專利名稱：減少非鈍化激光熔絲的飛濺的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及集成電路的制造，尤其是防止在非鈍化激光熔絲燒斷時熔絲材料的飛濺在其它的激光熔絲中產(chǎn)生短路。
背景技術(shù)：
在集成電路的制造中，已經(jīng)有很長時間在使用激光熔絲。激光熔絲的一種應(yīng)用是根據(jù)集成電路的預(yù)定用途，激活或者停用集成電路中的特定功能。例如，可以對集成電路進(jìn)行單一設(shè)計，使之具有完備的功能集合。但是，取決于集成電路銷售時的價格，可以禁用特定的功能。在另一種應(yīng)用中，激光熔絲允許用正常工作的備用器件和電路來替換集成電路中有缺陷的器件和電路。一般，當(dāng)對集成電路進(jìn)行測試以驗證其工作性能時，測試設(shè)備對集成電路的有缺陷的部分進(jìn)行標(biāo)記(或者存儲起來)。隨后，進(jìn)行一個單獨的操作，將特定的激光熔絲燒斷，以去除有缺陷的器件和電路，用能夠工作的器件和電路替換之。
顧名思義，使用有效熔化并且隨后蒸發(fā)可熔斷的連接的高能量激光來燒斷激光熔絲。在可熔斷連接熔斷時，蒸發(fā)的熔絲材料有可能不受控制地飛濺到相鄰的熔絲。飛濺的熔絲材料進(jìn)而可能導(dǎo)致相鄰熔絲工作不正確，也就是導(dǎo)致先前被熔斷的熔絲表現(xiàn)得像未熔斷的熔絲一樣，或者使相鄰的已熔斷的熔絲一起短路。如果發(fā)生這種情況，則集成電路不能正常地工作。
激光熔絲有兩種主要形式，鈍化的非鈍化的。鈍化激光熔絲在頂部有一個鈍化層，以保護(hù)激光熔絲不受工作環(huán)境的損害。對于用易腐蝕的材料比如銅(Cu)制成的可熔斷連接來說，鈍化層的使用尤其重要。非鈍化激光熔絲不具有鈍化層，容易受到不友好的環(huán)境的損害。由于非鈍化激光熔絲對環(huán)境是開放的，傾向于用抗腐蝕(或者相對來說抗腐蝕的)材料比如鋁(Al)制造非鈍化激光熔絲。鈍化激光熔絲對蒸發(fā)熔絲材料的飛濺非常不敏感，這是由于鈍化層提供了保護(hù)。另一方面，鈍化層使得激光熔絲更難以熔斷。這是由于用來熔斷熔絲的激光必須具有足夠的能量來在能夠蒸發(fā)熔絲材料之前穿透鈍化層，建立足夠大的壓強來使可熔斷連接頂部的鈍化層破裂而釋放出蒸發(fā)材料。
另一方面，鈍化使得能夠安全地熔斷激光熔絲，不會影響相鄰的電路。這是因為，鈍化層防止了可熔斷連接的熔化材料立即、猛烈的釋放。有時，在熔絲熔斷過程中，在可熔斷連接被激光最初熔化之后，可熔斷連接吸收了足夠多的能量，使得被加熱的可熔斷連接被蒸發(fā)。蒸發(fā)的材料產(chǎn)生一個壓強，該壓強勢必使其包裹材料在材料的最脆弱點破裂。最脆弱點一般是覆蓋的鈍化層。從所述破裂爆出的蒸發(fā)材料本身當(dāng)重新淀積到芯片表面上時，淀積為非常薄的不導(dǎo)電膜。
在使用機械穩(wěn)定性低，比如低k電介質(zhì)的材料制造的集成電路中，蒸發(fā)熔絲材料的釋放導(dǎo)致的破裂可能不僅出現(xiàn)在鈍化層中，而且可以出現(xiàn)在下伏的電介質(zhì)層中。這會對電路造成嚴(yán)重的損傷，尤其是如果把對腐蝕敏感的材料比如銅用于金屬導(dǎo)線的話。在這種情況下，在這樣的集成電路上設(shè)置非鈍化熔絲，以減少在熔絲熔斷過程中下伏表面受損的機會。為了對下伏表面提供額外的保護(hù)措施，可以在熔絲層(fuse level)和下伏表面之間設(shè)置一個硬電介質(zhì)層。不幸的是，如果沒有鈍化層，熔絲熔斷過程會受到以下方面的影響熔化的熔絲材料可能在沒有足夠熱量的時候蒸發(fā)，這阻止了熔化的金屬全部蒸發(fā)。熔化金屬的部分蒸發(fā)可能導(dǎo)致仍然保持為液體形式的熔絲材料的飛濺。飛濺的熔絲材料可能導(dǎo)致與正在熔斷的熔絲相鄰的非鈍化熔絲的電短路。飛濺效應(yīng)取決于許多參數(shù)，比如激光的功率和波長，可熔斷連接的尺寸，熔絲的材料等。
美國專利6,160,302提出了在激光熔絲之間形成壁，以防止未對準(zhǔn)的激光意外熔斷與激光要熔斷的熔絲相鄰的熔絲。
美國專利6,300,232提出了圍繞單個的激光熔絲建立阻擋，以防止在熔絲熔斷步驟中激光產(chǎn)生的熱導(dǎo)致的物理損傷的擴展。
美國專利5,899,736提出用電介質(zhì)阻擋部分來圍住個體的電可熔斷連接，以防止噴射的熔絲材料的選出。
因此，需要有一種方法，對正在被熔斷的激光熔絲鄰近的激光熔絲提供保護(hù)，但是在額外的空間需求和/或額外的制造步驟方面不會顯著增加成本。

發(fā)明內(nèi)容
在一個方面，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括第一電接點焊盤、第二電接點焊盤以及由導(dǎo)電材料制成的可熔斷連接，該可熔斷連接具有連接到第一電接點焊盤的第一端部和連接到第二電接點焊盤的第二端部，該可熔斷連接要在施加一個能量源之后變?yōu)椴粚?dǎo)電的，水平地包圍所述可熔斷連接的一個爆炸阻擋體，用以容納由于施加所述能量源而射出的可熔斷連接材料。
在另一方面，本發(fā)明提供了一種對半導(dǎo)體器件建立爆炸阻擋體的方法，包括下述步驟形成第一和第二電接點焊盤，形成連接到第一和第二電接點焊盤的可熔斷連接，以及形成導(dǎo)電爆炸阻擋體，該爆炸阻擋體具有平行于所述可熔斷連接形成的第一部件，以及平行于所述可熔斷連接形成的、在可熔斷連接的與所述第一部件相反的一側(cè)的第二部件。
在又一方面，本發(fā)明提供了一種結(jié)構(gòu)，其包括第一和第二焊盤，形成在第一和第二焊盤之間的第一金屬線，該第一金屬線接觸第一和第二焊盤，和形成在第一金屬線的相對兩側(cè)的第二和第三金屬線，第二和第三金屬線與所述第一金屬線分開一個等于給定距離的空白。
總之，本發(fā)明提供了一種針對非鈍化激光熔絲的可能損傷相鄰熔絲的完整性的飛濺熔絲材料的保護(hù)手段。本發(fā)明不需要任何額外的處理步驟，只是修改形成可熔斷連接的金屬層的具體布局。通過使用在可熔斷連接兩側(cè)延伸的金屬線，本發(fā)明提供了針對飛濺材料的保護(hù)。所述金屬線可以連接到建立到其它電路的電連接的通孔，但是金屬線的長度和其它物理特性(比如厚度和寬度)應(yīng)當(dāng)被設(shè)定為確保在發(fā)生了熔絲的熔斷過程之后，連接到被熔斷的可熔斷連接的通孔之間不可能有電連接。所述金屬線用作針對熔絲熔斷過程中飛濺的熔化金屬的機械阻擋體。
本發(fā)明有許多優(yōu)點。例如，使用本發(fā)明的優(yōu)選實施例，通過使用爆炸阻擋體，能夠提供對正在被熔斷的熔絲的鄰近熔絲的保護(hù)，所述爆炸阻擋體可以用與激光熔絲本身相同的材料制造。通過用與激光熔絲相同的材料制造，可以在與激光熔絲相同的制造步驟中形成爆炸阻擋體，從而不需要額外的制造步驟。與需要額外的加工步驟的其它解決方案相比，這減少了包含激光熔絲的集成電路的總體制造時間和成本。
另外，本發(fā)明的優(yōu)選實施例的使用還允許添加爆炸阻擋體而不改變激光熔絲的間距。因此，集成電路的密度不會改變。在同樣的晶片面積上，可以設(shè)置同樣多的激光熔絲。
另外，本發(fā)明的優(yōu)選實施例的使用允許添加爆炸阻擋體，這只需要對產(chǎn)生激光熔絲本身的制造掩模稍作修改。因此，可以容易地對現(xiàn)有設(shè)計進(jìn)行修改，而無需對電路和器件進(jìn)行重新布圖和設(shè)置。


結(jié)合附圖閱讀下面的說明書可以更清楚地理解本發(fā)明的上述特征。附圖中圖1a、1b和1c圖解了非鈍化激光熔絲的俯視圖和剖面圖，以及熔絲陣列的俯視圖；圖2a和2b圖解了在激光熔絲205被激光熔斷前后的熔絲陣列的俯視圖；圖3a、3b和3c圖解了根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，帶有整體的爆炸阻擋體的非鈍化激光熔絲的俯視圖和側(cè)視圖，以及熔絲陣列的俯視圖；圖4a和4b圖解了在激光熔絲405被激光熔斷前后的熔絲陣列的俯視圖，其中，所述整體爆炸阻擋體防止了熔絲材料的蒸發(fā)所拋射出的碎屑的逸出；圖5圖解了根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的爆炸阻擋體的備選實施例；圖6a和6b圖解了根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的爆炸阻擋體的備選形式；圖7a到7c圖解了根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的可熔斷連接的備選實施例。
具體實施例方式
下面詳細(xì)描述各種實施例的制造和使用。但是，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明提供了許多可應(yīng)用的發(fā)明概念，它們可以在許多特定的上下文環(huán)境中被具體實現(xiàn)。這里所描述的具體實施例只是用于解釋制造和使用本發(fā)明的個別方式，并不是要限制本發(fā)明的范圍。
現(xiàn)在看圖1，該示了硬電介質(zhì)層115上的非鈍化激光熔絲100的俯視圖。該硬電介質(zhì)層在一個襯底116(圖1a未圖示，但是存在于后面的剖面圖中)的頂部。如前所述，非鈍化激光熔絲與鈍化激光熔絲的不同之處在于前者缺乏保護(hù)其不受環(huán)境影響的鈍化層。與鈍化激光熔絲相比，非鈍化激光熔絲的熔斷所需的激光能量更少。這是由于在激光能夠熔斷激光熔絲之前，激光不必首先透過鈍化層。進(jìn)而，當(dāng)暴露于激光的材料吸收激光能量時，更高能量激光的使用產(chǎn)生更大量的熱。對于特定種類的材料，比如特殊的低k(介電常數(shù))材料(例如由有機物質(zhì)與硅的組合制造的襯底)，對熱相對來說敏感一些，一般不能承受熔斷鈍化激光熔絲時的過量熱量，所述材料也不能承受與鈍化激光熔絲的熔斷相關(guān)聯(lián)的機械應(yīng)力。另外，諸如低k材料之類的材料的機械特性可能不是很適合承受迅速膨脹的蒸發(fā)熔絲材料所產(chǎn)生的壓強。
激光熔絲100的俯視圖顯示了激光熔絲的三個主要部分允許將激光熔絲100電連接到電路和器件的兩個焊盤105，以及可熔斷連接110。在圖示的實施例中，焊盤105物理上大于可熔斷連接110。在備選實施例中，焊盤105和可熔斷連接110的寬度可以相同(例如，熔絲看起來是單根線)。注意，盡管圖示的可熔斷連接110是直線，但是可熔斷連接110可以形成為多種形狀，比如之字形線、曲線、寬度和厚度變化的線等。焊盤105是線的允許將導(dǎo)電線連接到半導(dǎo)體器件的部分。
可熔斷連接110是激光熔絲的由激光加熱而后斷裂的部分。最好，所述兩個焊盤105和可熔斷連接110由同一種導(dǎo)電材料制成?？扇蹟噙B接110實際上可以用任何類型的金屬制造，但是鋁是優(yōu)選的材料，這是因為鋁的熔點相對較低，并且相對來說活性不高。另外，長久以來鋁就是選用來進(jìn)行半導(dǎo)體制造的金屬。其它可以用于可熔斷連接110的材料包括金，次一些的有銅和銀。也可以使用各種合金，只要它們相對來說不易受腐蝕即可。
現(xiàn)在看圖1b，該示了在圖1a所示的襯底116頂部的硬介電層115上的激光熔絲100的剖視圖，剖面沿著標(biāo)為B-B的虛線。該剖視示了兩個焊盤105具有穿過硬介電層115向下進(jìn)入襯底116的導(dǎo)電通道，連接到用于電路和器件的連接點120。
現(xiàn)在看圖1c，該示了按照線性方式布置的三個激光熔絲的熔絲陣列150。一般將激光熔絲安排為陣列，并安排得盡可能靠近，以使它們在集成電路中占據(jù)的表面積最小化。熔絲之間的間隔稱為熔絲節(jié)距，熔絲節(jié)距被定義為熔絲的寬度加上兩個相鄰熔絲之間的間距。熔絲節(jié)距越小，熔絲就靠得越近。圖1c中圖示的熔絲陣列150具有三個激光熔絲(155、160和165)，但是熔絲陣列可以有任意數(shù)量的熔絲組合在一起，對熔絲陣列中熔絲數(shù)量的約束是半導(dǎo)體表面區(qū)域的物理尺寸。
熔絲可以以多種方式熔斷。例如，電流就是熔斷熔絲的另一種方式。但是，由于集成電路中多數(shù)器件和電路的精密性質(zhì)，使用電流熔斷可熔斷連接的熔絲并不常用。也可以通過將熔絲暴露于輻射能而熔斷熔絲。不論在什么情況下，本發(fā)明都能應(yīng)用于以不同于使用激光的方式熔斷的熔絲。
激光熔絲使用激光加熱并蒸發(fā)其可熔斷連接。使用激光熔化然后切斷可熔斷連接是一樣的，無論激光熔絲是鈍化類型的還是非鈍化類型的。對于鈍化激光熔絲，激光在能夠蒸發(fā)可熔斷連接之前必須通過鈍化層。這可以使用特定波長的激光實現(xiàn)，鈍化層不吸收該波長的激光。例如，通常使用的鈍化層SiO2允許特定波長的激光能量通過，而不會顯著吸收激光能量。這樣就能將激光能量集中用于熔斷可熔斷連接。
現(xiàn)在看圖2a，該示了一個熔絲陣列200，其中，一個激光斑220被照射到激光熔絲205的可熔斷連接上，用以熔斷激光熔絲，可以通過將激光斑220的照射位置相對來說靠近可熔斷連接的一端來熔斷激光熔絲。這有助于在兩個位置熔斷激光熔絲的可熔斷連接，每一個位置靠近可熔斷連接的一個端部。
如前所述，通過激光斑220的加熱作用熔斷所述可熔斷連接。首先，可熔斷連接的熔絲材料被熔化，然后蒸發(fā)。熔化和蒸發(fā)過程的持續(xù)時間極其短暫，以防止熱量的過度積聚?；旧?，在熱量彌散到熔絲連接區(qū)域之外的區(qū)域之前熔斷過程就結(jié)束了。因此，熔絲材料的熔化和蒸發(fā)常常類似于爆炸被激光斑220照射的熔絲材料實際上爆炸開來。
如前所述，如果激光熔絲是鈍化激光熔絲類型的，則爆炸產(chǎn)生的碎屑很有可能不導(dǎo)致任何問題，這有兩個可能的原因第一個原因是鈍化層提供了有效的保護(hù)，因為它覆蓋了相鄰熔絲的表面；第二個原因是鈍化層困住了熔化的熔絲材料，直到其完全蒸發(fā)，蒸發(fā)的熔絲材料產(chǎn)生的碎屑往往是非導(dǎo)電的，因為其分散到了很大的區(qū)域上。但是，對于非鈍化激光熔絲，熔化的熔絲材料不受約束，可能在熔化狀態(tài)下就被射出。如果熔絲材料在熔化狀態(tài)下被射出，其分散程度不足以使其不導(dǎo)電。因此，碎屑可能導(dǎo)致短路。取決于碎屑落在什么地方，靠近被熔斷的熔絲的激光熔絲可能對其自身造成短路(在相鄰熔絲此前已被熔斷時出現(xiàn)的問題)，或者相鄰激光熔絲可能相互電短路。
現(xiàn)在看圖2b，該示了一個熔絲陣列250，其中第一激光熔絲205已被激光熔斷，該熔斷操作產(chǎn)生的碎屑(例如熔絲材料255的碎片)使得激光熔絲210與第一激光熔絲205電短路。例如，從第一激光熔絲205的可熔斷連接的熔化的熔絲材料射出的熔絲材料碎片255在第一激光熔絲205和相鄰激光熔絲210之間形成了一個電橋，將兩個激光熔絲短接在一起。由于每一個激光熔絲連接點不同的電路，包含被短接的激光熔絲的集成電路很有可能不能正常工作，因此要被廢棄。
現(xiàn)在看圖3a，根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，該示了在襯底321(圖3a中不可見，但是在后面的側(cè)視圖中進(jìn)行了圖示)的頂部的硬介電層320上的激光熔絲300的俯視圖，其中，激光熔絲300具有內(nèi)置爆炸阻擋體315，幫助防止熔化熔絲材料的濺射產(chǎn)生到相鄰激光熔絲的電橋。所述爆炸屏蔽形成在可熔斷連接310的每一側(cè)，并且形成在在可熔斷連接310的每一端，形成圍繞可熔斷連接310的將由激光燒灼的區(qū)域的水平包圍。注意，如前所述，可熔斷連接310盡管被圖示為直線，但是其可以采用其它形式，比如之字線、曲線、可變寬度的線等。根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，爆炸阻擋體315由與激光熔絲本身相同的材料形成。因此，爆炸阻擋體315可以在與激光熔絲相同的制造步驟中建立，從而不需要額外的制造步驟。但是，也可以用與集成電路的制造相容的任何其它類型的材料形成所述爆炸屏蔽315，包括用非導(dǎo)電材料制造。
根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，由于爆炸阻擋體315是用與激光熔絲相同的材料或者由任何導(dǎo)電材料制造的，在單個激光熔絲的每一端的爆炸阻擋體315必須不會相互接觸。如果它們相互接觸，則凈效果就是產(chǎn)生了與所述可熔斷連接并行的一個導(dǎo)電連接。如果爆炸阻擋體315是用非導(dǎo)電材料形成的，則單激光熔絲的爆炸阻擋體315可以被允許相互接觸。另外，由于可以在襯底中在激光熔絲下方形成的通孔、溝道以及其它特征的緣故，可能不能形成沿著可熔斷連接的整個長度的爆炸阻擋體。
現(xiàn)在看圖3b和3c，它們圖示了帶有爆炸阻擋體315的激光熔絲300的側(cè)視圖(視角在水平面上方約45度)，以及有三個激光熔絲355、360和365的熔絲陣列350的俯視圖。根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，由于爆炸阻擋體在形成激光熔絲的同一制造步驟中形成，爆炸阻擋體的高度會大致等于激光熔絲本身的高度。但是，如果爆炸阻擋體用不同的制造步驟形成，則爆炸阻擋體的高度可以被設(shè)置為使其效果最大化的高度。這意味著可以將爆炸阻擋體形成為與激光熔絲一樣的高度，或者可以高于激光熔絲。注意，由于爆炸阻擋體的設(shè)計，陣列350的熔絲節(jié)距沒有改變(與圖1c顯示的熔絲陣列150相比)。因此，可以設(shè)置與未受保護(hù)的激光熔絲的數(shù)量相仿的根據(jù)本發(fā)明制造的激光熔絲。
現(xiàn)在看圖4a，該示了根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的一個熔絲陣列400，其由具有爆炸阻擋體的熔絲構(gòu)成，其中，已經(jīng)在激光熔絲405的可熔斷連接上照射了一個激光斑420，以燒斷可熔斷連接。緊緊圍繞激光熔絲405的可熔斷連接的是爆炸阻擋體406。注意，為了使爆炸阻擋體完全有效，爆炸阻擋體406應(yīng)當(dāng)延伸超過可熔斷連接將被激光斑420蒸發(fā)的區(qū)域。如果爆炸阻擋體406不延伸超過可熔斷連接要被蒸發(fā)的區(qū)域，則爆炸阻擋體的效果會被減損，未被爆炸阻擋體擋住的蒸發(fā)熔絲材料可能與其它激光熔絲形成電短路。
現(xiàn)在看圖4b，該示了根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的熔絲陣列450，其中第一激光熔絲405已被激光熔斷，熔斷操作產(chǎn)生的碎屑(例如熔絲材料碎片455)被圍繞第一激光熔絲405的爆炸阻擋體擋住。激光，例如激光斑420(圖4a)對熔絲材料的蒸發(fā)形成的碎屑455一般會以不可預(yù)測的方式飛濺到不可預(yù)測的距離，在本實施例中則被約束到在第一激光熔絲405要被熔斷的位置附近形成的爆炸阻擋體406內(nèi)。爆炸阻擋體406形成圍繞爆炸區(qū)的封閉，包住在熔絲熔斷過程中射出的蒸發(fā)熔絲材料。
根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，爆炸阻擋體可以在形成激光熔絲的同一制造步驟中形成，并用與熔絲相同的材料形成?；蛘撸ㄗ钃躞w可以用與制造集成電路的制造工藝相容的任何材料制成。如果要使用額外的制造步驟來形成所述爆炸阻擋體，則所述爆炸熔絲最好由不導(dǎo)電的材料制成。
現(xiàn)在看圖5，該示了根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，帶有L形的爆炸阻擋體的激光熔絲500。所述爆炸阻擋體515被形成為L形，該L形的從焊盤延伸出來的較長部分和較短的垂直部分形成一個對可熔斷連接510的要熔斷部分的更為完整的封閉。注意，如果爆炸阻擋體515是由導(dǎo)電材料(比如熔絲材料本身)形成的，則不應(yīng)允許它接觸可熔斷連接510，除非在一端(比如通過焊盤505)。或者，爆炸阻擋體可以形成為在完全封閉可熔斷連接的要熔斷部分方面同樣有效的其它形狀。
現(xiàn)在看圖6a和6b，其中圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的帶有爆炸阻擋體的激光熔絲的替換實施例。在圖6a中，圖示了帶有爆炸阻擋體的激光熔絲600，該爆炸阻擋體615不電耦接到焊盤605或者可熔斷連接610，爆炸阻擋體615自身也沒有電耦接(也就是，爆炸阻擋體的圍繞激光熔絲600的一端的部分，以及爆炸阻擋體的圍繞另一端的部分，不相耦接)。而在圖6b中，圖示的激光熔絲650的爆炸阻擋體665不與焊盤655或者可熔斷連接660電耦接，但是爆炸阻擋體665形成為單一部件，保護(hù)可熔斷連接660的整個長度。
現(xiàn)在看圖7a到7c，圖中圖示了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例的可熔斷連接的備選實施例。在圖7a中，圖示了之字線形的可熔斷連接710，而在圖7b中圖示了曲線形狀的可熔斷連接720。最后，在圖7c中，圖示了寬度變化的線形的可熔斷連接730。可熔斷連接的結(jié)構(gòu)還可以有其它的實施例，其最終形狀受約束條件的支配，所述約束條件比如是所希望的電阻率、承載的最大電流量、下伏襯底的構(gòu)形等。
根據(jù)本發(fā)明的另一種優(yōu)選實施例，爆炸阻擋體的高度等于激光熔絲的高度。但是，爆炸阻擋體的高度可以變化，使得其高度可以大于或者小于激光熔絲的高度，以便更有效地圍住蒸發(fā)的爆炸材料。
盡管上面結(jié)合說明性的實施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是上述說不應(yīng)被解釋為限制性的。上述說明性的實施例的各種變化和組合，以及本發(fā)明的其它實施例，對于閱讀本說明書的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來所都是顯而易見的。因此，所附的權(quán)利要求的范圍不可任何這樣的修改或者實施例。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括第一電接點焊盤；第二電接點焊盤；由導(dǎo)電材料制成的可熔斷連接，該可熔斷連接具有連接到第一電接點焊盤的第一端部和連接到第二電接點焊盤的第二端部，該可熔斷連接要在施加一個能量源之后變?yōu)椴粚?dǎo)電的；以及水平地包圍所述可熔斷連接的爆炸阻擋體，用以容納由于施加所述能量源而射出的可熔斷連接材料。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述爆炸阻擋體、所述可熔斷連接以及所述第一和第二電接點焊盤由同樣的材料制成，并在同一制造步驟中制成。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述爆炸阻擋體與所述第一和第二電接點焊盤電分離。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述爆炸阻擋體與所述可熔斷連接電分離。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述爆炸阻擋體被形成為高于可熔斷連接以及第一和第二電接點焊盤的物理高度。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述爆炸阻擋體包含兩個部件，其中第一部件位于所述可熔斷連接的一側(cè)附近，取向與所述可熔斷連接平行，爆炸阻擋體的第二部件位于所述可熔斷連接的與所述第一部件相反的一側(cè)附近，取向與所述可熔斷連接平行。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述爆炸阻擋體的兩個部件被成形為類似線段狀。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述爆炸阻擋體有兩個，其中第一個爆炸阻擋體連接到所述第一電接點焊盤，第二個爆炸阻擋體連接到所述第二電接點焊盤，其中，所述第一和第二爆炸阻擋體相互電分離。
9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述可熔斷連接被暴露于激光之下以使所述可熔斷連接斷開，所述爆炸阻擋體在水平方向在所述可熔斷連接暴露于激光的位置圍住所述可熔斷連接。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述可熔斷連接由具有低熔點的低電阻導(dǎo)電材料制成。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述能量源為激光。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述能量源為電流源。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述爆炸阻擋體由與可熔斷連接相同的材料制成。
14.一種為半導(dǎo)體器件制作爆炸阻擋體的方法，包括下述步驟形成第一和第二電接點焊盤；形成連接到第一和第二電接點焊盤的可熔斷連接；以及形成導(dǎo)電爆炸阻擋體，該爆炸阻擋體具有平行于所述可熔斷連接形成的第一部件，以及平行于所述可熔斷連接形成的、在可熔斷連接的與所述第一部件相反的一側(cè)的第二部件。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述爆炸阻擋體的兩個部件與所述第一和第二電接點焊盤和所述可熔斷連接電分離。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述三個形成步驟在同一個制造步驟中執(zhí)行。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，在所述半導(dǎo)體器件的第一端形成所述導(dǎo)電爆炸阻擋體，該方法還包括下述步驟形成第二導(dǎo)電爆炸阻擋體，其中，所述第二爆炸阻擋體形成在所述半導(dǎo)體器件的第二端，其中，所述第二爆炸阻擋體具有第一和第二部件，第二爆炸阻擋體的第一部件平行于所述可熔斷連接形成，第二爆炸阻擋體的第二部件平行于所述可熔斷連接形成在所述可熔斷連接的與所述第二爆炸阻擋體的第一部件相反的一側(cè)。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述爆炸阻擋體的第一和第二部件與所述第二爆炸阻擋體的第一和第二部件電分離。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述四個形成步驟在同一制造步驟中執(zhí)行。
20.一種結(jié)構(gòu)，包括第一和第二焊盤；形成在第一和第二焊盤之間的第一金屬線，該第一金屬線接觸所述第一和第二焊盤；以及形成在所述第一金屬線的相對兩側(cè)的第二和第三金屬線，所述第二和第三金屬線與所述第一金屬線分開一段等于給定距離的空白。
21.如權(quán)利要求20所述的結(jié)構(gòu)，還包括形成在所述第一金屬線的與所述第二和第三金屬線相反的一端的第四和第五金屬線，所述第四和第五金屬線與所述第一金屬線分開一段等于所述給定距離的空白。
22.如權(quán)利要求21所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述第二和第三金屬線接觸所述第一焊盤，所述第四和第五金屬線接觸所述第二焊盤。
23.如權(quán)利要求22所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述第二和第三金屬線不與所述第四和第五金屬線接觸。
24.如權(quán)利要求20所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一金屬線是之字線的形狀。
25.如權(quán)利要求20所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一金屬線是曲線形狀。
26.如權(quán)利要求20所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一金屬線是寬度變化的線形。
全文摘要
本申請涉及減少非鈍化激光熔絲的飛濺。使用激光熔斷非鈍化電熔絲(例如熔絲405)會導(dǎo)致熔絲材料飛濺，從而導(dǎo)致電短路。在熔絲的被激光熔斷的區(qū)域周圍形成的爆炸阻擋體(例如爆炸阻擋體406)有助于約束熔絲材料的飛濺。爆炸阻擋體可以用與熔絲本身相同的材料形成，因而可以在同一制造步驟中形成。
文檔編號H01L23/525GK1723552SQ03822255
公開日2006年1月18日 申請日期2003年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月19日
發(fā)明者杰拉爾德·R.·弗利斯, 安迪·考利, 莫哈梅德·F.·法亞茲, 威廉·T.·莫特斯弗 申請人:國際商業(yè)機器公司, 英芬能技術(shù)北美公司