專利名稱：被處理體的輸送方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在對半導(dǎo)體晶片等被處理體施以規(guī)定處理的處理系統(tǒng)等內(nèi)的被處理體的輸送方法。
背景技術(shù)：
通常在制造半導(dǎo)體器件之際，對半導(dǎo)體晶片順序地重復(fù)施以各種薄膜的成膜處理、改性處理、氧化擴(kuò)散處理、退火處理、蝕刻處理等。例如，在半導(dǎo)體晶片上可形成多層薄膜。
例如，在單張式處理系統(tǒng)，多個(gè)處理室共用地與1個(gè)輸送室連接，以便可以連續(xù)地進(jìn)行前述各種處理，形成所謂的成組(Cluster)處理裝置。而且半導(dǎo)體晶片可以說來回經(jīng)各處理室之間輸送，在各處理室連續(xù)地且有效地進(jìn)行必要的處理。
參照圖7，對由這種成組處理裝置構(gòu)成的現(xiàn)有技術(shù)處理系統(tǒng)一例加以說明。
如圖7所示，該處理系統(tǒng)具有作為一例的4個(gè)處理室104A～104D分別經(jīng)閘門閥106連結(jié)在六邊形共用輸送室102的周圍的真空處理裝置。而且，經(jīng)2個(gè)負(fù)載鎖定室108A、108B使長方形的搬入側(cè)輸送室110與該共用輸送室102連接。
在負(fù)載鎖定室108A、108B和共用輸送室102之間的連接部以及負(fù)載鎖定室108A、108B和搬入側(cè)輸送室110之間的連接部上分別介入設(shè)置閘門閥106。載置可收容多枚半導(dǎo)體片的盒的例如3個(gè)導(dǎo)入口112以及進(jìn)行半導(dǎo)體晶片W的定位的定向器114與搬入側(cè)輸出室110連接。
而且，在搬入側(cè)輸送室110內(nèi)具有用于保持半導(dǎo)體晶片W的2個(gè)拾取器116A、116B的同時(shí)，設(shè)置可彎曲、旋轉(zhuǎn)、升降及水平直線移動(dòng)的搬入側(cè)輸送機(jī)構(gòu)116。在共用輸送室102內(nèi)具有用于保持半導(dǎo)體晶片W的2個(gè)拾取器118A、118B的同時(shí)，設(shè)置可彎曲及旋轉(zhuǎn)的輸送機(jī)構(gòu)118。
在這里，如果假設(shè)在各處理室104A～104D對半導(dǎo)體晶片W的處理按照104A→104B→104C→104D的順序進(jìn)行，則導(dǎo)入口112上的半導(dǎo)體晶片W如箭矢所示地輸送。即，例如中央導(dǎo)入口112的晶片W保持在搬入側(cè)輸送機(jī)構(gòu)116的拾取器116A或116B上，運(yùn)送到定向器114上。晶片W被定向器114定位，再被拾取器116A或116B保持，輸送到任一方的負(fù)載鎖定室，例如，負(fù)載鎖定室118A內(nèi)。輸送到負(fù)載鎖定室108 A內(nèi)的晶片W通過共用輸送室102內(nèi)的輸送機(jī)構(gòu)118的拾取器118A或118B，按照處理室104A～104D的順序，來回經(jīng)各處理室104A～104D地順序地輸送。在各處理室104A～104D對各晶片W施以必要的處理。而且各種處理完了的晶片W經(jīng)任一負(fù)載鎖定室，在這里是另一方的負(fù)載鎖定室108B，輸送到搬入側(cè)輸送室110內(nèi)，其后，返回到原來的導(dǎo)入口112。
為了在各輸送機(jī)構(gòu)116、118提高生產(chǎn)率，使2只拾取器內(nèi)的一方拾取器成為空置狀態(tài)。通過該空置狀態(tài)的拾取器，拾取在某場所預(yù)先載置或收容的晶片，該場所作成空置場所。其次，在前述空置場所，通過另一方的拾取器，載置或收容被該另一方拾取器保持的晶片。這樣一來，使晶片交換平滑地進(jìn)行，謀求生產(chǎn)量的提高。
作為防止交叉污染的傳統(tǒng)技術(shù)，已經(jīng)有在具有多個(gè)處理室的處理系統(tǒng)上將輸送機(jī)構(gòu)的多個(gè)拾取器針對每個(gè)處理室加以分配的技術(shù)(例如，參照特開平7-122612號公報(bào)(第3-4頁，圖1～圖2)。根據(jù)該技術(shù)，即使晶片在各處理室之間輸送，在某工序(處理室)產(chǎn)生的污染物質(zhì)不會影響其它工序。

發(fā)明內(nèi)容
可是，作為在上述處理室104A～104D的處理，往往進(jìn)行對半導(dǎo)體晶片容易產(chǎn)生污染的處理。在進(jìn)行例如Cu膜、Ti膜、W(鎢)膜一類金屬薄膜成膜處理的情況，該種金屬粒子可附著在晶片表面。金屬粒子成為核，在CVD成膜時(shí)可發(fā)生膜的異常生長。在附著有粒子的部分不堆積其它的膜。尤其是Cu粒子，由于Cu原子在氧化膜中的擴(kuò)散系數(shù)大，所以降低了SiO2膜的介電常數(shù)。
例如，如果假設(shè)在處理室104C進(jìn)行上述金屬薄膜的成膜處理，則如上述所示，在各拾取器116A、116B及118A、118B優(yōu)先考慮生產(chǎn)率而加以利用的情況下，各拾取器116A、116B及118A、118B全體可保持在處理室104C處理過的晶片。因此，在處理過的晶片背面等附著的金屬膜粒子可附著在拾取器116A、116B、118A、118B上，在被污染的拾取器保持向處理室104C搬入前的晶片W之際，該晶片自身可能被上述金屬膜粒子污染。拾取器的污染即使把拾取器插入到進(jìn)行金屬膜成膜處理的處理室104C內(nèi)也可能產(chǎn)生。
本發(fā)明著眼于上述的交叉污染問題，而有效地解決它所發(fā)明的。本發(fā)明的目的是提供即使?fàn)奚a(chǎn)率也可抑制交叉污染(污染的傳播)發(fā)生的被處理體的輸送方法。
本發(fā)明是處理裝置中的被處理體的輸送方法，該處理裝置包括包含對被處理體進(jìn)行容易產(chǎn)生污染的處理的特定處理室的多個(gè)處理室；和具有2個(gè)拾取器的輸送機(jī)構(gòu)，該輸送方法的特征為，具有在前述多個(gè)處理室之間穿行地依序輸送被處理體的多個(gè)輸送工序，在把前述被處理體搬入前述特定處理室之前的輸送工序，用前述2只拾取器中的一方的拾取器進(jìn)行，把前述被處理體搬入前述特定處理室的輸送工序及其后的該被處理體的輸送工序用前述2個(gè)拾取器中的另一方的拾取器進(jìn)行。
因?yàn)樵诎驯惶幚眢w搬入容易產(chǎn)生污染的特定處理室之前用一方的拾取器，在把被處理體搬入特定處理室及以后的輸送用另一方的拾取器，所以可極力抑制通過被處理體和拾取器產(chǎn)生的交叉污染(污染的傳播)。
這種情況下，本發(fā)明的方法優(yōu)選還具有把前述被處理體從前述一方的拾取器轉(zhuǎn)運(yùn)到前述另一方的拾取器的持取轉(zhuǎn)換工序，該持取轉(zhuǎn)換工序具有通過前述一方的拾取器使被處理體保持在緩沖機(jī)構(gòu)上的保持工序，和通過前述另一方的拾取器拿取在緩沖機(jī)構(gòu)上保持的被處理體的工序。
本發(fā)明是真空處理裝置中的被處理體的輸送方法，該真空處理裝置具有包含對被處理體進(jìn)行容易產(chǎn)生污染的特定處理室的多個(gè)處理室；和與前述各處理室共用地連接的共用輸送室；在前述共用輸送室內(nèi)設(shè)置的、具有2個(gè)拾取器的輸送機(jī)構(gòu)；在前述共用輸送室內(nèi)設(shè)置的、暫時(shí)保持被處理體的緩沖機(jī)構(gòu)；和對前述共用輸送室搬入搬出被處理體的輸送口，該方法特征為具有在前述多個(gè)處理室之間穿行地順序輸送被處理體的多個(gè)輸送工序，在把前述被處理體搬入前述特定處理室之前的輸送工序用前述2個(gè)拾取器中的一方拾取器進(jìn)行，在把前述被處理體搬入前述特定處理室的輸送工序及其后的該被處理體的輸送工序用前述2個(gè)拾取器中的另一方拾取器進(jìn)行，此外，還具有用前述緩沖機(jī)構(gòu)把前述被處理體從前述一方拾取器轉(zhuǎn)運(yùn)到前述另一方拾取器的持取轉(zhuǎn)換工序。
因?yàn)樵谶@種情況下，在把被處理體搬入對被處理體進(jìn)行容易產(chǎn)生污染的特定處理室前的輸送和把被處理體搬入特定處理室之際及以下的輸送中使用的拾取器加以區(qū)分，所以可極力抑制因被處理體和拾取器產(chǎn)生的交叉污染(污染的傳播)。
本發(fā)明是處理系統(tǒng)中的被處理體的輸送方法，該處理系統(tǒng)是多個(gè)真空處理裝置經(jīng)通道部連接而構(gòu)成的處理系統(tǒng)，該多個(gè)處理裝置各自具有多個(gè)處理室；與前述各處理室共用連接的共用輸送室；和在前述共用輸送室內(nèi)設(shè)置的、具有2個(gè)拾取器的輸送機(jī)構(gòu)，前述處理系統(tǒng)內(nèi)的任一處理室是對被處理體進(jìn)行容易產(chǎn)生污染的特定處理室，在與前述特定處理室連接的共用輸送室或與該共用輸送室連通的通道部上設(shè)置暫時(shí)保持被處理體的緩沖機(jī)構(gòu)，在任一共用輸送室上設(shè)置對該共用輸送室搬出搬入被處理體的輸送口，該輸送方法的特征為，具有在前述多個(gè)處理室之間穿行地順序輸送被處理體的多個(gè)輸送工序，在把前述被處理體搬入前述特定處理室前的輸送工序用前述2個(gè)拾取器中的一方拾取器進(jìn)行，在向前述特定處理室搬入前述被處理體的輸送工序及其后的該被處理體的輸送工序用前述2個(gè)拾取器的另一方的拾取器進(jìn)行，還具有用前述緩沖機(jī)構(gòu)把前述被處理體從前述一方的拾取器轉(zhuǎn)運(yùn)到前述另一方拾取器的持取轉(zhuǎn)換工序。
在這種情況下，因?yàn)閰^(qū)分在把被處理體搬入對被處理體進(jìn)行容易產(chǎn)生污染的處理的特定處理室前的輸送和在把被處理體搬入特定處理室之際及其以后的輸送中使用的拾取器，所以可極力抑制通過被處理體和拾取器產(chǎn)生的交叉污染(污染的傳播)。
在前述通路部上，優(yōu)選設(shè)置可以保持被處理體的至少2個(gè)被處理體保持機(jī)構(gòu)，一方的被處理體保持機(jī)構(gòu)保持搬入前述特定處理室之前的被處理體，另一方的被處理體保持機(jī)構(gòu)保持在前述特定處理室處理后的被處理體。
在前述通路部上，優(yōu)選設(shè)置用于控制對經(jīng)該通路部連接的共用輸送室的連通及遮斷的閘門閥，在前述各處理室上設(shè)置有用于控制對與該處理室連接的共用輸送室的連通及遮斷的閘門閥，前述通路部的閘門閥為關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，與未利用該通路部連通的各共用輸送室連接的各處理室的閘門閥對各個(gè)共用輸送室只選擇一個(gè)作成打開狀態(tài)，前述通路部的閘門閥為打開狀態(tài)時(shí)，與利用該通路部連通的共用輸送室連接的各處理室的閘門閥對每個(gè)連通的共用輸送室只選擇一個(gè)地作成打開狀態(tài)。
這種情況下，可以可靠地防止在不同處理室用的不同處理氣體彼此之間混合產(chǎn)生污染等不合適情況。
在前述持取轉(zhuǎn)換工序，優(yōu)選具有通過前述一方的拾取器使被處理體保持在緩沖機(jī)構(gòu)上的保持工序，和通過另一方的拾取器拿取在緩沖機(jī)構(gòu)上保持的被處理體的工序。
前述輸送口優(yōu)選設(shè)置2個(gè)，前述一方的輸送口用來作為搬入專用的搬入口，前述另一方輸送口用來作為搬出專用的搬出口。
這種情況下，優(yōu)選在前述2個(gè)輸送口上分別經(jīng)閘門閥連接重復(fù)處于真空狀態(tài)和大氣壓狀態(tài)的負(fù)載鎖定室，在前述負(fù)載鎖定室上經(jīng)閘門閥共用連接設(shè)置有帶有2個(gè)拾取器的搬入側(cè)輸送機(jī)構(gòu)的搬入側(cè)輸送室，把前述被處理體從前述搬入側(cè)輸送室搬入到前述負(fù)載鎖定室的輸送工序用前述搬入側(cè)輸送機(jī)構(gòu)一方的拾取器進(jìn)行，把前述被處理體從前述負(fù)載鎖定室搬出到前述搬入側(cè)輸送室的搬出工序用前述搬入側(cè)輸送機(jī)構(gòu)的另一方拾取器進(jìn)行。
此外，例如在前述特定處理室對前述被處理體進(jìn)行堆積金屬薄膜的處理。


圖1是示出用于實(shí)施本發(fā)明輸送方法的處理系統(tǒng)一例的概略構(gòu)成圖。
圖2是示出緩沖機(jī)構(gòu)一例的立體圖。
圖3是示出處理系統(tǒng)變形實(shí)施例一例的構(gòu)成概略4是示出兼?zhèn)渚彌_機(jī)構(gòu)的通路部的立體圖。
圖5是用于說明通路部的動(dòng)作的說明圖。
圖6是示出處理系統(tǒng)的其它變形例的一例的構(gòu)成概略圖。
圖7是示出通過成組式處理裝置形成的現(xiàn)有的處理系統(tǒng)一例的圖。
具體實(shí)施例方式
以下，根據(jù)附圖對本發(fā)明的被處理體輸送方法一實(shí)施例加以說明。
圖1示出用于實(shí)施本發(fā)明輸送方法的處理系統(tǒng)一例的概略構(gòu)成圖，圖2是示出緩沖機(jī)構(gòu)一例的立體圖。
如圖1所示，該處理系統(tǒng)30具有在1個(gè)例如六邊形共用輸送室2的周圍分別經(jīng)各自的閘門閥6連接可真空抽氣的四個(gè)處理室4A～4D的真空處理裝置。在各處理室4A～4D上設(shè)置用于載置作為被處理體的半導(dǎo)體晶片W的基座32A～32D，可對半導(dǎo)體晶體W施以規(guī)定處理。而且，在該共用輸送室2經(jīng)可真空抽氣構(gòu)成的負(fù)載鎖定室8A、8B，連接長方形的搬入側(cè)輸送室10。
在負(fù)載鎖定室8A、8B和共用輸送室2之間的連接部及負(fù)載鎖定室8A、8B與搬入側(cè)輸送室10之間的連接部分別介入設(shè)置閘門閥6。在搬入側(cè)輸送室10連接用于載置可收容多枚半導(dǎo)體晶片的盒的例如3個(gè)導(dǎo)入口12及對半導(dǎo)體晶片W進(jìn)行定位的定向器14。本實(shí)施形態(tài)的定向器14這樣形成，以便使半導(dǎo)體晶片W旋轉(zhuǎn)，求出光學(xué)上的偏心量，進(jìn)行定位。
而且，搬入側(cè)輸送室10內(nèi)具有用于保持半導(dǎo)體晶片W的2個(gè)拾取器16A、16B的同時(shí)，設(shè)置可彎曲、旋轉(zhuǎn)、升降及水平直線移動(dòng)的搬入側(cè)輸送機(jī)構(gòu)16。在共用輸送室2內(nèi)具有用于保持半導(dǎo)體晶片W的2個(gè)拾取器18A、18B的同時(shí)，設(shè)置可彎曲及旋轉(zhuǎn)構(gòu)成的輸送機(jī)構(gòu)18。
在這里，共用輸送室2和2個(gè)負(fù)載鎖定室內(nèi)的任一方，例如與負(fù)載鎖定室8A之間的連接部的輸送口34作為把半導(dǎo)體晶片專用地搬入共用輸送室2內(nèi)的搬入口使用。另一方面，共用輸送室2和另一方負(fù)載鎖定室8B之間的連接部的搬入口36作為把半導(dǎo)體晶片從共用輸送室2搬出到外部專用的搬出口使用。
在共用輸送室2內(nèi)的一角上設(shè)置用于暫時(shí)保持半導(dǎo)體晶片W的緩沖機(jī)構(gòu)38。該緩沖機(jī)構(gòu)38，如圖2所示，具有上下移動(dòng)的升降桿40，和在升降桿40上端設(shè)置的板狀緩沖機(jī)構(gòu)基板42，和在緩沖機(jī)構(gòu)基板42上突出的例如3根支持銷44。該3根支持銷44上端可支持晶片W的背面。
其次，對如上所示構(gòu)成的處理系統(tǒng)30的被處理體輸送方法加以說明。
在這里，在處理室4C，作為對半導(dǎo)體晶片W容易產(chǎn)生污染的處理，假設(shè)為對Cu膜等金屬膜進(jìn)行堆積處理。由于在處理室4C進(jìn)行該處理，所以處理室4C成為特定處理室。該“特定”的用語只為了與其它處理室加以區(qū)別而已。
在處理室4C輸送進(jìn)行金屬薄膜的成膜處理的半導(dǎo)體晶片W之際，在該晶片W背面等上附著不要的金屬薄膜，擔(dān)心它附著在拾取器(傳播)。因此，在本實(shí)施形態(tài)，只一方的拾取器專用作污染用拾取器來使用。在把晶片W搬入上述特定處理室4C前為止，另一方拾取器專用作清潔用拾取器來使用。擔(dān)心清潔用拾取器即使只在侵入上述特定處理室4C內(nèi)時(shí)也受到污染。因此，在本實(shí)施例，在把晶片搬入特定處理室4C內(nèi)之際也使用污染用拾取器。此外，一旦污染用拾取器侵入進(jìn)行金屬薄膜堆積處理前的處理的處理室，在這里為處理室4B，則擔(dān)心污染該處理室4B內(nèi)。因此，在本實(shí)施例把半導(dǎo)體晶片從清潔用拾取器轉(zhuǎn)運(yùn)到污染用拾取器的操作使用上述緩沖機(jī)構(gòu)38進(jìn)行。
在上述的條件下，如果假定對半導(dǎo)體晶片W在各處理室4A～4D處理按照4A→4B→4C→4D的順序進(jìn)行，則半導(dǎo)體晶片W如箭矢所示地輸送。在這里，作為一例，從在3個(gè)導(dǎo)入口12內(nèi)的中央導(dǎo)入口12上設(shè)置的盒(也包含載體)取出晶片。2個(gè)負(fù)載鎖定室8A、8B內(nèi)的負(fù)載鎖定室8A用于通過特定處理室4C處理前的晶片W搬入用，另一方真空室8B用于特定處理室4C處理后的晶片W搬出用。
在這里，在輸送機(jī)構(gòu)16、18，2個(gè)拾取器內(nèi)的拾取器16A、18A作為清潔用拾取器使用，另一方的拾取器16B、18B作為污染用拾取器使用。在圖中，使用清潔用拾取器的路徑作成黑色箭矢表示，使用污染用拾取器的路徑作成空白箭矢表示。
在圖1，各處理室4A～4D分別收容晶片W。在這里，假設(shè)各處理室4A～4D的處理終止或大體上終止。
<搬入側(cè)輸送室10內(nèi)的輸送操作>
首先，對搬入側(cè)輸送室10內(nèi)的操作加以說明。在全部處理室4A～4D進(jìn)行處理，負(fù)載鎖定室8B內(nèi)收容的晶片W通過搬入側(cè)輸送機(jī)構(gòu)16的污染用拾取器16B，遵循輸送路徑X1輸送到中央導(dǎo)入口12，收容。
中央導(dǎo)入口12的未處理晶片W通過清潔用拾取器16A，遵循輸送路徑X2輸送到定向器14。該晶片W在定向器14上定位，再次通過清潔用拾取器16A向另一方負(fù)載鎖定室8A內(nèi)收容。晶片W的處理每進(jìn)一步，重復(fù)進(jìn)行以上的操作。
<共用輸送室2內(nèi)的輸送操作>
其次，對在共用輸送室2內(nèi)的晶片輸送操作加以說明。
1、首先，輸送機(jī)構(gòu)18的污染用拾取器18B只拿取通過處理室4D處理過的晶片，遵循輸送路徑Y(jié)1，把它置于空置狀態(tài)的污染用負(fù)載鎖定室8B內(nèi)。
2、其次，污染用拾取器18B拿取特定處理室4C內(nèi)處理過的晶片W，遵循輸送路徑Y(jié)2，把它搬入空置狀態(tài)的處理室4D內(nèi)放置。其后開始處理室4D內(nèi)的處理。
3、在這里，在緩沖機(jī)構(gòu)38上保持經(jīng)預(yù)處理室4B處理過的晶片W。污染用拾取器18B拿取在緩沖機(jī)構(gòu)38上載置的晶片，遵循輸送路徑Y(jié)3，把它搬入空置狀態(tài)的特定處理室4C內(nèi)放置。其后開始在特定處理室4C內(nèi)的處理。
4、其次，清潔用拾取器18A拿取處理室4B內(nèi)處理過的晶片W，遵循輸送路徑Y(jié)4，把它放置在上述空置狀態(tài)的緩沖機(jī)構(gòu)38上。晶片W在這里待機(jī)。
5、其次，清潔用拾取器18A拿取處理室4A內(nèi)處理過的晶片W，遵循輸送路徑Y(jié)5，把它輸送到上述空置狀態(tài)的處理室4B內(nèi)，其后，開始在處理室4B內(nèi)的處理。
6、其次，清潔用拾取器18A拿取在清潔用負(fù)載鎖定室8A內(nèi)待機(jī)的未處理晶片W，遵循輸送路徑Y(jié)6，把它搬入上述空置狀態(tài)的處理室4A內(nèi)放置。其后，開始處理室4A內(nèi)的處理。在半導(dǎo)體晶片W搬入搬出之際，當(dāng)然對應(yīng)的閘門閥6作開閉操作。
每次在各處理室4A～4D的半導(dǎo)體晶片W的處理終止，重復(fù)上述的操作。
如以上所示，在把晶片W輸送到特定處理室4C內(nèi)的工序以及在特定處理室4C形成金屬薄膜并輸送擔(dān)心產(chǎn)生金屬污染的晶片的工序一定使用污染用拾取器16B、18B。相反，利用在此以前的晶片W的輸送工序，使用清潔用拾取器16A、18A。通過這樣區(qū)別地使用拾取器，可極力抑制發(fā)生交叉污染(污染的傳播)。
在上述各處理室4A～4D之間的輸送順序不過只示出一例，當(dāng)然不限于此。即使在無論怎樣的輸送路徑情況下，在把晶片搬入到對晶片進(jìn)行容易產(chǎn)生污染的處理的處理室之前，在前工序的處理室處理過的晶片臨時(shí)由緩沖機(jī)構(gòu)38保持，在這里在清潔用拾取器18A和污染用拾取器18B之間進(jìn)行晶片的持取轉(zhuǎn)換操作。據(jù)此，如上述所示，防止污染清潔用拾取器18A，其結(jié)果，可防止對通過特定處理室4C處理前的晶片W污染。
<處理系統(tǒng)的變形實(shí)施例>
在前述的實(shí)施例，對具有多個(gè)處理室4A～4D與1個(gè)共用輸送室2連接的真空處理裝置的處理系統(tǒng)的輸送方法加以說明?？墒牵景l(fā)明不限于這種處理系統(tǒng)，例如，也可以在連接多個(gè)共用輸送室(真空處理裝置)構(gòu)成的處理系統(tǒng)中使用。
圖3是示出這樣的處理系統(tǒng)變形實(shí)施例一例的概略構(gòu)成圖，圖4是示出兼?zhèn)渚彌_機(jī)構(gòu)的通路部(中轉(zhuǎn)部)的立體圖，圖5是用于說明在通路部動(dòng)作的說明圖。通路部的機(jī)構(gòu)自身在專利申請2002-047509號詳細(xì)示出。對于與圖1所示的構(gòu)成部分大體相同的構(gòu)成部，附加同一符號加以說明。
在本實(shí)施例的情況下，也假設(shè)在特定處理室4C進(jìn)行擔(dān)心形成具有交叉污染的金屬薄膜。
在圖3所示的處理系統(tǒng)50，在圖1所示處理系統(tǒng)30的第一共用輸送室2和2個(gè)負(fù)載鎖定室8A、8B之間介入設(shè)置其它的多邊形，例如不規(guī)則的七邊形的第二共用輸送室20。2個(gè)處理室4E、4F分別經(jīng)閘門閥6與第二共用輸送室20連接。此外，在第二共用輸送室20和第一共用輸送室2之間連接連通兩共用輸送室2、20并可暫時(shí)保持晶片W的通路部22。在晶片W輸送時(shí)，通路部22上暫時(shí)保持晶片。圖3的情況下，為了連接上述通路部22，第一共用輸送室2的形狀也作成不規(guī)則的七邊形。在第一共用輸送室2和通路部22之間的接合部設(shè)置閘門閥6。據(jù)此，兩共用輸送室2、20可連通及可遮斷。
在上述2個(gè)處理室4E、4F內(nèi)也分別設(shè)置保持晶片W的基座32E、32F。在第二共用輸送室20內(nèi)設(shè)置具有2個(gè)拾取器24A、24B并作成可彎曲及可旋轉(zhuǎn)的輸送機(jī)構(gòu)24。而且，通過與前述同樣的操作，可有效地輸送晶片。
與第二共用輸送室20和2個(gè)負(fù)載鎖定室內(nèi)任一方，例如負(fù)載鎖定室8A的連接部的輸送口52專用為把半導(dǎo)體晶片向第二共用輸送室20內(nèi)搬入的搬入口。另一方面，在第二共用輸送室20和另一方的負(fù)載鎖定室8B之間的連接部的輸送口54專用為把半導(dǎo)體晶片從第二共用輸送室20向外搬出的搬出口。
在該處理系統(tǒng)50，在第一共用輸送室2內(nèi)不設(shè)置在圖1所示的緩沖機(jī)構(gòu)38。上述通路部22兼?zhèn)渚彌_機(jī)構(gòu)38的功能。
如圖4及圖5所示，在通路部22上設(shè)置有在其中心部上配置的2個(gè)被處理體保持機(jī)構(gòu)56、58和在其外側(cè)配置的1對被處理體保持機(jī)構(gòu)60。位于中心部的2個(gè)被處理體保持機(jī)構(gòu)56、58上分別具有大體呈U字狀成形的基板56A、58A。在各基板56A、58A上這樣設(shè)置，以便3根支持銷56B、58B分別向上方突出。通過各支持銷組56B、58B各自可分開獨(dú)立地支持晶片W背面的中央部。如圖4所示，U字狀基板56A及58A這樣配置，以便相互嵌合，而且稍微隔開一點(diǎn)，如圖5所示，與分別向下方延伸的升降桿56C、58C上端連接，可分開獨(dú)立升降。在這些升降桿56C、58C的基部上設(shè)置未圖示的波紋管。據(jù)此，邊維持通路部22內(nèi)部的氣密性，邊可對升降桿56C、58C升降。
如以上所示，這些2個(gè)被處理體保持機(jī)構(gòu)56、58可擇一地支持1只晶片W。圖5示出被處理體保持機(jī)構(gòu)56保持1枚晶片W的狀態(tài)。
作為緩沖功能，在這些2個(gè)被處理體保持機(jī)構(gòu)56、58內(nèi)的任一方，例如被處理體保持機(jī)構(gòu)56(在圖4中用局部斜線示出)上，支持在搬入特定處理室4C之前的晶片W。在另一方的被處理體保持機(jī)構(gòu)58上支持在特定處理室4C處理過的晶片W。即，被處理體保持機(jī)構(gòu)58作為污染用被處理體保持機(jī)構(gòu)發(fā)揮功能。
另一方面，位于該兩被處理體保持機(jī)構(gòu)56、58外側(cè)的被處理體保持機(jī)構(gòu)60具有在左右配置的1對支持板60A，和在上端支持這些支持板60A的升降桿60B。支持板60A保持晶片W的周邊部并可上下運(yùn)動(dòng)。在該升降桿60B的基部上也設(shè)置未圖示的波紋管。據(jù)此，邊維持通路部22內(nèi)部的氣密性，邊可升降升降桿60B。
被處理體保持機(jī)構(gòu)60，如圖5所示，可在高位保持晶片。在這里，被處理體保持機(jī)構(gòu)60在把晶片W從第二共用搬運(yùn)室20搬入第一共用輸送室2的情況下使用。即，被處理體保持機(jī)構(gòu)60作為清潔用被處理體保持機(jī)構(gòu)發(fā)揮功能。
即，清潔用被處理體保持機(jī)構(gòu)60在將晶片保持在高位的狀態(tài)下，在該晶片W下方，緩沖用被處理體保持機(jī)構(gòu)56可為了持取轉(zhuǎn)換操作臨時(shí)保持搬入到特定處理室4C之前的晶片W，或者污染用被處理體保持機(jī)構(gòu)58保持應(yīng)搬出的已處理過的晶片W。即，在該通路部22整體上可同時(shí)保持2枚晶片W。
其次，對如以上所示構(gòu)成的處理系統(tǒng)50的被處理體的輸送方法加以說明。
首先，假設(shè)如前述所示，在特定處理室4C，對晶片進(jìn)行容易產(chǎn)生污染的處理。而且，在各輸送機(jī)構(gòu)18、24，一方的拾取器例如拾取器18A、24A用作清潔用拾取器，而只另一方的拾取器18B、24B用作污染用拾取器。因?yàn)榘崛雮?cè)輸送機(jī)構(gòu)16的動(dòng)作是與在圖1說明的完全相同，所以在這里省略其說明。
在這里，對半導(dǎo)體晶片W的處理按照處理室4E→處理室4A→處理室4B→特定處理室4C→處理室4D→處理室4F的順序進(jìn)行。晶片W如圖3中箭矢所示地輸送。在這里，清潔用拾取器使用的路徑作成用黑色箭矢符號表示。污染用拾取器使用的路徑用空白箭矢符號表示。如前述所示，在搬入側(cè)輸送室10內(nèi)的輸送操作完全與圖1所示的情況相同，在這里省略其說明。
<第二共用輸送室20內(nèi)的輸送操作>
首先，對第二共用輸送室20內(nèi)的晶片輸送操作加以說明。
1、首先，輸送機(jī)構(gòu)24的污染用拾取器24B拿取在處理室4F處理過的晶片W，遵循輸送路徑Z1，把它放置在空置狀態(tài)的污染用的負(fù)載鎖定室8B內(nèi)。
2、其次，該污染用拾取器24B拿取在通路部22的污染用被處理體保持機(jī)構(gòu)58的支持銷58B(參照圖4及圖5)上支持的金屬薄膜堆積過的晶片W，遵從輸送路徑Z2，把它輸送到空置狀態(tài)的處理室4F內(nèi)放置。其后，開始在處理室4F內(nèi)的處理。
3、其次，清潔用拾取器24A拿取在處理室4E內(nèi)處理過的晶片W，遵從輸送路徑Z3，把它放置在上述通路部22的空置狀態(tài)的清潔用被處理體保持機(jī)構(gòu)60的兩支持板60A上。如圖5所示，晶片W通過兩支持板60A在高位置上保持。如前述所示，在該狀態(tài)下，在另外2個(gè)被處理體保持機(jī)構(gòu)56、58內(nèi)的任一方可保持其它的晶片W。
4、其次，清潔用拾取器24A拿取清潔用負(fù)載鎖定室8A內(nèi)待機(jī)的未處理的晶片W，遵從輸送路徑Z4，把它搬入上述空置狀態(tài)的處理室4E內(nèi)。其后，開始在該處理室4E內(nèi)的處理。在半導(dǎo)體晶片W的搬入搬出之際，當(dāng)然要對對應(yīng)的閘門閥6進(jìn)行開閉操作。
而且，每次各處理室4E、4F的半導(dǎo)體晶片W處理完了，重復(fù)進(jìn)行上述操作。
<共用輸送室2內(nèi)的輸送操作>
1、首先，輸送機(jī)構(gòu)18的污染用拾取器18B拿取在處理室4D處理過的晶片W，遵從輸送路徑Y(jié)1，把它放置到通路部22的空置狀態(tài)的污染用被處理體保持機(jī)構(gòu)58的支持銷58B上。在支持銷58B上放置的晶片W立即輸送到第二共用輸送室20側(cè)，使支持銷58再次成為空置狀態(tài)。
2、其次，污染用拾取器18B拿取在特定處理室4C內(nèi)處理過的晶片W，遵從輸送路徑Y(jié)2，把它輸送到空置狀態(tài)的處理室4D內(nèi)放置。其后，開始在處理室4D內(nèi)的處理。
3、在這里，在作為緩沖機(jī)構(gòu)的通路部22的緩沖用被處理體保持機(jī)構(gòu)56的支持銷56B(參照圖4及圖5)上保持在預(yù)處理室4B內(nèi)處理過的晶片W。污染用拾取器18B拿取在支持銷56B上支持的晶片W，遵從輸送路徑Y(jié)3把它輸送到空置狀態(tài)的特定處理室4C內(nèi)放置。其后，開始在該特定處理室4C內(nèi)的處理。
4、其次，清潔用拾取器18A拿取在處理室4B內(nèi)處理過的晶片W，遵從輸送路徑Y(jié)4，把它放置到上述空置狀態(tài)的支持銷56B上。晶片W在這里待機(jī)。
5、其次，清潔用拾取器18A拿取在處理室4A內(nèi)處理過的晶片W，遵從輸送路徑Y(jié)5，把它輸送到上述空置狀態(tài)的處理室4B內(nèi)放置。其后，開始在處理室4B內(nèi)的處理。
6、其次，清潔用拾取器18A拿取由通路部22的清潔用被處理體保持機(jī)構(gòu)60的支持板60A支持并待機(jī)的未處理的晶片W，遵循輸送路徑Y(jié)6，把它輸送到上述空置狀態(tài)的處理室4A內(nèi)放置。其后，開始在處理室4A內(nèi)的處理。在半導(dǎo)體晶片W搬入搬出之際，當(dāng)然要對對應(yīng)的閘門閥6進(jìn)行開閉操作。
而且，每次各處理室4A～4D的半導(dǎo)體晶片處理終止，重復(fù)進(jìn)行上述操作。
如以上所示，在向特定處理室4C內(nèi)輸送晶片W的工序，以及在特定處理室4C內(nèi)形成金屬薄膜并輸送擔(dān)心產(chǎn)生金屬污染的晶片的工序，一定使用污染用拾取器16B、18B、24B。相反，在其以前的晶片W的輸送工序，使用清潔用拾取器16A、18A、24A。通過這樣區(qū)別拾取器使用，可極力抑制發(fā)生交叉污染(污染傳播)。
在上述各處理室4A～4F之間的輸送順序只不過示出一例，當(dāng)然并不限于此。即使在任何的輸送路徑，在把晶片搬入到特定處理室前，在前工序的處理室處理過的晶片臨時(shí)被通路部22的緩沖用被處理體保持機(jī)構(gòu)56加以保持，在這里，在清潔用拾取器18A和污染用拾取器18B之間進(jìn)行晶片的持取轉(zhuǎn)換操作。據(jù)此，如上述所示，防止了清潔拾取器18A污染，其結(jié)果，可防止對通過特定處理室4C處理前的晶片W的污染。
在本實(shí)施例，在與第二共用輸送室20連通的通路部22和第一共用輸送室2之間介入設(shè)置可開閉的閘門閥6。而且，為了防止在各處理室4A～4F之間發(fā)生處理氣體的交叉污染，在晶片輸送時(shí)限制各閘門閥6的開閉動(dòng)作。在本實(shí)施形態(tài)，在處理室彼此之間連通那樣的狀態(tài)下不打開閘門閥6。換言之，應(yīng)回避所謂2個(gè)以上的處理室閘門閥6同時(shí)打開，即使多個(gè)處理室彼此之間暫時(shí)地成連通狀態(tài)，也應(yīng)該回避。
眾所周知，作為處理氣體，使用可引起交叉污染(污染的傳播)的氣體、腐蝕性氣體、如與其它氣體混合則發(fā)揮暴發(fā)性的氣體等。因此，通常在打開各處理室的閘門閥時(shí)，共用輸送室2、22內(nèi)的壓力通過N2氣等非活性氣體成為例如比27Pa(200mTorr)程度處理室內(nèi)壓力高的正壓力狀態(tài)。據(jù)此，即使打開閘門閥，處理室內(nèi)的殘留氣體也不流向共用輸送室側(cè)。
因此，在本實(shí)施例，為了進(jìn)一步可靠地抑制交叉污染等的發(fā)生，不應(yīng)同時(shí)打開2個(gè)以上處理室的閘門閥。例如在通路部22和第一共用輸送室2之間的閘門閥6為閉狀態(tài)，兩共用輸送室2、20之間遮斷時(shí)，對與第一共用輸送室2連接的處理室4A～4D的各閘門閥6加以控制，以只擇一打開。另一方面，同時(shí)對與第二共用輸送室20連通的處理室E、4F的各閘門閥6，以及兩負(fù)載鎖定室8A、8B的連接部上設(shè)置的2只閘門閥加以控制，以便只擇一地打開。
與此相反，在上述通路部22的閘門閥6打開狀態(tài)，兩共用輸送室2、20之間成為連通狀態(tài)時(shí)，對所有處理室4A～4F的各閘門閥6及兩負(fù)載鎖定室8A、8B的閘門閥加以控制，以便只擇一地打開。
據(jù)此，因?yàn)榭勺柚雇瑫r(shí)連通2個(gè)以上的多個(gè)處理室，所以可防止因處理氣體產(chǎn)生的交叉污染、腐蝕性氣體流出、爆發(fā)性氣體的混合生成等的不合適情況的產(chǎn)生。
在圖3所示的處理系統(tǒng)，在通路22上設(shè)置閘門閥6，可以自由地進(jìn)行兩共用輸送室2、20之間的連通、遮斷。然而，在不太擔(dān)心處理氣體交叉污染等情況下，在通路部22上也可以不設(shè)置閘門閥6。這種情況下，兩共用輸送室2、20之間經(jīng)通路部22成為一直連通狀態(tài)。
在上述實(shí)施例，通路部22兼?zhèn)渚彌_機(jī)構(gòu)?？墒潜景l(fā)明不限于此，也可以在第一共用輸送室2內(nèi)的角部上另外設(shè)置用圖2說明那樣的緩沖機(jī)構(gòu)38。在這種情況下，通路部22不要兼?zhèn)渚彌_機(jī)構(gòu)。因此，從圖4所示構(gòu)成出發(fā)，可以省略承擔(dān)緩沖機(jī)構(gòu)的緩沖用被處理體保持機(jī)構(gòu)56。
此外，在上述實(shí)施例，第一、第二共用輸送室2、20具有不連接上述各處理室的空置狀態(tài)的處理室連接部(多邊形的邊)。在該空置的處理室連接部上可連接進(jìn)行晶片予加熱、冷卻等的小型處理室。因此，在上述實(shí)施例，為了確保這些小型處理室的配置空間，對被處理體保持機(jī)構(gòu)56、58、60在垂直方向多重配置。尤其在不必要連接這樣的小型處理室的情況下，如圖6所示，也可以在通路部22內(nèi)并置與用圖2說明那樣的緩沖機(jī)構(gòu)38同樣的2個(gè)緩沖機(jī)構(gòu)62A、62B。
這種情況下，緩沖機(jī)構(gòu)62A作為用于使清潔晶片W從第二共用輸送室20中轉(zhuǎn)到第一共用輸送室2的清潔用被處理保持機(jī)構(gòu)發(fā)揮功能。此外，緩沖機(jī)構(gòu)62A作為用于進(jìn)行在拾取器18A、18B之間的晶片W的持取轉(zhuǎn)換作業(yè)的緩沖用處理體保持機(jī)構(gòu)發(fā)揮功能。當(dāng)然不使兩功能相互競爭地進(jìn)行晶片輸送。緩沖機(jī)構(gòu)62B作為用于使處理室4C處理過的晶片W從第一共用輸送室2中轉(zhuǎn)到第二共用輸送室20中的污染用被處理體保持機(jī)構(gòu)發(fā)揮功能。這種情況下的輸送順序如圖6所示。
在上述實(shí)施例，在負(fù)載鎖定室8A、8B內(nèi)的桌臺上載置晶片W，設(shè)想進(jìn)行該晶片W的予加熱或冷卻。因此，使用搬入專用負(fù)載鎖定室8A和搬出專用負(fù)載鎖定室8B。可是，在不對負(fù)載鎖定室內(nèi)的晶片預(yù)加熱或冷卻的情況下，取代上述桌臺，使用用圖2說明那樣的緩沖機(jī)構(gòu)38。但是，緩沖機(jī)構(gòu)38的支持銷44的前端必須細(xì)。如果晶片W和支持銷44前端的接觸面積小，則即使處理前的晶片和處理后的晶片經(jīng)由同一負(fù)載鎖定室輸送的情況下，因交叉污染產(chǎn)生的弊害是比較輕微的。即，在這樣的情況下，負(fù)載鎖定室也可以是1個(gè)。在那種情況下，在圖1的第一共用輸送室2及圖3的第二共用輸送室20上設(shè)置的輸送口也成為1個(gè)。
在上述實(shí)施例，以半導(dǎo)體晶片作為被處理體為例加以說明，然而，并不限于此，即使在處理LCD基板、玻璃基板等的情況下也可以使用本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種被處理體的輸送方法，是在處理裝置中的被處理體的輸送方法，該處理裝置具有包含對被處理體進(jìn)行容易產(chǎn)生污染的處理的特定處理室的多個(gè)處理室；和具有2個(gè)拾取器的輸送機(jī)構(gòu)，該輸送方法的特征為，具有在所述多個(gè)處理室之間穿行地順序輸送被處理體的多個(gè)輸送工序，在把所述被處理體搬入所述特定處理室之前為止的輸送工序用所述2個(gè)拾取器中的一方的拾取器進(jìn)行，在把所述被處理體搬入所述特定處理室的輸送工序及其以后的該被處理體的輸送工序用所述2個(gè)拾取器的另一方的拾取器進(jìn)行。
2.根據(jù)所述權(quán)利要求1所述的輸送方法，其特征為，還具有把所述被處理體從所述一方拾取器轉(zhuǎn)運(yùn)到所述另一方拾取器的持取轉(zhuǎn)換工序，所述持取轉(zhuǎn)換工序包括通過所述一方拾取器把被處理體保持在緩沖機(jī)構(gòu)的保持工序；和通過所述另一方拾取器，拿取保持在緩沖機(jī)構(gòu)的被處理體的工序。
3.一種被處理體的輸送方法，是在真空處理裝置中的被處理體的輸送方法，該真空處理裝置具有包含對被處理體進(jìn)行容易產(chǎn)生污染的處理的特定處理室的多個(gè)處理室；與所述各處理室共用連接的共用輸送室；在所述共用輸送室內(nèi)設(shè)置的、具有2個(gè)拾取器的輸送機(jī)構(gòu)；在所述共用輸送室內(nèi)設(shè)置的、暫時(shí)保持被處理體的緩沖機(jī)構(gòu)；和對所述共用輸送室搬入搬出被處理體的輸送口，該輸送方法特征為，還具有在所述多個(gè)處理室之間穿行地順序輸送被處理體的多個(gè)輸送工序，在把所述被處理體搬入到所述特定處理室前為止的輸送工序用所述2個(gè)拾取器中的一方拾取器進(jìn)行，在把所述被處理體搬入所述特定處理室的輸送工序及其以后的該被處理體的輸送工序用所述2個(gè)拾取器的另一方拾取器進(jìn)行，用所述緩沖機(jī)構(gòu)把所述被處理體從所述一方的拾取器轉(zhuǎn)運(yùn)到所述另一方的拾取器的持取轉(zhuǎn)換工序。
4.一種被處理體的輸送方法，是處理系統(tǒng)的被處理體的輸送方法，該處理系統(tǒng)是多個(gè)真空處理裝置經(jīng)通路部連接而構(gòu)成的處理系統(tǒng)，該多個(gè)真空處理裝置的各個(gè)具有多個(gè)處理室；與所述各處理室共用連接的共用輸送室；和在所述共用輸送室內(nèi)設(shè)置的、具有2個(gè)拾取器的輸送機(jī)構(gòu)，其中，在處理系統(tǒng)中，所述處理系統(tǒng)內(nèi)任一處理室是進(jìn)行對被處理體進(jìn)行容易產(chǎn)生污染的特定處理室，在與所述特定處理室連接的共用輸送室或者與該共用輸送室連通的通路部上設(shè)置暫時(shí)保持被處理體的緩沖機(jī)構(gòu)，在任一共用輸送室上設(shè)置對該共用輸送室搬入搬出被處理體的輸送口，該被處理體的輸送方法的特征為，具有在所述多個(gè)處理室之間穿行地順序輸送被處理體的多個(gè)輸送工序，在把所述被處理體搬入到所述特定處理室之前為止的輸送工序用所述2個(gè)拾取器中的一方的拾取器進(jìn)行，在把所述被處理體搬入到所述特定處理室的搬入搬出工序及其以后的該被處理體輸送工序用所述2拾取器中的另一方的拾取器進(jìn)行，用所述緩沖機(jī)構(gòu)，把所述被處理體從所述一方拾取器轉(zhuǎn)運(yùn)到所述另一方拾取器的持取轉(zhuǎn)換工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的被處理體的輸送方法，其特征為，在所述通路部設(shè)置可保持被處理體的至少2個(gè)被處理體保持機(jī)構(gòu)，一方被處理體保持機(jī)構(gòu)保持在搬入到所述特定處理室之前的被處理體，另一方被處理體保持機(jī)構(gòu)保持由所述特定處理室處理后的被處理體，
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的被處理體的輸送方法，其特征為，在所述通路部上設(shè)置控制對經(jīng)該通路部所連接的共用輸送室的連通及遮斷的閘門閥，在所述各處理室上設(shè)置控制對該處理室所連接的共用輸送室的連通及遮斷的閘門閥，在所述通路部的閘門閥關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，與未由該通路部連通的各共用輸送室連接的各處理室的閘門閥對各共用輸送室的每一個(gè)只擇一成為打開狀態(tài)，在所述通路部的閘門閥打開狀態(tài)時(shí)，與由該通路部連通的各共用輸送室連接的各處理室的閘門閥每次對連通的共用輸送室的每一個(gè)只擇一成為打開狀態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求3～6之一所述的被處理體輸送方法，其特征為，所述持取轉(zhuǎn)換工序具有通過所述一方拾取器把被處理體保持在緩沖機(jī)構(gòu)的工序；和通過所述另一方拾取器拿取保持在緩沖機(jī)構(gòu)上的被處理體的工序。
8.根據(jù)權(quán)利要求3～6之一所述的被處理體輸送方法，其特征為，所述輸送口設(shè)置2個(gè)，所述一方輸送口用作搬入專用的搬入口，所述另一方輸送口用作搬出專用的搬出口。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的被處理體輸送方法，其特征為，重復(fù)真空狀態(tài)和大氣狀態(tài)的負(fù)載鎖定室經(jīng)閘門閥分別與所述2個(gè)輸送口連接，設(shè)置有帶2個(gè)拾取器的搬入側(cè)輸送機(jī)構(gòu)的搬入側(cè)輸送室經(jīng)閘門閥共用連接所述負(fù)載鎖定室，把所述被處理體從所述搬入側(cè)輸送室搬入到所述負(fù)載鎖定室的輸送工序用所述搬入側(cè)輸送機(jī)構(gòu)的一方的拾取器進(jìn)行，把所述被處理體從所述負(fù)載鎖定室搬出到所述搬入側(cè)輸送室的輸送工序由所述搬入側(cè)輸送機(jī)構(gòu)的另一方的拾取器進(jìn)行。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～9之一所述的被處理體輸送方法，其特征為，在所述特定處理室，進(jìn)行在所述被處理體上堆積金屬薄膜的處理。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有包含對被處理體進(jìn)行易產(chǎn)生污染的特定處理室的多個(gè)處理室，和具有2個(gè)拾取器的輸送機(jī)構(gòu)的處理裝置中的被處理體的輸送方法，本發(fā)明的方法具有在所述多個(gè)處理室之間穿行地順序輸送被處理體的多個(gè)輸送工序，在把所述被處理體搬入所述特定處理室前為止的輸送工序，用所述2個(gè)拾取器一方拾取器進(jìn)行，在把所述被處理體搬入所述特定處理室的輸送工序及其以后的該被處理體的輸送工序用所述2個(gè)拾取器的另一拾取器進(jìn)行。
文檔編號H01L21/00GK1669136SQ0381655
公開日2005年9月14日 申請日期2003年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月25日
發(fā)明者石澤繁, 堀毛英史 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社