專利名稱：使用金屬氧化物形成雙重柵極氧化物器件的方法及其合成器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體地涉及一種形成為具有雙重柵極電介質(zhì)厚度并使用例如金屬氧化物的高-K柵極電介質(zhì)材料的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
在集成電路的制造中，通常需要在相同的半導(dǎo)體襯底或晶片上形成具有不同柵極電介質(zhì)厚度的晶體管。例如，用于輸入/輸出(I/O)器件的晶體管需要比例如用于磁心邏輯的晶體管更厚的柵極電介質(zhì)。用于形成不同厚度的常規(guī)工藝稱為DGO工藝，其代表雙重柵極氧化物。在常規(guī)DOG工藝中，形成“厚”二氧化硅層(例如用于I/O器件)，并使用抗蝕劑掩膜來(lái)遮蔽I/O區(qū)中的厚二氧化硅層。然后蝕刻掉厚二氧化硅層，或換句話說(shuō)自非遮蔽區(qū)移去厚二氧化硅層，其為應(yīng)形成磁心邏輯器件的區(qū)。移去掩膜且接著在磁心邏輯器件區(qū)上生長(zhǎng)薄的二氧化硅層。然后在襯底上淀積柵極電極材料，一般為多晶硅，在這一點(diǎn)包括兩種不同厚度的柵極電介質(zhì)。然后將柵極電極材料和柵極電介質(zhì)圖形化，并蝕刻以形成每個(gè)晶體管的柵電極和氧化物堆棧。
作為生產(chǎn)具有兩種不同柵極電介質(zhì)厚度的晶體管的可制造的和成本效率的方法，在該產(chǎn)業(yè)中，上述的DGO工藝獲得了肯定。但是由于晶體管尺寸的縮小，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)而以例如金屬氧化物的高K電介質(zhì)材料(即，具有更高介電常數(shù)的電介質(zhì))替代傳統(tǒng)二氧化硅柵極電介質(zhì)。但是因?yàn)樵诠枰r底上金屬氧化物不能如二氧化硅般熱生長(zhǎng)，因此在常規(guī)DGO工藝中，如果技術(shù)人員企圖僅僅以金屬氧化物替代二氧化硅，則存在與以多重金屬氧化物淀積物形成不同氧化物厚度相關(guān)以及與金屬氧化物的蝕刻相關(guān)的問(wèn)題。此外，在半導(dǎo)體制造工藝中，需要以金屬氧化物或其它高K電介質(zhì)材料達(dá)到雙重柵極電介質(zhì)厚度。


通過(guò)例證描述本發(fā)明，本發(fā)明不被附圖所限制，其中同樣的參考符號(hào)指相似的元件，其中圖1-4是依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例描述隨著其經(jīng)受的工藝而形成具有兩種柵極電介質(zhì)厚度(例如一種厚度用于磁心器件，且一種用于I/O器件)的半導(dǎo)體器件的部分截面圖；圖5是依照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例、在其中形成三個(gè)不同柵極電介質(zhì)厚度而形成的半導(dǎo)體器件的部分截面圖；和圖6是依照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例、在其中使用金屬氧化物層堆棧而不是單層金屬氧化物層作為用于每種將形成的類型的器件的柵極電介質(zhì)部分(例如用于磁心器件和I/O器件)而形成的半導(dǎo)體器件的部分截面圖。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，為了簡(jiǎn)明和清楚而描述附圖中的元件，元件不必按比例畫出。例如，可相對(duì)于其它元件放大附圖中某些元件的尺寸，以幫助增進(jìn)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的理解。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明整合高K電介質(zhì)材料，優(yōu)選金屬氧化物，在雙重柵極工藝程序中，使用單層金屬氧化物淀積物來(lái)形成不同厚度的多重柵極電介質(zhì)堆棧。依據(jù)本發(fā)明，在制備的襯底表面上形成金屬氧化物，其在襯底的兩個(gè)不同區(qū)域(例如磁心邏輯區(qū)和I/O區(qū))之間，該襯底已具有氧化物厚度當(dāng)量(equivalent oxide layer)(EOT)差。例如，在兩種不同厚度的二氧化硅或氮氧化硅上淀積單層金屬氧化物層。因此，不需要將金屬氧化物選擇性地蝕刻至需要柵極質(zhì)量表面的硅襯底下面(其可破壞襯底表面)。而且依據(jù)本發(fā)明，單層金屬氧化物層形成具有高質(zhì)量的二氧化硅或氮氧化硅層界面，因?yàn)橄喾从诰哂泄璞砻娴慕缑?，該硅表面已被破壞，或換句話說(shuō)因?yàn)橐越饘傺趸镫娊橘|(zhì)、使用常規(guī)DGO工藝方法的結(jié)果處理。由此，由于污染物或破壞的表面的結(jié)果而造成界面的不規(guī)則性，依照本發(fā)明形成的器件不具有退化的性能，例如漏電流。
現(xiàn)在參照?qǐng)D1-4，依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件10。如圖1所示，半導(dǎo)體器件10包括半導(dǎo)體襯底12，其在優(yōu)選實(shí)施例中為單晶硅襯底(且有時(shí)稱為晶片)，但是其可替代由其它半導(dǎo)體襯底材料形成。在襯底12中，為了將即將形成的各個(gè)單個(gè)器件電隔離，以常規(guī)方法形成溝槽隔離區(qū)14，優(yōu)選淺溝槽隔離區(qū)。當(dāng)形成溝槽隔離區(qū)14之后，在襯底12上形成第一柵極電介質(zhì)16。第一柵極電介質(zhì)16優(yōu)選為二氧化硅或氮氧化硅，優(yōu)選依照常規(guī)習(xí)慣通過(guò)熱氧化而形成。柵極電介質(zhì)16的厚度由將在I/O區(qū)24中形成的器件的具體器件需要來(lái)決定，在下面將進(jìn)一步解釋，但是通常在30-50(3-5nm)的范圍內(nèi)。
當(dāng)形成第一柵極電介質(zhì)16之后，在襯底上形成(光致)抗蝕劑掩膜18以遮蔽掉部分第一柵極電介質(zhì)層。如圖1所示，半導(dǎo)體器件10包括兩個(gè)不同的器件區(qū)，即磁心器件區(qū)22和I/O器件區(qū)24。操作中，在磁心器件區(qū)22中將形成的器件需要更薄的柵極電介質(zhì)，其操作比例如在I/O器件區(qū)24中將形成的I/O器件更低的電壓，該I/O器件可承受用于I/O操作所需的更高的電壓。此外，形成抗蝕劑掩膜18以保護(hù)部分第一柵極電介質(zhì)16，其將部分地作為用于更高電壓I/O器件的柵極電介質(zhì)。其它電介質(zhì)材料可替代用于第一柵極電介質(zhì)16。由于對(duì)這些材料的工業(yè)理解、形成高柵極質(zhì)量膜的能力和由于其可通過(guò)選擇性地生長(zhǎng)技術(shù)而不需要均厚淀積及蝕刻步驟來(lái)形成，二氧化硅和氮氧化硅是具有吸引力的選擇。
接著蝕刻半導(dǎo)體器件10以移去磁心器件區(qū)22中第一柵極電介質(zhì)16的無(wú)保護(hù)部分，如圖2所示。接著移去抗蝕劑掩膜18，并在磁心器件區(qū)22內(nèi)的襯底12的暴露部分上形成第二柵極電介質(zhì)20。優(yōu)選實(shí)施例中，第二柵極電介質(zhì)20也是二氧化硅或氮氧化硅，但是與第一柵極電介質(zhì)16相似，可使用其它材料。依照常規(guī)慣例，可通過(guò)熱氧化和/或化學(xué)氧化來(lái)形成第二柵極電介質(zhì)。柵極電介質(zhì)20的厚度也由下面將進(jìn)一步解釋的在磁心器件區(qū)22中將形成的器件的具體器件需要來(lái)決定，但是通常4-12(0.4-1.2nm)的范圍內(nèi)。由于第二柵極電介質(zhì)20非常薄，使用熱氧化工藝難以恰當(dāng)?shù)乜刂坪穸然虻玫阶銐蛸|(zhì)量的氧化物，由此化學(xué)氧化是有用的。例如，通過(guò)在臭氧水(ozonatedwater)中清洗襯底，通過(guò)生長(zhǎng)薄氧化物可形成薄的電介質(zhì)。可使用熱處理和化學(xué)處理的組合來(lái)形成第二電介質(zhì)20。對(duì)于第二柵極電介質(zhì)20來(lái)說(shuō)，由于將襯底暴露在周圍環(huán)境中或其它含氧環(huán)境中的結(jié)果、其為在襯底12上生長(zhǎng)的天然氧化物就足夠了。在另一個(gè)實(shí)施例中，例如可通過(guò)原子層淀積來(lái)淀積第二柵極電介質(zhì)20。
在形成第二柵極電介質(zhì)20的進(jìn)程中，取決于用來(lái)形成第二柵極電介質(zhì)20的技術(shù)，可改變第一柵極電介質(zhì)16的厚度，并應(yīng)當(dāng)考慮第一柵極電介質(zhì)16的原始淀積或生長(zhǎng)厚度的選擇。但是，除非在第一柵極電介質(zhì)16上淀積第二柵極電介質(zhì)20，而不是通過(guò)襯底表面的熱反應(yīng)或化學(xué)反應(yīng)來(lái)形成第二柵極電介質(zhì)20，通常不預(yù)先考慮第一柵極電介質(zhì)16的厚度將重大地改變。
現(xiàn)在形成了兩種不同厚度的柵極電介質(zhì)，在半導(dǎo)體器件10上淀積高K電介質(zhì)(通常k＞4，優(yōu)選k＞6，且更優(yōu)選k＞7)。在優(yōu)選實(shí)施例中，該高k電介質(zhì)為金屬氧化物，例如圖3所示的金屬氧化物26。用于金屬氧化物26的適當(dāng)材料優(yōu)選地包括氧化鉿(HfO2)，硅化鉿(HfxSiyOz)，或鋁酸鑭(LaAlO3)，但是氧化鑭、鋁酸鉿、氧化鋯和硅化鋯及其它類似材料，也是適合的高k電介質(zhì)。高K電介質(zhì)層的厚度將取決于襯底的每個(gè)區(qū)中(磁心區(qū)和I/O區(qū))具體器件的需要，但是通常相信金屬氧化物的厚度位于大約15-50(1.5-5.0nm)之間。第一柵極電介質(zhì)16和第二柵極電介質(zhì)20的下層厚度也將影響高k電介質(zhì)的厚度的選擇?？蛇x擇高k電介質(zhì)的厚度，由此當(dāng)加上第一柵極電介質(zhì)16(I/O器件電介質(zhì))厚度或第二柵極電介質(zhì)20(磁心器件電介質(zhì))厚度的EOT時(shí)，其氧化物厚度當(dāng)量(EOT)提供分別適用于I/O器件和磁心器件的EOT總量。類似地，將使用該計(jì)算來(lái)決定第一和第二柵極電介質(zhì)的原始淀積或生長(zhǎng)厚度。由于淀積金屬氧化物26作為單層均厚淀積，跨越襯底表面其厚度將不改變多少，且由此本領(lǐng)域技術(shù)人員可使用第一和第二電介質(zhì)的厚度作為“變量”來(lái)得到用于磁心和I/O器件的最終EOT。
如圖3所示，當(dāng)在相同襯底上仍然得到用于不同器件的兩個(gè)不同EOT時(shí)，可使用單層金屬氧化物層。如果本領(lǐng)域技術(shù)人員將金屬氧化物組合到常規(guī)雙重柵極氧化物(DGO)工藝中，將需要兩個(gè)不同的金屬氧化物厚度以滿足磁心器件和I/O器件的需要。與在相同襯底上形成兩個(gè)不同金屬氧化物厚度相關(guān)的問(wèn)題包括1)在硅襯底上均勻地和選擇性地蝕刻金屬氧化物的難度；和2)在金屬氧化物和硅襯底之間以及在I/O器件區(qū)中的各個(gè)頂部淀積的金屬氧化物之間形成高質(zhì)量的界面的難度。依據(jù)本發(fā)明，使用單層金屬氧化物淀積物，在制備的襯底表面上形成金屬氧化物，該襯底具有磁心器件區(qū)22和I/O器件區(qū)24之間的EOT差。不需要將金屬氧化物選擇性地蝕刻至硅襯底下面，該下面的硅襯底需要柵質(zhì)量表面。同時(shí)依據(jù)本發(fā)明，由于與硅表面相對(duì)，該硅表面已損壞或換句話說(shuō)以金屬氧化物的常規(guī)DGO工藝處理，金屬氧化物形成具有高質(zhì)量二氧化硅或氮氧化硅層的界面。本發(fā)明的另一個(gè)益處在于在金屬氧化物層上沒(méi)有金屬氧化物淀積物，該金屬氧化物層已損壞或由常規(guī)DGO工藝來(lái)處理。
當(dāng)?shù)矸e了金屬氧化物層26之后，在金屬氧化物上淀積柵電極材料28，圖形化和蝕刻半導(dǎo)體器件10以形成柵極堆棧，如圖4所示。通常柵電極材料28為導(dǎo)電的(摻雜的)多晶硅或金屬(例如氮化鈦)。優(yōu)選地，使用相同的蝕刻掩膜來(lái)圖形化I/O與磁心器件區(qū)中的柵極堆棧，但是蝕刻需求使得使用兩個(gè)掩膜更加理想，每一個(gè)用于兩個(gè)區(qū)中的每一個(gè)。這一點(diǎn)，常規(guī)工藝完成了晶體管和集成電路的構(gòu)造(例如，平面，間隙壁，層間絕緣層，互連和鈍化構(gòu)造)。
依照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，可使用相似的工藝以形成三重柵極氧化物(TGO)器件。在某些應(yīng)用中，除了磁心或I/O器件以外，需要甚至更高壓的器件且由此需要三種不同柵極電介質(zhì)厚度。如圖5所示，半導(dǎo)體器件50包括分別具有增大的物理厚度的柵極電介質(zhì)52、54和56。柵極電介質(zhì)52可作為用于磁心邏輯器件的柵極電介質(zhì)。柵極電介質(zhì)54可作為用于I/O器件的柵極電介質(zhì)。而且，柵極電介質(zhì)56可作為用于高壓器件的柵極電介質(zhì)。可以與參考圖1-2中所述的柵極電介質(zhì)16和20的方法相似的方法形成這些柵極電介質(zhì)。差別在于形成的第一電介質(zhì)層為所需的最厚的電介質(zhì)(例如，用于最高壓器件)，且在形成用于磁心器件所需的最薄電介質(zhì)之前，形成中間厚度的柵極電介質(zhì)(例如用于I/O器件)。這將通過(guò)以下實(shí)現(xiàn)1)在將形成高壓器件的區(qū)中遮蔽最厚的電介質(zhì)；2)在磁心器件和I/O器件區(qū)中蝕刻該(最厚)電介質(zhì)；3)在磁心器件區(qū)和I/O器件區(qū)中都形成用于I/O器件的柵極電介質(zhì)；4)在I/O和高壓器件區(qū)中遮蔽I/O柵極電介質(zhì)和最厚電介質(zhì)；5)在磁心器件區(qū)中蝕刻I/O電介質(zhì)；6)形成磁心器件的柵極電介質(zhì)。當(dāng)形成三種不同的EOT之后，在襯底上淀積例如金屬氧化物的單層高k電介質(zhì)，且其工藝將繼續(xù)如參考圖3-4中先前所述的。
在又一個(gè)實(shí)施例中，依照本發(fā)明的工藝包括與單層金屬氧化物層相對(duì)的金屬氧化物堆棧。如圖6所示，如參照?qǐng)D1-2中的先前所述，形成具有兩種不同EOT的半導(dǎo)體器件60。此后，在襯底上均厚淀積第一金屬氧化物層62，然后是第二金屬氧化物層64的均厚淀積。在優(yōu)選實(shí)施例中，兩個(gè)金屬氧化物層為不同的材料。使用兩種不同金屬氧化物的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是層內(nèi)的晶粒邊界可以不對(duì)準(zhǔn)以減小晶體管中的漏電流。使用兩種不同材料的另一個(gè)原因在于一種材料可具有作為柵極電介質(zhì)的所需性能，但是可以不與用來(lái)形成上覆柵電極的材料一致。由此，可選擇與柵電極一致的第二金屬氧化物。在一個(gè)實(shí)施例中，第一金屬氧化物層為氧化鋯(ZrO2)或氧化鉿(HfO2)，且第二金屬氧化物為氧化鋁(Al2O3)。當(dāng)使用多晶硅柵電極材料時(shí)，氧化鋁將減輕多晶硅與氧化鉿或氧化鋯之間的某些兼容關(guān)系。通常，由于主要用來(lái)作為覆蓋層而不是晶體管的柵極電介質(zhì)錠，因此第二或上部金屬氧化物層比第一金屬氧化物層薄。金屬柵電極也受益于電介質(zhì)材料錠上的覆蓋層的使用。
在前述說(shuō)明中，參考具體實(shí)施例描述了本發(fā)明。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，不脫離如權(quán)利要求所提出的本發(fā)明的范圍，可進(jìn)行各種修改和變化。例如，當(dāng)將本發(fā)明描述為形成磁心邏輯器件與I/O器件以具有不同的柵極電介質(zhì)厚度時(shí)，可將本發(fā)明用于結(jié)合具有或需要兩種不同柵極電介質(zhì)厚度的任意兩種器件。此外，將說(shuō)明書和附圖看成是說(shuō)明性的而不是限制性的，且所有這樣的修改都包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
上面以相關(guān)具體實(shí)施例描述了益處、優(yōu)點(diǎn)和問(wèn)題的解決方案。但是，益處、優(yōu)點(diǎn)和問(wèn)題的解決方案，以及可導(dǎo)致益處、優(yōu)點(diǎn)或解決方案發(fā)生或使之變得更加明確的元素，不應(yīng)被視為任何或所有權(quán)利要求的決定性的、必須的或必要的特征或元素。如下文中所用的，術(shù)語(yǔ)“組成”、“包括”、或其它任何變化，是用來(lái)覆蓋非排除性的包含，例如包括一系列的要素的工藝、方法、物品或裝置，其不僅包括那些列出的要素，而且還包括沒(méi)有特意列出的或工藝、方法、物品或裝置所固有的其它要素。
權(quán)利要求
1.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括提供半導(dǎo)體襯底；形成覆蓋半導(dǎo)體襯底的第一柵極電介質(zhì)層；移去覆蓋半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)的部分第一柵極電介質(zhì)層；形成覆蓋半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)的第二柵極電介質(zhì)層；和形成覆蓋第一柵極電介質(zhì)層和第二柵極電介質(zhì)層的金屬氧化物層。
2.如權(quán)利要求1的方法，其中第一柵極電介質(zhì)層包括選自由氧化硅和氮氧化硅構(gòu)成的組的材料。
3.如權(quán)利要求1的方法，其中第二柵極電介質(zhì)層包括選自由氧化硅和氮氧化硅構(gòu)成的組的材料。
4.如權(quán)利要求1的方法，其中金屬氧化物層包括選自由二氧化鉿、硅化鉿和鋁酸鑭構(gòu)成的組的材料。
5.如權(quán)利要求1的方法，還包括形成覆蓋金屬氧化物層的柵極層；和將柵極層、金屬氧化物層、第一柵極電介質(zhì)層和第二柵極電介質(zhì)層圖形化，以形成第一柵極堆棧和第二柵極堆棧。
6.如權(quán)利要求5的方法，其中在磁心邏輯器件中使用第一柵極堆棧，且在I/O器件中使用第二柵極堆棧。
7.如權(quán)利要求1的方法，還包括移去覆蓋半導(dǎo)體襯底的第二區(qū)的部分第二柵極電介質(zhì)層；和形成覆蓋半導(dǎo)體襯底的第二區(qū)的第三柵極電介質(zhì)層；其中，形成金屬氧化物層包括形成覆蓋第一柵極電介質(zhì)層、第二柵極電介質(zhì)層和第三柵極電介質(zhì)層的金屬氧化物層。
8.如權(quán)利要求1的方法，其中第一和第二電介質(zhì)層具有不同的厚度。
9.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括提供半導(dǎo)體襯底；形成覆蓋半導(dǎo)體襯底的第一電介質(zhì)材料，其中覆蓋半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)的第一電介質(zhì)材料的第一部分具有第一厚度，且覆蓋半導(dǎo)體襯底的第二區(qū)的第一電介質(zhì)材料的第二部分具有與第一厚度不同的第二厚度；形成覆蓋第一電介質(zhì)材料的高k電介質(zhì)層；形成覆蓋高k電介質(zhì)層的柵極層；和將柵極層和高k電介質(zhì)層圖形化以在半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)內(nèi)形成第一器件的柵極，且在半導(dǎo)體襯底的第二區(qū)內(nèi)形成第二器件的柵極。
10.如權(quán)利要求9的方法，其中第一電介質(zhì)材料包括選自由氧化硅和氮氧化硅構(gòu)成的組的材料。
11.如權(quán)利要求9的方法，其中高k電介質(zhì)層包括金屬氧化物。
12.如權(quán)利要求11的方法，其中金屬氧化物包含選自由二氧化鉿、硅化鉿和鋁酸鑭構(gòu)成的組的材料。
13.一種半導(dǎo)體器件，包括覆蓋半導(dǎo)體襯底的第一器件，所述第一器件包括覆蓋半導(dǎo)體襯底且具有第一厚度的第一電介質(zhì)；和覆蓋第一電介質(zhì)的第一金屬氧化物；和覆蓋半導(dǎo)體襯底、與第一器件間隔的第二器件，所述第二器件包括覆蓋半導(dǎo)體襯底且具有不同于第一厚度的第二厚度的第二電介質(zhì)；和覆蓋第二電介質(zhì)的第二金屬氧化物。
14.如權(quán)利要求13的半導(dǎo)體器件，還包括覆蓋第一金屬氧化物的第一柵極和覆蓋第二金屬氧化物的第二柵極。
15.如權(quán)利要求14的半導(dǎo)體器件，其中第一和第二柵極的每一個(gè)包含金屬。
16.如權(quán)利要求14的半導(dǎo)體器件，其中第一和第二柵極的每一個(gè)包含多晶硅。
17.如權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件，還包括覆蓋第一金屬氧化物和在第一柵極下面的第三電介質(zhì)，以及覆蓋第二金屬氧化物和在第二柵極下面的第四電介質(zhì)。
18.如權(quán)利要求14的半導(dǎo)體器件，其中第一和第二電介質(zhì)的每一個(gè)包含選自由氧化硅和氮氧化硅構(gòu)成的組的材料。
19.如權(quán)利要求14的半導(dǎo)體器件，其中第一金屬氧化物和第二金屬氧化物包含相同的金屬氧化物。
20.如權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中第一金屬氧化物和第二金屬氧化物具有相同的厚度。
21.如權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中第一和第二金屬氧化物的每一個(gè)包括選自由二氧化鉿、硅化鉿和鋁酸鑭構(gòu)成的組的材料。
全文摘要
使用單層高k電介質(zhì)層，優(yōu)選使用金屬氧化物，形成具有兩種不同柵極電介質(zhì)厚度的半導(dǎo)體器件(10)。在用于更高的電壓需要的器件的區(qū)，例如I/O區(qū)(24)中形成較厚的第一柵極電介質(zhì)(16)。在用于更低的電壓需要的器件的區(qū)，例如磁心器件區(qū)(22)中形成較薄的第二柵極電介質(zhì)(20)。優(yōu)選第一和第二電介質(zhì)為二氧化硅或氮氧化硅。在兩種電介質(zhì)上淀積金屬氧化物(26)，隨后是柵電極材料(28)的淀積。通過(guò)使用單層金屬氧化物層以形成每個(gè)晶體管的柵極電介質(zhì)堆棧，與高質(zhì)量二氧化硅或氮氧化硅電介質(zhì)層一起，可避免與金屬氧化物的選擇性蝕刻有關(guān)的問(wèn)題，如與金屬氧化物與損壞或處理的表面之間的各種界面有關(guān)的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01L21/283GK1675759SQ03819402
公開日2005年9月28日 申請(qǐng)日期2003年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月15日
發(fā)明者大衛(wèi)·C·吉爾默, 克里斯托佛·C·霍布斯, 曾興黃 申請(qǐng)人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司