專利名稱：具有改善半導(dǎo)體組件電阻與電感值的集成電路封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路封裝，特別涉及一種用于功率半導(dǎo)體裝置，像是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)裝置的集成電路(IC)封裝，可減少封裝電阻，電感及熱阻抗，以使得此裝置更有效率并且釋放更多功率。
背景技術(shù)：
目前較先進(jìn)的硅技術(shù)是允許非常低阻抗功率的MOSFET裝置，致使小芯片的使用可以以相當(dāng)高的功率密度來(lái)操作。在許多情況下，封裝阻抗可能可以等于硅阻抗，這對(duì)于以硅為主體作為裝置來(lái)說(shuō)，事實(shí)上是非常不經(jīng)濟(jì)的使用方式，而藉由減少封裝阻抗來(lái)降低成本則是目前不變的趨勢(shì)。由于在愈高的功率密度下，就需要愈低的熱阻抗封裝。封裝寄生電感之所以會(huì)在如同在電源供應(yīng)轉(zhuǎn)換模式中，對(duì)于MOSFET在高頻率轉(zhuǎn)換應(yīng)用模式中常導(dǎo)致浪費(fèi)大多數(shù)的功率，而當(dāng)以更低的裝置阻抗并且改進(jìn)的技術(shù)為于相同的封裝尺寸中允許更高的操作電流時(shí)會(huì)變得更嚴(yán)重。
請(qǐng)參考圖1所示的仰視圖，說(shuō)明了一傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝1包含一導(dǎo)線架8和一塑料體16所封裝而成的晶粒10。在此已知技術(shù)當(dāng)中，此晶粒10具體的描述一MOSFET裝置以及其導(dǎo)線架8包括一源極端11、一柵極端12及一漏極端13。導(dǎo)線架8中的源極端11包括復(fù)數(shù)個(gè)分離的源極導(dǎo)線架指狀物或是向外延伸至塑料體16的引線11b，和復(fù)數(shù)個(gè)與接合線14接合的分離內(nèi)部源極接合區(qū)域11a。漏極端13包括連接在導(dǎo)線架平臺(tái)13a上的復(fù)數(shù)個(gè)分離的漏極導(dǎo)線架指狀物或是引線13b。柵極端12包括連接至一內(nèi)部柵極接合區(qū)域12a的一外部柵極引線12b，此內(nèi)部柵極接合區(qū)域12a通過(guò)導(dǎo)線15與柵極平臺(tái)17連接。
圖2是另一傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝19的仰視圖。在這個(gè)已知技術(shù)中，如同圖1所顯示的，在復(fù)數(shù)個(gè)分離源極接合區(qū)域11a的場(chǎng)所中，把源極端21中的源極接合區(qū)域21a加入以形成對(duì)于接合線24至晶粒20中的一單一源極接合區(qū)域21a。如同于上述圖1所述的已知技術(shù)，分離的源極導(dǎo)線架指狀物或是引線21b，以及漏極端23的分離的漏極導(dǎo)線架指狀物或是引線23b，皆從塑料體26向外部放射出分離的狹窄金屬條，并且適用于如圖1中所描述的裝置，可插入個(gè)人計(jì)算機(jī)主機(jī)板上相配的插孔位置。
與圖1的已知技術(shù)類似，導(dǎo)線架平臺(tái)23a上設(shè)置有晶粒20，并且提供狹窄邊緣框架圍繞晶粒20的周邊。除此之外，柵極22的結(jié)合區(qū)域22a通過(guò)導(dǎo)線25連接到位于最靠近角落的柵極平臺(tái)27。在已知技術(shù)中，源極和柵極接合區(qū)域11a，21a和12a，22a分享晶粒10及20的相同的左側(cè)面。同樣地，源極引線21b和柵極引線22b從相同的左側(cè)面放射出去。
請(qǐng)參考圖3所示的一傳統(tǒng)雙重晶粒半導(dǎo)體封裝29的仰視圖。此雙重晶粒半導(dǎo)體封裝29有一塑料體36封裝含布署在一第一導(dǎo)線架平臺(tái)33a上的一第一晶粒30和布署在一第二導(dǎo)線架平臺(tái)43a上的一第二晶粒40。第一源極端31至少包括一源極導(dǎo)線架引線31b和一沿著第一晶粒30的左側(cè)面分布的源極接合區(qū)域31a。此源極接合區(qū)域31a通過(guò)接合線34與第一晶粒30相互連接。第一柵極端32包含一共享第一晶粒30左側(cè)面的柵極結(jié)合區(qū)域32a，及一柵極導(dǎo)線架引線32b。此柵極接合區(qū)域32a通過(guò)接合線35連接至柵極平臺(tái)上。第一漏極端33包括復(fù)數(shù)個(gè)與第一導(dǎo)線架平臺(tái)33a結(jié)合的分離漏極導(dǎo)線架引線33b。
與第一晶粒30相類似，第二源極41至少包括一源極導(dǎo)線架引線41b和一沿著第二晶粒40的左側(cè)面分布的源極接合區(qū)域41a。這個(gè)源極接合區(qū)域41a通過(guò)接合線44與第二晶粒40相互連接。第二柵極端42具有一共享第二晶粒40左側(cè)面的柵極接合區(qū)域42a和一柵極導(dǎo)線架引線42b。接合線45用以相互連接。第二漏極端43包括復(fù)數(shù)個(gè)與第二導(dǎo)線架平臺(tái)43a結(jié)合的分離漏極導(dǎo)線架引線43b。
如同上述說(shuō)明，為使一裝載高電流的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)裝置提升其功率耗散，確實(shí)有必要減少其封裝電阻、電感以及設(shè)計(jì)一新的導(dǎo)線架和封裝。
對(duì)此，藉由利用封裝塑料體中的一些實(shí)體，通過(guò)減少晶粒和導(dǎo)線架平臺(tái)的尺寸以增加接合區(qū)域而增加源極端及此晶粒之間的相互連接，以便能夠減少封裝的電阻和電感。阻抗的減少是來(lái)自于有更多的導(dǎo)線并聯(lián)，盡管改進(jìn)電感不僅來(lái)自于有更多的導(dǎo)線并聯(lián)，并且可藉由導(dǎo)線的散布使其更分開(kāi)，進(jìn)而減少導(dǎo)線間的互相耦合電感效應(yīng)。
除此之外，增加外部源極和漏極的引線表面積，使其更大表面積暴露在空氣當(dāng)中，更可有效減少外部終端阻抗并且使其加快散熱效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供的改良的集成電路封裝是以直接和簡(jiǎn)單的模式，有效的解決上述背景技術(shù)中長(zhǎng)久以來(lái)存在的問(wèn)題。
大體而言，本發(fā)明提供一種改進(jìn)半導(dǎo)體封裝的方法，藉由舍棄預(yù)留予硅或者晶粒的一些實(shí)體位置，重新分配一接合區(qū)域，比如對(duì)于源極或者其它的加載高電流終端來(lái)說(shuō)，在晶粒的角落和鄰近的側(cè)面附近增加這個(gè)接合區(qū)域和晶粒頂端傳導(dǎo)表面之間的相互聯(lián)接，進(jìn)而減少電阻和電感。
本發(fā)明提供一“L”形接合區(qū)域、一“C”形接合區(qū)域、一“J”形接合區(qū)域和/或一“I”形接合區(qū)域，或者是任何根據(jù)整合于封裝中的晶粒數(shù)目的結(jié)合。
此外，本發(fā)明提供一增加外部源極表面積和漏極的終端區(qū)域面積，以更快速達(dá)到散熱及減少外部終端阻抗的方法。換句話說(shuō)，增加導(dǎo)線架金屬化的面積以改進(jìn)封裝的熱阻抗。此舉，可包括熔合一全部或部分終端的所有或是一些引線來(lái)達(dá)成。


圖1是一傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝中的第一實(shí)施例范例的仰視圖；圖2是一傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝中的第二實(shí)施例范例的仰視圖；圖3是一傳統(tǒng)雙晶粒半導(dǎo)體封裝中的第三實(shí)施例范例的仰視圖；圖4是描述本發(fā)明的第一實(shí)施例而構(gòu)成的半導(dǎo)體封裝范例的仰視圖；圖5是描述本發(fā)明的第二實(shí)施例而構(gòu)成的半導(dǎo)體封裝范例的仰視圖；圖6是描述本發(fā)明的第三實(shí)施例而構(gòu)成的半導(dǎo)體封裝范例的仰視圖；圖7是描述本發(fā)明的第四實(shí)施例的對(duì)于雙晶粒含有雙平臺(tái)的半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)范例的仰視圖；圖8是描述本發(fā)明的第五實(shí)施例的對(duì)于多晶粒含有雙平臺(tái)的半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)范例的仰視圖；圖9是描述本發(fā)明的第六實(shí)施例的對(duì)于多晶粒含有單一平臺(tái)的半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)范例的仰視圖；圖10是描述本發(fā)明的第七實(shí)施例的對(duì)于多晶粒含有單一平臺(tái)的半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)范例的仰視圖；圖11是描述本發(fā)明的第八實(shí)施例的對(duì)于雙晶粒含有雙平臺(tái)的半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)范例的仰視圖；圖12是描述本發(fā)明的第九實(shí)施例的對(duì)于雙晶粒含有單平臺(tái)的半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)范例的仰視圖；圖13是描述本發(fā)明的第十實(shí)施例的對(duì)于單一晶粒含有單一平臺(tái)的半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)范例的仰視圖；圖14是描述本發(fā)明的第十一實(shí)施例的對(duì)于雙晶粒含有單一平臺(tái)的半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)范例的仰視圖；圖15是描述本發(fā)明的第十二實(shí)施例的對(duì)于雙晶粒含有單一平臺(tái)的半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)范例的仰視圖；圖16是描述本發(fā)明的第十三實(shí)施例的對(duì)于多晶粒含有單一平臺(tái)的半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)范例的仰視圖；圖17是描述本發(fā)明的第十四實(shí)施例的對(duì)于多晶粒含有雙大平臺(tái)的半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)范例的仰視圖；圖18是描述本發(fā)明的第十五實(shí)施例的對(duì)于多晶粒的半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)范例的仰視圖，和圖19是描述本發(fā)明的第十六實(shí)施例的對(duì)于多晶粒的半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)范例的仰視圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參考圖4，以標(biāo)號(hào)99來(lái)表示本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路(IC)封裝。一般來(lái)說(shuō)，此半導(dǎo)體集成電路(IC)封裝99包括一設(shè)置在一導(dǎo)線架平臺(tái)103a上的半導(dǎo)體晶粒100，并且兩者成型在一塑料體106當(dāng)中。此封裝99還包含已知技術(shù)中必要的相互連接，藉此，可結(jié)合晶粒100于導(dǎo)線架平臺(tái)103a和/或?qū)Ь€架108中。具體描述如下如同基于以下所提供的任何描述，本發(fā)明可應(yīng)用于許多相關(guān)的半導(dǎo)體裝置。換句話說(shuō)，任何第三人描述本發(fā)明的任何應(yīng)用性都應(yīng)該是被禁止的。比如，在本實(shí)施例中的圖4的仰視圖顯示的是至少有三個(gè)終端(如一源極端101、一柵極端102和一漏極端103)可被應(yīng)用整合至導(dǎo)線架108的金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管裝置的半導(dǎo)體集成電路封裝99。
下面描述本發(fā)明的半導(dǎo)體的相互連接。藉由減少晶粒100和導(dǎo)線架平臺(tái)103a的尺寸大約至少等于此晶粒100上面的一部分長(zhǎng)度，并且增加在其角落附近的源極端101的金屬接合區(qū)域101a的尺寸，可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明所述的目的。
源極的金屬接合區(qū)域101a的“L”形的覆蓋區(qū)可增加源極的接合面積，并且多于已知技術(shù)中的接合面積。在本實(shí)施例中，其部分長(zhǎng)度大約等于晶粒上面長(zhǎng)度的一半。但是，如同在下面的其它實(shí)施例中，此長(zhǎng)度亦可完全等于其封裝后上面的整個(gè)長(zhǎng)度。不過(guò)，此源極的接合區(qū)域101a的增加也使得相互連接源極端101與晶粒100的源極接合線104的數(shù)量增加。此外，接合線104之間的距離并無(wú)導(dǎo)致接合線104的數(shù)量增加。取而代之的是，增加其導(dǎo)線距離確實(shí)可以改進(jìn)電感。例如，估計(jì)源極接合線104的數(shù)目與已知的導(dǎo)線架設(shè)計(jì)相比能增加30％到40％，如圖1及圖2所示。這些接合于晶粒的傳導(dǎo)表面頂部的源極接合線104的增加為相互連接提供了一個(gè)較低的接合回路。如此，封裝的阻抗和電感便降低了。
此外，在此實(shí)施例中，因?yàn)榈谝粋€(gè)接腳101aa比第二個(gè)接腳101ab更短，所以“L”形的覆蓋區(qū)顯示轉(zhuǎn)動(dòng)大約為180度。但是，在其它的實(shí)施例或者設(shè)計(jì)中，因不同的配置，第一個(gè)接腳101aa可以是較長(zhǎng)的。例如，如同圖7所示， “L”形的覆蓋區(qū)表示出“L”形轉(zhuǎn)動(dòng)大約為90度，因其第二個(gè)接腳201ab看來(lái)比第一個(gè)接腳201aa更短。
在圖4所示的實(shí)施例中，藉由將導(dǎo)線架平臺(tái)103b的沿著減少的晶粒100底面的那一部分，來(lái)實(shí)現(xiàn)接合線104數(shù)目的增加。一般來(lái)說(shuō)，因其金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管裝置的柵極處理一個(gè)相對(duì)較小的電流，一接合線105對(duì)于相互連接晶粒100和柵極端102已足夠。此柵極端102的柵極接合區(qū)域102a沿著晶粒100的一部分底面或其導(dǎo)線架平臺(tái)103a而伸展出去。在本實(shí)施例當(dāng)中，柵極的接合區(qū)域102a稍微地伸展出少于封裝99底面的一半長(zhǎng)度。沿著晶粒100的底面，在晶粒100的中心充分地提供了柵極平臺(tái)107。沿著晶粒100底面的一部分長(zhǎng)度的柵極接合區(qū)域102a的分布為接合線105的連接提供了一個(gè)直接路徑。此柵極引線102b是從塑料體106的左側(cè)面伸出的。
柵極平臺(tái)107的移動(dòng)，遠(yuǎn)離底部左邊角落，釋出了包括柵極平臺(tái)107相對(duì)應(yīng)的底部左邊角落的左面，如此一來(lái)，源極接合線104才可以充分地沿著左面均勻地接合，包括往下直到晶粒100的底部左邊角落。除此之外，對(duì)于源極端101的“L”形接合區(qū)域101a允許源極接合線104接合第一個(gè)接腳101aa以相互連接至晶粒100的頂面，并且緊密分布于晶粒100的頂部右邊角落。
在塑料體106內(nèi)，晶粒100使用傳導(dǎo)銀(Ag)環(huán)氧樹(shù)脂而附著于導(dǎo)線架平臺(tái)103a的上面，其為漏極的金屬終端103的一部分。在塑料體106內(nèi)，導(dǎo)線架平臺(tái)103a沿著緊接源極接合區(qū)域101a與柵極接合區(qū)域102a的第一接腳101aa的晶粒100頂面和底面，伸展至塑料體106的實(shí)體區(qū)域。因此，導(dǎo)線架平臺(tái)103a被熔合或者整合于晶粒100右面漏極外部的導(dǎo)線架部分103b的面積則通常沒(méi)有減少。
在本實(shí)施例中，導(dǎo)線架平臺(tái)103a的覆蓋區(qū)并沒(méi)有局限于晶粒100的一般形狀，如此一來(lái)可在周圍造成窄寬度邊緣。晶粒100的關(guān)于塑料體106邊緣的周長(zhǎng)已經(jīng)減少為源極“L”形的接合區(qū)域101a的第一個(gè)接腳101aa和柵極接合區(qū)域102a的置放提供了必要之空間。因此，對(duì)于“L”形狀的參考可定義為上述之兩個(gè)實(shí)施例。
源極外部的導(dǎo)線架終端部分101b和向外延伸至塑料體106的漏極外部導(dǎo)線架終端部分103b，二者基本上皆連續(xù)、充分地完整的習(xí)用已知技術(shù)中的個(gè)別導(dǎo)線架接線或者引線，如同圖1及圖2所示。更特別地是，源極的導(dǎo)線架終端部分101b及漏極的導(dǎo)線架終端部分103b所擴(kuò)大的表面積會(huì)增加曝露在空氣中的表面積，此表面積幾乎是個(gè)別導(dǎo)線架接線或者引線11b和13b的習(xí)用封裝的兩倍，如同在圖1中所示。因此，擴(kuò)大的外部導(dǎo)線架終端部分101b和103b將可更快速的進(jìn)行散熱，尤其是在電流加載期間所產(chǎn)生的熱量。除此之外，其擴(kuò)大的源極及漏極的導(dǎo)線架終端部分101b和103b將可減少封裝熱阻抗。
在本實(shí)施例中，增加了源極端101及漏極端103的外部表面積。在圖4中的實(shí)施例，源極端101及漏極端103的外部表面積藉由為每一沿著塑料體106的左面和右面提供一個(gè)單一完整的外部導(dǎo)線架終端而使其最大化。然而，個(gè)人計(jì)算機(jī)主機(jī)板(圖中未顯示)的傳統(tǒng)設(shè)計(jì)是用與導(dǎo)線架接線或者引線的模式及數(shù)目相符合的孔洞，如此一來(lái)此封裝才能安裝于表面。因此，個(gè)人計(jì)算機(jī)主機(jī)板(圖中未顯示)需要修正，以適應(yīng)本發(fā)明的源極端101、柵極端102及漏極端103的設(shè)計(jì)。
請(qǐng)參考圖5顯示的另一個(gè)集成電路封裝109的實(shí)施例。圖5所示的實(shí)施例與圖4的實(shí)施例相類似，對(duì)此，只詳盡描述其差別。為排除上述修改個(gè)人計(jì)算機(jī)主機(jī)板連接方式的需要，可分開(kāi)設(shè)置導(dǎo)線架底部111bb及113bb，使其分別地附加于源極端111及漏極端113的底部部分。然而，源極端111及漏極端113的上面部分保持不斷延伸并且基本上固定，如此一來(lái)，對(duì)于源極端111的單一金屬條111ba可從塑料體116的左面放射出去，并且對(duì)于漏極端113的單一金屬條113ba則可從塑料體106的右面放射出去。源極端111包含一“L”形金屬接合區(qū)域111a，其接腳111aa及111ab可熔合至此單一金屬條111ba，并且通過(guò)接合線114接合至晶粒110。
本發(fā)明的另一實(shí)施例如圖6所示。因圖6所示的實(shí)施例與圖4及圖5所述的實(shí)施例相類似，在此，僅詳盡描述其差別。如圖6所示的實(shí)施例，描述一集成電路封裝119，其含一不連續(xù)“L”形狀的接合區(qū)域121a。更特別地是，其“L”形接合區(qū)域121a的第二條接腳由完全沿著晶粒120左面的整個(gè)長(zhǎng)度分布的復(fù)數(shù)個(gè)且分開(kāi)設(shè)置的金屬部分所構(gòu)成。但是，可見(jiàn)第一接腳121aa是連續(xù)的，并且可熔合或者整合于不連續(xù)的第二個(gè)接腳121ab的最高部分。
除此之外，本實(shí)施例中，源極及漏極的外部終端部分可分別包括源極端121及漏極端123的分開(kāi)設(shè)置的導(dǎo)線架接線或者引線121b和123b。第二不連續(xù)接腳121ab的每一金屬部分都以此聯(lián)系向外延伸至塑料體126的分別的導(dǎo)線架接線或者引線121b。在導(dǎo)線架平臺(tái)123a上可設(shè)置此晶粒120。
不連續(xù)第二接腳121ab的每一金屬部分皆通過(guò)接合線124與晶粒120相互連接。
雖然，圖6所示的實(shí)施例提供一不連續(xù)“L”形接合區(qū)域121a，但是，此接合區(qū)域121a的表面積充分增大到超過(guò)在已知技術(shù)中如圖3所示的接合區(qū)域。
繼續(xù)請(qǐng)參考圖7，顯示一雙重晶粒集成電路封裝199。由于本發(fā)明的目的，圖7為一仰視圖來(lái)顯示二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管裝置，雙重晶粒集成電路封裝199中，每一晶粒皆包含其導(dǎo)線架208及218所提供的三個(gè)終端(如源極端201、211，柵極端202、212及漏極端終端設(shè)備203、213)。第一源極端201含一外部導(dǎo)線架終端部分201b及一與外部導(dǎo)線架終端部分201b整合的第一“L”形金屬接合區(qū)域201a。第一源極金屬接合區(qū)域201a通常含有一“L”形覆蓋區(qū)，其包括連接第一晶粒200及第一導(dǎo)線架平臺(tái)203a的一部分最高面(第一個(gè)側(cè)面)的第一個(gè)接腳201aa，和沿著第一晶粒200或者導(dǎo)線架平臺(tái)203a的一部分左面(第二個(gè)側(cè)面)延伸的第二個(gè)接腳201ab。這個(gè)導(dǎo)線204沿著第一晶粒200的最高面及沿著左面均勻地接合。
在此實(shí)施例中，第一晶粒200的柵極接合區(qū)域202a及第二接腳201ab可分享左面。
除此之外，接合線205對(duì)于第一晶粒200與柵極端202之間的相互聯(lián)接來(lái)說(shuō)已足夠。在本實(shí)施例中，在第一晶粒200的底部左邊角落提供了柵極平臺(tái)207。柵極引線202b和212b可分享塑料體206的同一個(gè)左面。
第二源極端211含有一外部導(dǎo)線架終端部分211b及一與外部導(dǎo)線架終端部分211b整合的第二“L”形金屬接合區(qū)域211a。第二源極的金屬接合區(qū)域221a通常含有一個(gè)“L”形覆蓋區(qū)，其包括連接第二晶粒210及第二導(dǎo)線架平臺(tái)213a的一部分最高面(第一個(gè)側(cè)面)的第一個(gè)接腳211aa，和沿著第二晶粒210或者導(dǎo)線架平臺(tái)213a的一部分左面(第二個(gè)側(cè)面)延伸的第二個(gè)接腳211ab。此連接導(dǎo)線214沿著第二晶粒210的最高面及沿著左面均勻地接合。
與第一晶粒200的柵極接合區(qū)域202a類似，其柵極接合區(qū)域212a與第二接腳211ab分享左面。
除此之外，一單一接合線215對(duì)于第二晶粒210與柵極端212之間的相互聯(lián)接來(lái)說(shuō)已足夠。在第二晶粒210的底部左邊角落提供了柵極平臺(tái)217。
在本實(shí)施例中，源極接合區(qū)域201a及211a已增加到超過(guò)已知技術(shù)設(shè)計(jì)的兩倍，如同圖3所示。對(duì)此，本實(shí)施例不僅減少了源極相互聯(lián)接線204和214的阻抗及晶粒200及210的表面?zhèn)鞑プ杩?，也減少了電感效應(yīng)。
第一晶粒200附著在導(dǎo)線架或者銅(控制裝置)平臺(tái)203a，其含有復(fù)數(shù)個(gè)接觸到并且向外面伸展出塑料體206外部的分開(kāi)設(shè)置的漏極引線203b的上面。同樣地，第二晶粒210附著在導(dǎo)線架或者銅(控制裝置)平臺(tái)213a，其含有復(fù)數(shù)個(gè)接觸到并且向外面伸展出塑料體206外部的分開(kāi)設(shè)置的漏極引線213b的上面。
請(qǐng)參考圖8顯示的一多重晶粒半導(dǎo)體封裝299的另一實(shí)施例。如圖8的仰視圖所示，是含有兩個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管裝置的雙重晶粒半導(dǎo)體封裝299。晶粒310含有三個(gè)終端(如源極端312、柵極端305及漏極端313)。晶粒300含有一柵極端303及一漏極端301。晶粒300的源極是通過(guò)接合線302連接至導(dǎo)線架平臺(tái)313a。此雙重晶粒半導(dǎo)體封裝299更包含電子組件320，此電子組件可能是另一晶粒、電阻或電容等等。在本實(shí)施例當(dāng)中，電子組件320是一通過(guò)接合線318結(jié)合至晶粒310的集成電路的晶粒結(jié)構(gòu)。
晶粒310的源極端312含有一外部導(dǎo)線架終端部分或者引線312b及一與外部導(dǎo)線架終端部分或者引線312b整合的一“L”形金屬接合區(qū)域312a。源極金屬接合區(qū)域312a通常含有一個(gè)“L”形覆蓋區(qū)，其包含連接晶粒310及第二導(dǎo)線架平臺(tái)313a的一部分底面(第一個(gè)側(cè)面)的第一個(gè)接腳312aa和沿著晶粒310或是導(dǎo)線架平臺(tái)313a的一部分左面(第二個(gè)側(cè)面)延伸的第二個(gè)接腳312ab。此接合線315沿著晶粒310的底面及左面充分均勻地接合。
在本實(shí)施例中，此接合線302均勻地與晶粒300的底部和與導(dǎo)線架平臺(tái)313a相結(jié)合。
在本實(shí)施例中，第一晶粒300的柵極接合區(qū)域303a通過(guò)接合線304a接合至晶粒300的最高右邊角落的柵極平臺(tái)。第二晶粒310的柵極接合區(qū)域305a通過(guò)接合線307a接合至晶粒310的最高左邊角落的柵極平臺(tái)。
晶粒300的漏極端301包括使漏極引線301b結(jié)合的導(dǎo)線架平臺(tái)301a。晶粒310的漏極端313包含有漏極引線313b。漏極端301及313位于封裝299的對(duì)面。除此之外，柵極端303及305與相應(yīng)的柵極引線303b及305b分別地設(shè)置在封裝299的對(duì)面。
請(qǐng)參考圖9所示，顯示一多晶粒半導(dǎo)體封裝339的一實(shí)施例。在本實(shí)施例中，至少含有三個(gè)有金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管裝置的晶粒結(jié)構(gòu)346a和一集成電路的晶粒354。這三個(gè)晶粒340及晶粒354分享相同的導(dǎo)線架平臺(tái)346a。除此之外，源極端342包含不連續(xù)“L”形狀的接合區(qū)域342a。更特別地是，其“L”形的接合區(qū)域342a的第二接腳由沿著塑料體350最高面的長(zhǎng)度充分地伸展出的第一接腳342aa所構(gòu)成，如此一來(lái)，晶粒340至少含有二個(gè)能夠分享此第一接腳342aa，以連接接合線352及356至其各自的晶粒340。
除此之外，“L”形狀接合區(qū)域342a的第二接腳342ab含有復(fù)數(shù)個(gè)分開(kāi)設(shè)置的金屬部分，其沿著塑料體350左面的整個(gè)長(zhǎng)度分布。但是，可見(jiàn)第一接腳342aa是連續(xù)的，并且可熔合或者整合于不連續(xù)的第二個(gè)接腳342ab的最高部分。第二接腳342ab的復(fù)數(shù)個(gè)分開(kāi)設(shè)置的金屬部分的每一個(gè)部分皆與一源極引線342b與344b接合。
除外，在本實(shí)施例中，漏極端346含有復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線架接線或者引線346b與導(dǎo)線架平臺(tái)346a結(jié)合，并且從塑料體350的右面放射出去。
柵極端348及其引線348b由晶粒340分享。使此柵極的接合區(qū)域348a通過(guò)接合線349與晶粒340的其中的一柵極平臺(tái)相互連接。在本實(shí)施例中，每一晶粒340皆通過(guò)接合線351使兩個(gè)柵極平臺(tái)一起用來(lái)相互連接晶粒340的柵極端。此晶粒354通過(guò)接合線358可連接至晶粒340的最高面直到其左邊及上面。
顯而易見(jiàn)地，圖9的實(shí)施例所提供的“L”形接合區(qū)域沿著塑料體350的最高面的長(zhǎng)度和其左面充分地伸展出去，并由多晶粒結(jié)構(gòu)分享此區(qū)域。因此，在無(wú)損害其聯(lián)機(jī)阻抗及電感參數(shù)的情況下，可產(chǎn)生一更高的密度封裝。
請(qǐng)參考圖10，顯示另一個(gè)多-晶粒半導(dǎo)體封裝358的一實(shí)施例。在本實(shí)施例中，此封裝含有兩個(gè)很靠近的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管裝置360，其含有“L”形的源極端368及372。
此源極端368含有外部導(dǎo)線架終端部分368b及一與外部導(dǎo)線架終端部分368b整合的“L”形金屬接合區(qū)域368a。“L”形金屬接合區(qū)域368a通過(guò)接合線366與晶粒360結(jié)合。另一源極端372含有一外部導(dǎo)線架終端部分372b及一與外部導(dǎo)線架終端部分372b整合的“L”形金屬接合區(qū)域372a。每一“L”形的金屬接合區(qū)域368a及372a皆設(shè)置在塑料體378的相對(duì)角落。在本實(shí)施例中，其可設(shè)置在底部角落。除外，“L”形狀的接合區(qū)域368a的第二接腳368ab含有復(fù)數(shù)個(gè)分開(kāi)設(shè)置的金屬部分，且其充分地沿著塑料體378左面的整個(gè)長(zhǎng)度分布。第二接腳368ab的復(fù)數(shù)個(gè)分開(kāi)設(shè)置的金屬部分的每一個(gè)部分皆含有一已結(jié)合的源極引線368b。同樣地，第二接腳372ab的復(fù)數(shù)個(gè)分開(kāi)設(shè)置的金屬部分的每一個(gè)部分皆含有一已結(jié)合的源極引線372b。此“L”形接合區(qū)域372a通過(guò)接合線374與其晶粒360相結(jié)合。
在本實(shí)施例當(dāng)中，一第一晶粒360的源極引線368b可在塑料體378的對(duì)面以作為第二晶粒360的源極引線372b。此晶粒360可設(shè)置在導(dǎo)線架平臺(tái)376的上面。導(dǎo)線架平臺(tái)376也包含有復(fù)數(shù)個(gè)終端A和一對(duì)終端B的另一個(gè)集成電路的晶粒370。這個(gè)B終端與晶粒360的柵極平臺(tái)結(jié)合。這個(gè)A終端與分布于封裝358對(duì)面的引線362結(jié)合。引線362b結(jié)合至其接合線各自連接至A終端的接合區(qū)域362a。
請(qǐng)參考圖11，顯示一另一雙重-晶粒半導(dǎo)體封裝390的實(shí)施例。封裝390包含二晶粒400，第一個(gè)在導(dǎo)線架平臺(tái)410a上，另一個(gè)在導(dǎo)線架平臺(tái)414a上。導(dǎo)線架平臺(tái)410a有復(fù)數(shù)個(gè)漏極引線410b；并且導(dǎo)線架平臺(tái)414a有復(fù)數(shù)個(gè)漏極引線414b。源極端402及404分別含有“L”形金屬接合區(qū)域402a和404a。當(dāng)其“L”形金屬接合區(qū)域404a設(shè)置在塑料體408的底部左邊角落，“L”形金屬接合區(qū)域402a設(shè)置在塑料體408的頂部左邊角落。使區(qū)域402a可通過(guò)接合線418與最高晶粒400結(jié)合；并且，使區(qū)域404a可通過(guò)接合線416與底部晶粒400相結(jié)合。
在本實(shí)施例中，接腳402aa充分地沿著第一晶粒400最高面的長(zhǎng)度伸展出去；接腳404aa充分地沿著第二晶粒400最底面的長(zhǎng)度伸展出去。
柵極406及412使柵極引線分別地通過(guò)接合線420和424與柵極平臺(tái)結(jié)合。柵極平臺(tái)充分地位于晶粒400一個(gè)側(cè)面的中心。這些柵極引線分別地結(jié)合在源極端402及404的源極引線402b及404b之間。
在本實(shí)施例中，每一晶粒400的左面長(zhǎng)度比晶粒400的頂面和底面更短。由此，“L”形接合區(qū)域402a和404a含有沿著其各自晶粒的左面伸展出去的第二接腳402ab和404ab。
請(qǐng)參考圖12所示，圖12的實(shí)施例不同于圖11，圖12中的晶粒450分享相同的導(dǎo)線架平臺(tái)460a。由此，漏極端460的漏極引線終端460b可沿著封裝440的塑料體458的一個(gè)側(cè)面分布。
請(qǐng)參考圖13所示，是一單一晶粒結(jié)構(gòu)封裝498。晶粒結(jié)構(gòu)封裝498包含一配置于導(dǎo)線架平臺(tái)510a上的晶粒500，其中導(dǎo)線架平臺(tái)510a包含復(fù)數(shù)個(gè)漏極引線510b，而構(gòu)成漏極510。晶粒500含有分別包括二個(gè)“L”形的金屬接合區(qū)域502a和504a的一源極端。當(dāng)“L”形金屬接合區(qū)域504a設(shè)置在底部左邊角落時(shí)，此“L”形金屬接合區(qū)域02a可設(shè)置在塑料體508頂部左邊角落。第二接腳502ab含有復(fù)數(shù)個(gè)金屬部分。“L”形金屬接合區(qū)域502a的第一接腳502aa及第二接腳502ab沿著此晶粒結(jié)構(gòu)的最高面和左面通過(guò)接合線518與晶粒500的頂部結(jié)合。“L”形的金屬接合區(qū)域504a的第一接腳504aa和第二接腳504ab沿著這個(gè)晶粒結(jié)構(gòu)的最底面和左面通過(guò)接合線516與晶粒500的頂部結(jié)合。
請(qǐng)參考圖14所示，圖14的封裝530不同于圖13中的源極端542及544，圖14中的源極端分別包括一個(gè)頂部“J”形和一個(gè)底部“C”形金屬接合區(qū)域542a和544a?！癑”形的金屬接合區(qū)域542a包含有從塑料體548的對(duì)面放射出的全然相反對(duì)應(yīng)引線542b的頂部“C”形的金屬接合區(qū)域。“C”形的金屬接合區(qū)域542a包含有一單一連續(xù)最高區(qū)域542aa與垂直地整合于連續(xù)區(qū)域542aa兩個(gè)末端側(cè)面區(qū)域542ab。分別在左面和右面設(shè)置了側(cè)面區(qū)域542ab?！癑”形金屬接合區(qū)域542a更包括一沿著塑料體548的左面伸展出去的金屬接合區(qū)域556。金屬接合區(qū)域556使源極引線542b在那里結(jié)合。使“J”形的金屬接合區(qū)域542a通過(guò)均勻分布于最高面和左右二面的最高部分的接合線558與晶粒540的頂部相結(jié)合。
“C”形的金屬接合區(qū)域544a包含有一單一連續(xù)底部區(qū)域544aa和垂直地整合于連續(xù)區(qū)域544aa的兩個(gè)末端側(cè)面區(qū)域544ab。側(cè)面區(qū)域544ab在塑料體548的左面和右面全然相反地的相對(duì)。使“C”形金屬接合區(qū)域544a通過(guò)均勻分布于底面和左右二面的底面部分的接合線546與晶粒540的底部相結(jié)合。
封裝530更包括一位于導(dǎo)線架平臺(tái)550a的電子組件554，如一半導(dǎo)體晶粒結(jié)構(gòu)、電阻或是電容等等。在本實(shí)施例中，電子組件554的晶粒結(jié)構(gòu)通過(guò)接合線560結(jié)合至晶粒結(jié)構(gòu)540的最高表面。
漏極端550包含有復(fù)數(shù)個(gè)置于最高源極引線542b及底部源極引線544b之間的漏極引線550b，其位于塑料體548的右面上。柵極端552，更特別地，其柵極引線552b設(shè)置在“J”形金屬接合區(qū)域542a和“C”形金屬接合區(qū)域544a之間的塑料體548的左面。使這個(gè)柵極接合區(qū)域552a可通過(guò)接合線557與一柵極平臺(tái)相結(jié)合。
請(qǐng)參考圖15所示，封裝570包含有一個(gè)由一單一的“J”形金屬接合區(qū)域582a構(gòu)成的源極端582?！癑”形金屬接合區(qū)域582a包含有一個(gè)頂部“C”形的金屬接合區(qū)域，其含有二對(duì)從塑料體586對(duì)面放射出的全然相反的對(duì)應(yīng)引線582b。此“C”形金屬接合區(qū)域582a可包含一單一連續(xù)頂部區(qū)域582aa與垂直地整合于連續(xù)區(qū)域582aa對(duì)面的兩個(gè)末端側(cè)面區(qū)域582ab。側(cè)面區(qū)域582ab分別設(shè)置在左面和右面，但是，其并不直接連接至連續(xù)區(qū)域582aa。取而代之的是，其側(cè)面區(qū)域582ab于最高左邊和右邊的角落附近是不連續(xù)的?！癑”形金屬接合區(qū)域582a更包括一沿著左面區(qū)域582ab下面的塑料體586的左面伸展出去的金屬接合區(qū)域584。金屬接合區(qū)域556使源極引線582b在那里結(jié)合。使“J”形金屬接合區(qū)域582a通過(guò)均勻分布于最高面和左右二面的最高部分的接合線588與晶粒580的頂部相結(jié)合。
晶粒580設(shè)置于導(dǎo)線架平臺(tái)590上并且有著從塑料體586的右邊放射出去的漏極引線590b以形成漏極端590。漏極引線590b與源極端582的引線582b可分享右面。柵極終端592可設(shè)置在封裝570的底部左邊角落。使柵極的接合區(qū)域通過(guò)接合線554a與晶粒580結(jié)合，并且包含有柵極引線592b。顯而易見(jiàn)地，漏極端590的漏極引線590b的數(shù)目已減少了，而源極端已增加了，如此一來(lái)，就有其源極引線582b在塑料體586的二面上。
封裝570進(jìn)一步包含有通過(guò)接合線598與晶粒結(jié)構(gòu)580的頂部結(jié)合的電子組件594。
請(qǐng)參考圖16所示，封裝599與圖9的封裝339相類似。圖16所示的實(shí)施例不同于圖9的是，其源極端602的“L”形金屬接合區(qū)域602a，含有二組從封裝599的左右二邊放射出的全然相反對(duì)應(yīng)引線602b。源極引線602b由此相對(duì)的末端的第一接腳602aa伸展出去。
請(qǐng)參考圖17，除了此封裝增加一倍以外，封裝747與圖14相類似。在本實(shí)施例中，最高晶粒750含有頂部“J”形金屬接合區(qū)域752a及底部“C”形金屬接合區(qū)域754。
底部晶粒750含有一底部“C”形金屬接合區(qū)域760及一頂部“J”形金屬接合區(qū)域756。此二個(gè)“C”與“J”形的金屬接合區(qū)域754及756，因其彼此很緊密地靠近，故可一起充分地熔合以造成一個(gè)大體上在中心的“I”形的金屬接合區(qū)域777。此中心可分別穿過(guò)金屬接合區(qū)域777接合線780和785直到晶粒750的頂部和底部。
請(qǐng)參考圖18，此封裝818分別包含兩個(gè)晶粒800a與800b及兩個(gè)設(shè)置在導(dǎo)線架平臺(tái)820a與830a上的電子組件802a與802b，其中該電子組件可以為半導(dǎo)體晶粒、電容、晶體管等等。在本實(shí)施例中，電子組件802a與802b通過(guò)接合線814各自與晶粒800a與800b結(jié)合連接。
晶粒800a的源極端804包含有源極引線804b與一金屬接合區(qū)域804a，其大致上延伸如晶粒800a的長(zhǎng)度。同樣地，晶粒800b的源極端808包含有源極引線808b與一金屬接合區(qū)域808a，其大致上延伸如晶粒800a的長(zhǎng)度。
晶粒800a的柵極端806包含有柵極引線806b，其中該柵極引線806b與源極引線804b彼此間互相平行。柵極金屬接合區(qū)域806a與部分金屬接合區(qū)域804a平行。柵極金屬接合區(qū)域806a通過(guò)接合線824接合于柵極平臺(tái)。在本實(shí)施例中，柵極平臺(tái)接合于晶粒800a右側(cè)較低的角落。同樣地，晶粒800b的柵極端810有一柵極引線810b與源極引線808b平行。柵極金屬接合區(qū)域810a與部分金屬接合區(qū)域808a平行。柵極金屬接合區(qū)域810a通過(guò)接合線824接合位于晶粒800a右側(cè)較低的角落柵極平臺(tái)。
漏極820與830包含漏極引線820b與830b，而該漏極引線各自接合于導(dǎo)線架平臺(tái)820a與830a。
請(qǐng)參考圖19，為半導(dǎo)體封裝888的俯視圖，為一單一晶粒依照本發(fā)明的第16實(shí)施例更具體化的設(shè)計(jì)。此封裝888不同與先前設(shè)計(jì)的是，源極端844包含數(shù)個(gè)各自連接至金屬接合區(qū)域844a、846a與848a的引線844b、846b與848b。金屬接合區(qū)域844a與848a沿著晶粒840的長(zhǎng)度延展，并且通過(guò)接合線856接合于晶粒840上。源極引線846b位于引線844b與848b之間。然而，金屬接合區(qū)域846a至少與金屬接合區(qū)域844a與848a中的一部分平行。同樣地，金屬接合區(qū)域846a通過(guò)接合線856接合于晶粒840上。在塑料體866內(nèi)部，晶粒840的尺寸沿著源極面減小。根據(jù)上述情況，源極覆蓋的金屬接合區(qū)域(區(qū)域844a、846a與848a)的尺寸是增加的。
柵極端850的柵極引線850b與源極引線844b、846b及848b平行。柵極金屬接合區(qū)域850a通過(guò)接合線864接合于柵極平臺(tái)。在本實(shí)施例中，柵極平臺(tái)接合于晶粒840底部面中央的位置。
該漏極端880包含復(fù)數(shù)個(gè)漏極引線880b，其中該漏極引線880b接合于導(dǎo)線架平臺(tái)880a。
綜上所述，雖然本發(fā)明僅已一較佳實(shí)施例描述如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種修改與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書所限定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體集成電路封裝，其包含一晶粒結(jié)構(gòu)，包含一集成電路；以及一導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架包含有一個(gè)設(shè)置于此晶粒結(jié)構(gòu)下的一導(dǎo)線架平臺(tái)，和一金屬接合區(qū)域，該金屬接合區(qū)域含有一沿著晶粒結(jié)構(gòu)的第一面的一部分長(zhǎng)度分布的第一部分，和一沿著晶粒結(jié)構(gòu)的第二面的實(shí)質(zhì)長(zhǎng)度分布的第二部分。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝，其進(jìn)一步包含復(fù)數(shù)個(gè)沿該晶粒結(jié)構(gòu)的第一面及第二面分布的接合線，該接合線可沿著與該晶粒結(jié)構(gòu)相互連接的金屬接合區(qū)域內(nèi)的第一及第二部分分布并且與其結(jié)合。
3.如權(quán)利要求1所述的封裝，其進(jìn)一步包含一塑料體，其是圍繞晶粒結(jié)構(gòu)，及至少一部分的導(dǎo)線架而成型；以及一第一單一連續(xù)外部導(dǎo)線架細(xì)條，其是位于該塑料體外部并且從該金屬接合區(qū)域的第二部分放射出來(lái)。
4.如權(quán)利要求1所述的封裝，其進(jìn)一步包含一第二單一連續(xù)外部導(dǎo)線架細(xì)條，其是位于該塑料體外部并且從該導(dǎo)線架平臺(tái)放射出來(lái)。
5.如權(quán)利要求4所述的封裝，其中所述的集成電路是一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管裝置；所述的第一單一連續(xù)外部導(dǎo)線架細(xì)條是一源極端；以及所述的第二單一連續(xù)外部導(dǎo)線架細(xì)條是一漏極端。
6.如權(quán)利要求5所述的封裝，其中，所述的導(dǎo)線架進(jìn)一步包含一柵極端，包含一沿著晶粒結(jié)構(gòu)的第三面的一部分長(zhǎng)度分布的柵極金屬接合區(qū)域，所述的第三面是鄰接第二面的；以及一導(dǎo)線架引線，其位于塑料體外部；以及一柵極平臺(tái)，其結(jié)合至晶粒結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求6所述的封裝，其中，所述的柵極平臺(tái)是充分地結(jié)合于該晶粒結(jié)構(gòu)的第三面的中心。
8.如權(quán)利要求4所述的封裝，其中，所述的第一和第二單一連續(xù)外部導(dǎo)線架細(xì)條上結(jié)合有復(fù)數(shù)個(gè)分開(kāi)設(shè)置的導(dǎo)線架接腳。
9.如權(quán)利要求1所述的封裝，其進(jìn)一步包含一塑料體，其是圍繞晶粒結(jié)構(gòu)，及至少一部分的導(dǎo)線架而成型；一第一復(fù)數(shù)個(gè)外部導(dǎo)線架引線，其位于該塑料體外部，并且由金屬接合區(qū)域的第二部分放射出來(lái)；以及一第二復(fù)數(shù)個(gè)外部導(dǎo)線架引線，其位于該塑料體外部，并且從導(dǎo)線架平臺(tái)放射出來(lái)。
10.如權(quán)利要求1所述的封裝，其進(jìn)一步包含一第二晶粒結(jié)構(gòu)，包含有一第二集成電路；以及一第二導(dǎo)線架，包含有一設(shè)置于該第二晶粒結(jié)構(gòu)下的第二導(dǎo)線架平臺(tái)，和一第二金屬接合區(qū)域，該第二金屬接合區(qū)域含有一沿著第二晶粒結(jié)構(gòu)的第一面的一部分長(zhǎng)度分布的第一部分，和一沿著第二晶粒結(jié)構(gòu)的第二面的一部分長(zhǎng)度分布的第二部分。
11.如權(quán)利要求10所述的封裝，其中，所述的導(dǎo)線架及第二導(dǎo)線架分別還包含一柵極端，含有一沿著該第二晶粒結(jié)構(gòu)的余下部分長(zhǎng)度分布的柵極金屬接合區(qū)域；以及一導(dǎo)線架引線，其位于塑料體外部，以及進(jìn)一步還包含一第一柵極平臺(tái)，其結(jié)合至所述晶粒結(jié)構(gòu)的一個(gè)角落；以及一第二柵極平臺(tái)，其結(jié)合至所述晶粒結(jié)構(gòu)的一個(gè)角落。
12.如權(quán)利要求1所述的封裝，其中，所述的第二部分是在不連續(xù)部分內(nèi)沿著晶粒結(jié)構(gòu)第二面的全部長(zhǎng)度而分布。
13.如權(quán)利要求1所述的封裝，其中，所述的金屬接合區(qū)域在頂部角落附近是“L”形的。
14.如權(quán)利要求1所述的封裝，其中，所述的金屬接合區(qū)域包含二個(gè)“L”形的區(qū)域，一個(gè)在頂部角落附近，另一個(gè)在底部角落附近。
15.如權(quán)利要求1所述的封裝，其中，所述的金屬接合區(qū)域在位于晶粒結(jié)構(gòu)的頂部末端附近是“J”形的。
16.如權(quán)利要求17所述的封裝，其中，所述的金屬接合區(qū)域在位于晶粒結(jié)構(gòu)的底部末端還包含一“C”形區(qū)域。
17.如權(quán)利要求1所述的封裝，其中，所述的金屬接合區(qū)域是“J”形的。
18.如權(quán)利要求1所述的封裝，其進(jìn)一步包含一第二晶粒結(jié)構(gòu)，整合于該導(dǎo)線架平臺(tái)上并與所述晶粒結(jié)構(gòu)平行分開(kāi)；一第二金屬接合區(qū)域，其中，所述金屬接合區(qū)域包含一個(gè)分布于晶粒結(jié)構(gòu)的二相鄰面附近的第一“L”形金屬接合區(qū)域，并且所述第二金屬接合區(qū)域包含一個(gè)分布于第二晶粒結(jié)構(gòu)的二相鄰面附近的第二“L”形金屬接合區(qū)域。
19.如權(quán)利要求18所述的封裝，進(jìn)一步包含一電子組件，其整合于所述導(dǎo)線架平臺(tái)上，并且結(jié)合至晶粒結(jié)構(gòu)和第二晶粒結(jié)構(gòu)。
20.如權(quán)利要求18所述的封裝，其中，所述的晶粒結(jié)構(gòu)的二相鄰面包含一頂面和一左面，并且該第二晶粒結(jié)構(gòu)的二相鄰面包括一底面和一左面。
21.如權(quán)利要求18所述的封裝，其中，所述的晶粒結(jié)構(gòu)的二相鄰面包含一底面和一左面，并且所述的第二晶粒結(jié)構(gòu)的二相鄰面包括一底面和一右面。
22.如權(quán)利要求18所述的封裝，其進(jìn)一步包含一電子組件或設(shè)置于導(dǎo)線架平臺(tái)上的一第三晶粒結(jié)構(gòu)。
23.如權(quán)利要求1所述的封裝，其進(jìn)一步包含至少一個(gè)其它的設(shè)置于導(dǎo)線架平臺(tái)上的晶粒結(jié)構(gòu)；其中，所述的金屬接合區(qū)域包括一分布于封裝體的二相鄰面附近的“L”形金屬接合區(qū)域，其內(nèi)部的接合線連接至該“L”形金屬接合區(qū)域和該晶粒結(jié)構(gòu)及至少該其他晶粒結(jié)構(gòu)的頂部表面。
24.如權(quán)利要求1所述的封裝，其進(jìn)一步包含一第二晶粒結(jié)構(gòu)；一第二導(dǎo)線架平臺(tái)，含設(shè)置于其上的該第二晶粒結(jié)構(gòu)，其中該第二晶粒結(jié)構(gòu)設(shè)置于該晶粒結(jié)構(gòu)之下；以及一第二金屬接合區(qū)域；其中，所述金屬接合區(qū)域包含一分布于該晶粒結(jié)構(gòu)的頂部末端附近的頂部“J”形金屬接合區(qū)域，和一圍繞該晶粒結(jié)構(gòu)的底部末端及該第二晶粒結(jié)構(gòu)的頂部末端中心的“I”形金屬接合區(qū)域；以及其中所述第二金屬接合區(qū)域包括一分布于該第二晶粒結(jié)構(gòu)的底部末端附近的底部“C”形金屬接合區(qū)域。
25.如權(quán)利要求24所述的封裝，其進(jìn)一步包含一電子組件或設(shè)置于導(dǎo)線架平臺(tái)上并且結(jié)合至晶粒結(jié)構(gòu)的一晶粒結(jié)構(gòu)。
26.如權(quán)利要求24所述的封裝，其進(jìn)一步包含一第二電子組件或設(shè)置于該第二導(dǎo)線架平臺(tái)上并且結(jié)合至該第二晶粒結(jié)構(gòu)的一晶粒結(jié)構(gòu)。
27.一種減少半導(dǎo)體集成電路封裝中電阻和電感的方法，其包含以下步驟減少一晶粒結(jié)構(gòu)的尺寸及至少減少導(dǎo)線架平臺(tái)的一個(gè)角落；增加該晶粒結(jié)構(gòu)至少兩鄰近面的金屬接合區(qū)域分布區(qū)域長(zhǎng)度，此時(shí)該導(dǎo)線架平臺(tái)被減少；以及增加介于該金屬接合區(qū)域和該晶粒結(jié)構(gòu)之間的接合線相互連接的數(shù)目，以減少電阻及電感。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述的接合線的增加步驟是增加接合線的數(shù)目，并沒(méi)有減少相鄰接合線之間的距離。
29.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述的分布增加的步驟包括下列步驟形成一在所述晶粒結(jié)構(gòu)的頂部角落附近的“L”形金屬接合區(qū)域。
30.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述的分布增加的步驟包括下列步驟形成二個(gè)“L”形的金屬接合區(qū)域，一個(gè)位于該晶粒結(jié)構(gòu)的頂部角落附近，另一個(gè)位于該晶粒結(jié)構(gòu)的底部角落附近。
31.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述的分布增加的步驟包括下列步驟形成一在所述晶粒結(jié)構(gòu)的頂部末端附近的“J”形金屬接合區(qū)域。
32.如權(quán)利要求31所述的方法，其中，所述的分布增加的步驟包括下列步驟形成一在所述晶粒結(jié)構(gòu)底部末端的“C”形金屬接合區(qū)域。
33.如權(quán)利要求27所述的方法，還包含下列步驟形成一第一單一連續(xù)外部導(dǎo)線架終端細(xì)條，其位于該封裝的塑料體外部，并且與所述金屬接合區(qū)域整合，以減少外部終端阻抗，并增進(jìn)散熱。
34.如權(quán)利要求33所述的方法，還包含下列步驟形成一第二單一連續(xù)外部導(dǎo)線架終端細(xì)條，其位于該塑料體外部，并且與設(shè)置于所述晶粒結(jié)構(gòu)下的導(dǎo)線架平臺(tái)整合，以減少外部終端阻抗，并增進(jìn)散熱。
35.如權(quán)利要求34所述的方法，其中所述晶粒結(jié)構(gòu)是一個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管裝置；所述第一單一連續(xù)外部導(dǎo)線架終端細(xì)條是一源極端；以及所述第二單一連續(xù)外部導(dǎo)線架終端細(xì)條是一漏極端。
36.如權(quán)利要求35所述的方法，還包含下列步驟形成一柵極端，其含有一個(gè)沿著所述晶粒結(jié)構(gòu)第三面的一部分長(zhǎng)度分布的柵極金屬接合區(qū)域；形成一導(dǎo)線架引線，其位于塑料體外部；以及放置一柵極平臺(tái)于所述晶粒結(jié)構(gòu)底面中心附近。
37.如權(quán)利要求27所述的方法，還包含下列步驟增加與所述晶粒結(jié)構(gòu)鄰近的第二晶粒結(jié)構(gòu)的二鄰近面周圍的第二金屬接合區(qū)域長(zhǎng)度的分布；以及增加介于該第二金屬接合區(qū)域和該第二晶粒結(jié)構(gòu)之間的接合線相互連接的數(shù)目，以減少電阻和電感。
38.如權(quán)利要求37所述的方法，其中，所述的金屬接合區(qū)域和所述的第二金屬接合區(qū)域是“L”形狀。
39.如權(quán)利要求37所述的方法，還包含下列步驟設(shè)置第二晶粒結(jié)構(gòu)于所述導(dǎo)線架平臺(tái)上，并與所述晶粒結(jié)構(gòu)平行分開(kāi)；其中所述金屬接合區(qū)域的分布增加步驟包含形成一個(gè)分布于該晶粒結(jié)構(gòu)的二相鄰面附近的第一“L”形金屬接合區(qū)域；以及其中所述第二金屬接合區(qū)域的分布增加步驟包含形成一個(gè)分布于該第二晶粒結(jié)構(gòu)的二相鄰面附近的第二“L”形金屬接合區(qū)域。
40.如權(quán)利要求39所述的方法，還包含下列步驟設(shè)置一電子組件于該導(dǎo)線架平臺(tái)上；以及結(jié)合該電子組件至所述晶粒結(jié)構(gòu)及所述第二晶粒結(jié)構(gòu)。
41.如權(quán)利要求39所述的方法，其中，所述的晶粒結(jié)構(gòu)的二相鄰面包含一頂面和一左面，且該第二晶粒結(jié)構(gòu)的二相鄰面包括一底面和一左面。
42.如權(quán)利要求39所述的方法，其中，所述的晶粒結(jié)構(gòu)的二相鄰面包括一底面和一左面，且該第二晶粒結(jié)構(gòu)的二相鄰面包括一底面和一右面。
43.如權(quán)利要求39所述的方法，還包含一電子組件或設(shè)置于該導(dǎo)線架平臺(tái)上的一第三晶粒結(jié)構(gòu)。
44.如權(quán)利要求1所述的方法，還包含下列步驟設(shè)置至少一個(gè)其它晶粒結(jié)構(gòu)于該導(dǎo)線架平臺(tái)上；其中所述的金屬接合區(qū)域包括一分布于封裝體的二相鄰面附近的“L”形金屬接合區(qū)域，其內(nèi)部的接合線連接至該“L”形金屬接合區(qū)域和上述晶粒結(jié)構(gòu)及上述至少一個(gè)其它晶粒結(jié)構(gòu)的頂部表面。
45.如權(quán)利要求27所述的方法，還包含下列步驟設(shè)置一第二晶粒結(jié)構(gòu)于一第二導(dǎo)線架平臺(tái)上，其中該第二晶粒結(jié)構(gòu)是設(shè)置于該晶粒結(jié)構(gòu)下的；以及形成一第二金屬接合區(qū)域；其中所述的金屬接合區(qū)域包含一分布于所述晶粒結(jié)構(gòu)的頂面末端附近的頂部“J”形金屬接合區(qū)域，和一毗鄰該晶粒結(jié)構(gòu)的底部末端及該第二晶粒結(jié)構(gòu)的頂部末端的中心“I”形金屬接合區(qū)域；其中所述的第二金屬接合區(qū)域包括一分布于該第二晶粒結(jié)構(gòu)的底部末端附近的底部“C”形金屬接合區(qū)域。
46.如權(quán)利要求45所述的方法，還包含下列步驟設(shè)置一電子組件或一晶粒結(jié)構(gòu)于該導(dǎo)線架平臺(tái)上，并且結(jié)合至所述晶粒結(jié)構(gòu)。
47.如權(quán)利要求46所述的方法，還包含下列步驟設(shè)置一第二電子組件或一晶粒結(jié)構(gòu)于該第二導(dǎo)線架平臺(tái)上，并且結(jié)合至所述第二晶粒結(jié)構(gòu)。
48.如權(quán)利要求27所述的方法，還包含下列步驟形成一有第一復(fù)數(shù)個(gè)分開(kāi)設(shè)置底部的第一單一連續(xù)外部導(dǎo)線架終端細(xì)條，其位于這個(gè)封裝的塑料體外部，其中該第一單一連續(xù)外部導(dǎo)線架終端細(xì)條系與該金屬接合區(qū)域整合，以減少外部終端阻抗，并增進(jìn)散熱；以及，形成一有第二復(fù)數(shù)個(gè)分開(kāi)設(shè)置底部的第二單一連續(xù)外部導(dǎo)線架終端細(xì)條，其位于塑料體外部，其中該第二單一連續(xù)外部導(dǎo)線架終端細(xì)條與設(shè)置于該晶粒架構(gòu)下的導(dǎo)線架平臺(tái)整合，以減少外部終端阻抗。并增進(jìn)散熱。
49.如權(quán)利要求27所述的方法，還包含下列步驟沿著所述二相鄰面分布介于該金屬接合區(qū)域和晶粒結(jié)構(gòu)之間的接合線相互連接。
50.一種半導(dǎo)體集成電路封裝，其包含一晶粒結(jié)構(gòu)，包含一集成電路；以及一導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架包含有一個(gè)設(shè)置于該晶粒結(jié)構(gòu)下的一導(dǎo)線架平臺(tái)，和一使一平行區(qū)域沿著該晶粒結(jié)構(gòu)的第一面的一部分長(zhǎng)度分布的金屬接合區(qū)域，且每一平行區(qū)域上有接合引線。
51.如權(quán)利要求50所述的封裝，進(jìn)一步包含所述的金屬接合區(qū)域的平行區(qū)域和所述晶粒結(jié)構(gòu)之間有接合線相互連接。
52.如權(quán)利要求50所述的封裝，其中，所述的晶粒結(jié)構(gòu)為一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管裝置；所述的金屬接合區(qū)域?yàn)橐辉礃O金屬接合區(qū)域；且更包含一柵極結(jié)構(gòu)，該柵極結(jié)構(gòu)包含一與該源極金屬接合區(qū)域平行的金屬接合區(qū)域與一接合線，該接合線連接所述晶粒結(jié)構(gòu)上的柵極平臺(tái)。
53.如權(quán)利要求50所述的封裝，其中，進(jìn)一步包含一第二晶粒結(jié)構(gòu)；一導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架包含有一個(gè)設(shè)置于該第二晶粒結(jié)構(gòu)下的一導(dǎo)線架平臺(tái)，和一使一平行區(qū)域沿著該第二晶粒結(jié)構(gòu)的第一面的一部分長(zhǎng)度分布的金屬接合區(qū)域，且每一平行區(qū)域有引線接合至此。
54.如權(quán)利要求53所述的封裝，其中，所述的平行區(qū)域包含一柵極金屬接合區(qū)域和一源極金屬接合區(qū)域。
全文摘要
一種半導(dǎo)體集成電路的封裝，包含一導(dǎo)線架(108)，該導(dǎo)線架(108)包含一設(shè)置于晶粒(100)下的導(dǎo)線架平臺(tái)(103a)及一設(shè)置于該晶粒中至少兩個(gè)鄰近側(cè)面的接合金屬區(qū)域(101a)。此接合金屬區(qū)域(101a)的增加會(huì)增加此金屬區(qū)域(101a)和晶粒(100)之間相互連接的數(shù)目，以減少電阻和電感。此外，如果從封裝的塑料殼體(106)伸展出的外部終端設(shè)備的表面區(qū)域在未達(dá)到最大值時(shí)繼續(xù)增加，就能夠更快速進(jìn)行散熱并且減少外部終端阻力。此集成電路適用于MOSFET裝置，并且將上述接合金屬區(qū)域(101a)作為源極(101)。該接合金屬區(qū)域可以是“L”形狀、“C”形狀、“J”形狀、“I”形狀，或者是上述形狀的任何組合。
文檔編號(hào)H01L23/50GK1839471SQ03826785
公開(kāi)日2006年9月27日 申請(qǐng)日期2003年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月14日
發(fā)明者羅禮雄, 安荷·叭剌, 何約瑟, 雷燮光, 張復(fù)興 申請(qǐng)人:萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體股份有限公司