專利名稱:一種lte金屬邊框天線的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種LTE金屬邊框天線。所述天線設(shè)置于一通訊設(shè)備內(nèi)，包括通訊設(shè)備的主PCB板（1）和金屬邊框（2），金屬邊框設(shè)于主PCB板的外圍，二者左右之間有兩條很細(xì)小的左間隙（15）和右間隙（16），所述PCB板的上下兩端設(shè)置有凈空區(qū)；所述金屬邊框LTE主天線置于PCB板下端的凈空區(qū)，三合一天線和LTE分集天線置于PCB板上端的凈空區(qū)；金屬邊框上下兩端各有一斷點(diǎn)（3）和（4）。
【專利說(shuō)明】-種LTE金屬邊框天線

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及天線【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種采用金屬邊框作為天線一部分的 LTE天線設(shè)計(jì)方案。

【背景技術(shù)】
[0002] 當(dāng)前的無(wú)線終端內(nèi)置天線普遍采用平面倒F天線（PIFA)和單極天線（Monopole)。 平面倒F天線由于對(duì)面積和高度的要求較高，嚴(yán)重限制了整機(jī)的布局W及輕薄化。同時(shí)由 于多天線布局所限，及PIFA天線受周圍金屬影響所致其性能較差。對(duì)單極天線而言也一 樣，臨近區(qū)域大金屬件的存在對(duì)其無(wú)線性能無(wú)疑是致命的打擊。
[0003] 金屬邊框手機(jī)由于具有較美的金屬外觀而受人們青睞，另外手機(jī)采用金屬邊框的 設(shè)計(jì)形式，結(jié)構(gòu)更加堅(jiān)固，同時(shí)也可W使手機(jī)重量有所減輕。然而金屬邊框的存在，若用傳 統(tǒng)的單獨(dú)FPC形式，則金屬邊框?qū)?duì)天線產(chǎn)生較大的干擾，使天線性能受到比手機(jī)內(nèi)金屬 器件更大影響。
[0004] 把金屬邊框作為天線福射體的一部分，結(jié)合FPC走線，就可W較好地解決金屬邊 框的干擾問(wèn)題。另外，金屬邊框的開口個(gè)數(shù)增加會(huì)提升手機(jī)的生產(chǎn)成本，故要使邊框的開口 個(gè)數(shù)越少越好，但開口個(gè)數(shù)的減少也相應(yīng)提高了天線的設(shè)計(jì)難度。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0005] 針對(duì)上述問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的在于，提供一種將金屬邊框作為部分天線走線 的LTE天線。所述天線有效利用部分金屬邊框，能同時(shí)兼顧GSM、WCDMA、LTE多少頻段。
[0006] 本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下：一種LTE金屬邊框天線，設(shè)置于一通訊設(shè)備內(nèi)，包括 通訊設(shè)備的PCB板及圍繞在PCB板外圍的金屬邊框，所述PCB板和金屬邊框左右兩邊之間 分別設(shè)有左間隙和右間隙；金屬邊框上下兩端分別設(shè)置第一斷點(diǎn)和第二斷點(diǎn)；PCB板的上 下兩端均設(shè)置凈空區(qū)域；所述天線布線區(qū)域設(shè)置于PCB板下端的凈空區(qū)域，WIFI、BT、GPSH 合一天線和LTE分集天線設(shè)置于PCB板上端的凈空區(qū)域。
[0007] 所述左間隙上設(shè)置四個(gè)接地點(diǎn)；右間隙上設(shè)置H個(gè)接地點(diǎn)，分別用于配合H種天 線。
[0008] 優(yōu)選的，所述天線主體采用PIFA天線；所述H合一天線采用PIFA天線形式；所述 LTE分集天線采用PIFA天線或雙LOOP天線。所述LTE分集天線的饋電點(diǎn)與天線主體的饋 電點(diǎn)呈對(duì)角設(shè)置。
[0009] 優(yōu)選的，所述天線主體分別位于第一斷點(diǎn)兩側(cè)，包括左側(cè)的第一饋電點(diǎn)，由第一 饋電點(diǎn)引出的與金屬邊框左下角相連形成環(huán)路的第一走線；臨近第一走線與第一走線并列 設(shè)置的第二走線，由第一斷點(diǎn)左側(cè)金屬邊框及在金屬邊框末端向左引出的第H走線，第H 走線末端設(shè)彎折部；位于第H走線上方由PCB板地引出并第四走線；第一斷點(diǎn)右側(cè)金屬邊 框通過(guò)接地走線與PCB板地相連，左間隙上的兩個(gè)接地點(diǎn)靠近天線主體，右間隙上的一個(gè) 接地點(diǎn)靠近天線主體。
[0010] 優(yōu)選的，所述H合一天線位于第二斷點(diǎn)的左側(cè)，包括；由第二饋電點(diǎn)引出的與金屬 邊框相連的第一饋線，從金屬邊框引出的第五走線，位于第五走線下方從PCB板地引出的 第六走線，左間隙上兩個(gè)接地點(diǎn)靠近所述H合一天線。
[0011] 優(yōu)選的，所述LTE分集天線位于第二斷點(diǎn)的右側(cè)，包括：由第H饋電點(diǎn)引出的第二 饋線，其末端與金屬邊框上部相連，在第H饋點(diǎn)右側(cè)從PCB板地引出第走走線，其末端與金 屬邊框右側(cè)相連；在第H饋點(diǎn)左側(cè)從PCB板地引出第八走線，其彎折后與金屬邊框上部相 連；右間隙上的兩個(gè)接地點(diǎn)靠近所述LTE分集天線。
[0012] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型所述LTE金屬邊框天線有效利用了部分金屬邊框， 通過(guò)對(duì)天線主體形式的改變及其他輔助天線的設(shè)計(jì)，可使天線能覆蓋GSM、WCDMA、TOD-LTE 等多個(gè)頻段，避免了通訊終端金屬邊框?qū)μ炀€性能的影響，實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的性能。且整個(gè)金屬邊 框僅需兩個(gè)斷點(diǎn)，加工簡(jiǎn)單方便，節(jié)約成本。同時(shí)，采用所述LTE金屬邊框天線能使得手機(jī) 天線高度降低且使空間緊湊。

【附圖說(shuō)明】

[0013] 圖1為本實(shí)用新型所述H合一天線和LTE分集天線的實(shí)施例示意圖；
[0014] 圖2為本實(shí)用新型所述天線主體的實(shí)施例示意圖；
[0015] 圖3為本實(shí)用新型所述LTE金屬邊框天線實(shí)施例正面示意圖；
[0016] 圖4為上述實(shí)施例天線主體的仿真回波損耗圖；
[0017] 圖5為本實(shí)用新型天線方案主天線實(shí)測(cè)回波損耗圖；
[0018] 圖6上述實(shí)施例所述H合一天線的實(shí)測(cè)回波損耗圖；
[0019] 圖7上述實(shí)施例所述LTE分集天線的實(shí)測(cè)回波損耗圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020] 下面參考本實(shí)用新型實(shí)施例的附圖，對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的詳細(xì)介紹。實(shí)際應(yīng) 用中，本實(shí)用新型可許多不同形式實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)解釋為受在此提出之實(shí)施的限制。相 反，提出該些實(shí)施是為了達(dá)成充分及完整公開，并且使本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員完全了解本 實(shí)用新型的范圍。該些附圖中，為清楚起見，可能放大了層及區(qū)域的尺寸及相對(duì)尺寸。
[0021] 參考圖3，一種LTE金屬邊框天線，設(shè)置于一通訊設(shè)備內(nèi)，包括通訊設(shè)備的主PCB板 (1)和金屬邊框（2)，金屬邊框設(shè)于主PCB板的外圍，二者左右之間有兩條很細(xì)小的左間隙 (15)和右間隙（16)，所述PCB板的上下兩端設(shè)置有凈空區(qū)；所述金屬邊框LTE主天線置于 PCB板下端的凈空區(qū)，H合一天線和LTE分集天線置于PCB板上端的凈空區(qū)；金屬邊框上下 兩端各有一斷點(diǎn)（3)和（4)。
[0022] 參考圖2,所述的金屬邊框LTE主天線的饋電點(diǎn)（5)靠近左側(cè)，由饋電點(diǎn)引出的走 線（6)與金屬邊框相連形成一個(gè)環(huán)路，在左間隙（15)靠近此天線處設(shè)置兩個(gè)接地點(diǎn)；下端 斷點(diǎn)（3)左側(cè)金屬邊框及在金屬邊框末端連接一段金屬走線（7)，另金屬走線（7)末端會(huì)有 一個(gè)彎折；走線（8)與金屬邊框連接，走線（9)由PCB地板引出并彎折；斷點(diǎn)（3)右側(cè)金屬 邊框（10)與一段接地走線相連，在右間隙（16)靠近此天線處有個(gè)接地點(diǎn)。上述實(shí)施例主天 線的仿真回波損耗圖如圖4所示，可知低頻部分在-5地左右，高頻部分都在-5地W下，說(shuō) 明LTE主天線有較好的阻抗帶寬，可滿足實(shí)際應(yīng)用。
[0023] 參考圖1，在H合一天線中，由饋電點(diǎn)引出的饋線（11)與斷點(diǎn)（4)左側(cè)金屬邊框 (14)相連，并從金屬邊框（14)引出走線（12)，同PCB地板引出走線（13)，在靠近此天線的 左間隙（15 )還有兩個(gè)地接點(diǎn)。
[0024] 參考圖1，對(duì)LTE分集天線，由饋電點(diǎn)引出的饋線（17)與斷點(diǎn)（4)右側(cè)金屬邊框 (20)相連，在饋點(diǎn)右側(cè)從PCB地板上引出走線（18)與手機(jī)右側(cè)金屬邊框相連，然后與饋線 形成一個(gè)短環(huán)；在饋點(diǎn)左側(cè)從PCB地板上引出走線（19)且彎折后與金屬邊框（20)相連，然 后與饋線形成一個(gè)長(zhǎng)環(huán)；右側(cè)間隙（16)靠近天線處有兩個(gè)接地點(diǎn)。
[00巧]W上實(shí)施例所述組成LTE金屬邊框天線的H種形式天線的實(shí)測(cè)回波損耗圖分別 如圖5、6、7所示。從圖中可W看出，圖5主天線低頻部分較仿真曲線稍淺，高頻部分基本 在-5地W下，能符合要求；圖6 H合一天線的GI^S在-10地W下、WIFI/BT最低點(diǎn)也在-10地 W下，可W滿足要求；圖7的分集天線中，除第5點(diǎn)稍高外，其它都在-5地W下，也可達(dá)到要 求。W上出現(xiàn)與仿真的誤差，原因可能來(lái)自實(shí)物制作的偏差。
[0026] W上實(shí)施例所述組成LTE金屬邊框天線的H種形式天線的實(shí)測(cè)福射效率、平均功 率及最大功率分別見下表1、表2、表3 : 「m97l
[0031] 表 3

【權(quán)利要求】
1. 一種LTE金屬邊框天線，設(shè)置于一通訊設(shè)備內(nèi)，包括通訊設(shè)備的PCB板（1)及圍繞 在PCB板外圍的金屬邊框（2)，其特征在于，所述PCB板（1)和金屬邊框（2)左右兩邊之間 分別設(shè)有左間隙（15)和右間隙（16);金屬邊框上下兩端分別設(shè)置第一斷點(diǎn)（3)和第二斷點(diǎn) (4);PCB板的上下兩端均設(shè)置凈空區(qū)域；所述天線布線區(qū)域設(shè)置于PCB板下端的凈空區(qū)域， WIFI、BT、GPS H合一天線和LTE分集天線設(shè)置于PCB板上端的凈空區(qū)域。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LTE金屬邊框天線，其特征在于，所述左間隙（15)上設(shè)置四 個(gè)接地點(diǎn)；右間隙（16)上設(shè)置H個(gè)接地點(diǎn)。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LTE金屬邊框天線，其特征在于，所述天線主體采用PIFA天 線。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LTE金屬邊框天線，其特征在于，所述H合一天線采用PIFA 天線形式。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LTE金屬邊框天線，其特征在于，所述LTE分集天線采用PIFA 天線或雙LOOP天線。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LTE金屬邊框天線，其特征在于，所述LTE分集天線的饋電點(diǎn) 與天線主體的饋電點(diǎn)呈對(duì)角設(shè)置。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LTE金屬邊框天線，其特征在于，所述天線主體分別位于第 一斷點(diǎn)（3)兩側(cè)，包括左側(cè)的第一饋電點(diǎn)（5)，由第一饋電點(diǎn)引出的與金屬邊框左下角相 連形成環(huán)路的第一走線（6);臨近第一走線與第一走線并列設(shè)置的第二走線巧)，由第一斷 點(diǎn)（3 )左側(cè)金屬邊框及在金屬邊框末端向左引出的第H走線（7 )，第H走線（7 )末端設(shè)彎折 部；位于第H走線（7)上方由PCB板地引出并第四走線（9);第一斷點(diǎn)（3)右側(cè)金屬邊框通 過(guò)接地走線（10)與PCB板地相連，左間隙（15)上的兩個(gè)接地點(diǎn)靠近天線主體，右間隙（16) 上的一個(gè)接地點(diǎn)靠近天線主體。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LTE金屬邊框天線，其特征在于，所述H合一天線位于第二斷 點(diǎn)（4)的左側(cè)，包括：由第二饋電點(diǎn)引出的與金屬邊框（2)相連的第一饋線（11)，從金屬邊 框（2)引出的第五走線（12)，位于第五走線（12)下方從PCB板地引出的第六走線（13)，左 間隙（15)上兩個(gè)接地點(diǎn)靠近所述H合一天線。
【文檔編號(hào)】H01Q1-24GK204289710SQ201420683155
【發(fā)明者】彭鳴明, 吳永茂 [申請(qǐng)人]惠州碩貝德無(wú)線科技股份有限公司