專利名稱：用于等離子體工藝系統(tǒng)中的光學(xué)窗口淀積屏蔽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于等離子體工藝系統(tǒng)的改進(jìn)組件，以及更一般而言，涉及在等離子體工藝系統(tǒng)中使用的光學(xué)窗口淀積屏蔽，以通過淀積屏蔽對(duì)工藝空間提供光學(xué)入口。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體工業(yè)中集成電路(IC)的制造典型地在等離子體反應(yīng)器中使用等離子體來產(chǎn)生和輔助表面化學(xué)，這是從襯底去除材料以及淀積材料所必須的。一般，在等離子體反應(yīng)器中在真空環(huán)境下通過加熱電子到足夠的能量，以維持與一種供給的工藝氣體的電離碰撞，從而形成等離子體。此外，加熱的電子能夠具有足夠的能量來維持分解碰撞，因此在預(yù)定條件下(例如腔室壓強(qiáng)，氣體流速，等)便選定了一特殊系列氣體，以產(chǎn)生適合于在腔室中進(jìn)行特定處理(例如材料從襯底去除的刻蝕工藝或材料加在襯底上的淀積工藝)的帶電粒子群和化學(xué)活性粒子群。
盡管在襯底表面形成帶電粒子群(離子等)和化學(xué)活性粒子群對(duì)于完成等離子體工藝系統(tǒng)功能(例如材料刻蝕，材料淀積，等)是必須的，在工藝腔室內(nèi)部的其它組件表面暴露于物理和化學(xué)活性等離子體，并且隨著時(shí)間能夠被腐蝕。在等離子體工藝系統(tǒng)中暴露組件的腐蝕能夠?qū)е碌入x子體工藝性能的逐步退化并且最終導(dǎo)致系統(tǒng)的完全失效。
為了盡量減小由于暴露在工藝等離子體中所遭受的損壞，已知遭受暴露于等離子體工藝系統(tǒng)中的組件都覆蓋了一層保護(hù)阻擋層。例如由鋁制成的組件可以陽極氧化，以產(chǎn)生一個(gè)氧化鋁的表面層，它對(duì)等離子體更有抵抗性。在另一個(gè)實(shí)例中，一個(gè)可消耗或可替代組件，例如由硅，石英，氧化鋁，碳，或碳化硅制成，可以插入工藝腔室中來保護(hù)更有價(jià)值的組件表面，頻繁替換它們成本將更大。進(jìn)一步，希望表面材料的選擇盡量小地將不想要的污染，雜質(zhì)等引入工藝等離子體中以及可能的在襯底上形成的器件中。
在這兩種情況下，保護(hù)層不可避免地失效，或者由于保護(hù)阻擋層的完整性或者制造保護(hù)阻擋層的完整性，以及可替代組件的易消耗特性要求經(jīng)常性地維護(hù)等離子工藝系統(tǒng)。這種經(jīng)常性的維護(hù)能夠產(chǎn)生與等離子體工藝故障時(shí)間聯(lián)系的成本，以及新的等離子體工藝腔室組件，它們將是額外的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明對(duì)等離子體工藝系統(tǒng)提供了改進(jìn)的光學(xué)窗口淀積屏蔽，用于通過一個(gè)淀積屏蔽，等離子體工藝系統(tǒng)中的工藝空間的光學(xué)入口，其中光學(xué)窗口淀積屏蔽的設(shè)計(jì)和制作方便地針對(duì)了上面確定的缺點(diǎn)。
本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是提供了一種光學(xué)窗口淀積屏蔽，包括一個(gè)插塞，配置為沿一個(gè)在淀積屏蔽內(nèi)形成的開口延伸，一個(gè)凸緣連接到插塞，配置為將光學(xué)窗口淀積屏蔽貼到淀積屏蔽上。插栓包括在此連接的一個(gè)正表面和一個(gè)周圍表面。凸緣包括第一表面，第二表面，一個(gè)側(cè)表面，其中第一表面進(jìn)一步包括一個(gè)配合表面。
本發(fā)明的另一個(gè)目標(biāo)是光學(xué)窗口淀積屏蔽，包括至少一個(gè)光學(xué)通孔，連接到插栓正表面和插栓第二表面，配置為允許光通過，其中這樣一個(gè)光學(xué)通孔可以包括連接到栓塞正表面的一個(gè)暴露的進(jìn)入表面，以及連接到暴露的進(jìn)入表面和連接到凸緣第二表面的一個(gè)內(nèi)通孔表面。
本發(fā)明的另一個(gè)目標(biāo)是光學(xué)窗口淀積屏蔽，包括多個(gè)連接到凸緣第一表面的配合表面和凸緣第二表面的緊固接受器，配置為容納緊固裝置，其中每個(gè)緊固接受器可以包括一個(gè)進(jìn)入?yún)^(qū)，一個(gè)通孔區(qū)，一個(gè)通孔出口，一個(gè)內(nèi)緊固表面，以及一個(gè)凹進(jìn)的緊固表面。
本發(fā)明的另一個(gè)目標(biāo)是光學(xué)窗口淀積屏蔽進(jìn)一步包括，暴露在工藝等離子體下的光學(xué)窗口淀積屏蔽的多個(gè)暴露表面上形成一層保護(hù)阻擋層。
本發(fā)明的一個(gè)進(jìn)一步目標(biāo)是，光學(xué)窗口淀積屏蔽的暴露表面包括栓塞的正表面，栓塞的一個(gè)周圍表面，凸緣除掉配合表面的第一表面，以及至少一個(gè)光學(xué)通孔的暴露的進(jìn)入表面。
本發(fā)明進(jìn)一步提供了一種在等離子工藝系統(tǒng)中制作光學(xué)窗口淀積屏蔽的方法，包括步驟制作光學(xué)窗口淀積屏蔽；陽極氧化光學(xué)窗口淀積屏蔽，以在光學(xué)窗口淀積屏蔽上形成一個(gè)表面陽極氧化層；切削光學(xué)窗口淀積屏蔽上暴露的表面以去除表面陽極氧化層；以及在暴露的表面上形成一層保護(hù)阻擋層。
本發(fā)明提供了另一種在等離子體工藝系統(tǒng)中制作光學(xué)窗口淀積屏蔽的方法，包括步驟制作光學(xué)窗口淀積屏蔽；掩蔽光學(xué)窗口淀積屏蔽上暴露的表面，以防止形成一層表面陽極氧化層；陽極氧化光學(xué)窗口淀積屏蔽，在光學(xué)窗口淀積屏蔽上形成一層表面陽極氧化層；揭去暴露表面上的掩蔽；以及在暴露的表面上形成一層保護(hù)阻擋層。
本發(fā)明提供了另一種在等離子體工藝系統(tǒng)中制作光學(xué)窗口淀積屏蔽的方法，包括步驟制作光學(xué)窗口淀積屏蔽；以及在暴露表面上形成一層保護(hù)阻擋層。
本發(fā)明還包括另一種方法，結(jié)合在陽極氧化前掩蔽暴露表面的部分，并留下暴露表面的其他部分不掩蔽；陽極氧化未掩蔽的表面；切削暴露表面未掩蔽和陽極氧化的部分；去掉暴露表面上掩蔽部分的掩蔽；以及在暴露的表面上形成一層保護(hù)阻擋層。
上面的任何方法還可以任選地包括切削不是暴露表面的陽極氧化(或者另外覆蓋)表面(例如獲得一個(gè)裸露的金屬連接，在其上切削的表面將與另一部分匹配)。
本發(fā)明的另一個(gè)目標(biāo)是光學(xué)窗口淀積屏蔽用作襯片，其中該襯片不包括光學(xué)通孔，并可以使用上面的任何方法制作。


從下面對(duì)本發(fā)明示例實(shí)施例的詳細(xì)描述并結(jié)合附圖，將會(huì)更明顯和更容易理解本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點(diǎn)，其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，包括一個(gè)光學(xué)窗口淀積屏蔽的一個(gè)等離子體工藝系統(tǒng)的簡(jiǎn)化方框圖；圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，用于一個(gè)等離子體工藝系統(tǒng)的一個(gè)光學(xué)窗口淀積屏蔽的平面圖；圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，用于一個(gè)等離子體工藝系統(tǒng)的一個(gè)襯片的平面圖；圖3A示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，用于一個(gè)等離子體工藝系統(tǒng)的一個(gè)光學(xué)窗口淀積屏蔽的截面圖；圖3B示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，用于一個(gè)等離子體工藝系統(tǒng)的一個(gè)襯片的截面圖；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，在一個(gè)等離子體工藝系統(tǒng)中，用于一個(gè)光學(xué)窗口淀積屏蔽的一個(gè)通孔的擴(kuò)展截面圖；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，在一個(gè)等離子體工藝系統(tǒng)中，用于一個(gè)光學(xué)窗口淀積屏蔽的一個(gè)栓塞周圍表面以及凸緣第一表面的擴(kuò)展截面圖；圖6表示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，制作用于一個(gè)等離子體工藝系統(tǒng)的一個(gè)光學(xué)窗口淀積屏蔽的方法；圖7表示了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例，制作用于一個(gè)等離子體工藝系統(tǒng)的一個(gè)光學(xué)窗口淀積屏蔽的方法；以及圖8表示了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例，制作用于一個(gè)等離子體工藝系統(tǒng)的一個(gè)光學(xué)窗口淀積屏蔽的方法。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明對(duì)等離子體工藝系統(tǒng)提供了一種改進(jìn)的光學(xué)窗口淀積屏蔽，用于通過一個(gè)淀積屏蔽，等離子體工藝系統(tǒng)中的工藝空間的光學(xué)入口，其中光學(xué)窗口淀積屏蔽的設(shè)計(jì)和制作方便地針對(duì)了上面確定的缺點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，一個(gè)等離子體工藝系統(tǒng)1描述于圖1，包括一個(gè)等離子體工藝腔室10，一個(gè)上部件20，一個(gè)電極板24，一個(gè)用于支撐襯底35的襯底支架30，以及一個(gè)抽運(yùn)管道40連接到一個(gè)真空泵(未示出)，用于在等離子體工藝腔室10中提供一個(gè)降低的壓強(qiáng)環(huán)境11。等離子體工藝腔室10便于在鄰近襯底35的工藝空間12內(nèi)形成一種工藝等離子體。等離子體工藝系統(tǒng)1可以配置為處理任何襯底(例如，200mm襯底，300mm襯底或更大的襯底)。
在圖示的實(shí)施例中，上部件20可以包括至少一個(gè)蓋，一個(gè)氣體注入部件，以及一個(gè)上電極阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。例如，電極板24可以連接到一個(gè)RF源。在另一個(gè)可選實(shí)施例中，上部件20包括一個(gè)蓋和一個(gè)電極板24，其中電極板24維持在電勢(shì)等于等離子體工藝腔室10的電勢(shì)。例如，等離子體工藝腔室10，上部件20，和電極板24可以電學(xué)地連接到接地電勢(shì)。
等離子體工藝腔室10可以例如進(jìn)一步包括一個(gè)淀積屏蔽14，用于保護(hù)等離子體工藝腔室10免于工藝空間12中的工藝等離子體，以及一個(gè)光學(xué)觀察口16。光學(xué)觀察口16可以包括連接到一個(gè)光學(xué)窗口淀積屏蔽18背面的一個(gè)光學(xué)窗口17，并且一個(gè)光學(xué)窗口凸緣19可以配置為使光學(xué)窗口17連接到光學(xué)窗口淀積屏蔽18。密封部件，例如O環(huán)，可以在光學(xué)窗口凸緣19和光學(xué)窗口17之間，在光學(xué)窗口17和光學(xué)窗口淀積屏蔽18之間，以及在光學(xué)窗口淀積屏蔽18和等離子體工藝腔室10之間提供。光學(xué)觀察口16可以例如允許監(jiān)測(cè)從工藝空間12中的工藝等離子體的光發(fā)射。
襯底支架30可以例如進(jìn)一步包括一個(gè)垂直平移裝置50，由連接到襯底支架30和等離子體工藝腔室10的一個(gè)波紋管52包圍，并配置為密封垂直平移裝置50避免等離子體工藝腔室10中的降低壓強(qiáng)環(huán)境11。此外，一個(gè)波紋管屏蔽54可以例如連接到襯底支架30，并配置為保護(hù)波紋管52避免工藝等離子體。襯底支架30可以例如進(jìn)一步連接到至少一個(gè)聚焦環(huán)60，以及一個(gè)屏蔽環(huán)62。進(jìn)一步，一個(gè)擋板64可以延伸到約襯底支架30的外圍。
襯底35可以例如傳送進(jìn)和傳送出等離子體工藝腔室10，通過一個(gè)槽閥(未示出)以及通過機(jī)器人襯底傳送系統(tǒng)的腔室饋通(未示出)，它由安放在襯底支架30中的襯底起模頂桿(未示出)接收，并由位于此處的裝置機(jī)械地平移。一旦襯底35由襯底傳送系統(tǒng)接收，它降到襯底支架30的一個(gè)上表面。
襯底35可以例如通過一個(gè)靜電吸附系統(tǒng)固定到襯底支架30上。進(jìn)一步，襯底支架30可以例如進(jìn)一步包括一個(gè)冷卻系統(tǒng)，它包括一個(gè)再循環(huán)冷卻液流，從襯底支架30接收熱量并將熱轉(zhuǎn)移到一個(gè)熱交換系統(tǒng)(未示出)，或者當(dāng)加熱時(shí)，將熱從熱交換系統(tǒng)轉(zhuǎn)移。此外，氣體可以例如通過一個(gè)背面氣體系統(tǒng)傳送到襯底35的背面，以改進(jìn)襯底35和襯底支架30之間的氣隙的熱傳導(dǎo)。這樣一個(gè)系統(tǒng)可以在當(dāng)需要控制襯底的溫度上升和下降時(shí)使用。在其它的實(shí)施例中，可以包括加熱元件，例如電阻加熱元件或熱電加熱器/冷卻器。
在圖示的實(shí)施例中，如圖1所示，襯底支架30可以包括一個(gè)電極，通過它RF功率連接到工藝空間12的工藝等離子體上。例如，襯底支架30可以電學(xué)上偏置在一個(gè)RF電壓下，通過將RF功率從一個(gè)RF發(fā)生器(未示出)由一個(gè)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)(未示出)傳輸?shù)揭r底支架30。RF偏壓可以用作加熱電子以形成并維持等離子體。在這種配置下，系統(tǒng)可以作為一個(gè)反應(yīng)離子刻蝕(RIE)反應(yīng)器工作，其中腔室和上氣體注入電極用作接地表面。用于RF偏壓的一個(gè)典型頻率范圍從1MHz到100MHz，優(yōu)選13.56MHz。用于等離子體工藝的RF系統(tǒng)對(duì)該領(lǐng)域的技術(shù)人員是熟知的。
作為選擇，工藝空間12中形成的工藝等離子體可以使用一個(gè)平行板，電容耦合等離子體(CCP)源，一個(gè)電感耦合等離子體(ICP)源，它們的任何組合，并有或沒有磁場(chǎng)系統(tǒng)來形成。作為選擇，工藝空間12中形成的工藝等離子體可以使用電子回旋共振(ECR)形成。仍然在另一個(gè)實(shí)施例中，工藝空間12中形成的工藝等離子體由發(fā)射一個(gè)螺旋波形成。仍然在另一個(gè)實(shí)施例中，工藝空間12中形成的工藝等離子體由一個(gè)傳播表面波形成。
現(xiàn)在參考圖2A(平面圖)和圖3A(截面圖)描述的圖示實(shí)施例，光學(xué)窗口淀積屏蔽18包括一個(gè)栓塞80，配置為延伸通過淀積屏蔽14中的一個(gè)開口，以及一個(gè)連接到栓塞80的凸緣82，配置為將光學(xué)窗口淀積屏蔽18貼在淀積屏蔽14上。如圖3A所示，栓塞80包括一個(gè)正表面84，配置為面對(duì)工藝空間12中的一種工藝等離子體，以及一個(gè)周邊表面86，配置為與淀積屏蔽14的開口70(圖1)中第一開口表面配合。另外，凸緣82包括連接到栓塞80的周圍表面86的第一表面88，第二表面90，以及一個(gè)邊緣表面92。進(jìn)一步，例如，栓塞80的寬度(沿主軸)范圍可以從1到100mm。希望最小寬度范圍可以從10到40mm，優(yōu)選地，寬度至少25mm。進(jìn)一步，例如，栓塞80的高度(沿短軸)范圍可以從1到100mm。希望最小高度范圍可以從10到40mm，優(yōu)選地，高度至少15mm。
繼續(xù)參考圖2A和3A，光學(xué)窗口淀積屏蔽18可以例如進(jìn)一步包括至少一個(gè)光學(xué)通孔94，它連接到栓塞80的正表面84以及連接到凸緣82的第二表面90，配置為允許光經(jīng)過它進(jìn)入和/或從工藝空間12中出來。
圖4提供了光學(xué)通孔94的一個(gè)擴(kuò)展圖，其中光學(xué)通孔94的包括一個(gè)暴露的進(jìn)入表面96，它連接到栓塞80的正表面84，以及一個(gè)內(nèi)通孔表面98，它連接到凸緣82的暴露的進(jìn)入表面96和第二表面90。進(jìn)一步，例如至少一個(gè)光學(xué)通孔94的直徑范圍可以從0.5到20mm。希望的直徑范圍可以從0.5到5mm，以及優(yōu)選地，最小寬度至少0.5mm。進(jìn)一步，例如數(shù)目范圍可以從1-100個(gè)，以及優(yōu)選地，數(shù)目至少1個(gè)。
在一個(gè)可選實(shí)施例中，光學(xué)窗口淀積屏蔽18不包括光學(xué)通孔。在如圖2B(平面圖)和圖3B(截面圖)描述的圖示實(shí)施例中，光學(xué)窗口淀積屏蔽18用作一個(gè)襯片(insert)18’，以填充淀積屏蔽14中的開口(即，在特定的工藝中不需要光學(xué)入口)。
參考圖2A，B和3A，B，凸緣82可以例如進(jìn)一步包括多個(gè)緊固接受器100，每個(gè)緊固接受器100連接到凸緣82的第一表面88和第二表面90，其配置為容納緊固裝置(未示出)，(例如螺栓)，以將光學(xué)窗口淀積屏蔽18和淀積屏蔽14連接起來。緊固接受器100可以包括一個(gè)進(jìn)入?yún)^(qū)102，一個(gè)通孔區(qū)104，一個(gè)出口通孔區(qū)106，一個(gè)內(nèi)緊固表面108，以及一個(gè)凹進(jìn)的緊固表面109。進(jìn)一步，凸緣82的第一表面88的一部分可以包括一個(gè)配合表面110，配置為它連接到淀積屏蔽14(圖1)的一個(gè)配合表面。例如在光學(xué)窗口淀積屏蔽18內(nèi)形成的緊固接受器100的數(shù)目范圍可以從0-100。希望緊固接受器100的數(shù)目范圍可以從1-8；以及優(yōu)選地，緊固接受器100的數(shù)目至少為2個(gè)緊固接受器。關(guān)于將光學(xué)窗口淀積屏蔽18連接到淀積屏蔽14上的進(jìn)一步細(xì)節(jié)，共同未決美國專利申請(qǐng)系列no.10/XXX,XXX，題目“用于一個(gè)等離子體工藝系統(tǒng)中的一個(gè)改進(jìn)淀積屏蔽的方法和裝置”，代理人案卷號(hào)226275US6YA，于此在相同日期公開，在此完全引用作為參考。
圖5提供了栓塞80的周圍表面86，和凸緣82的第一表面，以及它們之間的連接的一個(gè)擴(kuò)展截面圖。
現(xiàn)在參考圖2-圖5，光學(xué)窗口淀積屏蔽18進(jìn)一步包括一個(gè)保護(hù)阻擋層150，形成在光學(xué)窗口淀積屏蔽18的多個(gè)暴露表面145上。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，暴露表面145可以包括栓塞80的正表面84，栓塞80的周圍表面86，以及凸緣82除掉配合表面110的第一表面88。另外暴露表面145可以包括至少一個(gè)光學(xué)通孔94的暴露的進(jìn)入表面96。在一個(gè)可選實(shí)施例中，暴露表面145可以包括配合表面110。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，保護(hù)阻擋層150可以包括一種包括氧化物例如Al2O3的化合物。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，保護(hù)阻擋層150可以包括Al2O3和Y2O3的混合物。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，保護(hù)阻擋層150可以包括三族元素(周期表中的三族)和稀土元素中至少一種。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，三族元素可以包括釔，鈧，和鑭中至少一種。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，稀土元素可以包括鈰，鏑，和銪中至少一種。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，形成保護(hù)阻擋層150的化合物可以包括氧化釔(Y2O3)，Sc2O3，Sc2F3，YF3，La2O3，CeO2，Eu2O3，和DyO3中的至少一種。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，光學(xué)窗口淀積屏蔽18上形成的保護(hù)阻擋層150可以包括一個(gè)最小厚度，其中最小厚度可以規(guī)定為沿至少一個(gè)暴露表面145是常數(shù)。在另一個(gè)實(shí)施例中，最小厚度在跨越暴露表面145上可以變化。作為選擇，最小厚度在暴露表面145的第一部分可以為常數(shù)，并沿暴露表面145的第二部分變化。例如，厚度的變化可以發(fā)生在一個(gè)彎曲表面上，在一個(gè)拐角上，或者在一個(gè)孔中。例如，最小厚度范圍從0.5-500微米。希望最小厚度范圍從5-200微米；以及優(yōu)選地，最小厚度至少5微米。
圖6表示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，在如圖1描述的制作用于一個(gè)等離子體工藝系統(tǒng)的一個(gè)光學(xué)窗口淀積屏蔽18的方法。流程框圖300開始于制作光學(xué)窗口淀積屏蔽18(如上面描述)的310。制作光學(xué)窗口淀積屏蔽包括機(jī)加工(machining)，鑄造，拋光，鍛打，以及研磨中至少一種。例如光學(xué)窗口淀積屏蔽18的元件可以根據(jù)機(jī)械繪圖設(shè)置的規(guī)格加工，使用傳統(tǒng)技術(shù)包括磨機(jī)，車床等。使用例如磨機(jī)或車床加工一個(gè)部件的技術(shù)對(duì)加工領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是熟知的。光學(xué)窗口淀積屏蔽18可以例如使用鋁制作。
在320中，陽極氧化光學(xué)窗口淀積屏蔽18以形成一層表面陽極氧化層。例如，當(dāng)使用鋁制作光學(xué)窗口淀積屏蔽18時(shí)，表面陽極氧化層包括氧化鋁(Al2O3)。陽極氧化鋁部件的方法對(duì)表面陽極氧化領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是熟知的。
在330中，標(biāo)識(shí)光學(xué)窗口淀積屏蔽18上的暴露表面145，并使用標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)加工(machining)技術(shù)從暴露表面145上去除表面陽極氧化層。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，暴露表面包括栓塞的正表面，栓塞的周圍表面，凸緣除掉配合表面的第一表面，以及至少一個(gè)光學(xué)通孔的暴露的進(jìn)入表面。
在340中，保護(hù)阻擋層150(如上面描述)形成在330中標(biāo)識(shí)的暴露表面145上。一層保護(hù)阻擋層包括例如氧化釔，可以使用(熱)噴涂技術(shù)形成，這對(duì)陶瓷噴涂領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是熟知的。在一個(gè)可選實(shí)施例中，形成保護(hù)阻擋層可以進(jìn)一步包括拋光(或平滑)熱噴涂層。例如拋光熱噴涂層可以包括對(duì)噴涂的表面使用砂紙。
圖7表示了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例，在如圖1描述的一個(gè)等離子體工藝系統(tǒng)中制作光學(xué)窗口淀積屏蔽18的方法。流程框圖400開始于制作光學(xué)窗口淀積屏蔽18(如上描述)的410。制作光學(xué)窗口淀積屏蔽18可以包括機(jī)加工，鑄造，拋光，鍛打，以及研磨中至少一種。例如光學(xué)窗口淀積屏蔽18的元件可以根據(jù)機(jī)械繪圖設(shè)置的規(guī)格加工，使用傳統(tǒng)技術(shù)包括磨機(jī)，車床等。使用例如磨機(jī)或車床加工一個(gè)部件的技術(shù)對(duì)加工領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是熟知的。光學(xué)窗口淀積屏蔽18可以例如使用鋁制作。
在420中，掩蔽光學(xué)窗口淀積屏蔽18的暴露表面145以防止在其上形成一層表面陽極氧化層。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，暴露表面145包括栓塞的正表面，栓塞的周圍表面，凸緣除掉配合表面的第一表面，以及至少一個(gè)光學(xué)通孔的暴露的進(jìn)入表面。用于表面掩蔽和去遮蔽的技術(shù)對(duì)表面涂敷和表面陽極氧化領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是熟知的。
在430中，陽極氧化光學(xué)窗口淀積屏蔽18，以在剩下的未遮蔽的表面上形成一層表面陽極氧化層。例如，當(dāng)使用鋁制作光學(xué)窗口淀積屏蔽18時(shí)，表面陽極氧化層包括氧化鋁(Al2O3)。陽極氧化鋁部件的方法對(duì)表面陽極氧化領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是熟知的。
在440中，暴露表面145是去掉掩蔽的，以及將保護(hù)阻擋層150(如上描述)形成在暴露表面145上。一層保護(hù)阻擋層包括例如氧化釔，可以使用(熱)噴涂技術(shù)形成，這對(duì)陶瓷噴涂領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是熟知的。在一個(gè)可選實(shí)施例中，形成保護(hù)阻擋層150可以進(jìn)一步包括拋光(或平滑)熱噴涂層。例如拋光熱噴涂層可以包括對(duì)噴涂的表面使用砂紙。
圖8表示了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例，在如圖1描述的一個(gè)等離子體工藝系統(tǒng)中制作光學(xué)窗口淀積屏蔽18的方法。流程框圖500開始于制作光學(xué)窗口淀積屏蔽18(如上描述)的510。制作光學(xué)窗口淀積屏蔽18可以包括機(jī)加工，鑄造，拋光，鍛打，以及研磨中至少一種。例如上面描述的每一個(gè)元件都可以根據(jù)機(jī)械繪圖設(shè)置的規(guī)格加工，使用傳統(tǒng)技術(shù)包括磨機(jī)，車床等。使用例如磨機(jī)或車床加工一個(gè)部件的技術(shù)對(duì)加工領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是熟知的。光學(xué)窗口淀積屏蔽18可以例如使用鋁制作。
在520中，一層保護(hù)阻擋層150(如上描述)形成在光學(xué)窗口淀積屏蔽18的暴露表面145上。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，暴露表面包括栓塞的正表面，栓塞的周圍表面，凸緣除掉配合表面的第一表面，以及至少一個(gè)光學(xué)通孔的暴露的進(jìn)入表面。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，暴露表面包括光學(xué)窗口淀積屏蔽18上的所有表面。一層保護(hù)阻擋層包括例如氧化釔，可以使用(熱)噴涂技術(shù)形成，這對(duì)陶瓷噴涂領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是熟知的。在一個(gè)可選實(shí)施例中，形成保護(hù)阻擋層可以進(jìn)一步包括拋光(或平滑)熱噴涂層。例如拋光熱噴涂層可以包括對(duì)噴涂的表面使用砂紙。
本發(fā)明還包括另一個(gè)方法，結(jié)合在陽極氧化前掩蔽暴露表面的部分，并留下暴露表面的其他部分不掩蔽；陽極氧化未掩蔽的表面；切削暴露表面未掩蔽和陽極氧化的部分；去掉暴露表面上掩蔽部分的掩蔽；以及在暴露的表面上形成一層保護(hù)阻擋層。
上面的任何方法還可以任選地包括切削不是暴露表面的陽極氧化(或者另外覆蓋)表面(例如獲得一個(gè)裸露的金屬連接，在其上切削的表面將與另一部分匹配)。
盡管上面僅僅詳細(xì)地描述了本發(fā)明的某些示例實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將很容易評(píng)價(jià)，在示例的實(shí)施例中許多修改是可能的，而不在材料上背離本發(fā)明的新示教和優(yōu)點(diǎn)。因此，所有這樣的修改都包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)窗口淀積屏蔽，用于在等離子體工藝系統(tǒng)中通過一個(gè)淀積屏蔽進(jìn)入工藝空間，包括一個(gè)插塞，配置為提供光學(xué)入口通過所述淀積屏蔽，所述插栓包括一個(gè)正表面和一個(gè)周圍表面；一個(gè)凸緣，耦連到所述插塞，配置為將所述光學(xué)窗口淀積屏蔽耦連到等離子體工藝系統(tǒng)的淀積屏蔽和腔室壁的至少一個(gè)上，所述凸緣包括第一表面、第二表面、以及邊緣表面，其中一部分所述第一表面包括一個(gè)配合表面；以及一個(gè)保護(hù)阻擋層，耦連到所述光學(xué)窗口淀積屏蔽的多個(gè)暴露表面，其中多個(gè)暴露表面包括所述栓塞的所述正表面、所述栓塞的所述周圍表面、以及所述凸緣除掉所述配合表面的所述第一表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的光學(xué)窗口淀積屏蔽，其中所述光學(xué)窗口淀積屏蔽包括耦連到所述凸緣的所述第一表面和所述凸緣的所述第二表面的多個(gè)緊固接受器，并配置為容納緊固裝置，以便將所述光學(xué)窗口淀積屏蔽耦連到淀積屏蔽和腔室壁中的至少一個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的光學(xué)窗口淀積屏蔽，其中所述多個(gè)緊固接受器的每一個(gè)包括一個(gè)進(jìn)入?yún)^(qū)，一個(gè)通孔區(qū)，一個(gè)出口通孔，一個(gè)內(nèi)緊固表面，以及一個(gè)凹進(jìn)的緊固表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的光學(xué)窗口淀積屏蔽，其中所述光學(xué)窗口淀積屏蔽進(jìn)一步包括至少一個(gè)光學(xué)通孔，耦連到所述插栓的所述正表面和所述插栓的所述第二表面，并配置為耦連通過所述光學(xué)窗口淀積屏蔽的光。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的光學(xué)窗口淀積屏蔽，其中所述的至少一個(gè)光學(xué)通孔的每一個(gè)包括一個(gè)暴露的進(jìn)入表面以及一個(gè)內(nèi)通孔表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的光學(xué)窗口淀積屏蔽，其中多個(gè)暴露表面進(jìn)一步包括所述至少一個(gè)光學(xué)通孔中至少一個(gè)的所述暴露的進(jìn)入表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的光學(xué)窗口淀積屏蔽，其中所述第二表面包括一個(gè)陽極氧化層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的光學(xué)窗口淀積屏蔽，其中所述邊緣表面包括一個(gè)陽極氧化層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的光學(xué)窗口淀積屏蔽，其中所述保護(hù)阻擋層包括含有三族元素和稀土元素中至少一種的化合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的光學(xué)窗口淀積屏蔽，其中所述三族元素包括釔，鈧，和鑭中至少一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的光學(xué)窗口淀積屏蔽，其中所述稀土元素包括鈰，鏑，和銪中至少一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的光學(xué)窗口淀積屏蔽，其中所述保護(hù)阻擋層包括Y2O3，Sc2O3，Sc2F3，YF3，La2O3，CeO2，Eu2O3，和DyO3中至少一種。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的光學(xué)窗口淀積屏蔽，其中所述保護(hù)阻擋層包括一個(gè)最小厚度，并且所述最小厚度沿多個(gè)暴露表面的至少一個(gè)為常數(shù)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的光學(xué)窗口淀積屏蔽，其中所述保護(hù)阻擋層包括一個(gè)可變厚度，并且所述可變厚度范圍從0.5-500微米。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的光學(xué)窗口淀積屏蔽，其中所述多個(gè)暴露表面進(jìn)一步包括所述配合表面。
16.根據(jù)權(quán)利要求1的光學(xué)窗口淀積屏蔽，其中所述光學(xué)窗口淀積屏蔽包括一種金屬。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的光學(xué)窗口淀積屏蔽，其中所述金屬包括鋁。
18.根據(jù)權(quán)利要求1的光學(xué)窗口淀積屏蔽，其中所述光學(xué)窗口淀積屏蔽包括一個(gè)矩形形狀。
19.根據(jù)權(quán)利要求1的光學(xué)窗口淀積屏蔽，其中所述配合表面包括一個(gè)金屬表面。
20.一種在等離子工藝系統(tǒng)中制作用于淀積屏蔽的光學(xué)窗口淀積屏蔽的方法，所述方法包括制作所述光學(xué)窗口淀積屏蔽，其中所述光學(xué)窗口淀積屏蔽包括一個(gè)插塞，配置為提供光學(xué)入口通過所述淀積屏蔽，所述插栓包括一個(gè)正表面和一個(gè)周圍表面，以及一個(gè)凸緣耦連到所述插塞，并配置為將所述光學(xué)窗口淀積屏蔽耦連到等離子體工藝系統(tǒng)的淀積屏蔽和腔室壁的至少一個(gè)上，所述凸緣包括第一表面、第二表面、以及邊緣表面，其中一部分所述第一表面包括一個(gè)配合表面；以及在暴露表面上形成一層保護(hù)阻擋層，其中所述暴露表面包括所述襯片的所述正表面、所述襯片的所述周圍表面、以及所述凸緣除掉所述配合表面的所述第一表面。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，所述方法進(jìn)一步包括陽極氧化所述光學(xué)窗口淀積屏蔽，以在所述光學(xué)窗口淀積屏蔽上形成一個(gè)表面陽極氧化層；以及去除所述暴露表面上的所述表面陽極氧化層。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中所述的去除包括機(jī)加工，平滑，拋光，和研磨中的至少一種。
23.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，所述方法進(jìn)一步包括在所述光學(xué)窗口淀積屏蔽上掩蔽所述暴露表面，以防止形成一層表面陽極氧化層；陽極氧化所述光學(xué)窗口淀積屏蔽，以在所述光學(xué)窗口淀積屏蔽的未掩蔽表面上形成一層表面陽極氧化層；以及去掉所述暴露表面的掩蔽。
24.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中所述制作包括機(jī)加工，涂敷，掩蔽，去掩蔽，鑄造，拋光，鍛打，以及研磨中至少一種。
25.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中所述的形成包括噴涂，加熱和冷卻中至少一種。
26.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，所述方法進(jìn)一步包括平滑所述保護(hù)阻擋層。
27.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中所述光學(xué)窗口淀積屏蔽包括耦連到所述凸緣的所述第一表面和所述凸緣的所述第二表面的多個(gè)緊固接受器，并配置為容納緊固裝置，以便將所述光學(xué)窗口淀積屏蔽耦連到淀積屏蔽和腔室壁中的至少一個(gè)。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的方法，其中每個(gè)所述多個(gè)緊固接受器包括一個(gè)進(jìn)入?yún)^(qū)，一個(gè)進(jìn)入腔，一個(gè)出口通孔，一個(gè)內(nèi)緊固表面，以及一個(gè)凹進(jìn)的緊固表面。
29.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中所述多個(gè)暴露表面進(jìn)一步包括所述配合表面。
30.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中所述光學(xué)窗口淀積屏蔽包括一種金屬。
31.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中所述金屬包括鋁。
32.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中所述光學(xué)窗口淀積屏蔽包括一個(gè)矩形形狀。
33.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中所述第二表面包括一層陽極氧化層。
34.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中所述邊緣表面包括一層陽極氧化層。
35.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中所述保護(hù)阻擋層包括含有三族元素和稀土元素中至少一種的化合物。
36.根據(jù)權(quán)利要求35的方法，其中所述三族元素包括釔，鈧，和鑭中至少一種。
37.根據(jù)權(quán)利要求35的方法，其中所述稀土元素包括鈰，鏑，和銪中至少一種。
38.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中所述保護(hù)阻擋層包括Y2O3，Sc2O3，Sc2F3，YF3，La2O3，CeO2，Eu2O3，和DyO3中至少一種。
39.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中所述保護(hù)阻擋層包括一個(gè)最小厚度，并且所述最小厚度沿至少一個(gè)所述暴露表面為常數(shù)。
40.根據(jù)權(quán)利要求1的光學(xué)窗口淀積屏蔽，其中所述保護(hù)阻擋層包括一個(gè)可變厚度，并且所述可變厚度范圍從0.5-500微米。
41.一種用于在等離子體工藝系統(tǒng)中的淀積屏蔽的襯片，包括一個(gè)插塞，配置為適合所述淀積屏蔽中的一個(gè)開口，所述插栓包括一個(gè)正表面和一個(gè)周圍表面；一個(gè)凸緣，耦連到所述插塞，配置為將所述襯片耦連到等離子體工藝系統(tǒng)的淀積屏蔽和腔室壁的至少一個(gè)上，所述凸緣包括第一表面，第二表面，以及邊緣表面，其中一部分所述第一表面進(jìn)一步包括一個(gè)配合表面；以及一層保護(hù)阻擋層，耦連到所述襯片的多個(gè)暴露表面，其中多個(gè)暴露表面包括所述栓塞的所述正表面、所述栓塞的所述周圍表面、以及所述凸緣除掉所述配合表面的所述第一表面。
42.根據(jù)權(quán)利要求41的襯片，其中所述襯片包括耦連到所述凸緣的所述第一表面和所述凸緣的所述第二表面的多個(gè)緊固接受器，并配置為容納緊固裝置，以便將所述襯片耦連到淀積屏蔽和腔室壁中的至少一個(gè)。
43.根據(jù)權(quán)利要求42的襯片，其中每個(gè)所述多個(gè)緊固接受器包括一個(gè)進(jìn)入?yún)^(qū)，一個(gè)進(jìn)入腔，一個(gè)出口通孔，一個(gè)內(nèi)緊固表面，以及一個(gè)凹進(jìn)的緊固表面。
44.根據(jù)權(quán)利要求41的襯片，其中所述多個(gè)暴露表面進(jìn)一步包括所述配合表面。
45.根據(jù)權(quán)利要求41的襯片，其中所述光學(xué)窗口淀積屏蔽包括一種金屬。
46.根據(jù)權(quán)利要求45的襯片，其中所述金屬包括鋁。
47.根據(jù)權(quán)利要求41的襯片，其中所述光學(xué)窗口淀積屏蔽包括一個(gè)矩形形狀。
48.根據(jù)權(quán)利要求41的襯片，其中所述保護(hù)阻擋層包括Al2O3。
49.根據(jù)權(quán)利要求41的襯片，其中所述保護(hù)阻擋層包括Al2O3和Y2O3的混合物。
50.根據(jù)權(quán)利要求41的襯片，其中所述保護(hù)阻擋層包括含有三族元素和稀土元素中至少一種的化合物。
51.根據(jù)權(quán)利要求50的襯片，其中所述三族元素包括釔，鈧，和鑭中至少一種。
52.根據(jù)權(quán)利要求50的襯片，其中所述稀土元素包括鈰，鏑，和銪中至少一種。
53.根據(jù)權(quán)利要求41的襯片，其中所述保護(hù)阻擋層包括氧化釔(Y2O3)，Sc2O3，Sc2F3，YF3，La2O3，CeO2，Eu2O3，和DyO3中至少一種。
54.根據(jù)權(quán)利要求41的襯片，其中所述保護(hù)阻擋層包括一個(gè)最小厚度，并且所述最小厚度沿至少一個(gè)所述暴露表面為常數(shù)。
55.根據(jù)權(quán)利要求41的襯片，其中所述保護(hù)阻擋層包括一個(gè)可變厚度，并且所述可變厚度范圍從0.5-500微米。
56.根據(jù)權(quán)利要求41的襯片，其中所述多個(gè)暴露表面進(jìn)一步包括所述內(nèi)緊固表面。
57.一種制作在等離子工藝系統(tǒng)中用于淀積屏蔽的襯片的方法，所述方法包括制作所述襯片，其中所述襯片包括一個(gè)插塞，配置為適合所述淀積屏蔽中的一個(gè)開口，所述插栓包括一個(gè)正表面和一個(gè)周圍表面，以及一個(gè)凸緣耦連到所述插塞，配置為將所述襯片耦連到等離子體工藝系統(tǒng)的淀積屏蔽和腔室壁的至少一個(gè)上，所述凸緣包括第一表面，第二表面，以及邊緣表面，其中一部分所述第一表面包括一個(gè)配合表面；以及在暴露表面上形成一層保護(hù)阻擋層，其中所述暴露表面包括所述插塞的所述正表面、所述插塞的所述周圍表面、以及所述凸緣除掉所述配合表面的所述第一表面。
58.根據(jù)權(quán)利要求57的方法，所述方法進(jìn)一步包括陽極氧化所述襯片，以在所述襯片上形成一個(gè)表面陽極氧化層；以及去除所述暴露表面上的所述表面陽極氧化層。
59.根據(jù)權(quán)利要求58的方法，其中所述的去除包括機(jī)加工，平滑，拋光，和研磨中的至少一種。
60.根據(jù)權(quán)利要求57的方法，所述方法進(jìn)一步包括在所述襯片上掩蔽所述暴露表面，以防止形成一層表面陽極氧化層；陽極氧化所述襯片，以在所述襯片的未掩蔽表面上形成一層表面陽極氧化層；以及去掉所述暴露表面的掩蔽。
61.根據(jù)權(quán)利要求57的方法，其中所述制作包括機(jī)加工，涂敷，掩蔽，去掩蔽，鑄造，拋光，鍛打，以及研磨中至少一種。
62.根據(jù)權(quán)利要求57的方法，其中所述的形成包括噴涂，加熱和冷卻中至少一種。
63.根據(jù)權(quán)利要求57的方法，所述方法進(jìn)一步包括平滑所述保護(hù)阻擋層。
64.根據(jù)權(quán)利要求57的方法，其中所述襯片包括耦連到所述凸緣的所述第一表面和所述凸緣的所述第二表面的多個(gè)緊固接受器，并配置為容納緊固裝置，以便將所述襯片耦連到淀積屏蔽和腔室壁中的至少一個(gè)。
65.根據(jù)權(quán)利要求64的方法，其中每個(gè)所述多個(gè)緊固接受器包括一個(gè)進(jìn)入?yún)^(qū)，一個(gè)進(jìn)入腔，一個(gè)出口通孔，一個(gè)內(nèi)緊固表面，以及一個(gè)凹進(jìn)的緊固表面。
66.根據(jù)權(quán)利要求57的方法，其中所述多個(gè)暴露表面進(jìn)一步包括所述配合表面。
67.根據(jù)權(quán)利要求57的方法，其中所述襯片包括一種金屬。
68.根據(jù)權(quán)利要求57的方法，其中所述金屬包括鋁。
69.根據(jù)權(quán)利要求57的方法，其中所述襯片包括一個(gè)矩形形狀。
70.根據(jù)權(quán)利要求57的方法，其中所述保護(hù)阻擋層包括Al2O3。
71.根據(jù)權(quán)利要求57的方法，其中所述保護(hù)阻擋層包括Al2O3和Y2O3的混合物。
72.根據(jù)權(quán)利要求57的方法，其中所述保護(hù)阻擋層包括含有三族元素和稀土元素中至少一種的化合物。
73.根據(jù)權(quán)利要求72的方法，其中所述三族元素包括釔，鈧，和鑭中至少一種。
74.根據(jù)權(quán)利要求72的方法，其中所述稀土元素包括鈰，鏑，和銪中至少一種。
75.根據(jù)權(quán)利要求57的方法，其中所述保護(hù)阻擋層包括氧化釔(Y2O3)，Sc2O3，Sc2F3，YF3，La2O3，CeO2，Eu2O3，和DyO3中至少一種。
76.根據(jù)權(quán)利要求57的方法，其中所述保護(hù)阻擋層包括一個(gè)最小厚度，并且所述最小厚度沿至少一個(gè)所述暴露表面為常數(shù)。
77.根據(jù)權(quán)利要求57的方法，其中所述保護(hù)阻擋層包括一個(gè)可變厚度，并且所述可變厚度范圍從0.5-500微米。
78.一種在等離子工藝系統(tǒng)中制作光學(xué)窗口淀積屏蔽，用于通過一個(gè)淀積屏蔽進(jìn)入工藝空間的方法，所述方法包括步驟制作所述光學(xué)窗口淀積屏蔽，所述光學(xué)窗口淀積屏蔽包括一個(gè)插塞，所述插栓包括一個(gè)正表面和一個(gè)周圍表面，以及一個(gè)凸緣耦連到所述插塞，所述凸緣包括第一表面，第二表面，以及邊緣表面，其中一部分所述第一表面包括一個(gè)配合表面；陽極氧化所述光學(xué)窗口淀積屏蔽，以在光學(xué)窗口淀積屏蔽上形成一個(gè)表面陽極氧化層；機(jī)加工所述光學(xué)窗口淀積屏蔽上暴露的表面以去除所述表面陽極氧化層。所述暴露表面包括所述插塞的所述正表面、所述插塞的所述周圍表面、以及所述凸緣除掉所述配合表面的所述第一表面；以及在暴露的表面上形成一層保護(hù)阻擋層。
79.根據(jù)權(quán)利要求78的方法，其中所述保護(hù)阻擋層包括含有三族元素和稀土元素中至少一種的化合物。
80.根據(jù)權(quán)利要求78的方法，其中所述保護(hù)阻擋層包括氧化釔(Y2O3)，Sc2O3，Sc2F3，YF3，La2O3，CeO2，Eu2O3，和DyO3中至少一種。
81.一種在等離子工藝系統(tǒng)中制作改進(jìn)的光學(xué)窗口淀積屏蔽，用于通過一個(gè)淀積屏蔽進(jìn)入工藝空間的方法，所述方法包括步驟制作所述光學(xué)窗口淀積屏蔽，所述光學(xué)窗口淀積屏蔽包括一個(gè)插塞，所述插栓包括一個(gè)正表面和一個(gè)周圍表面，以及一個(gè)凸緣耦連到所述插塞，所述凸緣包括第一表面，第二表面，以及邊緣表面，其中一部分所述第一表面包括一個(gè)配合表面；掩蔽所述光學(xué)窗口淀積屏蔽上暴露的表面，以防止形成表面陽極氧化層，所述暴露表面包括所述插塞的所述正表面，所述插塞的所述周圍表面，以及所述凸緣除掉所述配合表面的所述第一表面；陽極氧化所述光學(xué)窗口淀積屏蔽，以在光學(xué)窗口淀積屏蔽上形成一個(gè)表面陽極氧化層；去掉暴露表面上的掩蔽；以及在暴露的表面上形成一層保護(hù)阻擋層。
82.根據(jù)權(quán)利要求81的方法，其中所述保護(hù)阻擋層包括含有三族元素和稀土元素中至少一種的化合物。
83.根據(jù)權(quán)利要求81的方法，其中所述保護(hù)阻擋層包括Y2O3，Sc2O3，Sc2F3，YF3，La2O3，CeO2，Eu2O3，和DyO3中至少一種。
84.根據(jù)權(quán)利要求78的方法，進(jìn)一步包括機(jī)加工至少一個(gè)未掩蔽的表面，以制作一個(gè)裸露的配合表面。
全文摘要
本發(fā)明提出了用于等離子體工藝系統(tǒng)的改進(jìn)的光學(xué)窗口淀積屏蔽，光學(xué)窗口淀積屏蔽通過一個(gè)淀積屏蔽，用于等離子體工藝系統(tǒng)中的工藝空間的光學(xué)入口，其中光學(xué)窗口淀積屏蔽的設(shè)計(jì)和制作對(duì)工藝空間中的工藝等離子體方便地提供了一個(gè)光學(xué)清潔入口，而基本上保持最小地腐蝕光學(xué)窗口淀積屏蔽。
文檔編號(hào)H01L21/00GK1682340SQ03822080
公開日2005年10月12日 申請(qǐng)日期2003年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月30日
發(fā)明者西本伸也, 三橋康至, 三枝秀仁, 高瀨均, 中山博之 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社