜晶體管具有對置的源電極和漏電極、為了在上述源電極和漏電極間形成溝道而層疊的有機半導體膜以及將電場施加到上述源電極和漏電極間的上述有機半導體膜的柵電極，形成上述有機電致發(fā)光元件的工序，該有機電致發(fā)光元件具有對置的一對電極、含有在上述一對電極間層疊的有機發(fā)光層的有機材料層，絕緣膜形成工序，在上述發(fā)光部內(nèi)，形成防止上述源電極和漏電極間短路的源漏絕緣膜、形成保護上述有機半導體膜的保護絕緣膜以及形成覆蓋上述有機電致發(fā)光元件的一邊的電極邊緣部分的像素絕緣膜，上述源漏絕緣膜、上述保護絕緣膜和上述像素絕緣膜中至少兩種由同一電介質(zhì)材料構(gòu)成，利用相同工序形成上述兩種絕緣膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7中記載的制造方法，其特征在于，在形成上述有機半導體膜后，在未超出上述有機半導體膜的耐熱性、耐溶劑性和耐濕性的環(huán)境下保存上述有機半導體膜。
全文摘要
一種有機電致發(fā)光顯示器件，包括基板，在基板上形成的多個發(fā)光部，每個發(fā)光部含有有機電致發(fā)光元件和與有機電致發(fā)光元件連接的薄膜晶體管，其中該有機電致發(fā)光元件具有對置的一對電極、含有在一對電極間層疊的有機發(fā)光層的有機材料層。有機薄膜晶體管具有對置的源電極和漏電極、為了在源電極和漏電極間形成溝道而層疊的有機半導體膜以及用于將電場施加到源電極和漏電極間的有機半導體膜的柵電極。并且，有機電致發(fā)光顯示器件包括在發(fā)光部內(nèi)，防止源電極和漏電極間短路的源漏絕緣膜，保護有機半導體膜的保護絕緣膜以及覆蓋有機電致發(fā)光元件的一個電極的邊緣部分的像素絕緣膜、源漏絕緣膜、保護絕緣膜和像素絕緣膜中至少兩種由同一電介質(zhì)材料構(gòu)成。
文檔編號H01L27/32GK1666580SQ03815498
公開日2005年9月7日 申請日期2003年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月12日
發(fā)明者永山健一 申請人:先鋒株式會社