專利名稱：用于mocvd反應(yīng)器的襯托器的制作方法
背景技術(shù)：
發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及有機(jī)金屬化學(xué)汽相沉積(MOCVD)反應(yīng)器，尤其涉及MOCVD反應(yīng)器中使用的襯托器。
相關(guān)技術(shù)的描述在DenBaars和Keller的Semiconductors and Semimetals，Vol.50，Academic出版社，1997，P11-35中描述了MOCVD反應(yīng)器中基于氮化鎵(GaN)的半導(dǎo)體裝置。MOCVD是非平衡態(tài)生長技術(shù)，它依賴于前體的蒸汽輸運(yùn)和加熱區(qū)中III族烷基類和V族氫化物的后續(xù)反應(yīng)。將生長氣體和摻雜物提供給反應(yīng)器并將其沉積為基板或晶片上的外延層。一個或多個晶片通常置于被稱作襯托器的石墨結(jié)構(gòu)上，該襯托器可以通過射頻(RF)線圈加熱、抵抗加熱或者通過燈管或線圈加熱器輻射加熱。在生長過程期間，被加熱的襯托器加熱晶片。


圖1示出了MOCVD反應(yīng)器中使用的常規(guī)襯托器10，諸如由Thomas SwanScientific Equipment Limited所提供的。它具有中空的圓柱形并被安裝于反應(yīng)器底部處的反應(yīng)器的加熱元件上，其位于源氣體入口之下。它具有圓形底座12和圓柱套筒13，其中圓形底座12具有一系列的圓盤形凹陷14相等地繞襯托器的縱軸隔開。每個凹陷14可以在生長期間保持半導(dǎo)體晶片。當(dāng)通過加熱元件加熱襯托器10時，也加熱半導(dǎo)體晶片。當(dāng)源氣體進(jìn)入MOCVD反應(yīng)器時，它們結(jié)合并隨后沉積到被加熱的半導(dǎo)體晶片上作為外延層。襯托器10通?？梢园捶秶鷱?000到2000rpm的速度旋轉(zhuǎn)，這導(dǎo)致晶片上更均勻的外延層。
常規(guī)襯托器10通常由石墨或被涂覆的石墨的整體結(jié)構(gòu)形成，它吸收來自加熱元件的熱量并將其傳導(dǎo)到與襯托器10接觸的晶片。均勻地加熱整個襯托器10以實(shí)現(xiàn)晶片表面上一致的生長條件。在外延層的制造期間，材料不僅沉積于被加熱的晶片上，還沉積于被加熱的襯托器10上。這可以引起襯托器表面上大量GaN、InGaN、AlInGaN和類似化合物的沉積。結(jié)果是襯托器上反應(yīng)沉積的形成，錒會不利地影響后續(xù)制造步驟。例如，在外延層的后續(xù)生長期間，沉積會作為雜質(zhì)，并還會導(dǎo)致不同層之間較差的界面過渡。例如，如果生長使用銦源氣體的層，銦就會沉積于襯托器上且雖然要生長的下一個層不包含銦，但來自襯托器表面的銦會包含于層之間的過渡中。這些雜質(zhì)會引起較差的設(shè)備性能并會阻止晶片上半導(dǎo)體裝置的一致再生產(chǎn)。
常規(guī)襯托器的另一個缺點(diǎn)在于，加熱元件加熱整個襯托器，不僅是晶片之下或周圍的區(qū)域。這需要大量的熱量，因?yàn)榕c晶片相比襯托器具有相對較大的表面積。由于沒有加熱晶片，多數(shù)能量就浪費(fèi)了。這使加熱器承受較重的負(fù)擔(dān)，使得加熱器較早出現(xiàn)故障。此外，由于整個襯托器都處于足夠化學(xué)汽相沉積的溫度，就會消耗更多的反應(yīng)物。
常規(guī)襯托器的另一個缺點(diǎn)在于，它們很難制造。它們必須通過較大剖面的石墨加工而成，且如果襯托器的任何部分被破壞，則整個結(jié)構(gòu)就不可使用了。凹陷的制造會是極其困難的，因?yàn)樗鼈儚慕Y(jié)構(gòu)的縱軸偏移。不能使用簡單的車床對凹陷間隙加工，而是必須涉及更加復(fù)雜的工藝。為此，很難修改凹陷表面的形狀以補(bǔ)償溫度不均勻性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明揭示了一種用于在晶片上的外延層生長期間將半導(dǎo)體晶片保持在反應(yīng)器中的襯托器。該襯托器包括基部結(jié)構(gòu)，它具有基板和套筒，這兩者都由高溫時具有較低熱傳導(dǎo)率的材料制成。底座具有一個或多個板孔。還包括了一個或多個傳熱插塞，其中每個插塞都容納在一個或多個板孔中的各一個內(nèi)。傳熱插塞由高溫時高熱傳導(dǎo)率的材料制成以便將熱量傳遞到半導(dǎo)體晶片。
本發(fā)明還揭示了一種用于在半導(dǎo)體晶片上生長外延層的反應(yīng)器，它包括容納加熱元件和襯托器的反應(yīng)室。該襯托器容納半導(dǎo)體晶體并配置在加熱元件上。該襯托器包括基部結(jié)構(gòu)，它具有底座和套筒并由高溫時較低熱傳導(dǎo)率的材料制成，其中底座具有一個或多個板孔，其中傳熱插塞保持于板孔的各一個內(nèi)。晶片被設(shè)置于插塞上，且插塞由高溫時較高熱傳導(dǎo)率的材料制成。插塞將熱量從加熱器元件傳遞到半導(dǎo)體晶片。生長氣體入口還包括提供充氣，以便在半導(dǎo)體晶片上生長外延層。
減少量了的反應(yīng)物沉積于這里揭示的襯托器實(shí)施例上，從而減少了后續(xù)步驟期間不需要的雜質(zhì)。還可以使用較少的能量和消耗較少的原材料生長外延層，因?yàn)閬碜苑磻?yīng)器的加熱元件的多數(shù)熱量通過傳熱插塞，而不是加熱整個襯托器。還可以使用較簡單的工藝制造襯托器，因?yàn)樗恍枰晒腆w的一件石墨進(jìn)行加工。此外，可以更方便地加工傳熱插塞，從而其鄰近晶片的表面具有凸或凹形狀以補(bǔ)償任何溫度不均勻。
對于本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員來說，通過以下的詳細(xì)描述并結(jié)合附圖將使本發(fā)明的這些和其它特點(diǎn)與優(yōu)點(diǎn)顯而易見，其中附圖概述圖1是現(xiàn)有技術(shù)襯托器的透視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的襯托器的透視圖；圖3是沿截面線3-3獲得的圖2中的襯托器的剖視圖；圖4是圖2中襯托器的分解示圖；圖5是圖2的襯托器中使用的傳熱插塞的平面圖；圖6a是沿截面線6a-6a獲得的圖5中插塞的截面圖；圖6b是圖6a中示出的插塞脊的截面放大示圖；以及圖7是使用根據(jù)本發(fā)明的襯托器的MOCVD反應(yīng)器的簡圖。
具體實(shí)施例方式
圖2到4示出了根據(jù)本發(fā)明的襯托器20，它可以保持基板或晶片用于MOCVD中外延層的生長。襯托器20可以安裝于反應(yīng)器下部處的MOCVD反應(yīng)器的加熱元件上并可以在生長過程期間旋轉(zhuǎn)。
襯托器20包括由底座24和圓柱套筒26制成的基部結(jié)構(gòu)22，其可以是分開的或者被制成為一個結(jié)構(gòu)。底座24具有相等地繞襯托器的縱軸30隔開的圓形通孔28。通孔28的數(shù)量可以根據(jù)襯托器20被設(shè)計成在生長期間所保持的晶片的數(shù)目而變化。
基部結(jié)構(gòu)22應(yīng)由剛性材料制成，其在高溫時具有較低的熱傳導(dǎo)率，從而它較少地傳送來自MOCVD反應(yīng)器的加熱元件的熱量。它還應(yīng)由反射材料制成，從而它可以反射加熱元件的輻射熱以進(jìn)一步減少它傳送的熱量。它還應(yīng)具有較低的熱膨脹，從而其膨脹可以與其它襯托器部件的熱膨脹相匹配。
基部結(jié)構(gòu)22可以由許多不同的材料制成，諸如氮化硼、熔融石英、氮化鋁或者陶瓷，其中氮化鋁和陶瓷實(shí)施例由一定的材料涂覆以減少它們與源氣體的電抗。較佳的基部結(jié)構(gòu)22由氮化硼或由氮化硼覆蓋的熔融石英制成。這些材料具有低溫時較高的熱傳導(dǎo)率，高溫時較低的熱傳導(dǎo)率，且氮化硼是白色的，這提升的結(jié)構(gòu)的反射率。采用已知方法制造基部結(jié)構(gòu)22。
基部結(jié)構(gòu)22可以具有許多不同的尺度。圓形套筒的合適高度約為2英寸且對于保持3個2英寸晶片的襯托器，合適直徑約為6.2英寸。底座24還具有約6.2英寸的合適直徑，其中板孔28相等地繞底座24的中心隔開。板孔28的合適直徑約是2.3英寸。底座24和套筒26可以具有許多不同的厚度，其中合適厚度約是0.2英寸。
襯托器20還包括傳熱插塞32，每個傳熱插塞32都裝配入各板孔28內(nèi)。在外延層生長期間半導(dǎo)體晶片被設(shè)置成與插塞32接觸且來自加熱元件的熱量應(yīng)通過插塞32被有效地傳導(dǎo)到晶片。插塞32優(yōu)選由高溫時較高熱傳導(dǎo)率和黑色的材料制成，這兩種特性都能提升熱傳導(dǎo)。插塞32的優(yōu)選材料是石墨或被涂覆碳化硅的石墨。每個插塞32都具有繞其外表面的軸唇33，它置于通孔28的內(nèi)表面上的一個軸突出部34上，從而各插塞32置于一個孔28內(nèi)。
還可以包括面板36，它具有與基部結(jié)構(gòu)的板孔28對準(zhǔn)的孔38。面板被設(shè)置于基部結(jié)構(gòu)的底座24上，其中面板和基部結(jié)構(gòu)孔38、28對準(zhǔn)。通過面板孔38，僅插塞32未覆蓋且當(dāng)晶片置于插塞32上時，通過孔38，僅晶片未覆蓋。
襯托器20在沒有面板36的情況下工作，但在外延生長期間較少量的反應(yīng)物會沉積于基部結(jié)構(gòu)22上。面板36提供對反應(yīng)物沉積的較大抵抗的表面，其中該表面還易于清除。優(yōu)選是紅外透明的，從而不會吸收光熱。它應(yīng)由不與MOCVD源氣體反應(yīng)的材料制成。它可以由諸如石英、純碳化硅、藍(lán)寶石、硅、被涂覆的石墨、石墨或鎢制成，優(yōu)選材料是石英。通過蝕刻從石英上清除沉積。
面板36應(yīng)具有與底座22近似相同的直徑且其孔38應(yīng)具有與板孔28相同或稍小的直徑。面板36可以具有許多不同的厚度，其中合適的厚度約是0.16英寸。
襯托器20被設(shè)計成在生長期間在反應(yīng)器的加熱元件上旋轉(zhuǎn)，從而面板36應(yīng)安裝到基部結(jié)構(gòu)22上?？梢允褂貌煌陌惭b方法，其中包括但不限于，與安裝孔匹配的結(jié)構(gòu)22上的扣針，軸向隙縫或面板36中的J槽?；蛘撸梢栽诮Y(jié)構(gòu)上包含可旋轉(zhuǎn)吊鉤，以便與面板36中的槽匹配。在一個實(shí)施例中，可以從底座24的中心將鉤移開，隨后將面板36置于底座24上，其中吊鉤的柄與各個槽對準(zhǔn)。隨后，旋轉(zhuǎn)吊鉤，從而它們被引導(dǎo)向底座24的中心。在圖2到4所示的實(shí)施例中，面板具有與結(jié)構(gòu)22上的扣針39匹配的軸向隙縫37。每個扣針39都具有頭部，它穿過隙縫37之一的最寬部。隨后，轉(zhuǎn)動面板直到每個扣針39的柄被收納于其各自的隙縫37的最窄部內(nèi)。
可以在面板36和底座結(jié)構(gòu)32之間包含間隔以限制由于面板36和底座24之間的接觸引起的傳導(dǎo)熱。這優(yōu)選通過在周邊附近底座24的表面上的上升部分而得以實(shí)現(xiàn)。
襯托器20可以用于MOCVD反應(yīng)器中，其中襯托器被設(shè)置于反應(yīng)器的底部使得圓形板向上。生長氣體從頂部或側(cè)部進(jìn)入反應(yīng)器，并沉積于插塞40上保持的未覆蓋的晶片上。
該襯托器20促使熱量從反應(yīng)器的加熱元件傳遞通過插塞32，其減少了基部結(jié)構(gòu)22的表面上的沉積量。這種沉積的減少就減少了后續(xù)層制造期間未覆蓋部件的存在。制造過程只需要較少的生長氣體，因?yàn)槎鄶?shù)氣體都被沉積于晶片上。所形成的半導(dǎo)體器件具有較銳利的界面和更低水平的不需要的雜質(zhì)。這增加了產(chǎn)量和外延生長過程的再生性。
與常規(guī)襯托器相比，該設(shè)計還減少了將晶片保持于任何給定溫度所需的功率量。熱量主要僅通過插塞，而不是現(xiàn)有技術(shù)中的整個襯托器。這允許在加熱器控制組件中使用更小且更廉價的部件，增加了加熱器組件的壽命，并允許使用更少的能量和源氣體進(jìn)行外延層的生長。
圖5和6示出了根據(jù)本發(fā)明的熱傳遞插塞50的一個實(shí)施例。每個插塞50都基本被形成為圓盤形狀并被設(shè)計成將熱量從反應(yīng)器的加熱元件傳遞到保持與插塞50接觸的半導(dǎo)體晶片52(圖6a和6b中示出)。插塞50可以在與晶片52相鄰的其表面上具有圓形脊54，其中只有脊54接觸晶片。這提供了晶片52和插塞50之間的較小間隔以促進(jìn)晶片的均勻?qū)α骷訜?。為了進(jìn)一步促進(jìn)晶片52的均勻加熱，與晶片52相鄰的插塞50的表面還可以具有凸、凹或其它形狀的表面。插塞50應(yīng)具有一定的直徑，以允許其將一個裝配入一個底座通孔28內(nèi)，并應(yīng)具有一定的尺寸，以允許插塞或底座的熱膨脹，其中合適的直徑約為2.1英寸。每個插塞50都具有其邊緣周圍的唇56(圖3和4中示為標(biāo)號33)，從而插塞的頂部截面具有比其底部截面更大的直徑。如上所述，每個插塞的唇56都置于各自的孔突出部分34上。
插塞可以具有許多不同的厚度，其中合適的厚度約為0.33英寸。脊54可以是許多不同的尺寸，其中合適的尺寸是0.002英寸高和0.003英寸寬。
在外延層的生長之前，晶片52和傳遞插塞50被置于通孔28中且面板36被安裝于基部結(jié)構(gòu)22上，其中面板孔38與基部結(jié)構(gòu)的孔28對準(zhǔn)。晶片52未由面板36覆蓋，且當(dāng)插塞50由MOCVD的加熱元件加熱時，晶片52也被加熱。在襯托器組件20旋轉(zhuǎn)時生長氣體被饋送入反應(yīng)器中且外延層在晶片52上生長。
圖7示出MOCVD反應(yīng)器70的一個實(shí)施例，它采用了根據(jù)本發(fā)明的襯托器用于在晶片上生長外延層。反應(yīng)器70包括反應(yīng)室72，它具有可以旋轉(zhuǎn)的生長襯托器74。一個或多個晶片被安裝于襯托器74上用于外延層的生長。在生長期間，襯托器74由加熱器元件(未示出)加熱，該加熱器元件被設(shè)置于襯托器74內(nèi)與晶片相鄰。加熱元件可以是各種加熱裝置，但一般是射頻(RF)線圈、電阻線圈或電熱絲加熱器。
將載氣76提供給氣管，載氣是諸如氫氣或氮?dú)獾亩栊詺怏w。載氣76還通過質(zhì)量流量控制器80a、80b、80c被提供給各鼓泡器82a、82b、82c。鼓泡器82a可以具有生長化合物，諸如具有甲基的烷基化化合物，諸如三甲基鎵(TMG)、三甲基鋁(TMA)或者三甲基銦(TMI)。鼓泡器82b和82c還可以包含相似的甲基化合物以便能生長III族化合物的合金。鼓泡器82a、82b、82c通常通過恒溫浴84a、84b、84c被保持在預(yù)定溫度，以便在通過載氣76被傳遞到反應(yīng)室72之前確保金屬有機(jī)化合物的恒定蒸汽壓。
通過打開閥門86a、86b、86c的所需組合，使得通過鼓泡器82a、82b、82c的載氣76與氣管78中流動的載體76混合。隨后，通過反應(yīng)室72的上端處形成的氣體入口88將混合氣體引入反應(yīng)室72。在入口端88處可以包括噴淋頭入口(未示出)。
諸如氨水的氮包含氣體90通過質(zhì)量流量控制器92被提供給氣管78且氮包含氣體的流動由閥門94控制。如果載氣76與氮包含氣體90和氣管78內(nèi)的TMG蒸汽混合，隨后被引入反應(yīng)室72，則通過TMG和氨水包含氣體中存在的分子的分解，出現(xiàn)要在晶片上生長氮化鎵的元素。
為了在晶片上摻入氮化鎵的合金，不被用于TMG的鼓泡器82a、82b、82c之一被用于摻雜物材料，它通常是鎂(Mg)或硅(Si)，但可以是其它材料，諸如鈹、鈣、鋅或碳。鼓泡器82b或82c可用于合金材料，諸如硼鋁合金、銦、磷、砷或其它材料。一旦選擇了摻雜物和合金且打開閥門86a、86b、86c之一以允許摻雜物與鎵和氮包含氣體90一起流入氣管78，則在晶片上生長氮化鎵的摻雜層。
反應(yīng)室72內(nèi)的氣體可以通過與在液壓之下工作的泵98連接的氣體洗滌管96洗滌。此外，洗滌閥門100允許提升氣壓或從反應(yīng)室72排出。
通常，通過關(guān)閉閥門86a和86b而關(guān)閉鎵和摻雜物源并保持氮包含氣體和載體流動來停止生長過程?；蛘撸磻?yīng)室72可以由氣體102洗滌，該氣體102可以通過質(zhì)量流量控制器104和閥門106控制。通過打開閥門100允許泵98抽空反應(yīng)器72的額外生長氣體來幫助洗滌。通常，洗滌氣體102是氫氣，但可以是其它氣體。隨后，通過關(guān)閉提供給加熱器元件的電源來冷卻晶片。
雖然已參考其特定優(yōu)選配置詳細(xì)描述了本發(fā)明，但其它形式也是可以是。根據(jù)本發(fā)明的襯托器將在沒有面板36的情況下工作。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的襯托器可以用于MOCVD反應(yīng)器之外的許多不同的反應(yīng)器中，并可以用于許多不同類型的MOCVD反應(yīng)器中。襯托器可以由具有許多不同尺度的許多不同材料構(gòu)成。它們也可以按一個不同的結(jié)構(gòu)不同地設(shè)置，其中使插塞32容納于面板孔38之內(nèi)。因此，所附權(quán)利要求書的精神和范圍應(yīng)不限于說明書中的優(yōu)選形式。
權(quán)利要求
1.一種在用于生長外延層的反應(yīng)器中保持半導(dǎo)體晶片的襯托器，其特征在于，包括基部結(jié)構(gòu)，它具有底座和套筒，所述基部結(jié)構(gòu)由高溫時具有較低熱傳導(dǎo)率的材料制成，所述底座具有一個或多個板孔；以及一個或多個傳熱插塞，每一個所述插塞都容納于所述一個或多個板孔的各一個內(nèi)，所述一個或多個傳熱插塞由高溫時較高熱傳導(dǎo)率的材料制成以便將熱量傳遞到半導(dǎo)體晶片。
2.如權(quán)利要求1所述的襯托器，其特征在于，進(jìn)一步包括安裝于所述底座上的面板，所述面板具有一個或多個面板通孔，所述一個或多個面板通孔中的每一個都與所述板通孔中的各自一個對準(zhǔn)。
3.如權(quán)利要求2所述的襯托器，其特征在于，所述面板由紅外透明并能通過蝕刻清理的材料制成。
4.如權(quán)利要求2所述的襯托器，其特征在于，所述面板由選自石英、碳化硅、藍(lán)寶石、硅、被涂覆的石墨、石墨或鎢的材料制成。
5.如權(quán)利要求1所述的襯托器，其特征在于，所述一個或多個傳熱插塞由石墨或涂覆了碳化硅的石墨制成。
6.如權(quán)利要求1所述的襯托器，其特征在于，所述一個或多個傳熱插塞中的每一個都包括與所述基片相鄰的每個所述插塞的表面上的圓形脊。
7.如權(quán)利要求1所述的襯托器，其特征在于，所述基部結(jié)構(gòu)由選自氮化硼、熔凝石英、氮化鋁和陶瓷的材料制成。
8.如權(quán)利要求1所述的襯托器，其特征在于，被安裝于反應(yīng)器中用于外延層的生長，所述反應(yīng)器具有所述反應(yīng)器底部處的加熱器元件，所述襯托器被安裝于所述加熱元件上。
9.如權(quán)利要求8所述的襯托器，其特征在于，來自所述加熱元件的熱量主要通過所述傳熱插塞被傳導(dǎo)到所述晶片。
10.如權(quán)利要求2所述的襯托器，其特征在于，包括用于將所述面板安裝到所述基部結(jié)構(gòu)上以便在所述襯托器旋轉(zhuǎn)時保持所述面板的裝置。
11.一種用于在半導(dǎo)體晶片上生長外延層的反應(yīng)器，其特征在于，包括反應(yīng)室，它容納加熱元件和襯托器，所述襯托器保持半導(dǎo)體晶片并被設(shè)置于所述加熱元件上，所述襯托器包括基部結(jié)構(gòu)，它具有底座和套筒，所述基部結(jié)構(gòu)由高溫時較低熱傳導(dǎo)率的材料制成，所述底座具有一個或多個板孔；以及一個或多個傳熱插塞，所述一個或多個插塞中的每一個都分別容納于所述一個或多個板孔中的一個內(nèi)，所述晶片位于所述插塞上，所述插塞由高溫時較高熱傳導(dǎo)率的材料制成以便將熱量從加熱器元件傳遞到半導(dǎo)體晶片；生長氣體入口，它用于充氣以便在所述半導(dǎo)體晶片上生長外延層。
12.如權(quán)利要求11所述的反應(yīng)器，其特征在于，所述加熱元件位于所述反應(yīng)室是底部。
13.如權(quán)利要求11所述的反應(yīng)器，其特征在于，所述襯托器進(jìn)一步包括安裝于所述底座上的面板，所述面板具有一個或多個面板通孔，所述一個或多個面板通孔中的每一個都分別與所述板通孔中的一個對準(zhǔn)。
14.如權(quán)利要求13所述的反應(yīng)器，其特征在于，所述面板由紅外透明且通過蝕刻清理的材料制成。
15.如權(quán)利要求13所述的反應(yīng)器，其特征在于，所述面板由選自石英、碳化硅、藍(lán)寶石、硅、被涂覆的石墨、石墨或鎢的材料制成。
16.如權(quán)利要求11所述的反應(yīng)器，其特征在于，所述一個或多個傳熱插塞由石墨或涂覆了碳化硅的石墨制成。
17.如權(quán)利要求11所述的反應(yīng)器，其特征在于，所述一個或多個傳熱插塞中的每一個都包括與所述晶片相鄰的每一個所述插塞的表面上的圓形脊。
18.如權(quán)利要求11所述的反應(yīng)器，其特征在于，所述基部結(jié)構(gòu)由選自氮化硼、熔凝石英、氮化鋁或陶瓷的材料制成。
20.一種用于在用于生長外延層的反應(yīng)器中保持半導(dǎo)體晶片的襯托器，其特征在于，包括所述晶片之下高溫時較高熱傳導(dǎo)率的材料，以便將熱量傳遞到半導(dǎo)體晶片；以及在所有其它區(qū)域中高溫時較低熱傳導(dǎo)率的材料。
21.如權(quán)利要求20所述的襯托器，其特征在于，進(jìn)一步包括安裝于襯托器上的面板，所述面板具有一個或多個面板通孔，所述一個或多個面板通孔中的每一個都與所述高溫時較高熱傳導(dǎo)率的材料對準(zhǔn)。
22.如權(quán)利要求21所述的襯托器，其特征在于，所述面板由紅外透明且可以通過蝕刻清理的材料制成。
23.如權(quán)利要求21所述的襯托器，其特征在于，所述面板由選自石英、碳化硅、藍(lán)寶石、硅、被涂覆的石墨、石墨或鎢的材料制成。
24.如權(quán)利要求21所述的襯托器，其特征在于，所述高溫時較高熱傳導(dǎo)率的材料由石墨或涂覆了碳化硅的石墨制成。
25.如權(quán)利要求21所述的襯托器，其特征在于，所述高溫時較低熱傳導(dǎo)率的材料由選自氮化硼、熔凝石英、氮化鋁或陶瓷的材料制成。
26.如權(quán)利要求21所述的襯托器，其特征在于，所述高溫時較低熱傳導(dǎo)率的材料包括基部結(jié)構(gòu)，它具有底座和圓柱套筒，所述底座具有一個或多個板孔。
27.如權(quán)利要求26所述的襯托器，其特征在于，所述高溫時較高熱傳導(dǎo)率的材料包括一個或多個傳熱插塞，所述一個或多個插塞中的每一個都容納于所述一個或多個板孔中的各一個內(nèi)。
全文摘要
揭示了一種用于在晶片上的外延層生長期間將半導(dǎo)體晶片保持在MOCVD反應(yīng)器中的襯托器。該襯托器包括由高溫時較低熱傳導(dǎo)率的材料制成的基部結(jié)構(gòu)，并具有一個或多個板孔以容納傳熱插塞。插塞由高溫時具有較高熱傳導(dǎo)率的材料制成，以便將熱量傳遞到半導(dǎo)體晶片。還揭示了采用根據(jù)本發(fā)明的襯托器的有機(jī)金屬化學(xué)汽相沉積反應(yīng)器。
文檔編號H01L21/205GK1669117SQ03816420
公開日2005年9月14日 申請日期2003年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月13日
發(fā)明者中村修二, S·迪巴爾司, M·巴特雷斯, M·考特 申請人:美商克立股份有限公司