專利名稱:一種無金屬電極的led芯片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種無金屬電極的LED芯片，包括襯底、依序覆蓋在所述襯底上的N型GaN層、發(fā)光層、P型GaN層、設(shè)置在N型GaN層上的N電極透明導(dǎo)電層以及設(shè)置在P型GaN層上的P電極透明導(dǎo)電層。本實(shí)用新型的有益效果在于：LED芯片的導(dǎo)電電極采用具有導(dǎo)電透光性的氧化銦錫或氧化銻錫材料，能夠有效地代替?zhèn)鹘y(tǒng)的金屬電極，具有良好的附著性和導(dǎo)電性，不會有氧化脫落的現(xiàn)象；具有較高的透光性，不會遮擋光源；電極通過真空鍍膜或?qū)щ娔z印制線路導(dǎo)通外部電路，快速有效，一次真空鍍膜或印刷便能導(dǎo)通電路，提高了LED光源的生產(chǎn)加工效率；可以減少焊線工藝，減少環(huán)境的污染。
【專利說明】一種無金屬電極的LED芯片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及LED芯片領(lǐng)域，尤指一種無金屬電極的LED芯片。

【背景技術(shù)】
[0002]LED (Lighting Emitting D1de)即發(fā)光二極管，是一種半導(dǎo)體固體發(fā)光器件。當(dāng)前節(jié)能環(huán)保是全球重要問題，低碳生活逐漸深入人心。在照明領(lǐng)域，功率LED發(fā)光產(chǎn)品的應(yīng)用正吸引著世人的目光，二十一世紀(jì)將進(jìn)入以LED為代表的新型照明光源時(shí)代。LED具有節(jié)能、環(huán)保、壽命長、結(jié)構(gòu)牢固，響應(yīng)時(shí)間快等特點(diǎn)，可以廣泛應(yīng)用于各種普通照明、背光源、顯示，指示和城市夜景等領(lǐng)域。
[0003]傳統(tǒng)的LED芯片的導(dǎo)通線路P、N電極一般是金屬的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)主要用于焊線，將芯片和外部導(dǎo)通線路連通，該結(jié)構(gòu)的材料通常是金、銀、銅、錫；上述結(jié)構(gòu)存在以下缺點(diǎn):
1.金屬電極材料極易氧化，造成焊線不良或者無法焊線，導(dǎo)致LED芯片作廢；2.金屬電極材料不具透光性，遮擋了部分光源，影響發(fā)光效率；3.金屬電極材料僅能通過焊線導(dǎo)通外部電路，加工效率慢，不利于工業(yè)化生產(chǎn)；4.焊線工藝產(chǎn)生環(huán)境污染，危害人體健康。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]為解決上述問題，本實(shí)用新型提供一種加工簡易、加工速度快且穩(wěn)定并可實(shí)現(xiàn)同步多線印制外部導(dǎo)通電路的無金屬電極的LED芯片。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:一種無金屬電極的LED芯片，包括襯底、依序覆蓋在所述襯底上的N型GaN層、發(fā)光層、P型GaN層、設(shè)置在N型GaN層上的N電極透明導(dǎo)電層以及設(shè)置在P型GaN層上的P電極透明導(dǎo)電層。
[0006]其中，所述N電極透明導(dǎo)電層和P電極透明導(dǎo)電層為氧化銦錫或氧化銻錫電極。
[0007]其中，所述N電極透明導(dǎo)電層和P電極透明導(dǎo)電層通過真空鍍膜的方式分別固定連接在所述N型GaN層和P型GaN層上。
[0008]其中，所述N電極透明導(dǎo)電層和P電極透明導(dǎo)電層利用真空鍍膜或?qū)щ娔z印制線路導(dǎo)通外部電路。
[0009]其中，所述襯底為藍(lán)寶石、硅或碳化硅。
[0010]本實(shí)用新型的有益效果在于:LED芯片的導(dǎo)電電極采用具有導(dǎo)電透光性的氧化銦錫或氧化銻錫材料，能夠有效地代替?zhèn)鹘y(tǒng)的金屬電極，具有良好的附著性和導(dǎo)電性，不會有氧化脫落的現(xiàn)象；具有較高的透光性，不會遮擋光源；電極通過真空鍍膜或?qū)щ娔z印制線路導(dǎo)通外部電路，快速有效，一次印刷便能導(dǎo)通電路，提高了 LED光源的生產(chǎn)加工效率；可以減少焊線工藝，減少環(huán)境的污染。

【附圖說明】

[0011]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0012]請參閱圖1所示，本實(shí)用新型關(guān)于一種無金屬電極的LED芯片，包括襯底1、依序覆蓋在所述襯底上的N型GaN層2、發(fā)光層3、P型GaN層4、設(shè)置在N型GaN層2上的N電極透明導(dǎo)電層21以及設(shè)置在P型GaN層4上的P電極透明導(dǎo)電層41。
[0013]具體地，所述N電極透明導(dǎo)電層21和P電極透明導(dǎo)電層41為氧化銦錫或氧化銻錫電極。N電極透明導(dǎo)電層21和P電極透明導(dǎo)電層41采用ITO (氧化銦錫)鍍膜或ATO (氧化銻錫)鍍膜具有良好的導(dǎo)電性、透光性、附著性，能夠有效地解決傳統(tǒng)金屬電極易氧化脫落、不透光等問題，增強(qiáng)LED芯片的性能具體地，所述N電極透明導(dǎo)電層21和P電極透明導(dǎo)電層41通過真空鍍膜的方式固定連接在所述P型GaN層4和N型GaN層2上。
[0014]采用上述技術(shù)方案，能夠增N電極透明導(dǎo)電層21和P電極透明導(dǎo)電層41的附著性能，防止其脫落。
[0015]具體地，所述N電極透明導(dǎo)電層21和P電極透明導(dǎo)電層41利用導(dǎo)電膠印制線路導(dǎo)通外部電路。
[0016]采用上述技術(shù)方案，N電極透明導(dǎo)電層21和P電極透明導(dǎo)電層41通過導(dǎo)電膠印制線路導(dǎo)通外部電路，快速有效，一次印刷便能導(dǎo)通電路，提高了 LED光源的生產(chǎn)加工效率。具體導(dǎo)通外部電路的方式如下:利用印刷機(jī)將導(dǎo)電膠印刷在各LED芯片的電極上和導(dǎo)通外部電路的引線上，再將所述導(dǎo)電膠固化即可。
[0017]具體地，所述襯底I為藍(lán)寶石、硅或碳化硅。
[0018]本實(shí)用新型的有益效果在于:LED芯片的導(dǎo)電電極采用具有導(dǎo)電透光性的氧化銦錫或氧化銻錫材料，能夠有效地代替?zhèn)鹘y(tǒng)的金屬電極，具有良好的附著性和導(dǎo)電性，不會有氧化脫落的現(xiàn)象；具有較高的透光性，不會遮擋光源；電極通過真空鍍膜或?qū)щ娔z印制線路導(dǎo)通外部電路，快速有效，一次印刷便能導(dǎo)通電路，提高了 LED光源的生產(chǎn)加工效率；可以減少焊線工藝，減少環(huán)境的污染。
[0019]以上實(shí)施方式僅僅是對本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行描述，并非對本實(shí)用新型的范圍進(jìn)行限定，在不脫離本實(shí)用新型設(shè)計(jì)精神的前提下，本領(lǐng)域普通工程技術(shù)人員對本實(shí)用新型的技術(shù)方案作出的各種變形和改進(jìn)，均應(yīng)落入本實(shí)用新型的權(quán)利要求書確定的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種無金屬電極的LED芯片，其特征在于，包括襯底、依序覆蓋在所述襯底上的N型GaN層、發(fā)光層、P型GaN層、設(shè)置在N型GaN層上的N電極透明導(dǎo)電層以及設(shè)置在P型GaN層上的P電極透明導(dǎo)電層，所述N電極透明導(dǎo)電層和P電極透明導(dǎo)電層為氧化銦錫或氧化鋪錫電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無金屬電極的LED芯片，其特征在于，所述N電極透明導(dǎo)電層和P電極透明導(dǎo)電層通過真空鍍膜的方式分別固定連接在所述N型GaN層和P型GaN層上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無金屬電極的LED芯片，其特征在于，所述N電極透明導(dǎo)電層和P電極透明導(dǎo)電層利用真空鍍膜或?qū)щ娔z印制線路導(dǎo)通外部電路。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無金屬電極的LED芯片，其特征在于，所述襯底為藍(lán)寶石、硅或碳化硅。
【文檔編號】H01L33-42GK204303858SQ201420464856
【發(fā)明者】葉逸仁, 鄭香奕 [申請人]東莞保明亮環(huán)保科技有限公司